CN1828747A - 无机记录材料与只写一次型光盘片 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种只写一次型光盘片，其中记录层的材料为无机材料，此无机材料的分子式为A_XB_yC_z、A_xB_yD_α或A_xB_yC_zD_α，其中A元素选自硅或锡其中之一，B元素选自铝、银、金、钛、镍、铜、钴、钽、铁、钨、铬、钒、镓、铅或钼其中之一，C元素选自锑、铟、铋或锌其中之一，而D元素选自氧或氮其中之一。该无机记录层的材料具有较佳的填充性及均匀性，且可以显著改善信号品质，提高部分反应讯号杂讯比(PRSNR)。

Description

无机记录材料与只写一次型光盘片

技术领域

本发明涉及一种记录材料与光储存媒体(optical storagemedium)，特别是涉及一种无机记录材料与只写一次型光盘片。

背景技术

光储存媒体由于较传统的磁性储存媒体具有储存容量大、保存容易、保存期限长、成本低廉、兼容性高、错误率低与资料不易损害等优点，已逐渐取代一般而成为现代人不可或缺的媒体之一。

一般来说，光储存媒体可分为光盘(compact disc，CD)和数位化多功能光盘(digital versatile disc，DVD)。其中，又以只写一次型光储存媒体(write onee optical storage medium)最为普遍，如只写一次型光盘(compact disc-recordable，CD-R)和只写一次型数位化功能光盘(digital versatile disc-recordable，DVD-R)。

只写一次型光储存媒体一般是以有机染料作为盘片中记录层的纪录材料，藉由镭射光照射加热后，使有机材料产生变化来记录资料。然而，由于有机材料价格昂贵、使用期限不长、容易造成环境污染，且制程复杂，加上使用旋转涂布(spin coating)时，填充性与膜层均匀性皆不佳，而增加了生产上的难度。此外，下一代蓝光光盘片的镭射光波长较短，约落在405nm附近，需要分子量更小的有机分子，而使得能够应用的有机染料的取得更加不易，且其溶剂的选择性更少，因此限制了有机染料的发展。

由此可见，上述现有的光储存媒体显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决光储存媒体存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的光储存媒体存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的只写一次型光盘片，能够改进一般现有的光储存媒体，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的光储存媒体存在的缺陷，而提供一种无机记录材料，可应用于只写一次型光盘片、只写一次型数位化功能光盘片与蓝光可写一次型光盘片的记录层材料，所要解决的技术问题是使其无机记录层的材料具有较佳的填充性及均匀性，且可以显着改善信号品质，提高部分反应讯号杂讯比(PRSNR)，从而更加适于实用。

本发明的目的在于，克服现有的光储存媒体存在的缺陷，而提供一种只写一次型光盘、只写一次性数位化功能光盘片与蓝光可写一次型光盘片，所要解决的技术问题是使其无机记录层的材料具有较佳的填充性及均匀性，且可以显着改善信号品质，提高部分反应讯号杂讯比(PRSNR)，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的无机记录材料，其适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点。此无机记录材料的分子式为A_xB_yC_z。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20。上述的A元素例如是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一，B元素例如是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一，而C元素例如是选自锑(Sb)、铟(In)、铋(Bi)或锌(Zn)其中之一。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的无机记录材料，其中所述的无机记录材料更可以包括元素D，且元素D例如是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的另一种无机记录材料，其适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点。此无机记录材料的分子式为A_xB_yD_α。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3。上述的A元素例如是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一，B元素例如是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一，而D元素例如是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明再提出的一种只写一次型光盘片，其具有一第一基材、一第二基材以及一无机记录层。其中，第二基材配置于第一基材上方，而无机记录层配置于第一基材与第二基材之间。无机记录层适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点。上述的无机记录层的材料的分子式为A_xB_yC_z。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20。上述的A元素例如是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一，B元素例如是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一，而C元素例如是选自锑(Sb)、铟(In)、铋(Bi)或锌(Zn)其中之一。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的无机记录层的材料更可以包括元素D，且元素D例如为选自氧(O)或氮(N)其中之一。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一基材的材质包括玻璃(SiO_X)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)树脂或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的无机记录层的厚度是介于5纳米至60纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，更包括一第一介电层，配置于该无机记录层与该第一基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一介电层是包括多层结构。

前述的只写一次型光盘片，更包括一第二介电层，配置于该无机记录层与该第二基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第二介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第二介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第二介电层是包括多层结构。

前述的只写一次型光盘片，更包括一反射层，配置于该第二介电层与该第二基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的反射层的材质包括银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铅(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)或至少包含其中之一的合金。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的反射层的厚度是介于20纳米至200纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，更包括一保护层，配置于该反射层与该第二基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的保护层的材质包括高分子树脂(UV curable resin)。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的保护层的厚度是介于2微米至8微米之间。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明再提出的只写一次型光盘片，其包括：第一基材；第二基材，配置于该第一基材上方；以及一无机记录层，配置于该第一基材与该第二基材之前，该无机记录层适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点，该无机记录层的材料的分子式为A_xB_yD_α，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3；A元素是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一；B元素是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一；D元素是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一基材的材质包括玻璃(SiO_X)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate，PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的无机记录层的厚度是介于5纳米至60纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，更包括一第一介电层，配置于该无机记录层与该第一基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第一介电层是包括多层结构。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的更包括一第二介电层，配置于该无机记录层与该第二基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第二介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第二介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的第二介电层是包括多层结构。

前述的只写一次型光盘片，更包括一反射层，配置于该第二介电层与该第二基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的反射层的材质包括银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铅(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)或至少包含其中之一的合金。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的反射层的厚度是介于20纳米至200纳米之间。

前述的只写一次型光盘片，更包括一保护层，配置于该反射层与该第二基材之间。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的保护层的材质包括高分子树脂(UV curable resin)。

前述的只写一次型光盘片，其中所述的保护层的厚度是介于2微米至8微米之间。

经由上述可知，本发明是有关于一种只写一次型光盘片，其中记录层的材料为无机材料，此无机材料的分子式为A_xB_yC_z、A_xB_yD_α或A_xB_yC_zD_α，其中A元素选自硅或锡其中之一，B元素选自铝、银、金、钛、镍、铜、钴、钽、铁、钨、铬、钒、镓、铅或钼其中之一，C元素选自锑、铟、铋或锌其中之一，而D元素选自氧或氮其中之一。该无机记录层的材料具有较佳的填充性及均匀性，且可以显着改善信号品质，提高部分反应讯号杂讯比(PRSNR)。借由上述技术方案，本发明只写一次型光盘片至少具有下列优点：

本发明因采用无机材料做为记录层，此无机材料可应用于只写一次光盘片、只写一次型数位化功能光盘片与蓝光可写一次型光盘片的记录层材料，而且具有较佳的填充性与膜层的均匀性，以及高耐旋光性、高耐候性，并且不易污染环境，适合大量制造生产，且本发明所示无机材料构成特殊的记录媒体结构，是由镀膜制程的方法而达成，并且在蓝光光盘的规格有很好的结果，可以显着改善信号品质，提高部分反应讯号杂讯比(PRSNR)。

综上所述，本发明特殊的无机记录材料与只写一次型光盘片，该无机记录层的材料具有较佳的填充性及均匀性，且可以显着改善信号品质，提高部分反应讯号杂讯比(PRSNR)，从而更加适于实用。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的光储存媒体具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为依照本发明较佳实施例的只写一次型光盘片的剖面示意图。

图2A为制作实例一的测试盘片的部分反应讯号杂讯比与记录层中添加第三元素锑含量的关系图。

图2B为制作实例一的测试盘片在写入镭射脉冲宽度20ns～70ns范围内反射率与时间的关系图。

图2C为制作实例一的测试盘片在写入镭射脉冲宽度20ns～70ns范围内利用电荷耦合组件相机取得记号的影像图。

图3A为测试盘片的部分反应讯号杂讯比与硅铝锑合金记录层在溅镀过程中充氧量的关系图。

图3B为制作实例二的蓝光光盘的动态观察图。

图4A为制作实例三的测试盘片的部分反应讯号杂讯比与硅铝锑合金记录层在溅镀过程中充氮量的关系图

图4B为制作实例三的蓝光光盘的动态观察图。

100a、100b、100c、100d、100e：只写一次型光盘片

102、108：基材              104：无机记录层

106、110：介电层            112：反射层

114：保护层

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的只写一次型光盘片其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

请参阅1A至图1E所示，本发明较佳实施例的只写一次型光盘片，其主要包括：请参阅图1A所示，本实施例的只写一次型光盘片100a具有基材102与108、无机记录层104与介电层106。其中，基材108配置在基材102上方，无机记录层104配置在基材102与基材108之间，而介电层106配置在无机记录层104与基材108之间。在本实施例中，基材102与108的材质例如为玻璃(SiO_X)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate，PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料，而介电层106的材质例如为氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)，其厚度例如是介于10纳米至200纳米之间。此外，介电层还可以为多层结构。

无机记录层104中的无机材料适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点。此无机材料的分子式为A_xB_yC_z。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20。在本实施例中，A元素例如是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一，B元素例如是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一，而C元素例如是选自锑(Sb)、铟(In)、铋(Bi)或锌(Zn)其中之一。在另一实施例中，上述的无机材料更可以包括元素D，且元素D例如为选自氧(O)或氮(N)其中之一，其厚度例如是介于5纳米至60纳米之间。

另外，请同时参阅图1B、图1D与图1E所示，在只写一次型光盘片100b、100d与100e中，在无机记录层104与基材102之间，更可以配置有介电层110。其中，介电层110的材质例如为氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)，其厚度例如是介于10纳米至200纳米之间。此外，介电层还可以为多层结构。

此外，请同时参阅图1C、图1D与图1E所示，在只写一次型光盘片100c、100d与100e中，在介电层106与108基材之间，更可以配置有反射层112。其中，反射层112的材质例如为银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铅(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)或至少包含其中之一的合金，其厚度例如是介于20纳米至200纳米之间。

另外，请参阅图1E所示，在只写一次型光盘片100e中，在反射层112与基材108之间，更可以配置有保护层114。其中，保护层114的材质包括高分子树脂(UV curableresin)，其厚度例如是介于2微米至8微米之间。

值得一提的是，在上述的只写一次型光盘片中，还可以使用另一种无机材料来作为无机记录层，此无机材料的分子式为A_xB_yD_α。其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3。其中，A元素例如是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一，B元素例如是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一，而D元素例如是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

以下是举出本发明的只写一次型光盘片的制作实例，以详细说明的，但以下的实例并非限制本发明的范围。此外，以下亦列出部分反应讯号杂讯比(PRSNR)与记录层的材质的关系图，其测试条件如下表1所示。

表1

动态测试机(Pulstek公司制，型号ODU1000)
	记录调变码(modulation)：ETM，RLL(2，10)
记录频率(channel clock frequency：64.8MHz
	记录线速度(linear velocity：6.61m/s

【制作实例一】

首先，在基板(轨距0.74微米)上形成介电层，其材质为硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)，厚度为25纳米。接着，在介电层上形成无机记录层，其材质为硅铝锑合金(Si_xAl_ySb_z)，其厚度为20纳米。然后，再在无机记录层上形成另一介电层，其材质为硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)，其厚度为20纳米。之后，在上述介电层上形成反射层，其材质为铝钛合金(AlTi alloy)，其厚度为100纳米。

请参阅图2所示，为制作实例一的测试盘片的部分反应讯号杂讯比与记录层中添加第三元素锑含量的关系图。在固定氩气流量为35sccm时，固定记录层材料中的硅/铝比例为70/40，改变添加第三元素锑含量由0～15(at.％)，则盘片记录的部分的反应的讯号杂讯比(PRSNR)，会随着锑含量而变化。如在锑含量为10(at.％)时，可达到17.4以上，所以改变记录层中锑含量，可以有效地改善其记录特性。

另外，使用静态测试仪器(Toptica公司制，型号Media test-1)，对制作实例一的测试盘片进行测试，以在写入记号标记的同时，监测整个记录过程。此静态测试机是使用一个波长为398纳米的半导蓝光镭射二极管，在单一脉冲模式下，写入一个记录迹点在测试盘片上，并操作另一个波长为422纳米的半导蓝光镭射二极管，在连续波模式(continuous-wavelength mode，cw mode)下去监测记录的过程，亦即为利用不同的镭射功率(mW)及镭射脉冲(ns)写入，使其材料产生变化，进而产生光学性质的改变，造成记录点与非记录点反射率的差异，转换成电压讯号并藉以量测两相的转换时间，且对应每一条件利用电荷耦合组件(CCD)相机影像，观察记录的过程。其中，静态测试机的写入功率为11mW，写入脉冲宽度为20ns～70ns。

同时请参阅图2B与图2C所示，图2B为制作实例一的测试盘片在写入镭射脉冲宽度20ns～70ns范围内反射率与时间的关系图。图2C为制作实例一的测试盘片在写入镭射脉冲宽度20ns～70ns范围内利用电荷耦合组件相机取得记号的影像图。当记录层的材质为硅铝锑合金时，由电荷耦合组件(CCD)相机照相图得知在镭射写入功率为11mW，镭射脉冲时间为20ns以上就可写入记录点，且记录点的反射率与周围未记录区域的反射率不同，藉由此反射率不同的特点，即可作为只写一次型高密度光学资讯记录媒体。

【制作实例二】

首先，在基板(轨距0.74微米)上形成介电层，其材质为硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)，厚度为25纳米。接着，在介电层上形成无机记录层，其材质为硅铝锑氧化合物(Si_xAl_ySb_zO_α)，其厚度为20纳米。然后，再在无机记录层上形成另一介电层，其材质为硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)，其厚度为20纳米。之后，在上述介电层上形成反射层，其材质为铝钛合金(AlTi alloy)，其厚度为100纳米。

参阅图3A所示，是制作实例二的测试盘片的部分反应讯号杂讯比(PRSNR)与硅铝锑合金记录层在溅镀过程中氧气流量的关系图。在固定氩气流量为35sccm时，改变氧气流量0～12sccm，则盘片记录的部分的反应讯号杂讯比(PRSNR)，会随着氧气流量而变化。如在氧气流量4sccm时，可达到17.9，所以改变溅镀过程中的氧气流量，可以显着地改善其记录特性。图3B为制作实例二的蓝光光盘的动态观察图(eyepattern)。

【制作实例三】

首先，在基板(轨距0.74微米)上形成介电层，其材质为硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)，厚度为25纳米。接着，在介电层上形成无机记录层，其材质为硅铝锑氮化合物(Si_xAl_ySb_zN_α)，其厚度为20纳米。然后，再在无机记录层上形成另一介电层，其材质为硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)，其厚度为20纳米。之后，在上述介电层上形成反射层，其材质为铝钛合金(AlTi alloy)，其厚度为100纳米。

请参阅图4A所示，为制作实例三的测试盘片的部分反应讯号杂讯比(PRSNR)与硅铝锑合金记录层在溅镀过程中氮气流量的关系图。可得知在固定氩气流量为35sccm时，改变氮气流量0～12sccm，可以显着地改善其反射率，而盘片记录的部分的反应讯号杂讯比(PRSNR)，则会随着氮气流量而变化。如在氮气流量8sccm时，部分反应讯号杂讯比(PRSNR)可达到20.7，所以改变溅镀过程中的通入氮气量，可以显着地改善其记录特性。图4B为制作实例三的蓝光光盘的动态观察图(eyepattern)。

综上所述，在本发明的只写一次光盘片中，使用无机材料作为记录材料，相对于习知技术中所使用的有机材料，其膜层填充性与均匀性、环境污染性、耐旋光性及耐候性皆较佳，适合大量生制造生产。此外，本发明的无机材料，已达到只写一次盘片的基本特性，而可应用于只写一次光盘片、只写一次型数位化功能光盘片及未来蓝光可写一次型盘片的记录层材料。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的结构及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (38)

1、一种无机记录材料，适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点，其特征在于分子式为A_xB_yC_z，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20；A元素是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一；B元素是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一；C元素是选自锑(Sb)、铟(In)、铋(Bi)或锌(Zn)其中之一。

2、根据权利要求1所述的无机记录材料，其特征在于更包括元素D，且该元素D是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

3、一种无机记录材料，适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点，其特征在于该无机记录材料的分子式为A_xB_yD_α，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3；A元素是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一；B元素是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一；D元素是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

4、一种用权利要求1所述的无机记录材料制成的只写一次型光盘片，其特征在于其包括：

一第一基材；

一第二基材，配置于该第一基材上方；以及

一无机记录层，配置于该第一基材与该第二基材之间，该无机记录层适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点，该无机记录层的材料的分子式为A_xB_yC_z，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜z＜0.20；A元素是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一；B元素是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一；C元素是选自锑(Sb)、铟(In)、铋(Bi)或锌(Zn)其中之一。

5、根据权利要求4所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一基材的材质包括玻璃(SiO_X)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)树脂或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。

6、根据权利要求4中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的无机记录层的材料更包括元素D，且该元素D是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

7、根据权利要求4中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的无机记录层的厚度是介于5纳米至60纳米之间。

8、根据权利要求4中所述的只写一次型光盘片，其特征在于更包括一第一介电层，配置于该无机记录层与该第一基材之间。

9、根据权利要求8中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

10、根据权利要求8中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

11、根据权利要求8中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一介电层是包括多层结构。

12、根据权利要求4中所述的只写一次型光盘片，其特征在于更包括一第二介电层，配置于该无机记录层与该第二基材之间。

13、根据权利要求12中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第二介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

14、根据权利要求12中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第二介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

15、根据权利要求12中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第二介电层是包括多层结构。

16、根据权利要求12中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其更包括一反射层，配置于该第二介电层与该第二基材之间。

17、根据权利要求16中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的反射层的材质包括银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铅(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)或至少包含其中之一的合金。

18、根据权利要求16中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的反射层的厚度是介于20纳米至200纳米之间。

19、根据权利要求16中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中更包括一保护层，配置于该反射层与该第二基材之间。

20、根据权利要求19中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的保护层的材质包括高分子树脂(UV curable resin)。

21、根据权利要求19中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的保护层的厚度是介于2微米至8微米之间。

22、一种用权利要求3所述的无机记录材料制成的只写一次型光盘片，其特征在于其包括：

一第一基材；

一第二基材，配置于该第一基材上方；以及

一无机记录层，配置于该第一基材与该第二基材之前，该无机记录层适于受镭射光照射加热后，吸热产生变化而形成具有不同反射率的记录点，该无机记录层的材料的分子式为A_xB_yD_α，其中，0＜x＜0.98，0.02＜y＜0.8，0＜α＜0.3；A元素是选自硅(Si)或锡(Sn)其中之一；B元素是选自铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、铜(Cu)、钴(Co)、钽(Ta)、铁(Fe)、钨(W)、铬(Cr)、钒(V)、镓(Ga)、铅(Pb)或钼(Mo)其中之一；D元素是选自氧(O)或氮(N)其中之一。

23、根据权利要求22中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一基材的材质包括玻璃(SiO_X)、聚碳酸酯树脂(polycarbonate，PC)或聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)或其它透明材料。

24、根据权利要求22中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的无机记录层的厚度是介于5纳米至60纳米之间。

25、根据权利要求22中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中更包括一第一介电层，配置于该无机记录层与该第一基材之间。

26、根据权利要求25中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

27、根据权利要求25中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

28、根据权利要求25中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第一介电层是包括多层结构。

29、根据权利要求22中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中更包括一第二介电层，配置于该无机记录层与该第二基材之间。

30、根据权利要求29中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第二介电层的材质包括氮化硅(SiN_x)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO₂)、氮化铝(AlN_x)、碳化硅(SiC)、氮化锗(GeN_x)、氮化钛(TiN_x)、氧化钽(TaO_x)或氧化钇(YO_x)。

31、根据权利要求29中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第二介电层的厚度是介于10纳米至200纳米之间。

32、根据权利要求29中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的第二介电层是包括多层结构。

33、根据权利要求29中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其更包括一反射层，配置于该第二介电层与该第二基材之间。

34、根据权利要求33中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的反射层的材质包括银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、钛(Ti)、铅(Pd)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)或至少包含其中之一的合金。

35、根据权利要求33中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的反射层的厚度是介于20纳米至200纳米之间。

36、根据权利要求33中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其更包括一保护层，配置于该反射层与该第二基材之间。

37、根据权利要求36中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的保护层的材质包括高分子树脂(UV curable resin)。

38、根据权利要求36中所述的只写一次型光盘片，其特征在于其中所述的保护层的厚度是介于2微米至8微米之间。

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