CN101010741B - 光学记录介质及其生产方法以及记录和复制的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目标是提供一种光学记录介质，其中可以解决交叉写和交叉删除的问题，并且能够进行高密度记录，交叉写是指信号错误地记录在相邻的轨道上，交叉删除是指记录在相邻轨道上的信号被错误删除；一种生产光学记录介质的方法，以及一种记录和复制光学介质的方法。为了实现这一目标，该光学介质包括：基板、在基板上或上方吸收光并产生热的光吸收层、记录层和阻止在记录层上记录的记录阻止层，其中该记录阻止层设置在记录层和光吸收层之间，和相邻轨道之间，并且记录标记通过光吸收层的光吸收功能形成在记录层上。

Description

光学记录介质及其生产方法以及记录和复制的方法
技术领域
本发明涉及光学记录介质，其能实现高密度记录，而在如此高密度记录下对相邻轨道和标记不产生影响，诸如不产生交叉写和交叉删除，交叉删除是指相邻标记在记录期间删除，而交叉写是指信号记录在相邻轨道上。本发明还涉及生产光学记录介质的方法和记录及复制光学记录介质的方法。
背景技术
光盘记录介质，诸如CD和DVD介质，被广泛地用于光学记录介质中，并且在如此带有先进信息技术的光学记录介质中，例如多媒体或网络的开发中，有增加更高密度和更高容量的要求。
缩小记录有定量数据的区域，换句话说，减小记录标记的大小是实现高密度的一种方法。为了减少记录标记的大小，有必要使光斑的大小通过缩窄光束而变小。光斑的大小与λ/NA的数量成比例，其中λ是光的波长，而NA是透镜的数值孔径。因此，为了减少光斑的大小，或使光的波长变小或使透镜的数值孔径变大。最近，使用具有650nm波长光的DVD技术已开始实际应用，此外目标采用具有约400nm波长光的高密度的技术在积极地开发。
为了实现高密度，有必要通过缩窄标记之间的间隔来增加线记录密度和轨道密度，而缩小记录标记的尺寸。当通过使轨道间距变小达到高密度时，出现一些问题，也就是，相邻轨道之间的串扰(crosstalk)。串扰是一种在复制期间信号记录在相邻轨道上的现象。另外，在记录或删除信号期间，也会出现其它问题，即交叉写和交叉删除，其中交叉写是指信号被错误地记录在相邻的轨道上，而交叉删除是指记录标记错误地从相邻轨道上删除。
当使用现在正在投入使用的具有大约405nm波长的拾波器和0.85NA的数值孔径时，光斑大小为0.82×405/0.85＝约390nm。这里，该数字0.82是一个常数，当光的外形与高斯(Gaussian)分布相符时通常使用此值。因为光斑的大小与高斯分布相符合，该常数被定义为分布的峰值1/(e2)。在聚光上有一定的限制。因此，当进一步地通过使轨道间距变窄达到高密度时，需要进一步地改善光学记录介质。
当试图通过使记录标记的长度变短来达到高密度时，又出现一种问题，即记录标记的位移会更加不利地影响差错率。换句话说，当记录标记的位移变得比较大时，就会引起信号抖动的明显增加。
为了解决这种问题，开发了一种利用热导率差异的方法。例如，专利文献1就披露了一种减少交叉写和交叉删除的方法，其中通过设置具有不同热导率的层而避免热传导，因此减少了交叉写和交叉删除的现象。在这种方法中，通过主要在记录层中吸收光并产生热，从而进行记录。
专利文献2至7披露了一种方法，用于抑制诸如交叉写和交叉删除的现象的产生而且轨道间距降低，如下所述。具体地讲，在该方法中，形成在盘基板上的记录区域由轨道分开，并插入具有热导率小于构成该记录区域的记录材料的材料区域。这种结构就会使得在光束点处在信号记录和删除期间由光束辐射引起的温度升高难于传给相邻的轨道。这些专利文献也披露了一种通过利用一种结构在复制信号期间缩小抖动的方法，在这种结构中，记录区域不仅在轨道之间分开而且也在轨道内分开，也就是，由记录标记分开。即在这种情况下，通过在记录层中吸收光并产生热来进行记录。
在通过利用在记录层中的光吸收产生的热来记录信号的情况下，记录层吸收光，温度上升到可记录的程度，且因而记录信号。因此，即使在分开记录层之后，较窄的轨道间距导致相邻记录区也在光斑之内。结果，记录标记甚至形成在相邻轨道记录区的记录层上，其使得难于完全防止交叉写和交叉删除。另外，这种方法需要使用光刻等，其使制造工艺变得复杂，且因而生产成本变得昂贵。此外，还有其他问题，即采用光刻的方法不适合去制备大面积的光记录介质。
专利文献8披露了一种发明，其中在凹槽和槽脊之间凹槽侧壁上记录层的厚度很薄，从而减少交叉删除。
在专利文献9中，提供了线形导体，并且信号记录在导体之间的空间上。导体允许热很好的扩散，并且可以进行记录而不扩散记录标记。特别是，激光束边缘被拦截并且通过导体散发热，从而减小对相邻轨道的影响。
专利文献10披露了采用限制形成有记录标记区域方法的信息记录介质。在该方法中，周期性地设置线形金属层，因此允许热导率周期性地改变，并且限制了该区域。在这些专利文献中，通过以直线方式提供金属膜为基体并且利用热导率差异来防止交叉写等。
专利文献11和12披露了采用光拦截结构的光学记录介质。这些专利文献旨在减少串扰，并且防止交叉写和/或交叉删除的效果并不明显。特别是，专利文献11披露了一个发明，其中轨道间距和光拦截膜宽度之和调节到激光束的光斑尺寸。然而，在为了达到更高的高密度的情况下，轨道间距相对于光斑变小并且光斑延伸到相邻轨道，出现了新的问题。
专利文献12披露了一个发明，其利用基于光相位差的掩模效应或利用基于由晶相的不同导致的在光学性能中的差异的掩模效应抑制串扰。在该发明中，交叉写和/或交叉删除的防止效果也不明显。此外，当掩模被用于其中利用热来记录的光学记录介质时，由于热传导的影响获得宽标记。因而，难于防止记录标记扩散到相邻轨道上。此外，由于掩模层自身产生热，所以记录标记甚至记录在被掩蔽部分上。因此，不能有效地抑制交叉写。
专利文献13披露了一种光学记录介质，其中凸出形变部分设置在相邻记录区域的边界中，并且使得热传递的距离变大，因此减少在相邻部分中的交叉写和交叉删除。因为构成光学记录介质的层以连续的方式形成，所以即使使得热传递的距离较大，当记录密度增加时，热也可以扩散并且影响相邻轨道。此外，该光学记录介质仅限于凹槽记录。
专利文献14披露了一个发明，其中通过加深凹槽的深度防止交叉删除，或者，当凹槽浅时，减少在凹槽和槽脊之间的边界附近的厚度或移除膜。
专利文献1日本专利申请公开(JP-A)2004-158091号
专利文献2日本专利申请公开(JP-A)2000-276770号
专利文献3日本专利申请公开(JP-A)2001-236689号
专利文献4日本专利申请公开(JP-A)2000-251321号
专利文献5日本专利申请公开(JP-A)2003-263805号
专利文献6日本专利申请公开(JP-A)2001-266405号
专利文献7日本专利申请公开(JP-A)11-176021号
专利文献8日本专利申请公开(JP-A)11-53763号
专利文献9日本专利申请公开(JP-A)2003-228880号
专利文献10日本专利申请公开(JP-A)2003-217176号
专利文献11日本专利申请公开(JP-A)03-290842号
专利文献12日本专利申请公开(JP-A)08-63782号
专利文献13日本专利申请公开(JP-A)2003-228885号
专利文献14日本专利申请公开(JP-A)08-124211号
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种光学记录介质，其中可以解决诸如交叉写和交叉删除的问题，并且其可以使高密度记录成为可能，交叉写是指信号被错误地记录在相邻的轨道上，交叉删除是指在相邻轨道上的记录信号被错误地删除；生产光学记录介质的方法；以及记录和复制光学记录介质的方法。
根据本发明的光学记录介质包括：基板、吸收光并在该基板上或其上方产生热的光学吸收层、记录层和在记录层上阻挡记录的记录阻挡部分，其中记录阻挡部分设置在记录层和光学吸收层之间和相邻轨道之间，并且记录标记通过光学吸收层的光吸收功能形成在记录层上。在这种情况下，一方面，记录阻挡部分优选是绝缘热的绝热部分，另一方面，绝热部分优选包括材料A和材料B的混合物，并且材料A是硅化合物，而材料B是选自于由硫化物、硒化物和氟化物组成的组中的至少一种，另一方面，绝热部分的热导率优选低于记录层材料，另一方面，在记录光波长的绝热部分的光吸收率优选为1×10-3至1×10-5，另一方面，记录阻挡部分优选为拦截光的光拦截部分，另一方面，该光拦截部分优选包括至少一种金属材料和材料A及材料B的混合物之一，材料A是硅化合物，而材料B是选自于由硫化物、硒化物和氟化物组成的组中的至少一种，另一方面，记录阻挡部分优选相对于光学吸收层在光源侧上隔开一定的间隔，另一方面，记录阻挡部分优选以圆形或螺旋形的方式形成，另一方面，记录层优选包括金属、半导体和半金属氧化物中的任何一种，另一方面，记录层优选包括有机染料，另一方面，该有机染料优选具有不包括记录光的波长的最大的吸收波段，另一方面，在光学吸收层吸收光并且温度升高时，光学吸收层优选免于其特性改变和形变之一，另一方面，光学记录介质优选还包括超分辨层(super-resolution layer)，其中通过成束的光的强度分布和由光辐射产生的热分布之一，超分辨层导致超分辨现象，另一方面，超分辨层还优选用作光学吸收层。
根据本发明的光学记录介质的生产方法包括：通过在基板上或上方设置至少一个光学吸收层和用于形成凸起的绝热部分的薄膜形成层叠体；通过从薄膜侧用光辐射层叠体确定凸起的绝热部分的形状；以及通过移除用于形成凸起的绝热部分的薄膜的不必要部分形成凸起的绝热部分。
根据本发明的光学记录介质的记录和复制方法包括：用记录光和复制光辐射本发明的光学记录介质以记录和复制信息，其中记录光具有不同于复制光的波长。在这种情况下，一方面，优选通过基板施与记录光和复制光。
附图说明
图1是示出在本发明中记录原理的实例的视图。
图2是示出在本发明中“相邻轨道之间”的一方面的实例的视图。
图3是示出在本发明中“相邻轨道之间”的另一方面的实例的视图。
图4是示出在本发明中“相邻轨道之间”的另一方面的实例的视图。
图5是示出在本发明中“相邻轨道之间”的另一方面的实例的视图。
图6是示出在本发明中“相邻轨道之间”的另一方面的实例的视图。
图7是示出包括根据本发明的绝热部分的光学记录介质实例的截面图。
图8和9是在传统的光学记录介质中记录的解释性视图。
图10是在根据本发明的光学记录介质中记录实例的解释性视图。
图11是在传统的光学记录介质中记录的解释性视图。
图12是在根据本发明的光学记录介质中记录实例的解释性视图，其中从不同方向施与光。
图13是示出根据本发明具有光拦截部分的光学记录介质实例的截面图。
图14是在根据本发明的光学记录介质中的记录实例的解释性视图。
图15是示意性地示出染料材料吸收光谱的视图。
图16是以一定范围波长的有机染料的一般吸收光谱的解释性视图。
图17是示出具有根据本发明的记录阻挡部分的光学记录介质实例的示意性俯视图。
图18是示出根据本发明具有超分辨层的光学记录介质实例的截面图。
图19A是示出在根据本发明的光学记录介质的生产方法的实例中设置层的步骤的解释性视图。
图19B是示出在根据本发明的光学记录介质的生产方法的实例中确定凸出绝热部分形状的决定步骤的解释性视图。
图19C是示出在根据本发明的光学记录介质的生产方法的实例中移除用于形成凸起的绝热部分薄膜的不必要部分的步骤的解释性视图。
图19D是示出在根据本发明的光学记录介质的生产方法的实例中形成记录层的步骤的解释性视图。
图20是具有绝热部分的光学记录介质实施例的截面图。
图21是光学记录介质实施例的记录标记的示意性俯视图。
图22是具有超分辨层的光学记录介质实施例的截面图。
图23是具有光拦截部分的光学记录介质实施例的截面图。
图24是解释在没有设置记录阻挡部分的情况下记录状态的图像。
具体实施方案
(光学记录介质)
根据本发明的光学记录介质包括：基板、吸收光并产生热的光学吸收层、记录层、和在记录层上阻挡记录的记录阻挡部分，并根据需要可以包括其它层。
记录阻挡部分设置在记录层和光学吸收层之间，和相邻的轨道之间。由于光学吸收层的光吸收功能，记录标记形成在记录层上。
通常，信号沿着在光学记录介质中以圆形方式形成的轨道被记录。当增加轨道密度和缩窄轨道间距以便达到高密度时，光斑的尺寸变得比轨道的宽度大。因而相邻轨道也用光辐射，并且相邻轨道的用光辐射部分的温度升高，而记录层吸收光并且温度增加。结果，记录在相邻轨道上的信号可以被删除，也就是导致交叉删除，并且信号也可以记录在相邻轨道上，也就是导致交叉写。
相反，在本发明中，通过控制热和光抑制记录标记的扩展，并且防止了在相邻轨道上的不利影响，从而减小交叉写、交叉删除等。换句话说，在根据本发明的光学记录介质中，不同于传统的方法，记录层不被分开，而是配备有记录阻挡部分，以便可以抑制交叉写和交叉删除。本发明也通过应用方便的方法诸如光辐射和蚀刻，提供了形成记录阻挡部分的方法，其与诸如光刻的对于制备具有大面积的光学记录介质的复杂的和不方便的方法不同。
根据本发明的光记录介质的记录原理将参照附图描述。然而，因为记录原理没有完全阐明所以下面的解释可以包括假设。
图1是根据本发明的光学记录介质的示意性截面图。在图1中，水平方向表示光学记录介质的径向，而垂直方向表示轨道的方向。这适用于以后描述的类似的示意性截面图。轨道和记录阻挡部分601交替地设置在光学吸收层102上，并且记录层104设置在表面层上。当该介质用来自记录层侧的记录光辐射时，在待记录的轨道(图1中的中心轨道)上的记录层和环绕轨道的记录层的温度如图1中的曲线图中的温度分布那样分布。中心轨道的温度特别高，而相邻记录阻挡部分的温度非常低。当不设置记录阻挡部分601时，在其中根据光密度分布情况温度从中心到周围逐渐地降下，给出宽的记录标记。图24显示了记录材料的温度分布，并且在图中显示了记录层104、光学吸收层102、记录温度TR。另一方面，在本发明的情况下，在其下方形成有热绝缘部分的记录层的温度不能升高，因为即使当光学吸收层102吸收该光并且其温度超出记录温度TR时，由于绝热效应热也没传导到记录层104。或者，因为记录光没到达光学吸收层，所以温度不能升高。因此，在温度分布条件下，当记录温度TR被调整到图1中的虚线时，与无记录阻挡部分的情况比，仅因为记录标记106精确地形成在中心轨道部分上，即使有较小的错寻轨也可以防止交叉写。基于同一原理，也可以防止交叉删除。
在根据本发明的光学记录介质中，设置了记录层和产生热的光学吸收层，以便光学吸收层产生记录所需的热。另外，记录阻挡部分形成在两层之间，即记录层和光学吸收层之间。因此，即使如果记录层是连续膜，也能够防止在光学吸收层中产生记录所需的热散发到在其下设置有记录阻挡部分的记录层上。此外，光学吸收层形成在连续膜中，从而允许热在膜面内方向上逃逸，并且可以减少扩散到记录层的热。利用该结构，可以有效地抑制交叉写和交叉删除。要求的是，仅基于记录层的光学吸收容量基本上不形成可复写的记录标记。例如，当铋(Bi)氧化物用于记录层，而锗(Ge)用于光学吸收层时，衰减系数k值表示吸收容量，结果值显示在表1中。Ge膜在波长为400nm的波长下k值为2.20，而Bi氧化膜在相同波长下k值为3.41×10-3。在这种吸收条件下，仅作为记录层材料的Bi氧化物的光吸收量，可不足以执行记录。
这对于染料用作记录层的情况也是如此。例如，当使用具有波长约为500nm下约0.043吸光率的酞菁染料时，作为光学吸收材料的Ge薄膜具有约0.35的吸光率。在这种条件下，仅记录层材料的容量不能足以执行记录。
表1
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记录阻挡部分可以按目的选择而没有限制。可以通过例如绝热部分阻挡记录，该绝热部分由于绝热通过防止热传导来阻挡记录，或可以通过光拦截部分来阻挡，该光拦截部分由于通过拦截光防止光学吸收以抑制光学吸收层中的热产生来阻挡记录。
至于具有轨道的光学记录介质，有不同的系统，诸如凹槽记录、槽脊记录和凹槽-槽脊记录，且因此，对于本发明中的“相邻轨道之间”，在图2至图6中已经例示。在图中，显示了基板101、层压的光学吸收层102、绝热部分103和记录层104。在图中，记录阻挡部分用作绝热部分，并且记录阻挡部分可以用光拦截部分替换。
即使轨道的宽度是从光斑大小的约四分之一到约五分之一，记录也可以进行，以便记录标记形成在轨道宽度之内。例如，在光斑大小约为1.2μm的情况，即使轨道间距约为300nm到400nm记录标记也可以形成在轨道宽度之内，并且轨道是窄的使得轨道宽度约为110nm。轨道之间的记录阻挡部分的宽度为约250nm到约300nm。当轨道间距为370nm、轨道宽度为240nm和记录阻挡部分的尺寸为130nm时，形成记录标记最有效。
轨道间距、轨道宽度和记录阻挡部分的合适尺寸根据光斑大小而变化。
光学吸收层的材料可以根据目的选择，只要所述材料具有吸收光和产生热功能。光学吸收层材料的例子包括：半导体，诸如Si、Ge、GaAs；金属或金属间化合物，诸如Bi、Ga、In、Sn、BiTe、BiIn、GaSb、GaP、InP、InSb、InTe、SnSb；碳化物，诸如C、SiC；氧化物，诸如V2O5、Cr2O3、Mn3O4、Fe2O3、Co3O4、CuO；二元相变材料，诸如SbTe；三元相变材料，诸如GeSbTe、InSbTe、BiSbTe、GaSbTe；四元相变材料，诸如AgInSbTe。如上所述，要求的是，在光学吸收层中产生记录所需的热，并且仅基于记录层的光吸收量不形成基本上可复制的记录标记。因此，选择材料使得光学吸收层的光吸收容量比记录层的高。
光学吸收层的厚度优选为3nm至20nm。在以薄膜形式形成的光学吸收层中，可以抑制在层内的热扩散，且因此这样的光学吸收层适于高密度记录。
作为记录层的材料，优选的材料为，作为由于热而在性能上的改变和/或由于热的形变的结果，材料折射率特性改变，且给出大的调节程度。如上所述，优选具有小光吸收量的材料，使得仅基于记录层的光吸收量不形成基本上可复制的记录标记。因此，可以使用诸如Te氧化物和Bi氧化物的氧化物，其为诸如Te和Bi的低熔点金属的氧化物，并被用作一次写或可再写的光学记录介质。还可以使用相对容易控制光学吸收波长的有机染料。
记录阻挡部分优选是绝热的绝热部分。图7示出了包括绝热部分的根据本发明的光学记录介质的例子。在图中，显示了基板101、层状光学吸收层102、绝热部分103和记录层104。
如图8所示，一般地，在通常的光学记录介质中，当用聚光105(示意性地示出了光路径)辐射时，记录层104吸收光，并且温度升高，且因此记录标记106形成在温度升高的部分上。图8是省略轨道的示意图。由于聚光的光斑直径由光波长和透镜的数值孔径NA决定，信号需要记录到小于光斑的尺寸的轨道上，以便改善记录密度。例如，如图9所示，当聚光105在轨道107至109上方照射时，记录标记110形成在三个轨道的上方。如果记录标记110只可记录在一个轨道上，记录密度可以在轨道宽度方向上增至三倍。
在图10中，示出了用光辐射的光学记录介质的实例。更优选的是，光在记录层104中几乎不吸收，光在光吸收层102中被吸收，而信号由热记录。因而，这里将利用例子给出解释，其中采用了几乎不吸收光的材料。多数光穿透记录层，光在光学吸收层中吸收以提高温度。记录标记通过在记录层中温度升高的热导致的记录层的特性改变或形变而形成。相反，在下面形成有绝热部分103的记录层部分，由于绝热部分103而不能很好地传递热。因此，该部分记录层的温度升高很低。因此，记录标记106形成为夹设在绝热层之间，并且标记不影响相邻轨道。当记录层的光吸收容量增大时，由记录层上光吸收产生的热更容易扩散到相邻轨道上。通过在记录层下设置绝热部分可以抑制热的扩散。但当记录层的光吸收容量比光学吸收层的小时，抑制记录标记扩散的效果更大。如图11所示，在没有绝热部分的情况下，在温度升高部分上方的记录层104的整个区域的温度可以提高，并且可以形成的记录标记更大。
这样，本发明使信号能记录在狭区域上，且因而可以减少交叉写和交叉删除。通常，绝热部分103沿轨道连续地形成在轨道之间。通过在绝热部分之间寻轨可以进行高效记录。寻轨可以在通过应用传统使用的推挽式方法(push-pull method)、利用3光束的DPP(differential push pull微分推挽式)方法等而形成的凸起的绝热部分之间执行。
如图12所示，在光学记录介质依次包括基板101、记录层104、绝热部分103、和光学吸收层102的情况下，也可以获得如上所述的相同的结果，这种光学记录介质用光从基板侧辐射。这样，记录标记沿着轨道形成在连续形成的绝热部分之间，而不影响相邻轨道。
绝热部分的材料可以根据目的选择，只要材料具有绝热效果。该材料的实例包括：氧化物，诸如SiO2、ZnO和MgO；氮化物，诸如SiN、AlN和SiON；硫化物，诸如ZnS、CaS和BaS；硒化物，诸如ZnSe和BaSe；氟化物，诸如MgF、CaF2和BaF2。优选该绝热部分的材料包括材料A和材料B的混合物，其中材料A是硅化合物，而材料B是选自于由硫化物、硒化物和氟化物组成的组中的至少一种。
用于材料A的硅化合物的例子包括SiO2和SiON。
用于材料B的硫化物的例子包括ZnS、CaS和BaS。用于材料B的硒化物的例子包括ZnSe和BaSe。用于材料B的氟化物的例子包括CaF2和BaF2。这些用于材料A和B的例子可以单独或组合使用。
对于材料A和B的混合比，材料A优选占10％到30％摩尔，而材料B优选占70％到90％摩尔。此外，优选在材料A和B之间没有化学键，并且两个材料独立地存在。这些材料具有低热导率而具有高绝热作用。因此，该材料能够很好地隔热，使传递到记录层的热少，且因而防止其下形成有绝热部分的记录层部分改变特性或形变。换言之，因为信号可以记录在狭的区域上，所以可以减少交叉写和交叉删除。
绝热部分的热导率优选比记录层的低。当绝热部分具有较高热导率时，绝热部分随即变暖，然后热扩散到记录层，并且绝热部分失去作用。另一方面，当绝热部分具有较低的热导率，而记录层与绝热部分之间的热导率差较大时，交叉写、交叉删除等可以更有效地抑制，其中在例如使用光交替方法(light-alternating)的测量条件上，记录层与绝热部分之间的热导率差优选为百倍或更多。通过使用在本发明实例中的由ZnS-SiO2组成的薄膜形成的绝热部分的热导率等于或小于可测量水平或0.03W/m·K，并且由Bi氧化物组成的记录层的热导率是2.8W/m·K。
绝热部分优选由在用于记录的光(记录光)的波长下具有极好半透明特性的材料组成。优选的是，就绝热部分的功能而言，在绝热部分尽可能小的温度升高，从而允许记录标记形成在该目标狭窄区，而不将在光学吸收层中产生的热扩散到记录层。记录标记的扩展可以通过使用在用于记录光的波长下具有极好半透明性的材料抑制，以抑制光吸收尽可能小并抑制在绝热部分的温度升高。从而，可以改善抑制交叉写、交叉删除等情况的效果。如果有可能，根本不吸收光的透明材料是绝热部分的理想材料。当绝热部分为透明的时，绝热部分不吸收光，且因而温度不升高。因而，仅由于从光学吸收层扩散的热，温度才升高。当光在绝热部分中吸收且温度升高时，记录标记可以形成在绝热部分表面上的记录层上，并且这不利地影响了相邻轨道。
然而，事实上，在绝热部分使用的材料的光吸收率优选为1×10-3至1×10-5。具有光吸收率为1×10-3至1×10-5的材料的实例包括：硅化合物，诸如SiO2、SiON和SiN；硫化物，诸如ZnS、CaS和BaS；硒化物，诸如ZnSe和BaSe；氟化物，诸如CaF2和BaF2；等等。同样，可以使用混合有两种或多种半透明材料的混合物。例如，具有光吸收率为1×10-3至1×10-5的材料A和材料B的混合物被用作例子。
记录阻挡部分优选为拦截光的光拦截部分。作为光拦截部分的材料，可以使用具有阻挡光功能的各种各样的材料。这里，“光拦截”不仅意味着通过给出这种结构光不穿透的情况，而且还意味者通过给出光不完全在光学吸收层中吸收的这种结构而获得与“光拦截”同样的效果的情况。在前者的情况下，例如使用诸如Ag、Al和Cu的金属拦截光。在后者的情况下，例如，使用了包括诸如SiO2、ZnO和MgO的氧化物；诸如SiN、AlN和SiON的氮化物；诸如MgF的氟化物的透明材料，并且优化了该透明材料的光学特性和厚度，以便更多的光在光学吸收层的表面上被反射。
后者的例子包括优化透明材料的光学特性和厚度，所述透明材料诸如氧化物，如SiO2、ZnO和MgO；氮化物，如SiN、AlN和SiON；氟化物，如MgF，以便增加在光学吸收层表面上的光反射量。
作为透明材料，优选采用包括材料A和B的混合物的材料，其中材料A是硅化合物，而材料B是选自于由硫化物、硒化物和氟化物组成的组中的至少一种。材料A的硅化物的实例包括SiO2、SiN和SiON。材料B的硫化物的实例包括ZnS、CaS和BaS。硒化物的实例包括ZnSe和BaS。氟化物的实例包括CaF2和BaF2。
图13示出了包括根据本发明的光拦截部分的光学记录介质实例。在图中，显示了基板101、复合光学吸收层102、绝热部分501和记录层104。
在图14中，示出了用光辐射的光学记录介质的实例。最优选的是，光几乎不在记录层104中吸收，光在光学吸收层102中吸收，而信号用热记录。因而，这里，将用实例给予解释，其中采用了几乎不吸收光的材料。多数光穿透记录层，该光在光学吸收层中吸收，且然后温度升高。记录的标记由在记录层中温度升高的热导致的记录层的特性改变或形变而形成。相反，在形成有光拦截部分501的光学吸收层部分上，光被阻挡或被反射，且因而不能到达光学吸收层。结果，在光屏蔽部分下面的光学吸收层不产生热，且因而对应于该部分的记录层不改变。因而，记录标记106形成在绝热层之间，并且标记不影响相邻轨道。当记录层的光吸收容量大时，在记录层中的光吸收而产生的热更容易扩散到相邻轨道上。即使当光屏蔽部分设置在记录层的下面时，仅通过记录层的光吸收容量也可以形成记录标记。因此，记录层的光吸收容量优选比光学吸收层的小。如图11所示，在没有光屏蔽部分的情况下，在温度升高部分的上方的整个记录层的温度可以上升，并且可以形成的记录标记更大。
这样，本发明能使信号记录在窄区域上，且因此可以减少交叉写和交叉删除。通常，光屏蔽部分501沿轨道连续地形成在轨道之间。通过在绝热部分之间寻轨可以执行高效记录。寻轨可以在通过应用传统使用的推挽式方法、利用3光束的DPP(微分推挽式)方法等而形成的凸起的绝热部分之间执行。
记录层优选包括金属氧化物、半导体氧化物和半金属氧化物之一。至于金属，可以采用的各种金属，而没有限制。半导体的实例包括Si、Ge和B。半金属实例包括As、Sb、Bi、Se、Te、Sn。在记录层中这些元素的氧化物的使用能够实现高密度记录的光学记录介质。
在这种情况下，Te、Se、In、Ni、Sb等的氧化物被用作一次写或可复写光学记录介质的记录材料。这里，以Bi氧化物为例，给予解释。
在图7所示的层结构中，Bi氧化物用于记录层104。因为Bi氧化物的光吸收相对小，所以温度升高比较低，以致达到记录标记不能形成的程度。在光学吸收层102中吸收的光升高了温度，并且记录标记通过扩散到记录层中的热形成。相反，在下面形成有绝热部分103的记录层的区域中，热没有扩散，并且不形成记录标记。这样，记录标记可以形成在窄区域上，以便其不在轨道宽度的方向上扩散，并且可以减少相邻轨道之间的交叉写和交叉删除。
此外，记录层优选包括有机染料。至于有机染料，不需要如在传统的可记录光学记录介质中采用的精确的波长控制。辐射的光在光学吸收层中吸收以产生热，热扩散到记录层中，有机染料被分解，因此形成记录标记。有机染料的类型没有特定限制，只要热分解特性是适当的。染料材料具有一个特性，例如，其允许通过改变其配合基而改变吸收波长，并且可以使用不同的染料材料。
有机染料的实例包括聚甲炔染料，蒽醌染料，二恶嗪染料，三苯基二噻嗪(triphenodithiazine)染料，菲染料，菁染料，二羰菁(dicarbocyanine)染料，酞菁染料，萘菁染料(naphthalocyanine)，部花青染料，吡喃(pyrylium)染料，卟啉染料，吨染料(xanthene dyes)，三苯甲烷染料，甘菊环染料，含金属偶氮染料，偶氮染料，含氮染料，角鲨烯鎓(squarylium)染料，多烯染料，基础苯乙烯基染料，甲螯化染料，croconium染料，靛蓝类染料，次甲基染料，硫化物染料，甲烷二硫醇盐(methanedithiolate)染料。在这些中间，优选使用菁衍生物，二羰菁衍生物，酞菁染料衍生物，钠酞菁染料衍生物，偶氮染料衍生物。同样，可以使用染料材料，对其添加了诸如铵染料的各种淬灭剂(quencher)。
优选的是，染料根据记录光的波长选择。例如，由下面分子式(A)代表的菁染料可以用作具有780nm波长的光。如图15所示，该菁染料在约430nm波长有大的吸收而在约780nm的波长吸收不大。记录层的这种染料的使用非常有效。
<分子式(A)>
Figure G2005800287710D00131
由下面分子式(B)代表的染料可优选用作具有约400nm波长的光。该染料在约400nm波长有小的吸收。
<分子式(B)>
Figure G2005800287710D00141
由下面分子式(C)代表的酞菁染料中，“M”是“VO”，在约350nm和700nm的波长具有最大的吸收，而在450nm至550nm的波长范围具有较小的吸收。因而当使用具有450nm至550nm波长光时，在记录层中使用这种染料非常有效。
<分子式(C)>
Figure G2005800287710D00142
在分子式(C)中，“M”是酞菁染料的中心金属并代表Cu、VO、N、H、Zn、Pd、Cd、Co、和Fe中的任何一种。“R”独立地代表氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、羧基、取代的或未取代的烷基、取代的或未取代的烷氧基、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的氨基、或取代的或未取代的酰基。
优选地，有机染料具有不包括记录光的任何波长的最大的吸收波段。如图16所示，有机染料的吸收光谱在特定的波长附近通常具有大的吸收波段或最大的吸收波段401。在本发明中，由于优选地有机染料具有小的记录光的吸收，选择和使用了这样的有机染料，其被设计成允许记录光的波长在吸收波段402中，在该波段种吸收少并在有机染料的最大吸收波段之外。
有机染料的最大吸收波段根据配合基的类型或取代基来调整。以菁染料为例，尽管由分子式(A)和(B)代表的结构相似，由分子式(A)代表的染料的最大吸收波长是433nm，而由分子式(B)代表的染料的最大吸收波长是739nm。因而，当记录光的波长是780nm时，可以使用由分子式(A)代表的染料，另一方面，当记录光的波长是405nm时，可以使用由分子式(B)代表的染料。可以按同样的方式使用诸如酞菁染料和卟啉的其它染料。
记录阻挡部分优选在光源侧相对于光学吸收层隔开一定的间隔。在具有如图7或图13中所示的结构的光学记录介质的情况下，光源设置在图的上方并且从上方施与光。光学吸收层102形成在基板101上，然后记录阻挡部分以凸出的方式形成在光学吸收层的上表面上。在图7中，记录阻挡部分用作绝热部分103，而在图13中，用作光拦截部分501。记录层104也形成在其上。
记录阻挡部分优选以圆形或螺旋方式形成。
在图17中，示出了上面所述的光学记录介质的示意图。在图中，作为记录阻挡部分的绝热部分103或光拦截部分501以圆形方式形成在光学吸收层102的上表面上。该图示意性地显示了圆形绝热部分或光拦截部分的几个周期，但真实的光学记录介质具有从内圆周到外圆周的结构。虽然在该图中并没有显示记录层，但记录层在该结构上形成。此外，寻轨可以利用该结构进行，而对于寻轨也可以使用无凹槽的基板。由于信号记录在记录阻挡部分之间，因此需要在那里进行寻轨。但当记录阻挡部分是凸起的和记录部分是凹槽时，寻轨可以在通过在传统的光学记录介质中使用的推挽式方法或DPP方法以凸起的方式形成的记录阻挡部分之间执行。
优选地，当光学吸收层吸收光并其上温度升高时，光学吸收层没有改变其性能或形变。这允许形成充分控制的记录标记。当光学吸收层具有特性变化部分或形变部分时，在此部分引起复制光的相差，在反射程度的变化等，因为与从记录标记上探测到的信号交迭而使其难于复制。在容易进行相变的材料诸如SbTe的情况下，由于记录期间的相变，光学吸收层在用光辐射的情况下在宽的范围上改变相位。结果，还探测到了由于相变引起的信号，因而在复制期间需要一定的巧智。优选的是，光学吸收层由一种材料或具有一种组成，其不允许光学吸收层自身改变特性或形变。然而，由于相变材料除了它们自己经历相变的特性之外具有极好的特性，如果可以选择不引起相变的条件，则可以使用它们。
材料的实例包括：半导体，诸如Ge、Si和B；金属，诸如Ti、Ta和W；碳化物，诸如C和SiC；氧化物，诸如V2O5、Cr2O3、Mn3O4、Fe2O3、Co3O4、CuO。这此材料具有高熔点，并且不容易进行相变，因而材料本身不容易改变。因此，在具有高密度记录的光学记录介质中可以获得极好的复制信号。
此外，优选设置超分辨层，其通过施与光的密度分布或由光辐射产生的热分布导致超分辨现象。例如，如图18所示，超分辨层502可以设置在记录层104上。用在超分辨层上的材料可以是这些材料，其使得当用光辐射时，根据在光斑中光密度的分布或由光辐射引起的热分布在部分的光斑中光学性能改变。光学性能已经改变的部分或光学性能没有改变的部分被用作掩模，从而实现光斑名义上变小的状态。用于超分辨层材料的实例包括：相变材料，诸如AgInSbTe、GeSbTe、SbTe、BiGe和InSb；诸如Co3O4、V2O5、CuO和SiO2的氧化物的复合氧化物；包括有机染料的光致变色材料；以及热致变色材料。在光学记录介质采用磁性材料并在其上利用极化特性的情况下，在超分辨层中使用磁性材料也导致良好的效果。
超分辨层在两种情况有效；该层相对于记录层形成在光源侧，或在光源的相对侧，但在光源侧形成超分辨层带来更大的效果。在轨道宽度方向上记录标记的扩散通过记录阻挡部分等结构抑制，沿轨道记录标记的长度由记录光脉冲的宽度决定。因为记录标记的长度变小，所以多个记录标记存在于复制光的光斑之内，即导致长度小于复制光的分辨率限度。然而，超分辨的使用使得即使记录标记如此小也能够满足复制的需要。因此，可以实现高轨道密度和高线性密度，并且可以获得高密度光学记录介质。
优选地，超分辨层也用作光学吸收层。当具有超分辨功能的光学吸收层在复制期间用光辐射时，通过吸收光温度升高，并且在光斑中的一部分的光学性能改变。例如，当在具有改变的光学性能的部分中光的透射率增加时，可以获得在光斑名义上变小的情况相同的效果。因而，可以复制更小的记录标记。通过使用图7所示和类似的层结构，光学吸收层可以设置有超分辨功能。具有吸收光和产生热及超分辨功能的材料的实例包括：半导体，诸如Si、Ge和GaAs；金属，诸如Bi、In和Sn；金属间化合物，诸如BiTe、BiIn、GaSb、GaSb、GaP、InSb、InTe和SnSn；碳化物，诸如C和SiC；氧化物，诸如V2O5、Cr2O3、Mn3O4、Fe2O3、Co3O4、CuO；二元相变材料，诸如SbTe；三元相变材料，诸如GeSbTe、InSbTe、BiSbTe和GaSbTe；四元相变材料，诸如AgInSbTe。
超分辨层的厚度优选为3nm至20nm。在形成为薄膜的超分辨层中，可以抑制层内的热扩散，且因而，该超分辨层适于高密度记录。记录标记的宽度的扩散用诸如记录阻挡部分的结构抑制，记录标记的长度通过记录脉冲的宽度被作得较短，然后通过超分辨进行复制。这样，光记录介质具有简单结构；然而达到高密度记录。
(光学记录介质的记录和复制方法)
根据本发明的光学记录介质的记录和复制方法是一种光学记录介质的记录和复制方法，其中本发明的光学记录介质用记录光和复制光辐射以记录和复制信息，记录光具有不同于复制光的波长。
在本发明的光学记录介质的情况下，对于记录光，优选采用具有短波长的光，允许更小尺寸的光斑。然而，在记录层中在光波长吸收大的情况下，即使使用根据本发明的光学记录介质，也不能在窄的轨道上形成记录标记。因此，在这样的情况下，优选的是，利用具有在记录层中吸收小的波长的光进行记录。因而，通过使用记录光具有不同于复制光的波长的记录和复制方法，记录标记可以形成在窄轨道上，并且可以进行满意的复制。
优选地，通过基板施与记录光和复制光。甚至在包括基板101、光学吸收层102、绝热部分103、和记录层104的光学记录介质从基板侧用光辐射并进行记录(图12)的情况下，可以获得相同的效果。光从基板侧辐射使得比较容易实现与CD和DVD介质的兼容性。
(光学记录介质的生产方法)
根据本发明的光学记录介质的生产方法包括：通过在基板上或上方设置至少一个光学吸收层和形成凸起的绝热部分的薄膜而形成层叠体的步骤；通过用光从薄膜侧辐射层叠体来确定凸起的绝热部分形状的步骤；通过移除用于形成凸起的绝热部分的薄膜的不必要部分而形成凸起的绝热部分的步骤，并还可以根据需要包括其它步骤。
这里，生产光学记录介质的方法参照图19A至19D进行描述。
图19A示出设置层的步骤，在图中，显示了用于形成凸起的绝热部分的基板1101、缓冲层1102、光学吸收层1103、薄膜1104。
图19B示出确定凸起的绝热部分形状的步骤，1111表示激光束辐射的方向。激光束从薄膜侧施与。1112表示通过激光束恢复部分。根据在光学吸收层中产生的热，可以改变材料的密度、晶体状态、成分等。为了形成连续地沿轨道设置的绝热部分，不施与脉冲激光，而施与连续波光(CW light)。为了形成连续结构，激光源调节成使介质和光源不变的相对速度，当激光源固定时调整介质，或激光源和介质都调整。激光源的实例包括具有约157nm波长的F2激光，具有约193nm波长的ArF激光，和具有约248nm波长的KrF激光。激光束可以在空气中施与。同样，激光束可以如下施与介质：将介质设置在封闭的容器中，将诸如氮、氧、水蒸汽、氩、氢的几种气体引进其中，然后将激光束在大气下施与介质。通过将介质设置在封闭的容器中，激光也可以在真空中施与介质。激光可以从基板侧施与，并且在这种情况下，基板需要透明。
图19C示出移除用于形成凸起的绝热部分的薄膜的不必要部分的步骤。1121表示凸起的绝热部分。利用溶液的湿蚀刻可以被用于加工。对于蚀刻溶液，使用含氢氟酸的溶液。通过在氢氟酸溶液中沉浸光学记录介质，激光辐射的部分被移除。当使用该湿蚀刻方法时，根据膜材料的密度差、晶态和成分等，在用于形成凸起的绝热部分的膜的必要部分和不必要部分之间，蚀刻比率(选择比)变大。此外，由于在下面的光学吸收层的材料和凸起的绝热部分不同，在下面的光学吸收层和凸起的绝热部分之间选择比可以变大。
干蚀刻方法也可以用作一种蚀刻方法。干蚀刻方法的实例包括反应离子蚀刻(RIE)、感应耦合等离子体(ICP)和溅射蚀刻。通过在真空设备中设置介质，并且在大气下将介质放在由蚀刻气体组成的气体中持续一定时间，在诸如光学记录介质的大尺度装置中，可以获得甚至具有平面的凸起的绝热部分。
这样，大尺度形成精细的凸起的绝热部分而不用光刻技术。
其次，如图19D所示，提供记录层1105。记录层可以通过诸如溅射方法、蒸镀方法的化学气相沉积方法，或诸如镀覆方法的湿方法形成。此外，当有机染料用于记录材料时，可以使用旋转涂覆法等方法。
根据本发明的光学记录介质的生产方法，可以方便地生产充分抑制交叉写和交叉删除的光学记录介质。
根据本发明，可以获得适合高密度记录的光学记录介质、记录和复制的方法和生产的方法，其中可以解决光学记录介质的问题，诸如从相邻轨道上错误删除相邻标记的交叉删除和在相邻轨道上错误地记录信号的交叉写。
实例
参照下面的几个实例将更详细地描述本发明，该些实例不限制本发明的范围。
(实例1)
制备图20中所示的光学记录介质，其中聚碳酸酯用于基板101，并且其厚度为0.6mm，ZnS-SiO2(摩尔比率为8比2)用于缓冲层301，并且其厚度为50nm，ZnS-SiO2(摩尔比率为8至2)用于绝热部分103，并且从光学吸收层的上表面到绝热部分上表面的厚度是45nm。绝热部分以圆形方式沿轨道连续形成，并且轨道间距302为370nm。铋氧化物用于记录层104，且其厚度为15nm。缓冲层用于防止在记录期间由于热而损坏基板，并同时控制反射程度。
记录在上面获得的光学记录介质上进行。用于记录的激光的波长为780nm，凸透镜的数值孔径是0.55，记录功率是8mW，并且脉冲宽度是50纳秒。由于光吸收率是与材料的衰减系数k成比例的，通过k的值来比较光的吸收率，对于具有780nm波长的光，Ge的衰减系数k约是0.5和Bi氧化物的约是0.1。
利用扫描电子显微镜可以观察到记录标记，可以发现记录标记形成在记录层部分，在其下没有设置绝热部分，并且记录标记与光学吸收层部分接触。这示意性地显示在图21中，并且该图是光学记录介质的俯视图。在图中，显示了轨道201、在记录层下设置绝热部分的区域202、记录标记203。尽管光斑的大小约为1.2μm，并且这远比轨道间距370nm大，但是即使在窄的轨道上记录时也不发生交叉写和交叉删除。
(实例2)
制备图20所示的光学记录介质，其中聚碳酸酯用于基板101，并且其厚度为0.6mm，ZnSSiO2(摩尔比率为8比2)用于缓冲层301，并且其厚度为50nm，Ag3In11Sb27Te59用于光学吸收层102，并且其厚度约为20nm。ZnS-SiO2(摩尔比率为8比2)用于绝热部分103，并且从光学吸收层的上表面到绝热部分上表面的厚度是45nm。绝热部分以圆形方式沿轨道连续形成，并且轨道间距302为200nm。铋氧化物用于记录层104且其厚度为15nm。
记录在获得的光学记录介质上进行。用于记录的激光的波长为405nm，物镜的数值孔径是0.85，记录功率是4mW，并且脉冲宽度是50纳秒。由于光吸收率是与材料的衰减系数k成比例的，通过k值比较光吸收率，对于具有405nm波长的光，Ag3In11Sb27Te59的衰减系数k约是2.7和Bi氧化物的约是0.29。
利用扫描电子显微镜可以观察到记录标记，可以发现，如实例1，记录标记形成在记录层与光学吸收层接触的部分。这示意性地显示在图21中。
尽管光斑的大小约为390nm并且远比轨道间距200nm大，即使在窄的轨道上记录也不发生交叉写和交叉删除。
(实例3)
图20所示的光学记录介质与实例1同样的方式制备，除了由下面的分子式(A)代表的菁染料用于记录层104，并且其厚度为60nm之外。
以与实例1同样的方式进行记录和观察，除了记录功率是6mW之外。可以发现，如实例1，记录标记形成在记录层与光学吸收层接触的部分。这示意性地显示在图21中。
尽管光斑的大小约为1.2μm并且这远比轨道间距370nm大，即使在窄的轨道上记录期间也不发生交叉写和交叉删除。
<分子式(A)>
(实例4)
采用具有780nm波长和0.55的数值孔径或NA光学系统的拾波器，通过在绝热部分之间寻轨在实例3中准备的光学记录介质上可以进行记录，该绝热部分不吸收具有780nm波长的光。记录光是根据给定的信息调制的脉冲光。
其次，通过使用具有405nm波长和0.85的数值孔径或NA的光学系统寻轨来进行复制。复制进行得非常好。
具体地讲，使用在记录层不发生吸收的波长的光作为记录光，能在窄区上进行记录。只要记录光的波长被限制，光学记录介质的可应用范围是宽广的，并且因为除了记录光的波长外不限制复制光的波长所以允许高兼容性。
(实例5)
制备图22所示结构的光学记录介质，其中聚碳酸酯用于基板101，并且其厚度为0.6mm，ZnS-SiO2(摩尔比率为8比2)用于缓冲层301，并且其厚度为50nm，Ge用于光学吸收层102，并且其厚度为5nm。ZnS-SiO2(摩尔比率为8比2)用于绝热部分103，并且从光学吸收层的上表面的厚度是45nm。绝热部分以圆形方式沿轨道连续形成，并且轨道间距302为370nm。铋氧化物用于记录层104，并且其厚度为15nm。SbTe用于超分辨层502，并且其厚度为20nm。
在获得的光学记录介质上进行记录。用于记录的激光的波长为405nm，物镜的数值孔径NA是0.85，记录功率是6mW，并且记录标记的记录周期是200nm。
复制该光学记录介质。在0.2mW的通常复制光密度下，C/N是0，表示小于复制光的分辨限制。当复制光密度调节到0.8mW，当以4.5m/s的速度旋转介质时，C/N是12dB。另外，当复制光学密度调节到1.2mW时，C/N升到41dB。因此，可确认的是，通过超分辨现象来进行复制，并获得高的C/N。
(实例6)
制备具有图20所示结构的光学记录介质，其中聚碳酸酯用于基板101，并且其厚度为0.6mm，ZnS-SiO2(摩尔比率为8比2)用于缓冲层301，并且其厚度为50nm，Ge用于光学吸收层102，并且其厚度为20nm。该光学吸收层也用作超分辨层。ZnS-SiO2(摩尔比率为8比2)用于绝热部分103，并且从光学吸收层的顶面的厚度是45nm。绝热部分以圆形方式沿轨道连续形成，并且轨道间距302为370nm。铋氧化物用于记录层104，且其厚度为15nm。
在获得的光学记录介质上执行记录。用于记录的激光的波长为405nm，物镜的数值孔径是0.85，记录功率是6mW，并且记录标记的记录周期是200nm。
复制该光学记录介质。在0.2mW的通常复制光强度下，C/N是0，表示小于复制光的分辨限制。当复制光强度调节到0.8mW而且以7.0m/s的速度旋转介质时，C/N是10dB。此外，当复制光学强度调节到2.0mW时，C/N上升到28dB。因此，可确认的是，通过超分辨现象来进行复制，并获得高的C/N。
(实例7)
与实例1同样的方式制备具有图23所示结构的光学记录介质，除绝热部分103用由Ag组成的光屏蔽部分501替换之外。
以与在实例1同样的方式在获得的光学记录介质上执行记录。形成如图21所示记录标记。如实例1中一样，尽管光斑的大小约为1.2μm，并且这远比轨道间距370nm大，即使在窄的轨道上记录期间，也不发生交叉写和交叉删除。
(实例8)
根据图19A至19D的方法准备根据本发明的光学记录介质。
第一，在图19A所示设置各层的步骤中，在厚度为0.6mm的聚碳酸酯基板1101上通过溅射方法顺续地形成为具有50mm的厚度的缓冲层1102的ZnS-SiO2(摩尔比率8比2)膜，作为具有5nm的厚度的光学吸收层1103的Ge膜，作为用于形成绝热部分的具有45nm的厚度的层1104的ZnS-SiO2膜。在氩的大气压中室温下形成这些膜。
其次，在图19B所示确定绝热部分形状的步骤中，留作绝热部分的部分1112从薄膜侧(在图中箭头1111方向)用激光辐射。使用CW光，其中波长为405nm，物镜的数值孔径为0.85，并且记录功率是1.8mW。使用寻轨和聚焦伺服，并且在以3.5m/s的速度旋转基板时连续施与光。绝热部分的间距为370nm，而宽度为150nm。
其次，在图19C所示的蚀刻中，除1112外的不必要部分被移除，并被加工成凸起的形式。不必要部分的移除利用溶解蚀刻执行。对于蚀刻溶液，使用含氢氟酸(HF)和水(H2O)的混合溶液。使用50％稀释的氢氟酸溶液，并且HF对H2O溶液比率是1比10。记录介质在溶液中浸泡10秒。蚀刻后不久，记录介质用水冲洗，并且介质用干燥的氮等干燥。
最终，在图19D的步骤中形成作为记录层1105的两种膜。通过溅射方法将由铋制成的一种膜形成为15nm的厚度，由分子式(A)代表的有机染料制成的另一种薄膜通过旋转涂覆法形成为60nm的厚度。
这样，制备了具有绝热部分的光学记录介质。

Claims (18)

1.一种光学记录介质，包括：
基板；
光学吸收层，其在该基板上或上方吸收光并产生热；
记录层；和
记录阻挡部分，其阻止在该记录层上记录，
其中该记录阻挡部分设置在该记录层和该光学吸收层之间，和连续地设置在相邻轨道之间，和
记录标记通过该光学吸收层的光学吸收功能形成在该记录层上。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中该记录阻挡部分是绝缘热的绝热部分。
3.根据权利要求2所述的光学记录介质，其中该绝热部分包括材料A和材料B的混合物，并且该材料A是硅化合物，而该材料B是选自于由硫化物、硒化物和氟化物组成的组中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的光学记录介质，其中该绝热部分的热导率低于该记录层材料的热导率。
5.根据权利要求2所述的光学记录介质，其中该绝热部分在记录光波长的光吸收率为1×10-3至1×10-5。
6.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中该记录阻挡部分是拦截光的光拦截部分。
7.根据权利要求6所述的光学记录介质，其中该光拦截部分包括至少一种金属材料和材料A及材料B的混合物之一，并且
其中该材料A是硅化合物，而该材料B是选自于由硫化物、硒化物和氟化物组成的组中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中该记录阻挡部分相对于该光学吸收层在光源侧上隔开特定的间隔。
9.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中该记录阻挡部分以圆形或螺旋形的方式形成。
10.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中该记录层包括金属、半导体和半金属氧化物中的任何一种。
11.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中该记录层包括有机染料。
12.根据权利要求11所述的光学记录介质，其中该有机染料具有不包括记录光的波长的最大的吸收波段。
13.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中当该光学吸收层吸收光并且温度升高时，该光学吸收层免于其特性改变和形变之一。
14.根据权利要求1所述的光学记录介质，还包括超分辨层，
其中该超分辨层通过施与光的强度分布和由光辐射产生的热分布之一导致超分辨现象。
15.根据权利要求14所述的光学记录介质，其中该超分辨层也用于该光学吸收层。
16.一种光学记录介质的生产方法，包括：
通过在基板上或上方设置至少一个光学吸收层和形成凸起的绝热部分的薄膜而形成层叠体；
通过用光从该薄膜侧辐射该层叠体来确定该凸起的绝热部分的形状；和
通过移除用于形成凸起的绝热部分的该薄膜的不必要部分形成该凸起的绝热部分。
17.一种光学记录介质的记录和复制方法，包括：
用记录光和复制光辐射该光学记录介质来记录和复制信息，
其中该记录光具有不同于该复制光的波长，
光学记录介质包括：
基板；
光学吸收层，其在该基板上或上方吸收光并产生热；
记录层；和
记录阻挡部分，其阻止在该记录层上记录，
其中该记录阻挡部分设置在该记录层和该光学吸收层之间，和连续地设置在相邻轨道之间，和
记录标记通过该光学吸收层的光学吸收功能形成在该记录层上。
18.根据权利要求17所述的光学记录介质的记录和复制方法，其中该记录光和该复制光通过基板施与。
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