JPH0370866B2 - - Google Patents
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- JPH0370866B2 JPH0370866B2 JP59035962A JP3596284A JPH0370866B2 JP H0370866 B2 JPH0370866 B2 JP H0370866B2 JP 59035962 A JP59035962 A JP 59035962A JP 3596284 A JP3596284 A JP 3596284A JP H0370866 B2 JPH0370866 B2 JP H0370866B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光デイスクや光磁気デイスク等に用い
られる情報記録用基板の製造方法に関するもので
ある。
られる情報記録用基板の製造方法に関するもので
ある。
従来この種のメモリデイスクは、例えば次のよ
うにして形成されている。まず、ガラス原盤の一
主面上に直接に、またはレジストの付着力を強め
るためにクロムを薄くコートした上でレジストを
塗布する。次いで、レーザー光を用いたカツテイ
ングにより所望のレジストパターンを形成し、そ
の上に導電性をもたせるために銀鏡反応により銀
を析出させるか蒸着等により金属膜（例えば金、
銀、ニツケル）をコートした上で、さらにニツケ
ルをメツキする。これをガラス原盤から剥離して
ニツケルマスター盤を作る。次いで、このマスタ
ー盤のごく表層部を重クロム酸などで酸化し、再
びニツケルをメツキし、この部分をマスター盤か
ら剥離する。これをマザー盤として上述したと同
様の方法でスタンパーを作る。このスタンパーの
裏面を研磨し、このスタンパーを用いて、ガラス
盤とスタンパーとの間に樹脂を入れ、樹脂を熱ま
たは紫外線などにより硬化させてスタンパーの凹
凸を転写する。このようにして得られる情報記録
用基板を第１図に示す。図において、１はソーダ
ライムガラス基盤であり、２は樹脂層である。こ
の情報記録用基板の樹脂層２の凹凸面に、各種記
録用薄膜および保護層を形成し、さらに30cm盤な
どではこのようなデイスクを情報記録層が内側に
なるように２枚張り合わせて、メモリデイスクが
形成される。なお、凹凸は、情報記録用トラツク
を構成する案内溝および径方向位置決め用のプレ
グループとして利用される。
うにして形成されている。まず、ガラス原盤の一
主面上に直接に、またはレジストの付着力を強め
るためにクロムを薄くコートした上でレジストを
塗布する。次いで、レーザー光を用いたカツテイ
ングにより所望のレジストパターンを形成し、そ
の上に導電性をもたせるために銀鏡反応により銀
を析出させるか蒸着等により金属膜（例えば金、
銀、ニツケル）をコートした上で、さらにニツケ
ルをメツキする。これをガラス原盤から剥離して
ニツケルマスター盤を作る。次いで、このマスタ
ー盤のごく表層部を重クロム酸などで酸化し、再
びニツケルをメツキし、この部分をマスター盤か
ら剥離する。これをマザー盤として上述したと同
様の方法でスタンパーを作る。このスタンパーの
裏面を研磨し、このスタンパーを用いて、ガラス
盤とスタンパーとの間に樹脂を入れ、樹脂を熱ま
たは紫外線などにより硬化させてスタンパーの凹
凸を転写する。このようにして得られる情報記録
用基板を第１図に示す。図において、１はソーダ
ライムガラス基盤であり、２は樹脂層である。こ
の情報記録用基板の樹脂層２の凹凸面に、各種記
録用薄膜および保護層を形成し、さらに30cm盤な
どではこのようなデイスクを情報記録層が内側に
なるように２枚張り合わせて、メモリデイスクが
形成される。なお、凹凸は、情報記録用トラツク
を構成する案内溝および径方向位置決め用のプレ
グループとして利用される。
しかしながら、このような従来のメモリデイス
クでは、樹脂層を均一に形成しなければならない
こと、特に複屈折等の影響を小さくして光学的に
均一な膜を形成しなければならないこと、さら
に、スタンパー上の欠陥はそのまま樹脂層に転写
されるため欠陥のないスタンパーを作る必要があ
るばかりでなく、スタンパー上の微小な案内溝を
正確に転写しなければならないことなど製造上
種々の困難がある。
クでは、樹脂層を均一に形成しなければならない
こと、特に複屈折等の影響を小さくして光学的に
均一な膜を形成しなければならないこと、さら
に、スタンパー上の欠陥はそのまま樹脂層に転写
されるため欠陥のないスタンパーを作る必要があ
るばかりでなく、スタンパー上の微小な案内溝を
正確に転写しなければならないことなど製造上
種々の困難がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、均一性の高いメモリデイスクを
容易に形成することが可能な情報記録用基板の製
造方法を提供することにある。
で、その目的は、均一性の高いメモリデイスクを
容易に形成することが可能な情報記録用基板の製
造方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明によ
る情報記録用基板の製造方法は、デイスク状のガ
ラス基板に対しガラス基板のNaイオンをＫイオ
ンに置換するための低温形イオン交換処理を施
し、ガラス基板の主表面にレジストを薄膜状に塗
布し、レジスト膜にパターンを露光し、露光され
たレジスト膜を現像してレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとして低温形のイ
オン交換処理を施したガラス基板にスパツタエツ
チング法により所望の凹凸を形成し、しかる後レ
ジストパターンを剥離するものである。
る情報記録用基板の製造方法は、デイスク状のガ
ラス基板に対しガラス基板のNaイオンをＫイオ
ンに置換するための低温形イオン交換処理を施
し、ガラス基板の主表面にレジストを薄膜状に塗
布し、レジスト膜にパターンを露光し、露光され
たレジスト膜を現像してレジストパターンを形成
し、レジストパターンをマスクとして低温形のイ
オン交換処理を施したガラス基板にスパツタエツ
チング法により所望の凹凸を形成し、しかる後レ
ジストパターンを剥離するものである。
ここで、低温形イオンの交換処理とは、ガラス
の強化方法の一種であり、ガラスを転移点以下の
温度、例えばソーダライムガラスの場合380〜450
℃の温度で、ガラス中のアルカリイオン（本例で
はNa+イオン）をこれよりも大きなイオン半径の
アルカリイオン（同：K+イオンなど）で交換す
ることにより、ガラス表面に圧縮応力を導入する
方法である。なお、ガラス表面Na+イオンはすべ
てK+イオンに交換されているわけではなく、そ
の置換率は90％程度である。また、このイオン交
換処理で使用する溶融塩は主として硝酸塩である
が、硫酸塩を使用することもできる。これによ
り、ガラス基板は機械的に強化されるとともに、
表面のナトリウムイオン濃度が低下してエツチン
グの再現性が向上しかつ記録媒体の劣化が抑制さ
れるなどの効果がある。
の強化方法の一種であり、ガラスを転移点以下の
温度、例えばソーダライムガラスの場合380〜450
℃の温度で、ガラス中のアルカリイオン（本例で
はNa+イオン）をこれよりも大きなイオン半径の
アルカリイオン（同：K+イオンなど）で交換す
ることにより、ガラス表面に圧縮応力を導入する
方法である。なお、ガラス表面Na+イオンはすべ
てK+イオンに交換されているわけではなく、そ
の置換率は90％程度である。また、このイオン交
換処理で使用する溶融塩は主として硝酸塩である
が、硫酸塩を使用することもできる。これによ
り、ガラス基板は機械的に強化されるとともに、
表面のナトリウムイオン濃度が低下してエツチン
グの再現性が向上しかつ記録媒体の劣化が抑制さ
れるなどの効果がある。
また、スパツタエツチングは、方向性エツチン
グであるためにアンダーカツトが小さく、また再
現性が良く深さ方向のばらつきのほとんどないエ
ツチング加工が行なえる。以下、実施例を用いて
本発明を詳細に説明する。
グであるためにアンダーカツトが小さく、また再
現性が良く深さ方向のばらつきのほとんどないエ
ツチング加工が行なえる。以下、実施例を用いて
本発明を詳細に説明する。
第２図ａ〜ｄは、本発明の一実施例を示す工程
断面図である。
断面図である。
まず、外径200mm、内径35mm、板厚1.2mmのデイ
スク状のソーダライムガラス基板１について、
380〜450℃の溶融硝酸カリウム中に数十分ないし
数十時間浸して低温形イオン交換処理を施し、化
学強化する。その後、シラザン処理を施してレジ
ストとの付着力を強めた上で、このガラス基板１
の一主面上にフオトレジストAZ1300−27（米国
Hoechst社）３を約20000〓塗布しプリベークを
行なう（第２図ａ）。
スク状のソーダライムガラス基板１について、
380〜450℃の溶融硝酸カリウム中に数十分ないし
数十時間浸して低温形イオン交換処理を施し、化
学強化する。その後、シラザン処理を施してレジ
ストとの付着力を強めた上で、このガラス基板１
の一主面上にフオトレジストAZ1300−27（米国
Hoechst社）３を約20000〓塗布しプリベークを
行なう（第２図ａ）。
次に、プレグループ用の信号をパターニングし
た円板上のフオトマスクを用いて露光を行ない、
さらにこれを現象、乾燥、ポストベークしてレジ
ストパターン４を形成する（第２図ｂ）。
た円板上のフオトマスクを用いて露光を行ない、
さらにこれを現象、乾燥、ポストベークしてレジ
ストパターン４を形成する（第２図ｂ）。
次いで、このレジストパターンをマスクとし、
平行平板形プラズマエツチング装置を用い、Ar
ガス圧力５×10-3Torr、高周波出力200W（0.44／
cm2）のエツチング条件でスパツタエツチングを行
なつた。記録または再生に用いるレーザ光の波長
をλとすると、エツチング深さはおよそλ／４ま
たはλ／８とする必要があり、本実施例では1200
〜1300〓とした。前述したように、スパツタエツ
チングを用いることによりアンダーカツトが小さ
く、再現性が良好で深さ方向のばらつきがほとん
どない溝５が得られる（第２図ｃ）。
平行平板形プラズマエツチング装置を用い、Ar
ガス圧力５×10-3Torr、高周波出力200W（0.44／
cm2）のエツチング条件でスパツタエツチングを行
なつた。記録または再生に用いるレーザ光の波長
をλとすると、エツチング深さはおよそλ／４ま
たはλ／８とする必要があり、本実施例では1200
〜1300〓とした。前述したように、スパツタエツ
チングを用いることによりアンダーカツトが小さ
く、再現性が良好で深さ方向のばらつきがほとん
どない溝５が得られる（第２図ｃ）。
その後、アセトンなどの有機溶剤、熱濃硫酸等
でレジストを剥離し、洗浄、乾燥を行なつて情報
記録用基板６が作成される（第２図ｄ）。
でレジストを剥離し、洗浄、乾燥を行なつて情報
記録用基板６が作成される（第２図ｄ）。
この基板６は、その後、その凹凸を形成した主
面上に各種の記録用薄膜および保護層を形成し、
あるいはさらに、このようにして形成した２枚の
デイスクを、記録層が内側になるように封止する
ことによつて耐久性のあるメモリデイスクとな
る。
面上に各種の記録用薄膜および保護層を形成し、
あるいはさらに、このようにして形成した２枚の
デイスクを、記録層が内側になるように封止する
ことによつて耐久性のあるメモリデイスクとな
る。
なお、上記工程中フオトレジストを塗布する前
に、化学強化したガラス基板１にシラザン処理を
施したのは、ガラスの主成分であるSiO2が空気
中の水分と反応してガラス表面にシラノール基を
作りレジストとの付着力を弱めることから、その
対策として行なうもので、プレヒートなどで代用
することも可能である。
に、化学強化したガラス基板１にシラザン処理を
施したのは、ガラスの主成分であるSiO2が空気
中の水分と反応してガラス表面にシラノール基を
作りレジストとの付着力を弱めることから、その
対策として行なうもので、プレヒートなどで代用
することも可能である。
また、スパツタエツチングのエツチングガスと
しては、Arのみでなく、例えばArとCF4等のフ
ツ素系の混合ガスを用いてもよい。その場合は
CF4の分解によつて生ずる活性種のために、ガラ
ス表面層が化学エツチングされる効果があり、エ
ツチング時間が短くて済む利点がある。
しては、Arのみでなく、例えばArとCF4等のフ
ツ素系の混合ガスを用いてもよい。その場合は
CF4の分解によつて生ずる活性種のために、ガラ
ス表面層が化学エツチングされる効果があり、エ
ツチング時間が短くて済む利点がある。
さらに、フオトレジストの露光方法として円板
状のフオトマスクを使用したが、これは円板状に
限定されず、角形等であつてもよい。また、フオ
トマスクを使用せず、レーザー光で直接レジスト
を感光させてパターニングすることもできる。
状のフオトマスクを使用したが、これは円板状に
限定されず、角形等であつてもよい。また、フオ
トマスクを使用せず、レーザー光で直接レジスト
を感光させてパターニングすることもできる。
なおガラス基板に低温形イオン交換処理を施す
ことにより複屈折が生じるが、屈折率が均一で複
屈折の方向が同じになるため、問題とならない。
ことにより複屈折が生じるが、屈折率が均一で複
屈折の方向が同じになるため、問題とならない。
以上説明したように、本発明によれば、Naイ
オンをＫイオンに置換するための低温形イオン交
換処理を施したガラス基板を用い、このガラス基
板にスパツタエツチング法により直接案内溝等の
凹凸を形成するようにしたことにより、ガラス表
面のNaイオンが濃度が極端に低くなるために、
エツチングの再現性がよくなり均一性の高い高精
度の微細凹凸パターンが容易に得られるようにな
る。記録媒体のNaイオンによる劣化も防止でき
る。さらに、基板として比較的安価なソーダライ
ムガラスを使用することができるので、製造コス
トの低減がはかれる。なお、ガラス基板の化学強
化により機械的強度も増加するという付随的な効
果も得られる。
オンをＫイオンに置換するための低温形イオン交
換処理を施したガラス基板を用い、このガラス基
板にスパツタエツチング法により直接案内溝等の
凹凸を形成するようにしたことにより、ガラス表
面のNaイオンが濃度が極端に低くなるために、
エツチングの再現性がよくなり均一性の高い高精
度の微細凹凸パターンが容易に得られるようにな
る。記録媒体のNaイオンによる劣化も防止でき
る。さらに、基板として比較的安価なソーダライ
ムガラスを使用することができるので、製造コス
トの低減がはかれる。なお、ガラス基板の化学強
化により機械的強度も増加するという付随的な効
果も得られる。
また、スパツタエツチング法により凹凸を形成
しているので、アンダーカツトが小さく、再現性
が良く深さ方向のばらつきの少ない溝を形成でき
る。
しているので、アンダーカツトが小さく、再現性
が良く深さ方向のばらつきの少ない溝を形成でき
る。
さらに、従来のようにスタンパーを作つて樹脂
を成形加工する必要がなくなるため、工程が簡略
化できるとともに、樹脂に比較して強度の高い基
板が得られる。
を成形加工する必要がなくなるため、工程が簡略
化できるとともに、樹脂に比較して強度の高い基
板が得られる。
第１図は従来の情報記録用基板を示す断面図、
第２図ａ〜ｄは本発明の一実施例を示す工程断面
図である。 １……ソーダライムガラス基板、３……フオト
レジスト、４……レジストパターン、５……溝、
６……情報記録用基板。
第２図ａ〜ｄは本発明の一実施例を示す工程断面
図である。 １……ソーダライムガラス基板、３……フオト
レジスト、４……レジストパターン、５……溝、
６……情報記録用基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ デイスク状のガラス基板に対しガラス基板の
NaイオンをＫイオンに置換するための低温形イ
オン交換処理を施す工程と、 このガラス基板の主表面にレジストを薄膜状に
塗布する工程と、 このレジスト膜にパターンを露光する工程と、 この露光されたレジスト膜を現像してレジスト
パターンを形成する工程と、 このレジストパターンをマスクとして、前記低
温形イオン交換処理を施したガラス基板に、スパ
ツタエツチング法により所望の凹凸を形成する工
程と、 前記レジストパターンを剥離する工程と を含むことを特徴とする情報記録用基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035962A JPS60182030A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 情報記録用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035962A JPS60182030A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 情報記録用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182030A JPS60182030A (ja) | 1985-09-17 |
| JPH0370866B2 true JPH0370866B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12456582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035962A Granted JPS60182030A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 情報記録用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182030A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685237B2 (ja) * | 1984-03-16 | 1994-10-26 | シャープ株式会社 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
| JPS55101144A (en) * | 1979-01-25 | 1980-08-01 | Pioneer Electronic Corp | Production of signal recording disc |
| JPS5736446A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Discovision Ass | |
| JPS5845997A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-17 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | レリ−フ装置作製方法 |
| JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPS6055530A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5672332U (ja) * | 1979-11-07 | 1981-06-13 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59035962A patent/JPS60182030A/ja active Granted
Patent Citations (7)
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| JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
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| JPS6055530A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60182030A (ja) | 1985-09-17 |
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