CN103000198A - 光学记录媒体以及记录材料 - Google Patents
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Abstract
一种用于光学记录媒体以及记录材料。此记录材料的化学式为BixGeyO(1-x-y)，其中的x及y分别表示铋及锗的原子数比，且满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。
Description
技术领域
本发明是有关于一种记录材料以及一种光学记录媒体。
背景技术
例如光盘(CD)及数字影音光盘(DVD)等信息记录媒体已被广泛地使用。近年来，为了提高这些光盘的记忆容量以及记录密度发展了许多技术。提高记忆容量的其中一种方式是减小光盘中轨道的间距及/或数据点的尺寸大小。另一种方式是制造多层的记录结构，亦即具有多层记录层的结构，使空间的利用率提高。然而，在这种多层结构中，记录材料必须具备高的穿透率以及被激光照射时发生稳健可靠的相变化的性质。但是，传统的记录材料无法满足这些要求，因此目前亟需一种新的记录材料，期能成功地应用在多层结构中。
发明内容
本发明的一方面是提供一种用于光学记录媒体的记录材料。此记录材料的组成的化学式为BixGeyO(1-x-y)，其中化学式的x及y分别表示铋(bismuth)及锗(germanium)的原子数比，且满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。
在一实施方式中，记录材料的消光系数为小于或等于0.3，且记录材料的折射率为约2.5至约3。
在一实施方式中，上述化学式的x及y满足以下数学式：0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
本发明的另一方面是提供一种光学记录媒体。此光学记录媒体包含一基材以及一记录层。记录层配置于基材上方。记录层的消光系数小于或等于0.3，且包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的一材料，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比，且x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。
在一实施方式中，光学记录媒体还包含一介电层接触记录层。介电层的折射率为约2.0至约2.5，且记录层的折射率为约2.5至约3.0。
本发明的另一方面是提供一种光学记录媒体。此光学记录媒体包含一基材、一第一保护层、一第二保护层、一介电层以及一记录层。第一保护层配置于基材上。第二保护层配置于第一保护层上方。一介电层位于第一及第二保护层之间，且介电层的折射率为约2.0至约2.5。记录层接触介电层，且记录层的折射率为约2.5至约3.0。记录层包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的材料，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比，且x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。
在一实施方式中，第一及第二保护层各自的折射率为约2.0至约2.7。
在一实施方式中，记录层的折射率与介电层的折射率的差异为约0.25至约0.55。
在一实施方式中，至少一第一及第二保护层包含至少一材料，是选自硫化锌(ZnS)、二氧化硅(SiO2)、氧化铬(Cr2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化铈(CeO2)以及氧化铝(Al2O3)所组成的群组。
在一实施方式中，介电层包含一材料，是选自硫化锌(ZnS)、二氧化硅(SiO2)、氧化铬(Cr2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化铈(CeO2)以及氧化铝(Al2O3)所组成的群组。
在一实施方式中，介电层的厚度为约30nm至约40nm。
在一实施方式中，记录层的厚度为约15nm至约30nm。
本发明的另一方面是提供一种光学记录媒体。此光学记录媒体依序包含一基材、一第一、一第二以及一第三记录结构。第一记录结构包含一第一介电层以及一第一记录层。第一介电层配置于基材上方。第一记录层配置且接触于第一介电层上。第二记录结构位于第一记录结构上方，且第二记录结构包含一第二介电层以及一第二记录层。第二介电层配置于第一记录层上方，且第二记录层配置且接触于第二介电层上。第三记录结构位于第二记录结构上方，且第三记录结构包含一第三介电层以及一第三记录层。第三介电层配置于第二记录层上方，且第三记录层配置且接触于第三介电层上。每一第一、第二及第三记录层的消光系数小于或等于0.3，且包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的材料，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比，且x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。第一、第二及第三介电层各自的折射率为约2.0至约2.5。
在一实施方式中，光学记录媒体还包含一第一、一第二、一第三、一第四、一第五以及一第六保护层。第一及第二保护层分别配置于第一记录层的上方及下方。第三及第四保护层分别配置于第二记录层的上方及下方。第五及第六保护层分别配置于第三记录层的上方及下方。
在一实施方式中，每一第一、第二、第三、第四、第五以及第六保护层的折射率为约2.0至约2.7。
在一实施方式中，化学式的x及y满足以下数学式：0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
在一实施方式中，第三记录层的一厚度小于第一以及第二记录层各自的一厚度。
在一实施方式中，每一第一、第二及第三介电层的厚度分别大于每一第一、第二及第三记录层的厚度。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：
图1绘示本发明一实施方式的光学记录媒体的剖面示意图；
图2绘示本发明另一实施方式的光学记录媒体的剖面示意图；
图3绘示本发明的实施例中氧原子数比与记录材料折射率的关系图。
【主要元件符号说明】
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。
在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。
根据本发明的一方面，是揭露一种用于光学记录媒体的记录材料。此记录材料以化学式BixGeyO(1-x-y)表示，其中x及y分别表示铋(bismuth)及锗(germanium)的原子数比(atomic ratio)。化学式中的x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。在此揭露的记录材料可应用在多层的记录结构中。
明确而言，此记录材料中的氧的原子数比(1-x-y)小于0.62，但大于或等于0.55。再者，铋对锗的原子比(x/y)在2.8至25的范围内。
在一实施方式中，化学式中的铋的原子数比(x)以及锗的原子数比(y)满足以下数学式：0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
在另一实施方式中，此记录材料的消光系数为小于或等于0.3。本文中，“消光系数”是指多个折射率中的虚数部分，其是关于光线的吸收。
根据本发明的另一方面，是揭露一种光学记录媒体。图1绘示本发明一实施方式的光学记录媒体的剖面示意图。光学记录媒体100包括基材110以及配置在基材110上方的记录层140。
基材110上具有多个沟槽，用以作为光学记录媒体100的轨道。基材100的厚度通常为1.1mm。基材100的材质包括但不限于聚碳酸酯树脂(polycarbonate resin)、压克力树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、聚苯乙烯树脂(polystyrene resin)、聚乙烯树脂(polyethylene resin)、聚丙烯树脂(polypropylene resin)、硅氧树脂(silicone resin)、树脂含氟树脂(fluorine-basedresin)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂(ABS resin)以及胺基甲酸乙酯树脂(urethaneresin)。
记录层140包含一记录材料。当此记录材料被激光照射时，此记录材料的光学性质(例如反射率及穿透率)将会改变。明确地说，激光可让记录材料发生相变化，被激光照射的区域的光学性质不同于未被照射的区域。经由上述程序，资料数据可通过激光而被“写”入记录层。
记录材料的组成可以化学式BixGeyO(1-x-y)表示，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比。化学式中的x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。具体而言，在此揭露的记录材料可应用在多层的记录结构中，且可降低写入及/或读取的错误率。错误率能够以随机符号错误率(RandomSymbol Error Rate，RSER)来测量。RSER的数值愈大，表示记录层中出现较多的错误数据。
记录材料中氧原子的比例(1-x-y)必须小于0.62。图3绘示本发明的实施例中氧原子数比与记录材料的折射率的关系图。当氧原子数比大于0.62时，记录材料的折射率太低，而很难将此记录材料应用在多层的记录结构中，特别是在三层的记录结构中。但是，记录材料的氧原子数比(1-x-y)必须大于0.55，以让记录材料的折射率维持在可接受的范围内。在一实施方式中，记录材料的折射率为约2.5至约3.0。
当记录材料的氧原子数比(1-x-y)小于0.62时，铋对锗的原子比(x/y)在2.8至25的范围是非常重要的。如果铋对锗的原子比(x/y)超出这个范围，这样的材料无法在激光的照射区与未照射区之间呈现出清楚明确的光学性质差异。
在一实施方式中，记录材料的消光系数较佳为小于或等于0.3。具体而言，当记录层的消光系数不大于0.3时，激光可穿透多数层的记录层而没有被明显地吸收。因此，激光可具有足够的能量来对下层的记录层进行有效的“写入”，所以这样的记录材料可适用在多层的记录结构中。在一实施例中，记录材料的化学式中的x及y还满足以下数学式：0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
在某些实施例中，记录层140的厚度为约15nm至约30nm。当记录层140的厚度低于上述范围时，数据无法被正确地写入记录层140中，因此所测量的RSER可能在无法被接受的程度。另一方面，当记录层140的厚度大于上述范围时，记录层140的穿透率会下降，因此不利于使用在多层记录层的结构中。
在一实施方式中，光学记录媒体100还包含一介电层130，其接触于记录层140。当激光照射在记录层140时，介电层130有助于让激光精准地进行写入。在此揭露的介电层130是被设计来与记录层140共同作用。在一实施方式中，当记录层140的折射率为约2.5至约3.0时，介电层130的折射率为约2.0至约2.5。在一具体实例中，记录层140的折射率与介电层130的折射率的差异为约0.25至约0.55，更明确地为约0.3至约0.5。虽然图1中绘示介电层130位于记录层140的下方，但是介电层130可以配置在记录层140的上方或下方。在某些实施例中，介电层130的厚度为约30nm至约40nm。介电层130的厚度可根据记录层140的性质而予以最佳化。值的注意的是，图1绘示的光学记录媒体100中并不包含任何已知技术中使用的金属反射层。
介电层130的适合材料包括但不限于硫化锌(ZnS)、二氧化硅(SiO2)、氧化铬(Cr2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化铈(CeO2)、氧化铝(Al2O3)以及上述的组合。
在一实施方式中，光学记录媒体100还包括一第一保护层120以及一第二保护层150，如图1所示。第一保护层120形成在基材110上，而第二保护层150配置在第一保护层120上方。如上所述，因为介电层130可以配置在记录层140的上方或下方，所以介电层130可位于第一保护层120与记录层140之间，或者位于第二保护层150与记录层140之间。第一及第二保护层120、150可避免水气进入记录层140，并因此防止记录层140被水气侵蚀及其他形式的损毁。在一实施例中，第一及第二保护层120、150的折射率约在2.0至2.7的范围内。第一保护层120的折射率可与第二保护层150的折射率相同或不同。在一实施例中，第一保护层120的折射率大于介电层130的折射率。
第一及第二保护层120、150的适合材料包括但不限于硫化锌(ZnS)、二氧化硅(SiO2)、氧化铬(Cr2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二铌(Nb2O5)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2)、二氧化铈(CeO2)以及氧化铝(Al2O3)。
光学记录媒体100还包括一透明覆盖层160，其配置在第二保护层150上。透明覆盖层160可由紫外光可硬化压克力树脂或紫外光可硬化环氧树脂所制成。透明覆盖层160的厚度可为约50μm至约100μm。
图2绘示本发明另一实施方式的光学记录媒体200的剖面示意图。光学记录媒体200依序包含基材201、第一记录结构210、第二记录结构220以及第三记录结构230。
基材201可与前文中关于图1所述的基材110相同。
第一记录结构210包含第一介电层214以及第一记录层216。第一介电层214配置在基材201上方，而第一记录层216配置在第一介电层214上，并且接触第一介电层214。第二记录结构220位于第一记录结构210上方，第二记录结构220包含第二介电层224以及第二记录层226。第二介电层224配置在第一记录层216上方，第二记录层226配置在第二介电层224上，并且接触第二介电层224。类似地，第三记录结构230配置在第二记录结构220上方，第三记录结构230包含第三介电层234以及第三记录层236。第三介电层234配置在第二记录层226上方，而第三记录层236配置在第三介电层234上，并且第三记录层236接触第三介电层234。在本实施方式中，每一层的第一、第二及第三记录层216、226、236各自的消光系数小于或等于0.3，并且每一第一、第二及第三记录层216、226、236包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的材料，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比。如上所述，铋的原子数比(x)以及锗的原子数比(y)满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。再者，每一层的第一、第二及第三介电层214、224、234各自的折射率为约2.0至约2.5。
在一实施例中，每一层的介电层214、224、234的厚度大于每一层的记录层216、226、236的厚度。具体而言，记录层216、226、236的厚度可为约15nm至约30nm，介电层214、224、234的厚度可为约30nm至约40nm。在另一实施例中，第三记录层236(最上层的记录层)的厚度小于各自记录层216、226的厚度。
在一实施方式中，光学记录媒体200还包含第一保护层212、第二保护层218、第三保护层222、第四保护层228、第五保护层232以及第六保护层238。第一及第二保护层212、218分别配置在第一记录结构210的下方及上方。类似地，第三及第四保护层222、228分别配置在第二记录结构220的下方及上方。再者，第五及第六保护层232、238分别配置在第三记录结构230的下方及上方。在某些实施例中，每一层的第一、第二、第三、第四、第五以及第六保护层212、218、222、228、232、238各自的折射率为约2.0至约2.7。
在另一实施方式中，光学记录媒体200还包含第一间隔层202、第二间隔层203以及透明覆盖层240，分别配置在第二、第四及第六保护层218、228、238上。第一及第二间隔层202、203以及透明覆盖层240可由透明的紫外光可硬化树脂所制成。此外，第一、第二间隔层202、203以及透明覆盖层240的厚度可分别为约20-30μm、15-25μm以及50-60μm。
实施例
以下的实施例是用以详述本发明的特定方式，并使本发明所属技术领域中具有通常知识者得以实施本发明。以下的实施例不应用以限制本发明。
实施例1-6
根据上述的实施方式来制造来数个光学记录媒体。在实施例1-6中，光学记录媒体为具有单一层记录层的结构，如图1所示。基材的材质是聚碳酸酯树脂，并利用射出成形来基材。基材的厚度为1.1mm。基材的表面形成有多条的沟槽，且每一个沟槽的深度为20nm。通过溅镀方式，将第一保护层、介电层、记录层以及第二保护层依序地形成在基材上。接后，在保护层上形成透明覆盖层(亦即，紫外光可硬化树脂)。最后，以PLUSTEC Industrial Co.，Ltd.生产的光盘评估机器(ODU-1000)来测量所得到的光学记录媒体的RSER。实施例1-6的重要参数汇整于表1。
在实施例1-6中，是以不同组成的材料来形成记录层。第一及第二保护层是以TiO2制成。介电层是使用含有ZnS以及SiO2的靶材经溅镀来形成，靶材中ZnS及SiO2的含量分别为80mol％及20mol％。实施例1-5的记录材料中氧原子含量(氧原子数比)低于0.62。所有实施例1-6的光学记录媒体的RSER数值都很低，RSER为约10-3至约10-4，因此能够被使用。较特别的是实施例2，其RSER的数值仅1.65×10-4。
表1
实施例7-10
在实施例7-10中，使用实施例2的记录材料Bi36Ge3.3O60.7来制造数个光学记录媒体。实施例7-10的重要参数汇整于表2。在实施例7中，光学记录媒体不包含介电层，因此记录层是直接形成在第一保护层上。在实施例8中，光学记录媒体不包含第一保护层。实施例9-10光学记录媒体的结构与实施例1-6的光学记录媒体相似。
实施例7的光学记录媒体(不包含介电层)的错误率太高，无法被ODU-1000测量，所以实施例7的光学记录媒体无法被实际使用。然而，实施例8的光学记录媒体既使不具有第一保护层，其错误率已经足够低而能够被使用。因此，本发明的其中一个特征是介电层有助于让数据正确地写入记录层中。实施例9-10的RSER分别为2.54×10-4及5.31×10-4。
表2
实施例11-12
实施例11-12的光学记录媒体的结构与实施例1-6的光学记录媒体相似。但是，实施例11是使用铌氧化物(Niobium oxide)来形成第一保护层，实施例12是使用二氧化钛来形成第一保护层。两个实施例的错误率都够低，能够被使用，但是实施例12的RSER低于实施例11的RSER。实施例11-12的重要参数汇整于表3中。
表3
实施例13
在本实施例中，所形成的光学记录媒体的结构与实施例1-6的光学记录媒体相似，除了第一保护层是由两层的子层所组成(亦即、子层1及子层2)。子层1及子层2分别由铌氧化物及TiO2所制成。实施例13的详细参数汇整在表4。实施例13的RSER为2.01×10-4。
表4
实施例14-22
在实施例14-22中，所形成的光学记录媒体的结构与实施例1-6的光学记录媒体相似。在实施例14-22中，改变第一保护层的厚度、介电层的厚度、记录层的厚度以及第二保护层的厚度。在这些实施例中，第一保护层的厚度范围为16.9nm至21.4nm。介电层的厚度范围为30nm至38nm。记录层的厚度范围为22nm至28.6nm。第二保护层的厚度范围为14.6nm至19.1nm。这些实施例的RSER数值都在约10-3至约10-4之间。实施例14-22的详细参数整理在表5中。
表5
实施例23
在本实施例中，所形成的光学记录媒体的结构与图2绘示的结构相似，除了本实施例仅采用两个记录结构之外。简言之，实施例23的光学记录媒体包含一第一记录结构、一第二记录结构以及一间隔层配置在其间。第一记录结构依序包含一第一保护层、一第一介电层、一第一记录层以及一第二保护层。相似地，第二记录结构依序包含一第三保护层、一第二介电层、一第二记录层以及一第四保护层，第三保护层位于间隔层上。实施例23的重要参数汇整在表6中。在本实施例中，第一记录结构的RSER为5.26×10-4，第二记录结构的RSER为4.44×10-4。
表6
实施例24
在本实施例中，所形成的光学记录媒体的结构与图2绘示的结构相同。此光学记录媒体包含三个记录结构。本实施例的重要参数汇整在表7中。在本实施例中，第一记录结构的RSER为3.26×10-4，第二记录结构的RSER为9.58×10-4，第三记录结构的RSER为3.29×10-4。
表7
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (20)
1.一种用于光学记录媒体的记录材料，其特征在于，该记录材料的组成的化学式为BixGeyO(1-x-y)，且该记录材料的一光学性质因一激光照射而改变，其中该化学式的x及y分别表示铋及锗的原子数比，且满足以下数学式：
2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。
2.根据权利要求1所述的用于光学记录媒体的记录材料，其特征在于，该记录材料的消光系数为小于或等于0.3。
3.根据权利要求1所述的用于光学记录媒体的记录材料，其特征在于，该记录材料的折射率为约2.5至约3。
4.根据权利要求1所述的用于光学记录媒体的记录材料，其特征在于，该化学式的x及y满足以下数学式：0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
5.一种光学记录媒体，其特征在于，包含：
一基材；以及
一记录层，配置于该基材上方，其中该记录层的消光系数小于或等于0.3，且包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的一材料，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比，且x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。
6.根据权利要求5所述的光学记录媒体，其特征在于，还包含一介电层接触该记录层，其中该介电层的折射率为约2.0至约2.5，且该记录层的折射率为约2.5至约3.0。
7.根据权利要求5所述的光学记录媒体，其特征在于，x及y满足以下数学式：0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
8.一种光学记录媒体，其特征在于，包含：
一基材；
一第一保护层，配置于该基材上；
一第二保护层，配置于该第一保护层上方；
一介电层，位于该第一及该第二保护层之间，且该介电层的折射率为约2.0至约2.5；以及
一记录层接触该介电层，且该记录层的折射率为约2.5至约3.0，其中该记录层包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的一材料，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比，且x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62。
9.根据权利要求8所述的光学记录媒体，其特征在于，该第一及该第二保护层各自的折射率为约2.0至约2.7。
10.根据权利要求8所述的光学记录媒体，其特征在于，该记录层的折射率与该介电层的折射率的差异为约0.25至约0.55。
11.根据权利要求8所述的光学记录媒体，其特征在于，至少一该第一及第二保护层包含至少一材料，是选自硫化锌、二氧化硅、氧化铬、二氧化锆、二氧化钛、五氧化二铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锌、二氧化锡、二氧化铈以及氧化铝所组成的群组。
12.根据权利要求8所述的光学记录媒体，其特征在于，该介电层包含一材料是选自硫化锌、二氧化硅、氧化铬、二氧化锆、二氧化钛、五氧化二铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锌、二氧化锡、二氧化铈以及氧化铝所组成的群组。
13.根据权利要求8所述的光学记录媒体，其特征在于，该介电层的厚度为约30nm至约40nm。
14.根据权利要求8所述的光学记录媒体，其特征在于，该记录层的厚度为约15nm至约30nm。
15.一种光学记录媒体，其特征在于，包含：
一基材；
一第一记录结构，包含：
一第一介电层，配置于该基材上方；以及
一第一记录层，配置且接触于该第一介电层上；
一第二记录结构，位于该第一记录结构上方，且该第二记录结构包含：
一第二介电层，配置于该第一记录层上方；以及
一第二记录层，配置且接触于该第二介电层上；以及
一第三记录结构，位于该第二记录结构上方，该第三记录结构包含：
一第三介电层，配置于该第二记录层上方；以及
一第三记录层，配置且接触于该第三介电层上；
其中每一该第一、第二及第三记录层的消光系数小于或等于0.3，且包含以化学式BixGeyO(1-x-y)表示的一材料，其中x及y分别表示铋及锗的原子数比，且x及y满足以下数学式：2.8≤(x/y)≤25以及0.55≤(1-x-y)＜0.62；且其中
每一该第一、第二及第三介电层的折射率为约2.0至约2.5。
16.根据权利要求15所述的光学记录媒体，其特征在于，还包含一第一、一第二、一第三、一第四、一第五以及一第六保护层，其中该第一及第二保护层分别配置于该第一记录层的上方及下方，该第三及第四保护层分别配置于该第二记录层的上方及下方，以及该第五及第六保护层分别配置于该第三记录层的上方及下方。
17.根据权利要求16所述的光学记录媒体，其特征在于，每一该第一、第二、第三、第四、第五以及第六保护层的折射率为约2.0至约2.7。
18.根据权利要求15所述的光学记录媒体，其特征在于，该化学式的x及y满足以下数学式：0.2≤x≤0.4以及0.01≤y≤0.15。
19.根据权利要求15所述的光学记录媒体，其特征在于，该第三记录层的一厚度小于该第一以及该第二记录层各自的一厚度。
20.根据权利要求15所述的光学记录媒体，其特征在于，每一该第一、第二及第三介电层的厚度分别大于每一该第一、第二及第三记录层的厚度。
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Families Citing this family (1)
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| JP7209228B2 (ja) * | 2018-08-09 | 2023-01-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 情報記録媒体およびその製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1383551A (zh) * | 2000-06-16 | 2002-12-04 | 三菱化学株式会社 | 光信息记录介质 |
| CN1567442A (zh) * | 2003-07-08 | 2005-01-19 | 铼德科技股份有限公司 | 高记录密度光学记录媒体的读取方法 |
| CN1691168A (zh) * | 2004-04-22 | 2005-11-02 | Tdk股份有限公司 | 光记录媒体 |
| CN1897134A (zh) * | 2005-07-15 | 2007-01-17 | Tdk股份有限公司 | 光记录介质 |
| CN1905030A (zh) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | 精碟科技股份有限公司 | 蓝光光碟 |
| US20100003446A1 (en) * | 2007-01-30 | 2010-01-07 | Yoshitaka Hayashi | Optical recording medium, and sputtering target and method for producing the same |
| WO2011034153A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
| WO2011062021A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｂｉ－Ｇｅ－Ｏ系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光記録媒体 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7065035B1 (en) * | 1999-10-25 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical multilayer disk, multiwavelength light source, and optical system using them |
| JP4127789B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2008-07-30 | 株式会社東芝 | 相変化光記録媒体 |
| US7074471B2 (en) * | 2003-03-27 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the medium, and method and apparatus for recording information using the medium |
| TW201506921A (zh) * | 2003-07-24 | 2015-02-16 | Panasonic Corp | 資訊記錄媒體及其製造方法 |
| DE602004013508D1 (de) * | 2003-10-08 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Informationsaufzeichnungsmedium, Herstellungsverfahren und Sputtertarget hierzu |
| TW200601322A (en) * | 2004-04-07 | 2006-01-01 | Hitachi Maxell | Information recording medium |
-
2011
- 2011-09-09 US US13/228,469 patent/US8435620B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-27 TW TW101110608A patent/TWI466113B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-03-27 CN CN201210089493.1A patent/CN103000198B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1383551A (zh) * | 2000-06-16 | 2002-12-04 | 三菱化学株式会社 | 光信息记录介质 |
| CN1567442A (zh) * | 2003-07-08 | 2005-01-19 | 铼德科技股份有限公司 | 高记录密度光学记录媒体的读取方法 |
| CN1691168A (zh) * | 2004-04-22 | 2005-11-02 | Tdk股份有限公司 | 光记录媒体 |
| CN1897134A (zh) * | 2005-07-15 | 2007-01-17 | Tdk股份有限公司 | 光记录介质 |
| CN1905030A (zh) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | 精碟科技股份有限公司 | 蓝光光碟 |
| US20100003446A1 (en) * | 2007-01-30 | 2010-01-07 | Yoshitaka Hayashi | Optical recording medium, and sputtering target and method for producing the same |
| WO2011034153A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
| WO2011062021A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｂｉ－Ｇｅ－Ｏ系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光記録媒体 |
Also Published As
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