JPH0446934A - 感光性耐熱樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置並びにそれらの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 各種集積回路等の半導体装置の製造のうちの多層配線形
成工程において有利に使用することができる、新規な有
機珪素重合体、その製造方法、該有機珪素重合体を層間
絶縁膜として使用した半導体装置および該有機珪素重合
体を層間絶縁膜として使用する半導体装置の製造方法に
関し、半導体装置の分野において有用な新規な有機珪素
重合体、その製造方法、それを使用した半導体装置及び
該有機珪素重合体の感光性を利用し、上下配線層間の導
通を行うためのスルーホール形成工程を簡便に行うこと
を目的とし、 有機珪素重合体を一般弐Ｎ） ［Ｒ’５ｉＯｚ／ｚ（Ｒ”）　＋ｙｚｌ、　　　　・・
・　（１）（式中、Ｒ’　は、５％以上が炭素数２〜５
のエポキシ基であり、かつ５％以上が芳香族ジアゾニウ
ム塩であり、残りがヒドロキシ基及び水素、炭素数１〜
５の低級アルキル基又は炭素数１〜５の低級アルコキシ
基を表し、Ｒ２は０１〜Ｃ２低級アルキレン基を表し、
ｎは１０〜５０，０００の整数を表す）により表され、
かつ、３．ＯＯＱ〜５，０００，０００の重量平均分子
量を有する有機珪素重合体であって、該重合体中に含ま
れるシラノール基の水素原子が、式（ＩＩ）で示される
トリオルガノシリル基：（Ｒ）ｓｓｉ−・・・　　（Ｉ
ｆ） （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、Ｃ８〜
Ｃ２の低級アルケニル基、０１〜Ｃ３の低級アルキル基
又はフェニル基もしくはフェニル誘導体基を表す）によ
って置換されているもので構成する。

［産業上の利用分野〕 本発明は、各種集積回路等の半導体装置の製造のうちの
多層配線形成工程において有利に使用することができる
、新規な有機珪素重合体、その製造方法、該有機珪素重
合体を層間絶縁膜として使用した半導体装置および該有
機珪素重合体を層間絶縁膜として使用する半導体装置の
製造方法に関する。

即ち、本発明の有機珪素重合体は、ＩＣ１ＬＳＩ等の集
積度の高い半導体装置の多層配線を形成するに際して、
下地段差を平坦化しつつ優れた絶縁性を有する膜を形成
し、よって、装置の信顛性を高めることができる。

〔従来の技術〕

周知の通り、高分子量のポリオルガノシルセスキオキサ
ンは半導体装置等の製造において有用な有機珪素重合体
であり、また、従来より、オルガノトリクロロシラン又
はオルガノトリアルコキシシランを出発原料として、該
化合物を加水分解し、引続き脱水縮合して、かかる高分
子量のポリオルガノシルセスキオキサンを得る方法は、
公知であった。このような三官能シリコンを構造単位と
する有機珪素重合体は、その一部又は全部が梯子型の構
造をなし、有機溶媒に対する可溶性を保持していると言
われている。同様に、１．４−ビス（ヒドロキシジメチ
ルシリル）エタンをメチルイソブチルケトンに溶解し、
引き続いて、生成する水を除去しながら還流条件下で縮
合することによって、例えばテトラメチルシルエチレン
シロキサンなどの、シロキサン結合とシルアルキレン結
合を交互に有する直鎖状の有機珪素重合体を製造する方
法も従来から公知であった。

また、上記のような有機珪素重合体の用途の一つとして
、多層配線構造をもった半導体装１の層間絶縁膜があっ
た。

層間絶縁膜は、第−層配線を施した後、絶縁膜を形成し
、絶縁膜上に上下配線層間の導通をはかるためのスルー
ホールを形成した後、絶縁膜を介して第二層配線を施し
、順次この工程を繰り返して多層配線を形成するために
、必須の膜であった。

層間絶縁膜としては、従来、シランガスや酸素ガス等を
用いて気相成長法により形成した二酸化珪素、りんガラ
ス（ＰＳＧ）などの無機材料、もしくはポリイミド、シ
リコン樹脂などの高分子絶縁材料、または、これらの積
層体などの材料を用いて形成されているが、配線パター
ンの微細化に伴い信軌性という点でより特性の優れた材
料が要求されてきた。

〔発明が解決しようとする課題〕

多層配線を考えた場合、第−層配線を施した半導体基板
の表面は配線による凹凸を有するので、これを下地とし
てその上に無機膜を形成すると層間絶縁膜の表面は下地
の凹凸をそのまま再現してしまい、そのため、その上に
形成される上層配線の断線や絶縁不良等の原因となる。

従って、凹凸を有する下地基板を平坦化できる絶縁材料
の開発が望まれていた。

そこで、無機膜形成方法として凹凸を有する無機膜表面
に樹脂膜をスピンコード法により形成して表面の平坦化
を行った後、樹脂膜がなくなるまで均一に膜を削り、平
坦な無機膜を得るエッチバック法、無機膜の堆積とスパ
ッタを同時に行い膜の凸部を削りながら成膜することに
より平坦な無機膜を形成するバイアススパッタ法などの
ような改良無機膜形成プロセスによって平坦な絶縁膜表
面を得ようとする方法や樹脂をスピンコード法により成
膜して表面の平坦な膜を得、加熱硬化させた後にそのま
ま絶縁膜として用いる方法などが検討されている。これ
らの中でプロセス的に簡単な樹脂塗布法は、樹脂をスピ
ン塗布した後に加熱硬化させる必要があるが、従来から
用いられているポリイミドは熱分解が４５０°Ｃ程度で
生じることや吸湿性が高く、アルカリ金属などの腐蝕性
不純物を含むなどの欠点を有している。また、シリコン
樹脂も、４００°Ｃ程度の温度で酸化されたり、５００
°Ｃ以上の温度で熱分解したりして、膜の歪みによるク
ラックを発生し易いという欠点を有している。

このため、耐熱性が高く高純度で吸湿性の低い耐熱性材
料の開発が望まれていた。また、多層配線の形成に際し
ては、上下配線層の導通をはかるためのスルーホールの
形成を行った後に加熱硬化させるとよりプロセスの簡便
化がはかれるため、熱処理工程において変化の生じない
パターンニング可能な耐熱樹脂材料が望まれていた。

従って、本発明の第一の課題は、上記したような従来の
技術の欠点を解消して、半導体装置等の分野において有
用な新規な有機珪素重合体を提供することにある。

本発明の第二の課題は、かかる新規な有機珪素重合体を
製造する方法を提供することにある。

本発明の第三の課題は、かかる新規な有機珪素重合体を
使用した半導体装置を提供することにある。

本発明の第四の課題は、かかる新規な有機珪素重合体の
感光性を利用し、上下配線層間の導通を行うためのスル
ーホール形成工程を簡便に行うことにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記した第一の課題は、本発明によれば、一般式（Ｉ）
： （Ｒ’ＳｉＯ□／ｚ（Ｒ”）＋ｚｚ）ゎ　　　・・・　
（１）（式中、Ｒ１は、５％以上、好ましくは１０〜５
０％が炭素数２〜５のエポキシ基であり、かつ５％以上
、好ましくは１０〜５０％が芳香族ジアゾニウム塩であ
り、残りがヒドロキシル基及び水素、炭素数１〜５の低
級アルキル基又は炭素数１〜５の低級アルコキシ基を表
し、Ｒ２は炭素数１〜５の低級アルキレン基を表し、ｎ
は１０〜５０．０００の整数を表す）により表され、か
つ３，０００〜５，０００，０００　、好ましくは１０
．０００〜１００，０００の重量平均分子量を有する有
機珪素重合体であって、該重合体中に含まれるシラノー
ル基の水素原子が、式（ｎ）で示されるトリオルガノシ
リル基： （Ｒ）３　Ｓｔ−・・・　（ＩＩ） （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、炭素数
１〜５の低級アルケニル基、炭素数１〜５の低級アルキ
ル基又はフェニル基もしくはフェニル誘導体基（例えば
、トリル基、キシル基などのアルキル置換体、水酸基や
ニトロ基置換体を表す）によって置換されている有機珪
素重合体により解決できる。

本発明による有機珪素重合体は、好ましくは構造式（Ｉ
Ａ）もしくは（ＴＢ）の重合体又はこれらの混合物であ
る。

（式中、Ｒ及びＲ１は同一もしくは異なっていてもよく
、前記定義に同じである。） さらに、本発明によれば前記した第二の課題は、前記一
般式（Ｉ）により表され、かつ３，０００〜５．０００
，０００の重量平均分子量を存する有機珪素重合体を製
造するに当たって、式（Ｉ［［）の有機珪素化合物： （式中、Ｒ１は５％以上が炭素数２〜５のエポキシ基、
かつ５％以上が芳香族ジアゾニウム塩であり、残りがヒ
ドロキシル基及び水素、炭素数１〜５の低級アルキル基
又は炭素数１〜５の低級アルコキシ基を表し、Ｒ″は炭
素数１〜５の低級アルキレン、例えばメチレン基、エチ
レン基、プロピレン基、イソプロピレン基などを表し、
そし。てＲ３は、同一もしくは異なっていてもよく、例
えば塩素等のハロゲンもしくは炭素数１〜５の低級アル
コキシ基を表す）を水と反応させて加水分解し、引き続
いて、得られた反応生成物を脱水重縮合させ、さらに引
き続いて、得られた有機珪素重合体を次式で示されるト
リオルガノハロシラン、トリオルガノシアノシラン、ト
リオルガノイソシアナートシラン、トリオルガノイソチ
オシアナートシラン： （Ｒ）３　Ｓｉ　Ｘ （式中、Ｒは炭素数１〜５の低級アルケニル基、炭素数
１〜５の低級アルキル基又はフェニル！又はフェニル誘
導体基を表し、そしてＸはハロゲン、シアノ基、イソシ
アナート基もしくはイソチオシアナート基を表す）又は 次式で示されるヘキサオルガノジシラザン：（Ｒ）３５
　　Ｎ　　Ｓｉ　　（Ｒ）３Ｈ （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、前記定
義に同じである）又は 次式で示されるヘキサオルガノジシロキサン：（Ｒ）ｓ
　Ｓｔ　　ＯＳｉ　（Ｒ）１ （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、前記定
義に同じである）、又は これらの混合物と反応させて、前記重合体中に残存する
前記脱水縮重合に寄与しなかったシラノール基の水素原
子を式（ＩＩ）で示されるトリオルガノシリル基： （Ｒ）ｓ　Ｓｔ−・・・　（ＩＩ） （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、前記定
義に同じである）によって置換することからなる有機珪
素重合体の製造方法によって解決することができる。

また、本発明によれば、前記した第三の課題は、前記式
（Ｉ）により表され、かつ３，０００〜５．０００，０
００の重量平均分子量を有する有機珪素重合体であって
、該重合体中に含まれるシラノール基の水素原子が、前
記式（ｎ）で示されるトリオルガノシリル基によって置
換されている有機珪素重合体からなる層間絶縁膜を有す
る多層配線構造をもった半導体装置によって解決するこ
とができる。

層間絶縁膜の形成に使用できる有機珪素重合体は、好ま
しくは、前記一般式（１）により示され、のエポキシ基
であり、かつ５％以上が芳香族ジアゾニウム塩であり、
残りがＯＨ基及びＨｌＣＨｘ、ＣｚＨｓ。

ｎ−Ｃ３Ｈｙ＋　１−Ｃ３Ｈ７＋　０ＣＨ３１０ＣＺＨ
３Ｉ　０−ｎ−Ｃ３Ｈ７，又は０−ｉ−Ｃ：＋ｔｂなど
であり、Ｒ２が炭素数１〜５の低級アルキレン基（例え
ば、−ＣＨｚ−、−ＣＪｎ−、−ＣＪｈ−）であり、か
かる重合体中に含まれるシラノール基の水素原子が、前
記式（ＩＩ）で示されるトリオルガノシリル基によって
置換されており、そしてｎが１０〜５０．０００の整数
を表すポリオルガノシルアルキレンシロキサンである。

前記アルキレン基としては特に限定されないが、実用的
には、メチレンおよびエチレンが好ましい。また、ポリ
オルガノシルアルキレンシロキサンの分子鎖中のシルア
ルキレン結合とシロキサン結合の比率は、いずれであっ
てもかまわないが、２５重量％以上のシルアルキレン結
合を有するのが好ましい。また、上記樹脂は、単独で層
間絶縁膜として使用しても、又はＳｉＯ□、　ＳｉＮ、
　５ｔＯＮ＋　ＰＳＧ等の無＠膜と併用して層間絶縁膜
として使用することもできる。

この有機珪素重合体は、それを層間絶縁膜として用いた
場合に、形成された絶縁膜が配線材料の熱膨張に起因す
る応力を受けにくいために、クランクを生じにくいとい
う点で、従来の有機珪素重合体よりも使用し易い材料で
ある。

さらに、本発明によれば、前記した第四の課題は、前記
一般式（１）により示され、式中のＲ１基であり、残り
がＯＨ及びＨ＋　ＣＨ３，ＣｚＨｓ＋　ｎ−ＣＪｔ。

１−Ｃ３Ｈ１＋　ＯＣＨ：ｌ、　ＯＣ，Ｈ５ｌ　０−ｎ
−ＣＪｔ又は０−ｉ−Ｃ：＋）ｈなどであり、Ｒ２が炭
素数１〜５の低級アルキレン基であり、かかる重合体中
に含まれるシラノール基の水素原子が、前記式（Ｉｔ）
で示されるトリオルガノシリル基によって置換されてお
り、そしてｎが１０〜５０，０００の整数を表すポリオ
ルガノシルアルキレンシロキサンを層間絶縁膜として使
用し、加熱硬化を行う前に、上下配線層間の導通を行う
ためのスルーホールの形成をかかるポリ」ルガノシルア
ルキレンシロキサン樹脂への紫外線の照射により行い有
機溶剤で現像することにより解決することができる。

この場合、前記の一般式（ＩＩ）　　：　　（Ｒ）３　
Ｓｉ−で示されるトリオルガノシリル基のＲは炭素数１
〜５の低級アルケニル基、炭素数１〜５の低級アルキル
基又はフェニル基もしくはフェニル誘導体基より選ばれ
、１個のトリオルガノシリル基中の３個のＲは互いに同
一であっても異なっていてもよく、また、かかるトリオ
ルガノシリル基も同一であっても異なっていてもよい。

本発明のこの効果は、半導体装置の製造工程においてス
ルーホールの形成に要する工程を省くことができるため
、コストの低減をはかることができる。

〔作　用〕 本発明に係わるポリオルガノシルアルキレンシロキサン
樹脂は、多くの有機溶媒に可溶であり、従来のスピンコ
ード法にて成膜することができる。

従って、この樹脂を用いれば、凹凸表面を有する半導体
基板表面を容易に平坦化することができる。

また、本発明に係わるポリオルガノシルアルキレンシロ
キサン樹脂は、紫外線の照射によりネガ型のパターン形
成が可能であるため、上下配線層間の導通を行うための
スルーホールの形成をレジストを用いずに行うことがで
きる。

さらに、このポリオルガノシルアルキレンシロキサン樹
脂は、半導体装置の製造工程で、熱酸化による破損を起
こすことなく、層間絶縁膜を形成するのに好適に使用す
ることができる。

〔実施例〕

次に、本発明をいくつかの実施例に従ってより具体的に
説明するが本発明の範囲をこれらの実施例に限定するも
のでないことはいうまでもない。

整１ｌ−Ｊ０− ３００ｃｃの四つ目フラスコにメチルイソブチルケトン
ＩＱＯｃｃ、メチルセロソルブアセテ−）５０ｃｃおよ
び水３０ｃｃを仕込み、触媒としてトリエチルアミン塩
酸塩１５ｇを加え、これに攪拌を続けながら、室温で１
，４−ビス（エチレンオキシジメトキシシリル）メタン
５ｇと１．４−ビス（ρ−ジアゾニウムナイトレイトジ
メトキシシリル）メタン５ｇとをテトラヒドロフラン５
０ｃｃに溶解した溶液を、４０分間かけて滴下した０滴
下終了後、８０°Ｃに加温して２時間攪拌を続けた。

反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、多量の水で
洗浄した。水で洗浄した反応溶液から共沸により残存し
た水を除去し、その後、触媒としてピリジン２０ＣＣを
加え、６０°Ｃに加温した後、フエニルジメチルクロロ
シラン２０ｃｃを添加してこの温度で３時間反応させ未
反応の水酸基の水素原子をビニルジメチルシリル基で置
換した。反応終了後、反応溶液を多量の水に投入して樹
脂を析出させ回収した。

沈澱回収後の樹脂を凍結乾燥し、５．３ｇの白色粉末を
得た。この樹脂のゲルパーミェーションクロマトグラフ
によるポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は
、７．２Ｘ１０’であった。得られた樹脂は、再度メチ
ルイソブチルケトンに溶解して２０重量％溶液とし、こ
れに硝酸水溶液を加えて水洗などにより生成した水酸化
ジアゾニウムを硝酸塩に置換した後、水層を除去して樹
脂溶液を調製した。

桝）」イｌｕ州Ｌ ３００ｃｃの四つロフラスコにメチルイソブチルケトン
１００ｃｃ、メチルセロソルブアセテート５０ｃｃおよ
び水３０ｃｃを仕込み、触媒としてトリエチルアミン１
５ｃｃを加え、これに、撹拌を続けながら、−６０°Ｃ
に冷却した。１，４−ビス（グリシジルエポキシジクロ
ロシリル）エタン５ｇと１．４−ビス（ｐ−ジアゾニウ
ムクロライドジクロロシリル）メタン５ｇとをテトラヒ
ドロフラン５０ｃｃに溶解した溶液を、先の四つロフラ
スコに４０分間かけて滴下した０滴下終了後、系を２．
０°Ｃ／輸ｉｎで昇温し、８０°Ｃに加温して２時間撹
拌を続けた。

反応終了後、反応液を室温まで冷却し、多量の水で洗浄
した。水で洗浄した反応溶液から共沸により残存した水
を除去し、その後、触媒としてピリジン２０ｃｃを加え
、６０°Ｃに加温した後、トリメチルクロロシラン１０
ｃｃ及びフエニルジメチルクロロシラン１０ｃｃを添加
し、この温度で３時間反応させ未反応の水酸基の水素原
子をビニルジメチルシリル基及びフエニルジメチルシリ
ル基で置換した。

反応終了後、反応溶液を多量の水に投入して樹脂を析出
させ回収した。得られた樹脂を凍結乾燥し、５．２ｇの
白色粉末を得た。この樹脂のゲルパーミェーションクロ
マトグラフによるポリスチレン換算により求めた重量平
均分子量は、５．４　Ｘ　１０’あった。合成した樹脂
は、２０重量％のメチルイソブチルケトン溶液とし、塩
酸２０ｃｃを添加して生成した水酸化ジアゾニウムを塩
素イオンと置換した後に水層を除去して樹脂溶液とした
。

合成例１により調製した樹脂溶液を、半導体素子を形成
し第−層アルミ配線を施したシリコン基板上（アルミの
厚さは１μｍ、最小線幅は１μｍ、最小線間隔は１．５
μｍ）に１．５μｍ厚に３００Ｏｒｐｍスピン塗布した
。塗布後、８０°Ｃで２０分間溶剤乾燥、続いて窒素中
、４５０°Ｃで１時間の熱処理を施した。

熱処理後の基板表面の段差は、約０．２μｍであり、ア
ルミ配線により生じた段差は平坦化されていた。続いて
、常法に従ってスルーホールを形成し二層目のアルミ配
線を行い、保護層として１．２μｍのＰＳＧ膜を形成し
、次に電極取り出し用窓開けを行って半導体装置を得た
。この装置は、大気中４５０°Ｃで１時間の加熱試験及
び−６５°Ｃ→１５０°Ｃの１０回の熱衝撃試験後も全
（不良は見られなかワた。

別」ユ 前記例３と同様にして樹脂層の塗布、乾燥まで行った後
、エキシマレーザ光による照射を行なって、スルーホー
ル部のみを未照射の状態にし、次にメチルイソブチルケ
トンに浸漬してスルーホールの形成された樹脂層を得た
。この時、スルーホールは２μｍΦであった。続いて、
加熱硬化させた後に前記例３と同様にして半導体装置を
得た。

この装置は、大気中４５０°Ｃ１″１時間の加熱試験及
び−６５→１５０°Ｃの１０回の熱サイクル試験後も全
（不良は見られなかった。

■工 樹脂の塗布を５００Ｏｒｐｍで行った他は、前記例３と
同様にして樹脂層まで形成した後、さらに０．３μｍ厚
のＰＳＧ膜を常圧ＣＶＤ法により堆積した。

この膜は、下地段差を０．３μｍに平坦化していた。

その後は、前記例３と同様にして半導体装置を得て同様
の試験を行ったところ、クラックの発生は全く見られな
かった。

肛 前記例２において得られた樹脂溶液を、半導体素子を形
成し第−層アルミ配線を施したシリコン基板（アルミの
厚さは１μｍ、最小線幅１μｍ、最小線間隔は１．５μ
ｍ）上に３０００ｒｐ＋ａ　、４５秒の条件でスピンコ
ード法により塗布した。塗布後、８０°Ｃで２０分間溶
剤乾燥し、さらに２５０°Ｃで３０分間、４００°Ｃで
６０分間熱処理を施した。熱処理後の基板表面の段差は
、約０．２μｍであり、配線によって生じた段差は平坦
化されていた。次いで、スルーホールを形成し、二層目
のアルミ配線を行い、保護層として１μｍＦＪのＰＳＧ
膜を常圧ＣＶＤ法により堆積した後、電極取り出し用窓
あけを行って半導体装置を得た。この装置も、同様の試
験ではクラックの発生は全く見られなかった。

氾 前記例６と同様にして樹脂層の塗布、乾燥まで行った後
、ｔｌＶ（３５０〜４５０ｎｍ）光による照射を行いス
ルーホール部のみを未照射の状態にしてメチルイソブチ
ルケトンとイソプロピルアルコールの混合溶液に浸漬し
てスルーホールの形成された樹脂層を得た。この時、ス
ルーホールは２μｍΦであった。つづいて、加熱硬化さ
せた後に前記例３と同様にし、て半導体装置を得た。こ
の装置も、同様の試験ではクラックの発生は全く見られ
なかった。

五ｌ 樹脂の塗布を５００Ｏｒｐｍで行った他は、前記例６と
同様にして樹脂層まで形成した後、さらに０．３μｍ厚
のＰＳＧ膜を常圧ＣＶＤ法により堆積した。

この膜は、下地段差を０．３μｍに平坦化していた。

その後は、前記例３と同様にして半導体装置を得て同様
の試験を行ったところクランクの発生は全く見られなか
った。

［発明の効果］ 本発明によれば、新規で有用な有機珪素重合体を得るこ
とができるばかりでなく、その重合体も、簡便な方法で
効率良く製造することができる。

本発明によれば、更に、平坦化機能を有し、高温酸素雰
囲気下で使用しても膜の破損を起こさない信軌性の高い
絶縁膜をもった半導体装置を得ることが可能である。

本発明によれば、更にまた、高温酸素雰囲気下で使用し
ても膜の破損を起こさない信顛性の高い絶縁膜をもった
半導体装置を得る際に、配線層間のスルーホールの形成
をレジストを使用せずに行うことが可能であり、製造工
程を大幅に短縮することできる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ）： ［Ｒ＾１ＳｉＯ＿２＿／＿２（Ｒ＾２）＿１＿／＿２］
   ＿ｎ…（ I ）（式中、Ｒ＾１は、５％以上が炭素数２
   〜５のエポキシ基であり、かつ５％以上が芳香族ジアゾ
   ニウム塩であり、残りがヒドロキシ基及び水素、炭素数
   １〜５の低級アルキル基又は炭素数１〜５の低級アルコ
   キシ基を表し、Ｒ＾２はＣ＿１〜Ｃ＿５低級アルキレン
   基を表し、ｎは１０〜５０，０００の整数を表す）によ
   り表され、かつ、３，０００〜５，０００，０００の重
   量平均分子量を有する有機珪素重合体であって、該重合
   体中に含まれるシラノール基の水素原子が、式（II）で
   示されるトリオルガノシリル基：（Ｒ）＿３Ｓｉ−…（
   II） （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、Ｃ＿１
   〜Ｃ＿５の低級アルケニル基、Ｃ＿１〜Ｃ＿５の低級ア
   ルキル基又はフェニル基もしくはフェニル誘導体基を表
   す）によって置換されていることを特徴とする有機珪素
   重合体。 ２、請求項１に記載の有機珪素重合体を製造するにあた
   って、式（III）の有機珪素化合物：▲数式、化学式、
   表等があります▼…（III） （式中、Ｒ＾１は５％以上が炭素数２〜５のエポキシ基
   、かつ５％以上が芳香族ジアゾニウム塩、残りがヒドロ
   キシル基及び水素、炭素数１〜５の低級アルキル基又は
   炭素数１〜５の低級アルコキシ基を表し、Ｒ＾２は炭素
   数１〜５の低級アルキレン基を表し、そしてＲ＾３は、
   同一もしくは異なっていてもよく、ハロゲンを表すかも
   しくは炭素数１〜５の低級アルコキシ基を表す）を水と
   反応させて加水分解し、引続いて、得られた反応生成物
   を脱水縮重合させ、さらに引き続いて、得られた有機珪
   素重合体を次式で示されるトリオルガノハロシラン、ト
   リオルガノシアノシラン、トリオルガノイソシアナート
   シラン又はトリオルガノイソチオシアナートシラン： （Ｒ）＿３ＳｉＸ （式中、Ｒは炭素数１〜５の低級アルケニル基、炭素数
   １〜５の低級アルキル基、又はフェニル基もしくはフェ
   ニル誘導体基を表し、そしてＸはハロゲン、シアノ基、
   イソシアナート基もしくはイソチオシアナート基を表す
   ）、又は次式で示されるヘキサオルガノジシラザン： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、前記定
   義に同じである）、又は 次式で示されるヘキサオルガノジシロキサン：（Ｒ）＿
   ３Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ）＿３ （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、前記定
   義に同じである）又は これらの混合物と反応させて、前記重合体中に残存する
   前記脱水縮重合に寄与しなかったシラノール基の水素原
   子を次式（II）で示されるトリオルガノシリル基： （Ｒ）＿３Ｓｉ−…（II） （式中、Ｒは同一もしくは異なっていてもよく、前記定
   義に同じである）によって置換することを特徴とする、
   請求項１に記載の有機珪素重合体の製法。 ３、請求項１に記載の有機珪素重合体からなる層間絶縁
   膜を有することを特徴とする、多層配線構造をもった半
   導体装置。 ４、請求項１に記載の有機珪素重合体を層間絶縁膜とし
   て使用する際に、上下配線間の導通を行うためのスルー
   ホール形成を、該有機珪素重合体への紫外線照射により
   行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。