JP2523947B2 - 光ディスクのスタンパ作製方法 - Google Patents
光ディスクのスタンパ作製方法Info
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- JP2523947B2 JP2523947B2 JP2148240A JP14824090A JP2523947B2 JP 2523947 B2 JP2523947 B2 JP 2523947B2 JP 2148240 A JP2148240 A JP 2148240A JP 14824090 A JP14824090 A JP 14824090A JP 2523947 B2 JP2523947 B2 JP 2523947B2
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- Japan
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- metal
- thin film
- master
- metal thin
- stamper
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光ディスク原盤からスタンパを作製する方法
に関する。
に関する。
従来の技術 CDやレーザーディスクなどの光ディスクが普及してい
る。ハイビジョンやマルチメディアへの対応で、光ディ
スクのより高密度・高転送レート化が望まれ、その有望
な技術としてＶ溝方式が特開昭57−105828号公報に、ま
たその原盤の作製方法が特開昭63−217545号公報におい
て提案されている。
る。ハイビジョンやマルチメディアへの対応で、光ディ
スクのより高密度・高転送レート化が望まれ、その有望
な技術としてＶ溝方式が特開昭57−105828号公報に、ま
たその原盤の作製方法が特開昭63−217545号公報におい
て提案されている。
第２図にそのＶ溝ディスクのレプリカ断面の斜視部を
示す。この図で１は透明基板、２はＶ溝斜面、３は信号
ピットである。
示す。この図で１は透明基板、２はＶ溝斜面、３は信号
ピットである。
第３図を用いてこのディスク原盤の製造法を説明す
る。
る。
銅盤４をダイヤモンドバイト５でカッティングしてＶ
溝を形成する（第３図（ａ））。このＶ溝形成は次の様
に行なわれる。まず、銅盤を鏡面に切削しておき、その
銅盤に尖端が165度のダイアモンドバイトを２〜３μｍ
切り込んで、銅盤を回転させながらダイアモンドバイト
を１回転する間に1.6μｍずつ銅盤の半径方向に移動さ
せる。こうして、ピッチが1.6μｍで斜面の成す角度が1
65度のＶ溝が形成される。
溝を形成する（第３図（ａ））。このＶ溝形成は次の様
に行なわれる。まず、銅盤を鏡面に切削しておき、その
銅盤に尖端が165度のダイアモンドバイトを２〜３μｍ
切り込んで、銅盤を回転させながらダイアモンドバイト
を１回転する間に1.6μｍずつ銅盤の半径方向に移動さ
せる。こうして、ピッチが1.6μｍで斜面の成す角度が1
65度のＶ溝が形成される。
次に、このＶ溝上にフォトレジスト６を塗布する（第
３図（ｂ））。例えば、AZ1350のフォトレジストを20％
に希釈して400rpmでスピンコートする。フォトレジスト
の塗布表面はＶ溝形状には沿わず、その自由表面はほぼ
平坦になる、Arレーザー７の絞られたスポット部をＶ溝
の斜面上にトラッキングして、そのレーザーを強度変調
してフォトレジストに信号を記録する（第３図
（ｃ））。これを現像してレーザー記録部のフォトレジ
ストを除去し第３図（ｄ）のものを得る。
３図（ｂ））。例えば、AZ1350のフォトレジストを20％
に希釈して400rpmでスピンコートする。フォトレジスト
の塗布表面はＶ溝形状には沿わず、その自由表面はほぼ
平坦になる、Arレーザー７の絞られたスポット部をＶ溝
の斜面上にトラッキングして、そのレーザーを強度変調
してフォトレジストに信号を記録する（第３図
（ｃ））。これを現像してレーザー記録部のフォトレジ
ストを除去し第３図（ｄ）のものを得る。
次に、第３図（ｅ）のようにイオンビーム８を照射し
てエッチングする事で、Ｖ溝表面に平行な底面を持つ信
号ピットが形成される。Ｖ溝表面上に残留したフォトレ
ジストは酸素アッシングなどの方法で除けば、第３図
（ｆ）のような原盤９ができる。
てエッチングする事で、Ｖ溝表面に平行な底面を持つ信
号ピットが形成される。Ｖ溝表面上に残留したフォトレ
ジストは酸素アッシングなどの方法で除けば、第３図
（ｆ）のような原盤９ができる。
発明が解決しようとする課題 この原盤から紫外線硬化樹脂を用いてレプリカを複製
する事もできるが、大量のレプリカを複製するにはイン
ジェクション法の方が望ましい。
する事もできるが、大量のレプリカを複製するにはイン
ジェクション法の方が望ましい。
第３図（ｆ）の原盤９の表面は銅であり、柔らかく、
大きな圧力を用いるインジェクション法には適さない。
従って、原盤からより硬い金属のスタンパを作製する必
要がある。一般に、原盤上にニッケルなどの金属をスパ
ッタリングしてから同じ金属を鍍金し、剥離する事でス
タンパは作製される。
大きな圧力を用いるインジェクション法には適さない。
従って、原盤からより硬い金属のスタンパを作製する必
要がある。一般に、原盤上にニッケルなどの金属をスパ
ッタリングしてから同じ金属を鍍金し、剥離する事でス
タンパは作製される。
しかし、銅とニッケルは馴染みやすく剥離性が劣るた
め、この剥離作業は慎重に行なう必要があり作業性に問
題があった。更には、この剥離作業において、ニッケル
膜が損傷する事などがあった。
め、この剥離作業は慎重に行なう必要があり作業性に問
題があった。更には、この剥離作業において、ニッケル
膜が損傷する事などがあった。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するための手段は、銅原盤上に非金属
薄膜を形成し、その上に第１の金属薄膜を形成し、第２
の金属を鍍金する。その後、非金属薄膜と第１金属薄膜
との間で剥離するか、または、銅原盤と非金属薄膜との
間で剥離してから非金属薄膜を除く様になすことであ
る。
薄膜を形成し、その上に第１の金属薄膜を形成し、第２
の金属を鍍金する。その後、非金属薄膜と第１金属薄膜
との間で剥離するか、または、銅原盤と非金属薄膜との
間で剥離してから非金属薄膜を除く様になすことであ
る。
作 用 非金属と金属は馴染みにくいので、非金属と金属間で
は剥離し易く、銅原盤から銅より硬い金属のスタンパを
形成した後、容易に剥離できる。
は剥離し易く、銅原盤から銅より硬い金属のスタンパを
形成した後、容易に剥離できる。
実施例 第１図に、本発明の実施例を示す。11は銅の原盤であ
り、その上に非金属薄膜12をスパッタリングなどの方法
で形成する。この非金属物質としてSiO2などの誘電体を
用いる。その非金属薄膜12の上に第１の金属13をスパッ
タリングなどの方法で形成する。その金属薄膜13を電極
にして第２の金属14を鍍金する。
り、その上に非金属薄膜12をスパッタリングなどの方法
で形成する。この非金属物質としてSiO2などの誘電体を
用いる。その非金属薄膜12の上に第１の金属13をスパッ
タリングなどの方法で形成する。その金属薄膜13を電極
にして第２の金属14を鍍金する。
一般にスタンパ金属にはニッケルが用いられる。従っ
て、金属薄膜13も鍍金金属14もニッケルを用いればよ
い。しかし、金属の種類はこの限りではなく、銅より硬
い金属であればスタンパとしての役目は果たす。
て、金属薄膜13も鍍金金属14もニッケルを用いればよ
い。しかし、金属の種類はこの限りではなく、銅より硬
い金属であればスタンパとしての役目は果たす。
銅原盤11と非金属薄膜12との間、または、非金属薄膜
12と金属薄膜13との間で剥離してスタンパは作られる。
非金属薄膜12と金属薄膜13との間で剥離する場合はその
ままでスタンパとして利用できる。
12と金属薄膜13との間で剥離してスタンパは作られる。
非金属薄膜12と金属薄膜13との間で剥離する場合はその
ままでスタンパとして利用できる。
銅原盤11と非金属薄膜12との間で剥離した場合はスタ
ンパ側に非金属物質が付着したままであるので、その非
金属物質を除去する必要がある。非金属薄膜がSiO2の場
合は、除去方法として、CF4ガスを用いた反応性スパッ
タリング方法がよい。
ンパ側に非金属物質が付着したままであるので、その非
金属物質を除去する必要がある。非金属薄膜がSiO2の場
合は、除去方法として、CF4ガスを用いた反応性スパッ
タリング方法がよい。
発明の効果 以上の様にして、Ｖ溝原盤の形状を維持して、かつ、
銅より硬い金属でできたスタンパを作業性よく作製で
き、大量のレプリカをインジェクシン法で作成できる。
銅より硬い金属でできたスタンパを作業性よく作製で
き、大量のレプリカをインジェクシン法で作成できる。
第１図は本発明のスタンパ作製方法を説明する図であ
り、第２図はＶ溝ディスクの断面斜視図であり、第３図
はＶ溝ディスク原盤の作製プロセスの説明図である。 11……銅版、12……非金属薄膜、13……第１の金属、14
……第２の金属。
り、第２図はＶ溝ディスクの断面斜視図であり、第３図
はＶ溝ディスク原盤の作製プロセスの説明図である。 11……銅版、12……非金属薄膜、13……第１の金属、14
……第２の金属。
Claims (4)
- 【請求項１】光ディスク原盤から光ディスクのスタンパ
を作製する方法において、前記原盤上に非金属薄膜を形
成する工程と、その非金属薄膜上に第１の金属薄膜を形
成する工程と、第１金属薄膜上に第２の金属を鍍金する
工程と、原盤と非金属薄膜との間、または、非金属薄膜
と第１金属との間で剥離する工程より成る事を特徴とす
る光ディスクのスタンパ作製方法。 - 【請求項２】非金属物質が誘電体である事を特徴とする
請求項１記載の光ディスクのスタンパ作製方法。 - 【請求項３】非金属物質がSiO2である事を特徴とする請
求項１記載の光ディスクのスタンパ作製方法。 - 【請求項４】原盤と非金属薄膜との間で剥離した後、前
記非金属薄膜を除去する事を特徴とする請求項１記載の
光ディスクのスタンパ作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148240A JP2523947B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 光ディスクのスタンパ作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148240A JP2523947B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 光ディスクのスタンパ作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0440642A JPH0440642A (ja) | 1992-02-12 |
| JP2523947B2 true JP2523947B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15448380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2148240A Expired - Lifetime JP2523947B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 光ディスクのスタンパ作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523947B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW525159B (en) * | 1998-05-14 | 2003-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation method for metallic stamper and metallic stamper and, manufacture method for optical disk substrate with the use of the stamper and optical disk fabricated by the manufacture method |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2148240A patent/JP2523947B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440642A (ja) | 1992-02-12 |
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