TWI442391B - 光學記錄媒體 - Google Patents

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TWI442391B
TWI442391B TW100124220A TW100124220A TWI442391B TW I442391 B TWI442391 B TW I442391B TW 100124220 A TW100124220 A TW 100124220A TW 100124220 A TW100124220 A TW 100124220A TW I442391 B TWI442391 B TW I442391B
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semi
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Kotaro Kurokawa
Shigeki Takagawa
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Sony Corp
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Description

光學記錄媒體
本發明係大致關於光學記錄媒體。特別地，係關於包含複數個堆疊的記錄層之相改變光學記錄媒體
相改變光學記錄媒體係可藉由透過雷射光束的照射而記錄、讀取、及拭除資訊於上之光學記錄媒體的類型。資訊係藉由使用晶體-非晶的相改變或不同晶體相之間的相改變，而被記錄、讀取、及拭除於相改變光學記錄媒體之上。在市場中可用之相改變光學記錄媒體的實例包含可重寫入式小型光碟(CD-RW)、可重寫入式數位多功能光碟(DVD-RW)、數位多功能光碟-隨機存取記錄體(DVD-RAM)，以及藍光光碟。為符合更高儲存容量之新近需求，已引入包含二或更多個記錄層之堆疊的媒體(例如，雙層碟片)。
雙層碟片之相改變光學記錄媒體類型的結構之實例係如下。第一記錄層係形成於支撐基板上；第二記錄層係形成於第一記錄層上，而對於讀取/寫入波長透明之中間層介於其間；以及對於讀取/寫入波長透明之透光保護層係設置於第二記錄層上。在記錄及讀取中所使用之雷射光束係在透光保護層側，透過物鏡而入射於光學記錄媒體之上。通過物鏡之雷射光束係聚焦於第一記錄層或第二記錄層上，以記錄及讀取資訊。
雙層碟片之特性在於第二記錄層係組構成為半透射記錄層，而具有透射光的能力，以致使讀取及寫入可執行於第一記錄層之上。該第二記錄層係藉由堆疊介電材料、金屬、相改變記錄材料、及其類似物而製成，以致可執行讀取及寫入功能。典型的堆疊結構包含第一介電層、金屬反射層、第二介電層、相改變記錄材料層、及第二介電層，而以該順序來堆疊自基板側。可給予大約45%至55%之光透射比，使得當觀察自光碟讀取/寫入裝置(驅動器)時，在第一記錄層與第二記錄層之間的讀取/寫入功率及反射比係相同的。
在具有該組態之第二記錄層(半透射記錄層)中，於金屬反射層與相改變記錄材料層之間的第二介電層具有藉由調整光學距離而增加記錄層之吸收係數的功能、及藉由增加記錄前後之間的反射光量之改變而增加信號振幅的功能。
可單獨地或結合成為混合物地使用氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物、碳、及其類似物，做為建構此第二介電層的材料。第二介電層可具有結合該等材料之堆疊結構。特別地，國際公告WO 2008/018225提出，在記錄層側之介面層包含諸如氧化銦(In2 O3 )、氧化鉻(Cr2 O3 )、或氧化鎵(Ga2 O3 )之氧化物，以及矽。
為了要進一步增加光學記錄媒體的儲存容量，具有三個記錄層之三層碟片及具有四個記錄層之四層碟片正在發展著。在三層及四層碟片中，所欲地設置於雷射光束入射側之半透射記錄層具有比雙層碟片之半透射記錄層的光透射比更高的光透射比。
為了要達成該高的光透射比，已將建構該半透射記錄層之相改變記錄材料層及金屬反射層的厚度減少。惟，該等層的厚度降低已到達其極限，且進一步的厚度降低將導致讀取/寫入信號特徵之缺陷及劣化的產生。
藉由抑制缺陷的產生，且同時維持半透射記錄層的讀取/寫入信號特徵，而提供具有進一步增大之儲存容量的光學記錄媒體係所欲的。
該相改變光學記錄媒體包含包括半透射記錄層之複數個堆疊的記錄層。該光學記錄媒體包含支撐基板及半透射記錄層。該半透射記錄層包含第一介電層、半透射半反射層、第二介電層、相改變記錄材料層、及第三介電層，而以該順序來依序堆疊於該支撐基板上。特別地，銀係使用於該半透射半反射層之中。該第二介電層具有包含下方層及上方層的堆疊結構，而該下方層係設置於半透射半反射層側之介面處，且該上方層係設置於該下方層之相改變記錄材料層側。在該等者之中，下方層係由氧化銦或氧化銦和氧化錫之複合氧化物所構成。對照地，上方層係由氧化鉭、氧化鎵、氧化鋯、或氧化鈮所構成。
依據具有此結構之光學記錄媒體，已確定的是，可維持半透射記錄層的讀取/寫入信號特徵，且可抑制缺陷的產生，如下文之實施例及實例中所詳細描述地，因為第二介電層係如上述地受到限定。
依據本發明，在其中堆疊包含半透射記錄層之複數個記錄層的相改變光學記錄媒體中，可增加所堆疊之半透射記錄層的數目且可進一步增加儲存容量。
現將參照第1圖來詳細實施例。
第1圖係顯示依據實施例之光學記錄媒體1的結構之概略視圖。在圖式中所示之光學記錄媒體1係相改變光學記錄媒體，其包含包括半透射記錄層之複數個記錄層的堆疊。在此實施例中，於建構半透射記錄層的介電層中，設置於記錄材料層與半透射半反射層之間的第二介電層具有特徵結構。雖然在此係敘述包含相互堆疊的三個記錄層之結構做為實例，但所堆疊之記錄層的數目並未受限於此。記錄層的數目可為二或四個，或更多個。
光學記錄媒體1包含：支撐基板3；複數個記錄層5、7、及9，係堆疊於支撐基板3上；透明中間層11，係分別介於該等記錄層5、7、及9之間；以及透明保護膜13，係設置於頂部。記錄層5、7、及9係直接設置於支撐基板3上面的反射記錄層5，以及設置於反射記錄層5之透明保護膜13側的半透射記錄層7及9。換言之，支撐基板3、反射記錄層5、中間層11、半透射記錄層7、中間層11、半透射記錄層9、及透明保護膜13係以此順序而堆疊自支撐基板3側。當設置四或更多個記錄層時，半透射記錄層係堆疊於半透射記錄層9與透明保護膜13之間，而中間層介於其間。
在光學記錄媒體1上之讀取及寫入係透過具有例如，400至410奈米(nm)之波長而自透明保護膜13側所入射的雷射光束來予以執行。由碟片讀取/寫入裝置所輸出且自透明保護膜13側而入射的雷射光束h係聚焦於反射記錄層5或半透射記錄層7或9上，以回應於該碟片讀取/寫入裝置的聚焦控制，以便讀取及寫入資訊。每一層的結構係描述於下文。
＜支撐基板3＞
支撐基板3係由諸如聚碳酸酯之塑膠、玻璃、或其類似物所構成。
＜反射記錄層5＞
反射記錄層5包含相改變記錄材料層及反射層，而該反射層具有大到足以反射用於讀取及寫入之雷射光束h的厚度。在反射記錄層5之中，至少反射層、介電層、相改變記錄材料層、及介電層係以該順序而堆疊自支撐基板3側。例如，記錄材料層可係使用相改變記錄材料之任何層，且係藉由選自與建構下文所述之半透射記錄層7及9的記錄材料相同的記錄材料所構成。
＜半透射記錄層7及9＞
半透射記錄層7及9係各自具有此實施例之第二介電層103特徵的層。該等半透射記錄層7及9各包含相改變記錄材料層104及半透射半反射層102，而該半透射半反射層102可反射及透射用於讀取及寫入之雷射光束h。如圖式中所描繪地，該等半透射記錄層7及9各自包含第一介電層101、半透射半反射層102、第二介電層103、記錄材料層104、及第三介電層105，而以該順序來堆疊自支撐基板3側。在此實施例中，設置於具有該堆疊結構之半透射記錄層7及9中的半透射半反射層102與記錄材料層104間之第二介電層103的結構係特徵。該等半透射記錄層7及9的結構係自下方層側而描述於下文。
已被提出的是，第一介電層101具有使用具備特殊折射係數之材料的結構，以做為用以調整透射比之層。該等材料的實例包含TiO2 、ZrO2 、ZnO、Nb2 O5 、Ta2 O5 、SiO2 、Al2 O3 、Bi2 O3 、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、及ZnS。該等材料可使用成為混合物，或以堆疊結構而使用。
半透射半反射層102係藉由金屬薄膜所建構。在此，例如，係使用包含銀(Ag)或銀合金的薄膜，且係藉由調整膜厚度而調整用於雷射光束之透射比、反射比、及熱釋放率。當使用銀合金時，除了銀(Ag)之外的材料係例如，Nd、Pd、或Cu。
本發明之第二介電層103特徵具有堆疊結構，該堆疊結構包含在半透射半反射層102側之下方層103a以及在記錄材料層104側之上方層103b，而該上方層103b係設置在該下方層103a的上面。
在該等者之中，在半透射半反射層102側之下方層103a係組構成為包含氧化銦(In2 O3 )之層，或包含氧化銦(In2 O3 )和氧化錫(SnO2 )的複合氧化物(銦錫氧化物，ITO)之層。當下方層103a係由ITO所構成時，則氧化錫(SnO2 )含量係50莫耳百分比或更少之氧化錫(SnO2 )對氧化銦(In2 O3 )的組成比係較佳的。
堆疊於藉由該材料所構成之下方層103a上的上方層103b係組構成為包含氧化鉭(Ta2O5 )、氧化鎵(Ga2 O3 )、氧化鋯(ZrO2 )、或氧化鈮(Nb2 O5 )之層。
記錄材料層104係藉由可耐受透過雷射光束照射的相躍遷之材料所構成。特別地，該相係藉由雷射照射加熱之後的冷卻處理而被控制成為晶性或非晶性，或晶體1及晶體2。該記錄材料層104係由鍺(Ge)、鉍(Bi)、銻(Sb)、及碲(Te)之其中至少一者所構成。做為具體實例，可使用具有Gea Sb2 Tea+3 及Gea Bi2 Tea+3 (1a20)之組成的化合物。該等材料係藉由精細地調整鍺(Ge)及碲(Te)的數量而使用，或使用成為藉由混合二材料所形成之複合化合物。藉由該化合物所構成之記錄材料層104可進一步包含適合使用以便增進所記錄之資訊儲存性能或其類似性能的元素。
第三介電層105係藉由與第一介電層101相同的材料所構成。該第三介電層105可藉由如上述之實例所給定的材料之混合物所構成，而並未受限為具有單層結構，且可具有其中堆疊複數個層之層結構。
半透射記錄層7及9具有透射光之本能，以致使自透明保護膜13所入射之用於讀取及寫入的雷射光束到達反射記錄層5。尤其，當觀察自執行雷射光束照射及拾取之讀取/寫入裝置(驅動器)時，該等半透射記錄層7及9係設計要具有與反射記錄層5相同的讀取/寫入功率及反射比。因而，半透射記錄層7及9係設計使得與透明保護膜13更靠近的層被組構成為具有更高的光透射比。
例如，依據其中堆疊包含反射記錄層5的三個記錄層之結構，在支撐基板3側之半透射記錄層7的光透射比係調整為大約45%至55%，且在透明保護膜13側之半透射記錄層9的光透射比係調整為大約60%。該調整係透過每一層之膜厚度而予以控制，以致使讀取/寫入之雷射光束h的光透射比tc，在晶體狀態中之記錄材料層104的反射比Rc、以及在非晶狀態中之記錄材料層104的反射比Ra在特殊值。
該等半透射記錄層7及9係藉由例如，一連串的濺鍍沈積而形成。使用於該連串的濺鍍沈積中之濺鍍沈積裝置包含裝載室、卸載室、以及用以形成建構半透射記錄層7及9之層的沈積室，而該等沈積室係順序地配置於該裝載室與該卸載室之間。該等室係連接使得當維持真空氛圍時之同時，該支撐基板可透過該等室而被順序輸送。
在以該濺鍍沈積裝置來形成半透射記錄層7及9中，反射記錄層5及中間層11係形成於支撐基板3上，且然後，自第一介電層101至第三介電層105之層係在個別的沈積室中依序地形成於其上。因而，形成其中自第一介電層101至第三介電層105之該等層係順序堆疊自支撐基板3側的半透射記錄層7及9。
＜中間層11及透明保護膜13＞
中間層11及透明保護膜13係藉由具有對於讀取/寫入之雷射光束低吸收的材料所構成。例如，可使用光硬化樹脂或以硬化黏著劑所接合之玻璃或樹脂基板。在光學記錄媒體1中之中間層11及透明保護膜13的結構可彼此相同或不同。
依據此處所敘述之光學記錄媒體1，第二介電層103係組構成為具有下方層103a和上方層103b的堆疊結構，且建構該等層103a及103b之材料的組合係受到限制。如下文之實例1至5中所述地，可確定為結果的是，在半透射記錄層7及9中之缺陷的產生會受到抑制，且讀取/寫入信號特徵可予以維持。因而，在相改變光學記錄媒體1中，即使當堆疊複數個半透射記錄層7及9時，亦可確保光透射比，且可進一步增加儲存容量。
＜實例1＞
具有第一實施例中所述之結構，但具備各式各樣類型之第二介電層103的半透射記錄層7及9係以使用具有405奈米波長之雷射光束做為讀取/寫入波長為條件而形成。該等半透射記錄層7及9係形成於藉由光硬化樹脂所構成的中間層11之上，且其頂部係覆蓋有藉由光硬化樹脂所構成的透明保護膜13，而形成光學記錄媒體。
每一半透射記錄層係藉由使用下列材料，而以該順序來予以形成自支撐基板側。
第一介電層101：Nb2O5 (20奈米)
半透射半反射層102：Ag合金(10奈米)
第二介電層103：請參閱下表
記錄材料層104：GeBiTe記錄材料(6奈米)
第三介電層105：SiN(10奈米)/TiO2 (折射係數：大約2.65，16奈米)
注意的是，建構記錄材料層104之GeBiTe記錄材料係化合物系統之材料，且將耐受藉由雷射光束照射之晶性-非晶性的相躍遷。
使所製備之該光學記錄媒體接受可靠度測試，且測量該測試之前後的缺陷密度。該可靠度測試係藉由儲存媒體120小時，而執行於80℃之溫度及85%之濕度的環境中。所測量之初始缺陷密度及缺陷增加率係顯示於表之中。
該初始缺陷密度係在形成半透射記錄層後被直接轉換成為每一單位面積之數目的缺陷數目。缺陷增加率係在可靠度測試的前後之間被轉換成為每一單位時間(1天)之值的每一單位面積之缺陷數目的增加速率。用以計算初始缺陷密度及缺陷增加率之缺陷的數目係以缺陷計數器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd所生產之缺陷偵測器)而加以測量。
表顯示的是，其中第二介電層103具有ITO單層結構之結構(6)的初始缺陷密度係最低的，亦即，0.07[缺陷/平方毫米]，但其中第二介電層103具有堆疊結構之結構(2)至(5)的該等初始缺陷密度亦被抑制至0.15[缺陷/平方毫米]或更小。對照地，僅在其中第二介電層103的上方層103b係由氧化矽(SiO2 )所構成的結構(5)之中，缺陷增加率係特別地不良，亦即，1.13[缺陷/平方毫米/天]。此係其中甚至跟踪伺服操作係不穩定時之位準。
該等結果顯示出，當第二介電層103具有堆疊結構時，在藉由ITO所構成之下方層103a上的上方層103b應由氧化鉭(Ta2 O5 )、氧化鎵(Ga2 O3 )、氧化鋯(ZrO2 )、或氧化鈮(Nb2 O5 )所構成。換言之，具有堆疊結構之第二介電層103較佳地採用表中之結構(1)至(4)。已確定的是，由於此結構，可將缺陷的產生抑制至可與其中第二介電層103具有ITO單層結構之結構相比擬的程度。
＜實例2＞
RF信號係在實例1中所製備的光學記錄媒體上記錄複數次(直接溢寫：DOW)，而該光學記錄媒體包含具有結構(1)至(4)及(6)且具備低於小數點之缺陷增加率的第二介電層103。第2圖係圖形，其顯示藉由繪製表示RF信號品質的抖動率值對記錄次數(DOW循環)所描繪出的DOW特徵(RF信號溢寫特徵)。抖動率值係在其中RF信號係準確記錄的情況中之實際信號位準相對於再生信號位準的偏差之統計圖形。該圖形愈大，則RF信號品質愈不良。記錄情形如下：1-7PP之調變，132Mbps之頻道位元速率，及57.26奈米之頻道位元長度。其他基本規格係依從藍光(Blu-ray)格式。
在第2圖中所示的DOW特徵顯示的是，其中第二介電層103具有ITO單層結構的結構(6)之抖動率值會在大約100DOW循環之後迅速地劣化。對照地，直至DOW循環的次數到達大於其中第二介電層103具有ITO單層結構的(6)之DOW循環的次數時為止，其中第二介電層103係藉由包含ITO的下方層103a及包含所示材料的上方層103b所建構之結構(1)至(4)的抖動率值並不會嚴重地劣化。
在第一DOW循環之後，結構(1)至(4)的抖動率值係低於(6)的抖動率值。
此確定的是，相較於當第二介電層103具有ITO單層結構時，信號特徵係在當第二介電層103具有藉由堆疊包含除了ITO外之氧化物膜的上方層103b於ITO下方層103a上所形成之堆疊結構時，獲得增進。
＜實例3＞
做為比較實例，係製備包含半透射記錄層7及9的光學記錄媒體，其中第二介電層103具有由第3圖中之材料(11)至(14)所構成之單層結構。除了第二介電層103外之結構係與實例1中相同。
RF信號係在具有結構(11)至(14)而如實例2中一樣地所製備的光學記錄媒體上記錄複數次。第3圖係圖形，其顯示藉由繪製抖動率值對記錄次數(DOW循環)所描繪出的DOW特徵(RF信號溢寫特徵)。針對比較，其中第二介電層103具有ITO單層結構之結構(6)的DOW特徵，及其中第二介電層103具有對應於實例2中所述之實施例的堆疊結構之結構(3)的DOW特徵亦顯示於第3圖中。
在第3圖中之DOW特徵顯示的是，依據其中第二介電層103具有單層結構之結構(6)及(11)至(14)，抖動率值係高於其中第二介電層103具有ITO/氧化鋯(ZrO2 )堆疊結構的結構(3)，直至大約1000DOW循環時為止。
此確定的是，相較於當第二介電層103係具有單層結構之氧化物膜時，信號特徵係在當第二介電層103具有藉由堆疊另一氧化物膜(ZrO2 )於ITO下方層103a上所形成之堆疊結構時，獲得增進。
＜實例4＞
製備具有各自包含第二介電層103之半透射記錄層7及9的光學記錄媒體，而該第二介電層103具有藉由包含ITO之下方層103a及包含氧化鉭(Ta2 O5 )之上方層103b所建構的堆疊結構，其中在ITO中之氧化錫(SnO2 )含量係在0至100莫耳百分比的範圍中變化。除了第二介電層103外之結構係與實例1中之結構相同。該光學記錄媒體係如第4A至4D圖中所示地評估。在第4A至4D圖中，當氧化錫(SnO2 )含量係0莫耳百分比時，則在水平軸中之ITO係氧化銦(In2 O3 )，且當氧化錫(SnO2 )含量係100莫耳百分比時，則係氧化錫(SnO2 )。
第4A圖顯示功率邊際的評估結果。功率邊際係顯示信號記錄期間之記錄的穩定對雷射功率之變動的指示之一。首先，將使用於最佳的RF信號記錄之雷射功率設定為參考值，且當變化雷射功率於該參考值之0.5至1.5倍的範圍之中時的同時，執行記錄，藉以獲得指示抖動率值之改變的資料。如上述，抖動率值係當準確記錄RF信號時之實際信號位準相對於再生信號位準的偏差之統計圖形。抖動率值愈大，則RF信號品質愈不良。針對資料無法再讀取時之抖動率值，具有上限值。通常，可設定適合個別系統之上限參考值。在此，若在信號記錄期間的雷射功率係自最佳值而增加或減少時，抖動率值將增加(劣化)。當距離最佳功率之偏差到達一定程度而與功率是否減少或增加無關時，則到達上限抖動率值。因而，其中抖動率值並未超過上限值之雷射功率範圍的功率寬度係以該最佳雷射功率值而常態化，且此常態化的功率寬度，亦即，雷射功率的邊際寬度被決定為功率邊際。在此，若邊際寬度係20%或更大時，則可認為該邊際寬度係符合需要的。
如第4A圖中所示地，在建構第二介電層103之下方層103a的ITO組成中，於80莫耳百分比的氧化錫(SnO2 )含量時成為峰值的邊際寬度及20%或更大的邊際寬度係保持於整個組成範圍中。此顯示只要第二介電層103的下方層103a係由氧化銦(In2 O3 )、ITO、或氧化錫(SnO2 )所構成，則功率邊際係符合需要的。
第4B圖顯示在1000DOW循環之後的抖動率值。在此，於1000DOW循環後之13.5或更大的抖動率值被認為不符合需要。
如第4B圖中所示地，在建構第二介電層103之下方層103a的ITO組成中，抖動率值係在60莫耳百分比的氧化錫(SnO2 )含量時成為峰值，且抖動率值係在50莫耳百分比或更小的範圍中被抑制為小於13.5%。此顯示只要第二介電層103的下方層103a係由氧化銦(In2 O3 )或具有50莫耳百分比或更小之氧化錫(SnO2 )含量的ITO所構成，則抖動率值係令人滿意的。在10DOW循環時之抖動率值係大約12%，而不管組成比為何。
第4C圖顯示初始缺陷密度，其指示直接在光學記錄媒體的製造後之依照面積密度的缺陷數目。在此，0.10[缺陷/平方毫米]或更小的初始缺陷密度係視為合乎要求的。
如第4C圖中所示地，在建構第二介電層103之下方層103a的ITO組成中，當氧化錫(SnO2 )含量係在70莫耳百分比至85莫耳百分比的範圍之中時，可將初始缺陷密度抑制至0.10[缺陷/平方毫米]或更小。此顯示只要氧化錫(SnO2 )含量係70莫耳百分比至85莫耳百分比，則初始缺陷密度係合乎要求的。
第4D圖顯示藉由計算在光學記錄媒體上的加速測試後之缺陷數目的增加做為每一單位面積及單位加速時間(1天)之缺陷增量而決定的缺陷增加率。該加速測試係藉由放置光學記錄媒體於80℃，85%環境中120小時而執行。在此，0.05[缺陷/平方毫米/天]或更小的缺陷增加率係視為合乎要求的。
如第4D圖中所示地，在建構第二介電層103之下方層103a的ITO組成中，可在氧化錫(SnO2 )含量的整個範圍中將缺陷增加率抑制至0.05[缺陷/平方毫米/天]或更小。此顯示只要第二介電層103的下方層103a係由氧化銦(In2 O3 )、ITO、或氧化錫(SnO2 )所構成，則缺陷增加率會令人滿意。
第4A至4D圖中所示的評估確定的是，從抖動率值的觀點而言，第二介電層103的下方層103a係較佳地藉由氧化銦(In2 O3 )或有50莫耳百分比或更小之氧化錫(SnO2 )含量的ITO所構成。注意的是，在此，第二介電層103的上方層103b係由氧化鉭(Ta2 O5 )所構成。
＜實例5＞
製備具有各自包含第二介電層103之半透射記錄層7及9的光學記錄媒體，而該第二介電層103具有藉由包含ITO之下方層103a及包含氧化鎵(Ga2 O3 )之上方層103b所建構的堆疊結構，其中在ITO中之氧化錫(SnO2 )含量係在0至100莫耳百分比的範圍中變化。除了第二介電層103外之結構係與實例1中之結構相同。該光學記錄媒體係如第5A至5D圖中所示之實例4地被評估。在第5A至5D圖中，當氧化錫(SnO2 )含量係0莫耳百分比時，則在水平軸中之ITO係氧化銦(In2 O3 )，且當氧化錫(SnO2 )含量係100莫耳百分比時，則係氧化錫(SnO2 )。
第5A圖顯示功率邊際的評估結果。在此，20%或更大的邊際寬度係視為令人滿意的。如第5A圖中所示地，在氧化錫(SnO2 )含量之整個範圍中之邊際寬度係25%。此顯示只要第二介電層103的下方層103a係由氧化銦(In2 O3 )、ITO、或氧化錫(SnO2 )所構成，則功率邊際係符合需要的。
第5B圖顯示在1000DOW循環之後的抖動率值。在此，於1000DOW循環後之13.5%或更大的抖動率值被認為不符合需要。如第5B圖中所示地，在氧化錫(SnO2 )含量的整個範圍中之抖動率值係小於13.5%。此顯示只要第二介電層103的下方層103a係由氧化銦(In2 O3 )、ITO、或氧化錫(SnO2 )所構成，則抖動率值係令人滿意的。
第5C圖顯示初始缺陷密度。在此，0.10[缺陷/平方毫米]或更小的初始缺陷密度係視為合乎要求的。如第5C圖中所示地，在氧化錫(SnO2 )含量的整個範圍中之初始缺陷密度係0.10[缺陷/平方毫米]或更小。此顯示只要第二介電層103的下方層係由氧化銦(In2 O3 )、ITO、或氧化錫(SnO2 )所構成，則初始缺陷密度係令人滿意的。
第5D圖顯示在80℃，85%環境中120小時的加速測試之前後之間的缺陷增加率。在此，0.05[缺陷/平方毫米/天]或更小的缺陷增加率係視為合乎要求的。如第5D圖中所示地，可在50莫耳百分比或更小之氧化錫(SnO2 )含量範圍中，將缺陷增加率抑制至0.05[缺陷/平方毫米/天]。此顯示只要第二介電層103的下方層103a係藉由氧化銦(In2 O3 )或具有50莫耳百分比或更小之氧化錫(SnO2 )含量的ITO所構成，則缺陷增加率係令人滿意的。
總而言之，在第5A至5D圖中所示的各式各樣評估確定的是，從缺陷增加率的觀點而言，第二介電層103的下方層103a係較佳地藉由氧化銦(In2 O3 )或具有50莫耳百分比或更小之氧化錫(SnO2 )含量的ITO所構成。注意的是，第二介電層103的上方層103b係由氧化鎵(Ga2 O3 )所構成。
本發明包含與2010年7月29日在日本專利局中所申請之日本優先權專利申請案JP 2010-170885中所揭示之標的物相關聯的標的物，該申請案的全部內容係結合於本文以供參考。
熟習於本項技藝之該等人士應瞭解的是，各式各樣的修正、結合、子結合、及改變可根據設計需求及其他因素而發生，只要它們係在附錄申請專利範圍或其等效範圍的範疇之內即可。
1．．．光學記錄媒體
3．．．支撐基板
5．．．反射記錄層
7，9．．．半透射記錄層
11．．．中間層
13．．．透明保護膜
101．．．第一介電層
102．．．半透射半反射層
103．．．第二介電層
103a．．．下方層
103b．．．上方層
104．．．記錄材料層
105．．．第三介電層
h．．．雷射光束
第1圖係概略圖，顯示依據實施例之光學記錄媒體的結構；
第2圖係圖形，顯示實例1中之光學記錄媒體的DOW特徵；
第3圖係圖形，顯示實例2中之光學記錄媒體的DOW特徵；
第4A至4D圖係圖形，顯示實例3中之光學記錄媒體上的各式各樣評估之結果；以及
第5A至5D圖係圖形，顯示實例4中之光學記錄媒體上的各式各樣評估之結果。
1．．．光學記錄媒體
3．．．支撐基板
5．．．反射記錄層
7，9．．．半透射記錄層
11．．．中間層
13．．．透明保護膜
101．．．第一介電層
102．．．半透射半反射層
103．．．第二介電層
103a．．．下方層
103b．．．上方層
104．．．記錄材料層
105．．．第三介電層
h．．．雷射光束

Claims (3)

  1. 一種光學記錄媒體，包括：支撐基板；以及半透射記錄層，包含：(a)第一介電層，(b)半透射半反射層，(c)第二介電層，(d)相改變記錄材料層，及(e)第三介電層，其係以該順序而依序堆疊於該支撐基板上，其中該半透射半反射層包含銀，該第二介電層具有包含下方層及上方層的堆疊結構，而該下方層係設置於該半透射半反射層上面，且該上方層係設置於該下方層上面，該下方層係由氧化銦或氧化銦和氧化錫之複合氧化物所構成，以及該上方層係由氧化鉭、氧化鎵、氧化鋯、或氧化鈮所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中在該第二介電層中之該下方層係由氧化銦和50莫耳百分比或更少的氧化錫之複合氧化物所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該相改變記錄材料層係由鍺、鉍、銻、及碲之其中至少一者所構成。
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