CN1909087B

CN1909087B - 光记录介质

Info

Publication number: CN1909087B
Application number: CN200510135819XA
Authority: CN
Inventors: 李光烈
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 2005-08-05
Filing date: 2005-12-23
Publication date: 2011-04-20
Anticipated expiration: 2025-12-23
Also published as: TWI301974B; US20070031632A1; DE602005017764D1; JP2007045140A; EP1750259B1; KR100634667B1; TW200707432A; CN1909087A; EP1750259A2; EP1750259A3

Abstract

本发明涉及光记录介质。根据本发明的一个实施例的光记录介质包括基片和位于基片上的信息记录层。信息记录层包括包含从Ag、In、Ge、Sb和Te构成的组中选择的至少一种元素的第一记录层，包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选择的至少一种元素的第二信息记录层，和包含从Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo构成的组中选择的至少一种元素的第三信息记录层。因此，通过由三个记录层组成并去除反射层和介质层，本发明的光记录介质可以减少厚度和制造成本。

Description

光记录介质

技术领域

本发明涉及光记录介质。具体地说，本发明涉及由三个记录层组成的可记录的光记录介质。

背景技术

随着全面处理包括运动图像和静止图像的视频信号、音频信号和计算机数据信息的多媒体时代的来临，已经广泛地使用包括类似CD和DVD的所有种类的光盘的封装介质。最近，已积极的努力为移动电话、数码相机、广播和电影的记录介质提供光记录介质。

将光记录介质分为只读存储器(ROM)光记录介质、能够仅记录一次信息的可记录光记录介质，和能够写、读并重复地删除信息的可重写的光记录介质。

可以将可记录光记录介质应用于数据备份或广播、电影等的存储。可使用比如染料的有机材料或无机材料作为可记录光记录介质的记录层材料。仅在使用有机材料作为记录层材料的情况中，在记录在光记录介质中的数据的长期存储中会发生问题。

作为可记录光记录介质的记录机制，a)当烧制记录层材料时产生凹坑，b)当记录层材料分解时体积膨胀形成凹坑，c)在记录层熔化之后的凝固形成新状态，和d)通过与外来物质的接触表面上的反应形成新材料(例如，硅化物、锗化合物，或锑化合物)。

同样，可多重发生这些机制。在由多重机制产生记录标记的情况中，如果将激光束照射在光记录介质上，记录层中的第一材料和第二材料可混合并改变而形成不同于记录层的材料。

在这种情况中，由记录层材料中改变的光学性质记录数据，并且在记录前后根据改变的光学性质可以由可反射性的变更来识别所记录的数据。

图1是示出现有光记录介质的结构的截面图。图2是示出在记录至图1的光记录介质的执行片的情况中所产生的记录标记的一个形式的截面图。并且，图3是示出在记录至图1的光记录介质的执行槽的情况中所产生的记录标记的一个形式的截面图。

在图1中，光记录介质包括基片60、反射层50、信息记录层100、光传输层10，和介质层20、30。

基片60用于支撑光记录介质的外形。通常使用陶瓷、玻璃、树脂等作为基片60的材料，但是聚碳酸脂树脂是优选的。

在基片60上沉积反射层50，反射激光束经光传输层10入射至光记录介质，并且返回该束至光传输层10的方向。因此，所需的是光传输层10包含具有高反射性的材料或添加了高反射性材料的合金。

在反射层50上沉积信息记录层100，并且包括第一记录层110和第二记录层120。

包含在第一记录层110和第二记录层120中的每个材料当激光束放射在其上时形成混合物中的新材料。新材料具有与周围其它材料完全不同的反射性。

当放射激光束时，第一记录层110和第二记录层120的材料在它们在接触面处发生反应的机制中作出记录标记以形成新材料。

同样，在信息记录层100的至少一侧上层压介质层20、30。

在图2和图3中，在通过放射激光束至光记录介质来记录信息的情况中解释了在光记录介质中记录的形式。

在信息记录层100的表面上形成槽和片，并且引导放射至光记录介质上的激光束。

片记录(land recording)意味将数据记录到如图2中所示的信息记录层100的凸面部分上，并且在信息记录层100的表面中激光束第一次到达的部分上形成记录标记90。

槽记录(groove recording)意味将数据记录到如图3中所示的信息记录层100的凹面部分上，并且在信息记录层100的表面中激光束随后到达的部分上形成记录标记90。

因此，在光记录介质中片记录和槽记录都是可能的。

光记录介质由类似于反射层50、信息记录层100、光传输层10，和介质层20、30的四或五层组成。这样，光记录介质厚且制造成本增加。特别地，反射层50包含比如AgPdCu或AgNdCu的十分昂贵的物质，并且其厚度大约是700至1000因此，光记录介质的制造成本增加，并且由于反射层50光记录介质的厚度更厚。

另一方面，下一代记录介质需要十分高的数据的记录密度和传输速度。光记录介质的记录标记的尺寸应小于现有尺寸以增加记录在光记录介质中的记录密度。这样，应将放射至光记录介质上的激光波长减至450nm或更少，并且数值孔径应增加至0.7或更高。同样，数据传输速度应远高于现在的30Mbps和35Mbps之间。

在下一代记录介质BD(蓝光光盘)的情况中，在光记录介质中应包括具有可接受的5.28m/s和10.56m/s之间的记录线速度的范围内的抖动的性质和405nm波长的3mW和7mW之间的激光功率的记录层材料。

具体地说，具有上述性质的可记录光记录介质需要记录层材料的组合，其中I)光记录介质中的记录标记和间隔之间的对比度应较高，II)记录敏感度应较高，III)所记录的标记应稳定，IV)应在BD系统中满足包括记录标记的噪声和抖动的记录性质。

同样，在通过放射的激光将记录标记90制造在光记录介质内的情况中，需要记录层材料的组合以防止用于制造记录标记90的激光功率过高。

发明内容

本发明的目的是提供光记录介质，其中信息层可由三个记录层组成，通过除去反射层和介质层可以减少厚度，并且可以节省制造成本。

本发明的另一目的是提供光记录介质，其具有高记录灵敏度和记录标记和间隔之间的大对比度并且满足BD的特性。

本发明的另一目的是提供光记录介质，其具有记录标记的优秀的稳定性和优秀的记录特性并且满足BD的特性。

本发明的另一目的是提供光记录介质，其中制造记录标记所必须的激光功率低。

根据本发明的实施例的光记录介质包括基片和位于基片上的信息记录层。信息记录层包括第一记录层，其包含从Ag、In、Ge、Sb和Te构成的组中选出的至少一种元素，第二信息记录层，其包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选出的至少一种元素和第三信息记录层，其包含从Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo构成的组中选出的至少一种元素。

根据本发明的另一实施例的光记录介质包括基片、位于基片上的至少两个信息记录层和在信息记录层之间形成的分离层。信息记录层包括第一记录层，其包含从Ag、In、Ge、Sb和Te构成的组中选出的至少一种元素，第二信息记录层，其包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选出的至少一种元素和第三信息记录层，其包含从Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo构成的组中选出的至少一种元素。

如上所述，在本发明的光记录介质中，信息层可以由三个记录层组成，通过除去反射层和介质层可以减少厚度，并且可以减少制造成本。

同样，本发明的光记录介质可提供高记录敏感度和记录标记与间隔之间的对比度并且以高密度记录数据。

此外，在本发明的光记录介质中，低激光功率足够用于制造记录标记。

此外，本发明的光记录介质可提供十分稳定的记录标记和优秀的记录特性。

附图说明

通过参考与附图一起考虑的下面的具体描述，本发明的上述和其它特点与优点将逐渐变得明显。在附图中：

图1是示出现有光记录介质的结构的截面图；

图2是示出片记录至图1的光记录介质的情况中产生的记录标记的一种形式的截面图；

图3是示出槽记录至图1的光记录介质的情况中产生的记录标记的一种形式的截面图；

图4是示出根据本发明的第一实施例的光记录介质的结构的截面图；

图5是示出片记录至图4的光记录介质的情况中产生的记录标记的一种形式的截面图；

图6是示出槽记录至图4的光记录介质的情况中产生的记录标记的一种形式的截面图；

图7是示出片记录至根据本发明的第二实施例的光记录介质的情况中所产生的记录标记的一种形式的截面图；

图8是示出槽记录至根据本发明的第二实施例的光记录介质的情况中所产生的记录标记的一种形式的截面图；

图9是示出根据本发明的第三实施例的光记录介质的结构的截面图；

图10A和图10B是示出根据包括五个记录层和两个记录层的光记录介质的记录之前和之后的反射性的结果的视图；

图11A和图11B是示出在图10A和图10B的测试结果中的包含Ge的记录层的记录之后的水平温度分布的视图；

图12A和图12B是示出在图10A和图10B的测试结果中的包含Ge的记录层的记录之后的垂直温度分布的视图；

图13是示出在改变了第三记录层和介质层的厚度的组合的情况中，根据本发明的一个实施例的光记录介质的反射性变更的结果的视图；

图14是示出用于根据本发明的一个实施例的光记录介质的性能评估的光记录介质的数据记录的激光记录脉冲波形的视图；

图15是示出根据在图14的记录脉冲中的记录的情况中的记录时间的光记录介质的温度分布的视图；

图16是示出取决于根据本发明的一个实施例的光记录介质中的介质层的存在的温度分布的视图。

具体实施方式

以下，将参考附图具体解释本发明的优选实施例。

图4是示出根据本发明的第一实施例的光记录介质的结构的截面图。图5是示出片记录至图4的光记录介质的情况中产生的记录标记的一种形式的截面图。并且，图6是示出槽记录至图4的光记录介质的情况中产生的记录标记的一种形式的截面图。

在图4中，本发明的光记录介质包括基片200、信息记录层210，和光传输层220。

基片200用于支撑光记录介质的外形。通常使用陶瓷、玻璃、树脂等作为基片200的材料，并且聚碳酸酯是优选的。

光传输层220包含具有高反射性的材料或添加了高反射性材料的合金。激光束通过光传输层220入射至光记录介质，并且将光束返回光传输层220的方向。

在基片200上沉积信息记录层220，并且包括第一记录层212、第二记录层214和第三记录层216。

在激光束放射到其上时第一记录层212、第二记录层214，和第三记录层216中包含的每种材料形成混合物中的新材料。新材料具有与周围其它材料完全不同的反射性。

图4的信息记录层210中的第一记录层212、第二记录层214，和第三记录层216的位置可以互相交换。也就是，不必按顺序设置第一记录层212、第二记录层214，和第三记录层216。

第一记录层212包含从Ag、In、Ge、Sb和Te构成的组中选出的至少一种元素，优选地以A_W(Sb_ZTe_1-Z)_1-W(0≤W≤0.2，0.5≤Z≤0.9)的形式，其中，A是从Ge、Sn、Si、Cu、Au、Ag、Pd、V、Bi、Zr、Ti、Mn和Mo构成的第一组中选择的至少一种元素。

第二信息记录层214需要包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选择的至少一种元素。也需要第二信息记录层214包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选择的至少一种元素作为占百分之50的原子(原子％)或更多的主元素。

第三信息记录层216包含从Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo构成的组中选出的至少一种元素。

当放射激光束时，第一记录层212、第二记录层214，和第三记录层216的材料在它们在接触面起反应以形成新材料的机制中制造记录标记。

图5和图6示出在通过放射激光束至根据本发明的第一实施例的光记录介质记录信息的情况中，记录至光记录介质的形式。

在信息记录层210的表面上形成槽和片，并且引导激光束放射至光记录介质上。

片记录是指将数据记录至如图5中所示的信息记录层210的凸面部分上，并且在信息记录层210的表面中激光束第一次到达的部分上形成记录标记250。

槽记录是指将数据记录至如图6中所示的信息记录层210的凹面部分上，并且在信息记录层210的表面中激光束之后到达的部分上形成记录标记250。

因此，在根据本发明的光记录介质中片记录和槽记录都是可能的。

图7是示出片记录至根据本发明的第二实施例的光记录介质的情况中所产生的记录标记的一种形式的截面图。并且，图8是示出槽记录至根据本发明的第二实施例的光记录介质的情况中所产生的记录标记的一种形式的截面图。

在图7和图8中，可以在根据本发明的第二实施例的光记录介质中的信息记录层210的周围或内侧层压介质层260。

假如不存在介质层260，在同样的记录功率下温度会上升一点，因为在放射激光束时透射率高而吸收率低。

介质层260需要包含从AlN、GeN、SiN、Al₂O₃、ZnS-SiO₂、TiO和SiO₂组成的组选择的至少一种元素。

添加至介质层260的元素具有良好的吸收性，并且使得在放射激光束时降低了激光束的透射率。这样，在层压了介质层260的情况中，降低了产生记录标记250时必须的激光功率。

同样，假如放射激光束到信息记录层210，介质层260通过以合适的速率辐射信息记录层210中所产生的热量来调节信息记录层210的温度分布。

可以在信息记录层210的至少一侧或信息记录层210的内侧设置介质层260。

其它构造与根据第一实施例的光记录介质相同。

图9是示出根据本发明的第三实施例的光记录介质的结构的截面图。

在图9中，根据本发明的第三实施例的光记录介质包括基片200、位于两个和更多信息记录层210、230之间的分离层240，和信息记录层210、230，和光传输层220。

如图5至图8所述可以在信息记录层210、230中形成记录标记250。

信息记录层210、230不需要具有相同的结构。这样，可以将介质层260进一步包括在信息记录层210、230中的仅一个中。

以下，将描述本发明的光记录介质的应用性，比较包含五层的光记录介质(以下称为“五层的光记录介质”)和包含两层的光记录介质(以下称为“两层的光记录介质”)之间的反射性和热量分布。

图10A和图10B是示出根据包括五个记录层和两个记录层的光记录介质的记录之前和之后的反射性的结果的视图。图11A和图11B是示出在图10A和图10B的测试结果中的包含Ge的记录层的记录之后的水平温度分布的视图。并且，图12A和图12B是示出在图10A和图10B的测试结果中的包含Ge的记录层的记录之后的垂直温度分布的视图。

如同上述的其它光记录介质，除了两个记录层110、120之外，五层的光记录介质还包括反射层50和介质层20、30。

两层的光记录介质由两层信息记录层组成。

五层和两层的光记录介质包括包含Ge和Au的信息记录层。

在图10A和10B中，两层的光记录介质在记录前后显示出满意的反射性差异。

在图11A和图11B中示出包含Ge的记录层的水平温度分布，温度集中在两层的光记录介质中的激光中心，但是相对广泛地分散在五层的光记录介质的前后左右。假如是五层的光记录介质，在记录标记中可发生热干扰，并且因此两层的光记录介质在标记控制方面较好。

仅在两层的光记录介质中，因为在放射激光时不存在厚层，在相同的记录功率下较少地增加了温度，并且因此透射率可以很高并且吸收率可以很低。这可以通过涂覆介质层260来实现。

参考示出包含Ge的记录层的水平温度分布的图12A和图12B，在两层的光记录介质中，温度集中在激光中心，并且左右的热量损失很少，并且这样标记控制更有效。假如是五层的光记录介质，由于厚反射层50具有高热导率，更多的热量溢出到前后左右，并且因而可以减少由热量造成的基片的变型。另一方面，在两层的光记录介质中温度集中导致热量造成的变化。这可以通过涂覆介质层260实现。

因此，两层的光记录介质在反射性和热量方面具有满意的性质。

以下，将描述根据第一至第三实施例的光记录介质的测试结果。

首先，将描述用于测试的光记录介质的结构和记录层材料。

测试中使用的光记录介质包括内径15mm、外径120mm，和厚度1.1mm的圆环形基片200，并且在基片200上形成具有片和槽的0.32μm的轨迹间距。

基片200由聚碳酸酯制成，并且在基片200上以第三记录层216、由ZnS-SiO₂组成的介质层260、第二记录层214和第一记录层212的顺序层压多个薄层。

同样，以20μm的PSA胶通过聚碳酸酯盖板将光透射层220粘附在第一记录层212上。在层叠结构中，介质层260的厚度是200

第三记录层216的厚度是300

第二记录层214的厚度是30并且第一记录层212的厚度是90

下面描述根据本发明的第一至第三实施例的以上测试的条件。

在测试中，光记录介质的恒定线速度是5.28m/s，并且光记录介质的测量位置是离内圆周30mm处。记录至光记录介质的数据是槽记录的，该处使用的激光束的波长是408nm，并且将复制功率设为35mW。同样，使用Pulstec公司的ODU-1000作为测试设备。

在表1中，解释了如上所述的光记录介质中的信息记录层210和介质层260的材料的组合和其测试结果。

【表1】

测试编号

第一记录层

第二记录层

第三记录层

介质层

8T调制(I8_pp/I8H)(％)

确定

启动DC测试功率(mW)

确定

标记稳定性确定

1

GeSbTe

Si

Ag

ZnS-SiO₂

45

○

3.0

△

○

2

GeSbTe

Ge

Ag

ZnS-SiO₂

40

△

1.8

○

△

3

GeSbTe

Sb

Ag

50

○

1.5

○

△

4

GeSbTe

Sn

Ag

50

○

2.7

△

○

5

AgInSbTe

Si

Au

ZnS-SiO₂

55

○

1.0

○

△

6

AgInSbTe

Ge

Au

ZnS-SiO₂

52

○

1.4

○

△

7

AgInSbTe

Sb

Au

38

△

2.0

○

8

AgInSbTe

Sn

Au

40

△

4.0

×

△

9

GeSbTe

Si

Cr

54

○

3.5

△

○

10

GeSbTe

Si

W

50

○

4.0

×

○

11

GeSbTe

Si

Ni

40

△

4.0

×

○

12

GeSbTe

Sb

Mo

40

△

3.0

△

○

第一记录层212、第二记录层214和第三记录层216依次由作为测试1中的主要元素的GeSbTe、Si和Ag；测试2中的GeSbTe、Ge和Ag；测试3中的GeSbTe、Sb和Ag；测试4中的GeSbTe、Sn和Ag；测试5中的AgInSbTe、Si和Au；测试6中的AgInSbTe、Ge和Au；测试7中的AgInSbTe、Sb和Au；测试8中的AgInSbTe、Sn和Au；测试9中的GeSbTe、Si和Cr；测试10中的GeSbTe、Si和W；测试11中的GeSbTe、Si和Ni；和测试12中的GeSbTe、Sb和Mo组成。

根据8T调制、启动DC测试功率和标记稳定性，根据每个测试组合的测试标准具有光记录介质的反射性的差异。根据表1的每个标准的结果在每个测试标准的右列(用于标记稳定性的列)以示出最佳结果的测试组合的顺序被标记为“○”、“△”或“×”。

首先，8T调制在间隔和标记之间显示出反射性的差异。

也就是，以百分比(％)表示除以最大反射值(I8H)的激光束的8T调制脉冲的最小反射值和最大反射值之间的差(I8_pp)。在激光束的8T调制测试中，反射性的差是光记录介质的第一标准。这样，由于其发射性的差较大，确定了光记录介质是合适的。

在根据本发明的光记录介质的测试中，测试5的间隔和标记之间的反射性的差是最好的，为55％。

启动DC测试功率是确定标准，其可以间接确认是否可以以前述记录功率(Pw)记录具有最优结构的光记录介质。

BD应以小于7mW到光记录介质的1X、2X速度的范围内的激光记录功率产生记录标记250。为间接确认，通过测量信息记录层210中的任何变化的开始的功率，如果所测量的功率在1.5mW和2.5mW之间，则确定光记录介质具有前述激光功率下合适的记录灵敏度。

以下，将描述测量作为确定标准的启动DC测试功率的详细方法。

首先，将间隔功率(Ps(mW))的激光束放射至光记录介质。激光束的脉冲是单脉冲类型的，不是多脉冲类型。并且，假如放射了激光束，测量光记录介质的反射性的初始大小作为激光功率初始化在示波器中的变化。所测量的激光功率的大小是启动DC测试功率的值。

在测试中，如果启动DC测试功率低于2.5mW则确定光记录介质为最优化的。在测试中，启动DC测试功率的值显示出在测试5中是最好的，测试6中次之，测试3中第三。

作为测试的确定标准，标记稳定性是确定记录标记250是否可以长时间保持而不发生任何变化的标准。当记录标记250由8T调制的激光脉冲形成至光记录介质时，应保持记录标记250的大小而不随时间在重新产生的功率的激光束的作用下或在室温下变大或变小。

在测试中，在测试2、测试3、测试5、测试6和测试8中改变记录层中的记录标记250。这样，由记录层212、214、216的材料比率和光记录介质的结构可以改进记录层212、214、216的材料。

根据三个测试结果，依次作为第一记录层212、第二记录层214和第三记录层216的Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、Au、Cr、Mo的组合被评估为用于信息记录层210的最佳材料。但是，大多数上述材料的组合具有稍大的启动DC测试功率，并且因而如果存在将记录激光功率降低一点的方法，它们是更适合信息记录层210的。

以下，在通过上述测试被选为合适的材料的Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、In、Ge、Sb、Te和Ag、Au、Cr、Mo的组合中选择GeSbTe、Si和Ag作为第一记录层212、第二记录层214和第三记录层216的主要元素，并且将具体描述改进给定上述组合的二光记录介质的反射性和记录灵敏度的测试结果。

图13是示出假如第三记录层和介质层的厚度的组合变化，根据本发明的一个实施例的光记录介质的反射性变化的结果。

在图13中，水平轴指示以为单位的记录层216的厚度，垂直轴指示以

为单位的介质层260的厚度，并且图13中的值指示根据第三记录层216和介质层260的厚度的反射性。

在设计了HTL(高至低)反射性的上述测试中使用光记录介质，如在标记和间隔的部分中的反射性差别所见。

在两种情况中进行测试，即当第三记录层216是300

时不包括由ZnS-SiO₂组成的介质层260(图13的数字2)和以厚度200层压介质层260，通过选择高对比度的两个区域考虑基片260的热量变化。

图14是示出用于根据本发明的一个实施例的光记录介质的性能评估的光记录介质的数据记录的激光记录脉冲波形的视图。

在图14中，用于光记录介质的记录的激光脉冲的记录功率(Pw)是5.7mW，间隔功率(Ps)是1.5mW，并且底部功率是0.1mW。激光记录脉冲具有从2T至6T的随机多脉冲，并且通过调制脉冲使得对每个记录脉冲制成N-1个分开的脉冲完成记录。

图15是示出根据在图14的记录脉冲中的记录的情况中的记录时间的光记录介质的温度分布的视图。并且，图16是示出取决于根据本发明的一个实施例的光记录介质中的介质层的存在的温度分布。

在图15中，图一、二和三指示图14的图一、二和三的每次的光记录介质的轨迹中心的垂直部分中的温度分布。

图15的温度分布示出根据本发明的光记录介质形成两层和五层的光记录介质的温度分布的中间形式。

即，假如像本发明的光记录介质一样不存在反射层和介质层，可以实现满意的性质。

在图16中，图14示出的2T的前沿和后沿的温度分布相似，不管介质层260是否存在。因此，不需要在根据本发明的光记录介质中层压介质层260。

在信息记录层100为一(1)的情况中示出根据本发明的光记录介质的性能的卓越性。然而，当存在两个或更多信息记录层100、200时是相同的。通过构成元素、厚度比率、厚度和等可以结合两个或更多的信息记录层100、200中的一个或更多信息记录层，如上所示。

在本发明的优选实施例中，应注意可由本领域的技术人员根据上述教导作出修正和变更。因此，应理解在附加权利要求所描述的本发明的范围和精神内，可对本发明的具体实施例作出改变。

Claims

1.一种可记录光记录介质，其用于在信息记录层中由通过放射的激光束形成具有与周围物质不同的反射性的物质的机制来记录信息，所述可记录光记录介质包含：

基片；

信息记录层，其位于基片上；

其中，该信息记录层包括：

第一记录层，其包含从Ag、In、Ge、Sb和Te构成的组中选择的至少一种元素；

第二记录层，其包含从Si、Sn、Sb和Ge构成的组中选择的至少一种元素作为占百分之50的原子(原子％)或更多的主元素；和

第三记录层，其包含从Ni、Ag、Au、W、Cr和Mo构成的组中选择的至少一种元素，

其中，所述记录层分别由不同的材料形成。

2.如权利要求1所述的光记录介质，其中，该第一记录层包含A_W(Sb_ZTe_1-Z)_1-W(0≤W≤0.2，0.5≤Z≤0.9)的形式的混合物，其中，A是从Ge、Ag和In构成的组中选择的至少一种元素。

3.如权利要求1所述的光记录介质，其中，该第二记录层在第三记录层的周围形成。

4.如权利要求2所述的光记录介质，其中，该第二记录层在第三记录层的周围形成。

5.如权利要求3所述的光记录介质，其中，该第一记录层在第二记录层或第三记录层的周围形成。

6.如权利要求1所述的光记录介质，进一步包括介质层，其包含从AlN、GeN、SiN、Al₂O₃、ZnS-SiO₂、TiO和SiO₂组成的组选择的至少一种元素。

7.如权利要求6所述的光记录介质，其中，该介质层在信息记录层的至少一侧上形成。

8.如权利要求6所述的光记录介质，其中，该介质层在信息记录层中形成。

9.一种可记录光记录介质，其用于在信息记录层中由通过放射的激光束形成具有与周围物质不同的反射性的物质的机制来记录信息，所述可记录光记录介质包含：

基片；

至少两个信息记录层，其位于基片上，和

分离层，其在信息记录层之间形成

其中，该信息记录层包括：

其中，所述记录层分别由不同的材料形成。

10.如权利要求9所述的光记录介质，其中，该第一记录层包含A_W(Sb_ZTe_1-Z)_1-W(0≤W≤0.2，0.5≤Z≤0.9)的形式的混合物，其中，A是从Ge、Ag和In构成的组中选择的至少一种元素。

11.如权利要求9所述的光记录介质，其中，该第二记录层在信息记录层之一中的第三记录层周围形成。

12.如权利要求10所述的光记录介质，其中，该第二记录层在信息记录层之一中的第三记录层周围形成。

13.如权利要求11所述的光记录介质，其中，该第一记录层在信息记录层之一中的第二记录层或第三记录层周围形成。

14.如权利要求9所述的光记录介质，进一步包括介质层，其包含从AlN、GeN、SiN、Al₂O₃、ZnS-SiO₂、TiO和SiO₂组成的组选择的至少一种元素。

15.如权利要求14所述的光记录介质，其中，该介质层在信息记录层的至少一个上形成。

16.如权利要求14所述的光记录介质，其中，该介质层在信息记录层的至少一个中形成。