JP2002225436A - 光情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓｂ及びＴｅを有する相変化記録材料を記録
層とする光情報記録媒体であって、該記録層が空間群Ｆ
ｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する光情報記録
媒体において、記録層組成の再設計を行うことなく、初
期化プロセスを不要とする光情報記録媒体を提供するこ
と。 【解決手段】 該記録層の少なくとも一部分に接して、
高融点のＢｉ化合物からなる結晶化促進層を設けること
を主要な構成とする。その他８項ある。
層とする光情報記録媒体であって、該記録層が空間群Ｆ
ｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する光情報記録
媒体において、記録層組成の再設計を行うことなく、初
期化プロセスを不要とする光情報記録媒体を提供するこ
と。 【解決手段】 該記録層の少なくとも一部分に接して、
高融点のＢｉ化合物からなる結晶化促進層を設けること
を主要な構成とする。その他８項ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、更に詳しくは、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、−
ＲＷ、＋ＲＷなどのメディアとして使用される、書き換
え可能な相変化型光情報記録媒体であって、空間群Ｆｍ
３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する記録層を有す
る光情報記録媒体及びその製造方法に関するものであ
る。
関し、更に詳しくは、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、−
ＲＷ、＋ＲＷなどのメディアとして使用される、書き換
え可能な相変化型光情報記録媒体であって、空間群Ｆｍ
３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する記録層を有す
る光情報記録媒体及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】レーザビーム照射により情報の記録、再
生及び消去が可能な光情報記録媒体として、結晶状態と
非晶質（アモルファス）状態の可逆的相変化を利用した
相変化ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、−ＲＷ、＋ＲＷな
どのメディアとしての商品化が期待されている。
生及び消去が可能な光情報記録媒体として、結晶状態と
非晶質（アモルファス）状態の可逆的相変化を利用した
相変化ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、−ＲＷ、＋ＲＷな
どのメディアとしての商品化が期待されている。
【０００３】上記相変化型光情報記録媒体のうち、記録
層が空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有す
る記録層で構成されたものについて研究、開発が進めら
れている（特願平１０−２１７０６９号等）。この準安
定相はＳｂ−Ｔｅ共晶構造の記録層とは異なっており、
ＳｂとＳｂ2 Ｔｅ3 とに分離せず、結晶粒界に起因する
記録マークの乱れも生じない。そのため、空間群Ｆｍ３
ｍに属する準安定Ｓｂ 3 Ｔｅ相を有する記録層を用いた
ものは、高密度記録が可能となる長所をもっている。さ
らに、この準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する記録層は繰り返
し記録時の熱衝撃に強いため、優れた繰り返し記録特性
を有している。
層が空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有す
る記録層で構成されたものについて研究、開発が進めら
れている（特願平１０−２１７０６９号等）。この準安
定相はＳｂ−Ｔｅ共晶構造の記録層とは異なっており、
ＳｂとＳｂ2 Ｔｅ3 とに分離せず、結晶粒界に起因する
記録マークの乱れも生じない。そのため、空間群Ｆｍ３
ｍに属する準安定Ｓｂ 3 Ｔｅ相を有する記録層を用いた
ものは、高密度記録が可能となる長所をもっている。さ
らに、この準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する記録層は繰り返
し記録時の熱衝撃に強いため、優れた繰り返し記録特性
を有している。
【０００４】ところで、上記の準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有
する記録層を用いた相変化型光情報記録媒体では、記録
層はスパッタリングや蒸着などの真空製膜法で製膜さ
れ、製膜直後の膜は、通常、非晶質状態となっている。
一方、製品化された光情報記録媒体の記録層は結晶状態
でなければならない。なぜなら、 相転移を利用する書き
換え型の光情報記録担体では、一般に記録膜が記録状態
では非晶質状態に、消去（初期化）状態では結晶状態に
設定されるからである。このため、記録層の製膜直後
に、レーザビーム照射などの熱処理を施して記録層を結
晶化させる初期化プロセスが必要であった。
する記録層を用いた相変化型光情報記録媒体では、記録
層はスパッタリングや蒸着などの真空製膜法で製膜さ
れ、製膜直後の膜は、通常、非晶質状態となっている。
一方、製品化された光情報記録媒体の記録層は結晶状態
でなければならない。なぜなら、 相転移を利用する書き
換え型の光情報記録担体では、一般に記録膜が記録状態
では非晶質状態に、消去（初期化）状態では結晶状態に
設定されるからである。このため、記録層の製膜直後
に、レーザビーム照射などの熱処理を施して記録層を結
晶化させる初期化プロセスが必要であった。
【０００５】しかしながら、上記初期化プロセスには３
０秒以上の時間が必要であるため、スループットがダウ
ンし、量産を行う場合には初期化プロセスのための装置
が多数台必要となり、設備費が高価になるのみでなく製
品コストの上昇を招く。
０秒以上の時間が必要であるため、スループットがダウ
ンし、量産を行う場合には初期化プロセスのための装置
が多数台必要となり、設備費が高価になるのみでなく製
品コストの上昇を招く。
【０００６】こうしたことから、記録層の少なくとも一
部分に接してＢｉ又はその化合物からなる結晶化促進層
を設けることにより記録層が製膜後に結晶化するように
し、それにより、初期化工程を不要とすることが提案さ
れた（特願平１１−２６６９７０号）。
部分に接してＢｉ又はその化合物からなる結晶化促進層
を設けることにより記録層が製膜後に結晶化するように
し、それにより、初期化工程を不要とすることが提案さ
れた（特願平１１−２６６９７０号）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、結晶化
促進層は、記録、再生時には記録層と共に溶融混合する
ため、記録層の組成ずれが起こり、ディスク特性に変動
が生じる。こうした問題を解決するためには、記録層と
結晶化促進層の混合組成を考慮した材料設計を行う必要
があるが、再設計には相当の開発コストを要するため、
製品コストの上昇につながる。
促進層は、記録、再生時には記録層と共に溶融混合する
ため、記録層の組成ずれが起こり、ディスク特性に変動
が生じる。こうした問題を解決するためには、記録層と
結晶化促進層の混合組成を考慮した材料設計を行う必要
があるが、再設計には相当の開発コストを要するため、
製品コストの上昇につながる。
【０００８】本発明は、上述の問題点を解決し、記録層
組成の再設計を行うことなく、初期化プロセスを不要と
する、コストアップを招かない相変化型光情報記録媒体
を提供することを目的とする。
組成の再設計を行うことなく、初期化プロセスを不要と
する、コストアップを招かない相変化型光情報記録媒体
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、下
記の手段により達成される。本発明によれば、第一に、
請求項１では、Ｓｂ及びＴｅを有する相変化記録材料を
記録層とする光情報記録媒体であって、該記録層が空間
群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する光情報
記録媒体において、該記録層の少なくとも一部分に接し
て、高融点のＢｉ化合物からなる結晶化促進層を設けた
ことを主要な特徴とする。
記の手段により達成される。本発明によれば、第一に、
請求項１では、Ｓｂ及びＴｅを有する相変化記録材料を
記録層とする光情報記録媒体であって、該記録層が空間
群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する光情報
記録媒体において、該記録層の少なくとも一部分に接し
て、高融点のＢｉ化合物からなる結晶化促進層を設けた
ことを主要な特徴とする。
【００１０】第二に、請求項２では上記請求項１記載の
光情報記録媒体において、Ｂｉ化合物の融点が７００℃
以上であることを特徴とする。
光情報記録媒体において、Ｂｉ化合物の融点が７００℃
以上であることを特徴とする。
【００１１】第三に、請求項３では、上記請求項１また
は２記載の光情報記録媒体において、結晶化促進層が、
記録、消去、再生時のいずれにおいても、溶融しないこ
とを特徴とする。
は２記載の光情報記録媒体において、結晶化促進層が、
記録、消去、再生時のいずれにおいても、溶融しないこ
とを特徴とする。
【００１２】第四に、請求項４では、上記請求項１、２
または３記載の光情報記録媒体において、結晶化促進層
がＢｉとＣｅとの化合物からなることを特徴とする。
または３記載の光情報記録媒体において、結晶化促進層
がＢｉとＣｅとの化合物からなることを特徴とする。
【００１３】第五に、請求項５では、上記請求項１、２
または３記載の光情報記録媒体において、結晶化促進層
がＢｉとＺｒとの化合物からなることを特徴とする。
または３記載の光情報記録媒体において、結晶化促進層
がＢｉとＺｒとの化合物からなることを特徴とする。
【００１４】第六に、請求項６では、上記請求項１、
２、３、４または５記載の光情報記録媒体において、結
晶化促進層の膜厚が０．２〜５．０ｎｍであることを特
徴とする。
２、３、４または５記載の光情報記録媒体において、結
晶化促進層の膜厚が０．２〜５．０ｎｍであることを特
徴とする。
【００１５】第七に、請求項７では、上記請求項１、
２、３、４、５または６記載の光情報記録媒体におい
て、該記録層にＩｂ族元素、II族元素、III 族元素、IV
族元素、Ｖ族元素、VI族元素、希土類元素及び遷移金属
元素より選択される元素の少なくとも１つが添加されて
なることを特徴とする。
２、３、４、５または６記載の光情報記録媒体におい
て、該記録層にＩｂ族元素、II族元素、III 族元素、IV
族元素、Ｖ族元素、VI族元素、希土類元素及び遷移金属
元素より選択される元素の少なくとも１つが添加されて
なることを特徴とする。
【００１６】第八に、請求項８では、上記請求項７記載
の光情報記録媒体において、該IV族元素がＧｅであるこ
とを特徴とする。
の光情報記録媒体において、該IV族元素がＧｅであるこ
とを特徴とする。
【００１７】第九に、請求項９では、上記請求項１乃至
８のいずれか１項記載の光情報記録媒体における結晶化
促進層を基板上に第１の誘電体層、結晶化促進層、記録
層の順に製膜する光情報記録媒体の製造方法を特徴とす
る。
８のいずれか１項記載の光情報記録媒体における結晶化
促進層を基板上に第１の誘電体層、結晶化促進層、記録
層の順に製膜する光情報記録媒体の製造方法を特徴とす
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳述する。
本発明の光情報記録媒体は、基板上に上記各膜を真空製
膜法により順次製膜して作製されるが、記録層の少なく
とも一部分に接して高融点のＢｉ化合物からなる結晶化
促進層を設けたことにより、上記の準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相
を有する記録層は、製膜プロセス後には結晶化してい
る。さらに、本発明では、結晶化促進層の融点が高いた
め、記録、再生、消去いずれにおいても結晶化促進層は
溶融しない。そのため、結晶化促進層と記録層とが混合
することがなく、混合によるディスク特性の変動が起き
ない。このように、本発明ではＢｉの絶大な結晶化促進
効果を利用できる上に、結晶化促進層が記録層と溶融混
合することによる不具合をも回避することができる。従
って、記録層と結晶化促進層の混合組成を考慮した記録
層材料の再設計が不要となり、より低コストで媒体を提
供することができる。
本発明の光情報記録媒体は、基板上に上記各膜を真空製
膜法により順次製膜して作製されるが、記録層の少なく
とも一部分に接して高融点のＢｉ化合物からなる結晶化
促進層を設けたことにより、上記の準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相
を有する記録層は、製膜プロセス後には結晶化してい
る。さらに、本発明では、結晶化促進層の融点が高いた
め、記録、再生、消去いずれにおいても結晶化促進層は
溶融しない。そのため、結晶化促進層と記録層とが混合
することがなく、混合によるディスク特性の変動が起き
ない。このように、本発明ではＢｉの絶大な結晶化促進
効果を利用できる上に、結晶化促進層が記録層と溶融混
合することによる不具合をも回避することができる。従
って、記録層と結晶化促進層の混合組成を考慮した記録
層材料の再設計が不要となり、より低コストで媒体を提
供することができる。
【００１９】本発明において、記録、再生、消去時に結
晶化促進層を溶融しないようにするため、結晶化促進層
の融点は７００℃以上が望ましい。融点は高ければ高い
ほど溶融しにくいが、融点が高くなり過ぎるとターゲッ
トの作製が困難となり好ましくない。よって、好ましく
は８００℃以上１７００℃以下、より好ましくは、１０
００℃以上１５００℃以下である。
晶化促進層を溶融しないようにするため、結晶化促進層
の融点は７００℃以上が望ましい。融点は高ければ高い
ほど溶融しにくいが、融点が高くなり過ぎるとターゲッ
トの作製が困難となり好ましくない。よって、好ましく
は８００℃以上１７００℃以下、より好ましくは、１０
００℃以上１５００℃以下である。
【００２０】高融点のＢｉ化合物としては、Ｂｉ2 Ｃａ
3 （融点１２００℃）、ＢｉＣｅ3（１５２５℃）、Ｂ
ｉ3 Ｃｅ4 （１６３０℃）、ＢｉＣｅ（１４００℃）、
Ｂｉ 2 Ｃｅ（８８３℃）、ＢｉＩｒ（１４２０℃）、Ｂ
ｉＩｒ2 （１４４０℃）、ＢｉＬｉ3 （１１４５℃）、
Ｂｉ2 Ｍｇ3 （８２３℃）、ＢｉＭｎ（１０９５℃）、
ＢｉＲｈ（９９７℃）、Ｂｉ2 Ｒｈ（７７４℃）、Ｂｉ
Ｕ、Ｂｉ2 Ｚｒ（７１４℃）、ＢｉＺｒ（１３０２
℃）、Ｂｉ2 Ｚｒ3 （１４９７℃）、ＢｉＺｒ2 （１３
４２℃）、ＢｉＺｒ3 （１２９２℃）などが挙げられ
る。
3 （融点１２００℃）、ＢｉＣｅ3（１５２５℃）、Ｂ
ｉ3 Ｃｅ4 （１６３０℃）、ＢｉＣｅ（１４００℃）、
Ｂｉ 2 Ｃｅ（８８３℃）、ＢｉＩｒ（１４２０℃）、Ｂ
ｉＩｒ2 （１４４０℃）、ＢｉＬｉ3 （１１４５℃）、
Ｂｉ2 Ｍｇ3 （８２３℃）、ＢｉＭｎ（１０９５℃）、
ＢｉＲｈ（９９７℃）、Ｂｉ2 Ｒｈ（７７４℃）、Ｂｉ
Ｕ、Ｂｉ2 Ｚｒ（７１４℃）、ＢｉＺｒ（１３０２
℃）、Ｂｉ2 Ｚｒ3 （１４９７℃）、ＢｉＺｒ2 （１３
４２℃）、ＢｉＺｒ3 （１２９２℃）などが挙げられ
る。
【００２１】中でもＺｒとの化合物やＣｅとの化合物が
好ましい。この２つは、他の化合物に比べて高融点化合
物の種類が多く、ターゲット作製時やスパッタリング時
に万が一、組成ずれが起きたとしても、低融点のＢｉ
（２７１℃）が遊離しにくい。たとえば、Ｂｉ2 Ｚｒ3
の場合、ターゲット作製時にＢｉが少ない方に組成ずれ
が起きた場合、ＢｉＺｒ、ＢｉＺｒ2 の混合物、包晶と
なることはあるが、低融点のＢｉが遊離することはな
い。こうした長所に加えて、Ｚｒとの化合物は、Ｚｒが
貴金属などと比較して安価であり、また化合物が比較的
安定でターゲット作製が容易であることなどから、材料
コストを低くおさえることができる。
好ましい。この２つは、他の化合物に比べて高融点化合
物の種類が多く、ターゲット作製時やスパッタリング時
に万が一、組成ずれが起きたとしても、低融点のＢｉ
（２７１℃）が遊離しにくい。たとえば、Ｂｉ2 Ｚｒ3
の場合、ターゲット作製時にＢｉが少ない方に組成ずれ
が起きた場合、ＢｉＺｒ、ＢｉＺｒ2 の混合物、包晶と
なることはあるが、低融点のＢｉが遊離することはな
い。こうした長所に加えて、Ｚｒとの化合物は、Ｚｒが
貴金属などと比較して安価であり、また化合物が比較的
安定でターゲット作製が容易であることなどから、材料
コストを低くおさえることができる。
【００２２】また、Ｃｅとの化合物は結晶化促進効果が
特に大きく、ごく薄い膜厚でも結晶化促進効果を発揮す
る。結晶化促進効果が大きいことから、結晶化しにくい
記録層に対しても有効に使用できるため、より広い組成
範囲の記録層に対して、促進層としての効果を得ること
ができる。Ｃｅとの化合物の結晶化促進効果が大きい理
由は定かでないが、ＢｉＣｅの結晶構造がＮａＣｌ型で
あって、記録層と同一のＦｍ３ｍに属しているためだと
考えられる。
特に大きく、ごく薄い膜厚でも結晶化促進効果を発揮す
る。結晶化促進効果が大きいことから、結晶化しにくい
記録層に対しても有効に使用できるため、より広い組成
範囲の記録層に対して、促進層としての効果を得ること
ができる。Ｃｅとの化合物の結晶化促進効果が大きい理
由は定かでないが、ＢｉＣｅの結晶構造がＮａＣｌ型で
あって、記録層と同一のＦｍ３ｍに属しているためだと
考えられる。
【００２３】本発明において結晶化促進層は記録層の全
面に接して設けてもよいし、一部分に接して設けてもよ
い。また、結晶化促進層は第１の誘電体層と記録層との
間に設けてよいし、記録層と第２の誘電体層との間に設
けてもよいし、その両方に設けてもよいが、結晶化促進
作用の効果的な発揮及びスループットの向上の観点か
ら、第１の誘電体層と記録層との間に設けることが望ま
しい。また、結晶化促進層は連続膜であってもよいし、
島状の不連続膜であってもよく、ともに所望の結晶化促
進効果が得られる。結晶化促進層は、スパッタリング、
蒸着などの真空製膜法で形成される。結晶化促進層の膜
厚は０．２〜２０ｎｍ、より好ましくは０．２〜５．０
ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜２．０ｎｍである。ま
た、結晶化促進層の膜厚は記録層膜厚の１／１００〜１
／２であることが望ましく、１／５０〜１／１０である
ことがさらに望ましい。結晶化促進層の膜厚が上記の範
囲内であると、所望の結晶化促進効果が得られると共
に、結晶化促進層の光学的な影響を無視することがで
き、品質の安定した媒体の提供が可能となる。
面に接して設けてもよいし、一部分に接して設けてもよ
い。また、結晶化促進層は第１の誘電体層と記録層との
間に設けてよいし、記録層と第２の誘電体層との間に設
けてもよいし、その両方に設けてもよいが、結晶化促進
作用の効果的な発揮及びスループットの向上の観点か
ら、第１の誘電体層と記録層との間に設けることが望ま
しい。また、結晶化促進層は連続膜であってもよいし、
島状の不連続膜であってもよく、ともに所望の結晶化促
進効果が得られる。結晶化促進層は、スパッタリング、
蒸着などの真空製膜法で形成される。結晶化促進層の膜
厚は０．２〜２０ｎｍ、より好ましくは０．２〜５．０
ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜２．０ｎｍである。ま
た、結晶化促進層の膜厚は記録層膜厚の１／１００〜１
／２であることが望ましく、１／５０〜１／１０である
ことがさらに望ましい。結晶化促進層の膜厚が上記の範
囲内であると、所望の結晶化促進効果が得られると共
に、結晶化促進層の光学的な影響を無視することがで
き、品質の安定した媒体の提供が可能となる。
【００２４】本発明の光情報記録媒体の記録層には、空
間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3Ｔｅ相を有する記録
層が使用される。そして、保存信頼性の向上、記録特性
の向上など、必要に応じて、該記録層にＩｂ族元素、II
族元素、III 族元素、IV族元素、Ｖ族元素、VI族元素、
希土類元素及び遷移金属元素より選択される元素の少な
くとも１つが添加される。添加元素は、空間群Ｆｍ３ｍ
に属する準安定Ｓｂ3Ｔｅ相の出現を妨げない範囲で、
かつ記録層の結晶化温度が、２００℃を越えない範囲で
添加することができる。記録層の結晶化のしやすさは、
いずれの元素を添加した場合においても記録層の結晶化
温度に依存し、結晶化温度が低いほど結晶化しやすい。
記録層の結晶化温度は、熱分析により求めることができ
るが、昇温速度１０℃／分での測定値で考えた場合、結
晶化温度が２００℃を越えると、製膜プロセスを経ただ
けでは結晶化しなくなるので好ましくない。結晶化温度
は、好ましくは１２０℃〜２００℃、より好ましくは１
４０〜１８５℃であり、この範囲において、上記元素を
添加することができる。
間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3Ｔｅ相を有する記録
層が使用される。そして、保存信頼性の向上、記録特性
の向上など、必要に応じて、該記録層にＩｂ族元素、II
族元素、III 族元素、IV族元素、Ｖ族元素、VI族元素、
希土類元素及び遷移金属元素より選択される元素の少な
くとも１つが添加される。添加元素は、空間群Ｆｍ３ｍ
に属する準安定Ｓｂ3Ｔｅ相の出現を妨げない範囲で、
かつ記録層の結晶化温度が、２００℃を越えない範囲で
添加することができる。記録層の結晶化のしやすさは、
いずれの元素を添加した場合においても記録層の結晶化
温度に依存し、結晶化温度が低いほど結晶化しやすい。
記録層の結晶化温度は、熱分析により求めることができ
るが、昇温速度１０℃／分での測定値で考えた場合、結
晶化温度が２００℃を越えると、製膜プロセスを経ただ
けでは結晶化しなくなるので好ましくない。結晶化温度
は、好ましくは１２０℃〜２００℃、より好ましくは１
４０〜１８５℃であり、この範囲において、上記元素を
添加することができる。
【００２５】上記元素の中では、Ｇｅが中でも有効な添
加元素である。Ｇｅは保存信頼性、記録特性を向上させ
る効果が特に顕著である。Ｇｅは、Ｇｅだけを単独で添
加しても良いし、他の元素と共に添加しても良い。こう
した記録層としては、例えば、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし
て、Ｇｅだけを添加したＧｅＳｂＴｅ、Ａｇ、Ｉｎと共
に添加したＧｅＡｇＩｎＳｂＴｅ、Ｉｎと共に添加した
ＧｅＩｎＳｂＴｅ、Ａｇと共に添加したＧｅＡｇＳｂＴ
ｅなどがある。なお、ここでいうＧｅＳｂＴｅは、従来
から知られている化合物系材料のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 系
とは異なったものである。従来から知られているＧｅ2
Ｓｂ2 Ｔｅ5 系がＧｅＴｅ−Ｓｂ2 Ｔｅ 3 系であるのに
対し、本発明では、あくまでもＳｂ3 Ｔｅ準安定相とア
モルファス相との間の相転移において光学的性質が変化
することを利用したものである。また、組成範囲も大き
く異なっている。
加元素である。Ｇｅは保存信頼性、記録特性を向上させ
る効果が特に顕著である。Ｇｅは、Ｇｅだけを単独で添
加しても良いし、他の元素と共に添加しても良い。こう
した記録層としては、例えば、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とし
て、Ｇｅだけを添加したＧｅＳｂＴｅ、Ａｇ、Ｉｎと共
に添加したＧｅＡｇＩｎＳｂＴｅ、Ｉｎと共に添加した
ＧｅＩｎＳｂＴｅ、Ａｇと共に添加したＧｅＡｇＳｂＴ
ｅなどがある。なお、ここでいうＧｅＳｂＴｅは、従来
から知られている化合物系材料のＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 系
とは異なったものである。従来から知られているＧｅ2
Ｓｂ2 Ｔｅ5 系がＧｅＴｅ−Ｓｂ2 Ｔｅ 3 系であるのに
対し、本発明では、あくまでもＳｂ3 Ｔｅ準安定相とア
モルファス相との間の相転移において光学的性質が変化
することを利用したものである。また、組成範囲も大き
く異なっている。
【００２６】記録層の膜厚は１０〜１００ｎｍ、より好
ましくは１５〜３５ｎｍ、さらに好ましくは１７〜２５
ｎｍである。１０ｎｍより薄いと、光吸収能が低下し記
録層としての機能を失う。一方、１００ｎｍより厚い
と、透過光が少なくなるため干渉効果を期待できなくな
る。
ましくは１５〜３５ｎｍ、さらに好ましくは１７〜２５
ｎｍである。１０ｎｍより薄いと、光吸収能が低下し記
録層としての機能を失う。一方、１００ｎｍより厚い
と、透過光が少なくなるため干渉効果を期待できなくな
る。
【００２７】本発明による光情報記録媒体の構成例を図
１に示す。１が基板、２が第１の誘電体層、３が結晶化
促進層、４が記録層、５が第２の誘電体層、６が反射放
熱層であり、７は必要に応じて６の上に設けられる有機
環境保護層（ＵＶ硬化樹脂層）である。上記において結
晶化促進層３と記録層４の説明をしたので、以下にその
他の層の構成について説明する。
１に示す。１が基板、２が第１の誘電体層、３が結晶化
促進層、４が記録層、５が第２の誘電体層、６が反射放
熱層であり、７は必要に応じて６の上に設けられる有機
環境保護層（ＵＶ硬化樹脂層）である。上記において結
晶化促進層３と記録層４の説明をしたので、以下にその
他の層の構成について説明する。
【００２８】本発明において、第１及び第２の誘電体層
（保護層）２及び５としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚ
ｒＯ 2 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ
4 、等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4 Ｃ、ＷＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、
単体で保護層として用いることができるし、また混合物
として用いることもできる。例えば混合物としては、Ｚ
ｎＳとＳｉＯｘ，Ｔａ2 Ｏ5 とＳｉＯｘが挙げられる。
これら材料物性は、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折
率及び基板材料あるいは記録層材料との密着性等があ
り、融点が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が良いと
いったことが要求される。特に第２の誘電体層は、繰り
返しオーバーライト特性を左右する。
（保護層）２及び５としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｓｎ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚ
ｒＯ 2 、Ｔａ2 Ｏ5 等の金属酸化物、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ
4 、等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ4 Ｃ、ＷＣ、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、
単体で保護層として用いることができるし、また混合物
として用いることもできる。例えば混合物としては、Ｚ
ｎＳとＳｉＯｘ，Ｔａ2 Ｏ5 とＳｉＯｘが挙げられる。
これら材料物性は、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折
率及び基板材料あるいは記録層材料との密着性等があ
り、融点が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が良いと
いったことが要求される。特に第２の誘電体層は、繰り
返しオーバーライト特性を左右する。
【００２９】第１の誘電体層２の膜厚は５０〜２５０ｎ
ｍの範囲として、７５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。５
０ｎｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱
性低下、畜熱効果の低下となり好ましくない。一方、２
５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程
において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが発生
したり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくな
い。
ｍの範囲として、７５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。５
０ｎｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱
性低下、畜熱効果の低下となり好ましくない。一方、２
５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程
において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが発生
したり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくな
い。
【００３０】第２の誘導体層５の膜厚は１０ｎｍ〜１０
０ｎｍの範囲とし、１５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。第
２の誘電体層の場合、１０ｎｍより薄いと、基本的に耐
熱性が低下し好ましくない。１００ｎｍを越えると、記
録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の
低下により繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
０ｎｍの範囲とし、１５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。第
２の誘電体層の場合、１０ｎｍより薄いと、基本的に耐
熱性が低下し好ましくない。１００ｎｍを越えると、記
録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の
低下により繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
【００３１】反射放熱層６としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｐｂ等の金属を中心とした材料の単体、あるいは合金、
混合物を用いることができる。必要に応じて、異なる金
属、合金又は混合物を複数積層しても良い。この層は、
熱を効率的に逃がすことが重要であり、膜厚は３０ｎｍ
〜２５０ｎｍとする。好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ
が良い。膜厚が厚すぎると、放熱効率が良すぎて感度が
悪くなり、薄すぎると、感度は良いが繰り返しオーバー
ライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高
く、高融点で保護層材料との密着性が良いこと等が要求
される。
ｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｐｂ等の金属を中心とした材料の単体、あるいは合金、
混合物を用いることができる。必要に応じて、異なる金
属、合金又は混合物を複数積層しても良い。この層は、
熱を効率的に逃がすことが重要であり、膜厚は３０ｎｍ
〜２５０ｎｍとする。好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ
が良い。膜厚が厚すぎると、放熱効率が良すぎて感度が
悪くなり、薄すぎると、感度は良いが繰り返しオーバー
ライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高
く、高融点で保護層材料との密着性が良いこと等が要求
される。
【００３２】上記で述べた材料、構成による光情報記録
媒体は、例えば、波長が６３５ｎｍの半導体レーザーで
ＮＡ０．６か、あるいは６５０ｎｍの半導体レーザーで
ＮＡ０．６のピックアップを用い記録再生することがで
きる。記録方法としては、例えばＰｕｌｓｅ Ｗｉｄｔ
ｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎで変調コードがＥＦＭあるい
はＥＦＭ＋［８／１６ＲＬＬ（２，１０）］方式を用い
ることができる。この場合、パルスは、先頭パルスとそ
の後のマルチパルス部に分かれる。マルチパルス部は、
加熱、冷却を繰り返し行うためのものである。
媒体は、例えば、波長が６３５ｎｍの半導体レーザーで
ＮＡ０．６か、あるいは６５０ｎｍの半導体レーザーで
ＮＡ０．６のピックアップを用い記録再生することがで
きる。記録方法としては、例えばＰｕｌｓｅ Ｗｉｄｔ
ｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎで変調コードがＥＦＭあるい
はＥＦＭ＋［８／１６ＲＬＬ（２，１０）］方式を用い
ることができる。この場合、パルスは、先頭パルスとそ
の後のマルチパルス部に分かれる。マルチパルス部は、
加熱、冷却を繰り返し行うためのものである。
【００３３】また、上記の場合、各パワーの関係は、加
熱（記録）パワー＞消去パワー＞冷却パワーとなってい
て、冷却パワーは読み出しパワー程度まで下げる。読み
出しパワーは１ｍＷ以下で行う。
熱（記録）パワー＞消去パワー＞冷却パワーとなってい
て、冷却パワーは読み出しパワー程度まで下げる。読み
出しパワーは１ｍＷ以下で行う。
【００３４】（実施例）以下、本発明を実施例に基づき
説明する。本実施例では５チャンバーを有する枚葉型ス
パッタ装置にて成膜を行った。ただし、チャンバー数は
５個にこだわる必要はなく、５個以上であれば生産上可
能である。各成膜の内訳を以下に示す。 成膜室１（以下ＰＣ１と略記）：ＺｎＳ・ＳｉＯ2 （第
１の誘電体層） 成膜室２（以下ＰＣ２と略記）：結晶化促進層 成膜室３（以下ＰＣ３と略記）：記録層 成膜室４（以下ＰＣ４と略記）：ＺｎＳ・ＳｉＯ2 （第
２の誘電体層） 成膜室５（以下ＰＣ５と略記）：Ａｌ（反射放熱層）
説明する。本実施例では５チャンバーを有する枚葉型ス
パッタ装置にて成膜を行った。ただし、チャンバー数は
５個にこだわる必要はなく、５個以上であれば生産上可
能である。各成膜の内訳を以下に示す。 成膜室１（以下ＰＣ１と略記）：ＺｎＳ・ＳｉＯ2 （第
１の誘電体層） 成膜室２（以下ＰＣ２と略記）：結晶化促進層 成膜室３（以下ＰＣ３と略記）：記録層 成膜室４（以下ＰＣ４と略記）：ＺｎＳ・ＳｉＯ2 （第
２の誘電体層） 成膜室５（以下ＰＣ５と略記）：Ａｌ（反射放熱層）
【００３５】実施例１〜６、比較例１〜６ 射出成形により直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリ
カーボネート基板（以下ＰＣ基板と略記）を作製した。
ＰＣ１で、このＰＣ基板上に、以下の条件によりＺｎＳ
・ＳｉＯ2 膜をスパッタリング法で形成した。 ターゲット材：ＳｉＯ2 （２０．５ｍｏｌ％）、ＺｎＳ
( ７９．５ｍｏｌ％) 投入電力：ＲＦ４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：１９０ｎｍ
カーボネート基板（以下ＰＣ基板と略記）を作製した。
ＰＣ１で、このＰＣ基板上に、以下の条件によりＺｎＳ
・ＳｉＯ2 膜をスパッタリング法で形成した。 ターゲット材：ＳｉＯ2 （２０．５ｍｏｌ％）、ＺｎＳ
( ７９．５ｍｏｌ％) 投入電力：ＲＦ４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：１９０ｎｍ
【００３６】次に、ＰＣ２で、以下の条件により結晶化
促進層（表１）を形成した。 ターゲット材：表１ 投入電力：ＤＣ０．４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：０．５ｎｍ、２．０ｎｍ、５．０ｎｍ 次に、ＰＣ３で、以下の条件により、表１に挙げた組成
を有する空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を
有する記録層（記録層）を形成した。 ターゲット材：合金ターゲット( 組成は表１) 投入電力：ＤＣ０．４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：１５ｎｍ 次に、ＰＣ４で、以下の条件によりＺｎＳ・ＳｉＯ2 膜
（第２の誘電体層）をスパッタリング法で形成した。 ターゲット材：ＳｉＯ2 （２０．５ｍｏｌ％）、ＺｎＳ
( ７９．５ｍｏｌ％) 投入電力：ＲＦ４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：２０ｎｍ 次に、ＰＣ５で、以下の条件によりＡｌ膜（反射放熱
層）を形成した。 ターゲット材：Ａｌ 投入電力：ＤＣ５ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：１４０ｎｍ さらに、上記Ａｌ膜の上にＵＶ硬化樹脂を３μｍ厚に塗
布した後、ＵＶ光を照射して有機環境保護層を形成し、
本発明による相変化型光ディスクを作製した。
促進層（表１）を形成した。 ターゲット材：表１ 投入電力：ＤＣ０．４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：０．５ｎｍ、２．０ｎｍ、５．０ｎｍ 次に、ＰＣ３で、以下の条件により、表１に挙げた組成
を有する空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を
有する記録層（記録層）を形成した。 ターゲット材：合金ターゲット( 組成は表１) 投入電力：ＤＣ０．４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：１５ｎｍ 次に、ＰＣ４で、以下の条件によりＺｎＳ・ＳｉＯ2 膜
（第２の誘電体層）をスパッタリング法で形成した。 ターゲット材：ＳｉＯ2 （２０．５ｍｏｌ％）、ＺｎＳ
( ７９．５ｍｏｌ％) 投入電力：ＲＦ４ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：２０ｎｍ 次に、ＰＣ５で、以下の条件によりＡｌ膜（反射放熱
層）を形成した。 ターゲット材：Ａｌ 投入電力：ＤＣ５ｋＷ／８インチターゲット ガス圧力：２ｍＴｏｒｒ ガス種：Ａｒ 膜厚：１４０ｎｍ さらに、上記Ａｌ膜の上にＵＶ硬化樹脂を３μｍ厚に塗
布した後、ＵＶ光を照射して有機環境保護層を形成し、
本発明による相変化型光ディスクを作製した。
【００３７】実施例１〜６について反射率を測定したと
ころ、いずれも１８％以上であり、初期化工程なしで記
録層が結晶化していた。また、Ｘ線回折装置により記録
層の結晶構造を調べたところ、いずれも空間群Ｆｍ３ｍ
に属するものであった。次に、初期化プロセスを行わず
に情報の記録再生を行ったところ、問題なく記録再生を
行うことができた。繰り返し記録特性、保存性信頼性も
良好であった。結晶化促進層を設けずに通常のレーザー
初期化を行った場合と初期化ジッタを比較したところ、
ほとんど変動が見られなかった。（結晶化促進層を設け
た時のジッタσ/ Ｔ［％］をｘ、設けなかった時のジッ
タσ／Ｔ［％］をｙとし、 Δ＝ｘ−ｙ ［％］ を求めたものを表１に示した。）
ころ、いずれも１８％以上であり、初期化工程なしで記
録層が結晶化していた。また、Ｘ線回折装置により記録
層の結晶構造を調べたところ、いずれも空間群Ｆｍ３ｍ
に属するものであった。次に、初期化プロセスを行わず
に情報の記録再生を行ったところ、問題なく記録再生を
行うことができた。繰り返し記録特性、保存性信頼性も
良好であった。結晶化促進層を設けずに通常のレーザー
初期化を行った場合と初期化ジッタを比較したところ、
ほとんど変動が見られなかった。（結晶化促進層を設け
た時のジッタσ/ Ｔ［％］をｘ、設けなかった時のジッ
タσ／Ｔ［％］をｙとし、 Δ＝ｘ−ｙ ［％］ を求めたものを表１に示した。）
【００３８】一方、比較例１〜６について、反射率を測
定したところ、いずれも１８％以上であり、初期化工程
なしで記録層が結晶化していたが、情報の記録再生を行
ったところ、結晶化促進層を設けずに通常のレーザー初
期化を行った場合と比較して、ジッタ特性が悪化してい
た。記録層と結晶化促進層の混合組成を考慮して記録層
材料の再設計が必要であることがわかる。
定したところ、いずれも１８％以上であり、初期化工程
なしで記録層が結晶化していたが、情報の記録再生を行
ったところ、結晶化促進層を設けずに通常のレーザー初
期化を行った場合と比較して、ジッタ特性が悪化してい
た。記録層と結晶化促進層の混合組成を考慮して記録層
材料の再設計が必要であることがわかる。
【００３９】以上の結果より、結晶化促進層を融点７０
０℃以上の高融点Ｂｉ化合物とすることで、本発明では
記録層の再設計を行うことなく、初期化工程を不要にで
きることがわかる。
０℃以上の高融点Ｂｉ化合物とすることで、本発明では
記録層の再設計を行うことなく、初期化工程を不要にで
きることがわかる。
【００４０】なお、実施例１〜４については、別ロット
のターゲットを使用した場合、成膜を繰り返し行いター
ゲットエロージョンが進行した場合、いずれの場合にお
いても、Δに変化はなく促進層を設けたことによるジッ
タ特性の低下は見られなかった。一方、実施例５につい
ては、別ロットのターゲットを用いた時にΔが増大し、
結晶化促進層を設けたことでジッタ特性が低下する場合
があった。また、実施例６については、エロージョンの
進行したターゲットを用いた場合には、Δが増大し、結
晶化促進層を設けたことでジッタ特性が低下する場合が
あった。これらの原因はいずれも組成ずれによるＢｉの
遊離が原因と考えられる。以上より、Ｚｒとの化合物
か、Ｃｅとの化合物を用いることで確実にジッタ特性の
低下を防止できることがわかる。
のターゲットを使用した場合、成膜を繰り返し行いター
ゲットエロージョンが進行した場合、いずれの場合にお
いても、Δに変化はなく促進層を設けたことによるジッ
タ特性の低下は見られなかった。一方、実施例５につい
ては、別ロットのターゲットを用いた時にΔが増大し、
結晶化促進層を設けたことでジッタ特性が低下する場合
があった。また、実施例６については、エロージョンの
進行したターゲットを用いた場合には、Δが増大し、結
晶化促進層を設けたことでジッタ特性が低下する場合が
あった。これらの原因はいずれも組成ずれによるＢｉの
遊離が原因と考えられる。以上より、Ｚｒとの化合物
か、Ｃｅとの化合物を用いることで確実にジッタ特性の
低下を防止できることがわかる。
【００４１】実施例７ 結晶化促進層をＢｉＣｅとした。記録層は、結晶化温度
が１２０℃〜１８０℃の範囲にあるものとし、実施例１
〜６と同様にして、ディスクを作製した。ディスクの反
射率を測定したところ、いずれも１８％以上であり、初
期化工程なしで記録層が結晶化していた。初期化プロセ
スなしで問題なく記録再生を行うことができた。結晶化
促進層を設けずに通常のレーザー初期化を行った場合と
初期化ジッタを比較したところ、ほとんど変動が見られ
なかった。
が１２０℃〜１８０℃の範囲にあるものとし、実施例１
〜６と同様にして、ディスクを作製した。ディスクの反
射率を測定したところ、いずれも１８％以上であり、初
期化工程なしで記録層が結晶化していた。初期化プロセ
スなしで問題なく記録再生を行うことができた。結晶化
促進層を設けずに通常のレーザー初期化を行った場合と
初期化ジッタを比較したところ、ほとんど変動が見られ
なかった。
【００４２】比較例７ 結晶化促進層をＢｉＩｒとした以外は、実施例６と同様
にメディアを作製した。ディスクの反射率を測定したと
ころ、記録層の結晶化温度が１６０℃まではいずれも１
８％以上であり、初期化工程なしで記録層が結晶化して
いたが、それ以上では反射率は１８％以下となり、初期
化工程が必要であった。以上より、Ｃｅとの化合物を用
いることで、結晶化温度の高い記録層でも初期化工程が
不要とできる。すなわち、適用できる記録層組成の範囲
が広がることがわかる。
にメディアを作製した。ディスクの反射率を測定したと
ころ、記録層の結晶化温度が１６０℃まではいずれも１
８％以上であり、初期化工程なしで記録層が結晶化して
いたが、それ以上では反射率は１８％以下となり、初期
化工程が必要であった。以上より、Ｃｅとの化合物を用
いることで、結晶化温度の高い記録層でも初期化工程が
不要とできる。すなわち、適用できる記録層組成の範囲
が広がることがわかる。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【発明の効果】以上のように、請求項１の光情報記録媒
体によれば、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ
相を有する相変化記録層の少なくとも一部分に接して高
融点のＢｉ化合物からなる結晶化促進層を設けたことか
ら、記録層が製膜直後に結晶化し、従来必要とされてい
た熱処理による初期化プロセスが不要となるだけでな
く、結晶化促進層の融点が高いため、記録、消去、再生
時のいずれにおいても、結晶化促進層が記録層と溶融混
合しない。そのため、記録層の組成ずれによるディスク
特性の変動が起きない。その結果、記録層材料の再設計
を行うことなく、初期化工程を不要とすることができ
る。
体によれば、空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ
相を有する相変化記録層の少なくとも一部分に接して高
融点のＢｉ化合物からなる結晶化促進層を設けたことか
ら、記録層が製膜直後に結晶化し、従来必要とされてい
た熱処理による初期化プロセスが不要となるだけでな
く、結晶化促進層の融点が高いため、記録、消去、再生
時のいずれにおいても、結晶化促進層が記録層と溶融混
合しない。そのため、記録層の組成ずれによるディスク
特性の変動が起きない。その結果、記録層材料の再設計
を行うことなく、初期化工程を不要とすることができ
る。
【００４５】請求項２の光情報記録媒体によれば、上記
Ｂｉ化合物の融点が７００℃以上としたことから、記
録、再生、消去のいずれにおいても結晶化促進層が溶融
せず、結晶化促進層と記録層の溶融混合を回避すること
ができる。
Ｂｉ化合物の融点が７００℃以上としたことから、記
録、再生、消去のいずれにおいても結晶化促進層が溶融
せず、結晶化促進層と記録層の溶融混合を回避すること
ができる。
【００４６】請求項３の光情報記録媒体によれば、結晶
化促進層が記録、消去、再生時のいずれにおいても溶融
しないことから、結晶化促進層が記録層と溶融混合する
ことによる不具合を確実に回避することができる。
化促進層が記録、消去、再生時のいずれにおいても溶融
しないことから、結晶化促進層が記録層と溶融混合する
ことによる不具合を確実に回避することができる。
【００４７】請求項４の光情報記録媒体によれば、結晶
化促進層がＢｉとＣｅとの化合物であることから、他の
化合物に比べて高融点化合物の種類が多く、ターゲット
作製時やスパッタリング時に万が一、組成ずれが起きた
としても、低融点のＢｉ（２７１℃）が遊離しにくい。
またＣｅとの化合物は結晶化促進効果が特に大きく、ご
く薄い膜厚でも結晶化促進効果を発揮する。さらに結晶
化促進効果が大きいことから、結晶化しにくい記録層に
対しても有効に使用できるため、より広い組成範囲の記
録層に対して、促進層としての効果を得ることができ
る。
化促進層がＢｉとＣｅとの化合物であることから、他の
化合物に比べて高融点化合物の種類が多く、ターゲット
作製時やスパッタリング時に万が一、組成ずれが起きた
としても、低融点のＢｉ（２７１℃）が遊離しにくい。
またＣｅとの化合物は結晶化促進効果が特に大きく、ご
く薄い膜厚でも結晶化促進効果を発揮する。さらに結晶
化促進効果が大きいことから、結晶化しにくい記録層に
対しても有効に使用できるため、より広い組成範囲の記
録層に対して、促進層としての効果を得ることができ
る。
【００４８】請求項５の光情報記録媒体によれば、結晶
化促進層がＢｉとＺｒとの化合物であることから、Ｂｉ
2 Ｚｒ3 の場合、ターゲット作製時にＢｉが少ない方に
組成ずれが起きた場合、ＢｉＺｒ、ＢｉＺｒ2 の混合
物、包晶となることはあるが、低融点のＢｉが遊離する
ことはない。このような長所に加えて、Ｚｒとの化合物
は、Ｚｒが貴金属などと比較して安価であり、また化合
物が比較的安定でターゲット作製が容易であることなど
から、材料コストを低くおさえることができる。
化促進層がＢｉとＺｒとの化合物であることから、Ｂｉ
2 Ｚｒ3 の場合、ターゲット作製時にＢｉが少ない方に
組成ずれが起きた場合、ＢｉＺｒ、ＢｉＺｒ2 の混合
物、包晶となることはあるが、低融点のＢｉが遊離する
ことはない。このような長所に加えて、Ｚｒとの化合物
は、Ｚｒが貴金属などと比較して安価であり、また化合
物が比較的安定でターゲット作製が容易であることなど
から、材料コストを低くおさえることができる。
【００４９】請求項６の光情報記録媒体によれば、結晶
化促進層の膜厚が０．２〜５．０ｎｍであることから、
所望の結晶化促進効果が得られると共に、結晶化促進層
の光学的な影響を無視することができ、品質の安定した
記録媒体を提供することができる。
化促進層の膜厚が０．２〜５．０ｎｍであることから、
所望の結晶化促進効果が得られると共に、結晶化促進層
の光学的な影響を無視することができ、品質の安定した
記録媒体を提供することができる。
【００５０】請求項７の光情報記録媒体によれば、記録
層にＩｂ族元素、II族元素、III 族元素、IV族元素、Ｖ
族元素、VI族元素、希土類元素及び遷移金属元素より選
択される元素の少なくとも１つが添加されることから、
空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相の出現を妨
げず、かつ記録層の結晶化温度が２００℃を越えない範
囲で、保存信頼性の向上や記録特性の向上などを図るこ
とができる。
層にＩｂ族元素、II族元素、III 族元素、IV族元素、Ｖ
族元素、VI族元素、希土類元素及び遷移金属元素より選
択される元素の少なくとも１つが添加されることから、
空間群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相の出現を妨
げず、かつ記録層の結晶化温度が２００℃を越えない範
囲で、保存信頼性の向上や記録特性の向上などを図るこ
とができる。
【００５１】請求項８の光情報記録媒体によれば、上記
IV族元素がＧｅであることから、保存信頼性や記録特性
を向上させる効果が特に顕著である。
IV族元素がＧｅであることから、保存信頼性や記録特性
を向上させる効果が特に顕著である。
【００５２】請求項９の光情報記録媒体の製造方法によ
れば、上記結晶化促進層を第１の誘電体層と記録層との
間に作製されることから、結晶化促進作用をより効果的
に発揮し、かつスループットを向上させることができ
る。
れば、上記結晶化促進層を第１の誘電体層と記録層との
間に作製されることから、結晶化促進作用をより効果的
に発揮し、かつスループットを向上させることができ
る。
【図１】本発明による光情報記録媒体の構成例を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
１ 基板 ２ 第１の誘電体層 ３ 結晶化促進層 ４ 記録層 ５ 第２の誘電体層 ６ 反射放熱層 ７ 有機環境保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/30 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 FA01 FA11 FA21 FA24 FB05 FB09 FB12 5D029 JA01 JB03 JB35 MA38 5D090 AA01 BB05 BB12 CC11 CC14 DD03 5D121 AA01 EE03 EE09 EE19
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｓｂ及びＴｅを有する相変化記録材料を
記録層とする光情報記録媒体であって、該記録層が空間
群Ｆｍ３ｍに属する準安定Ｓｂ3 Ｔｅ相を有する光情報
記録媒体において、該記録層の少なくとも一部分に接し
て、高融点のＢｉ化合物からなる結晶化促進層を設けた
ことを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の光情報記録媒体におい
て、Ｂｉ化合物の融点が７００℃以上であることを特徴
とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の光情報記録媒体
において、結晶化促進層が記録、消去、再生時のいずれ
においても、溶融しないことを特徴とする光情報記録媒
体。 - 【請求項４】 請求項１、２または３記載の光情報記録
媒体において、結晶化促進層がＢｉとＣｅとの化合物か
らなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１、２または３記載の光情報記録
媒体において、結晶化促進層がＢｉとＺｒとの化合物か
らなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載の光
情報記録媒体において、結晶化促進層の膜厚が０．２〜
５．０ｎｍであることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６記載
の光情報記録媒体において、該記録層にＩｂ族元素、II
族元素、III 族元素、IV族元素、Ｖ族元素、VI族元素、
希土類元素及び遷移金属元素より選択される元素の少な
くとも１つが添加されてなることを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項８】 請求項７記載の光情報記録媒体におい
て、該IV族元素がＧｅであることを特徴とする光情報記
録媒体。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項記載の光
情報記録媒体における結晶化促進層を基板上に第１の誘
電体層、結晶化促進層、記録層の順に製膜することを特
徴とする光情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001029811A JP2002225436A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001029811A JP2002225436A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002225436A true JP2002225436A (ja) | 2002-08-14 |
Family
ID=18894116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001029811A Pending JP2002225436A (ja) | 2001-02-06 | 2001-02-06 | 光情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002225436A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004025640A1 (ja) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体とその製造方法 |
| WO2004085167A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-02-06 JP JP2001029811A patent/JP2002225436A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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