CN1469361A - 光记录重放方法和光记录媒体 - Google Patents

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�Ѝ뿵��
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Abstract

一种光记录重放方法和光记录媒体，在环保型材料构成的记录层中，可以用简单的膜结构进行良好的光记录。光记录媒体(10)在基板(12)上有由通过按照要被记录的信息进行了强度调制的作为能量的激光束而进行状态变化的一对电介质层(14A、14B)，以及被它们夹置的状态变化促进材料(16)构成的记录层(18)。状态变化促进材料(16)以Sn、Ti、Bi、Ge、C等中的任一元素作为主要成分，而作为电介质层(14A、14B)中母材的电介质材料由包含ZnS、SiO2、AlN、Ta2O5等中的至少一种材料来构成。

Description

光记录重放方法和光记录媒体
技术领域
本发明涉及光记录媒体和使用它的光记录重放方法。
背景技术
以往，作为用于记录数字数据的记录媒体，广泛使用以CD(CompactDisc)和DVD(Digital Versatile Disc)为代表的光记录媒体。这些光记录媒体大致分为CD-ROM(Read Only Memory)和DVD-ROM那样的不能进行数据追加和重写类型的光记录媒体(ROM型光记录媒体)、如CD-R(Recordable)和DVD-R那样的可以进行数据追加但不能进行数据重写类型的光记录媒体(追加型光记录媒体)、以及如CD-RW(Rewritable)和DVD-RW那样的可进行数据重写类型的光记录媒体(重写型光记录媒体)。
众所周知，在ROM型光记录媒体中，一般是通过制造阶段基板上形成的预置坑来记录数据，在重写型光记录媒体中，例如使用相变化材料作为记录层的材料，一般利用基于其相状态变化的光学特性变化来记录数据。
相反，在追加型光记录媒体中，作为记录层的材料，一般使用花青系色素、酞花青系色素、偶氮色素等有机色素，利用基于其化学变化(根据情况施加化学变化并伴随物理性变形)的光学特性变化来记录数据。
但是，有机色素因日光等照射而恶化，所以在使用有机色素作为记录层的材料时，难以提高长期保存的可靠性。在追加型光记录媒体中，为了提高长期保存的可靠性，最好由有机色素以外的材料来构成记录层。作为由有机色素以外的材料来构成记录层的例子，如(日本)特开昭62-204442号公报记载的那样，已知叠层两层反应层并将其用作记录层的技术。
另一方面，近年来，提出了使数据的记录密度提高，并且可实现非常高的数据传输速率的下一代光记录媒体。在这种下一代光记录媒体中，为了实现大容量-高数据传输速率，必然将用于数据记录-重放的激光束的束点直径压缩得非常小。这里，为了缩小束点直径，需要使用于将激光束进行聚焦的物镜的数值孔径(NA)在0.7以上，例如增大到0.85左右，同时使激光束的波长λ在450nm以下，例如缩短到400nm左右。
但是，如果将用于聚焦激光束的物镜高NA化，则产生光记录媒体的弯曲和倾斜的容许度、即倾斜余量非常小的问题。设用于记录-重放的激光束的波长为λ，作为激光束光路的透光层(透明基体)的厚度为a，则倾斜余量T可用以下的式(1)表示。
T＝λ/d·NA3                                         (1)
从式(1)可知，物镜的NA越大，倾斜余量会越小。此外，设产生波面像差(慧形像差)的透光层(透明基体)的折射率为n，倾角为θ，则波面像差系数W可用以下的式(2)表示。
W＝{d·(n2-1)·n2·sinθ·cosθ·(NA)2}/{2λ(n2-sin2θ)3/2}   (2)
从式(1)和式(2)可知，为了增大倾斜余量，并且抑制慧形像差的产生，减小透光层(透明基体)的厚度d是非常有效的。。
因此，在下一代的光记录媒体中，难以在如现行的光记录媒体那样的透光层(透明基体)上形成记录层，正在研究在基体上形成的记录层等上根据旋转涂敷法等形成薄的树脂层来作为透光层(透明基体)的方法。因此，在下一代的光记录媒体的制作中，与从光入射侧依次进行成膜的现行的光记录媒体不同，从光入射面的相反侧依次进行成膜。
但是，将由两层反应层来构成如下一代光记录媒体那样形成在基体上的记录层的情况，与通过两层反应层来构成如CD和DVD等现行的光记录媒体那样形成在透光层(透明基体)上的记录层的情况相比，信号重放时产生的噪声电平容易增大(C/N比容易变小)的问题明显。
另一方面，因近年来对地球环境关注的提高，所以作为光记录媒体的记录层的材料，也期望选择环境负担更小的材料。而且，为了提高长期保存的可靠性，作为光记录媒体的记录层材料，期望选择对腐蚀-变质等具有充分抗性的材料。
发明内容
本发明的目的在于提供在下一代光记录媒体的记录重放系统中特别有用的新的光记录重放方法和光记录媒体。
本发明人深入研究的结果，发现使用Sn和ZnS等环保型材料，可用简单的膜结构进行良好的光记录-重放。而且，还发现此时将电介质材料和状态变化促进材料都以原子团状态相邻配置，向那里进行激光束等能量照射，则电介质材料的原子团直径增大，光学特性变化。
即，根据以下的本发明，可实现上述目的。
(1)一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使原子团直径的可增大变化的原子团状的母材和原子团状的状态变化促进材料相邻存在，从外部向所述母材施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过增大变化该母材的原子团直径来改变光学特性，并且，读取伴随该光学特性变化的反射率的变化，重放所述信息。
(2)如(1)的光记录重放方法，其特征在于，将所述母材形成膜状，使状态变化促进材料相邻存在。
(3)一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使原子团直径可增大变化的原子团状的母材和原子团状的状态变化促进材料混合并膜状地存在，并对此从外部施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过增大变化该母材和状态变化促进材料的至少一方的原子团直径来改变光学特性，并且读取伴随该光学特性的反射率的变化，重放所述信息。
(4)如(1)、(2)或(3)的光记录重放方法，其特征在于，在所述母材中，存在用于使其定常状态稳定的稳定材料。
(5)如(1)至(4)任何一项的光记录重放方法，其特征在于，通过照射激光束来施加所述能量。
(6)一种光记录媒体，包括：基板；以及至少包含在所述基板上相邻设置的状态变化促进材料和电介质材料的记录层；其特征在于，状态变化促进材料由从[Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag]的元素组中选择出的一种元素构成，将外径为1～20nm的原子团进行分散并构成2～20nm的膜厚，所述电介质材料含有在记录光照射时通过所述元素使原子团直径增大变化的原子团状的状态变化材料，并将其作为母材。
(7)一种光记录媒体，在基板上至少支撑记录层，其特征在于，所述记录层包含从[Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta]的元素组中选择出的一种元素、以及与其混合的在记录光照射时通过所述元素使原子团直径增大变化的状态变化材料，记录层的膜厚为2～50nm，并且所述元素和状态变化材料都是外径为1～50nm的原子团状。
(8)一种光记录媒体，在基板上至少设有记录层，其特征在于，所述记录层由包含从[Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta]的元素组中选择出的一种元素和状态变化材料成分的外径为1～50nm的多成分原子团构成，其膜厚为1～50nm，所述状态变化材料由记录光照射时通过所述元素使原子团直径增大变化的材料构成。
(9)如(6)至(8)任何一项的光记录媒体，其特征在于，所述状态变化材料从在照射蓝色区域的激光时，通过所述元素使原子团直径增大变化的材料中选择。
(10)如(6)至(9)任何一项的光记录媒体，其特征在于，所述状态变化材料包含从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5、MgO、MgF、LaSiON、Si3N4、TiO2、SiC、InSnO中选择的至少一种材料，并将其作为主要成分。
附图说明
图1表示本发明实施方式第1例的光记录媒体的模式图。
图2表示本发明实施方式第2例的光记录媒体的模式图。
图3表示本发明实施方式第3例的光记录媒体的模式图。
图4表示本发明实施方式第4例的光记录媒体的模式图。
图5A表示例1的光记录媒体中的未记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
图5B表示记录部分的X射线衍射结果的曲线图。
具体实施方式
以下参照附图来详细说明本发明的实施例。
实施例的光记录重放方法中使用的光记录媒体10为追记型，如图1所示，由基板12、在基板12上设置的记录层18、以及在记录层上设置的透光层20构成，其中，记录层具有状态变化促进材料的层(状态变化促进材料层)14和相邻于其两侧的电介质材料的层(电介质层)16A、16B。对于具有这样结构的光记录媒体10，通过从透光层20侧照射激光束LB来进行数据的记录/重放。再有，也可以仅在状态变化促进材料层上设置电介质层16A或16B。
基板12具有作为确保光记录媒体10所需要的机械强度的基体的作用，在其表面上设置沟22和/或岛24。这些沟22和岛24具有进行数据的记录和重放情况下的激光束的导向轨迹作用。
基板12的厚度被设定为约1.1mm，作为其材料，可使用各种材料，例如，可使用玻璃、陶瓷、或树脂。其中，从成形容易性的观点来看，树脂最好。作为这样的树脂，可列举出聚碳酸酯树脂、丙烯树脂、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅酮树脂、氟系树脂、ABD树脂、聚氨酯树脂等。其中，从加工性等方面来看，最好是聚碳酸酯树脂。
所述电介质层16A、16B作为母材，由包含原子团状的状态变化材料构成，这种材料可增大原子团直径并使光反射率等光学特性变化。
这里，原子团指两个～几万个原子或分子的集团。而原子团直径是该原子或分子集团的外径，如果构成原子团的原子或分子的数目(数量)多，则变大。此外，在原子团状态的范围中，原子团的外径不大于膜厚(层厚度)。
作为所述母材的电介质材料，不限定于引起原子团直径增大的状态变化的材料，例如可将氧化物、硫化物、氮化物或它们的组合用作主要成分。更具体地说，最好是将从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、SiN、SiC构成的组中选择的至少一种电介质材料作为主要成分，以ZnS-SiO2构成的电介质作为主要成分更好。
再有，‘以电介质材料作为主要成分’是指所述电介质材料的含有率最大。而‘ZnS-SiO2’意味着ZnS和SiO2的混合物。
此外，电介质材料的层厚度只要其能够以原子团状存在就没有特别限定，但最好为5～200nm。如果其层厚度低于5nm，则即使是母材的充分的状态变化，除了不能获得作为层整体的光反射率等光学特性的充分变化以外，作为信号的C/N也不充分。另一方面，如果层厚度超过200nm，则成膜时间变长，有生产率下降的危险，而且，因电介质层16A、16B具有的应力，有发生破裂的危险。
所述状态变化促进材料层14如字面上那样，是促进母材反应的层，如上所述，至少在其一方中相邻于电介质层16A、16B，但如果照射具有规定以上功率的激光束，则通过其热量，构成状态变化促进材料层14的元素对电介质层16A、16B产生影响，通过构成电介质层16A、16B的层局部或整体地产生状态变化(例如，非晶体向晶体转移)而成为记录标记。
状态变化促进材料层不一定是层状态，也可以是以岛状存在的状态。
在记录层18中，记录标记的形成部分和其以外的部分对于重放光的光学特性极大地不同，所以可利用这种不同来进行数据的记录-重放。
非结晶是将微细结晶(原子团)进行分散的状态，将其凝集或增大的状态变化是结晶化。该状态变化是构成状态变化促进材料层14的元素为原子团状态，特别是在其外径为1～20nm时可促进该状态。
此外，还可以伴有状态变化促进材料层中含有的材料自身的状态变化(结晶生长)。这种情况下，通过该变化，可以期待C/N的提高。
所述状态变化促进材料层14将从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al中选择的至少一个元素作为主要成分。
这里所说的主要成分最好占有构成状态变化促进材料层14的元素的50％以上，更好是80原子％。
如果在50原子％以下，则使电介质层变化的效果不充分，C/N会减小。而且，记录灵敏度变差，需要用大的激光功率进行记录，所以容易引起膜自身的损坏等，保存可靠性恶化。
而且，为了将用于良好地进行电介质层的状态变化所需的激光束的功率抑制到某一程度以下，最好是在80原子％以上。
所述状态变化促进材料层14的层厚度有充分的层厚度，以便通过被照射激光束的束点而使电介质层16A、16B变化，并且如果层积在必要层厚度以上，则最好为1～50nm，以便需要更多的热量，而2～30nm更好。
透光层20是构成激光束的入射面并且成为激光束的光路的层，作为其厚度，最好设定为10～300μm，设定为50～150μm更好。作为透光层20的材料，没有特别限定，但最好使用丙烯系或环氧系等紫外线固化型树脂。此外，也可以使用透光性树脂构成的透光性片和各种粘接剂或粘结剂来形成透光层20，取代使紫外线型固化树脂的膜。
下面，说明上述光记录媒体10的制造方法的一例。
首先，在形成了沟22和岛24的基板12上形成第2(从光入射侧起为第2号)电介质层16B。在形成第2电介质层16B时，例如可以采用包含第2电介质层16B的构成元素的化学种子的汽相生长法。作为这样的汽相生长法，例如可列举出真空镀敷法、溅射法等。此时，如果使层厚度在固定值以下，则母材为原子团状态。
接着，在第2电介质层16B上形成状态变化促进材料层14。该状态变化促进材料层14也与第2电介质层16B同样，可以采用包含状态变化促进材料层14的构成元素的化学种子的汽相生成法形成为原子团状态。而且，在状态变化促进材料层14上形成第1(从光入射侧起为第1号)电介质层16A。该第1电介质层16A也可采用包含第2电介质层16B的构成元素的化学种子的汽相生长法形成为原子团状。
最后，在第1电介质层16A上形成透光层20。透光层20例如通过旋转涂敷法等来覆盖粘度调整后的丙烯系或环氧系的紫外线固化型树脂，可以通过照射紫外线进行固化等方法来形成。由此，完成光记录媒体的制造。
再有，上述光记录媒体的制造方法不限定于上述制造方法，也可以使用在公知的光记录媒体的制造中采用的制造技术。
下面，说明使用上述光记录媒体10的光记录重放方法。
对于光记录媒体10，从透光层20侧入射具有规定输出的激光束LB并照射到状态变化促进材料层14。此时，最好是用于聚焦激光束LB的物镜26的数值孔径(NA)在0.7以上，在0.85左右更好，激光束LB的波长λ最好在450nm以下，在405nm左右更好。这样，可以使λ/NA＜640nm。
通过照射这样的激光束LB，构成状态变化促进材料层14的元素被激光束LB加热，对相邻这些元素的电介质层16A、16B产生影响，局部或整体地产生状态变化(原子团的生长)，形成记录标记。形成了记录标记的部分的光学特性与其以外的部分(未记录区域)的光学特性十分不同。因此，通过照射用于读取的激光束时的记录标记部分和其以外部分的反射率不同，可以进行数据的重放。即，利用光学特性的调制，可以进行数据的记录-重放。
本发明不限定于以上的实施方式，可在被记述在权利要求范围中的发明范围内进行各种变更，不用说，这些变更也被包含在本发明的范围内。
例如，在上述实施方式的光记录媒体10中，状态变化促进材料层14被夹置在第1和第2电介质层16A、16B间，但如图2所示的实施方式的第2例的光记录媒体30那样，也可以省略电介质层16A或16B的一方来构成记录层32。
此外，在上述实施方式的光记录媒体10、30中，状态变化促进材料层14由单层构成，但本发明的光记录媒体不限定于此，只要是具有相同的效果，也可以由两层以上的层来构成。
下面，说明图3所示的本发明的实施方式的第3例。
实施方式的第3例中使用的光记录媒体40在与上述同样的基板12上，不设置电介质层，将作为母材的电介质材料构成的材料和状态促进材料构成的材料进行混合来构成单层结构的记录层42。具体地说，作为优选的电介质材料，是从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5、MgO、MgF、LaSiON、Si3N4、TiO2、SiC、InSnO组成的组中选择的至少一种作为主要成分，作为优选的状态促进材料，混合从Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta中至少选择一种材料来构成单层结构的记录层42。此外，该记录层42的外侧与上述同样被透光层20覆盖。
所述记录层42在将电介质材料和状态变化促进材料进行混合的状态下进行成膜，形成包含两个成分的结构。此外，也可以通过汽相生长法交替多次进行电介质材料和状态变化促进材料的成膜。记录层42的厚度为1～100nm，最好为2～50nm。
对于这样构成的光记录媒体40，与上述图1的光记录媒体10同样，在照射激光束时，通过电介质材料中包含的状态变化促进材料来产生使原子团直径增大的结晶，使光学特性变化。
因此，使记录层42的光反射率等变化。光反射率的调制度由入射的激光束的功率(包含时间)来调制。
而且，在上述实施方式中使用的光记录媒体10、30、40中，在基板12上未配有反射层，但也可以如图4所示的光记录媒体50那样，设置反射层52，以便充分增大形成了记录标记的区域中的反射光电平和未记录区域中的反射光电平。
反射层52具有反射从透光层20侧入射的激光束，并再次从透光层20射出的作用，作为其厚度，最好设定为5～300nm，设定为10～200nm更好。反射层52的材料只要是可反射激光束就没有特别限制，例如，可以使用Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等。在它们当中，从具有高反射率来看，最好使用Al、Au、Ag、Cu或它们的合金(Ag和Cu的合金等)等金属材料。通过设置反射层52，在光记录后，通过多重干涉效应，可容易获得大的重放信号(C/N比)。
【例和比较例】
以下，使用例子更具体地说明本发明，但本发明不限于这些例子。
[光记录媒体的准备]
(例1～3)
根据以下所示的步骤，制作光记录媒体。
首先，将厚度1.1mm、直径120mm的聚碳酸酯基板放置在溅射装置中，在该聚碳酸酯基板的光反射层(仅例2)上，按照溅射法依次形成ZnS和SiO2的混合物构成的第2电介质层、Sn构成的状态变化促进层、ZnS和SiO2的混合物构成的第1电介质层(仅例1、2)。这里，上述第1电介质层和第2电介质层是母材或状态变化材料。
接着，在第1电介质层上，通过旋转涂敷法来涂敷丙烯系紫外线固化型树脂，照射紫外线并形成透光层(层厚度：100μm)。
再有，在第1电介质层和第2电介质层中ZnS和SiO2的摩尔比为ZnS∶SiO2＝80∶20。
(例4～14)
电介质层、基板、透光层与实施例1相同，制作状态变化促进材料为Sn以外的各种金属或半金属的光记录媒体。
(比较例1～3)
对于例4～14，仅改变状态变化促进材料的材料，制作其他为同一条件的光记录媒体。
(例15)
不设置电介质层，制作记录层为单层结构的光记录媒体。记录层通过Sn与ZnS∶SiO2＝80∶20的电介质材料的混合来形成。
(例16、17)
将例15的Sn改变为Ag、Ti来形成。
(比较例4)
省略例15的ZnS-SiO2来形成。
(例18～21)
状态变化促进材料为Sn，改变电介质层材料来制作光记录媒体。
(例22～30)
不设置电介质层来制作记录层为单层结构的光记录媒体。记录层通过ZnS∶SiO2＝80∶20和Mg、Nb、Bi、Mg、Au、Al、Au、Cu、Ta、Si各种金属或半金属的混合来制作。
(例31～52)
对于例22～30，在各种材料中改变为ZnS∶SiO2＝80∶20，混合Mg(例31～35)、Ti(例36～43)、Sn(例44、45)、Nb(例46～48)、或Al(例49～52)来制作光记录媒体。
(例53～55)
不设置电介质层来制作记录层为单层结构的光记录媒体。记录层通过各种材料和Zn的混合来制作。各种材料为ZnS、ZnO、ZnS∶SiO2(80∶20)。
[记录-重放]
分别制作上述光记录媒体，并将其分别放置在光盘评价装置(商品名：DDU1000，パルステック社制)。然后，对于各光记录媒体，在用于记录的激光束的波长为蓝色波长区域(405nm)，物镜的NA(数值孔径)为0.85时，将该激光束用记录头内的聚焦透镜从透光层侧聚焦在光记录媒体上，进行光记录。
此时的记录信号条件设为：调制方式：(1，7)RLL；信道位长度：0.12μm；记录线速度：5.3m/s；信道时钟：66MHz；记录信号：8T。
接着，对于各例和各比较例中制作的状态变化促进材料的材料和层厚度及电介质层的材料和层厚度不同的光记录媒体，使用上述光盘评价装置来重放记录的信息，测定此时的重放信号的C/N比的值。这里，在重放装置中，用于重放的激光束的波长为405nm，物镜的NA(数值孔径)为0.85，激光束输出为0.3mW。
表1～表9表示其结果。
【表1】
    例1     例2     例3
  膜结构第1介质层状态变化促进材料层第2介质层反射层 80∶20(96nm)Sn(3.5nm)80∶20(78nm) 80∶20(30nm)Sn(3nm)80∶20(30nm)APC(100nm) Sn(6nm)80∶20(60nm)
  8TC/N(dB)     54     53.6     53.2
    ‘80∶20’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表2】
    例4     例5     例6     例7     例8     比较例2     例9
  膜结构第1介质层状态变化促进材料层第2介质层反射层 80∶20(20nm)Ti(10nm)80∶20(20nm) 80∶20(20nm)Bi(6nm)80∶20(20nm) 80∶20(60nm)Ge(12nm)80∶20(60nm) 80∶20(20nm)Si(10nm)80∶20(60nm) 80∶20(60nm)C(12nm)80∶20(60nm) 80∶20(20nm)V(10nm)80∶20(20nm) 80∶20(20nm)W(12nm)80∶20(20nm)
  8TC/N(dB)     61.3     47.1     48.1     40.1     38.2     45.6     31
    ‘80∶20’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比。这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表3】
    例11     例12     例13     例14     比较例1     比较例2     比较例3
  膜结构第1介质层状态变化促进材料层第2介质层反射层 80∶20(20nm)Zr(10nm)80∶20(20nm) 80∶20(20nm)Zn(10nm)80∶20(20nm) 80∶20(20nm)Mg(10nm)80∶20(20nm) 80∶20(20nm)Mn(10nm)80∶20(20nm) 80∶20(20nm)Al(10nm)80∶20(20nm) 80∶20(60nm)Cu(10nm)80∶20(60nm) 80∶20(60nm)Au(12nm)80∶20(60nm)
  8TC/N(dB)     51.7     37.8     48.3     55.1     1.6     2.4     -
    ‘80∶20’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比。这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表4】
    例15     例16     例17     比较例4
    膜结构记录层反射层 Sn+80∶20(10nm) Ag+80∶20(10nm) Ti+80∶20(30nm) Sn(6nm)
   8TC/N(dB)     51.1     43.4     51.2     29.1
  ‘80∶20’、‘50∶50’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比。这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
    例18     例19     例20     例21
    膜结构第1介质层状态变化促进层第2介质层反射层 Ta2O5(60nm)Sn(6nm)Ta2O5(60nm) AlN(60nm)Sn(6nm)AlN(60nm) ZnS(60nm)Sn(6nm)ZnS(60nm) SiO2(60nm)Sn(12nm)SiO2(60nm)
    8TC/N(dB)     48.8     40.1    49.2     49.2
    ()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表5】
    例22     例23     例24     例25     例26
    膜结构记录层反射层 80∶20+Mg(30nm) 80∶20+Nb(50nm) 80∶20+Bi(10nm) 80∶20+MgAu(30nm) 80∶20+Al(15nm)
    8TC/N(dB)     55.7     50.2     51.2     52.8     55.4
    例27     例28     例29     例30
    膜结构记录层反射层 80∶20+Au(20nm) 80∶20+Cu(15nm) 80∶20+Ta(20nm) 80∶20+Si(40nm)
   8TC/N(dB)     48.9     49.5     46.6     48.6
    ‘80∶20’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比。这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表6】
    例31     例32     例33     例34     例35
    膜结构记录层反射层 MgO+Mg(30nm) MgF+Mg(30nm) SiO2+Mg(20nm) ZnS+Mg(20nm) LaSiON+Mg(15nm)
    8TC/N(dB)     35.1     48.2     55.4     52     52.3
    ()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表7】
    例36     例37     例38     例39
    膜结构记录层反射层 Si3N4+Ti(50nm) ZnS+Ti(30nm) TiO2+Ti(30nm) SiO2+Ti(50nm)
    8TC/N(dB)     42.3     50.1     48.3     44.7
    例40     例41     例42     例43
    膜结构记录层反射层 SiC+Ti(30nm) 80∶20+Ti(10nm) 50∶50+Ti(10nm) Ta2O5+Ti(35nm)
  8TC/N(dB)     51.6     51.2     45.4     48.5
    ‘80∶20’、‘50∶50’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表8】
    例44     例45     例46     例47     例48
    膜结构记录层反射层 InSnO+Sn(50nm) 80∶20+Sn(10nm) 80∶20+Nb(50nm) Ta2O5+Nb(25nm) TiO2+Nb(35nm)
8TC/N(dB) 40.9 32.1 50.2 45.4 54.6
    例49     例50     例51     例52
    膜结构记录层反射层 80∶20+Al(15nm) LaSiON+Al(40nm) Ta2O5+Al(25nm) TiO2+Al(35nm)
 8TC/N(dB)     55.4     49.3     50.5     48.9
    ‘80∶20’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
【表9】
    例53     例54     例55
    膜结构记录层 ZnS+Zn(30nm) ZnO+Zn(30nm) 80∶20+Zn(30nm)
 8TC/N(dB)     47     48.2     49.5
    ‘80∶20’表示ZnS+SiO2中的ZnS∶SiO2的摩尔比这里，省略了ZnS∶SiO2的记述。()内的数值表示记录层整体的厚度。
从这些表所示的结果可知，在例1～55中，可获得C/N比为35dB以上的良好结构，使用这些光记录媒体，可获得可充分进行光记录-重放的结果。
此外，在例1的结构中，在记录前后可获得X射线衍射图形。在该X射线衍射中，X射线使用Cu-Kα，阴极管电压＝50kV，阴极管电流＝300mA。衍射峰值的鉴定是与JCPD卡进行核对。例如，β-Sn是04-0673号的材料，通过于其核对，可知β-Sn的衍射位置。
通过X射线衍射来对例1(ZnS-SiO2(80∶20)/Sn/ZnS-SiO2(80∶20)叠层型)的结构中记录部分和未记录部分进行解析(参照图5A、图5B)。
在未记录时(图5A)，可看到β-Sn的衍射峰值和ZnS的宽大的衍射峰值，由此可知Sn为晶体，ZnS是非晶体。记录后(图5B)，可明显看到ZnS的尖锐的衍射峰值，可知产生了结晶。此外，对于Sn，也观察β-Sn的衍射峰值，未观察到SnO2、SnS的衍射峰值。
即，Sn例如在SnO等中不变化而原样保留。或者，可知ZnS变成增大的仍然是ZnS的原子团。
如以上说明，根据本发明的光记录重放方法和光记录媒体，以减小对环境产生的负荷并且简单的结构，可以通过至今还没有的新的方法来进行数据的记录-重放。

Claims (12)

1.一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使原子团直径的可增大变化的原子团状的母材和原子团状的状态变化促进材料相邻存在，从外部向所述母材施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过增大变化该母材的原子团直径来改变光学特性，并且，读取伴随该光学特性变化的反射率的变化，重放所述信息。
2.如权利要求1的光记录重放方法，其特征在于，将所述母材形成膜状，使状态变化促进材料相邻存在。
3.一种光记录重放方法，其特征在于，在基板上，至少使原子团直径可增大变化的原子团状的母材和原子团状的状态变化促进材料混合并膜状地存在，并对此从外部施加按照要被记录的信息进行了强度调制的能量，通过增大变化该母材和状态变化促进材料的至少一方的原子团直径来改变光学特性，并且读取伴随该光学特性的反射率的变化，重放所述信息。
4.如权利要求1、2或3的光记录重放方法，其特征在于，在所述母材中，存在用于使其定常状态稳定的稳定材料。
5.如权利要求1、2或3的光记录重放方法，其特征在于，通过照射激光束来施加所述能量。
6.如权利要求4的光记录重放方法，其特征在于，通过照射激光束来施加所述能量。
7.一种光记录媒体，包括：基板；以及至少包含在所述基板上相邻设置的状态变化促进材料和电介质材料的记录层；其特征在于，状态变化促进材料由从[Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag]的元素组中选择出的一种元素构成，将外径为1～20nm的原子团进行分散并构成2～20nm的膜厚，所述电介质材料含有在记录光照射时通过所述元素使原子团直径增大变化的原子团状的状态变化材料，并将其作为母材。
8.一种光记录媒体，在基板上至少设有记录层，其特征在于，所述记录层包含从[Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta]的元素组中选择出的一种元素、以及与其混合的在记录光照射时通过所述元素使原子团直径增大变化的状态变化材料，其膜厚为2～50nm，并且所述元素和状态变化材料都是外径为1～50nm的原子团状。
9.一种光记录媒体，在基板上至少设有记录层，其特征在于，所述记录层由包含从[Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Ag、Al、Nb、Au、Cu、Ta]的元素组中选择出的一种元素和状态变化材料成分的、外径为1～50nm的多成分原子团构成，其膜厚为1～50nm，所述状态变化材料由记录光照射时通过所述元素使原子团直径增大变化的材料构成。
10.如权利要求7至9任何一项的光记录媒体，其特征在于，所述状态变化材料从在照射蓝色区域的激光时，通过所述元素使原子团直径增大变化的材料中选择。
11.如权利要求7至9任何一项的光记录媒体，其特征在于，所述状态变化材料包含从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5、MgO、MgF、LaSiON、Si3N4、TiO2、SiC、InSnO中选择的至少一种材料，并将其作为主要成分。
12.如权利要求10的光记录媒体，其特征在于，所述状态变化材料包含从Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Ta2O5、MgO、MgF、LaSiON、Si3N4、TiO2、SiC、InSnO中选择的至少一种材料，并将其作为主要成分。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7235501B2 (en) * 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
JP4401987B2 (ja) * 2005-03-15 2010-01-20 昭和電工株式会社 熱アシスト磁気記録媒体
US7410910B2 (en) * 2005-08-31 2008-08-12 Micron Technology, Inc. Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films
US20070154674A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Imation Corp. Recordable optical media with thermal buffer layer
US7972974B2 (en) 2006-01-10 2011-07-05 Micron Technology, Inc. Gallium lanthanide oxide films
US7605030B2 (en) 2006-08-31 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates
US7544604B2 (en) * 2006-08-31 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Tantalum lanthanide oxynitride films
US7759747B2 (en) 2006-08-31 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric
US7563730B2 (en) * 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
US7776765B2 (en) 2006-08-31 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates
US7432548B2 (en) * 2006-08-31 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Silicon lanthanide oxynitride films
US20080057659A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates
JP4793313B2 (ja) 2007-04-16 2011-10-12 ソニー株式会社 光情報記録媒体ならびにその記録および／または再生方法
US20100110860A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Brigham Young University Data storage media containing magnesium metal layer

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4640860A (en) * 1985-10-16 1987-02-03 Andus Corp. Optical recording coating
JPS63200331A (ja) * 1987-02-13 1988-08-18 Toshiba Corp 記録媒体及び記録再生方法
WO1991005342A1 (en) * 1989-09-28 1991-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical data recording medium and method of producing the same
TW527585B (en) * 2000-02-21 2003-04-11 Ind Tech Res Inst Compact disk device, access method of compact disk, and the compact disk
US6670016B1 (en) * 2000-11-24 2003-12-30 Korea Institute Of Science & Technology High density optical information recording medium
US20040038080A1 (en) * 2002-07-01 2004-02-26 Tdk Corporation Optical recording medium and method for recording data in the same

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