JPH0430345A

JPH0430345A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH0430345A
Application number: JP2136468A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Taki; 和也滝
Original assignee: Brother Industries Ltd
Current assignee: Brother Industries Ltd
Priority date: 1990-05-25
Filing date: 1990-05-25
Publication date: 1992-02-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、レーザ光により情報の記録・再生を行う光デ
イスクメモリや光カードに用いられる光記録媒体、さら
に詳細には高密度記録が可能な光記録媒体に関するもの
である。

［従来技術］従来、光記録媒体８０は、第８図に示すようにトラッキ
ング用案内溝８１の設けられたアクリル。

ポリカーボネート、ガラス等の透明基板８２上にＴｂＦ
ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ等の光磁気記録材料、
Ｔｅ、ＴｅＯｘ等の相変化記録材料金属１色素等の穴あ
け記録材料等から成る光記録層８３および５ｉ０２．Ａ
７Ｎ等の酸化物、窒化物等から成る保護層８４が積層さ
れて構成されている。このような光記録媒体８０におい
て、第９図のように溝幅をＷ。、溝間距離をＷＬ、トラ
ックピッチをＰとすると、Ｐ−Ｗｏ＋ｗ、　　　　　　　　　　　（１）となる。

また、レーザ光９１の光記録媒体８０上でのスポット径
をｄ　とすると、トラックピッチＰはレーザ光のスポッ
ト径ｄ　とほぼ等しくなるように、すなわちＰａｄ　　
となるように作製されている。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、従来の光記録媒体では第１０図のように
記録密度を高めるためトラックピッチＰをさらに小さく
し、レーザ光９１のスポット径ｄ５よりもトラックピッ
チＰを小さくすると特定のトラック９２に記録された情
報を再生する際、その隣りのトラック９３に記録された
ビット９４の一部にもレーザ光のスポットが照射され再
生されるため、クロストークが増大するという問題があ
った。

本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的とするところは、基板上に渦巻状あ
るいは同心円状等に形成された光記録層およびその上に
積層された反射層を設け、光記録層の幅をＷ、トラック
ピッチをＰとしたとき、２Ｐ−Ｗを記録層上に照射され
るレーザ光のスポット径とほぼ等しくすることにより、
レーザ光のスポット径よりもトラックピッチを小さくす
ることができ、高密度記録が可能でクロストークの増大
の少い光記録媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］この目的を達成するために本発明の光記録媒体では、基
板上に渦巻状あるいは同心円状等に光記録層が形成され
、その上に反射層が積層されている。さらに光記録層の
幅をＷ、トラックピッチをＰとしたとき２Ｐ−Ｗが光記
録層に照射されるレーザ光のスポット径とほぼ等しくな
るように光記録層の幅およびトラックピッチが規定され
ている。

［作用］上記の構成を有する本発明の光記録媒体では、トラック
ピッチをレーザ光の光記録層上でのスポット径よりも小
さくできるため、狭トラツクピッチ化による高密度記録
が可能となる。さらに、光記録層の幅Ｗとトラックピッ
チＰが２Ｐ−Ｗがレーザ光のスポット径とほぼ等しくな
るように規定されているため、トラックピッチよりも大
きなスポット径のレーザ光をある光記録層の中央に照射
しても、その両隣の光記録層にはレーザ光は照射されな
い。これにより、再生時におけるクロストークの増加を
抑えることができる。

［実施例コ以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。

第１図は、本発明の一実施例である光記録媒体１０の要
部断面図である。この光記録媒体１０は、ガラス、ポリ
カーボネート等の透明な基板１２上に保護層１４．光記
録層１６．保護層１８１反射層２０を順次積層すること
により構成される。

保護層］４および１８は、Ｓ　ｉ　０２　、Ａ７Ｎ。

Ｓ　ｉＮ、Ｓ　１Ａ７ＯＮ等の窒化物、酸化物等の透明
な薄膜から成り、光記録層１６を化学変化から保護する
働きをする。

光記録層は、例えばＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ等のよ
うに希土類と遷移金属を主成分とするアモルファス合金
である光磁気記録材料、Ｔｅ０Ｘ等の相変化記録材料、
Ｔｅ、Ｂｉ等の金属１色素等の穴あけ記録材料から成り
、保護層１４の上に渦巻状あるいは同心円状等の形状で
形成されている。反射層はＡＡ等の金属から成り、光記
録層が形成されていない部分を透過してきたレーザ光を
反射する働きをする。

このよう・な光記録媒体１０は、例えば第２図に示す手
順に従って作製する。まず、同図（ａ）のように基板１
２上に保護層１４および光記録層２２かよく知られてい
る、スパッタ法、真空蒸着法。

ＣＶＤ法（気相成長法）１回転塗布法等の手段、あるい
はそれらを組合わせて作製する。さらに、その上に同図
（ｂ）のようにフォトレジスト２４を回転塗布する。こ
のフォトレジスト２４をレーザによる直接露光あるいは
、マスクを通しての紫外光照射等により露光し、現像す
ることにより、同図（Ｃ）のように所定の渦巻状あるい
は同心円状にパターニングする。ここで、酸、アルカリ
溶液を用いた化学エツチング、あるいはプラズマエツチ
ング等のドライエツチング等によりフォトレジスト２４
が取り除かれた部分の光記録層２２をエツチングし、残
ったフォトレジスト２４を有機溶剤等で除去することに
より、同図（ｄ）のように渦巻状、あるいは同心円状の
形状をした光記録層１６を形成する。最後に同図（ｅ）
のように保護層１８１反射層２０をよく知られているス
パッタ法、真空蒸着法７回転塗布法等の手段で形成する
。なお、保護層１８の基板１２と反対側の面は、第１図
のように記録層１６による段差を反映した形状ではなく
、第２図（ｅ）のように略平坦となるように形成しても
よい。

かかる光記録媒体１０において、その基板１２を通して
レーザ光が光記録層１６に照射され、光記録層１６が加
熱されると磁化の反転、相変化あるいは穴状のピット形
成が生じ、記録が行われる。

また、再生は光記録層１６にレーザ光を照射し、光記録
層１６からの反射光の偏向面の回転、あるいは反射光量
の変化を検出することにより行われる。

ここで、第３図のように基板１２側からみて光記録層１
６の幅をＷ、　　）ラックピッチをＰ、光記録層１６上
でのレーザ光３１のスポット径をｄｓとすると、２Ｐ−Ｗ−ｄｓ　　　　　　　　　（２）すなわち、光
記録層１６の幅と、その両隣の光記録層３２および３３
までの距離の和がレーザ光３１のスポット径とほぼ等し
くなるように光記録層１６の幅Ｗおよびトラックピッチ
Ｐが定められている。すなわち、レーザ光３１のスポッ
ト径ｄ５よりもトラックピッチＰの方が小さいため、狭
トラツクピッチ化による高密度記録が可能となる。

また、レーザ光３１は記録・再生を行う光記録層１６の
両隣の光記録層３２．３３には達しないたわ、光記録層
３２．３３には情報の記録は行われない。もちろん、反
射層２０にも情報は記録されない。また、例えば光記録
層３３に記録されている情報３４は再生されない。この
ためトラックピッチがレーザ光のスポット径よりも小さ
いにもかかわらずクロストークは増大しない。

また、保護層１４の膜厚を略λ／４ｎ（λ：真空中での
レーザ波長、ｎ：保護層１４の屈折率）とすることによ
り、光記録層１６が光磁気記録材料から成る場合は、カ
ー効果エンハンスメントが生じ、Ｓ／Ｎが向上する。光
記録層１６が、光磁気記録材料以外の材料の場合は、記
録感度が上昇する。また、保護層１８の膜厚を略λ／８
ｎ（λ真空中でのレーザ波長、ｎ：保護層１８の屈折率
）とすることにより、よく知られているプッシュプル法
によりトラッキング制御を行うことができる。

以上、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明し
たか、本発明は種々の変更が可能であり、他の態様で実
施することができる。

例えば、トラックピッチをＰ、光記録層の幅をＷとした
とき２ｐ−ｗがレーザ光のスポット径ｄ５と厳密に等し
くする必要はなく、０、　８　　（２Ｐ−Ｗ）　　≦ｄ　　≦１．　２　　
（２Ｐ−Ｗ）を満たせばよい。

また、基板１２．保護層１４．１ｇ、光記録層１６、反
射層２０の材料および膜厚については特に限定しない。

また、反射層２０の上にさらに保護層を設けてもよい。

また、渦巻状あるいは同心円状等に形成されている光記
録層は、連続して形成されている必要はなく、例えば第
４図に示すように光記録層１６の一部に不連続部４１を
設けてもよい。この不連続部４１にセクター符号等を設
けてもよい。

また、第１図において反射層２０の代わりに反射率の低
い材料、あるいは光吸収の大きな材料を用いた低反射率
層、あるいは光吸収層を設けてもよい。これにより、雑
音の原因となる光記録層以外からの反射光か減少するた
めＳ／Ｎが向上する。

なお、このときのトラッキングはよく知られている３ビ
ーム法で行えばよい。

また、保護層１４．１８は必ずしも必要ではなく、第５
図のように基板１２上に形成された光記録層］６の上に
直接反射層２ｏを設けてもよい。

このとき、光記録層１６と反射層２ｏの反射率が異なっ
ていれば、３ビーム法でトラッキング制御を行うことが
できる。

また、第６図のように基板６１に溝付きのガラス、ポリ
カーボネート等を用いてもよい。このとき溝部あるいは
溝間の一方のみに光記録層１６を設け、その上に反射層
２ｏを設けてもよい。

また、第７図のように基板７１の上に反射層７２を設け
、その上に光記録層７３．保護層７４を形成してもよい
。このとき記録・再生は、基板７１と反対側から行うの
で、基板の材料は必ずしも透明である必要はない。また
、このとき反射層７２も必ずしも必要ではな（、基板７
１上に直接光記録層７３を設けてもよい。

また、トラックピッチおよび光記録層の幅は光記録媒体
全面において一定である必要はなく、必要に応じて変化
させてもよい。

［発明の効果コ以上詳述したことから明らかなように、本発明によれば
、基板上にトラックピッチＰで幅がＷの渦巻状あるいは
同心円状等の光記録層を設け、２Ｐ−Ｗを光記録層に照
射されるレーザ光のスポット径とほぼ等しくすることに
より、トラ・ソクビ・ソチをレーザ光のスポット径より
も小さくでき、クロストークを増大させることなく狭ト
ラツクピッチ化による高密度記録を実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図から第７図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第１図は本発明の一実施例である光記録媒体
の要部断面図、第２図は本発明の一実施例である光記録
媒体の作成法を示す説明図、第３図は本発明の一実施例
である光記録媒体のトラックピッチ、光記録層幅および
レーザ光のスポット径との関係を示す説明図、第４図か
ら第７図までは本発明の他の実施例を示す上面図および
要部断面図、第８図は従来の光記録媒体の一例を示す要
部断面図、第９図は従来の光記録媒体におけるトラック
ピッチとレーザ光のスポット径との関係を示す説明図、
第１０図は従来の光記録媒体におけるクロストークの増
大を示す説明図である。図中、１０は光記録媒体、１２は基板、１６は光記録層
、２０は反射層である。

Claims

【特許請求の範囲】１、基板と反射層と幅Ｗ、トラックピッチＰで渦巻状あ
るいは同心円状等に形成された光記録層とを有し、２Ｐ
−Ｗが記録層上に照射されるレーザ光のスポット径とほ
ぼ等しいことを特徴とする光記録媒体。２、請求項１記載の光記録媒体において、渦巻状あるい
は同心円状等に形成された光記録層に不連続部分が設け
られていることを特徴とする光記録媒体。