JP2005004943A - 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 - Google Patents
多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005004943A JP2005004943A JP2003425588A JP2003425588A JP2005004943A JP 2005004943 A JP2005004943 A JP 2005004943A JP 2003425588 A JP2003425588 A JP 2003425588A JP 2003425588 A JP2003425588 A JP 2003425588A JP 2005004943 A JP2005004943 A JP 2005004943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- information
- phase change
- recording medium
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
【課題】反射層が薄い場合でも、オーバーライト特性が優れた多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法を提供する。短波長領域でも高透過率を維持でき、３層以上の記録層を設けることが可能であり、オーバーライト特性が優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量の多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法を提供する。
【解決手段】 光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、それぞれの情報層を、光が入射される側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の、少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順からなり、熱拡散層は、インジウム、亜鉛および酸素が主成分であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【選択図】 図１
【解決手段】 光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、それぞれの情報層を、光が入射される側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の、少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順からなり、熱拡散層は、インジウム、亜鉛および酸素が主成分であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【選択図】 図１
Description
本発明はレーザなどの光により情報の記録、再生などを行なうことができる多層相変化型情報記録媒体とその記録再生方法に関する。
ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク（相変化型情報記録媒体）は、一般的にプラスチック基板の上に相変化型材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させ、かつ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザー光を入射して、情報の記録再生を行なう。
相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間で相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録再生に応用したものである。
更に光照射による加熱によって起る記録層の酸化、蒸散或いは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）、及び記録層と反射層の間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）を設ける。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間で相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録再生に応用したものである。
更に光照射による加熱によって起る記録層の酸化、蒸散或いは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）、及び記録層と反射層の間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）を設ける。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
近年、コンピューター等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度であり、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。
このような相変化型情報記録媒体を高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、或いは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが提案されている。
記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法としては、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を２つ重ね、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着した構造の２層相変化型情報記録媒体が、例えば特許文献１〜４等において提案されている。
このような相変化型情報記録媒体を高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、或いは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが提案されている。
記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法としては、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を２つ重ね、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着した構造の２層相変化型情報記録媒体が、例えば特許文献１〜４等において提案されている。
この情報層間の接着部分である分離層（本発明においては中間層という）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生用レーザー光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザー光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
これらの２層相変化型情報記録媒体は、何れも第１情報層に特徴を有するもので、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様に、第１保護層と第２保護層が設けられたものである。
この２層相変化型情報記録媒体については、例えば非特許文献１にもあるように、学会などでも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザー光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録し再生することができないため、第１情報層を構成する反射層をなくすか又は極薄にするか、或いは第１情報層を構成する記録層を極薄にすることが考えられる。
これらの２層相変化型情報記録媒体は、何れも第１情報層に特徴を有するもので、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様に、第１保護層と第２保護層が設けられたものである。
この２層相変化型情報記録媒体については、例えば非特許文献１にもあるように、学会などでも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザー光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録し再生することができないため、第１情報層を構成する反射層をなくすか又は極薄にするか、或いは第１情報層を構成する記録層を極薄にすることが考えられる。
相変化型情報記録媒体による記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射して急冷し、結晶を非晶質に変化させてマークを形成することにより行なわれるので、反射層を無くすか又は１０ｎｍ程度と非常に薄くすると、熱拡散効果が小さくなって、非晶質マークを形成することが困難になってしまう。
特にＣＤ−ＲＷなどの相変化型情報記録媒体に広く用いられている材料の１つであるＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料に比べて消去比が優れ、また高感度であるため、記録マークのアモルファス部の輪郭が明確であるという点で優れている。
しかしながら、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料に比べて材料の結晶化速度が速いので、非晶質化するには、より単時間で急冷しなければならず、急冷構造をとることが必要な材料であり、反射層が薄い構造では、マーク形成が困難になる。
特にＣＤ−ＲＷなどの相変化型情報記録媒体に広く用いられている材料の１つであるＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料に比べて消去比が優れ、また高感度であるため、記録マークのアモルファス部の輪郭が明確であるという点で優れている。
しかしながら、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料に比べて材料の結晶化速度が速いので、非晶質化するには、より単時間で急冷しなければならず、急冷構造をとることが必要な材料であり、反射層が薄い構造では、マーク形成が困難になる。
比較的熱伝導率が大きく光吸収率が小さな窒化物あるいは炭化物等を用いて、反射層が担っていた熱拡散機能を補助する層（熱拡散層という）を反射層の上にさらに設けるやりかたが、単層相変化型情報記録媒体に関して特許文献５に、また２層相変化型情報記録媒体に関して特許文献３に開示されており、このやり方は第１情報層を構成する反射層を薄くした場合に発生する前記のような欠点を解消するのに有効な方法であると考えられる。
しかしながら、これら窒化物や炭化物等の材料は応力が大きいために、形成された熱拡散層にクラックが生じ易く、その結果熱拡散層を設けた光ディスク自体の充分なオーバーライト特性が得らないという問題が発生している。更に炭化物の材料はとりわけ短波長側での吸収が大きく、青紫色レーザーを用いるＢｌｕｅ−ｒａｙ Ｄｉｓｋ（ブルーレイディスク）システムのような次世代光ディスクでは第１情報層の光透過率を大きくできないという問題が生じる。
従って、本発明の課題は、情報層の反射層が薄い場合でも、オーバーライト特性が優れた多層相変化型情報記録媒体およびそれを用いた情報の記録再生方法を提供することである。
また、本発明は、短波長領域でも高透過率を維持でき、３層以上の記録層を設けることが可能であり、オーバーライト特性が優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量の多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法の提供を目的とする。
而して本発明者らは、第１に、熱拡散層に好ましい材料としてＩｎとＺｎ及びＯを用いた多層相変化型情報記録媒体を提案する。この材料を用いた多層相変化型情報記録媒体はオーバーライト特性に優れる。また第２に、短波長になるに従って吸収があまり大きくならず、したがって青紫色波長でも３層以上の記録層を設けることができる多層相変化型情報記録媒体を提案する。
また、本発明は、短波長領域でも高透過率を維持でき、３層以上の記録層を設けることが可能であり、オーバーライト特性が優れ、青紫色レーザーを用いた場合でも片面多層記録が可能な大容量の多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法の提供を目的とする。
而して本発明者らは、第１に、熱拡散層に好ましい材料としてＩｎとＺｎ及びＯを用いた多層相変化型情報記録媒体を提案する。この材料を用いた多層相変化型情報記録媒体はオーバーライト特性に優れる。また第２に、短波長になるに従って吸収があまり大きくならず、したがって青紫色波長でも３層以上の記録層を設けることができる多層相変化型情報記録媒体を提案する。
本発明者等は、前記従来技術の問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、次のような解決手段としての第１群の発明及び第２群の発明を見出した。
即ち、上記課題は、次の第１群の発明の（１）〜（３）項の発明及び第２群の発明の（４）〜（９）項の発明及びこれら発明のより好ましい態様をさらに特徴として具備する（１０）〜（２０）の発明（以下、本発明１〜２０という）によって解決される。
即ち、上記課題は、次の第１群の発明の（１）〜（３）項の発明及び第２群の発明の（４）〜（９）項の発明及びこれら発明のより好ましい態様をさらに特徴として具備する（１０）〜（２０）の発明（以下、本発明１〜２０という）によって解決される。
〔第１群の発明〕
（１） 光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、それぞれの情報層を、光が入射される側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の、少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順からなり、熱拡散層は、インジウム、亜鉛および酸素が主成分であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体；
（２） ＩｎとＺｎの原子比が、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５の範囲であることを特徴とする前記（１）に記載の多層相変化型情報記録媒体；
（３） 前記熱拡散層の厚さが２０〜２００ｎｍであることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の多層相変化型情報記録媒体。
（１） 光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、それぞれの情報層を、光が入射される側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の、少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順からなり、熱拡散層は、インジウム、亜鉛および酸素が主成分であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体；
（２） ＩｎとＺｎの原子比が、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５の範囲であることを特徴とする前記（１）に記載の多層相変化型情報記録媒体；
（３） 前記熱拡散層の厚さが２０〜２００ｎｍであることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の多層相変化型情報記録媒体。
〔第２群の発明〕
（４） 光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、各情報層を、光が入射する側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順に積層された層構成を有し、熱拡散層が、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び少なくとも１種のハロゲンを主成分とすることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体；
（５） 熱拡散層が、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）、少なくとも１種のハロゲンの他に、価数が正３価以上である少なくとも１種の第３金属元素を必須構成元素とし、該第３金属元素の総量の金属元素全体に対する原子比が、（全第３金属元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．２、を満足することを特徴とする前記（４）記載の多層相変化型情報記録媒体；
（６） 熱拡散層のＩｎとＺｎの原子比が、０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９、を満足する範囲にあることを特徴とする前記（４）又は（５）に記載の多層相変化型情報記録媒体；
（７） 熱拡散層のハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比が、０．０１≦（全ハロゲン）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．３、を満足することを特徴とする前記（４）乃至（６）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
（８） 熱拡散層のハロゲンがフッ素（Ｆ）である、前記（４）乃至（７）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（９） 熱拡散層の厚さが１０〜２００ｎｍであることを特徴とする前記（４）乃至（８）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
（４） 光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、各情報層を、光が入射する側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順に積層された層構成を有し、熱拡散層が、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び少なくとも１種のハロゲンを主成分とすることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体；
（５） 熱拡散層が、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）、少なくとも１種のハロゲンの他に、価数が正３価以上である少なくとも１種の第３金属元素を必須構成元素とし、該第３金属元素の総量の金属元素全体に対する原子比が、（全第３金属元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．２、を満足することを特徴とする前記（４）記載の多層相変化型情報記録媒体；
（６） 熱拡散層のＩｎとＺｎの原子比が、０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９、を満足する範囲にあることを特徴とする前記（４）又は（５）に記載の多層相変化型情報記録媒体；
（７） 熱拡散層のハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比が、０．０１≦（全ハロゲン）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．３、を満足することを特徴とする前記（４）乃至（６）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
（８） 熱拡散層のハロゲンがフッ素（Ｆ）である、前記（４）乃至（７）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（９） 熱拡散層の厚さが１０〜２００ｎｍであることを特徴とする前記（４）乃至（８）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
〔より好ましい態様をさらに具備する発明〕
（１０） 前記熱拡散層を有する情報層の前記記録層が、ＳｂとＴｅを主体とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐのうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする前記（１）乃至（３）の何れか又は前記（４）乃至（９）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１１） 前記記録層の厚さが、３〜１５ｎｍであることを特徴とする前記（１）乃至（１０）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１２） 前記熱拡散層を有する情報層の前記反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とする前記（１）乃至（１１）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１３） 前記反射層の厚さが、３〜２０ｎｍであることを特徴とする前記（１）乃至（１２）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１４） 第１基板と第２基板の間に２つの情報層を有し、かつ上記情報層の間に中間層を有してなる、情報の記録・再生が可能な２層相変化型情報記録媒体であって、第１情報層は第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層を含み、第２情報層は、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層を含み、記録・再生のための光が入射される側から、第１基板、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層、中間層、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層、第２基板の順で配置されていることを特徴とする前記（１）乃至（１３）の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１５） 前記第１情報層の光透過率が、波長３５０〜７００ｎｍの光に対して４０〜７０％であることを特徴とする前記（１４）に記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１６） 前記第１基板と前記第１下部保護層との間に透明層を有することを特徴とする前記（１４）または（１５）に記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１７） 前記第１上部保護層と前記第１反射層との間および／又は前記第２上部保護層と前記第２反射層との間にバリア層を有することを特徴とする前記（１４）乃至（１６）の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１８） 前記第１基板の厚さが、１０μｍ〜６００μｍであることを特徴とする前記（１４）乃至（１７）の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１９） 前記（１）乃至（３）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜４５０ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法；
（２０） 前記（４）〜（９）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法。
（１０） 前記熱拡散層を有する情報層の前記記録層が、ＳｂとＴｅを主体とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐのうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする前記（１）乃至（３）の何れか又は前記（４）乃至（９）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１１） 前記記録層の厚さが、３〜１５ｎｍであることを特徴とする前記（１）乃至（１０）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１２） 前記熱拡散層を有する情報層の前記反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とする前記（１）乃至（１１）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１３） 前記反射層の厚さが、３〜２０ｎｍであることを特徴とする前記（１）乃至（１２）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体；
（１４） 第１基板と第２基板の間に２つの情報層を有し、かつ上記情報層の間に中間層を有してなる、情報の記録・再生が可能な２層相変化型情報記録媒体であって、第１情報層は第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層を含み、第２情報層は、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層を含み、記録・再生のための光が入射される側から、第１基板、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層、中間層、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層、第２基板の順で配置されていることを特徴とする前記（１）乃至（１３）の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１５） 前記第１情報層の光透過率が、波長３５０〜７００ｎｍの光に対して４０〜７０％であることを特徴とする前記（１４）に記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１６） 前記第１基板と前記第１下部保護層との間に透明層を有することを特徴とする前記（１４）または（１５）に記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１７） 前記第１上部保護層と前記第１反射層との間および／又は前記第２上部保護層と前記第２反射層との間にバリア層を有することを特徴とする前記（１４）乃至（１６）の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１８） 前記第１基板の厚さが、１０μｍ〜６００μｍであることを特徴とする前記（１４）乃至（１７）の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体；
（１９） 前記（１）乃至（３）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜４５０ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法；
（２０） 前記（４）〜（９）の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法。
以下の詳細且つ具体的な説明より明らかなように、第１群の本発明によれば、オーバーライト特性の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができ、また、オーバーライト特性が優れ、かつ保存信頼性の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができ、また、それぞれの層の反射率、記録感度、および透過率（第Ｎ層をのぞく）を、記録、再生条件に合わせて最適化することができ、全情報層に対して記録再生特性の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
また、第２群の本発明によれば、オーバーライト特性が優れ、３５０〜７００ｎｍの波長のレーザーを用いた場合でも感度の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができ、更にそれぞれの層の反射率、記録感度、及び透過率（第Ｎ層をのぞく）を、記録、再生条件に合わせて最適化することができ、全情報層に対して記録再生特性の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
また本発明のより好ましい態様を更なる特徴として具備するその余の発明によれば、中間層によって、第１情報層と第２情報層とを光学的に分離することができ、更に第１情報層、第２情報層共に感度がよく、記録再生特性の優れた２層相変化型情報記録媒体を提供することができ、第１基板の厚さが薄い場合でも容易に製造可能な２層相変化型情報記録媒体を提供することができ、反射層の腐食を抑えた保存信頼性の優れた２層相変化型情報記録媒体を提供することができ、対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも良好に記録再生を行なうことが可能な２層相変化型情報記録媒体を提供することができ、本発明の多層相変化型情報記録媒体を用いて大容量の記録再生を行なうことができる。
以下、上記本発明について詳しく説明する。
〔第１群の発明〕
第１群の本発明の多層相変化型情報記録媒体は、基板上にＮ層（Ｎ：２以上の整数）の情報層を有し、該情報層は光照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化する材料からなる記録層を有し、かつ各情報層の間に中間層を有する記録再生可能な多層相変化型情報記録媒体であって、記録再生光が入射する側からみて最も奥側に形成された情報層以外の少なくとも１つの情報層が、順に積層された下部保護層、記録層、上部保護層、反射層及び熱拡散層で構成され、熱拡散層がインジウム、亜鉛、酸素を含むことを特徴とするものである。ここで、主成分とするとは、インジウム、亜鉛及び酸素の総量が熱拡散層材料全体の８０原子％以上を占めること、好ましくは９０原子％以上を占めることを意味する。
〔第１群の発明〕
第１群の本発明の多層相変化型情報記録媒体は、基板上にＮ層（Ｎ：２以上の整数）の情報層を有し、該情報層は光照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化する材料からなる記録層を有し、かつ各情報層の間に中間層を有する記録再生可能な多層相変化型情報記録媒体であって、記録再生光が入射する側からみて最も奥側に形成された情報層以外の少なくとも１つの情報層が、順に積層された下部保護層、記録層、上部保護層、反射層及び熱拡散層で構成され、熱拡散層がインジウム、亜鉛、酸素を含むことを特徴とするものである。ここで、主成分とするとは、インジウム、亜鉛及び酸素の総量が熱拡散層材料全体の８０原子％以上を占めること、好ましくは９０原子％以上を占めることを意味する。
〔第２群の発明〕
第２群の本発明の多層相変化型情報記録媒体は、基板上にＮ層（Ｎ：２以上の整数）の情報層を有し、該情報層は光照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化する材料からなる記録層を有し、かつ各情報層の間に中間層を有する記録再生可能な多層相変化型情報記録媒体であって、記録再生光が入射する側からみて最も奥側に形成された情報層以外の少なくとも１つの情報層が、順に積層された下部保護層、記録層、上部保護層、反射層及び熱拡散層で構成され、熱拡散層がインジウム、亜鉛、酸素及び少なくとも１種のハロゲンを含むことを特徴とするものである。ここで、主成分とするとは、インジウム、亜鉛、酸素及び少なくとも１種のハロゲンの総量が熱拡散層材料全体の８０原子％以上を占めること、好ましくは９０原子％以上を占めることを意味する。
第２群の本発明の多層相変化型情報記録媒体は、基板上にＮ層（Ｎ：２以上の整数）の情報層を有し、該情報層は光照射によって結晶状態と非晶質状態との間で相変化する材料からなる記録層を有し、かつ各情報層の間に中間層を有する記録再生可能な多層相変化型情報記録媒体であって、記録再生光が入射する側からみて最も奥側に形成された情報層以外の少なくとも１つの情報層が、順に積層された下部保護層、記録層、上部保護層、反射層及び熱拡散層で構成され、熱拡散層がインジウム、亜鉛、酸素及び少なくとも１種のハロゲンを含むことを特徴とするものである。ここで、主成分とするとは、インジウム、亜鉛、酸素及び少なくとも１種のハロゲンの総量が熱拡散層材料全体の８０原子％以上を占めること、好ましくは９０原子％以上を占めることを意味する。
両群の発明共に、下部保護層、相変化型材料からなる記録層、上部保護層及び反射層については、従来公知の技術が適用可能であるが、熱拡散層にそれぞれ特定の材料を用いることにより上記課題を解決した点に基本的特徴を有する。
ここで、複数ある情報層のうち、光入射側からみて最も奥側に形成される情報層については、光を透過させる必要はなく、従って反射層を厚くできるので熱拡散層を設ける必要はない。また、もしも最も奥側の記録層に熱拡散層を設ける場合には、熱拡散層を構成する材料は上記のようなインジウム、亜鉛、酸素及び少なくとも１種のハロゲンを必須構成元素とする材料である必要はない。
また、Ａｇ系材料は、例えばＩＳＯＭ２００１ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ Ｐ２０２に記載されているように、青色波長領域でも屈折率ｎが０．５以下と小さく、光吸収を小さく抑えることができるため、多層相変化型情報記録媒体の反射層の好ましい材料として従来から知られている。
以下、本発明の光記録媒体の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、第１群及び第２群の本発明の２層相変化型情報記録媒体の一例を示す概略断面図であり、第１基板（３）の上に、第１情報層（１）、中間層（４）、第２情報層（２）、第２基板（５）を順次蓄積した構造からなるものである。
第１情報層（１）は、第１下部保護層（１１）、第１記録層（１２）、第１上部保護層（１３）、第１反射層（１４）、第１熱拡散層（１５）からなり、第２情報層（２）は、第２下部護層（２１）、第２記録層（２２）、第２上部保護層（２３）、第２反射層（２４）からなる。第１上部保護層（１３）と第１反射層（１４）との間及び／又は第２上部保護層（２３）と第２反射層（２４）との間にバリア層（図示せず）を設けても構わない。なお、本発明の第１情報層（１）及び第２情報層（２）は、上記層構成に限定されるものではない。
図１は、第１群及び第２群の本発明の２層相変化型情報記録媒体の一例を示す概略断面図であり、第１基板（３）の上に、第１情報層（１）、中間層（４）、第２情報層（２）、第２基板（５）を順次蓄積した構造からなるものである。
第１情報層（１）は、第１下部保護層（１１）、第１記録層（１２）、第１上部保護層（１３）、第１反射層（１４）、第１熱拡散層（１５）からなり、第２情報層（２）は、第２下部護層（２１）、第２記録層（２２）、第２上部保護層（２３）、第２反射層（２４）からなる。第１上部保護層（１３）と第１反射層（１４）との間及び／又は第２上部保護層（２３）と第２反射層（２４）との間にバリア層（図示せず）を設けても構わない。なお、本発明の第１情報層（１）及び第２情報層（２）は、上記層構成に限定されるものではない。
また図２は、第１群及び第２群の本発明の２層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図であり、第１基板（３）と第１下部保護層（１１）との間に透明層（６）を設けたものである。このような透明層は、第１基板に厚さの薄いシート状物を用い、製法が図１の記録媒体と相違する場合に設けられる。
第１基板（３）は、記録再生光が充分透過できる材質とする必要があるが、当該技術分野において従来から知られているものを用いればよい。
その材料としては、通常ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
その材料としては、通常ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
第１基板（３）の情報層（１），（２）を形成する面には、必要に応じて、レーザー光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって通常グルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成型される。
また、第１基板（３）の厚さは、１０〜６００μｍ程度が好ましい。
また、第１基板（３）の厚さは、１０〜６００μｍ程度が好ましい。
第２基板（５）の材料としては、第１基板（３）と同じ材料を用いることができるが、記録再生光に対して不透明な材料を用いても良く、第１基板（３）とは、材質、溝形状が異なっても良い。
第２基板（５）の厚さは特に限定されないが、第１基板（３）との合計の厚さが１．２ｍｍになるように第２基板（５）の厚さを選択することが好ましい。
第２基板（５）は、第１基板（３）と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
第２基板（５）の厚さは特に限定されないが、第１基板（３）との合計の厚さが１．２ｍｍになるように第２基板（５）の厚さを選択することが好ましい。
第２基板（５）は、第１基板（３）と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
中間層（４）、透明層（６）は、記録再生光の波長における光吸収が小さい方が好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適な紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
中間層（４）には、第１基板（３）と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
中間層（４）は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層（１）と第２情報層（２）とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと層間クロストークが生じ、また７０μｍより厚いと、第２記録層（２２）を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
透明層（６）の厚さは特に限定されないが、図１のような透明層を設けない製法により作製した光情報記録媒体の最適な第１基板（３）の厚さと、図２のような製法の異なる光情報記録媒体の第１基板（３）と透明層（６）の厚さの合計が同程度となるように、第１基板（３）と透明層（６）の厚さを調整する必要がある。例えば、ＮＡ＝０．８５の場合であって、図１の光情報媒体の第１基板（３）の厚さが１００μｍで良好な記録、消去性能が得られたとすると、図２の光情報媒体の第１基板（３）の厚さが５０μｍならば、透明層（６）の厚さを５０μｍとすることが好ましい。
中間層（４）には、第１基板（３）と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形されるグルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
中間層（４）は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層（１）と第２情報層（２）とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと層間クロストークが生じ、また７０μｍより厚いと、第２記録層（２２）を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
透明層（６）の厚さは特に限定されないが、図１のような透明層を設けない製法により作製した光情報記録媒体の最適な第１基板（３）の厚さと、図２のような製法の異なる光情報記録媒体の第１基板（３）と透明層（６）の厚さの合計が同程度となるように、第１基板（３）と透明層（６）の厚さを調整する必要がある。例えば、ＮＡ＝０．８５の場合であって、図１の光情報媒体の第１基板（３）の厚さが１００μｍで良好な記録、消去性能が得られたとすると、図２の光情報媒体の第１基板（３）の厚さが５０μｍならば、透明層（６）の厚さを５０μｍとすることが好ましい。
第１記録層（１２）と第２記録層（２２）の材料としては、光照射による加熱と冷却によって、結晶と非晶質の間で相変化する材料であれば特に限定はなく、当該技術分野において従来から知られているものが適用される。
例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系などのカルコゲン系合金、及びＳｂ−Ｔｅ共晶系材料を主成分とする薄膜を挙げることができるが、記録（非晶質化）感度・速度、及び消去比の点で、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料が特に好ましい。ここで、主成分とは薄膜材料全体の９０原子％以上を占めることを意味する。
これらの記録層材料には更なる性能向上、信頼性向上などを目的としてＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐなど他の元素や不純物を添加することができる。
例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系などのカルコゲン系合金、及びＳｂ−Ｔｅ共晶系材料を主成分とする薄膜を挙げることができるが、記録（非晶質化）感度・速度、及び消去比の点で、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料が特に好ましい。ここで、主成分とは薄膜材料全体の９０原子％以上を占めることを意味する。
これらの記録層材料には更なる性能向上、信頼性向上などを目的としてＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐなど他の元素や不純物を添加することができる。
これらの記録層（１２），（２２）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できるが、中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１記録層（１２）の厚さは特に限定されないが、３〜１５ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、１５ｎｍを超えると透過率が低下してしまう傾向がある。
第２記録層（２２）の厚さも特に限定されないが、３〜２５ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、２５ｎｍを超えると記録感度が低下してしまう傾向があるので、好ましくない。
第１記録層（１２）の厚さは特に限定されないが、３〜１５ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、１５ｎｍを超えると透過率が低下してしまう傾向がある。
第２記録層（２２）の厚さも特に限定されないが、３〜２５ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、２５ｎｍを超えると記録感度が低下してしまう傾向があるので、好ましくない。
第１反射層（１４）、第２反射層（２４）は、入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化し易くするなどの機能を有するものであり、そのために通常、熱伝導率の高い金属が用いられ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ又はそれらの合金などを用いることができる。また、これらの元素の少なくとも１種を主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｚｎなどから選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料を用いてもよい。ここで主成分とは、反射層材料全体の９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上を占めることを意味する。
中でもＡｇ系材料は、青色波長領域でも屈折率が小さく、ｎが０．５以下で、光吸収を小さく抑えることができるので、本発明のような多層の情報記録媒体の、特に第１情報層の反射層に用いる材料として好ましいものである。
このような反射層（１４），（２４）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
中でもＡｇ系材料は、青色波長領域でも屈折率が小さく、ｎが０．５以下で、光吸収を小さく抑えることができるので、本発明のような多層の情報記録媒体の、特に第１情報層の反射層に用いる材料として好ましいものである。
このような反射層（１４），（２４）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１情報層（１）は高い透過率が必要とされるため、第１反射層（１４）の材料として、屈折率が低く熱伝導率の高いＡｇ又はその合金を用いることが好ましい。また、その厚さは、３〜２０ｎｍ程度であることが好ましい。３ｎｍ未満にすると、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し第２情報層の記録再生が困難になる。
また、第２情報層（２）を構成する第２反射層（２４）の厚さは、５０〜２００ｎｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎｍ未満になると繰り返し記録特性が低下し、２００ｎｍより厚くなると感度の低下を生じる傾向があるので好ましくない。
また、第２情報層（２）を構成する第２反射層（２４）の厚さは、５０〜２００ｎｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎｍ未満になると繰り返し記録特性が低下し、２００ｎｍより厚くなると感度の低下を生じる傾向があるので好ましくない。
第１下部保護層（１１）と第２下部保護層（２１）及び第１上部保護層（１３）と第２上部保護層（２３）の機能と材質は、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様であり、第１記録層（１２）と第２記録層（２２）の劣化変質を防ぎ、接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有する。材料の具体例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンドライクカーボン；或いはそれらの混合物が挙げられる。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層（１１），（１３），（２１），（２３）の融点は記録層（１２），（２２）よりも高いことが必要である。最も好ましいのは、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物である。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層（１１），（１３），（２１），（２３）の融点は記録層（１２），（２２）よりも高いことが必要である。最も好ましいのは、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物である。
このような保護層（１１），（１３），（２１），（２３）は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１下部保護層（１１）と第２下部保護層（２１）の厚さは、３０〜２００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍ未満では、記録時の熱によって、第１基板（３）又は中間層（４）が変形してしまう恐れがあるし、２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じる傾向がある。従って、上記の範囲で、最適な反射率になるように膜厚の設計を行なう。
また、第１上部保護層（１３）と第２上部保護層（２３）の厚さは、３〜４０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満になると記録感度が低下し、４０ｎｍより厚くなると放熱効果が得られなくなる傾向がある。
第１下部保護層（１１）と第２下部保護層（２１）の厚さは、３０〜２００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍ未満では、記録時の熱によって、第１基板（３）又は中間層（４）が変形してしまう恐れがあるし、２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じる傾向がある。従って、上記の範囲で、最適な反射率になるように膜厚の設計を行なう。
また、第１上部保護層（１３）と第２上部保護層（２３）の厚さは、３〜４０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満になると記録感度が低下し、４０ｎｍより厚くなると放熱効果が得られなくなる傾向がある。
本発明の多層相変化型情報記録媒体は、上部保護層（１３），（２３）と反射層（１４），（２４）との間にバリア層を設けても構わない。前述のように、反射層（１４），（２４）としては、Ａｇ合金、保護層としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が最も好ましいが、この２層が隣接した場合、保護層中の硫黄が反射層のＡｇを腐食させる可能性があり、保存信頼性が低下する恐れがある。この不具合をなくすために、反射層にＡｇ系材料を用いた場合にはバリア層を設けることが好ましい。バリア層は、硫黄を含まず、かつ融点が記録層よりも高い必要があり、具体的にはＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；或いはそれらの混合物が挙げられる。中でもＳｉＣが好ましい。また、これらのバリア層は、レーザー波長での吸収率が小さいことが望ましい。
バリア層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
バリア層の厚さは、２〜１０ｎｍであることが好ましい。２ｎｍ未満になると、Ａｇの腐食を防止する効果が得られなくなり保存信頼性が低下する。１０ｎｍより厚くなると、放熱効果が得られなくなったり透過率が低下する傾向がある。
バリア層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
バリア層の厚さは、２〜１０ｎｍであることが好ましい。２ｎｍ未満になると、Ａｇの腐食を防止する効果が得られなくなり保存信頼性が低下する。１０ｎｍより厚くなると、放熱効果が得られなくなったり透過率が低下する傾向がある。
第１群及び第２群の本発明における第１熱拡散層（１５）としては、共に、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層（２）を記録再生できるように、記録再生用レーザー光波長での吸収率が小さいことも望まれる。情報の記録再生用レーザー光波長において、消衰係数が０．５以下であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。０．５より大きいと第１情報層（１）での吸収率が増大し、第２情報層（２）の記録再生が困難になる。
熱拡散層（１５）は、本発明の特徴部である。第１群の本発明においてはインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）を必須構成元素とする材料を用いることによって、熱拡散層（１５）としての上記の機能を発揮して、オーバーライト特性を向上させることができる。具体的には、酸化インジウムおよび酸化亜鉛の混合物であることが好ましい。ＩｎとＺｎの原子比は、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５の範囲であることが好ましい。さらに好ましくは、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．３の範囲である。０．０５より少ないと保存信頼性が低下してしまい、０．５より多いと熱伝導率が低下してオーバーライト特性が劣化する。また、更なる特性の向上、信頼性の向上などを目的として他の元素、化合物を添加することができる。ハロゲン化物、酸化物が好ましいと考えている。
また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数が１．０以下であることが好ましい。さらには、０．５以下であるのが好ましい。１．０より大きいと第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。
熱拡散層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１熱拡散層（１５）の膜厚は、２０〜２００ｎｍが好ましい。２０ｎｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数が１．０以下であることが好ましい。さらには、０．５以下であるのが好ましい。１．０より大きいと第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録再生が困難になる。
熱拡散層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１熱拡散層（１５）の膜厚は、２０〜２００ｎｍが好ましい。２０ｎｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
第２群の本発明においてはインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び少なくとも１種のハロゲンを必須構成元素とする材料を用いることによって、熱拡散層（１５）としての上記の機能を発揮して、オーバーライト特性を向上させることができ、とりわけ短波長領域での充分な光透過率を確保することができる。
熱拡散層（１５）におけるＩｎとＺｎの原子比、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、０．５５〜０．９の範囲にあること、即ち、０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９を満足する範囲にあることが好ましい。より好ましくは０．６〜０．９であり、特に好ましくは０．７〜０．９である。０．５５より少ないと熱伝導率の低下によってオーバーライト特性が低下してしまい、０．９より多いと耐熱性が低下することによりオーバーライト特性が劣化する。また、ＺｎとＩｎの原子比は、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５の範囲であることが好ましい。さらに好ましくは、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．３の範囲である。０．０５より少ないと保存信頼性が低下してしまい、０．５より多いと熱伝導率が低下してオーバーライト特性が劣化する。
熱拡散層（１５）におけるＩｎとＺｎの原子比、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、０．５５〜０．９の範囲にあること、即ち、０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９を満足する範囲にあることが好ましい。より好ましくは０．６〜０．９であり、特に好ましくは０．７〜０．９である。０．５５より少ないと熱伝導率の低下によってオーバーライト特性が低下してしまい、０．９より多いと耐熱性が低下することによりオーバーライト特性が劣化する。また、ＺｎとＩｎの原子比は、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５の範囲であることが好ましい。さらに好ましくは、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．３の範囲である。０．０５より少ないと保存信頼性が低下してしまい、０．５より多いと熱伝導率が低下してオーバーライト特性が劣化する。
また第２群の本発明においては、熱拡散層（１５）は、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｏ及び少なくとも１種のハロゲンの他に、価数が正３価以上である少なくとも１種の第３金属元素を構成元素として含有してもよい。この第３金属元素の具体例としては、スズ（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ランタン（Ｌａ）、ルテニウム（Ｒｕ）が挙げられる。これらの第３金属元素の中でも、熱伝導性が向上するという観点から、スズ（Ｓｎ）が特に好ましい。
上記第３金属元素の総量の金属元素全体に対する原子比は０．２以下、即ち、（全第３金属元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．２、を満足することが好ましく、０．１以下とすることがより好ましい。原子比が０．２を超えると、熱伝導性が低くなる。
上記第３金属元素の総量の金属元素全体に対する原子比は０．２以下、即ち、（全第３金属元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．２、を満足することが好ましく、０．１以下とすることがより好ましい。原子比が０．２を超えると、熱伝導性が低くなる。
一方、第２群の本発明の熱拡散層における必須構成元素であるハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比は０．０１〜０．３であること、即ち、０．０１≦（全ハロゲン）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．３、を満足することが好ましい。０．０１未満ではハロゲンを添加したことによる熱伝導性や短波長領域での光透過性の向上が実質的に認められず、０．３を超えると熱伝導率が低下する。上記原子比は０．２以下であることがより好ましい。また、０．１以上になると熱伝導率が低下する傾向にあるので、そのような場合には熱拡散層の膜厚を８０ｎｍ以上とすることが好ましい。なお、上記原子比を求めるに当って、当該熱拡散層が第３金属元素を構成元素としていない場合には、上記の式において全第３金属元素の値を０として算出する。
上記のハロゲンの具体例としてはフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、沃素（Ｉ）が挙げられるが、他のハロゲンを構成元素とした場合よりもより熱伝導率の高い熱拡散層が得られるという観点から、特にフッ素が好ましい。
上記のハロゲンの具体例としてはフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、沃素（Ｉ）が挙げられるが、他のハロゲンを構成元素とした場合よりもより熱伝導率の高い熱拡散層が得られるという観点から、特にフッ素が好ましい。
第１群及び第２群の本発明における熱拡散層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
熱拡散層の膜厚は、第１群の本発明においては２０〜２００ｎｍ、第２群の本発明においては１０〜２００ｎｍが好ましい。これら最小膜厚より薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
なお、第１群及び第２群の両本発明において、熱拡散層を第１下部保護層と第１基板との間にも設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。
また、第１群及び第２群の本発明において、第１情報層は、記録再生用レーザー光波長３５０〜７００ｎｍでの光透過率が４０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは、４０〜６０％である。
初期化後に記録を行なった２層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファス状態での光透過率は結晶状態での光透過率より小さくても構わない。また、第１群の本発明の場合、第１情報層側から入射させる光ビームとして、特に、波長３５０〜４５０ｎｍのレーザー光を好ましく用いることができる。
熱拡散層の膜厚は、第１群の本発明においては２０〜２００ｎｍ、第２群の本発明においては１０〜２００ｎｍが好ましい。これら最小膜厚より薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
なお、第１群及び第２群の両本発明において、熱拡散層を第１下部保護層と第１基板との間にも設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。
また、第１群及び第２群の本発明において、第１情報層は、記録再生用レーザー光波長３５０〜７００ｎｍでの光透過率が４０〜７０％であることが好ましく、より好ましくは、４０〜６０％である。
初期化後に記録を行なった２層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファス状態での光透過率は結晶状態での光透過率より小さくても構わない。また、第１群の本発明の場合、第１情報層側から入射させる光ビームとして、特に、波長３５０〜４５０ｎｍのレーザー光を好ましく用いることができる。
次に、本発明の多層相変化型情報記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図３に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、第１基板、第２基板にグルーブが形成されている。
成膜工程としては、第１基板のグルーブが設けられた面に第１情報層を形成したものと、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層を形成したものを別途作成する。
第１情報層（１）、第２情報層（２）のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図３に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、第１基板、第２基板にグルーブが形成されている。
成膜工程としては、第１基板のグルーブが設けられた面に第１情報層を形成したものと、第２基板のグルーブが設けられた面に第２情報層を形成したものを別途作成する。
第１情報層（１）、第２情報層（２）のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
初期化工程としては、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層（１）及び第２情報層（２）の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させオーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板（３）側から、第１情報層（１）、第２情報層（２）を初期化しても構わない。
次に、以上のようにして初期化した、第１基板（３）面上に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）面上に第２情報層（２）を形成したものとを、第１情報層（１）と第２情報層（２）を向かい合わせながら、中間層（４）を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層（１）及び第２情報層（２）の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させオーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板（３）側から、第１情報層（１）、第２情報層（２）を初期化しても構わない。
次に、以上のようにして初期化した、第１基板（３）面上に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）面上に第２情報層（２）を形成したものとを、第１情報層（１）と第２情報層（２）を向かい合わせながら、中間層（４）を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。
また、図２に示すような本発明に係る２層相変化型情報記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程及び初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行なう。図４に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、中間層（４）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
第一成膜工程としては、第２基板（５）上の案内溝の設けられた面に第２情報層（２）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
中間層形成工程としては、第２情報層（２）上に案内溝を有する中間層（４）を形成する。例えば、第２情報層（２）上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。
第二成膜工程としては、中間層（４）上に第１情報層（１）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
第一成膜工程としては、第２基板（５）上の案内溝の設けられた面に第２情報層（２）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
中間層形成工程としては、第２情報層（２）上に案内溝を有する中間層（４）を形成する。例えば、第２情報層（２）上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。
第二成膜工程としては、中間層（４）上に第１情報層（１）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
基板貼り合わせ工程としては、第１情報層（１）と第１基板（３）を、透明層（４）を介して貼り合わせる。例えば、第１情報層（１）上又は第１基板（３）上に、透明層（４）の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層（１）と第１基板（３）とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させる。また、透明層（４）を形成せずに、第１基板の材料である樹脂を第１情報層（１）上に塗布し、硬化させることによって、第１基板（３）を形成してもよい。
初期化工程として、第１基板側から、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。第２情報層（２）に対しては、中間層形成工程直後に初期化を行なっても何ら問題はない。
初期化工程として、第１基板側から、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。第２情報層（２）に対しては、中間層形成工程直後に初期化を行なっても何ら問題はない。
更に、図５に示されるような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、次のような工程順で行なわれる。
第一成膜工程（第１基板に第１情報層、第２基板に第３情報層を成膜）→中間層形成工程（第２基板の第３情報層の上に第２中間層を形成する）→第二成膜工程（第２基板の第２中間層の上に第２情報層を成膜）→密着工程（第１基板と第２基板を第１情報層と第２情報層を向かい合わせながら、第１中間層を介して貼り合わせる）→初期化工程
なお初期化工程は、各情報層を成膜した直後でもよい。
次に、図６に示されるような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、次のような工程順で行なわれる。
第一成膜工程（第３情報層を成膜）→第一中間層形成工程（第２中間層を形成）→第二成膜工程（第２情報層を成膜）→第二中間層形成工程（第１中間層を形成）→第三成膜工程（第１情報層を成膜）→第１基板貼り合わせ工程（透明層を介して貼り合わせる）→初期化工程
なお、初期化工程については、第３情報層は第一成膜工程後又は第一中間層形成直後、第２情報層は第二成膜工程後又は第二中間層形成直後、第１情報層は第三成膜工程後でもよい。
第一成膜工程（第１基板に第１情報層、第２基板に第３情報層を成膜）→中間層形成工程（第２基板の第３情報層の上に第２中間層を形成する）→第二成膜工程（第２基板の第２中間層の上に第２情報層を成膜）→密着工程（第１基板と第２基板を第１情報層と第２情報層を向かい合わせながら、第１中間層を介して貼り合わせる）→初期化工程
なお初期化工程は、各情報層を成膜した直後でもよい。
次に、図６に示されるような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、次のような工程順で行なわれる。
第一成膜工程（第３情報層を成膜）→第一中間層形成工程（第２中間層を形成）→第二成膜工程（第２情報層を成膜）→第二中間層形成工程（第１中間層を形成）→第三成膜工程（第１情報層を成膜）→第１基板貼り合わせ工程（透明層を介して貼り合わせる）→初期化工程
なお、初期化工程については、第３情報層は第一成膜工程後又は第一中間層形成直後、第２情報層は第二成膜工程後又は第二中間層形成直後、第１情報層は第三成膜工程後でもよい。
以下、本発明の相変化型情報記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法のひとつは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図３に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、第１基板（３）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法のひとつは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図３に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、第１基板（３）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
成膜工程としては、第１基板（３）のグルーブが設けられた面に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）のグルーブが設けられた面に第２情報層（２）を形成したものを別途作成する。
第１情報層（１）、第２情報層（２）のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。
中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
第１情報層（１）、第２情報層（２）のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。
中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
初期化工程として、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、すなわち記録層を結晶化させる。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまうおそれがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層および第２情報層の上に、ＵＶ樹脂などをスピンコートし紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまうおそれがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層および第２情報層の上に、ＵＶ樹脂などをスピンコートし紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。
また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板側から、第１情報層、第２情報層を初期化させても構わない。
次に、以上のようにして初期化された、第１基板（３）の面上に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）の面上に第２情報層（２）を形成したものとを、第１情報層（１）と第２情報層（２）とを向かい合わせながら、中間層（４）を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
また、図２に示すような本発明に係る２層相変化型情報記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程および初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行なう。図４に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、中間層（４）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
第一成膜工程として、第２基板（５）上の案内溝の設けられた面に第２情報層（２）を成膜する。成膜方法は、前述のとおりである。
中間層形成工程として、第２情報層（２）上に案内溝を有する中間層（４）を形成する。例えば、第２情報層（２）上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料でつくられたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させて、溝を形成することができる。
中間層形成工程として、第２情報層（２）上に案内溝を有する中間層（４）を形成する。例えば、第２情報層（２）上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料でつくられたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させて、溝を形成することができる。
第二成膜工程として、中間層（４）上に第１情報層（１）を成膜する。成膜方法は、前述のとおりである。
基板貼り合わせ工程として、第１情報層（１）と第１基板（３）を、透明層（６）を介して貼り合わせる。例えば、第１情報層（１）上、または第１基板（３）上に、透明層（６）の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層（１）と第１基板（３）とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させて形成することができる。また、透明層（６）を形成せずに、第１基板（３）の材料である樹脂を第１情報層（１）上に塗布し、硬化させることによって、第１基板（３）を形成してもよい。
基板貼り合わせ工程として、第１情報層（１）と第１基板（３）を、透明層（６）を介して貼り合わせる。例えば、第１情報層（１）上、または第１基板（３）上に、透明層（６）の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層（１）と第１基板（３）とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させて形成することができる。また、透明層（６）を形成せずに、第１基板（３）の材料である樹脂を第１情報層（１）上に塗布し、硬化させることによって、第１基板（３）を形成してもよい。
初期化工程として、第１基板（３）側から、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、すなわち記録層を結晶化させる。第２情報層（２）に対しては、中間層（４）形成工程直後に初期化を行なってもなんら問題はない。
さらに、図５に示されるような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、つぎのような工程順で行なわれる。
第一成膜工程（第１基板に第１情報層、第２基板に第３情報層を成膜）→中間層形成工程（第２基板の第３情報層の上に第２中間層を形成する）→第二成膜工程（第２基板の第２中間層の上に第２情報層を成膜）→密着工程（第１基板と第２基板を第１情報層と第２情報層を向かい合わせながら、第１中間層を介して貼り合わせる）→初期化工程。
なお、初期化工程は、各情報層を成膜した直後でもよい。
第一成膜工程（第１基板に第１情報層、第２基板に第３情報層を成膜）→中間層形成工程（第２基板の第３情報層の上に第２中間層を形成する）→第二成膜工程（第２基板の第２中間層の上に第２情報層を成膜）→密着工程（第１基板と第２基板を第１情報層と第２情報層を向かい合わせながら、第１中間層を介して貼り合わせる）→初期化工程。
なお、初期化工程は、各情報層を成膜した直後でもよい。
次に、図６に示されるような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、つぎのような工程順で行なわれる。
第一成膜工程（第３情報層を成膜）→第一中間層形成工程（第２中間層を形成）→第二成膜工程（第２情報層を成膜）→第二中間層形成工程（第１中間層を形成）→第三成膜工程（第１情報層を成膜）→第１基板貼り合わせ工程（透明層を介して貼り合わせる）→初期化工程。
なお、初期化工程は、第３情報層は第一成膜工程後または第二中間層形成直後、第２情報層は第二成膜工程後または第一中間層形成直後、第１情報層は第三成膜工程後でもよい。
第一成膜工程（第３情報層を成膜）→第一中間層形成工程（第２中間層を形成）→第二成膜工程（第２情報層を成膜）→第二中間層形成工程（第１中間層を形成）→第三成膜工程（第１情報層を成膜）→第１基板貼り合わせ工程（透明層を介して貼り合わせる）→初期化工程。
なお、初期化工程は、第３情報層は第一成膜工程後または第二中間層形成直後、第２情報層は第二成膜工程後または第一中間層形成直後、第１情報層は第三成膜工程後でもよい。
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
〔第１群の発明〕
［実施例１］
予備実験として、ガラス基板上に熱拡散層に用いられるインジウム、亜鉛および酸素を主成分とするターゲット（Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１）を、Ｂａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてスパッタし、２００ｎｍ程度の膜を設けた。その際、ＡｒとＯ２の混合ガスをスパッタガスとして、Ａｒガス流量を一定にしたままＯ２ガス流量を変えながらスパッタを行ない、薄膜の電気抵抗率が最も低くなるＯ２ガス流量を求めた。電気抵抗率の測定は四端子法を用いた。
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１下部保護層１２０ｎｍ、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層６ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１上部保護層１５ｎｍ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌからなる第１反射層１０ｎｍ、表１に示す第１熱拡散層１２０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。本発明の熱拡散層に関しては、予備実験で求めた流量のＡｒとＯ２の混合ガス（Ａｒ：１０ｓｃｃｍ、Ｏ２：０．２ｓｃｃｍ）を用いた。また、同様の基板を第２基板として、第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を１２０ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２上部保護層２０ｎｍ、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２下部保護層１３０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。ここで、第１情報層の波長４０５ｎｍでの光透過率を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行なった。ここでまた、第１情報層の波長４０５ｎｍでの透過率を測定した。次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは３５μｍとした。なお、サンプル１−１は実施例、サンプル１−２〜１−４は比較例である。
〔第１群の発明〕
［実施例１］
予備実験として、ガラス基板上に熱拡散層に用いられるインジウム、亜鉛および酸素を主成分とするターゲット（Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１）を、Ｂａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてスパッタし、２００ｎｍ程度の膜を設けた。その際、ＡｒとＯ２の混合ガスをスパッタガスとして、Ａｒガス流量を一定にしたままＯ２ガス流量を変えながらスパッタを行ない、薄膜の電気抵抗率が最も低くなるＯ２ガス流量を求めた。電気抵抗率の測定は四端子法を用いた。
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上にＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１下部保護層１２０ｎｍ、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層６ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１上部保護層１５ｎｍ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌからなる第１反射層１０ｎｍ、表１に示す第１熱拡散層１２０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。本発明の熱拡散層に関しては、予備実験で求めた流量のＡｒとＯ２の混合ガス（Ａｒ：１０ｓｃｃｍ、Ｏ２：０．２ｓｃｃｍ）を用いた。また、同様の基板を第２基板として、第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を１２０ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２上部保護層２０ｎｍ、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２下部保護層１３０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。ここで、第１情報層の波長４０５ｎｍでの光透過率を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行なった。ここでまた、第１情報層の波長４０５ｎｍでの透過率を測定した。次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは３５μｍとした。なお、サンプル１−１は実施例、サンプル１−２〜１−４は比較例である。
作成された各ディスクについて下記条件で記録した。
レーザー波長：４０５ｎｍ
ＮＡ＝０．６５
線速：６．０ｍ／ｓ
トラックピッチ：０．４３μｍ
線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。
各サンプルの測定結果を表１に示す。本発明に係る２層相変化型情報記録媒体であるサンプル１−１は、熱拡散層はインジウム、亜鉛および酸素が主成分であり（Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１）、光透過率は４０％を越え、１回記録後のジッター値は第１情報層、第２情報層ともに９％以下となり、光ディスクとして優れていることがわかった。サンプル１−２は、熱拡散層に窒化アルミニウムを用いているが、１２０ｎｍの厚さで成膜したところ、目に見えるクラックが多発してしまい、記録再生を行なうことができなかった。サンプル１−３、１−４は、熱拡散層にそれぞれ炭化珪素、酸化チタンを用いたが、第１情報層の光透過率が４０％以下となり、第２情報層の感度が悪く、ジッター値も大きく、１０００回書き換えすることはできなかった。以上の結果から、第１情報層の熱拡散層はインジウム、亜鉛および酸素を主成分とした材料を用いることが好ましい。
レーザー波長：４０５ｎｍ
ＮＡ＝０．６５
線速：６．０ｍ／ｓ
トラックピッチ：０．４３μｍ
線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。
各サンプルの測定結果を表１に示す。本発明に係る２層相変化型情報記録媒体であるサンプル１−１は、熱拡散層はインジウム、亜鉛および酸素が主成分であり（Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１）、光透過率は４０％を越え、１回記録後のジッター値は第１情報層、第２情報層ともに９％以下となり、光ディスクとして優れていることがわかった。サンプル１−２は、熱拡散層に窒化アルミニウムを用いているが、１２０ｎｍの厚さで成膜したところ、目に見えるクラックが多発してしまい、記録再生を行なうことができなかった。サンプル１−３、１−４は、熱拡散層にそれぞれ炭化珪素、酸化チタンを用いたが、第１情報層の光透過率が４０％以下となり、第２情報層の感度が悪く、ジッター値も大きく、１０００回書き換えすることはできなかった。以上の結果から、第１情報層の熱拡散層はインジウム、亜鉛および酸素を主成分とした材料を用いることが好ましい。
［実施例２］
実施例２に用いた熱拡散層のターゲットは、インジウム、亜鉛および酸素が主成分で、Ｚｎの原子比は表２に示すとおりである。このターゲットを熱拡散層に用いた以外は、実施例１と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作成された各サンプルについて実施例１と同条件で記録し、第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。
Ｚｎを０．０５〜０．５の範囲の原子比で添加することによって、１０００回書き換え後のジッターが低下し、オーバーライト特性が向上することがわかった。比較例であるサンプル２−１は、Ｚｎが添加されておらず、オーバーライト特性は良好であるが、８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定したところ、９％以上となり、保存信頼性が低下したことがわかった。反対に、サンプル２−５、２−６はＺｎの添加量がそれぞれ０．８、１．０であり、第１情報層のオーバーライト特性が低下した。しかし比較例であるサンプル１−２〜１−４と比べると透過率は大きく、１０００回繰り返し記録後のジッター値も大きいながらも測定可能であったため、熱拡散層にインジウム、亜鉛および酸素を主成分とする材料を用いたことによる本発明の効果は得られていると考えられる。以上の結果から、Ｚｎの割合は０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５であることが好ましいことが分かる。
また、その他の試作実験からも、第１情報層の記録層膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層が３〜２０ｎｍ、熱拡散層が２０〜２００ｎｍの範囲であると、第１情報層、第２情報層ともに良好な記録再生ができ、また、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
実施例２に用いた熱拡散層のターゲットは、インジウム、亜鉛および酸素が主成分で、Ｚｎの原子比は表２に示すとおりである。このターゲットを熱拡散層に用いた以外は、実施例１と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作成された各サンプルについて実施例１と同条件で記録し、第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。
Ｚｎを０．０５〜０．５の範囲の原子比で添加することによって、１０００回書き換え後のジッターが低下し、オーバーライト特性が向上することがわかった。比較例であるサンプル２−１は、Ｚｎが添加されておらず、オーバーライト特性は良好であるが、８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定したところ、９％以上となり、保存信頼性が低下したことがわかった。反対に、サンプル２−５、２−６はＺｎの添加量がそれぞれ０．８、１．０であり、第１情報層のオーバーライト特性が低下した。しかし比較例であるサンプル１−２〜１−４と比べると透過率は大きく、１０００回繰り返し記録後のジッター値も大きいながらも測定可能であったため、熱拡散層にインジウム、亜鉛および酸素を主成分とする材料を用いたことによる本発明の効果は得られていると考えられる。以上の結果から、Ｚｎの割合は０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５であることが好ましいことが分かる。
また、その他の試作実験からも、第１情報層の記録層膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層が３〜２０ｎｍ、熱拡散層が２０〜２００ｎｍの範囲であると、第１情報層、第２情報層ともに良好な記録再生ができ、また、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
［実施例３］
実施例３として、第１反射層にＡｇを用い、第１上部保護層と第１反射層との間にバリア層として膜厚３ｎｍのＳｉＣを設けた以外は実施例１のサンプル１−１と同様にして、実施例であるサンプル３−１の２層相変化型情報記録媒体を作製した。
また、バリア層を設けない点以外は、サンプル３−１と同様にして、サンプル３−２を作製した。
作成された各サンプルについて実施例１と同条件で記録し、第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。さらに保存信頼性を調べるために、初期記録した各メディアを８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定した。結果は表３に示すとおりであり、第１反射層にＡｇを用いた場合、バリア層を設けたサンプルは、保存後のジッターも良好で、光ディスクとして優れていることがわかった。
実施例３として、第１反射層にＡｇを用い、第１上部保護層と第１反射層との間にバリア層として膜厚３ｎｍのＳｉＣを設けた以外は実施例１のサンプル１−１と同様にして、実施例であるサンプル３−１の２層相変化型情報記録媒体を作製した。
また、バリア層を設けない点以外は、サンプル３−１と同様にして、サンプル３−２を作製した。
作成された各サンプルについて実施例１と同条件で記録し、第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。さらに保存信頼性を調べるために、初期記録した各メディアを８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定した。結果は表３に示すとおりであり、第１反射層にＡｇを用いた場合、バリア層を設けたサンプルは、保存後のジッターも良好で、光ディスクとして優れていることがわかった。
［実施例４］
実施例４として、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を１２０ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２上部保護層２０ｎｍ、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２下部保護膜１３０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第２情報層を形成した。このようにして形成した第２情報層上に、樹脂を塗布し、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ中間層を形成した。中間層の厚さは３０μｍである。さらにその上にサンプル１−１と同様のターゲットを用いて第１熱拡散層１２０ｎｍを設け、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕからなる第１反射層１０ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１上部保護層１５ｎｍ、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層６ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１下部保護層１２０ｎｍ、の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。熱拡散層に関しては、ＡｒとＯ２の混合ガスをスパッタガスとし、電気伝導率、透過率が大きくなるＡｒガスとＯ２ガスの比（Ａｒ：１０ｓｃｃｍ、Ｏ２：０．２ｓｃｃｍ）で成膜を行なった。さらに第１情報層膜面上に直径１２ｃｍ、厚さ５０μｍのポリカーボネートフィルムからなる第１基板を、４５μｍの厚さの両面粘着シートからなる透明層を介して貼り合わせて、２層相変化型情報記録媒体を作成した。また、これとは別に、透過率測定用として、厚さ１．１ｍｍの基板に第１情報層と透明層、第１基板を同様に設け、第１基板側からの光透過率を測定した。
本実施例の第１情報層の初期化前の波長４０５ｎｍでの透過率は４４％、初期化後の透過率は５０％であった。
実施例４として、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を１２０ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２上部保護層２０ｎｍ、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第２下部保護膜１３０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第２情報層を形成した。このようにして形成した第２情報層上に、樹脂を塗布し、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ中間層を形成した。中間層の厚さは３０μｍである。さらにその上にサンプル１−１と同様のターゲットを用いて第１熱拡散層１２０ｎｍを設け、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕからなる第１反射層１０ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１上部保護層１５ｎｍ、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層６ｎｍ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２からなる第１下部保護層１２０ｎｍ、の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。熱拡散層に関しては、ＡｒとＯ２の混合ガスをスパッタガスとし、電気伝導率、透過率が大きくなるＡｒガスとＯ２ガスの比（Ａｒ：１０ｓｃｃｍ、Ｏ２：０．２ｓｃｃｍ）で成膜を行なった。さらに第１情報層膜面上に直径１２ｃｍ、厚さ５０μｍのポリカーボネートフィルムからなる第１基板を、４５μｍの厚さの両面粘着シートからなる透明層を介して貼り合わせて、２層相変化型情報記録媒体を作成した。また、これとは別に、透過率測定用として、厚さ１．１ｍｍの基板に第１情報層と透明層、第１基板を同様に設け、第１基板側からの光透過率を測定した。
本実施例の第１情報層の初期化前の波長４０５ｎｍでの透過率は４４％、初期化後の透過率は５０％であった。
作成されたメディアについて下記条件で記録した。
レーザー波長：４０５ｎｍ
ＮＡ＝０．８５
線速：６．５ｍ／ｓ
トラックピッチ：０．３２μｍ
線密度０．１６μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層ともに良好に記録再生を行なうことができた。
また、その他の試作実験からも、ＮＡ＝０．８５ピックアップで記録再生を行なう場合でも、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
以上のことから、第１群の本発明の光ディスクは、記録再生を行なう対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、第１基板の厚さを１０μｍ〜６００μｍの範囲で調整することによって、良好に記録再生を行なうことが出来る。
レーザー波長：４０５ｎｍ
ＮＡ＝０．８５
線速：６．５ｍ／ｓ
トラックピッチ：０．３２μｍ
線密度０．１６μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層ともに良好に記録再生を行なうことができた。
また、その他の試作実験からも、ＮＡ＝０．８５ピックアップで記録再生を行なう場合でも、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
以上のことから、第１群の本発明の光ディスクは、記録再生を行なう対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、第１基板の厚さを１０μｍ〜６００μｍの範囲で調整することによって、良好に記録再生を行なうことが出来る。
〔第２群の発明〕
［実施例５］
予備実験として、ポリカーボネート基板上に、熱拡散層に用いられるＺｎＦ２、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３を燒結させたターゲットを、Ｂａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてスパッタし、２００ｎｍ程度の膜を設けた。成膜ガスとしてはＡｒガスを用いた。
この薄膜におけるＩｎとＺｎの原子比、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）、及びハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比、（全ハロゲン）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）を求めた（但し、本実施例では全第３金属元素＝０である）。方法としては、薄膜の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）により求め、その結果から上記の式を用いて算出した。
その結果を表４に示す。
予備実験とは別に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１下部保護層（厚さ１２０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（厚さ６ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１上部保護層（厚さ１５ｎｍ）、Ａｇ９６−Ｚｎ３−Ａｌ１からなる第１反射層（厚さ１０ｎｍ）、第１熱拡散層（厚さ１２０ｎｍ）の順にＢａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。第１熱拡散層は予備実験で使用したターゲットを用いた。
次に、第１基板と同じ構成の第２基板上にＡｌ９８−Ｔｉ２からなる第２反射層（厚さ１２０ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２上部保護層（厚さ２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２下部保護層（厚さ１３０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。ここで、第１情報層の波長４０７ｎｍでの光透過率を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行った。ここでまた、第１情報層の波長４０７ｎｍでの透過率を測定した。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側と貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは３５μｍとした。
［実施例５］
予備実験として、ポリカーボネート基板上に、熱拡散層に用いられるＺｎＦ２、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３を燒結させたターゲットを、Ｂａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてスパッタし、２００ｎｍ程度の膜を設けた。成膜ガスとしてはＡｒガスを用いた。
この薄膜におけるＩｎとＺｎの原子比、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）、及びハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比、（全ハロゲン）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）を求めた（但し、本実施例では全第３金属元素＝０である）。方法としては、薄膜の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）により求め、その結果から上記の式を用いて算出した。
その結果を表４に示す。
予備実験とは別に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１下部保護層（厚さ１２０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（厚さ６ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１上部保護層（厚さ１５ｎｍ）、Ａｇ９６−Ｚｎ３−Ａｌ１からなる第１反射層（厚さ１０ｎｍ）、第１熱拡散層（厚さ１２０ｎｍ）の順にＢａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。第１熱拡散層は予備実験で使用したターゲットを用いた。
次に、第１基板と同じ構成の第２基板上にＡｌ９８−Ｔｉ２からなる第２反射層（厚さ１２０ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２上部保護層（厚さ２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２下部保護層（厚さ１３０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。ここで、第１情報層の波長４０７ｎｍでの光透過率を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行った。ここでまた、第１情報層の波長４０７ｎｍでの透過率を測定した。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側と貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは３５μｍとした。
［実施例６］
熱拡散層として、ＺｎＯとＩｎ２Ｏ３を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．２（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、及びハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比（ハロゲンの原子比）を表４に示す。
熱拡散層として、ＺｎＯとＩｎ２Ｏ３を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．２（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、及びハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比（ハロゲンの原子比）を表４に示す。
［実施例７］
熱拡散層として、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．４（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、第３金属元素の総量の金属元素全体に対する原子比（第３金属元素の原子比）、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
熱拡散層として、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．４（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、第３金属元素の総量の金属元素全体に対する原子比（第３金属元素の原子比）、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
［実施例８］
熱拡散層として、実施例５とは異なる組成比のＺｎＦ２、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３を焼結させたターゲットを用いた点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
熱拡散層として、実施例５とは異なる組成比のＺｎＦ２、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３を焼結させたターゲットを用いた点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
［実施例９］
熱拡散層として、実施例７とは異なる組成比のＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．３（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例７と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、第３金属元素の原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
熱拡散層として、実施例７とは異なる組成比のＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２を焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．３（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例７と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、第３金属元素の原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
実施例１０
熱拡散層として、実施例５とは異なる組成比のＺｎＦ２、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３を焼結させたターゲットを用いた点以外は、実施例１と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
熱拡散層として、実施例５とは異なる組成比のＺｎＦ２、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３を焼結させたターゲットを用いた点以外は、実施例１と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
実施例１１
熱拡散層として、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＧｅを焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．５（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例７と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、第３金属元素の原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
熱拡散層として、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＧｅを焼結させたターゲットを用い、Ａｒガスとフッ素ガスと酸素ガスの混合ガス〔Ａｒ：Ｏ２：Ｆ２＝１０：０．２：０．５（体積比）〕を成膜ガスとした点以外は、実施例７と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比、第３金属元素の原子比、及びハロゲンの原子比を表４に示す。
比較例１
熱拡散層として、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３とを焼結させたターゲットを用いた点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比を表４に示す。
熱拡散層として、ＺｎＯ及びＩｎ２Ｏ３とを焼結させたターゲットを用いた点以外は、実施例５と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。実施例５の予備実験と同様にして算出したＩｎとＺｎの原子比を表４に示す。
上記のようにして作成した各記録媒体に対し、下記の条件で記録を行なった。
・レーザー波長：４０７ｎｍ
・ＮＡ＝０．６５
・線速：６．０ｍ／ｓ
・トラックピッチ０．４３μｍ
線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、及び、１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。また、第２情報層のジッター値が９％以下となる記録パワー（Ｐｗ）も測定した。各記録媒体の測定結果を表４に示す。
・レーザー波長：４０７ｎｍ
・ＮＡ＝０．６５
・線速：６．０ｍ／ｓ
・トラックピッチ０．４３μｍ
線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、及び、１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。また、第２情報層のジッター値が９％以下となる記録パワー（Ｐｗ）も測定した。各記録媒体の測定結果を表４に示す。
実施例５〜１１の記録媒体の第１情報層の結晶状態の光透過率は５２％以上で、１回記録後のジッター値は第１情報層、第２情報層ともに９％以下となり、光記録媒体として優れていることが分った。これに対し、比較例１の記録媒体は、光透過率は５０％であるが、第２情報層の記録パワーが１５ｍＷ以上必要となり、実施例５〜１１よりも劣っていることが分った。実施例１０、１１と実施例５を比較した結果、及び、他の試作実験から、０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９、（全第３金属元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．２、０．０１≦（全ハロゲン）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．３の範囲であると、第１情報層、第２情報層共に良好に記録再生ができ、また、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
実施例１２
第１反射層にＡｇを用い、第１上部保護層と第１反射層との間にバリア層として膜厚３ｎｍのＳｉＣを設けた点以外は、実施例５と同様にしてサンプルＮｏ．８−１の２層相変化型情報記録媒体を作製した。
また、バリア層を設けない点以外は、Ｎｏ．８−１と同様にしてサンプルＮｏ．８−２の２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作成された各サンプルについて実施例５と同条件で記録を行い、第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。更に保存信頼性を調べるために、初期記録した各サンプルを８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定した。結果は表５に示す通りであり、バリア層を設けたサンプルＮｏ．８−１の保存後のジッター上昇は０．５％ほどであり、光記録媒体としてより好ましい構成であることが分った。
第１反射層にＡｇを用い、第１上部保護層と第１反射層との間にバリア層として膜厚３ｎｍのＳｉＣを設けた点以外は、実施例５と同様にしてサンプルＮｏ．８−１の２層相変化型情報記録媒体を作製した。
また、バリア層を設けない点以外は、Ｎｏ．８−１と同様にしてサンプルＮｏ．８−２の２層相変化型情報記録媒体を作製した。
作成された各サンプルについて実施例５と同条件で記録を行い、第１情報層、第２情報層のジッターを測定した。更に保存信頼性を調べるために、初期記録した各サンプルを８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定した。結果は表５に示す通りであり、バリア層を設けたサンプルＮｏ．８−１の保存後のジッター上昇は０．５％ほどであり、光記録媒体としてより好ましい構成であることが分った。
［実施例１３］
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上に、Ａｌ９８−Ｔｉ２からなる第２反射層（厚さ１２０ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２上部保護層（厚さ２０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２下部保護層（厚さ１３０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第２情報層を形成した。
この第２情報層上に樹脂を塗布し、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ、光重合）法によって、連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つ中間層を形成した。中間層の厚さは３０μｍである。
更にその上に、実施例５と同様のターゲットを用いて第１熱拡散層（厚さ１２０ｎｍ）を設け、Ａｇ９８−Ｐｄ１−Ｃｕ１からなる第１反射層（厚さ１０ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１上部保護層（厚さ１０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（厚さ６ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１下部保護層（厚さ１２０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。
更に第１情報層膜面上に、直径１２ｃｍ、厚さ４０μｍのポリカーボネートフィルムからなる第１基板を、４５μｍの厚さの両面粘着シートからなる透明層を介して貼り合わせて、２層相変化型情報記録媒体を作成した。
また、これとは別に、透過率測定用として、厚さ１．１ｍｍの基板に第１情報層と透明層、第１基板を同様に設け、第１基板側からの光透過率を測定した。
本実施例の第１情報層は、初期化前の波長４０５ｎｍでの透過率が４８％、初期化後の透過率が５５％であった。
上記のようにして作成した記録媒体に対し、下記の条件で記録を行なった。
・レーザー波長：４０５ｎｍ
・ＮＡ＝０．８５
・線速：５．７ｍ／ｓ
・トラックピッチ０．３２μｍ
線密度０．１３μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、及び、１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層共に良好に記録再生を行なうことができた。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上に、Ａｌ９８−Ｔｉ２からなる第２反射層（厚さ１２０ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２上部保護層（厚さ２０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２下部保護層（厚さ１３０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第２情報層を形成した。
この第２情報層上に樹脂を塗布し、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ、光重合）法によって、連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つ中間層を形成した。中間層の厚さは３０μｍである。
更にその上に、実施例５と同様のターゲットを用いて第１熱拡散層（厚さ１２０ｎｍ）を設け、Ａｇ９８−Ｐｄ１−Ｃｕ１からなる第１反射層（厚さ１０ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１上部保護層（厚さ１０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（厚さ６ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１下部保護層（厚さ１２０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。
更に第１情報層膜面上に、直径１２ｃｍ、厚さ４０μｍのポリカーボネートフィルムからなる第１基板を、４５μｍの厚さの両面粘着シートからなる透明層を介して貼り合わせて、２層相変化型情報記録媒体を作成した。
また、これとは別に、透過率測定用として、厚さ１．１ｍｍの基板に第１情報層と透明層、第１基板を同様に設け、第１基板側からの光透過率を測定した。
本実施例の第１情報層は、初期化前の波長４０５ｎｍでの透過率が４８％、初期化後の透過率が５５％であった。
上記のようにして作成した記録媒体に対し、下記の条件で記録を行なった。
・レーザー波長：４０５ｎｍ
・ＮＡ＝０．８５
・線速：５．７ｍ／ｓ
・トラックピッチ０．３２μｍ
線密度０．１３μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、及び、１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層共に良好に記録再生を行なうことができた。
［実施例１４〜２１］
第１熱拡散層、第１反射層、第１記録層の膜厚をそれぞれ変えた点以外は実施例１３と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。（それぞれの膜厚は表６に記載した通りである）
作成された各記録媒体について、実施例１３と同様の条件で第１情報層、第２情報層のジッター、及び１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した結果を表６に示すが、何れの記録媒体も光透過率は４７％以上で、１回記録後、１００回オーバーライト後のジッター共に９％以下となり、光記録媒体として優れていることが分った。
第１熱拡散層、第１反射層、第１記録層の膜厚をそれぞれ変えた点以外は実施例１３と同様にして２層相変化型情報記録媒体を作成した。（それぞれの膜厚は表６に記載した通りである）
作成された各記録媒体について、実施例１３と同様の条件で第１情報層、第２情報層のジッター、及び１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定した結果を表６に示すが、何れの記録媒体も光透過率は４７％以上で、１回記録後、１００回オーバーライト後のジッター共に９％以下となり、光記録媒体として優れていることが分った。
また、その他の試作実験からも、ＮＡ＝０．８５のピックアップで記録再生を行なう場合でも、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
以上のことから、本発明の光記録媒体は、記録再生を行なう対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、第１基板の厚さを１０〜６００μｍの範囲で調整することによって、良好に記録再生を行なうことができる。
また、その他の試作実験からも、第１情報層の記録層膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層が３〜２０ｎｍ、熱拡散層が１０〜２００ｎｍの範囲であると、第１情報層、第２情報層共に良好に記録再生ができた。特に、第１情報層の記録層膜厚、反射層膜厚がそれぞれ１５ｎｍ、２０ｎｍより厚いと初期化後の光透過率を４０％以上にすることが出来ないために、第２情報層を良好には記録することができなかった。また、熱拡散層が２００ｎｍより厚いと、２層光ディスクを作成するのに６０秒かかり、量産には困難であることが分った。
以上のことから、本発明の光記録媒体は、記録再生を行なう対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、第１基板の厚さを１０〜６００μｍの範囲で調整することによって、良好に記録再生を行なうことができる。
また、その他の試作実験からも、第１情報層の記録層膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層が３〜２０ｎｍ、熱拡散層が１０〜２００ｎｍの範囲であると、第１情報層、第２情報層共に良好に記録再生ができた。特に、第１情報層の記録層膜厚、反射層膜厚がそれぞれ１５ｎｍ、２０ｎｍより厚いと初期化後の光透過率を４０％以上にすることが出来ないために、第２情報層を良好には記録することができなかった。また、熱拡散層が２００ｎｍより厚いと、２層光ディスクを作成するのに６０秒かかり、量産には困難であることが分った。
［実施例２２］
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第１下部保護層（厚さ５０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（厚さ６ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第１上部保護層（厚さ１５ｎｍ）、Ａｇ９６−Ｚｎ３−Ａｌ１からなる第１反射層（厚さ１０ｎｍ）、第１熱拡散層（厚さ１００ｎｍ）の順にＢａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。第１熱拡散層は実施例１と同様のターゲットを用いた。
次に、第１基板と同じ構成の第２基板上にＡｌ９８−Ｔｉ２からなる第２反射層（厚さ８０ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第２上部保護層（厚さ２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ６７Ｔｅ２５からなる第２記録層（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第２下部保護層（厚さ８０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。ここで、第１情報層の波長６６０ｎｍでの光透過率を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行なった。ここでまた、第１情報層の波長６６０ｎｍでの透過率を測定した。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは５０μｍとした。
本実施例の第１情報層は、初期化前の波長６６０ｎｍでの透過率が５６％、初期化後の透過率が５０％であった。
上記のようにして作成した記録媒体に対し、下記の条件で記録を行なった。
・レーザー波長：６６０ｎｍ
・ＮＡ＝０．６５
・線速：３．４９ｍ／ｓ
・トラックピッチ０．７４μｍ
線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、及び１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層共に良好に記録再生を行なうことができた。
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上に（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第１下部保護層（厚さ５０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（厚さ６ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第１上部保護層（厚さ１５ｎｍ）、Ａｇ９６−Ｚｎ３−Ａｌ１からなる第１反射層（厚さ１０ｎｍ）、第１熱拡散層（厚さ１００ｎｍ）の順にＢａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。第１熱拡散層は実施例１と同様のターゲットを用いた。
次に、第１基板と同じ構成の第２基板上にＡｌ９８−Ｔｉ２からなる第２反射層（厚さ８０ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第２上部保護層（厚さ２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ６７Ｔｅ２５からなる第２記録層（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０からなる第２下部保護層（厚さ８０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。ここで、第１情報層の波長６６０ｎｍでの光透過率を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。
次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行なった。ここでまた、第１情報層の波長６６０ｎｍでの透過率を測定した。
次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは５０μｍとした。
本実施例の第１情報層は、初期化前の波長６６０ｎｍでの透過率が５６％、初期化後の透過率が５０％であった。
上記のようにして作成した記録媒体に対し、下記の条件で記録を行なった。
・レーザー波長：６６０ｎｍ
・ＮＡ＝０．６５
・線速：３．４９ｍ／ｓ
・トラックピッチ０．７４μｍ
線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、及び１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層共に良好に記録再生を行なうことができた。
１ 第１情報層
２ 第２情報層
３ 第１基板
４ 中間層
５ 第２基板
６ 透明層
１１ 第１下部保護層
１２ 第１記録層
１３ 第１上部保護層
１４ 第１反射層
１５ 第１熱拡散層
２１ 第２下部保護層
２２ 第２記録層
２３ 第２上部保護層
２４ 第２反射層
２ 第２情報層
３ 第１基板
４ 中間層
５ 第２基板
６ 透明層
１１ 第１下部保護層
１２ 第１記録層
１３ 第１上部保護層
１４ 第１反射層
１５ 第１熱拡散層
２１ 第２下部保護層
２２ 第２記録層
２３ 第２上部保護層
２４ 第２反射層
Claims (20)
- 光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、それぞれの情報層を、光が入射される側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の、少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順からなり、熱拡散層は、インジウム、亜鉛および酸素が主成分であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
- ＩｎとＺｎの原子比が、０．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．５の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 前記熱拡散層の厚さが２０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有する情報層がＮ層（Ｎ：２以上の整数）設けられた光情報記録媒体において、各情報層を、光が入射する側からみて、第１情報層、第２情報層、…第Ｎ情報層としたとき、第Ｎ情報層以外の少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順に積層された層構成を有し、熱拡散層が、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）及び少なくとも１種のハロゲンを主成分とすることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
- 熱拡散層が、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）、少なくとも１種のハロゲンの他に、価数が正３価以上である少なくとも１種の第３金属元素を必須構成元素とし、該第３金属元素の総量の金属元素全体に対する原子比が、（全第３金属元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．２、を満足することを特徴とする請求項４記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 熱拡散層のＩｎとＺｎの原子比が、０．５５≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）≦０．９、を満足する範囲にあることを特徴とする請求項４又は５に記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 熱拡散層のハロゲンの総量の金属元素全体に対する原子比が、０．０１≦（全ハロゲン）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３金属元素）≦０．３、を満足することを特徴とする請求項４乃至６の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 熱拡散層のハロゲンがフッ素（Ｆ）である、請求項４乃至７の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 熱拡散層の厚さが１０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項４乃至８の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 前記熱拡散層を有する情報層の前記記録層が、ＳｂとＴｅを主体とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐのうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか又は請求項４乃至９の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 前記記録層の厚さが、３〜１５ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 前記熱拡散層を有する情報層の前記反射層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａの少なくとも１種を主成分とする請求項１乃至１１の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 前記反射層の厚さが、３〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
- 第１基板と第２基板の間に２つの情報層を有し、かつ上記情報層の間に中間層を有してなる、情報の記録・再生が可能な２層相変化型情報記録媒体であって、第１情報層は第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層を含み、第２情報層は、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層を含み、記録・再生のための光が入射される側から、第１基板、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層、中間層、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層、第２基板の順で配置されていることを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
- 前記第１情報層の光透過率が、波長３５０〜７００ｎｍの光に対して４０〜７０％であることを特徴とする請求項１４に記載の２層相変化型情報記録媒体。
- 前記第１基板と前記第１下部保護層との間に透明層を有することを特徴とする請求項１４または１５に記載の２層相変化型情報記録媒体。
- 前記第１上部保護層と前記第１反射層との間および／又は前記第２上部保護層と前記第２反射層との間にバリア層を有することを特徴とする請求項１４乃至１６の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
- 前記第１基板の厚さが、１０μｍ〜６００μｍであることを特徴とする請求項１４乃至１７の何れかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
- 請求項１乃至３の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜４５０ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法。
- 請求項４〜９の何れかに記載の多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003425588A JP4216178B2 (ja) | 2002-12-20 | 2003-12-22 | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002370834 | 2002-12-20 | ||
| JP2003142669 | 2003-05-20 | ||
| JP2003425588A JP4216178B2 (ja) | 2002-12-20 | 2003-12-22 | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005004943A true JP2005004943A (ja) | 2005-01-06 |
| JP4216178B2 JP4216178B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=34108507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003425588A Expired - Fee Related JP4216178B2 (ja) | 2002-12-20 | 2003-12-22 | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4216178B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008097791A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-04-24 | Ricoh Co Ltd | 多層相変化型光記録媒体 |
-
2003
- 2003-12-22 JP JP2003425588A patent/JP4216178B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008097791A (ja) * | 2006-09-11 | 2008-04-24 | Ricoh Co Ltd | 多層相変化型光記録媒体 |
| EP2062258A1 (en) * | 2006-09-11 | 2009-05-27 | Ricoh Company, Limited | Multi-layered phase-change optical recording medium |
| EP2062258A4 (en) * | 2006-09-11 | 2010-05-05 | Ricoh Kk | MULTILAYER OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH PHASE CHANGE |
| US8084113B2 (en) | 2006-09-11 | 2011-12-27 | Ricoh Company, Ltd. | Multi-layered phase-change optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4216178B2 (ja) | 2009-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7601481B2 (en) | Multilayer phase-change information recording medium, and method for recording and reproducing using the same | |
| WO2009096165A1 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、及びターゲット | |
| WO2005029482A1 (ja) | ２層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP4125566B2 (ja) | 多層相変化型光情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP2005302264A (ja) | 相変化型光情報記録媒体及び２層相変化型光情報記録媒体 | |
| JP4331657B2 (ja) | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP4216178B2 (ja) | 多層相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP4071060B2 (ja) | 多層相変化型情報記録媒体とそれを用いた情報の記録再生方法 | |
| JP4397838B2 (ja) | 多層相変化型光記録媒体 | |
| EP1922728B1 (en) | Multilayer optical recording medium and optical recording method | |
| JP4086689B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP4350326B2 (ja) | 多層相変化型光記録媒体 | |
| JP4082572B2 (ja) | 多層相変化型情報記録媒体 | |
| JP2004047034A (ja) | 多層相変化型情報記録媒体およびそれを用いた情報の記録再生方法 | |
| JP2007323743A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2003335064A (ja) | 相変化型光情報記録媒体 | |
| JP4322719B2 (ja) | 光情報記録媒体及びその製造方法とスパッタリングターゲット | |
| JP4533276B2 (ja) | ２層相変化型情報記録媒体 | |
| JP2004259382A (ja) | 多層相変化型情報記録媒体およびその記録再生方法 | |
| JP4719172B2 (ja) | 多層光記録媒体 | |
| JP2004110911A (ja) | ２層相変化型情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2006107579A (ja) | 多層相変化型情報記録媒体とその初期化装置、初期化方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| JP2007118557A (ja) | 多層相変化型光記録媒体 | |
| JP2006085831A (ja) | 相変化型情報記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JP2007310940A (ja) | 相変化型光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060822 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081014 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081027 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081105 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |