JP2007019486A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 基板上に、下記の構造式１を有する、３〜２０質量％のシルセスキオキサンオリゴマー、３〜２０質量％の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物を塗布してスピンオンガラス膜を形成する工程、並びに
前記スピンオンガラス膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する工程、
を含む多孔性シリコン酸化膜の製造方法：
- 前記構造式１において、ｎとｍの比が、１：０．４〜１：２．４であることを特徴とする請求項１記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
- 前記アルコキシ基が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、及びブトキシ基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記低級アルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、及びブチル基からなる群より選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１または２記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
- 前記基板上に化学気相蒸着工程を行って酸化膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
- 前記基板上に導電性パターンを形成する段階を、さらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
- 前記スピンオンガラス組成物が、４〜１２質量％の前記シルセスキオキサンオリゴマー、４〜１２質量％の前記気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
- 前記スピンオンガラス膜を硬化させる工程が、
前記スピンオンガラス膜に含まれる溶媒の除去、及び気孔生成剤の熱分解のために、前記基板を７０〜３５０℃の温度にて予備ベイキングする工程、並びに
前記予備ベイキングしたスピンオンガラス膜をシリコン酸化膜に転換するために、前記基板を３５０〜５５０℃の温度にて主ベイキングする工程、
を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。 - 前記予備ベイキング工程が、不活性ガスの雰囲気下にて３〜１５分間行われることを特徴とする請求項７記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
- 前記予備ベイキング工程が、
７０〜１５０℃の温度にて前記溶媒を除去するための第１予備ベイキング工程、及び
１５０〜３５０℃の温度にて前記気孔生成剤を熱分解させるための第２予備ベイキング工程、
を含むことを特徴とする請求項７または８記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。 - 前記主ベイキング工程が、不活性ガスの雰囲気下にて１０〜１００分間行われることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
- 前記多孔性シリコン酸化膜が、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｒ結合（Ｒは低級アルキル基である）を、１：０．４〜１：２．４のモル比で含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の形成方法。
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