JP2005004948A - 光学的情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含んだ誘電体層を用いた片面２層記録媒体において、耐湿試験後に誘電体層と記録層の界面で膜剥離を生じるという課題が発生する。Ｃｒ₂Ｏ₃量を増やすことで膜剥離は改善されるが透過率が低下する。
【解決手段】 少なくとも２つの情報層を備え、レーザー光の入射側から見て手前側にある第１の情報層１００が、反射層３と、反射層３に対してレーザー光入射側に位置しておりアモルファス相と結晶相との間でレーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層６と、反射層３と記録層６との間に位置する誘電体層５０とを少なくとも備えた光学的情報記録媒体において、誘電体層５０が少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有しており、誘電体層５０の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００）で表され、誘電体層５０の記録層側界近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００）で表され、かつ、ｒ＜ｕ、あるいは、ｔ＜ｑとする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、レーザー光線等の光学的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録、再生する光学的情報記録媒体およびその製造方法に関するものである。

レーザー光線を利用して高密度な情報の再生あるいは記録を行う技術は公知であり、主に光ディスクとして実用化されている。
光ディスクは再生専用型、追記型、書き換え型に大別することができる。再生専用型はコンパクトディスクやレーザーディスクとして、また追記型や書き換え型は文書ファイル、データファイル等の記録媒体として実用化されている。書き換え型光ディスクの中には主に、光磁気と相変化型がある。相変化光ディスクは記録層がレーザー光線の照射によってアモルファスと結晶間（あるいは結晶とさらに異なる構造の結晶間）で可逆的に状態変化を起こすことを利用する。これは、レーザー光照射により薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくともいずれか一つが変化して記録を行い、この部分で透過光あるいは反射光の振幅が変化し、その結果、検出系に至る透過光量あるいは反射光量が変化することを検出して信号を再生する。

なお、近年では、光ディスクの記録容量を増加させる観点から、片面２層構成が提案されている（例えば特許文献１参照）。
また、青紫色レーザを使って記録再生を行う２層光学的情報記録媒体の実用化に向けた研究開発が行われている。これによると、従来よりも短波長のレーザー光や従来よりも開口数（ＮＡ）が大きい対物レンズを用いることによって、レーザー光のスポット径を小さくし、より高密度に情報を記録することが可能となる。

片面多層記録媒体に求められる要件として、情報を記録再生するために用いられるレーザー光の入射側に設けられている情報層が、できるだけ高い透過率を有していることが挙げられる。例えば、片面２層記録媒体の場合、レーザー光は、入射側に設けられた情報層を通過して、奥側の情報層に達したときにはその強度が低下してしまい、強度の低いレーザー光で奥側の情報層の記録再生を行うことになる。したがって、奥側の情報層に情報を記録する際にもレーザー光の強度をある程度確保する必要があるため、手前側の情報層等においては特に高透過率が求められている。このような高透過率を実現するために、レーザー光の入射側から見て少なくとも記録層と反射層とをこの順に備えた情報層において、反射層のレーザー光入射側の反対側に、誘電体からなる透過率調整層に接するように設けるという技術が検討されている。また、さらには、前記透過率調整層と反射層との屈折率、消衰係数を最適化することで、高透過率を実現する技術が検討されている。

なお、上述した記録層と接する誘電体層材料としては、ＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃からなるものを用いることが提案されている。高透過率が要求されるディスクでは、レーザー光を吸収して透過率を低下させる一因となる記録層をできるだけ薄くさせることが必須となる一方で、記録層を薄くさせることにより記録層の結晶化能が低下するという問題が生じる。これに対しては、記録層と接する誘電体層材料としてＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃からなる材料を用いることで、記録層の結晶化能の低下を抑えることができる。

また、多くの光磁気記録媒体やＤＶＤ−ＲＡＭは、量産装置としての枚葉式スパッタリング装置を用いて大量に製造されている。この枚葉式スパッタリング装置は、図５において示すように、成膜前ディスク基板１０は、ロードロック室１１を介し真空チャンバー内（メインチャンバー１９）に投入され、第１層を形成するための成膜室（この場合は成膜室１２）に搬送される。ディスク基板１０は、成膜室１２において成膜され、次に第２層を形成するための成膜室（この場合は成膜室１３）に搬送される。ここでも、成膜を繰返され、各成膜室に搬送されることで所望の層が形成された後、再びロードロック室１１を介して、成膜後ディスク２０が取り出されるという仕組みである。ディスク基板１０は、続けてロードロック室１１を介して次々と投入され、量産される。
特開２０００−０３６１３０号公報

我々は、片面多層記録媒体の検討を行うに際し、まず２層光学的情報記録媒体の開発に取り組んだ。誘電体層としては、記録層の薄膜化でも結晶化を促進する上述したＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃を用いて検討を行った。

しかし、この構成の前記枚葉式スパッタ装置を用いた量産化検討において、耐湿試験後に膜剥離が生じやすいという課題の存在が明らかになった。詳細な検討の結果、膜剥離は記録層側誘電体層と記録層との界面、および、レーザー光入射側誘電体層と記録層との界面、反射層側誘電体層と反射層との界面において生じやすく、記録層側誘電体層と記録層の界面が、膜剥離を最も生じやすいこともわかった。この膜剥離は、誘電体層の材料組成のうちＣｒ₂Ｏ₃量を増やすことで改善される一方で、Ｃｒ₂Ｏ₃量の増加により透過率の低下を引き起こしてしまい、レーザー光入射側から見て奥の情報層の記録再生特性に大きな影響が生じてしまう。このため、誘電体層については、材料組成の変更を安易に行うことはできないことがわかった。

また、量産においては成膜タクトが量産コストに影響するため、枚葉式スパッタ装置では記録媒体を量産する場合には、ロードロック室から搬入される基板およびロードロック室に対しては十分な時間をかけた真空排気を施すことは難しい（例えば２〜３秒の排気時間程度）。このため、成膜室には外部からの水分や基板に付着した水分が入りやすく、その水分のために生産される光ディスクの耐食性が悪化しがちである。上述した従来の方法によって生産される光ディスクは、バッチ式量産機によるものと比較すると、耐食性が劣っているということもわかった。

以上のように、膜剥離の発生を抑えることと透過率を向上させることとの両方を実現するためには、誘電体層の材料組成だけでなく、ディスクの層構成も最適化する必要がある。

本発明の主たる目的は、上記課題を解決した片面多層構成の光学的情報記録媒体を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明における光学的情報記録媒体は、基板の上に少なくとも２つの情報層を備え、レーザー光の入射側にある情報層が、反射層と、記録層と、誘電体層とを少なくとも備えている。記録層は、反射層に対してレーザー光入射側に位置しておりアモルファス相と結晶相との間でレーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じるものである。誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、反射層と記録層との間に位置している。そして、誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表される場合に、ｒ＜ｕであることを特徴とする。

ここでは、誘電体層において、誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＣｒの比率を誘電体層の反射層側におけるＣｒの比率より高くすることで、レーザー光入射側にある情報層における透過率の減少を抑えつつ、誘電体層と記録層との界面における膜剥離の発生を抑えることができる。なお、誘電体層全体に含まれているＣｒの量は従来の誘電体層に含まれている量と同程度であってもよいが、さらに少なくして透過率を向上させてもよい。誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＣｒが十分であれば、誘電体層全体に含まれているＣｒの量を減らしても問題はないからである。

また、誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＳｉの比率を誘電体層の反射層側におけるＳｉの比率より低くしてもよく、この場合にも、レーザー光入射側にある情報層における透過率の減少を抑えつつ、誘電体層と記録層との界面における膜剥離の発生を抑えることが可能になる。

また、誘電体層の材料としては、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）、（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）を、点Ａ（１４：０：８６）、点Ｂ（０：１４：８６）、点Ｃ（０：２５：７５）、点Ｄ（２１：２１：５８）、点Ｅ（４３：０：５７）、点Ｆ（０：３３：６７）、点Ｇ：（３３：３３：３４）、点Ｈ（６７：０：３３）、点Ｉ（２５：０：７５）とした場合に、誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ａの順に囲まれた範囲であり、かつ誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、点Ｃの順に囲まれた範囲の材料であってもよい。なお、誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｅ、点Ｄ、点Ｃの順に囲まれた範囲の材料であればより好ましい。この場合についても、レーザー光入射側にある情報層における透過率の減少を抑えつつ、誘電体層と記録層との界面における膜剥離の発生をより効果的に抑えることが可能になる。

また、誘電体層は、記録層の近傍に位置する記録層側誘電体層と、記録層側誘電体層よりも反射層に近い反射層側誘電体層との少なくとも２層を有している構成であってもよい。

また、記録層と接する誘電体層の材料としては、ＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃を含有したものであってもよい。これにより、記録層の結晶化能の低下を抑えることが可能となる。

さらに、記録層側誘電体層の膜厚は、反射層側誘電体層の膜厚の１／１５以上１／３以下、より好ましくは１／４以下とした構成であってもよい。また、記録層側誘電体層の膜厚は、１ｎｍ以上８ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上６ｎｍ以下とした構成であってもよい。

さらに、上記課題を解決するために、本発明における基板の上に少なくとも２つの情報層を備えた光学的情報記録媒体の製造方法は、レーザー光の入射側にある情報層の成膜において、少なくとも反射層を成膜する工程と、記録層を成膜する工程と、反射層と記録層との間に誘電体層を成膜する工程と備えている。記録層は、反射層に対してレーザー光入射側に設けられ、アモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じるものである。誘電体層を成膜する工程では、記録層との接触部分を有する記録層側誘電体層と、記録層側誘電体層よりも反射層に近い反射層側誘電体層との少なくとも２層を成膜する。そして、反射層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、記録層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表され、ｒ＜ｕを満たすスパッタリングターゲットを用いていることを特徴とする。

記録層側誘電体層におけるＣｒの比率を反射層側誘電体層におけるＣｒの比率より高くなるように製造することで、レーザー光入射側にある情報層における透過率の減少を抑えつつ、誘電体層と記録層との界面における膜剥離の発生を抑えた光学的情報記録媒体を製造することが可能になる。

また、記録層側誘電体層におけるＳｉの比率を反射層側誘電体層におけるＳｉの比率より低くするように製造してもよく、この場合にも、レーザー光入射側にある情報層における透過率の減少を抑えつつ、誘電体層と記録層との界面における膜剥離の発生を抑えた光学的情報記録媒体を製造することが可能になる。

また、誘電体層の材料の製造は、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）、（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）を、点Ａ（１４：０：８６）、点Ｂ（０：１４：８６）、点Ｃ（０：２５：７５）、点Ｄ（２１：２１：５８）、点Ｅ（４３：０：５７）、点Ｆ（０：３３：６７）、点Ｇ：（３３：３３：３４）、点Ｈ（６７：０：３３）、点Ｉ（２５：０：７５）とした場合に、記録層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ａの順に囲まれた範囲であり、かつ反射層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、点Ｃの順に囲まれた範囲となるように製造してもよい。なお、反射層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｅ、点Ｄ、点Ｃの順に囲まれた範囲となるように製造するのであればより好ましい。この場合についても、レーザー光入射側にある情報層における透過率の減少を抑えつつ、誘電体層と記録層との界面における膜剥離の発生をより効果的に抑えることが可能になる。

なお、記録層と接する材料としてＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃を含有した材料をスパッタリングすることで、記録層の結晶化能の低下を抑えることも可能となる。

以上説明したように、誘電体層におけるＣｒは耐食性確保のために必要でありつつも透過率減少の原因となるが、本願発明の光学的情報記録媒体およびその製造方法により、記録層との界面近傍におけるＣｒの量を相対的に増加させて耐食性を確保することで、耐食性確保に必要なＣｒの絶対量を少なく抑えて透過性を良好に保つことが可能になる。このように、耐食性（信頼性）を確保し、かつ良好な透過率を確保することにより記録再生特性に優れた片面２層情報記録媒体を実現できる。

以下、図面を用いて本発明を説明する。
本発明は、図１において示すように、第１の情報層１００と第２の情報層２００との２つの情報層を有する片面２層ディスクに関するものである。第２の情報層２００は、保護基板２０１上に形成されている。第１の情報層１００は基板１上に形成されており、基板１と第２の情報層２００との間には光学的分離層１５０が配置されている。第１の情報層１００のレーザー光入射側には、カバー層９が形成されている。なお、本発明は、情報層が２層だけ設けられている記録媒体だけでなく、情報層が多層設けられている多層情報記録媒体に対しても適用することができる。さらに、本発明は、複数の情報層が片面に設けられている記録媒体に限られず、複数の情報層が両面においてそれぞれ設けられているような記録媒体に対しても適用することができる。

以下、本発明が適用される第１の情報層１００（レーザー光入射側の情報層）について、図２を参照しつつ説明する。
第１の情報層１００は、前述の様に、基板１上に形成されている。基板１は、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ等の樹脂板、ガラス板等からなる。光学分離層１５０上に情報層１００用に溝を形成する場合には、スタンパ基板の溝をＵＶ樹脂を用いて転写する２Ｐ法を用いることができる。

第１の情報層１００は、少なくとも透過率調整層２と、反射層３と、反射層側誘電体層４及び記録層側誘電体層５からなる誘電体層５０と、記録層６と、誘電体層７と、誘電体層８とから構成されており、これらは基板１側から上記順番で並んでいる。

透過率調整層２は、情報の記録を行うレーザー光波長における屈折率が大きい媒質の方が透過率を高くすることができるため、酸化チタンを用いている。
反射層３は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の金属元素を主成分とする材料を用いることができる。また、金属反射層の代わりに、屈折率の異なる２種類以上の保護層を積層することによっても、反透過層と同様の光学特性を得ることができる。本実施の形態では、Ａｇを主成分とする金属反射層を用いている。

誘電体層４〜５，７〜８の材料は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ等の酸化物、Ｚｎ等の硫化物、Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ等の窒化物、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｌａ等のフッ化物等を主成分とする材料を用いることができる。本実施の形態では、誘電体層８としてはＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂、反射層側誘電体層４、記録層側誘電体層５および誘電体層７としてはＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃を用いている。なお、誘電体層４，５の組成については、下記の実施例において詳細に説明する。

記録層６の材料は、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｅ等を主成分とする相変化材料を用いることができる。よく知られた相変化材料の主成分としては、ＴｅＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｎ、ＴｅＧｅＳｎＡｕ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ、ＳｂＳｅＴｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、ＩｎＳｂＩｎＳｂＳｅ、ＧｅＳｂＴｅＡｇ等が挙げられる。現在、相変化光ディスクで商品化されたもの、あるいは研究が盛んに行われている材量系としては、ＧｅＳｂＴｅ系、ＡｇＧｅＳｂＴｅ系等がある。本実施の形態では、ＧｅＳｂＴｅ系のものを主成分として主に用いている。

反射層側誘電体層４と記録層側誘電体層５とからなる誘電体層５０，誘電体層７，誘電体層８、記録層６、反射層３、透過率調整層２等の各層の形成方法としては、通常、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、レーザスパッタリング法等が適応される。本実施の形態では、スパッタリング法を用いている。

上記実施形態で用いたディスクの構造の実施例について、説明する。
まず、ポリカーボネートを用いた基板１として、その表面がピッチ０．３ｕｍ、溝深さ２０ｎｍの凹凸の案内溝で覆われている直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの基板を用いた。その上に透過率調整層２として膜厚２０ｎｍの酸化チタン、反射層３として膜厚１０ｎｍのＡｇ、反射層側誘電体層４と記録層側誘電体層５とからなる誘電体層５０として膜厚が１６ｎｍのＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃、記録層６として膜厚７ｎｍのＧｅ₂₂Ｓｂ₂₅Ｔｅ₅₃（ａｔ％）、誘電体層７として膜厚１０ｎｍのＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃、誘電体層８として膜厚４０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ₂を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成し、第１の情報層１００を形成した。続いて、スピンコート法により膜厚０．１ｍｍの光透過層（カバー層９）を形成した。

（１）まず、反射層側誘電体層４の組成をＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃組成比で３０：３０：４０に固定して、記録層側誘電体層５の組成を種々変えて、その組成での耐食性とレーザー光波長４０５ｎｍでの透過率の結果を検討した。耐食性試験では、温度９０度で湿度８０％の環境下において１００時間経過した後の膜剥離の状況を光学顕微鏡で観察し、その良否を判定した。また、透過率は４７％以上、５０％以上、５２％以上の３段階の基準を設けた。片面２層光学的情報記録媒体のレーザー光入射側の第１の情報層１００の透過率として４７％以上であれば、奥側の第２の情報層２００に対して情報を記録するために必要なレーザー光としては、差し支えない範囲であるといえる。ただし、ここでの透過率としては、より高い透過率のものが望まれ、５０％以上の透過率を確保できれば問題ない範囲といえる。さらに、５２％以上の透過率であると、奥側の第２の情報層２００の構成のマージンにも余裕がでてくるため、より好ましい。これらの結果を、図３、図４を用いて説明する。

図４に示す記録層側誘電体層５の種々の組成（黒点に対応）のサンプル３０枚の耐食性、透過率測定を行った。図３、図４における点Ａ〜Ｊの各ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃組成比は、ＺｒＯ₂：ＳｉＯ₂：Ｃｒ₂Ｏ₃の比（ｍｏｌ％）で表すと、点Ａ（２５：０：７５）、点Ｂ（０：２５：７５）、点Ｃ（０：４０：６０）、点Ｄ（３０：３０：４０）、点Ｅ（６０：０：４０）、点Ｆ（０：５０：５０）、点Ｇ（４０：４０：２０）、点Ｈ（８０：０：２０）、点Ｉ（４０：０：６０）、点Ｊ（０：０：１００）となる。これをＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの組成比に換算した場合にはＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒの比（ａｔ％）で表すと点Ａ（１４：０：８６）、点Ｂ（０：１４：８６）、点Ｃ（０：２５：７５）、点Ｄ（２１：２１：５８）、点Ｅ（４３：０：５７）、点Ｆ（０：３３：６７）、点Ｇ（３３：３３：３４）、点Ｈ（６７：０：３３）、点Ｉ（２５：０：７５）、点Ｊ（０：０：１００）となる。

耐食性の結果について、図３を用いて説明する。耐湿試験後に剥離がなかったのは、記録層側誘電体層５の組成が点Ｊ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であり、それ以外の組成では、剥離が生じていた。この剥離は、剥離しやすい記録層６と記録層側誘電体層５の界面で主に生じていると考えられる。しかし、反射層側誘電体層４の組成において、Ｃｒ₂Ｏ₃が非常に少ない組成、あるいはＳｉＯ₂が非常に多い組成では、反射層３と反射層側誘電体層４との界面でも剥離が生じていると考えられる。本結果より、耐食性を良好なものとするためには、Ｃｒ₂Ｏ₃量を増やす、ＳｉＯ₂量を減らすことであることがわかった。

次に、透過率の結果について、図３を用いて説明する。透過率が４７％未満であったのは、点Ａ、点Ｂ、点Ｊ、点Ａの順に囲まれた範囲の場合であり、その他の場合には、透過率は４７％以上と良好であった。さらに、透過率が５０％未満だったのは、点Ｊ、点Ｃ、点Ｉ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であり、その他の場合では透過率は５０％以上とさらに良好であった。本結果より、透過率を良好なものとするためには、Ｃｒ₂Ｏ₃量を減らすことであることがわかった。

以上の結果より、記録層側誘電体層５の組成が、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ａの順に囲まれた範囲の場合が耐食性、透過率ともに良好であることがわかった。また、記録層側誘電体層５の組成が点Ｉ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｉの順に囲まれた範囲の場合には、透過率をさらに向上させることができ、より好ましい。

（２）記録層側誘電体層５の組成を固定して、反射層側誘電体層４の組成を変化させた場合の耐食性、透過率を検討した。
記録層側誘電体層５の組成をＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃組成比で２５：０：７５とし、反射層側誘電体層４の組成を種々変えてみた。その他のディスク構成については先の実施例と同じとした。反射層側誘電体層４の組成を図４に示す黒点のサンプル３０枚の組成毎に耐食性、透過率について測定した。

耐食性の結果について、図３を用いて説明する。耐湿試験後に剥離がなかったのは、反射層側誘電体層４の組成が点Ｊ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であり、それ以外の組成では剥離が生じていた。

次に、透過率の結果について、図３を用いて説明する。透過率が４７％未満であったのは、点Ｊ、点Ｂ、点Ａ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であった。また、透過率が５２％未満であったのは、点Ｊ、点Ｃ、点Ｉ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であった。

（３）次に、記録層側誘電体層５の組成をＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃組成比で６０：０：４０とし、反射層側誘電体層４の組成を種々変化させた。
耐食性の結果について、図３を用いて説明する。耐湿試験後に剥離がなかったのは、反射層側誘電体層４の組成が点Ｊ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であり、それ以外の組成では剥離が生じていた。

次に、透過率の結果について、図３を用いて説明する。透過率が５０％未満であったのは、点Ｊ、点Ｂ、点Ａ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であった。また、透過率が５２％未満であったのは点Ｊ、点Ｃ、点Ｉ、点Ｊの順に囲まれた範囲の場合であった。

以上の結果より、反射層側誘電体層４の組成が、点Ｉ、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉの順に囲まれた範囲の場合が、耐食性、透過率ともに良好であることがわかった。
また、透過率を５２％よりさらに向上させる方がよいことは言うまでも無く、そのような反射層側誘電体層４の組成としては、耐食性を考慮すると、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｅ、点Ｄ、点Ｃの順に囲まれた範囲の場合である。

（４）まとめ
このように、反射層側誘電体層４と記録層側誘電体層５とについて、組成毎の性質をそれぞれ比較してみると、耐食性については、誘電体層５よりも反射層側誘電体層４の方が強くマージンがあることが確認できるため、耐食性を確保するために必要となるＣｒ₂Ｏ₃量については、反射層側誘電体層４よりも記録層側誘電体層５の方を相対的に多くする構成を採用するのが望ましいと考えられる。あるいは、ＳｉＯ₂量について、反射層側誘電体層４よりも記録層側誘電体層５の方を少なくする構成を採用するのが望ましいと考えられる。

一方、透過率については、反射層側誘電体層４、記録層側誘電体層５に関わらず、いずれについてもＣｒ₂Ｏ₃量が少ないことが望ましい。
したがって、以上の耐食性および透過性についての検討結果を総合的に考慮すると、少しでも耐食性を向上させて、少しでも透過率の低下を抑えるためには、Ｃｒ₂Ｏ₃量については、記録層側誘電体層５よりも反射層側誘電体層４のほうがより多くなるような組成範囲を選ぶべきであると考える。また、ＳｉＯ₂量については、透過率には関係ないものの耐食性には大きく影響するため、反射層側誘電体層４よりも組成マージンの狭い記録層側誘電体層５のほうがＳｉＯ₂量がより少なくなるような構成範囲を選ぶべきであると考えられる。

なお、本実施例では、ＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃スパッタリングターゲットを用いた場合の結果についてのみ述べたが、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ等を添加したものについても同様の結果を得た。

また、上記実施例においては、誘電体層５０が記録層側誘電体層５と反射層側誘電体層４との２層を有している場合についてのみ述べたが、誘電体層５０としては、他の層をさらに備えた３層以上の構成であってもよい。

また、誘電体層５０は、その内部が層として明確に区別することが難しいような構成であってもよく、記録層６側から反射層３側に対して、その組成がなだらかに変化するような１層からなる構成のものであってもよい。例えば、このような１層の誘電体層５０としては、記録層６側の界面近傍におけるＣｒ₂Ｏ₃の組成比を反射層３側におけるＣｒ₂Ｏ₃の組成比よりも多くしたり、記録層６側の界面近傍におけるＳｉＯ₂の組成比を反射層３側におけるＳｉＯ₂の組成比よりも少なくしたりした層とすることができる。このように、誘電体層５０が、１層の場合には、記録層６側の界面近傍における組成に対して上述した記録層側誘電体層５の最適条件を、反射層３側の組成に対して上述した反射層側誘電体層４の最適条件をそれぞれ適応するようにしてもよい。なお、このような組成がなだらか変化するような層は、スパッタリングターゲットの組成を変更しながら共スパッタすることによって成膜することができる。

（１）反射層側誘電体層４の組成を固定して、記録層側誘電体層５の組成を変化させた場合の記録層側誘電体層５についての耐食性、透過率の検討結果を示す。耐食性、透過率の検討結果を示す。本検討では、以下に示す表１のように、反射層側誘電体層４の組成をＺｒＯ₂：ＳｉＯ₂：Ｃｒ₂Ｏ₃＝５０：２０：３０と一定とし、記録層側誘電体層５の組成のみを変化させた。その他のディスク構成等については、実施例１と同じとした。

表１より、記録層側誘電体層５のＣｒ₂Ｏ₃量が多いほど耐食性は向上し、Ｃｒ₂Ｏ₃の組成比が５０％の場合については、温度が９０℃、湿度が８０％の環境下において１００ｈ経過させた場合でも膜腐食はなく、Ｃｒ₂Ｏ₃の組成比が７０％では３００ｈ経過させた後でも膜腐食はなかった。Ｃｒ₂Ｏ₃組成比が多いほど透過率は低下するが、透過率は５０％以上を確保できており、問題のない範囲であった。以上の結果からも、Ｃｒ₂Ｏ₃量は、誘電体層４より記録層側誘電体層５の方が多い場合に、耐食性を向上させることができることが確認できる。

（２）反射層側誘電体層４の組成を先の実施例の組成とは異なる値に固定して、記録層側誘電体層５の組成を変化させた場合の記録層側誘電体層５についての耐食性、透過率の検討結果を示す。本検討では、以下に示す表２のように、反射層側誘電体層４の組成をＺｒＯ₂：ＳｉＯ₂：Ｃｒ₂Ｏ₃＝３０：２０：５０と一定とし、記録層側誘電体層５の組成のみを変化させた。その他のディスク構成等については、実施例１と同じとした。

表２より、記録層側誘電体層５のＳｉＯ₂量が少ないほど耐食性は向上し、ＳｉＯ₂の組成比が５０％の場合や２０％の場合については、温度が９０℃、湿度が８０％の環境下において１００ｈ経過させた場合でも膜腐食はなく、ＳｉＯ₂の組成比が０％では３００ｈ経過させた後でも膜腐食はなかった。本検討範囲のＳｉＯ₂組成比では、透過率はどれも５２％以上であり、良好な範囲であった。以上の結果からも、ＳｉＯ₂量は、反射層側誘電体層４より記録層側誘電体層５の方が多い場合に、耐食性を向上させることができることが確認できる。

本発明によれば、光学的な情報記録における耐食性（信頼性）を確保し、かつ良好な透過率を確保することが可能となるため、記録再生特性に優れた片面２層情報記録媒体への適用が特に有用である。

本発明の実施の形態に用いた２層光ディスクの構造図。 本発明の実施の形態に用いた２層光ディスクの第１の情報層についての構造図。 本発明の実施の形態に用いた光ディスクの誘電体層の組成図。 本発明の実施の形態に用いた光ディスクの誘電体層の組成図。 光ディスクの製造装置である枚葉式スパッタ装置の構造図。

符号の説明

１ 基板
２ 透過率調整層
３ 反射層
４ 反射層側誘電体層
５ 記録層側誘電体層
６ 記録層
７ 誘電体層
８ 誘電体層
９ カバー層
１０ ディスク基板
１１ ロードロック室
１２ 成膜室
１３ 成膜室
１４ 成膜室
１５ 成膜室
１６ 成膜室
１７ 成膜室
１８ 成膜室
１９ メインチャンバー
２０ 成膜後ディスク
５０ 誘電体層
１００ 第１の情報層

Claims (19)

1. 基板の上に少なくとも２つの情報層を備え、
   レーザー光の入射側にある情報層が、反射層と、前記反射層に対して前記レーザー光入射側に位置しておりアモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層と、前記反射層と前記記録層との間に位置する誘電体層とを少なくとも備えた光学的情報記録媒体において、
   前記誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、
   前記誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、
   前記誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表され、
   かつ、ｒ＜ｕであることを特徴とする光学的情報記録媒体。
2. 基板の上に少なくとも２つの情報層を備え、
   レーザー光の入射側にある情報層が、反射層と、前記反射層に対して前記レーザー光入射側に位置しておりアモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層と、前記反射層と前記記録層との間に位置する誘電体層とを少なくとも備えた光学的情報記録媒体において、
   前記誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、
   前記誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、
   前記誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表され、
   かつ、ｑ＞ｔであることを特徴とする光学的情報記録媒体。
3. さらにｒ＜ｕであることを特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
4. Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）、（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）を、点Ａ（１４：０：８６）、点Ｂ（０：１４：８６）、点Ｃ（０：２５：７５）、点Ｄ（２１：２１：５８）、点Ｅ（４３：０：５７）、点Ｆ（０：３３：６７）、点Ｇ：（３３：３３：３４）、点Ｈ（６７：０：３３）、点Ｉ（２５：０：７５）とした場合、
   前記誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ａの順に囲まれた範囲であり、かつ前記誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、点Ｃの順に囲まれた範囲の材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
5. 前記誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｅ、点Ｄ、点Ｃの順に囲まれた範囲の材料であることを特徴とする請求項４に記載の光学的情報記録媒体。
6. 基板の上に少なくとも２つの情報層を備え、
   レーザー光の入射側にある情報層が、反射層と、前記反射層に対して前記レーザー光入射側に位置しておりアモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層と、前記反射層と前記記録層との間に位置する誘電体層とを少なくとも備えた光学的情報記録媒体において、
   前記誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、
   前記誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、
   前記誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表され、
   Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）、（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）を、点Ａ（１４：０：８６）、点Ｂ（０：１４：８６）、点Ｃ（０：２５：７５）、点Ｄ（２１：２１：５８）、点Ｅ（４３：０：５７）、点Ｆ（０：３３：６７）、点Ｇ：（３３：３３：３４）、点Ｈ（６７：０：３３）、点Ｉ（２５：０：７５）とした場合、
   前記誘電体層の記録層側の界面近傍におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ａの順に囲まれた範囲であり、かつ前記誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、点Ｃの順に囲まれた範囲の材料であることを特徴とする光学的情報記録媒体。
7. 前記誘電体層の反射層側におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｅ、点Ｄ、点Ｃの順に囲まれた範囲の材料であることを特徴とする請求項６に記載の光学的情報記録媒体。
8. 前記誘電体層は、前記記録層の近傍に位置する記録層側誘電体層と、前記記録層側誘電体層よりも前記反射層に近い反射層側誘電体層との少なくとも２層を有しており、
   前記反射層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、
   前記記録層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
9. 前記記録層側誘電体層の膜厚は、前記反射層側誘電体層の膜厚の１／１５以上１／３以下であることを特徴とする請求項８に記載の光学的情報記録媒体。
10. 前記記録層側誘電体層の膜厚は、１ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８または９に記載の光学的情報記録媒体。
11. 前記誘電体層は、少なくともＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃を含有したものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体。
12. 基板の上に少なくとも２つの情報層を備えた光学的情報記録媒体の製造方法であって、
    レーザー光の入射側にある情報層の成膜において、少なくとも反射層を成膜する工程と、アモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層を前記反射層に対して前記レーザー光入射側に成膜する工程と、前記反射層と前記記録層との間に誘電体層を成膜する工程と備え、
    前記誘電体層を成膜する工程では、前記記録層との接触部分を有する記録層側誘電体層と、前記記録層側誘電体層よりも前記反射層に近い反射層側誘電体層との少なくとも２層を成膜し、
    前記反射層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、
    前記記録層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表され、
    かつ、ｒ＜ｕを満たすスパッタリングターゲットを用いていることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
13. 基板の上に少なくとも２つの情報層を備えた光学的情報記録媒体の製造方法であって、
    レーザー光の入射側にある情報層の成膜において、少なくとも反射層を成膜する工程と、アモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層を前記反射層に対して前記レーザー光入射側に成膜する工程と、前記反射層と前記記録層との間に誘電体層を成膜する工程と備え、
    前記誘電体層を成膜する工程では、前記記録層との接触部分を有する記録層側誘電体層と、前記記録層側誘電体層よりも前記反射層に近い反射層側誘電体層との少なくともの２層を成膜し、
    前記反射層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、
    前記記録層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表され、
    かつ、ｑ＞ｔを満たすスパッタリングターゲットを用いていることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
14. さらにｒ＜ｕを満たすスパッタリングターゲットを用いていることを特徴とする請求項１３に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
15. Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）、（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）を、点Ａ（１４：０：８６）、点Ｂ（０：１４：８６）、点Ｃ（０：２５：７５）、点Ｄ（２１：２１：５８）、点Ｅ（４３：０：５７）、点Ｆ（０：３３：６７）、点Ｇ：（３３：３３：３４）、点Ｈ（６７：０：３３）、点Ｉ（２５：０：７５）とした場合、
    前記誘電体層を成膜する工程では、前記記録層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ａの順に囲まれた範囲であり、かつ前記反射層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、点Ｃの順に囲まれた範囲となるようにスパッタリングターゲット材料を用いることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
16. 前記反射層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｅ、点Ｄ、点Ｃの順に囲まれた範囲となるようにスパッタリングターゲット材料を用いることを特徴とする請求項１５に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
17. 基板の上に少なくとも２つの情報層を備えた光学的情報記録媒体の製造方法であって、
    レーザー光の入射側にある情報層の成膜において、少なくとも反射層を成膜する工程と、アモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層を前記反射層に対して前記レーザー光入射側に成膜する工程と、前記反射層と前記記録層との間に誘電体層を成膜する工程と備え、
    前記誘電体層を成膜する工程では、前記記録層との接触部分を有する記録層側誘電体層と、前記記録層側誘電体層よりも前記反射層に近い反射層側誘電体層との少なくとも２層を成膜し、
    前記反射層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｐ：ｑ：ｒ（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）と書き表され、
    前記記録層側誘電体層は、少なくともＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒを含有し、その比率がＺｒ：Ｓｉ：Ｃｒ＝ｓ：ｔ：ｕ（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）と書き表され、
    Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率（ｐ＋ｑ＋ｒ＝１００、ｐ、ｑ、ｒはａｔ％）、（ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００、ｓ、ｔ、ｕはａｔ％）を、点Ａ（１４：０：８６）、点Ｂ（０：１４：８６）、点Ｃ（０：２５：７５）、点Ｄ（２１：２１：５８）、点Ｅ（４３：０：５７）、点Ｆ（０：３３：６７）、点Ｇ：（３３：３３：３４）、点Ｈ（６７：０：３３）、点Ｉ（２５：０：７５）とした場合、
    前記誘電体層を成膜する工程では、前記記録層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ａの順に囲まれた範囲であり、かつ前記反射層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｉ、点Ｃの順に囲まれた範囲となるようにスパッタリングターゲット材料を用いることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。
18. 前記反射層側誘電体層におけるＺｒ、Ｓｉ、Ｃｒの比率が、点Ｃ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈ、点Ｅ、点Ｄ、点Ｃの順に囲まれた範囲となるようにスパッタリングターゲット材料を用いることを特徴とする請求項１７に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
19. 前記スパッタリングターゲットは、少なくともＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃を含有したものであることを特徴とする請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の光学的情報記録媒体の製造方法。
    
    

Images