JPH0440642A - 光ディスクのスタンパ作製方法 - Google Patents
光ディスクのスタンパ作製方法Info
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- JPH0440642A JPH0440642A JP14824090A JP14824090A JPH0440642A JP H0440642 A JPH0440642 A JP H0440642A JP 14824090 A JP14824090 A JP 14824090A JP 14824090 A JP14824090 A JP 14824090A JP H0440642 A JPH0440642 A JP H0440642A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスク原盤からスタンノくを作製する方法
に関すム 従メ盲術 CDやレーザーディスクなどの光ディスクが普及シてい
る。ハイビジョンやマルチメディアへの対応で、光ディ
スクのより高密度・高転送レート化が望まれ その有望
な技術としてV漬方式が特開昭57−105828号公
報に またその原盤の作製方法が特開昭63−2175
45号公報において提案されている。
に関すム 従メ盲術 CDやレーザーディスクなどの光ディスクが普及シてい
る。ハイビジョンやマルチメディアへの対応で、光ディ
スクのより高密度・高転送レート化が望まれ その有望
な技術としてV漬方式が特開昭57−105828号公
報に またその原盤の作製方法が特開昭63−2175
45号公報において提案されている。
第2図にその■溝ディスクのレプリカ断面の斜視部を示
す。この図で1は透明基板、2はV溝斜献 3は信号ピ
ットである。
す。この図で1は透明基板、2はV溝斜献 3は信号ピ
ットである。
第3図を用いてこのディスク原盤の製造法を説明すも
銅盤4をダイヤモンドバイト5で力・ソテイングしてV
溝を形成する(第3図(a))。このV溝形成は次の様
に行なわれる。ますミ 銅盤を鏡面に切削しておき、そ
の銅盤に尖端が165度のダイアモンドバイトを2〜3
μm切り込んで、銅盤を回転させながらダイアモンドバ
イトを1回転する間に1.6μmずつ銅盤の半径方向に
移動させもこうして、ピッチが1.6μmで斜面の成す
角度が165度のV溝が形成される。
溝を形成する(第3図(a))。このV溝形成は次の様
に行なわれる。ますミ 銅盤を鏡面に切削しておき、そ
の銅盤に尖端が165度のダイアモンドバイトを2〜3
μm切り込んで、銅盤を回転させながらダイアモンドバ
イトを1回転する間に1.6μmずつ銅盤の半径方向に
移動させもこうして、ピッチが1.6μmで斜面の成す
角度が165度のV溝が形成される。
次(ミ このV溝上にフォトレジスト6を塗布する(第
3図(b))。例えζ瓜 AZ 1350のフォトレジ
ストを20%に希釈して400 r pmでスピンコー
ドすも フォトレジストの塗布表面はV溝形状には沿わ
ず、その自由表面はほぼ平坦にな4Arレーザー7の絞
られたスポット部をV溝の斜面上にトラッキングして、
そのレーザーを強度変調してフォトレジストに信号を記
録する(第3図(C))。これを現像してレーザー記録
部のフォトレジストを除去し第3図(d)のものを得も 改版 第3図(e)のようにイオンビーム8を照射して
エツチングする事で、■溝表面に平行な底面を持つ信号
ピットが形成される。■溝表面上に残留したフォトレジ
ストは酸素アーツシングなどの方法で除けば 第3図(
f)のような原盤9か発明が解決しようとする待豐4 この原盤から紫外線硬化樹脂を用いてレプリカを複製す
る事もできる力\ 大量のレプリカを複製するにはイン
ジェクション法の方が望ましい。
3図(b))。例えζ瓜 AZ 1350のフォトレジ
ストを20%に希釈して400 r pmでスピンコー
ドすも フォトレジストの塗布表面はV溝形状には沿わ
ず、その自由表面はほぼ平坦にな4Arレーザー7の絞
られたスポット部をV溝の斜面上にトラッキングして、
そのレーザーを強度変調してフォトレジストに信号を記
録する(第3図(C))。これを現像してレーザー記録
部のフォトレジストを除去し第3図(d)のものを得も 改版 第3図(e)のようにイオンビーム8を照射して
エツチングする事で、■溝表面に平行な底面を持つ信号
ピットが形成される。■溝表面上に残留したフォトレジ
ストは酸素アーツシングなどの方法で除けば 第3図(
f)のような原盤9か発明が解決しようとする待豐4 この原盤から紫外線硬化樹脂を用いてレプリカを複製す
る事もできる力\ 大量のレプリカを複製するにはイン
ジェクション法の方が望ましい。
第3図(f)の原盤9の表面は銅であり、柔らかく、大
きな圧力を用いるインジェクション法には適さな(見
従って、原盤からより硬い金属のスタンパを作製する必
要がある。一般に 原盤上にニッケルなどの金属をスパ
ッタリングしてから同じ金属を鍍金し 剥離する事でス
タンパは作製されも しかし 銅とニッケルは馴染みやすく剥離性が劣るたム
この剥離作業は慎重に行なう必要があり作業性に問題
があった 更に1表 この剥離作業において、ニッケル
膜が損傷する事などがあり九課題を解決するための手段 上記課題を解決するための手段は 銅原盤上に非金属薄
膜を形成し その上に第1の金属薄膜を形成し 第2の
金属を鍍金す4 その後、非金属薄膜と第1金属薄膜と
の間で剥離する力\ また(表銅原盤と非金属薄膜との
間で剥離してから非金属薄膜を除く様になすことである
。
きな圧力を用いるインジェクション法には適さな(見
従って、原盤からより硬い金属のスタンパを作製する必
要がある。一般に 原盤上にニッケルなどの金属をスパ
ッタリングしてから同じ金属を鍍金し 剥離する事でス
タンパは作製されも しかし 銅とニッケルは馴染みやすく剥離性が劣るたム
この剥離作業は慎重に行なう必要があり作業性に問題
があった 更に1表 この剥離作業において、ニッケル
膜が損傷する事などがあり九課題を解決するための手段 上記課題を解決するための手段は 銅原盤上に非金属薄
膜を形成し その上に第1の金属薄膜を形成し 第2の
金属を鍍金す4 その後、非金属薄膜と第1金属薄膜と
の間で剥離する力\ また(表銅原盤と非金属薄膜との
間で剥離してから非金属薄膜を除く様になすことである
。
作用
非金属と金属は馴染みにくいので、非金属と金属間では
剥離し易く、銅原盤から銅より硬い金属のスタンパを形
成した後、容易に剥離できる。
剥離し易く、銅原盤から銅より硬い金属のスタンパを形
成した後、容易に剥離できる。
実施例
第1図へ 本発明の実施例を示す。11は銅の原盤であ
り、その上に非金属薄膜12をスパッタリングなどの方
法で形成する。この非金属物質として5i02などの誘
電体を用いも その非金属薄膜12の上に第1の金属1
3をスパッタリングなどの方法で形成すも その金属薄
膜13を電極にして第2の金属14を鍍金する。
り、その上に非金属薄膜12をスパッタリングなどの方
法で形成する。この非金属物質として5i02などの誘
電体を用いも その非金属薄膜12の上に第1の金属1
3をスパッタリングなどの方法で形成すも その金属薄
膜13を電極にして第2の金属14を鍍金する。
一般にスタンパ金属にはニッケルが用いられも従って、
金属薄膜13も鍍金金属14もニッケルを用いればよ賎
しかし 金属の種類はこの限りではなく、銅より硬い
金属であればスタンパとしての役目は果たす。
金属薄膜13も鍍金金属14もニッケルを用いればよ賎
しかし 金属の種類はこの限りではなく、銅より硬い
金属であればスタンパとしての役目は果たす。
銅原盤11と非金属薄膜12との肌 また(よ非金属薄
膜12と金属薄膜13との間で剥離してスタンパは作ら
れる。非金属薄膜12と金属薄膜13との間で剥離する
場合はそのままでスタンパとして利用できる。
膜12と金属薄膜13との間で剥離してスタンパは作ら
れる。非金属薄膜12と金属薄膜13との間で剥離する
場合はそのままでスタンパとして利用できる。
銅原盤11と非金属薄膜12との間で剥離した場合はス
タンパ側に非金属物質か付着したままであるので、その
非金属物質を除去する必要かある。
タンパ側に非金属物質か付着したままであるので、その
非金属物質を除去する必要かある。
非金属薄膜が8102の場合(よ 除去方法として、C
FJガスを用いた反応性スパッタリング方法がよ(X。
FJガスを用いた反応性スパッタリング方法がよ(X。
発明の効果
以上の様にして、■溝原盤の形状を維持して、か2 銅
より硬い金属でできたスタンパを作業性よく作製でき、
大量のレプリカをインジェクシン法で作成できも
より硬い金属でできたスタンパを作業性よく作製でき、
大量のレプリカをインジェクシン法で作成できも
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のスタンパ作製方法を説明する図であり
、第2図はV溝ディスクの断面斜視図であり、第3図は
V溝ディスク原盤の作製プロセスの説明図であ4 11・・・銅版、 12・・・非金属薄IJ 13・
・・第1の金入 14・・・第2の今風 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名一
、第2図はV溝ディスクの断面斜視図であり、第3図は
V溝ディスク原盤の作製プロセスの説明図であ4 11・・・銅版、 12・・・非金属薄IJ 13・
・・第1の金入 14・・・第2の今風 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名一
Claims (4)
- (1)光ディスク原盤から光ディスクのスタンパを作製
する方法において、前記原盤上に非金属薄膜を形成する
工程と、その非金属薄膜上に第1の金属薄膜を形成する
工程と、第1金属薄膜上に第2の金属を鍍金する工程と
、原盤と非金属薄膜との間、または、非金属薄膜と第1
金属との間で剥離する工程より成る事を特徴とする光デ
ィスクのスタンパ作製方法 - (2)非金属物質が誘電体である事を特徴とする請求項
1記載の光ディスクのスタンパ作製方法 - (3)非金属物質がSiO_2である事を特徴とする請
求項1記載の光ディスクのスタンパ作製方法 - (4)原盤と非金属薄膜との間で剥離した後、前記非金
属薄膜を除去する事を特徴とする請求項1記載の光ディ
スクのスタンパ作製方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2148240A JP2523947B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 光ディスクのスタンパ作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2148240A JP2523947B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 光ディスクのスタンパ作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0440642A true JPH0440642A (ja) | 1992-02-12 |
JP2523947B2 JP2523947B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15448380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2148240A Expired - Lifetime JP2523947B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | 光ディスクのスタンパ作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2523947B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6352656B1 (en) * | 1998-05-14 | 2002-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for metallic stamper and metallic stamper and, manufacturing method for optical disk substrate with the use of the stamper and optical disk fabricated by the manufacturing method |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2148240A patent/JP2523947B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6352656B1 (en) * | 1998-05-14 | 2002-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for metallic stamper and metallic stamper and, manufacturing method for optical disk substrate with the use of the stamper and optical disk fabricated by the manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2523947B2 (ja) | 1996-08-14 |
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