KR100834427B1 - 광기록 매체, 그 제조 방법, 및 광기록 매체의 기록 재생방법 - Google Patents

광기록 매체, 그 제조 방법, 및 광기록 매체의 기록 재생방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 목적은 인접 트랙에 신호를 잘못 기록하는 크로스-라이트, 및 인접 트랙의 기록 신호를 잘못 소거하는 크로스-소거와 같은 문제를 해결할 수 있고, 고밀도 기록이 가능한 광기록 매체; 상기 광기록 매체의 제조 방법; 및 광기록 매체의 기록 재생 방법을 제공하는 것이다. 이러한 목적을 달성하기 위하여, 광기록 매체는 기판, 기판 상에 빛을 흡수하고 열을 발생시키는 광흡수층, 기록층, 및 상기 기록층에의 기록을 저해하는 기록 저해부를 포함하며, 상기 기록 저해부는 기록층과 광흡수층 사이에, 또한 인접하는 트랙 사이에 설치되고, 광흡수층의 광흡수 기능에 의해 기록층에 기록 마크가 형성된다.

Description

광기록 매체, 그 제조 방법, 및 광기록 매체의 기록 재생 방법{OPTICAL-RECORDING MEDIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR RECORDING AND REPRODUCING OPTICAL-RECORDING MEDIUM}
본 발명은 광기록 매체에 관한 것으로서, 상기 광기록 매체는 기록시에 인접 마크를 소거하는 크로스-소거(cross-erase), 및 인접 트랙에 신호를 기록하는 크로스-라이트(cross-write)가 발생하는 고밀도 기록에 있어서, 크로스-라이트 및 크로스-소거 등의 인접 트랙 및 인접 마크에의 영향이 없이 고밀도의 기록이 가능하다. 또한, 본 발명은 광기록 매체의 제조 방법 및 광기록 매체의 기록 재생 방법에 관한 것이다.
광기록 매체로서는, CD, 및 DVD 매체와 같은 디스크형 광기록 매체가 널리 이용되고, 멀티미디어 또는 네트워크의 개발 등 정보 기술의 진보에 따라 광기록 매체에 대한 고밀도화 및 대용량화에의 요구는 증가하고 있다.
고밀도화의 한 방법으로서, 특정 정보량이 기록되는 면적을 축소하는 방법, 즉 기록 마크를 축소하는 방법이 있다. 기록 마크를 축소하기 위해서는, 광빔을 좁혀 광 스폿 크기를 더 축소해야 한다. 광 스폿 크기는 광 파장을 λ, 렌즈의 개구수를 NA라고 할 때 λ/NA의 양에 비례한다. 그러므로 광 스폿 크기를 축소하기 위 해서는, 광 파장을 작게 하거나 렌즈의 개구수를 크게 하는 것을 이용한다. 최근에는 파장 650 nm의 빛을 이용한 DVD 기술이 실용화 단계를 맞이하여, 파장 약 400 nm의 빛을 이용하여 고밀도화를 목표로 하는 기술 개발이 더욱 활발히 행해지고 있다.
고밀도화를 실현하기 위해서는, 기록 마크를 축소함과 동시에, 마크의 간격을 좁혀 선 기록 밀도 및 트랙 밀도를 크게 하는 것이 필요하다. 트랙 피치(track pitch)를 축소함에 의한 고밀도화의 문제점으로서, 인접 트랙 사이의 크로스토크가 있다. 크로스토크는, 재생시에 인접 트랙에 기록된 신호를 잘못 판독하는 현상이다. 또한, 신호를 기록 또는 소거할 때의 문제로서, 인접 트랙에 잘못 신호를 기록하여 버리는 크로스-라이트, 및 인접 트랙의 기록 신호를 잘못 소거하여 버리는 크로스-소거의 문제가 있다.
현재 실용화되고 있는 파장 약 405 nm의 빛과 개구수를 NA = 0.85로 한 픽업(pick-up)을 이용한 경우, 스폿 크기는 0.82 × 405/0.85 = 약 390 nm이다. 여기서 0.82는 빛의 프로파일이 가우스 분포에 의할 때에 일반적으로 이용되는 상수이다. 스폿 크기가 가우스 분포를 따르므로, 상수는 그 분포 피크의 1/(e2)의 값으로 정의된다. 빛의 집광으로서는 한계가 있다. 그러므로, 더욱 트랙 피치를 축소하여 고밀도화를 하는 경우, 광기록 매체는 개량화가 더 요구된다.
기록 마크 길이를 단축시킴으로써 고밀도화를 시도하는 경우, 기록 마크의 위치 어긋남이 에러율을 더욱 악화시킨다는 문제점이 발생한다. 즉, 기록 마크의 위치 어긋남이 상대적으로 커져, 신호의 지터의 증가가 현저하게 되는 문제가 생긴다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 열전도율의 차이를 이용하는 방법이 개발되어 있다. 예컨대, 특허 문헌 1에서는, 열전도율이 다른 층을 설치함으로써 크로스-라이트 및 크로스-소거를 저감하는 방법이 개시되어 있다. 이러한 방법에서는, 주로 기록층이 빛을 흡수하고 발열함으로써 기록이 이루어진다.
특허 문헌 2 ∼ 7에서는, 트랙 피치가 좁더라도 크로스-라이트 및 크로스-소거 현상의 발생을 억제할 수 있는 방법을 개시하고 있다. 특히, 상기 방법에서는, 디스크 기판 상에 형성된 기록 영역이 트랙마다 분단되고, 기록 영역을 구성하는 기록 재료보다 열전도율이 작은 재료의 영역이 개재하고 있다. 이 구조는 신호의 기록 및 소거시에 조사되는 광빔에 의한 빔 스폿부의 온도 상승이 인접 트랙까지 전달되기 어렵게 한다. 이 특허 문헌에는 또한, 트랙 사이 뿐만 아니라, 트랙 내에서도 기록 마크마다 기록 영역을 분단하는 구조를 이용하여, 신호 재생시의 지터를 경감하는 방법도 개시되어 있다. 또한, 이 경우도 기록층으로 빛을 흡수하여 발열함으로써 기록을 하고 있다.
기록층에서의 빛의 흡수에 따르는 발열을 이용하여 신호를 기록하는 경우, 기록층이 빛을 흡수하고 기록 가능한 정도로 온도가 상승한 후, 신호를 기록한다. 따라서, 트랙 피치가 작아지면, 기록층을 분단한 경우라도 인접한 기록 영역이 광 스폿 내에 들어온다. 그 결과, 인접 트랙의 기록 영역의 기록층에도 기록 마크가 형성되어, 크로스-라이트 및 크로스-소거를 완전히 막는 것이 어렵게 된다. 또한, 이 방법에서는, 포토리소그래피 등을 이용할 필요가 있어, 가공 처리가 복잡하게 되어 제조 비용이 증가하게 된다. 더구나, 포토리소그래피를 이용하는 방법은 대규모로 광기록 매체를 제조하는 데에는 적절치 않다는 문제점이 있다.
특허 문헌 8에서는, 그루브와 랜드 사이의 그루브의 측벽면 상의 기록층 두께를 얇게 함으로써 크로스-소거를 저감하는 발명이 개시되어 있다.
특허 문헌 9에서는, 라인형의 도전체를 설치하고, 도전체 사이의 공간에 신호를 기록한다. 도전체에 의해 방열성이 좋게 되어, 기록 마크는 확대되지 않고 기록할 수 있다. 특히, 레이저 빔단이 차광되고, 열은 도전체로 방열되어, 인접 트랙에의 영향을 저감한다.
특허 문헌 10은 기록 마크가 형성되는 영역을 제한하는 방법을 이용한 정보 기록 매체를 개시하고 있다. 상기 방법에서는, 라인형의 금속층을 주기적으로 설치함으로써 열전도율을 주기적으로 바꾸고, 상기 영역을 제한한다. 이들 특허 문헌 에서는, 기초로서 금속막을 라인형으로 설치하고 열전도율의 차이를 이용하여 크로스-라이트 등을 막는다.
특허 문헌 11 및 12에서는, 차광 구조를 이용하는 광기록 매체가 개시되어 있다. 이들 문헌은 크로스토크의 억제를 목적으로 하고, 크로스-라이트 및/또는 크로스-소거의 방지 효과는 분명하지 않다. 특히, 특허 문헌 11에서는 트랙 피치와 차광막의 폭의 합을 레이저빔의 스폿 크기와 동일하게 한 발명이 개시되어 있다. 그러나, 상기의 경우 더욱 고밀도가 되어, 광 스폿에 대하여 트랙 피치가 작아지고, 광 스폿은 인접 트랙으로 확장되는 새로운 문제가 생긴다.
특허 문헌 12에서는, 광학 위상차를 이용한 마스크 효과를 이용하거나 결정상의 차이로부터 생기는 광학 특성의 차를 이용한 마스크 효과를 이용하여 크로스토크를 억제하는 발명이 개시되어 있다. 이 발명에 있어서도 크로스-라이트 및/또는 크로스-소거의 방지 효과는 분명하지 않다. 또한, 열을 이용하여 기록하는 광기록 매체에 대해 마스크를 이용한 경우에는, 열전도의 영향으로 마크가 넓어진다. 따라서, 기록 마크의 인접 트랙으로의 확대를 막는 것이 어렵다. 또한, 마스크층 자체가 열을 발생시키기 때문에, 기록 마크는 마스크된 부분에도 기록된다. 그러므로, 크로스-라이트를 효과적으로 억제할 수 없다.
특허 문헌 13은, 인접하는 기록부와의 경계에 돌기형의 변형부를 설치하고 열의 전파하는 거리를 크게 함으로써 인접부에의 크로스-라이트 및 크로스-소거를 감소시키는 광기록 매체가 개시되어 있다. 그러나, 열을 전파하는 거리를 크게 하더라도 광기록 매체를 구성하는 각 층이 연속적으로 형성되어 있기 때문에, 기록 밀도가 증가하면 열이 전파하고 인접 트랙에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 상기 광학 기록 매체는 그루브 기록에만 한정되어 있다.
특허 문헌 14는, 그루브의 홈 깊이를 깊게 함으로써 크로스-소거를 막고, 또는 그루브의 홈이 얕은 경우, 그루브와 랜드의 경계 부근의 막 두께를 얇게 하거나 막을 제거하는 발명이 개시되어 있다.
특허 문헌 1 일본 특허 공개(JP-A) 2004-158091호 공보
특허 문헌 2 일본 특허 공개(JP-A) 2000-276770호 공보
특허 문헌 3 일본 특허 공개(JP-A) 2001-236689호 공보
특허 문헌 4 일본 특허 공개(JP-A) 2000-251321호 공보
특허 문헌 5 일본 특허 공개(JP-A) 2003-263805호 공보
특허 문헌 6 일본 특허 공개(JP-A) 2001-266405호 공보
특허 문헌 7 일본 특허 공개(JP-A) 평11-176021호 공보
특허 문헌 8 일본 특허 공개(JP-A) 평11-53763호 공보
특허 문헌 9 일본 특허 공개(JP-A) 2003-228880호 공보
특허 문헌 10 일본 특허 공개(JP-A) 2003-217176호 공보
특허 문헌 11 일본 특허 공개(JP-A) 평03-290842호 공보
특허 문헌 12 일본 특허 공개(JP-A) 평08-63782호 공보
특허 문헌 13 일본 특허 공개(JP-A) 2003-228885호 공보
특허 문헌 14 일본 특허 공개(JP-A) 평08-124211호 공보
[발명의 개시]
따라서, 본 발명은 인접 트랙에 잘못 신호를 기록하는 크로스-라이트 및 인접 트랙의 기록 신호를 잘못 소거하는 크로스-소거의 문제를 해결할 수 있고 고밀도 기록이 가능한 광기록 매체; 광기록 매체 제조 방법; 및 광기록 매체의 기록 재생 방법의 제공을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 광기록 매체는 기판, 기판 상에 빛을 흡수하고 열을 발생시키는 광흡수층, 기록층, 및 기록층에의 기록을 저해하는 기록 저해부를 포함하고, 상기 기록 저해부는 기록층과 광흡수층 사이에, 또한 인접하는 트랙 사이에 설치되고, 광흡수층의 광흡수 기능에 의해 기록층에 기록 마크가 형성된다. 이러한 경우에, 일 양상에서, 상기 기록 저해부는 바람직하게는 열을 차단하는 단열부이고, 또 다른 양상에서, 상기 단열부는 재료 A와 재료 B의 혼합체를 포함하고, 상기 재료 A는 실리콘 화합물이며, 상기 재료 B는 황화물, 셀레늄화물, 및 불화물로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료이고, 또 다른 양상에서, 상기 단열부의 열전도율은 바람직하게는 상기 기록층을 구성하는 재료의 열전도율보다 낮고, 또 다른 양상에서, 상기 단열부의, 기록광의 파장에 있어서의 광흡수율은 바람직하게는 1 × 10-3 ∼ 1 × 10-5이고, 또 다른 양상에서, 상기 기록 저해부는 바람직하게는 빛을 차단하는 차광부이고, 또 다른 양상에서, 바람직하게는 상기 차광부는 적어도 한 종류의 금속 재료와 재료 A와 재료 B의 혼합체 중 하나를 포함하고, 상기 재료 A는 실리콘 화합물이며, 상기 재료 B는 황화물, 셀레늄화물, 불화물로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료이고, 또 다른 양상에서, 상기 기록 저해부는 바람직하게는 상기 광흡수층에 대하여 광원 측에 특정 간격을 두어 설치되어 있고, 또 다른 양상에서, 상기 기록 저해부는 바람직하게는 원주형 또는 나선형으로 설치되어 있고, 또 다른 양상에서, 상기 기록층은 바람직하게는 금속, 반도체, 및 반금속의 산화물 중 어느 하나를 포함하고, 또 다른 양상에서, 상기 기록층은 바람직하게는 유기 색소를 포함하고, 또 다른 양상에서, 상기 유기 색소는 바람직하게는 기록광의 파장을 포함하지 않는 극대 흡수대를 갖고, 또 다른 양상에서, 바람직하게는, 상기 광흡수층은 빛을 흡수하여 온도가 상승하더라도 그 특성이 변질 또는 변형하지 않고, 또 다른 양상에서, 바람직하게는 광기록 매체가 조사된 빛의 강도 분포 및 광조사에 따라 생기는 열 분포 중 하나에 의해 초해상 현상을 일으키는 초해상층을 더 포함하고, 또 다른 양상에서, 바람직하게는, 상기 초해상층은 또한 광흡수층을 겸한다.
본 발명에 따른 광기록 매체의 제조 방법은 기판 상에 적어도 광흡수층 및 볼록형 단열부 형성용 박막을 설치하여 적층체를 형성하는 단계; 상기 적층체에 상기 박막 측에서 빛을 조사하여 볼록형 단열부의 형상을 결정하는 단계; 및 상기 볼록형 단열부 형성용 박막의 불필요한 부분을 제거하여 볼록형 단열부를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 광기록 매체의 기록 재생 방법은 기록광의 파장과 재생광의 파장이 다른 기록광 및 재생광을 본 발명의 광기록 매체에 조사하여 정보를 기록하고 재생하는 것을 포함한다. 이러한 경우에, 일 양상에서, 상기 기록광 및 재생광은 바람직하게는 기판을 통해서 조사된다.
[도면의 간단한 설명]
도 1은 본 발명의 기록 원리의 예를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 "인접하는 트랙 사이"의 양상예를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 "인접하는 트랙 사이"의 또 다른 양상예를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 "인접하는 트랙 사이"의 또 다른 양상예를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 "인접하는 트랙 사이"의 또 다른 양상예를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 "인접하는 트랙 사이"의 또 다른 양상예를 도시하는 도면이다.
도 7은 단열부를 포함하는 본 발명의 광기록 매체의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 8 및 도 9는 종래의 광기록 매체에 대한 기록의 설명도이다.
도 10은 본 발명에 따른 광기록 매체에 대한 기록의 일례의 설명도이다.
도 11은 종래의 광기록 매체에 대한 기록의 설명도이다.
도 12는 빛의 조사 방향이 다른 본 발명에 따른 광기록 매체에 대한 기록의 설명도이다.
도 13은 차광부를 갖는 본 발명에 따른 광기록 매체의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 14는 본 발명에 따른 광기록 매체에 대한 기록의 일례의 설명도이다.
도 15는 색소 재료의 흡수 스펙트럼을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 16은 특정 파장 영역에서의 유기 색소의 일반적 흡수 스펙트럼의 설명도이다.
도 17은 기록 저해부를 갖는 본 발명에 따른 광기록 매체의 일례를 위에서 본 평면도이다.
도 18은 초해상층을 갖는 본 발명에 따른 광기록 매체의 일례의 단면도이다.
도 19A는 본 발명에 따른 광기록 매체의 제조 방법의 일례로 층을 설치하는 단계를 도시하는 설명도이다.
도 19B는 본 발명에 따른 광기록 매체의 제조 방법의 일례로 볼록형 단열부의 형상을 결정하는 단계를 도시하는 설명도이다.
도 19C는 본 발명에 따른 광기록 매체의 제조 방법의 일례로 볼록형 단열부 형성용 박막 중 불필요한 부분을 제거하는 단계를 도시하는 설명도이다.
도 19D는 본 발명에 따른 광기록 매체의 제조 방법의 일례로 기록층을 형성하는 단계를 도시하는 설명도이다.
도 20은 단열부를 갖는 광기록 매체의 구체예의 단면도이다.
도 21은 광기록 매체의 구체예 중 기록 마크의 평면도이다.
도 22는 초해상층을 갖는 광기록 매체의 구체예의 단면도이다.
도 23은 차광부를 갖는 광기록 매체의 구체예의 단면도이다.
도 24는 기록 저해부가 없는 경우의 기록 상태를 설명하는 도면이다.
[발명을 수행하기 위한 최량의 형태]
(광기록 매체)
본 발명에 따른 광기록 매체는 기판, 빛을 흡수하고 열을 발생시키는 광흡수층, 기록층, 및 기록층에의 기록을 저해하는 기록 저해부를 포함하고, 필요에 따라 다른 층을 포함할 수 있다.
상기 기록 저해부는 기록층과 광흡수층 사이에, 또한 인접하는 트랙 사이에 설치된다. 기록 마크는 광흡수층의 광흡수 기능에 의해 기록층에 형성된다.
광기록 매체는, 일반적으로 원주형으로 형성된 트랙을 따라서 신호를 기록한다. 고밀도화를 하기 위해서 트랙 밀도를 높게 하고 트랙 피치를 작게 하면, 트랙의 폭보다도 광 스폿의 크기가 커진다. 따라서, 인접 트랙에도 빛이 조사되고, 기록층이 빛을 흡수하고 온도가 상승하면, 인접 트랙의 빛이 조사된 부분도 온도가 상승한다. 그 결과, 인접 트랙에 기록된 신호가 소거(즉, 크로스-소거)되고, 또한 신호가 인접 트랙에 기록(즉, 크로스-라이트)될 수 있다.
대조적으로, 본 발명에서는, 열 제어, 빛 제어에 의해 기록 마크의 확대를 억제하고 인접 트랙에의 불리한 영향을 막음으로써 크로스-라이트, 크로스-소거 등을 억제한다. 즉, 본 발명의 광기록 매체는, 종래 기술과 달리 기록층을 분단하는 것은 아니나, 기록 저해부를 설치하여 크로스-라이트 및 크로스-소거를 억제할 수 있다. 또한, 리소그래피와 같은 대규모로 광기록 매체를 제조하는 복잡하고 불편한 방법과는 달리 광조사 및 에칭 등의 간편한 방법으로 기록 저해부를 형성하는 방법도 제공한다.
상기 본 발명의 광기록 매체의 기록 원리는 도면을 참조하면서 설명한다. 그러나, 기록 원리가 완전히 해명되어 있지 않으므로 이하의 설명에는 추측이 포함될 수 있다.
도 1은 본 발명의 광기록 매체의 단면을 모식적으로 도시한 도면이다. 도 1의 가로 방향은 광기록 매체의 반경 방향, 세로 방향은 트랙 방향이다. 이 점은 후술하는 유사한 모식적 단면도에 관해서도 마찬가지이다. 광흡수층(102)의 위에 트랙과 기록 저해부(601)를 교대로 설치하고, 그 표면층에 기록층(104)을 설치한다. 이 매체에 기록층 측의 기록광을 조사하면, 기록하고자 하는 트랙(도 1의 중앙의 트랙), 및 그 주변의 기록층의 온도는, 도 1의 열 분포의 그래프로 도시한 바와 같다. 중앙의 트랙의 온도는 명백히 높고, 이웃한 기록 저해부의 온도는 매우 낮다. 기록 저해부(601)가 설치되지 않은 경우에는, 빛의 강도 분포에 따라서, 중앙으로부터 주변으로 서서히 온도가 내려가게 되어 기록 마크가 넓어진다. 도 24는 기록 재료 온도 분포를 나타내며, 상기 도면에서는 기록층(104), 광흡수층(102), 및 기록 온도 TR이 도시되어 있다. 반면에, 본 발명의 경우에는, 광흡수층(102)이 빛을 흡수하고 그 온도가 기록 온도 TR 이상으로 되더라도, 열은 단열 효과로 인해 기록층(104)으로 운반되지 않으므로 단열부가 형성된 기록층의 온도는 상승하지 않는다. 또는, 기록광은 광흡수층에 도달하지 않기 때문에 온도가 상승하지 않는다. 그러므로, 이러한 열 분포의 상태로 기록 온도 TR을 도 1의 점선 위치에 설정해 두면, 다소의 미스트랙킹이 있더라도, 기록 저해부가 없는 경우와 비교해서, 중앙의 트랙 부분에만 정확히 기록 마크(106)를 형성하기 때문에 크로스-라이트가 발생하지 않는다. 또한 크로스-소거도 같은 원리에 기초하여 방지될 수 있다.
본 발명의 광기록 매체에서는, 기록층과 열을 발생시키는 광흡수층을 설치하여, 기록에 필요한 열이 광흡수층에 의해 발생되도록 한다. 또한, 기록층 및 광흡수층 양층 사이에 기록 저해부를 설치한다. 그 결과, 기록층이 연속막이라 하더라도, 기록 저해부가 설치된 상태에서 광흡수층에서 발생하는 기록에 필요한 열이 기록층에 전해지는 것을 차단할 수 있다. 또한, 광흡수층을 연속막으로 형성함으로써, 열을 막의 면내 방향으로 발산하게 하는 것이 가능하고, 기록층에 전파하는 열을 감소시킬 수 있다. 상기 구조를 이용하는 경우, 크로스-라이트 및 크로스-소거를 충분히 억제할 수 있다. 단지 기록층의 광흡수능에 기초해서는 실질적으로 재생가능한 기록 마크가 형성되지 않도록 한다. 예컨대, 산화 Bi를 기록층에 이용하고, Ge를 광흡수층에 이용한 경우, 흡수능을 나타내는 감쇠 계수 k의 값은, 표 1과 같이 된다. Ge 막은 파장 400 nm에서 k의 값이 2.20이며, 산화 Bi 막은 동일 파장에서 k의 값이 3.41 × 10-3이다. 상기 흡수 조건하에서, 기록층 재료인 산화 Bi의 광흡수능만으로서는 기록하기에 충분하지 않을 수 있다.
색소를 기록층에 이용한 경우에도 마찬가지이다. 예컨대, 파장 500 nm의 빛으로 흡광도가 약 0.043인 프탈로시아닌계의 색소를 이용한 경우, 광흡수 재료인 Ge 막은 흡광도가 약 0.35이다. 상기 조건하에서, 기록층 재료의 능력만으로서는 기록하기에 충분하지 않을 수 있다.
[표 1]
파장 (nm)
400 650 780
Ge 2.20 0.61 0.50
산화 Bi 3.41 × 10-3 0 0
기록 저해부는 제한없이 목적에 따라 선택할 수 있다. 예컨대, 단열에 의해 열전도를 차단하여 기록을 저해하는 단열부에 의해, 또는 빛을 차단함으로써 광흡수층에서의 광흡수를 차단하여 열의 발생을 억제함으로써 기록을 저해하는 차광부에 의해 기록을 저해할 수 있다.
트랙을 갖는 광기록 매체의 경우, 그루브 기록, 랜드 기록, 및 그루브-랜드 기록 등 여러가지의 형태가 있기 때문에, 본 발명의 "인접하는 트랙 사이"로서는, 예컨대 도 2에서 도 6에 걸쳐 도시한 바와 같은 형태를 들 수 있다. 도면에서는, 기판(101), 층형 광흡수층(102), 단열부(103), 및 기록층(104)를 도시한다. 도면에서는, 기록 저해부가 단열부로서 이용되고, 기록 저해부가 차광부로 대체될 수 있다.
트랙의 폭이 광 스폿 크기의 약 1/4 ∼ 약 1/5이라도 기록 마크를 트랙의 폭에 제한하여 기록을 할 수 있다. 예컨대, 광 스폿 크기가 약 1.2 μm일 때, 트랙 피치가 약 300 ∼ 약 400 nm이고, 트랙은 트랙의 폭이 약 110 nm로 좁더라도, 트랙폭에 제한된 기록 마크를 기록하는 것이 가능하다. 트랙과 트랙 사이에 있는 기록 저해부의 폭은 약 250 ∼ 약 300 nm이다. 트랙 피치가 370 nm, 트랙폭이 240 nm이고, 기록 저해부의 크기가 130 nm의 경우에 기록 마크는 가장 효과적으로 기록된다.
트랙 피치, 트랙폭 및 기록 저해부의 폭의 적절한 크기는 광 스폿 크기에 따라 변화한다.
광흡수층의 재료로서는, 빛을 흡수하고 발열하는 기능을 갖는 재료를 목적에 따라 선택할 수 있다. 광흡수층의 재료의 예로는 Si, Ge, GaAs 등의 반도체; Bi, Ga, In, Sn, BiTe, BiIn, GaSb, GaP, InP, InSb, InTe, SnSb 등의 금속 또는 금속간 화합물; C, SiC 등의 탄화물; V2O5, Cr2O3, Mn3O4, Fe2O3, Co3O4, CuO 등의 산화물; SbTe 등의 2원계의 상 변화 재료; GeSbTe, InSbTe, BiSbTe, GaSbTe 등의 3원계의 상 변화 재료; AgInSbTe 등의 4원계의 상 변화 재료를 포함한다. 전술한 바와 같이, 기록에 필요한 열이 광흡수층에서 발생하도록 하고, 기록층의 광흡수능만을 기초로 하여 실질적으로 재생가능한 기록 마크를 형성되지 않도록 한다. 그러므로, 광흡수층이 기록층보다도 광흡수능이 커지도록 재료를 선택한다.
광흡수층의 두께는 3 ∼ 20 nm가 바람직하다. 광흡수층을 박막화함으로써 층 내에서의 열의 확산을 억제할 수 있기 때문에, 상기 광흡수층은 고밀도 기록에 적합하다.
기록층의 재료로서는, 열에 의해 변질되어 굴절률 변화 및/또는 변형이 일어나고, 큰 변조도를 얻을 수 있는 재료가 바람직하다. 전술한 바와 같이, 기록층의 광흡수능만을 기초하여 실질적으로 재생가능한 기록 마크가 형성되지 않도록 하기 위해서는 광흡수능이 적은 재료가 바람직하다. 따라서, 추기형 또는 개서형 광기록 매체에 이용되어 온 Te 및 Bi 등의 저융점 금속의 산화물인 산화 Te, 산화 Bi 등의 산화물을 이용할 수 있다. 또한, 광흡수 파장을 비교적 간단히 제어가능한 유기 색소가 이용될 수도 있다.
기록 저해부는 열을 차단하는 단열부가 바람직하다. 도 7은 단열부를 포함하는 본 발명의 광기록 매체의 일례를 도시한다. 상기 도면에서는, 기판(101), 층형 광흡수층(102), 단열부(103), 및 기록층(104)이 도시되어 있다.
일반적으로 통상의 광기록 매체로서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 집광된 빛(105)(빛의 경로는 모식적으로 도시한다)이 조사되면, 기록층(104)이 빛을 흡수하고 온도가 상승하여, 온도가 상승한 부분에 기록 마크(106)가 형성된다. 도 8은 트랙을 생략한 모식도이다. 빛을 집광시킬 수 있는 스폿 크기는 빛의 파장과 렌즈의 개구경(NA)에 의해 결정되므로, 기록 밀도를 증가시키기 위해 광 스폿 크기보다 작은 트랙에 신호를 기록할 필요가 있다. 예컨대, 도 9에 도시한 바와 같이, 집광된 빛(105)이 트랙 (107)로부터 (109)까지 조사되는 경우, 기록 마크(110)는 3개 트랙에 걸쳐 형성된다. 상기 기록 마크(110)가 단 하나의 트랙에 기록될 수 있으면, 트랙폭 방향으로는 3배의 밀도로 기록하는 것이 가능해진다.
도 10에서는, 빛을 조사한 광기록 매체의 예를 도시한다. 기록층(104)에서는 거의 빛을 흡수하지 않고, 광흡수층(102)에서 빛을 흡수하며, 신호를 그 열로 기록하는 것이 가장 바람직하다. 따라서, 여기서는, 빛을 거의 흡수하지 않는 재료를 이용한 예를 이용하여 설명한다. 빛은 기록층을 거의 투과하고, 광흡수층에서 빛을 흡수하여 온도가 상승한다. 기록층에서의 온도를 상승시킨 열에 의해 기록층의 변질 또는 변형이 발생하여 기록 마크가 형성된다. 그러나, 단열부(103)가 형성된 기록층 부분에서는 상기 단열부(103)로 인해 열이 잘 전해지지 않는다. 따라서, 그 부분의 기록층의 온도 상승은 낮다. 그 결과, 기록 마크(106)는 단열층 사이에 끼워지도록 형성되고 상기 마크는 인접 트랙에는 영향을 미치지 않는다. 기록층의 광흡수능이 크면, 기록층의 광흡수에 의해 발생한 열이 인접 트랙쪽으로 확산하기 더 쉽다. 열의 확산은 기록층 아래에 단열부를 설치함으로써 억제할 수 있다. 그러나, 기록층의 광흡수능이 광흡수층보다 작은 경우 기록 마크의 확대를 억제하는 효과가 더 크다. 도 11에 도시한 바와 같이, 단열부가 없으면, 온도가 상승한 부분의 상면에 있는 기록층(104) 전체 영역의 온도는 상승할 수 있고 더 큰 기록 마크(106)를 형성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 신호를 좁은 영역에 기록하는 것이 가능해지고, 따라서 크로스-라이트 및 크로스-소거를 감소시킬 수 있다. 대개의 경우, 단열부(103)는 트랙을 따라서 트랙과 트랙 사이에 연속형으로 형성한다. 단열부와 단열부 사이에 트랙킹함으로써 양호하게 기록할 수 있다. 트랙킹은 종래부터 이용되고 있는 푸시-풀(push-pull)법, 3빔을 이용한 DPP(Differential Push Pull, 디퍼렌셜 푸시-풀)법 등을 이용하여 형성된 볼록형 단열부와 단열부 사이에 트랙킹하는 것이 가능하다.
또한, 도 12에 도시한 바와 같이, 기판(101), 기록층(104), 단열부(103), 및 광흡수층(102)을 이 순으로 구비한 광기록 매체에 대하여, 기판 측에서 빛을 조사한 경우라도 상기에 나타낸 바와 같은 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이 경우, 기록 마크는 트랙을 따라서 연속적으로 형성된 단열부와 단열부 사이에 형성되어, 인접 트랙에는 영향을 미치게 하지 않는다.
단열부의 재료는 단열 효과를 갖는 재료를 목적에 따라 선택하여 사용할 수 있다. 재료의 예로는, SiO2, ZnO, 및 MgO 등의 산화물; SiN, AlN, 및 SiON 등의 질화물; ZnS, CaS, 및 BaS 등의 황화물; ZnSe 및 BaSe 등의 셀레늄화물; MgF, CaF2, 및 BaF2 등의 불화물을 포함한다.
단열부의 재료는 재료 A와 재료 B의 혼합체를 함유하고, 상기 재료 A는 실리콘 화합물이고, 상기 재료 B는 황화물, 셀레늄화물, 불화물로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것이 바람직하다.
재료 A의 실리콘 화합물의 예로서는 SiO2 및 SiON을 포함한다.
재료 B의 황화물의 예로서는 ZnS, CaS, 및 BaS를 포함한다. 재료 B의 셀레늄화물의 예로서는 ZnSe 및 BaSe를 포함한다. 재료 B의 불화물의 예로서는 CaF2 및 BaF2를 포함한다. 재료 A와 재료 B의 예는 단독으로 또는 병행하여 사용할 수 있다.
재료 A와 재료 B의 혼합비는, 재료 A가 10 ∼ 30몰%, 재료 B가 70 ∼ 90몰%인 것이 바람직하다. 또한, 재료 A와 재료 B 사이에 화학 결합이 없고, 상기 두 재료가 독립적으로 존재하는 것이 바람직하다. 이것들의 재료는 열전도율이 낮고 단열 효과가 높다. 그러므로, 상기 재료는 열을 잘 차단하고, 기록층으로의 열 전파를 작게함으로써 단열부가 형성되어 있는 기록층 부분이 변질되거나 변형하는 것을 막을 수 있다. 즉, 좁은 영역에 신호를 기록할 수 있기 때문에, 크로스-라이트 및 크로스-소거를 감소시킬 수 있다.
단열부의 열전도율이 기록층의 열전도율보다도 낮은 것이 바람직하다. 단열부의 열전도율이 크면, 단열부는 즉시 가온되고, 그 후 상기 열은 기록층으로 확산하며, 단열부의 효과는 없어져 버린다. 반면에, 단열부의 열전도율이 작고, 기록층과의 열전도율의 차가 크면, 크로스-라이트, 크로스-소거 등을 더 효과적으로 억제할 수 있는데, 상기 단열부와 기록층과의 열전도율의 차는, 예컨대, 빛교류법으로 측정한 경우에 있어서, 약 2 자릿수 이상이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서 이용한 ZnS-SiO2로 이루어진 박막으로 형성된 단열부의 열전도율은 측정 한계(0.03 W/m·K) 이하이며, 산화 Bi로 이루어지는 기록층의 열전도율은 2.8 W/m·K이다.
단열부는 기록에 이용하는 빛(기록광)의 파장에서 투광성이 높은 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 광흡수층에서 발생한 열이 기록층에 전파하지 않도록 하여, 좁은 표적 영역에 기록 마크를 형성시키는 단열부의 기능으로부터 보아서, 단열부에서는 온도 상승률을 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다. 단열부의 재료로서, 기록광의 파장에서 투광성이 높은 재료를 이용하여, 가능한 한 빛의 흡수를 작게 억제하고, 단열부의 온도를 상승시키지 않도록 함으로써, 기록 마크의 확대를 억제할 수 있다. 그 결과, 크로스-라이트, 크로스-소거 등의 억제 효과를 높일 수 있다. 가능하면, 빛을 전혀 흡수하지 않는 투명한 재료가 단열부로서 이상적이다. 상기 단열부가 투명한 경우, 단열부는 빛을 흡수하지 않음으로써 온도가 상승하지 않는다. 그 후, 상기 온도는 광흡수층으로부터의 열전도에 의해서만 상승한다. 단열부에서 빛을 흡수하고 온도가 상승하면, 단열부의 상면에 위치하는 기록층에도 기록 마크가 형성될 수 있고, 이는 인접 트랙에도 불리한 영향을 미치게 한다.
그러나, 실제로는, 단열부에 사용하는 재료의 광흡수율은 1 × 10-3 ∼ 1 × 10-5이 바람직하다. 광흡수율이 1 × 10-3 ∼ 1 × 10-5인 상기 재료로서는 SiO2, SiON, 및 SiN 등의 실리콘 화합물; ZnS, CaS, 및 BaS 등의 황화물; ZnSe 및 BaSe 등의 셀레늄화물; CaF2 및 BaF2 등의 불화물 등을 들 수 있다. 또한, 투광성을 갖는 재료를 두 가지 이상 혼합한 혼합체를 이용할 수 있다. 예컨대, 광흡수율이 1 × 10-3 ∼ 1 × 10-5인 재료 A와 재료 B의 혼합체를 예로 들 수 있다.
기록 저해부는 빛을 차폐하는 차광부가 바람직하다. 차광부의 재료로서는, 빛을 차폐하는 기능을 갖는 재료를 널리 사용할 수 있다. 여기서 "차광"이란 빛이 투과하지 않는 구성으로 한 경우와 빛이 광흡수층에 충분히 흡수되지 않는 구성으로 하는 것으로 "차광"과 동일한 효과를 얻는 경우를 의미한다. 전자의 경우, Ag, Al, 및 Cu 등의 금속을 이용하여 빛을 차단한다. 후자의 경우, SiO2, ZnO, 및 MgO 등의 산화물; SiN, AlN, 및 SiON 등의 질화물; MgF 등의 불화물을 포함하는 투명 재료를 이용하고, 광흡수층의 표면에서 반사하는 빛이 많아지도록 하여, 투명 재료의 광학 특성 및 두께를 최적화한 경우를 들 수 있다.
후자의 예는, 광흡수층의 표면에서 반사되는 빛의 양이 많아지도록, SiO2, ZnO, 및 MgO 등의 산화물; SiN, AlN, 및 SiON 등의 질화물; MgF 등의 불화물 등의 투명 재료의 광학 특성 및 두께를 최적화하는 것을 포함한다.
투명 재료로서는, 재료 A와 재료 B의 혼합체를 함유하고, 상기 재료 A는 실리콘 화합물이고, 상기 재료 B는 황화물, 셀레늄화물, 불화물로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 재료가 바람직하다. 재료 A의 실리콘 화합물의 예는 SiO2, SiN, 및 SiON을 포함한다. 재료 B의 황화물의 예는 ZnS, CaS, 및 BaS를 포함한다. 셀레늄화물의 예는 ZnSe 및 BaSe를 포함한다. 불화물의 예는 CaF2 및 BaF2를 포함한다.
도 13은 차광부를 포함하는 본 발명의 광기록 매체의 일례를 도시한다. 상기 도면에서는, 기판(101), 층형 광흡수층(102), 차광부(501), 및 기록층(104)을 도시한다.
도 14에서는, 빛을 조사한 광기록 매체의 예를 도시한다. 기록층(104)에서는 빛을 거의 흡수하지 않고, 광흡수층(102)에서 빛을 흡수하며, 그 열로 신호를 기록하는 것이 가장 바람직하다. 따라서, 여기서는, 빛을 거의 흡수하지 않는 재료를 이용한 예를 이용하여 설명한다. 빛은 기록층을 거의 투과하고, 광흡수층에서 빛이 흡수되며, 그 후 온도가 상승한다. 기록층의 온도를 상승시키는 열에 의해 기록층의 변질 또는 변형을 발생시킴으로써 기록 마크가 형성된다. 그러나, 차광부(501)가 형성된 광흡수층 부분에서는, 빛이 차폐되거나 반사됨으로써 광흡수층에 도달하지 않는다. 그 결과, 차광부 밑의 광흡수층은 발열하지 않음으로써, 그 부분에 대응하는 기록층은 변화하지 않는다. 따라서, 기록 마크(106)는 단열층 사이에서 형성되고 상기 마크는 인접 트랙에는 영향을 미치지 않는다. 기록층의 광흡수능이 크면, 기록층의 광흡수에 의해 발생한 열이 인접 트랙쪽으로 더 쉽게 확대한다. 기록층 밑에 차광부를 설치하더라도, 기록층의 광흡수능만으로 기록 마크가 형성될 수 있다. 그러므로, 기록층의 광흡수능은 광흡수층의 광흡수능보다도 작게 하는 것이 바람직하다. 도 11에 도시한 바와 같이, 차광부가 없으면, 온도가 상승한 부분의 상면에 있는 기록층 전체의 온도가 상승할 수 있고 더 큰 기록 마크를 형성할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 신호를 좁은 영역에 기록하는 것이 가능해지고, 따라서 크로스-라이트 및 크로스-소거를 감소시킬 수 있다. 대개의 경우, 차광부(501)는 트랙을 따라서 트랙과 트랙 사이에 연속형으로 형성한다. 이 단열부와 단열부 사이에 트랙킹함으로써 양호하게 기록할 수 있다. 트랙킹은 종래부터 이용되고 있는 푸시-풀(push-pull)법, 3빔을 이용한 DPP(Differential Push Pull, 디퍼렌셜 푸시-풀)법 등을 이용하여 형성된 볼록형 단열부와 단열부 사이에 트랙킹하는 것이 가능하다.
기록층은 금속 산화물, 반도체 산화물, 및 반금속 산화물 중 하나를 이용한다. 금속으로서는 여러가지 금속을 제한없이 이용할 수 있다. 반도체의 예로서는 Si, Ge, 및 B를 들 수 있다. 반금속의 예로서는 As, Sb, Bi, Se, Te, Sn을 들 수 있다. 이들 원소의 산화물을 기록층에 이용하는 것으로 고밀도 기록이 가능한 광기록 매체가 실현된다.
이 경우, Te, Se, In, Ni, Sb 등의 산화물은 추기형 또는 개서형 광기록 매체의 기록 재료로서 이용되고 있다. 여기서는, 산화 Bi를 이용한 경우를 예로서 설명한다.
도 7에 도시하는 층구성에 있어서, 산화 Bi는 기록층(104)에 이용된다. 산화 Bi의 광흡수율은 비교적 작기 때문에, 온도 상승이 비교적 작아 기록 마크가 형성되는 정도가 아니다. 광흡수층(102)에 흡수된 빛은 온도 상승을 일으키고, 상기 열이 기록층에 전해짐으로써 기록 마크가 형성된다. 대조적으로, 단열부(103)가 형성된 기록부의 영역에서는, 열은 전해지지 않고 기록 마크는 형성되지 않는다. 이와 같이, 트랙의 폭방향으로 넓어지지 않도록 좁은 영역에 기록 마크를 형성할 수 있고, 인접 트랙에의 크로스-라이트 및 크로스-소거를 감소시킬 수 있다.
또한, 기록층은 유기 색소를 포함하는 것이 바람직하다. 이 유기 색소는 종래의 추기형 광기록 매체로 이용되고 있는 것과 같은 정확한 파장 제어는 필요없다. 조사된 빛은 광흡수층에 흡수되어 열을 발생시키고, 상기 열은 기록층에 전해지며, 유기 색소를 분해함으로써 기록 마크가 형성된다. 열 분해 특성이 적합하면, 유기 색소의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 색소 재료는 예를 들어, 배위자를 바꿈으로써 흡수 파장이 변화되도록 하는 특징이 있고, 여러가지 색소 재료를 이용할 수 있다.
유기 색소의 예로는 폴리메틴계 색소, 안트라퀴논계 색소, 디옥사진계 색소, 트리페노디티아진계 색소, 페난트렌계 색소, 시아닌계 색소, 디카르보시아닌계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 피릴륨계 색소, 포르피린계 색소, 크산텐계 색소, 트리페닐메탄계 색소, 아줄렌계 색소, 금속 함유 아조 염료, 아조 염료, 아조계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 폴리엔계 색소, 베이스 스티릴계 색소, 포르마잔 킬레이트계 색소, 크로코늄계 색소, 인디고이드계 색소, 메틴계 색소, 황화물계 색소, 메탄디티올레이트계 색소를 들 수 있다. 그 중에서도, 시아닌 유도체, 디카르보시아닌 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 나프탈로시아닌 유도체, 아조 염료 유도체가 바람직하게 이용된다. 또한, 아미늄계 색소 등의 각종 켄처(quencher)를 첨가한 색소 재료를 이용할 수도 있다.
기록광의 파장에 따라 색소를 선택하는 것이 바람직하다. 예컨대, 하기 화학식 (A)에 도시한 시아닌계 색소는 780 nm의 파장의 빛에 대하여 이용할 수 있다. 도 15에 도시한 바와 같이, 이 시아닌계 색소는 약 430 nm에서 흡수율이 크고, 약 780 nm의 파장에서는 흡수율이 크지 않다. 이러한 색소를 기록층에 이용하면 매우 효과적이다.
[화학식 (A)]
Figure 112007020551408-pct00001
하기 화학식 (B)에 도시한 색소는 바람직하게는 약 400 nm의 파장의 빛에 대하여 이용할 수 있다. 상기 색소는 약 400 nm에서 흡수율이 작다.
[화학식 (B)]
Figure 112007020551408-pct00002
또한, 하기 화학식 (C)에 도시한 프탈로시아닌계 색소 중 "M"이 "VO"인 것은 약 350 nm와 약 700 nm의 파장에서 흡수극대를 갖고, 450 ∼ 550 nm 범위의 파장에서는 흡수율이 작다. 따라서, 450 ∼ 550 nm의 파장의 빛을 이용하는 경우에는, 이 색소를 기록층에 이용하는 것이 매우 효과적이다.
[화학식 (C)]
Figure 112007020551408-pct00003
상기 화학식 (C)에서, "M"은 프탈로시아닌계 색소의 중심 금속이며, Cu, VO, Ni, H, Zn, Pd, Cd, Co, 및 Fe 중 어느 하나를 나타낸다. "R"은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 수산기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 또는 치환 또는 비치환된 아실기를 나타낸다.
바람직하게는, 유기 색소는 기록광의 파장을 포함하지 않는 극대 흡수대를 갖는다. 도 16에 도시한 바와 같이, 유기 색소의 흡수 스펙트럼은 통상적으로 특정 파장 부근에서 큰 흡수대 또는 극대 흡수대(401)를 갖는다. 본 발명에서는, 기록광에 대하여 유기 색소의 광흡수가 작은 것이 바람직하기 때문에, 기록광의 파장이 유기 색소의 극대 흡수대를 벗어난, 흡수가 작은 흡수대(402)가 되도록 설계를 한 유기 색소를 선택하여 이용한다.
유기 색소의 극대 흡수대는 배위자나 치환기의 종류에 따라 조절이 가능하다. 시아닌계의 색소를 예로 들면, 상기 화학식 (A)와 화학식 (B)의 색소는 구조가 유사하지만, 화학식 (A)에 도시한 색소의 극대 흡수 파장은 433 nm이며, 화학식 (B)에 도시한 색소의 극대 흡수 파장은 739 nm이다. 따라서, 기록광의 파장이 780 nm일 경우에는 상기 화학식 (A)에 도시한 색소를 이용하고, 반면, 기록광의 파장이 405 nm일 경우에는 상기 화학식 (B)에 도시한 색소를 이용한다. 프탈로시아닌계, 포르피린계 등의 다른 계통의 색소도 같은 방식으로 이용될 수 있다.
기록 저해부는 광흡수층에 대하여 광원 측에 특정 간격을 두어 설치하는 것이 바람직하다. 도 7 또는 도 13에 도시한 구조를 갖는 광기록 매체의 경우, 광원이 도면의 상측에 있고 빛은 상측으로부터 조사된다. 기판(101) 상에 광흡수층(102)을 형성하고, 그 상면에 볼록형으로 기록 저해부를 형성한다. 기록 저해부는, 도 7에서는 단열부(103)이고, 도 13에서는 차광부(501)이다. 그 위에 기록층(104)을 더 형성한다.
기록 저해부는 원주형 또는 나선형으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 17에서는, 광기록 매체의 상면부터의 모식도를 도시한다. 상기 도면에서는, 광흡수층(102)의 상면에 기록 저해부로서 단열부(103), 또는 차광부(501)를 원주형으로 형성한 상태를 도시하였다. 모식적으로 수 주기의 원주형 단열부 또는 차광부를 나타내지만, 실제의 광기록 매체는 내주로부터 외주까지 상기 구조를 형성한다. 기록층은 상기 도면에 나타내지 않았으나, 기록층은 상기 구조 상에 형성된다. 또한, 이 구조를 이용하여 트랙킹을 행할 수 있고, 트랙킹용의 홈이 없는 기판을 이용할 수도 있다. 기록 저해부와 기록 저해부 사이에 신호가 기록되기 때문에, 트랙킹은 그 곳에서 수행되어야 한다. 그러나, 기록 저해부가 볼록형이고 기록부가 홈으로 되어 있는 경우, 트랙킹은 종래의 광기록 매체에 이용되고 있는 push-pull법이나 DPP법을 이용하여 볼록형으로 형성된 기록 저해부 사이에 트랙킹할 수 있다.
바람직하게는, 광흡수층은 빛을 흡수하여 온도가 상승하더라도 변질 또는 변형되지 않는 구성으로 한다. 이로써 충분히 제어된 기록 마크를 형성할 수 있다. 광흡수층에 변질 또는 변형된 부분이 있으면, 재생광의 위상차, 반사율 변화 등이 그 부분에 생기기 때문에, 기록 마크로부터 검출되는 신호와 중합되어 재생이 어렵게 된다. SbTe 같은 상 변화되기 쉬운 재료의 경우에는, 기록시에 상 변화 때문에, 빛이 조사된 넓은 범위에 걸쳐 광흡수층이 상 변화한다. 그 결과, 상 변화에 의한 신호도 검출되기 때문에 재생시에 어느 정도의 정교함이 요구된다. 광흡수층은, 광흡수층 자체가 변질 또는 변형되지 않도록 하는 재료 또는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 상 변화 재료는 자신이 상 변화되어 버리는 특성 이외의 특성은 우수하기 때문에, 상 변화를 유발하지 않는 조건을 선택할 수 있다면 이용할 수 있다.
재료의 예로서는, Ge, Si 및 B 등의 반도체; Ti, Ta, 및 W 등의 금속; C 및 SiC 등의 탄화물; V2O5, Cr2O3, Mn3O4, Fe2O3, Co3O4, CuO 등의 산화물을 들 수 있다. 이들 재료는 융점이 높고, 또한 쉽게 상 변화되지 않기 때문에, 재료 자체가 쉽게 변화되지 않는다. 그러므로, 광기록 매체의 고밀도 기록에 있어서도 우수한 재생 신호를 얻을 수 있다.
또한, 바람직하게는 조사된 빛의 강도 분포, 또는 광조사에 따라 생기는 열 분포에 의해 초해상 현상을 발생시키는 초해상층을 설치한다. 예컨대, 도 18에 도시한 바와 같이, 기록층(104)의 위에 초해상층(502)을 설치할 수 있다. 초해상층의 재료로서는, 빛을 조사한 경우 광 스폿에서의 빛의 강도 분포, 또는 광조사에 의해 생기는 열 분포에 따라, 광 스폿의 일부분에서 광학 특성이 변화되는 재료를 이용할 수 있다. 광학 특성이 변화된 부분, 또는 변화하지 않는 부분이 마스크의 역할을 함으로써, 외관상 광 스폿이 작아진 상태를 실현한다. 초해상층에 이용되는 재료로서는 예컨대, AgInSbTe, GeSbTe, SbTe, BiGe, 및 InSb 등의 상 변화 재료; Co3O4, V2O5, 및 CuO 등의 산화물과 SiO2의 복합 산화물; 유기 색소 등으로 이루어지는 포토크로믹 재료; 및 서모크로믹 재료를 들 수 있다. 자성체를 이용하고, 그 편광 특성을 이용한 광기록 매체의 경우, 초해상층에 자성체를 이용하는 것도 효과가 크다.
초해상층은, 기록층에 대하여 광원 측에 층이 형성되거나 광원과 반대 측에 층이 형성되는 쌍방의 경우 모두 효과가 있지만, 광원 측에 초해상층을 형성하면 효과가 더 크다. 기록 마크의 트랙의 폭방향으로의 확대는 기록 저해부의 구조 등에 의해서 억제되고, 트랙에 따른 방향의 기록 마크의 길이는 기록광 펄스의 폭으로 결정된다. 기록 마크의 길이가 작아짐에 따라서 재생광 스폿 내에 복수의 기록 마크가 들어가게 되어, 재생광의 해상 한계 이하의 길이로 된다. 그러나, 초해상을 이용하면 기록 마크의 길이가 작더라도 양호하게 재생할 수 있게 된다. 그 결과, 트랙 밀도 및 선밀도를 함께 고밀도로 하는 것이 가능해지고, 고밀도 광기록 매체가 실현된다.
바람직하게는, 초해상층은 광흡수층의 역할도 한다. 재생시에 초해상 기능을 갖는 광흡수층에 빛이 조사되면, 빛을 흡수하여 온도가 상승하고 광 스폿내의 일부분의 광학 특성이 변화한다. 예컨대, 광학 특성이 변화된 부분의 광투과율이 높아지면, 외관상 광 스폿이 작아진 경우와 동등한 효과가 얻어진다. 따라서, 작은 기록 마크를 재생하는 것이 가능해진다. 도 7 등에 도시한 층 구조를 이용하여 광흡수층에 초해상 기능을 제공할 수 있다. 빛을 흡수하고 열을 발생시키는 기능과 초해상 기능의 양방을 갖는 재료의 예로서는, Si, Ge, 및 GaAs 등의 반도체; Bi, In, 및 Sn 등의 금속; BiTe, BiIn, GaSb, GaP, InP, InSb, InTe, 및 SnSn 등의 금속간 화합물; C 및 SiC 등의 탄화물; V2O5, Cr2O3, Mn3O4, Fe2O3, Co3O4, CuO 등의 산화물; SbTe 등의 2원계의 상 변화 재료; GeSbTe, InSbTe, BiSbTe, 및 GaSbTe 등의 3원계의 상 변화 재료; AgInSbTe 등의 4원계의 상 변화 재료 등을 들 수 있다.
초해상층의 두께는 3 ∼ 20 nm가 바람직하다. 박막으로 형성된 초해상층에서는 층 내에서의 열의 확산을 억제할 수 있으므로, 상기 초해상층은 고밀도 기록에 알맞다. 기록 마크의 폭은 기록 저해부와 같은 구조로 확대를 억제하고, 길이는 기록 펄스의 폭으로 작게 하여, 그 후 초해상으로 재생을 한다. 이와 같이, 광기록 매체는 간단한 구조를 갖지만; 고밀도 광기록 매체를 실현한다.
(광기록 매체의 기록 재생 방법)
본 발명의 광기록 매체의 기록 재생 방법은 본 발명의 광기록 매체가 기록광 및 재생광이 조사되어 정보를 기록하고 재생하며, 상기 기록광은 재생광과 다른 파장을 갖는 광기록 매체의 기록 재생 방법이다.
본 발명의 광기록 매체의 경우, 기록광에는 광 스폿 크기를 보다 작게 하는 단파장의 빛을 이용하는 것이 바람직하다. 그러나, 그 파장의 빛에서 기록층에서의 흡수가 큰 경우에는, 본 발명의 광기록 매체를 이용하더라도 좁은 트랙 상에 머물도록 기록 마크를 형성할 수 없다. 따라서, 그와 같은 경우에는, 기록층에서의 흡수가 작은 파장의 빛으로 기록을 하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 기록광의 파장과 재생광의 파장이 다른 기록 재생 방법을 이용함으로써, 좁은 트랙에 기록 마크를 형성할 수 있고, 양호하게 재생하는 것이 가능해진다.
바람직하게는, 기록광 및 재생광을 기판을 통해서 조사한다. 기판(101), 광흡수층(102), 단열부(103), 및 기록층(104)을 포함하는 광기록 매체에 기판 측에서 빛을 조사하고, 기록을 하는 경우라도 동일한 효과를 얻을 수 있다(도 12). 기판 측에서 빛을 조사함으로써, CD 및 DVD 매체와의 호환성을 실현하는 것이 비교적 용이하게 된다.
(광기록 매체를 제조하는 방법)
본 발명의 광기록 매체의 제조 방법은 기판 상에 적어도 광흡수층 및 볼록형 단열부 형성용 박막을 설치하여 적층체를 형성하는 단계, 상기 적층체에 상기 박막 측에서 빛을 조사하여 볼록형 단열부의 형상을 결정하는 단계, 상기 볼록형 단열부 형성용 박막의 불필요한 부분을 제거하여 볼록형 단열부를 형성하는 단계를 포함하고, 필요에 따라 다른 단계를 더 포함할 수 있다.
여기서 도 19A ~ 19D에 대하여 광기록 매체 제조 방법의 일례를 도시한다.
도 19A는 층을 설치하는 단계를 도시하며, 도면에서는 기판(1101), 버퍼층(1102), 광흡수층(1103), 볼록형 단열부 형성용 박막(1104)을 도시한다.
도 19B는 볼록형 단열부의 형상을 결정하는 단계를 도시하며, (1111)은 레이저빔의 조사 방향을 도시한다. 레이저빔은 박막 측에서 조사한다. (1112)는 레이저빔에 의한 개질 부분을 도시한다. 광흡수층의 발열에 따라, 재료 밀도, 결정 상태, 조성 등은 변화할 수 있다. 트랙을 따라 연속적인 단열부를 형성하기 위해서 레이저는 펄스광이 아니라 연속광(CW 광, continuous wave light)을 연속 조사한다. 연속적인 구조를 형성하기 위해서, 매체와 광원의 상대 속도가 일정하게 되도록 레이저 광원을 조정하고, 레이저 광원을 고정하는 한편 매체를 조정하거나, 또는 레이저 광원과 매체 쌍방을 조정한다. 레이저 광원의 예로서는 파장 약 157 nm의 F2 레이저, 파장 약 193 nm의 ArF 레이저, 파장 약 248 nm의 KrF 레이저를 들 수 있다. 레이저빔은 대기속에서 조사될 수 있다. 또한, 레이저빔을 다음과 같이 매체에 적용할 수 있다: 매체를 밀폐 용기에 설치하고, 거기에 질소, 산소, 수증기, 아르곤, 수소 등의 가스를 도입하여, 대기 가스 속에서 레이저광을 매체에 조사한다. 또한, 매체를 밀폐 용기에 설치하여, 진공 속에서 레이저광을 매체에 조사할 수 있다. 레이저광을 기판 측에서 조사할 수 있고, 이 경우, 기판이 투명할 필요가 있다.
도 19C는 볼록형 단열부 형성용 박막의 불필요한 부분을 제거하는 단계를 도시한다. (1121)는 볼록형 단열부를 도시한다. 가공에는 용액을 이용한 습식 에칭법을 이용할 수 있다. 에칭 용액으로서는 불화수소산을 함유하는 용액을 이용한다. 광기록 매체를 불화수소산 용액에 침지하여 레이저광 조사 부분을 제거한다. 이러한 습식 에칭법을 이용하면, 막 재료의 밀도, 결정 상태, 조성 등의 차이에 의해, 볼록형 단열부용 박막의 필요 부분과 불필요 부분 사이에 에칭비(선택비)가 커진다. 또한, 기초의 광흡수층과 볼록형 단열부의 재질이 다르기 때문에, 기초의 광흡수층과 볼록형 단열부 사이에서 선택비가 더 커질 수 있다.
에칭 방법으로서는 건식 에칭법도 이용할 수 있다. 건식 에칭법으로서는 RIE(반응성 이온 에칭; Reactive Ion Etching), ICP(유도 결합 플라즈마 에칭; Inductively Coupled Plasma), 스퍼터 에칭을 들 수 있다. 매체를 진공 장치에 설치하고, 에칭 가스로 이루어진 대기 가스에서 일정 시간 방치하여, 광기록 매체와 같은 대규모 장치에서 평탄한 면을 가진 볼록형 단열부를 얻을 수 있다.
이와 같이 하여, 리소그래피 기법을 사용하지 않고 대규모로 미세한 볼록형 단열부를 형성한다.
계속해서, 도 19D에 도시한 바와 같이, 기록층(1105)을 제공한다. 기록층은 스퍼터링법, 증발법 등의 화학 증착법에 의해서, 또는 도금법 등의 습식법에 의해서 형성할 수 있다. 또한, 기록 재료로서 유기 색소를 이용하는 경우에는, 스핀 코팅법 등을 이용할 수 있다.
상기 본 발명의 광기록 매체 제조 방법에 따르면, 크로스-라이트 및 크로스-소거를 충분히 억제한 광기록 매체를 간편한 방법으로 제조할 수 있다.
본 발명에 따르면, 인접 트랙에 잘못 신호를 기록하여 버리는 크로스-라이트나, 인접 트랙의 인접 마크를 잘못 소거하여 버리는 크로스-소거와 같은 광기록 매체의 문제를 해결한 고밀도 기록이 가능한 광기록 매체, 그 기록 재생 방법, 및 제조 방법을 제공할 수 있다.
이하, 몇 가지 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
도 20에 도시한 광기록 매체를 제조하였으며, 기판(101)에는 두께가 0.6 mm인 폴리카르보네이트를 이용하였고, 버퍼층(301)에는 두께가 50 nm인 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였으며, 단열부(103)에는 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였고, 광흡수층 상면으로부터 단열부 상면까지의 두께를 45 nm로 하였다. 단열부는 트랙을 따라서 연속적으로 원주형으로 형성하였고, 트랙 피치(302)는 370 nm로 하였다. 기록층(104)에는 두께 15 nm의 산화 비스무트를 이용하였다. 버퍼층은, 기록시의 열에 의한 기판에의 손상을 막는 동시에, 반사율을 제어하는 역할을 담당하는 층이다.
상기 제조한 광기록 매체에 대하여 기록을 하였다. 기록에 이용한 레이저광의 파장은 780 nm, 대물 렌즈의 개구수는 0.55, 기록 파워는 8 mW, 펄스폭은 50 nsec였다. 빛의 흡수율은 재료의 감쇠 계수 k에 비례하기 때문에, 광흡수율의 비교 를 k의 값으로 하면, 파장 780 nm의 빛에 대하여 Ge의 감쇠 계수 k는 약 0.5, 산화 비스무트의 k는 약 0.1이다.
기록 마크를 주사 전자 현미경으로 관찰한 바, 단열부가 기록층 밑에 배치되지 않고 광흡수층과 기록층이 접하고 있는 기록층의 일부에 기록 마크가 형성된 것이 확인되었다. 그 모식도를 도 21에 도시하였고, 상기 도면은 광기록 매체의 평면도이다. 상기 도면에서는, 트랙(201), 단열부가 기록층 밑에 배치되어 있는 영역(202), 기록 마크(203)를 도시하였다. 광 스폿 크기는 약 1.2 μm이며, 트랙 피치 370 nm보다 훨씬 큼에도 불구하고, 좁은 트랙에의 기록을 하더라도 크로스-라이트 및 크로스-소거는 일어나지 않았다.
실시예 2
도 20에 도시한 광기록 매체를 제조하였으며, 기판(101)에는 두께가 0.6 mm인 폴리카르보네이트를 이용하였고, 버퍼층(301)에는 두께가 50 nm인 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였으며, 광흡수층(102)에는 두께가 20 nm인 Ag3In11Sb27Te59를 이용하였다. 단열부(103)에는 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였고, 광흡수층 상면으로부터 단열부 상면까지의 두께를 45 nm로 하였다. 단열부는 트랙을 따라서 연속적으로 원주형으로 형성하였고, 트랙 피치(302)는 200 nm로 하였다. 기록층(104)에는 두께 15 nm의 산화 비스무트를 이용하였다.
상기 제조한 광기록 매체에 대하여 기록을 하였다. 기록에 이용한 레이저광의 파장은 405 nm, 대물렌즈의 개구수는 0.85, 기록 파워는 4 mW, 펄스폭은 50 nsec였다. 빛의 흡수율은 재료의 감쇠 계수 k에 비례하기 때문에, 광흡수율의 비교를 k의 값으로 하면, 파장 405 nm의 빛에 대하여 Ag3In11Sb27Te59의 감쇠 계수 k는 약 2.7, 산화 비스무트의 k는 약 0.29이다.
기록 마크를 주사 전자 현미경으로 관찰한 바, 실시예 1에서와 같이, 기록층이 광흡수층과 접하고 있는 기록층의 일부에 기록 마크가 형성된 것으로 확인되었다. 그 모식도를 도 21에 도시하였다.
광 스폿 크기는 390 nm이며, 트랙 피치 200 nm보다 훨씬 큼에도 불구하고, 좁은 트랙에의 기록을 하더라도 크로스-라이트 및 크로스-소거는 일어나지 않았다.
실시예 3
기록층(104)에는 두께가 60 nm인 하기 화학식 (A)의 시아닌계 색소를 이용한 점 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 도 20에 도시한 광기록 매체를 제조하였다.
기록 파워를 6 mW로 한 점 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 기록을 하여 관찰하였다. 실시예 1과 같이, 기록층이 광흡수층과 접하고 있는 기록층의 일부에 기록 마크가 형성되었다. 그 모식도를 도 21에 도시하였다.
광 스폿 크기는 약 1.2 μm이며, 트랙 피치 370 nm보다 훨씬 큼에도 불구하고, 좁은 트랙에의 기록을 하더라도 크로스-라이트 및 크로스-소거는 일어나지 않았다.
[화학식 (A)]
Figure 112007020551408-pct00004
실시예 4
실시예 3에서 제조한 광기록 매체에 대해 파장 780 nm, 개구수 NA 0.55의 광학계를 이용한 픽업으로, 파장 780 nm의 빛을 거의 흡수하지 않는 단열부와 단열부 사이에 트랙킹하여 기록을 하였다. 기록광은 소정의 정보에 대응하여 변조한 펄스형의 빛이다.
계속해서, 파장 405 nm, 개구수 NA 0.85의 광학계를 이용하여, 트랙에 트랙킹을 하여 재생하였다. 매우 양호하게 재생되었다.
즉, 기록광으로서, 기록층에서 흡수가 일어나지 않는 파장의 빛을 이용하는 것에 의해 좁은 영역에 기록하는 것이 가능하였다. 기록광의 파장을 한정하지 않는 한, 재생광의 파장은 기록광의 파장을 제외하고는 한정되지 않기 때문에 광기록 매체의 적용 범위가 확대되고 호환성이 높게 된다.
실시예 5
도 22에 도시한 구조를 갖는 광기록 매체를 제조하였으며, 기판(101)에는 두께가 0.6 mm인 폴리카르보네이트를 이용하였고, 버퍼층(301)에는 두께가 50 nm인 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였으며, 광흡수층(102)에는 두께가 5 nm인 Ge를 이용하 였다. 단열부(103)에는 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였고 광흡수층 상면으로부터의 두께를 45 nm로 하였다. 단열부는 트랙을 따라서 연속적으로 원주형으로 형성하였고, 트랙 피치(302)는 370 nm로 하였다. 기록층(104)에는 두께가 15 nm인 산화 비스무트를 이용하였다. 초해상층(502)에는 두께가 20 nm인 SbTe를 이용하였다.
상기 제조한 광기록 매체에 대하여 기록을 하였다. 기록에 이용한 레이저광의 파장은 405 nm, 대물 렌즈의 개구수는 0.85, 기록 파워는 6 mW, 기록 마크의 기록 주기는 200 nm였다.
이 광기록 매체를 재생하였다. 통상의 재생광 강도 0.2 mW에서는, C/N은 0이며, 재생광 해상 한계 이하인 것으로 나타났다. 4.5 m/s의 회전 속도로 매체를 회전시키면서 재생광 강도를 0.8 mW로 조정한 경우, C/N은 12 dB였다. 또한, 재생광 강도를 1.2 mW로 조정한 경우, C/N은 41 dB까지 상승하였다. 따라서, 초해상 현상에 의해서 재생이 이루어졌고, 더 높은 C/N이 획득되었음이 확인되었다.
실시예 6
도 20에 도시한 구조를 갖는 광기록 매체를 제조하였으며, 기판(101)에는 두께가 0.6 mm인 폴리카르보네이트를 이용하였고, 버퍼층(301)에는 두께가 50 nm인 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였으며, 광흡수층(102)에는 두께가 20 nm인 Ge를 이용하였다. 이 광흡수층은 초해상층으로서의 역할도 한다. 단열부(103)에는 ZnS-SiO2(몰비 8:2)를 이용하였고 광흡수층 상면으로부터의 두께를 45 nm로 하였다. 단열부는 트랙을 따라서 연속적으로 원주형으로 형성하였고, 트랙 피치(302)는 370 nm로 하였다. 기록층(104)에는 두께가 15 nm인 산화 비스무트를 이용하였다.
상기 제조한 광기록 매체에 대하여 기록을 하였다. 기록에 이용한 레이저광의 파장은 405 nm, 대물 렌즈의 개구수는 0.85, 기록 파워는 6 mW, 기록 마크의 기록 주기는 200 nm였다.
이 광기록 매체를 재생하였다. 통상의 재생광 강도 0.2 mW에서는, C/N은 0이며, 재생광 해상 한계 이하인 것으로 나타났다. 회전 속도 7.0 m/s로 매체를 회전시키면서 재생광 강도를 1.2 mW로 조정한 경우, C/N은 10 dB였다. 또한, 재생광 강도를 2.0 mW로 조정한 경우, C/N은 28 dB까지 상승하였다. 따라서, 초해상 현상에 의해서 재생이 이루어졌고, 더 높은 C/N이 획득되었음이 확인되었다.
실시예 7
단열부(103)를 Ag로 이루어지는 차광부(501)로 대체한 점 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로, 도 23에 도시한 구성을 갖는 광기록 매체를 제조하였다.
제조한 광기록 매체에 대하여 실시예 1과 같은 방법으로 기록을 하였다. 도 21에 도시한 바와 같은 기록 마크가 형성되었다. 실시예 1과 같이, 광 스폿 크기는 약 1.2 μm이며, 트랙 피치 370 nm보다 훨씬 큼에도 불구하고, 좁은 트랙에의 기록을 하더라도 크로스-라이트 및 크로스-소거는 일어나지 않았다.
실시예 8
도 19A ~ 19D에 도시한 방법에 따라 본 발명의 광기록 매체를 제조하였다.
우선, 도 19A에 도시한 각 층을 설치하는 단계에서, 두께가 0.6 mm인 폴리카 르보네이트 기판(1101) 상에, ZnS-SiO2(몰비 8:2)로 이루어진 막 두께 50 nm의 버퍼층(1102), Ge로 이루어진 막 두께 5 nm의 광흡수층(1103), 및 ZnS-SiO2로 이루어진 막 두께 45 nm의 단열부를 형성하는 층(1104)을 순차적으로 스퍼터링법으로 성막하였다. 상기 막은 실온, Ar 대기에서 형성되었다.
다음에, 도 19B에 도시한 단열부의 형상을 결정하는 단계에서, 박막 측(도면 중의 화살표(1111)의 방향)으로부터 단열부로서 남기는 부분(1112)에 레이저광을 조사하였다. CW 광을 이용하고, 파장은 405 nm, 대물렌즈의 개구수는 0.85, 기록 파워는 1.8 mW로 하였다. 트랙킹과 포커스서보를 적용하고, 기판을 회전 속도 3.5 m/s로 회전시키면서 빛을 연속적으로 조사하였다. 단열부의 피치는 370 nm, 폭은 150 nm로 하였다.
다음에, 도 19C에 도시한 에칭 단계에서, (1112) 이외에 불필요한 부분을 제거하고 볼록형으로 가공하였다. 잔류부(1121)가 단열부이다. 불필요한 부분의 제거는 용액 에칭법으로 행하였다. 에칭 용액에는 불화수소산(HF)과 물(H2O)의 혼합액을 이용하였다. 불화수소산은 50% 희석 용액을 이용하였고, 용액비는 HF:H2O = 1:10으로 하였다. 이 용액에 기록 매체를 10초 동안 침지하였다. 에칭후, 기록 매체를 즉시 물로 세정하고, 건조 질소 등으로 건조시켰다.
마지막으로, 도 19D의 단계에서, 기록층(1105)으로서 2 종류의 막을 제조하였다. 하나는 스퍼터링법으로 산화 비스무트를 막 두께 15 nm로 형성하였고, 또 하나는 스핀코트법으로 화학식 (A)의 유기 색소를 막 두께 60 nm로 형성하였다.
이와 같은 방법으로, 단열부를 갖는 광기록 매체를 제조하였다.

Claims (18)

  1. 기판; 기판 상에 빛을 흡수하고 열을 발생시키는 광흡수층; 기록층; 및 상기 기록층에의 기록을 저해하는 기록 저해부를 포함하며, 상기 기록 저해부는 기록층과 광흡수층 사이에, 또한 인접하는 트랙 사이에 설치되고, 광흡수층의 광흡수 기능에 의해 기록층에 기록 마크가 형성되는 것인 광기록 매체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기록 저해부는 열을 차단하는 단열부인 광기록 매체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 단열부는 재료 A와 재료 B의 혼합체를 포함하며, 상기 재료 A는 실리콘 화합물이고, 상기 재료 B는 황화물, 셀레늄화물, 및 불화물로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료인 광기록 매체.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 단열부의 열전도율은 상기 기록층을 구성하는 재료의 열전도율보다 낮은 것인 광기록 매체.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 기록광의 파장에서의 상기 단열부의 광흡수율은 1 × 10-3 ∼ 1 × 10-5인 광기록 매체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기록 저해부는 빛을 차단하는 차광부인 광기록 매체.
  7. 제6항에 있어서, 상기 차광부는 적어도 한 종류의 금속 재료 및 재료 A와 재료 B의 혼합체 중 하나를 포함하며, 상기 재료 A는 실리콘 화합물이고, 상기 재료 B는 황화물, 셀레늄화물, 및 불화물로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료인 광기록 매체.
  8. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록 저해부는 상기 광흡수층에 대하여 광원 측에 특정 간격을 두어 설치되는 것인 광기록 매체.
  9. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록 저해부는 원주형 또는 나선형으로 형성되는 것인 광기록 매체.
  10. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록층은 금속, 반도체, 및 반금속의 산화물 중 어느 하나를 포함하는 것인 광기록 매체.
  11. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록층은 유기 색소를 포함하는 것인 광기록 매체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유기 색소는 기록광의 파장을 포함하지 않는 극대 흡 수대를 갖는 것인 광기록 매체.
  13. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광흡수층은 빛을 흡수하여 온도가 상승하는 경우 그 특성이 변질 또는 변형하지 않는 것인 광기록 매체.
  14. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 조사된 빛의 강도 분포 및 광조사에 따라 생기는 열 분포 중 하나에 의해 초해상 현상을 일으키는 초해상층을 더 포함하는 광기록 매체.
  15. 제14항에 있어서, 상기 초해상층은 광흡수층으로서도 작용하는 것인 광기록 매체.
  16. 기판 상에 적어도 광흡수층 및 볼록형 단열부 형성용 박막을 설치하여 적층체를 형성하는 단계; 상기 적층체에 상기 박막 측에서 빛을 조사하여 볼록형 단열부의 형상을 결정하는 단계; 및 상기 볼록형 단열부 형성용 박막의 불필요한 부분을 제거하여 볼록형 단열부를 형성하는 단계를 포함하는 광기록 매체의 제조 방법.
  17. 제1항 내지 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항의 광기록 매체에 기록광 및 재생광을 조사하여 정보를 기록하고 재생하는 단계를 포함하며, 상기 기록광의 파장과 상기 재생광의 파장이 다른 것인 광기록 매체의 기록 재생 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기록광 및 재생광은 기판을 통하여 조사하는 것인 광기록 매체의 기록 재생 방법.
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