JP2007026889A - 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、均一な厚さに形成可能で、しかも誘電率特性、膜強度に優れた絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法。
式（I）中、Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ独立にＨまたは置換基、複数個のＲ1，Ｒ2両者の置換基のうち１つは（Ｒ3）3−Ｓｉ−Ｏ−で表される基。ｍは４〜３０を表す。Ｒ3はＨまたは置換基。複数個のＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つはＨを表す。Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さない。
【選択図】 なし
【解決手段】式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法。
式（I）中、Ｒ1，Ｒ2はそれぞれ独立にＨまたは置換基、複数個のＲ1，Ｒ2両者の置換基のうち１つは（Ｒ3）3−Ｓｉ−Ｏ−で表される基。ｍは４〜３０を表す。Ｒ3はＨまたは置換基。複数個のＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つはＨを表す。Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さない。
【選択図】 なし
Description
本発明は、膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも、誘電率特性などに優れた絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法および絶縁膜に関する。
従来、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、気相成長（ＣＶＤ）法などの真空プロセスで形成されたシリカ（ＳｉＯ2）膜が多用されている。そして、近年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポリオルガノシロキサンを主成分とする低誘電率の層間絶縁膜が開発されている。
しかし、無機材料の膜の中で最も低い誘電率を示すＣＶＤ−ＳｉＯ2膜でも、誘電率は約４程度である。また、低誘電率ＣＶＤ膜として最近検討されているＳｉＯＦ膜の誘電率は約３．３〜３．５であるが、この膜は吸湿性が高く、使用しているうちに誘電率が上昇するという問題がある。
かかる状況下、絶縁性、耐熱性、耐久性に優れた絶縁膜材料として、オルガノポリシロキサンに高沸点溶剤や熱分解性化合物を添加して空孔を形成し、誘電率を下げる方法が知られている。しかしながら、上記のような多孔質膜では、多孔化することにより誘電率特性が下がっても、機械強度が低下すること、吸湿による誘電率増加がおこることなどが問題になっていた。また、互いに連結した空孔が形成されるため、配線に用いられた銅が、絶縁膜中に拡散することなどが問題となっていた。
一方、環状構造を有するシロキサン化合物を用いて誘電率低下を図る試みは公知であるが（特許文献１、２参照）、これらに示されている方法では、絶縁膜の密度を低下させる効果が小さく、誘電率は十分に低下しなかった。
一方、環状構造を有するシロキサン化合物を用いて誘電率低下を図る試みは公知であるが（特許文献１、２参照）、これらに示されている方法では、絶縁膜の密度を低下させる効果が小さく、誘電率は十分に低下しなかった。
従って本発明は、上記問題点を解決するための組成物、絶縁膜製造方法およびこれを用いて形成された絶縁膜に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の上記目的は、下記の手段より達成されることが見出された。
（１）
下記一般式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む膜形成用組成物。
一般式（I）中、
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、複数個存在するＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（II）で表される基を表す。
ｍは４〜３０の整数を表す。
（Ｒ3）3−Ｓｉ−Ｏ− （ＩＩ）
一般式（II）中、Ｒ3は水素原子または置換基を表す。
複数個存在するＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表す。
ただし、Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さない。
（２）
一般式（I）において、ｍが５〜２０の整数であることを特徴とする上記（１）に記載の組成物。
（３）
一般式（Ｉ）および一般式（ＩＩ）における、
Ｒ1およびＲ2が水素原子、アルキル基、アリール基または一般式（ＩＩ）で表される基であり、ｍ個のＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（ＩＩ）で表される基を表し、
Ｒ3は水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、
複数あるＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表し、
Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さないことを特徴とする、上記（１）または（２）に記載の組成物。
（４）
一般式（I）で表される化合物が、ビニル基またはエチニル基を含む上記（１）または（２）に記載の組成物。
（５）
一般式（III）で表される化合物と一般式（IV）で表される化合物を反応させることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物の製造方法。
一般式（III）および一般式（IV）中、
Ｒ1、ｍおよびＲ3はそれぞれ一般式（I）および一般式（II）におけるものと同意である。
Ａは水素原子または金属原子を表す。
Ｘは水酸基または加水分解性基を表す。
（６）
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を用いて製造された絶縁膜。
（７）
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を基板上に塗布した後、焼成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
（８）
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を用いて製造されたポリマー。
下記一般式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む膜形成用組成物。
一般式（I）中、
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、複数個存在するＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（II）で表される基を表す。
ｍは４〜３０の整数を表す。
（Ｒ3）3−Ｓｉ−Ｏ− （ＩＩ）
一般式（II）中、Ｒ3は水素原子または置換基を表す。
複数個存在するＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表す。
ただし、Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さない。
（２）
一般式（I）において、ｍが５〜２０の整数であることを特徴とする上記（１）に記載の組成物。
（３）
一般式（Ｉ）および一般式（ＩＩ）における、
Ｒ1およびＲ2が水素原子、アルキル基、アリール基または一般式（ＩＩ）で表される基であり、ｍ個のＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（ＩＩ）で表される基を表し、
Ｒ3は水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、
複数あるＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表し、
Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さないことを特徴とする、上記（１）または（２）に記載の組成物。
（４）
一般式（I）で表される化合物が、ビニル基またはエチニル基を含む上記（１）または（２）に記載の組成物。
（５）
一般式（III）で表される化合物と一般式（IV）で表される化合物を反応させることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物の製造方法。
Ｒ1、ｍおよびＲ3はそれぞれ一般式（I）および一般式（II）におけるものと同意である。
Ａは水素原子または金属原子を表す。
Ｘは水酸基または加水分解性基を表す。
（６）
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を用いて製造された絶縁膜。
（７）
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を基板上に塗布した後、焼成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
（８）
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の組成物を用いて製造されたポリマー。
本発明によれば、半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、誘電率特性に優れた絶縁膜を形成することができる。
以下、本発明の膜形成用組成物は、下記一般式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む。
＜一般式（I）で表される化合物＞
一般式（I）中、
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。複数個存在するＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（II）で表される基を表す。
ｍは４〜３０の整数を表す。
（Ｒ3）3−Ｓｉ−Ｏ− （ＩＩ）
一般式（II）中、
Ｒ3は水素原子または置換基を表す。
複数個存在するＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表す。
ただし、Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さない。
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。複数個存在するＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（II）で表される基を表す。
ｍは４〜３０の整数を表す。
（Ｒ3）3−Ｓｉ−Ｏ− （ＩＩ）
一般式（II）中、
Ｒ3は水素原子または置換基を表す。
複数個存在するＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表す。
ただし、Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さない。
Ｒ1〜Ｒ3が表す置換基としては、環状もしくは鎖状のアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換基を有してもよい。
Ｒ1として好ましいのは、環状もしくは鎖状のアルキル基、アリール基、アルケニル基、エチニル基であり、アルキル基、アリール基がより好ましい。中でも、低い誘電率の膜を与える点では環状アルキル基（シクロプロピル基、シクロヘキシル基など）が好ましく、耐熱性が高い膜を与える点ではメチル基が好ましく、プラズマ耐性の高い膜を与える点で、アリール基（フェニル基など）が好ましい。
ｍは、４〜３０の整数であるが、誘電率低下効果の点から、５〜２０が好ましく、５〜１５がより好ましく、６、８、１２が特に好ましい。
本発明のＲ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解基を表さないが、ここで言う加水分解基とは、水との反応で、ケイ素原子から離脱する基であり、例としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、およびハロゲン原子が挙げられる。
本発明の組成物には、水酸基または加水分解基を置換基として有するケイ素原子を含む化合物が含まれていないことが低誘電率化のために好ましい。
Ｒ1として好ましいのは、環状もしくは鎖状のアルキル基、アリール基、アルケニル基、エチニル基であり、アルキル基、アリール基がより好ましい。中でも、低い誘電率の膜を与える点では環状アルキル基（シクロプロピル基、シクロヘキシル基など）が好ましく、耐熱性が高い膜を与える点ではメチル基が好ましく、プラズマ耐性の高い膜を与える点で、アリール基（フェニル基など）が好ましい。
ｍは、４〜３０の整数であるが、誘電率低下効果の点から、５〜２０が好ましく、５〜１５がより好ましく、６、８、１２が特に好ましい。
本発明のＲ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解基を表さないが、ここで言う加水分解基とは、水との反応で、ケイ素原子から離脱する基であり、例としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、およびハロゲン原子が挙げられる。
本発明の組成物には、水酸基または加水分解基を置換基として有するケイ素原子を含む化合物が含まれていないことが低誘電率化のために好ましい。
一般式（I）で表される化合物に、ビニル基またはエチニル基が含まれていることも好ましい。
一般式（I）で表される化合物は、１種類のユニットから構成されていても良いし、異なった複数のユニットから構成されていても良い。すなわち、一般式（Ｉ）において複数個存在するＲ1〜Ｒ3は、それぞれ互いに同じでも異なっていてもよい。
一般式（I）について置換基の立体的な位置関係については特に限定は無く、全てのＲ1が−Ｓｉ−Ｏ−で形成される環に対して同方向に存在していても良いし、Ｒ1の方向が規則的に変わっても良いし、規則性がなくても良いが、膜中で均質な構造を形成するために、Ｒ1の方向には一定の規則性があることが好ましい。
一般式（I）について置換基の立体的な位置関係については特に限定は無く、全てのＲ1が−Ｓｉ−Ｏ−で形成される環に対して同方向に存在していても良いし、Ｒ1の方向が規則的に変わっても良いし、規則性がなくても良いが、膜中で均質な構造を形成するために、Ｒ1の方向には一定の規則性があることが好ましい。
以下に一般式（I）の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式（I）で表される化合物は、たとえば、一般式（III）で表される化合物と、一般式（IV）で表される化合物を反応させることで合成できる。一般式（III）でされる化合物は、たとえば、Inorganic Chemistry 2002,41,6898-6904、Russian Chemical Bulletin,International Edition,Vol.52,No.12,2722-2731(2003)等に記載の方法に従って合成できる。
これらの式中、
Ｒ1、ｍ、Ｒ3はそれぞれ一般式（I）または一般式（II）におけるものと同意である。
Ｘは加水分解性基または水酸基を表す。Ｘの表す加水分解性基としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシルオキシ基などを挙げることができる。中でもアルコキシ基、アシルオキシ基および塩素原子が好ましく、塩素原子が最も好ましい。
Ａは水素原子または金属原子を表す。Ａの表す金属原子としては、Ｎａ，Ｋ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｎなどを挙げることができる。
Ｒ1、ｍ、Ｒ3はそれぞれ一般式（I）または一般式（II）におけるものと同意である。
Ｘは加水分解性基または水酸基を表す。Ｘの表す加水分解性基としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシルオキシ基などを挙げることができる。中でもアルコキシ基、アシルオキシ基および塩素原子が好ましく、塩素原子が最も好ましい。
Ａは水素原子または金属原子を表す。Ａの表す金属原子としては、Ｎａ，Ｋ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｍｎなどを挙げることができる。
一般式（III）で表される化合物と、一般式（IV）で表される化合物との反応は、例えば、溶媒中に、一般式（III）で表される化合物と、一般式（III）で表される化合物中に含まれるＳｉ−ＯＡ基数の１〜１００倍モルの一般式（IV）で表される化合物とを添加し、撹拌しながら、通常０〜１８０℃、１０分〜２０時間行う。反応雰囲気中には水分が含まれないことが好ましく、好ましい反応雰囲気の例としては、乾燥した、窒素、アルゴン、空気等が挙げられる。溶媒としては、トルエン、ヘキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などの有機溶剤が好ましい。
一般式（III）で表される化合物と一般式（IV）で表される化合物を反応させる際には、トリエチルアミン、ピリジン等の塩基を添加することが好ましい。
一般式（III）で表される化合物と一般式（IV）で表される化合物を反応させる際には、トリエチルアミン、ピリジン等の塩基を添加することが好ましい。
本発明の膜形成用組成物には、一般式（I）で表される複数の異なった化合物もしくはその重合物が含まれていても良い。
本発明の膜形成用組成物中における、一般式（I）で表される化合物の含有量は全固形分に対して好ましくは１０質量単位〜８０質量単位、より好ましくは２０質量単位〜７０質量単位である。
本発明の膜形成用組成物中における、一般式（I）で表される化合物の含有量は全固形分に対して好ましくは１０質量単位〜８０質量単位、より好ましくは２０質量単位〜７０質量単位である。
＜ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物＞
本発明の組成物には、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または一般式（I）の化合物とビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物との反応物が含まれる。
この化合物は、ビニル基またはエチニル基が炭化水素環またはケイ素原子に結合していることが好ましい。１分子中のビニル基またはエチニル基の合計数は２〜２４個が好ましく、２〜１２個がより好ましく、２〜８個が最も好ましい。
ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、あるいは一般式（I）の化合物とビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物との反応物としては、好ましくは以下のものが挙げられる。
この化合物は、ビニル基またはエチニル基が炭化水素環またはケイ素原子に結合していることが好ましい。１分子中のビニル基またはエチニル基の合計数は２〜２４個が好ましく、２〜１２個がより好ましく、２〜８個が最も好ましい。
ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、あるいは一般式（I）の化合物とビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物との反応物としては、好ましくは以下のものが挙げられる。
本発明の膜形成用組成物は、適当な溶剤に溶解させて、支持体上に塗布して使用することが好ましい。使用できる溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ジメチルイミダゾリジノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、イソプロパノール、エチレンカーボネート、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等が好ましく、これらの溶剤を単独あるいは混合して使用する。
上記の中でも、好ましい溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレンカーボネート、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、キシレン、メシチレン、ジイソプロピルベンゼンを挙げることができる。
また、本発明の組成物を製造するに際しては、一般式（I）で表される化合物と、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物とを溶剤に溶解してそのまま用いても良いし、本発明の化合物を加熱等の方法により各々、または互いに重合させて高分子量化してから用いても良い。高分子量化における重量平均分子量は、１０００〜５０００００が好ましく、２０００〜２０００００がより好ましく、５０００〜１０００００が最も好ましい。本発明の組成物には重合のための触媒として、塩基触媒、酸触媒、ラジカル発生剤、金属触媒を添加しても良い。
このようにして得られる本発明の組成物の全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０質量％であり、使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が２〜３０質量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、塗布液の保存安定性もより優れるものである。
このようにして得られる本発明の組成物の全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０質量％であり、使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が２〜３０質量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、塗布液の保存安定性もより優れるものである。
このようにして得られる本発明の絶縁膜形成用材料を、シリコンウエハ、ＳｉＯ2 ウエハ、ＳｉＮウエハなどの基材に塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。
この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗りで厚さ０．０５〜１．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ０．１〜３μｍ程度の塗膜を形成することができる。その後、常温で乾燥するか、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用して加熱することによって、ガラス質または巨大高分子、またはその混合物の絶縁膜を形成することができる。この際加熱雰囲気としては、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、などで行うことができるが、焼成温度の最高値が３００℃以上４３０℃以下の条件で焼成することが好ましい。
より具体的には、本発明の絶縁膜形成材料を、例えばスピンコート法により、基板（通常は金属配線を有する基板）上に塗布し、予備熱処理を行うことにより溶媒を乾燥させ、次いで３００℃以上４３０℃以下の温度で最終熱処理（アニール）を行うことにより低誘電率の絶縁膜を形成できる。
この方法により、誘電率の低い絶縁膜、すなわち、誘電率が２．７以下、好ましくは２．５以下の絶縁膜を得ることができる。本発明の組成物に熱分解性化合物等を添加すること等によって多孔質化することにより、さらに誘電率を低下させてもよい。
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。なお、実施例中の部および％は、特記しない限り、それぞれ質量部および質量％であることを示している。
〔合成例１〕
Inorganic Chemistry, 41, 6898-6904 (2002) に記載の方法に従って合成した化合物（Ｉ−１１−ａ）１.１ｇ(０．６６４ミリモル)をピリジン３．８７ｍｌ（４７．８５ミリモル）とジメチルクロロシラン５．３１ｍｌ（４７．８５ミルモル）の混合物に加え、１時間加熱還流した。トルエン３５ｍｌを加え、さらに1時間加熱還流した後、氷水１００ｍｌに注ぎ分液した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、例示化合物（Ｉ−１１）０．９ｇ（０．３８ミリモル）を得た。
Inorganic Chemistry, 41, 6898-6904 (2002) に記載の方法に従って合成した化合物（Ｉ−１１−ａ）１.１ｇ(０．６６４ミリモル)をピリジン３．８７ｍｌ（４７．８５ミリモル）とジメチルクロロシラン５．３１ｍｌ（４７．８５ミルモル）の混合物に加え、１時間加熱還流した。トルエン３５ｍｌを加え、さらに1時間加熱還流した後、氷水１００ｍｌに注ぎ分液した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、例示化合物（Ｉ−１１）０．９ｇ（０．３８ミリモル）を得た。
化合物（Ｉ−１１−ａ）１.１ｇ(０．６６４ミリモル)をピリジン３．８７ｍｌ（４７．８５ミリモル）とビニルジメチルクロロシラン６．６１ｍｌ（４７．８５ミルモル）の混合物に加え、１時間加熱還流した。トルエン３５ｍｌを加え、さらに1時間加熱還流した後、氷水１００ｍｌに注ぎ分液した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し例示化合物（Ｖ−５）１．３ｇ（０．５５ミリモル）を得た。
例示化合物（Ｉ−１１）０．５ｇと例示化合物（Ｖ−５）０．５ｇを４−メチル−２―ペンタノン１３ｍｌに溶解し、組成物(１１−１)を得た。
例示化合物（Ｉ−１１）０．５ｇと例示化合物（Ｖ−５）０．５ｇを４−メチル−２―ペンタノン１３ｍｌに溶解し、組成物(１１−１)を得た。
〔合成例２〕
Russian Chemical Bulletin,International Edition, Vol.52, No.12, 2722-2731 (2003) に記載の方法に従って、例示化合物(Ｉ−２−a)を合
成し、合成例１と同様の方法で例示化合物（Ｉ−２）を合成した。
Russian Chemical Bulletin,International Edition, Vol.52, No.12, 2722-2731 (2003) に記載の方法に従って、例示化合物(Ｉ−２−a)を合
成し、合成例１と同様の方法で例示化合物（Ｉ−２）を合成した。
例示化合物（Ｉ−２）０．４ｇおよび例示化合物（Ｉ−７）０．６ｇ、プラチナ(０)―１，３―ジビニルー１，１，３，３，テトラメチルシロキサンコンプレックスキシレン溶液（アルドリッチ社製）1０μｌをキシレン１３ｍｌに溶解させて、７０℃で１時間攪拌して、組成物（２−１）を得た。
〔比較化合物の合成〕
アセトン７２ｍｌに溶解したトリクロロフェニルシラン３９．２ｇ（１８６ミリモル）を１．４２Ｋｇの氷水に滴下し、０℃で２０時間攪拌した。沈殿をろ取し、水洗後乾燥させ二硫化炭素２００ｍｌに懸濁させてろ取し、アセトン／トルエンで再結晶し。比較用化合物 ８ｇ(１４．５ミリモル）を得た。
比較用化合物１ｇを４−メチル−２―ペンタノン１３ｍｌに溶解させ比較用組成物を得た。
アセトン７２ｍｌに溶解したトリクロロフェニルシラン３９．２ｇ（１８６ミリモル）を１．４２Ｋｇの氷水に滴下し、０℃で２０時間攪拌した。沈殿をろ取し、水洗後乾燥させ二硫化炭素２００ｍｌに懸濁させてろ取し、アセトン／トルエンで再結晶し。比較用化合物 ８ｇ(１４．５ミリモル）を得た。
比較用化合物１ｇを４−メチル−２―ペンタノン１３ｍｌに溶解させ比較用組成物を得た。
＜実施例＞
合成例で作成した組成物を０．２μｍ孔径のテフロン（登録商標）製フィルターでろ過後、スピンコート法で４インチシリコンウエハ上に塗布後、ホットプレート上で１３０℃で１分間ついで２３０℃で１分間、基板を乾燥し、さらに窒素雰囲気のクリーンオーブン中で４００℃で３０分間加熱することによって塗膜を作成し、フォーディメンジョンズ社製水銀プローブを用いて測定した。
合成例で作成した組成物を０．２μｍ孔径のテフロン（登録商標）製フィルターでろ過後、スピンコート法で４インチシリコンウエハ上に塗布後、ホットプレート上で１３０℃で１分間ついで２３０℃で１分間、基板を乾燥し、さらに窒素雰囲気のクリーンオーブン中で４００℃で３０分間加熱することによって塗膜を作成し、フォーディメンジョンズ社製水銀プローブを用いて測定した。
本塗膜の評価結果を表１に示す。
表１に示した結果から、本発明の組成物を用いると、低誘電率の膜を形成できることがわかる。
Claims (8)
- 下記一般式（I）で表される化合物、および、ビニル基またはエチニル基を分子内に計２個以上有する化合物、または、それらの重合物を含む膜形成用組成物。
Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、複数個存在するＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（II）で表される基を表す。
ｍは４〜３０の整数を表す。
（Ｒ3）3−Ｓｉ−Ｏ− （ＩＩ）
一般式（II）中、Ｒ3は水素原子または置換基を表す。
複数個存在するＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表す。
ただし、Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さない。 - 一般式（I）において、ｍが５〜２０の整数であることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
- 一般式（Ｉ）および一般式（ＩＩ）における、
Ｒ1およびＲ2が水素原子、アルキル基、アリール基または一般式（ＩＩ）で表される基であり、ｍ個のＲ1およびＲ2のうち少なくとも１つは一般式（ＩＩ）で表される基を表し、
Ｒ3は水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、
複数あるＲ1〜Ｒ3のうち、少なくとも２つは水素原子を表し、
Ｒ1〜Ｒ3は水酸基および加水分解性基を表さないことを特徴とする、請求項１または２に記載の組成物。 - 一般式（I）で表される化合物が、ビニル基またはエチニル基を含む請求項１または２に記載の組成物。
- 一般式（III）で表される化合物と一般式（IV）で表される化合物を反応させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物の製造方法。
Ｒ1、ｍおよびＲ3はそれぞれ一般式（I）および一般式（II）におけるものと同意である。
Ａは水素原子または金属原子を表す。
Ｘは水酸基または加水分解性基を表す。 - 請求項１〜４のいずれかに記載の組成物を用いて製造された絶縁膜。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の組成物を基板上に塗布した後、焼成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の組成物を用いて製造されたポリマー。
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|---|---|---|---|---|
| JP2008239812A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Jsr Corp | 膜形成方法、及びトレンチアイソレーションの形成方法 |
| JPWO2011049078A1 (ja) * | 2009-10-22 | 2013-03-14 | 日産化学工業株式会社 | ケイ素化合物を用いる膜形成組成物 |
| JP2019108465A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 旭化成株式会社 | 硬化物 |
| US11091506B2 (en) | 2017-08-16 | 2021-08-17 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Silanol composition, cured product, adhesive, and method for curing silanol composition |
-
2005
- 2005-07-15 JP JP2005207408A patent/JP2007026889A/ja active Pending
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