TWI491997B - 相對於繞射光學移動光束以降低干擾圖案 - Google Patents

相對於繞射光學移動光束以降低干擾圖案 Download PDF

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Description

相對於繞射光學移動光束以降低干擾圖案
本發明關於輻射系統。
微影裝置係一種將一所需圖案施加至一基板或一基板之部分上的機器。舉例來說，一微影裝置可用來製造平板顯示器、積體電路(IC)以及含精細結構的其它器件。於一習知的裝置中，可使用一圖案化器件(其可稱為一遮罩或一標線片)來產生一對應於一平板顯示器(或是其它器件)之個別層的電路圖案。藉由成像於該基板上所設置的一輻射敏感材料(例如，光阻)層之上，便可將此圖案轉印於該基板(例如，一玻璃板)的全部或部份之上。
除了電路圖案之外，該圖案化器件亦可用來產生其它圖案，例如一彩色濾光片圖案或一點矩陣。除了遮罩之外，該圖案化器件亦可包含一圖案化陣列，其包含一可個別控制元件的陣列。相較於以遮罩為主之系統，此系統中之圖案的變更速度更快且成本較低。
一平板顯示器基板的形狀通常係矩形。經設計而用於對此類型曝光的微影裝置能夠提供一涵蓋該矩形基板完整寬度或涵蓋該寬度之一部分(例如，該寬度的一半)的曝光區域。可於該曝光區域的下方掃描該基板，同時透過一光束來同步掃描該遮罩或該標線片。依此方式，便可將該圖案轉印至該基板。若該曝光區域涵蓋該基板之完整寬度，則便可利用單次掃描來完成曝光。若該曝光區域涵蓋(例如)該基板之寬度的一半，則在該第一次掃描之後便可橫向移動該基板，且通常會執行一進一步掃描，以便曝光該基板的其餘部分。
一般而言，微影系統會用雷射作為輻射源來產生一照明光束，例如一相干照明光束或一部分相干照明光束。該相干照明光束在通過該微影系統期間可由該微影系統中的組件反射，進而可形成散射光。該散射光可干擾該相干照明光束，而使一影像中產生(例如)斑紋圖案。一般在遠場(例如，光瞳平面)中觀察到干擾圖案。該等斑紋圖案係不合需要的，因為它們可在一基板上所形成之圖案中導致誤差。藉由經受微小時間與空間波動之部分相干光束的相互干擾可產生該等斑紋圖案。該等斑紋圖案有時候稱為該相干照明光束的雜訊狀特徵。在因為製成該相干光束之多重複本而運用一提升角分佈之元件時亦可產生斑紋圖案。在相較於該等相干光束之一相干長度(例如，橫向與時間)該等相干光束間(例如，產生該等光束與偵測該等光束間)之光學路徑差異相當小時，該相干光束之多重複本可彼此干擾。
傳統上，透過運用位於該雷射之後的一繞射或折射光學元件補償該干擾或該斑紋圖案，其係用以由該相干光束形成一不相干光束。此等元件有時候稱為"相干擾動元件"。如同上所討論，該不相干光束包含該相干光束的多重複本。
透過相對於該相干照明光束移動該光學元件可進一步增強該相干光束之不相干。移動該光學元件會改變該相干光束之每一複本的相位分佈，其會改變該相干光束之每一複本的繞射圖案。透過整合(例如，加總)所有的繞射圖案，產生均勻的光。然而，需要該光學元件顯著移動以實質上消除該干擾或該斑紋圖案。同時，通常必須在一短暫時間週期(例如，一曝光時間)內完成該顯著移動。於一其中使用來自一1000 Hz雷射之30脈衝的範例中，該曝光時間可能約30 μs。此短暫時間週期中之顯著移動可在該微影系統內產生大振盪，包括高的加速度與急衝量。該等高的加速度與急衝量可使該微影系統中產生問題。同時，由於整合時間通常有限(例如，每一脈衝約50 ns)，故而相對於該光束欲充分移動該光學元件以實質上消除該干擾或該斑紋圖案便近乎不可能。
補償該干擾或該斑紋圖案之另一方式係在每一曝光循環期間運用大量的雷射脈衝(例如，60雷射脈衝)。可由每一雷射脈衝產生一不同的斑紋圖案。因此，透過運用大量的雷射脈衝，可隨時間而將該等斑紋圖案予以平均。然而，近來的微影系統已降低雷射脈衝的數量及/或縮短每一曝光循環期間之每一雷射脈衝的持續時間。不幸地，減少每一曝光循環之雷射脈衝數量可能會使該平均效果無法發生。另外，欲使一光學元件在一縮短的雷射脈衝持續時間期間移動一可接受之量以便能夠補償該等斑紋圖案可能相當困難。
因此，所需要的便是一種在每一曝光循環期間運用縮短持續時間之較少雷射脈衝及/或雷射脈衝時實質上會消除干擾或斑紋圖案，而不會影響該微影系統的系統及方法。
於本發明之一項具體實施例中，提供一種系統，其包含一輻射源、一角分佈改變元件、與一旋轉光學元件。該輻射源會產生至少一部分相干光束。該旋轉光學元件係配置成(a)接收來自該輻射源的部分相干光束與(b)引導所接收之部分相干光束進而由該角分佈改變元件反射形成一不相干光束。藉由該旋轉光學元件以不同角度或位置將該部分相干光束基於該旋轉光學元件之一旋轉速度引導至該角分佈改變元件上，該等角度隨時間函數而變化。
額外地(或替代地)，該系統可為一雷射。額外地(或替代地)，該系統可為一照明器。
額外地(或替代地)，該系統可位於一微影系統內，該微影系統包括一圖案化器件與一投影系統。於此範例中，一照明光束係由該不相干光束形成。該照明光束係經引導而由該圖案化器件加以圖案化，且該投影系統會將該圖案化光束投影至一基板上。
在另一具體實施例中，提供一種器件製造方法。一旋轉光學元件會引導至少一部分相干光束以由一角分佈改變元件反射而形成一不相干光束。一照明光束係由該不相干光束形成。該照明光束係經圖案化。該圖案化光束係投影至一基板之目標部分上。
以下參考附圖詳細說明本發明之進一步具體實施例、特徵與優點，以及本發明之各具體實施例的結構與操作。
於一或多項具體實施例中，一系統與方法係用以由一相干光束形成不相干光束，因而實質上消除斑紋圖案。一旋轉光學元件會引導該相干光束以由一角分佈改變元件反射而形成一不相干光束。透過旋轉該旋轉光學元件可以不同角度將該相干光束引導至該角分佈改變元件上。該等角度之變化可與時間成函數關係。
整份說明書中，相干雷射光束之處理同樣可用於諸如含有多重模式(例如，橫向與時間)之光束的部分相干光束之處理。因此，考量本發明之各具體實施例的範疇涵蓋各種光束類型。
於討論特定組態與配置時，應該瞭解的係，其僅供作解釋之用。熟悉本技術人士將會瞭解，亦可使用其它組態與配置，而不致脫離本發明的精神與範疇。熟悉有關技術人士將會明白，本發明亦可運用於各種其它應用中。
圖1示意性描述本發明之一項具體實施例的微影裝置。該裝置包含一照明系統IL、一圖案化器件PD、一基板工作台WT、與一投影系統PS。該照明系統(照明器)IL係配置成調節一輻射光束B(例如，UV輻射)。
該圖案化器件PD(例如，一標線片或遮罩，或是一可個別控制元件之陣列)會調變該光束。一般而言，該可個別控制元件之陣列相對於該投影系統PS的位置將係固定的。然而，除此之外，其亦可連接至一定位器，該定位器配置成根據特定參數來精確地定位該可個別控制元件之陣列。
該基板工作台WT係建構成用於支撐一基板(例如，一塗布著光阻的基板)W，並連接至一定位器PW，該定位器配置成根據特定參數來精確地定位該基板。
該投影系統(例如，一折射式投影透鏡系統)PS配置成將可個別控制元件之陣列所調變之輻射光束投影至該基板W的一目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
該照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射的各種光學組件類型，例如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他光學組件類型或其之任何組合。
本文中所使用的術語"圖案化器件"或"對比器件"應廣泛地解釋成表示可用以調變一輻射光束之斷面，例如以於該基板之一目標部分中產生一圖案的任何器件。該等器件可能係靜態的圖案化器件(如遮罩或標線片)或是動態的(如可程式化元件陣列)圖案化器件。為簡化起見，大部分說明將以動態的圖案化器件為主，然而仍應明白的係，亦可使用靜態的圖案化器件，且不致脫離本發明的範疇。
應注意，對該輻射光束所賦予之圖案可能不會確實對應於該基板之目標部分中的所需圖案，例如，若該圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵。同樣地，最後在該基板上產生的圖案可能會無法與於可個別控制元件之陣列上任何瞬間所形成的圖案相對應。以下配置就可能係此情形：該基板中每一個部份上所形成的最後圖案均係在經過給定的時間週期或給定次數的曝光後所建立的，該可個別控制元件之陣列上的圖案及/或該基板之相對位置會在此期間發生變化。
一般而言，於該基板中之目標部份上所產生的圖案將會對應至一產生於該目標部份中之器件(如一積體電路或是一平板顯示器(例如，一平板顯示器中的彩色濾光層或是一平板顯示器中的薄膜電晶體層))中的一特殊功能層。此等圖案化器件的範例包含(例如)標線片、可程式化鏡陣列、雷射二極體陣列、發光二極體陣列、光柵光閥、與LCD陣列。
其圖案可借助於電子構件(例如，電腦)來進行程式化的圖案化器件(如包含複數個可程式化元件的圖案化器件(例如，前面所提出之所有器件中除了標線片以外的器件))於本文中統稱為"對比器件"。於一範例中，該圖案化器件包含至少10個可程式化元件，例如，至少100個、至少1,000個、至少10,000個、至少100,000個、至少1,000,000個或是至少10,000,000個可程式化元件。
一可程式化鏡陣列可包含一具有一伸縮控制層的可矩陣定址表面以及一反射表面。例如，此種裝置的基本原理為，該反射表面經定址之區會將入射光反射為繞射光，而未經定址之區則會將入射光反射為非繞射光。使用一正確的空間濾波器，便可從該反射光束中濾除該非繞射光，而僅留下繞射光抵達該基板。依此方式，便會根據該可矩陣定址表面的定址圖案而圖案化該光束。
應該明白的係，就一替代例來說，該濾光片亦可濾掉該繞射光，而僅留下非繞射光抵達該基板。
亦可以對應的方式使用一繞射光學MEMS器件(微電機系統器件)之陣列。於一範例中，一繞射光學MEMS器件包含複數條反射帶，該等反射帶可相對於彼此產生畸變，以便形成一可將入射光反射為繞射光的光柵。
可程式化鏡陣列的進一步替代性範例會運用一小面鏡之矩陣配置，藉由施加一適當的局部電場或運用壓電啟動構件，便可讓各個面鏡個別地相對於一軸線產生傾斜。同樣地，該等面鏡為可矩陣定址式，因此該等經定址之面鏡會以不同方向將進入的輻射光束反射至未經定址之面鏡；依此方式，該反射光束便可根據該等可矩陣定址面鏡的定址圖案來進行圖案化。可使用適當的電子構件來執行所需的矩陣定址。
另一PD範例係一可程式化LCD陣列。
該微影裝置可包含一或多個對比器件。例如，其可具有複數個可個別控制元件之陣列，每一陣列均彼此獨立受控。於此一配置中，該等可個別控制元件之陣列中的部分或全部可具有下面至少其中一者：一共同照明系統(或是一照明系統之部分)、一供該等可個別控制元件之陣列共用的支撐結構、及/或一共同投影系統(或該投影系統之部分)。
於一範例中，如圖1中所描述之具體實施例，該基板W的形狀實質上係圓形，視情況，可能會於其周邊之部分中具有一凹口及/或一平坦邊緣。於一範例中，該基板的形狀係一多邊形，例如，矩形。
於該基板的形狀實質上係圓形的範例中，其包含直徑至少25 mm的基板，舉例來說，至少50 mm、至少75 mm、至少100 mm、至少125 mm、至少150 mm、至少175 mm、至少200 mm、至少250 mm或至少300 mm之範例。於一項具體實施例中，該基板的直徑最大為500 mm、最大為400 mm、最大為350 mm、最大為300 mm、最大為250 mm、最大為200 mm、最大為150 mm、最大為100 mm或是最大為75 mm。
於該基板係多邊形(例如，矩形)的範例中，其包含該基板中至少一邊(例如，至少兩邊或是至少三邊)的長度至少為5 cm，例如，至少為25 cm、至少為50 cm、至少為100 cm、至少為150 cm、至少為200 cm或是至少為250 cm之範例。
於一範例中，該基板中至少一邊的長度最大為1000 cm，例如，最大為750 cm、最大為500 cm、最大為350 cm、最大為250 cm、最大為150 cm或是最大為75 cm。
於一範例中，該基板W係一晶圓，舉例來說，其係一半導體晶圓。於一範例中，該晶圓材料係選自由下面組成的群之中：Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP與InAs。該晶圓可為：一III/V化合物半導體晶圓、一矽晶圓、一陶瓷基板、一玻璃基板或一塑膠基板。該基板係透明的(以裸眼而言)、彩色的或無色的。
該基板的厚度可以改變，且於某種程度上可隨著(例如)該基板材料及/或該等基板尺寸而改變。於一範例中，該厚度至少為50 μm，例如，至少為100 μm、至少為200 μm、至少為300 μm、至少為400 μm、至少為500 μm或是至少為600 μm。該基板的厚度最大為5000 μm，例如，最大為3500 μm、最大為2500 μm、最大為1750 μm、最大為1250 μm、最大為1000 μm、最大為800 μm、最大為600 μm、最大為500 μm、最大為400 μm或是最大為300 μm。
本文中所指的基板可在曝光之前或之後，在例如一追蹤工具(通常可將一光阻層施加至基板並顯影已曝光光阻之工具)、度量工具及/或檢驗工具中進行處理。於一範例中，一光阻層係設置在該基板上。
本文使用的術語"投影系統"應廣義地解釋為包含任何投影系統類型，其包括折射、反射、折反射、磁性、電磁與靜電光學系統，或其任何組合，其適合於所使用的曝光輻射，或例如使用浸沒液體或使用真空等其他因素。本文所使用的術語"投影透鏡"可視為與更一般的術語"投影系統"同義。
該投影系統可將該圖案成像於該可個別控制元件之陣列上，使得該圖案會一致地形成在該基板上。或者，該投影系統亦可成像輔助源，其中該可個別控制元件之陣列的元件係充當快門。於此項觀點中，該投影系統可包含一聚焦元件之陣列，如微透鏡陣列(已知為一MLA)或是菲涅耳透鏡陣列，(例如)用以形成該等輔助源並將光點成像於該基板上。於一範例中，該聚焦元件之陣列(例如，MLA)包含至少10個聚焦元件，例如，至少100個聚焦元件、至少1,000個聚焦元件、至少10,000個聚焦元件、至少100,000個聚焦元件或是至少1,000,000個聚焦元件。於一範例中，該圖案化器件中之可個別控制元件的數量等於或大於該聚焦元件之陣列中之聚焦元件的數量。於一範例中，該聚焦元件之陣列中之一或多個(例如，1,000個或更多個、大多數或是約每一個)該等聚焦元件均可能與該可個別控制元件之陣列中之該等可個別控制元件中之一或多個產生光學關聯，例如，該可個別控制元件之陣列中之2或多個該等可個別控制元件，如3或更多個、5或更多個、10或更多個、20或更多個、25或更多個、35或更多個或是50或更多個。於一範例中，該MLA係可於至少一方向中朝該基板或是遠離該基板移動(例如，可使用一或多個致動器)。因為該MLA能夠朝該基板或是遠離該基板移動，所以(例如)進行聚焦調整時便無須移動該基板。
如同本文中圖1與2中所描述，該裝置屬於反射類型(例如，運用一可個別控制元件之反射陣列)。或者，該裝置亦可屬於透射類型(例如，其會運用一可個別控制元件之透射陣列)。
該微影裝置可屬於具有兩個(雙級)或更多基板工作台的類型。在此等"多級"機器中，可平行使用額外的工作台，或可在一或多個工作台上實施預備步驟，而將一或多個其他工作台用於曝光。
該微影裝置亦可為一其中將該基板至少一部分由具有較高折射率之"浸沒液體"(例如，水)覆蓋的類型，遂得以填充該投影系統與該基板間之空間。亦可將浸沒液體施加於該微影裝置之其他空間中，(例如)該圖案化器件與該投影系統間。浸沒技術在本技術中已為人熟知，用來增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語"浸沒"並非意指一結構(例如，一基板)必須浸入液體中，而僅意指該液體在曝光期間係位於該投影系統與該基板之間。
再次參考圖1，該照明器IL會接收一來自輻射源SO的輻射光束。於一範例中，該輻射源具有一種波長至少為5 nm的輻射，例如，至少為10 nm、至少為11至13 nm、至少為50 nm、至少為100 nm、至少為150 nm、至少為175 nm、至少為200 nm、至少為250 nm、至少為275 nm、至少為300 nm、至少為325 nm、至少為350 nm或至少為360 nm。於一範例中，輻射源SO所提供之輻射的波長最大為450 nm，例如，最大為425 nm、最大為375 nm、最大為360 nm、最大為325 nm、最大為275 nm、最大為250 nm、最大為225 nm、最大為200 nm或最大為175 nm。於一範例中，該輻射的波長包括436 nm、405 nm、365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm、及/或126 nm。於一範例中，該輻射包括約365 nm或約355 nm的波長。於一範例中，該輻射包括一廣泛的波長帶，例如，其涵蓋365 nm、405 nm、與436 nm。可使用一355 nm的雷射源。該來源及該微影裝置可為分開的個體，例如，當該來源為一準分子雷射時。在此類情況下，不認為該來源會形成該微影裝置之部分，且輻射光束係借助包含(例如)合適引導面鏡及/或光束擴張器之一光束輸送系統BD從該來源SO傳遞至該照明器IL。在其他情況下，該來源可為該微影裝置的整體部分，例如當該來源為一水銀燈時。該來源SO與該照明器IL(若需要連同該光束輸送系統BD)，可稱為一輻射系統。
該照明器IL可包含一用以調整該輻射光束之角強度分佈的調整器AD。一般而言，可以調整照明器之光瞳平面中的強度分佈之至少外側及/或內側徑向範圍(一般分別稱為σ－外側及σ－內側)。此外，該照明器IL可包含各種其他組件，例如一整合器IN及一聚光器CO。該照明器可用以調節該輻射光束，以在其斷面中具有所需之均勻度及強度分佈。該照明器IL或與其相關的額外組件還可經配置以將該輻射光束分割成複數道子光束，例如，每一道子光束可和該可個別控制元件之陣列的該等可個別控制元件中其中一者或複數者相關聯。例如，可使用一二維繞射光柵來將該輻射光束分割成複數道子光束。於本說明中，術語"輻射的光束"以及"輻射光束"涵蓋，然不限於該光束係由複數道此等輻射子光束所組成的光束之情形。
該輻射光束B會入射於該圖案化器件PD(例如，一可個別控制元件之陣列)上並由該圖案化器件進行調變。在經圖案化器件PD反射後，該輻射光束B會穿過投影系統PS，該投影系統PS會將該光束聚焦在基板W之目標部份C上。借助於定位器PW及位置感測器IF2(例如，一干擾器件、線性編碼器、電容式感測器、其類似物)，該基板工作台WT便能準確地移動，(例如)以致在輻射光束B之路徑中定位不同目標部份C。同樣地，用於該可個別控制元件之陣列的定位構件亦可用以(例如)在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地修正該圖案化器件PD的位置。
於一範例中，該基板工作台WT的移動係借助於長衝程模組(粗略定位)以及短衝程模組(細微定位)來達成，圖1中並未清楚圖解。於另一範例中，一短衝程級可能不會出現。亦可利用一雷同的系統來定位該可個別控制元件之陣列。吾人將會發現，替代地/額外地，該光束B係可移動的，而該物件工作台及/或該可個別控制元件之陣列則可具有固定位置以提供所需的相對移動。此種配置有助於限制該裝置的大小。以(例如)可應用於平板顯示器製造中的另一替代例來說，該基板工作台WT及該投影系統PS的位置可為固定的，而該基板W則可經配置以相對於該基板工作台WT而移動。例如，該基板工作台WT可具有一用於以一實質恆定速率橫跨該基板W進行掃描的系統。
如圖1所顯示，輻射光束B可藉由一分光器BS而導向該圖案化器件PD，該分光器BS配置以使該輻射初始係由該分光器反射並導向該圖案化器件PD。應理解的係，亦可將該輻射光束B導向該圖案化器件而不需要使用一分光器。於一範例中，以0與90°間之角度(例如，介於5與85°之間、介於15與75°之間、介於25與65°之間或是介於35與55°之間(圖1中所示之具體實施例中的角度為90°))將該輻射光束導向該圖案化器件。該圖案化器件PD會調變該輻射光束B並且將其反射回到該分光器BS，該分光器BS則會將該經調變光束透射至該投影系統PS。然而，應瞭解，可使用替代配置來將該輻射光束B導向至該圖案化器件PD且接著導向至該投影系統PS。明確地說，倘若使用一透射式圖案化器件，則便可能不需要用到如圖1中所顯示之配置。
所描述裝置可在數種模式中使用：1.在步進模式中，該可個別控制元件之陣列與該基板基本上係保持靜止，同時賦予該輻射光束的整個圖案係一次性地投影至一目標部分C上(即，單一靜態曝光)。隨後，讓該基板平台WT在X及/或Y方向上偏移，以便能曝光不同的目標部分C。在步進模式中，該曝光場之最大大小會限制單一靜態曝光中成像的目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，同步掃描該可個別控制元件之陣列與該基板，同時賦予該輻射光束之圖案係投影至一目標部分C上(即，單一動態曝光)。基板相對於該可個別控制元件之陣列的速速及方向可藉由該投影系統PS之(縮小)放大倍數及影像反轉特性來決定。在掃描模式中，該曝光場之最大大小會限制單一動態曝光中該目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描動作之長度則會決定該目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在脈衝模式中，該可個別控制元件之陣列基本上係維持靜止，並且可利用一脈衝式輻射源將整個圖案投影於該基板W的一目標部份C之上。該基板工作台WT係以一基本上恆定的速度來移動，使得該投影光束B會橫跨該基板W來掃描一線。在該可個別控制元件之陣列上的該圖案會依照需求在輻射系統的脈衝及已定時的脈衝之間進行更新，使得連續目標部份C在基板W上的所需位置曝光。結果，可橫跨基板W掃描該光束B以曝光用於基板條的完整圖案。該過程可重複進行，直到逐線曝光整塊基板W為止。
4.除以一實質上恆定之速度相對於經調變的輻射光束B來掃描該基板W，且當光束B掃描跨越基板W並對其進行曝光時會更新該可個別控制元件之陣列上的圖案之外，連續掃描模式基本上係與脈衝模式相同。可同步於該可個別控制元件之陣列上之圖案更新使用一實質上恆定之輻射源或一脈衝式輻射源。
5.於像素格柵成像模式中(其可使用圖2之微影裝置來執行)，基板W上所形成的圖案係藉由接著對由一光點產生器所形成之經導向至圖案化裝置PD上的光點進行曝光而達成的。該等經曝光之光點具有實質上相同的形狀。於基板W上，該等光點實質上係以格柵型式進行印刷。於一範例中，該光點大小係大於印刷像素格柵之一間距，但遠小於該曝光光點格柵。藉由使該等所印刷之光點的強度發生變異，一圖案遂得實現。在該等曝光閃光之間，該等光點的強度分佈係有所改變的。
亦可運用以上說明的使用模式之組合及/或變異或完全不同的使用模式。
於微影術中，會在該基板上的一光阻層上曝光一圖案。接著便會顯影該光阻。而後，便會於該基板上實施額外的處理步驟。此等接續處理步驟對該基板上每個部分所造成的效應取決於該光阻之曝光。明確地說，該等處理會經過調諧，使得該基板中接收輻射劑量高於一給定劑量臨界值之部分會和該基板中接收輻射劑量低於該劑量臨界值的部分具有不同的回應。例如，於一蝕刻程序中，該基板中接收輻射劑量高於該臨界值的區會受到一經顯影光阻層的保護，而免於蝕刻的破壞。然而，於該後曝光顯影中，則會移除該光阻中接收輻射劑量低於該臨界值的部分，所以，該等區並未受到保護而會遭蝕刻。據此，便可蝕刻一所需的圖案。明確地說，會設定該圖案化器件中的該等可個別控制元件，使得經透射至一圖案特徵內之該基板上之一區的輻射會具有非常高的強度，因此，該區會於該曝光期間收到高於該劑量臨界值的輻射劑量。藉由將該等對應之可個別控制元件設定成用以提供零或非常低的輻射強度，該基板上的其餘區便會接收低於該劑量臨界值的輻射劑量。
實際上，即使該等可個別控制元件經設定成用以於一特徵邊界的其中一側上提供最大輻射強度且於另一側上提供最小輻射強度，該圖案特徵邊緣處的輻射劑量仍然不會從一給定最大劑量處驟然變成零劑量。取而代知的係，由於繞射效應，該輻射劑量的位準會下降而橫跨一過渡帶。該經顯影光阻最後形成的圖案特徵之邊界的位置係由所接收之劑量下降至低於該輻射劑量臨界值的位置來決定。藉由將該等可個別控制元件設定成用以提供輻射給該基板上位於該圖案特徵邊界上或附近的點，便可更精確地控制該輻射劑量下降而橫跨該過渡帶的輪廓以及因此該圖案特徵邊界的精確位置。此等劑量不僅為最大或最小強度位準，還包括介於該等最大與最小強度位準之間的強度位準。此通稱為"灰階化(grayscaling)"。
相較於一微影系統中，僅能將由一給定可個別控制元件提供給該基板的輻射強度設定成兩個數值(例如，僅有最大值與最小值)，灰階化可更優越地控制該等圖案特徵邊界的位置。於一項具體實施例中，可將至少有三個不同輻射強度值投影至該基板上，例如，至少4個輻射強度值、至少8個輻射強度值、至少16個輻射強度值、至少32個輻射強度值、至少64個輻射強度值、至少128個輻射強度值或至少256個輻射強度值。
應該明白的係，灰階化還可用以達到上述以外的其它或替代目的。例如，該基板於曝光之後的處理可進行調諧，使得該基板之區域中有兩個以上的電位回應，端視所收到的輻射劑量位準而定。例如，該基板中接收低於第一臨界值之輻射劑量的部分會以第一方式回應；該基板中接收高於第一臨界值但低於第二臨界值之輻射劑量的部分會以第二方式回應；而該基板中接收高於第二臨界值之輻射劑量的部分則會以第三方式回應。據此，便可利用灰階化以橫跨該基板提供一具有兩個以上所需劑量位準的輻射劑量輪廓。於一項具體實施例中，該輻射劑量輪廓具有至少2個所需劑量位準，例如，至少3個所需輻射劑量位準、至少4個所需輻射劑量位準、至少6個所需輻射劑量位準或至少8個所需輻射劑量位準。
進一步應該明白的係，除了上述僅藉由控制該基板上每一點處所接收之輻射強度以外，亦可藉由其它方法來控制該輻射劑量輪廓。例如，替代地或額外地，藉由控制該點的曝光持續時間亦可控制該基板上每一點處所接收之輻射劑量。以一進一步範例來說，該基板上每一點還可能接收複數次連續曝光中的輻射。因此，替代地或額外地，利用一該等複數次連續曝光之選定子集來曝光該點便可控制每一點所接收的輻射劑量。
為於該基板上形成該必要的圖案，必須於該曝光程序期間的每一階段將該圖案化器件中的每一個該等可個別控制元件設定成必要狀態。因此，便必須將代表該等必要狀態的控制信號傳輸至每一該等可個別控制元件。於一範例中，該微影裝置包括一用以產生該等控制信號的控制器。欲於該基板上形成圖案可以向量定義格式(例如，GDSII)提供至該微影裝置。為將該設計資訊轉換成每一該等可個別控制元件的控制信號，該控制器包括一或多個資料操控器件，每一者均經配置以對一代表該圖案的資料流執行一處理步驟。該等資料操控器件可統稱為"資料路徑"。
該資料路徑中之該等資料操控器件可經配置以執行一或多項下面功能：將以向量為主的設計資訊轉換成位元映像資料；將位元映像資料轉換成一所需輻射劑量映射(例如，橫跨該基板的一所需輻射劑量輪廓)；將一所需輻射劑量映射轉換成用於每一可個別控制元件之所需輻射強度值；以及將該等用於每一可個別控制元件所需之輻射強度值轉換成對應的控制信號。
圖2描述根據本發明的一裝置配置，其可用於(例如)製造平板顯示器。圖中以相同參考編碼來表示對應於圖1中所顯示的組件。同時，上面各具體實施例的說明，例如，該基板、該對比器件、MLA、輻射光束等的各種組態均仍適用。
如圖2中所顯示，該投影系統PS包括一光束擴張器，其包含兩個透鏡L1、L2。該第一透鏡L1係經配置以接收該經調變之輻射光束B，並透過一孔徑將其聚焦於一孔徑止動部AS中。另一透鏡AL可設置於該孔徑中。接著，該輻射光束B便會發散並且由第二透鏡L2(例如，一場透鏡)來聚焦。
該投影系統PS進一步包含一透鏡陣列MLA，其經配置以接收已擴張之經調變輻射光束B。該經調變之輻射光束B的不同部分對應於該圖案化器件PD中的一或多個可個別控制元件，並且會通過該透鏡陣列MLA中各自的不同透鏡。每一透鏡聚焦該經調變之輻射光束B之各自部分至位於該基板W上的一點。以此方式，曝光輻射光點S的陣列至該基板W上。將瞭解的係，雖然僅顯示透鏡陣列14中的八個透鏡，但透鏡陣列仍可包含數千個透鏡(與用作圖案化器件PD的可個別控制元件的陣列相同)。
圖3示意性說明根據本發明一項具體實施例如何使用圖2之系統來產生一基板W上之一圖案。實心圓代表於投影系統PS中由透鏡陣列MLA投影至該基板W上的光點陣列S。當在該基板W上曝光一連串曝光時，該基板W會相對於該投影系統PS在Y方向上移動。空心圓代表先前已經在該基板W上曝光過的光點曝光SE。如同所顯示，於該投影系統PS內由透鏡陣列投影至該基板上的每一光點會對該基板W上其中一光點曝光列R進行曝光。將每一該等光點S所曝光之光點曝光SE的所有列R加總在一起便可產生該基板的完整圖案。如同上所討論，此一配置通稱為"像素格柵成像"。
可看出輻射光點S陣列係以一相對於該基板W(該基板平行於X及Y方向的邊緣)的角度θ來配置。此完成的方式使得當該基板係在掃描方向(Y方向)上移動時，每一輻射光點將會通過該基板的不同區，從而使整個基板能夠由輻射光點S之陣列覆蓋。於一範例中，該角度θ至多為20°、10°，(例如)至多為5°、至多為3°、至多為1°、至多為0.5°、至多為0.25°、至多為0.10°、至多為0.05°或至多為0.01°。於一範例中，該角度θ至少為0.001°。
圖4示意性顯示根據本發明一項具體實施例如何使用複數個光學引擎於單次掃描中來對整塊平板顯示器基板W進行曝光。於所顯示的範例中，八個輻射光點S陣列SA係由以"棋盤"組態配置在兩列R1、R2中的八個光學引擎(圖中未顯示)來產生，使得其中一輻射光點(例如，圖3中的光點S)陣列的邊緣會些微地重疊(於掃描方向Y上)於相鄰輻射光點陣列的邊緣。於一範例中，該等光學引擎係配置在至少3列(例如，4列或5列)之中。依此方式，便會有一輻射帶橫跨該基板W的寬度而延伸，並可於單次掃描中對整塊基板執行曝光。將明白的係，可使用任何適當數量的光學引擎。在一範例中，光學引擎的數量至少為1，例如至少2個、至少4個、至少8個、至少10個、至少12個、至少14個或至少17個。在一範例中，光學引擎的數量少於40，例如少於30個或少於20個。
每個光學引擎可包含一上述的分離照明系統IL、圖案化器件PD、與投影系統PS。然而，仍應瞭解的係，亦可二或更多個光學引擎共享該照明系統、圖案化器件、與投影系統中之一或多者的至少一部分。
示範性輻射系統
圖5顯示根據本發明之一項具體實施例的一輻射系統500。輻射系統500包括一輻射源SO、一旋轉光學元件502、與一角分佈改變元件504。於所顯示之範例中，輻射系統500之位置係與照明器IL分離。例如，在照明器IL之前，輻射系統500可用以取代輻射源SO(例如，作用為一雷射或其類似物)及/或輻射系統500可用以取代圖1與2中的輻射源SO與光束輸送系統BD二者。由於輻射源SO僅在部分具體實施例中與照明器IL分離，故而在圖5與10至12中該照明器IL係皆利用虛線來顯示成選擇性的。於其中無分離之照明器的範例中，輻射系統500可位於照明器IL內，使得輻射源SO係照明器IL之部分，如同上面關於圖1與2的討論。就此稍後的情況而言，於一範例中，離開輻射系統500之光可經導向而至一光學系統(未顯示，參見圖1與2)上，或至一圖案化器件(未顯示，參見圖1與2)上。所有配置皆考慮為屬於本發明之範疇內。
替代地(或額外地)，輻射系統500可用於一微影裝置的其他照明系統(即，除曝光照明器統之外的系統，如一對準照明系統)，而不致脫離本發明之範疇。替代地(或額外地)，輻射系統500可用於任何需要形成不相干光束及/或更均勻光束以實質上消除干擾或斑紋圖案的照明系統。
應瞭解的係，旋轉光學元件502之"旋轉"觀點與旋轉光學元件502之"旋轉速度"可涉及該器件的實體操作(例如，該器件旋轉)，或可涉及該器件的相干操作(例如，該器件會旋轉與該器件交互作用的光，同時該器件會保持靜止或以一非旋轉方式移動)。所有旋轉光學元件之變異均考慮為屬於本發明之範疇內，其中數種變異係於下面加以說明。亦應瞭解的係，下面對不同旋轉光學元件的說明係意欲舉例而並不詳盡。
以下的說明係針對一項具體實施例，其中輻射系統500係位於照明系統IL之前。於一範例中，輻射源SO係一雷射，其會產生一相干光束506。相干光束506係由旋轉光學元件502反射以形成一第二相干光束508。相干光束508係由角分佈改變元件504反射以形成一不相干光束510。不相干光束510係由旋轉光學元件502反射以形成一第二不相干光束512。不相干光束512係由照明器IL所接收。如同上面所討論，於整個說明中儘管說明係針對使用一相干光束，然而亦考慮部分相干光束係屬於本發明之範疇內。
透過此組態，旋轉光學元件502會相對於角分佈改變元件504透過各種相干光束508之反射角度來移動或掃描相干光束508。相干光束508之反射角度的變化係基於旋轉光學元件502之旋轉速度及/或相干光束506之頻率而與時間成函數關係。在改變反射角度期間，經增加之不相干光束510之角分佈會保持恆定，但該等角度上的相位分佈則會改變。不相干光束510(與512)中之此相位分佈改變使得當照明器IL運用不相干光束512來形成一照明光束(例如，圖1中的光束B)時，實質上能夠消除干擾或斑紋圖案。
額外地(或替代地)，介於旋轉光學元件502與角分佈改變元件504間的距離可影響反射角度範圍的大小。於一範例中，旋轉光學元件502係位於與角分佈改變元件504距離約3 m之處，以使相干光束508之反射角度具有可觀的範圍。
應瞭解其他光學元件(例如，透鏡、面鏡等)可能需要能夠添加至該輻射系統500，以便能在輻射源SO、旋轉光學元件502、角分佈改變元件504、與照明器IL之間適當地處理與引導光，如同熟悉本技術人士將瞭解的。示範性光學元件組態係於下文中參考圖10、11、與12加以討論。
圖6、14、與15分別顯示根據本發明之各具體實施例的各旋轉光學元件602、1402、與1502。於圖6中所顯示之具體實施例中，旋轉光學元件602包含一具有六反射表面614(例如，小平面)的旋轉多邊形面鏡。或者，亦可使用其他形狀的旋轉面鏡。於圖14所顯示的具體實施例中，可運用一壓電工作台1402以便能相對於角分佈改變器件504(未顯示)移動(掃描)相干光束508。於圖15所顯示的具體實施例中，可在透射模式中運用一光電器件1502(例如，一光電調變器)以透過將一橫跨光電器件1502之電功率場開啟與關閉來偏轉相干光束506，進而產生相干光束508。該切換之結果，會改變光電器件1502內之折射率的梯度，使得光束506偏轉。光電器件1502可係(但並不限於)諸如KDP、結晶石英等晶體。
再次參考圖5，且接著參考圖6，系統500係配置成利用一"雙反射"方案，因而產生一適當的不相干光束512。於一雙反射方案中，一光束係由旋轉光學元件502/602加以二次反射。例如，一第一反射會在相干光束506由旋轉光學元件502/602反射以形成相干光束508時發生，而一第二反射會在不相干光束510由旋轉光學元件502/602反射以形成不相干光束512時發生。此可使一由該第一反射所產生可能不穩定之相干光束508變成在該第二反射之後變成一穩定的不相干光束512。同時，若僅存在來自旋轉多邊形面鏡602之一反射，則在旋轉多邊形面鏡602之反射表面614的位置、旋轉多邊形面鏡602之旋轉速度、與輻射源SO之頻率(例如，輻射源SO之雷射脈衝)間便需要一非常緊密的同步公差。例如，輻射源SO與旋轉多邊形面鏡602間的關係可具有以下特徵：旋轉光學元件之小表面(反射表面)數目×每秒旋轉光學元件之圈數＝雷射脈衝速率
若運用6 kHz雷射輻射源SO且旋轉多邊形面鏡602包括六反射表面(小表面)614，則旋轉多邊形面鏡602便需要1 kHz旋轉速度。於另一範例中，系統500之特徵可如下來表示： 其中：ω等於該旋轉速度[Hz＝s－1 ]N 等於該旋轉多邊形面鏡之小表面數目[－]α等於該旋轉角度之改變[rad/s＝Hz]υ等於該雷射反覆速率[Hz＝s－1 ]F 等於該旋轉多邊形面鏡與該角分佈改變元件間之透鏡焦距[m－1 ]，因而使用1/F來進行計算v 等於該光束相對於該角分佈改變元件的移動速度[m/s]△t 等於該整合時間/脈衝長度[s]△x 等於該整合時間/脈衝移動[m]
因此，於一其中整合時間為50 ns、雷射反覆速率為6 kHz、焦距為3 m、且旋轉多邊形面鏡602上具有六小表面的範例中，每一脈衝移動的整合長度為：△x＝2*50 ns * 6 kHz/(3 m－1 )＝1.8 mm
輻射源SO之脈衝速率及/或旋轉多邊形面鏡602之旋轉速度的任何變化皆可在每一脈衝期間導致來自反射表面614之相干光束506之反射角度發生些微變化，其可使相干光束508變得不穩定。然而，透過運用雙反射方案，該第一與該第二反射的反射角度誤差便相同(但相反)。因此，該第二反射會補償由該第一反射所引起的任何誤差，使得在該第二反射之後不相干光束512係穩定的。額外地(或替代地)，藉由該雙重反射架構，儘管同步仍十分重要，然而同步不再是關鍵。
圖7、8、與9分別顯示根據本發明之各具體實施例的示範性角分佈改變元件704、804、與904。例如，元件704、804、與904可用以增加相干光束508的角分佈。
圖7中之示範性角分佈改變元件704包含一繞射元件，如一繞射光柵或其類似物。額外地(或替代地)，除了一繞射光柵之外亦可利用一擴散器(例如，濕式蝕刻或全像的)。圖8中所顯示之示範性元件804包含一折射光學元件804，如一透鏡陣列或其類似物。圖9中所顯示之示範性元件904包含一分區透鏡或一菲涅耳分區透鏡904。額外地(或替代地)，除了一分區透鏡或一菲涅耳分區透鏡之外亦可運用一波帶片或一菲涅耳波帶片。
圖10、11、與12分別顯示根據本發明之各具體實施例的示範性輻射系統1000、1100、與1200。
於圖10所顯示之具體實施例中，系統1000包括輻射源SO、旋轉多邊形面鏡602、一角分佈改變元件1004、與照明器IL。角分佈改變元件1004包括一反射器件1004A與一透鏡1004B。反射器件1004A包括一微結構(未顯示)，其係用以改變相干光束508之角分佈。替代地(或額外地)，反射器件1004A之微結構可配置成上面就圖7、8、及/或9所討論之角分佈改變元件中的一或多者。操作時，相干光束508係經透鏡1004B之引導而由反射器件1004A反射以形成不相干光束510。不相干光束510係經透鏡1004B之引導而回到旋轉多邊形面鏡602之上。
於圖11所顯示之具體實施例中，系統1100包括輻射源SO、旋轉多邊形面鏡602、一角分佈改變元件1104、與照明器IL。此具體實施例係與圖10中所顯示的具體實施例相類似，不同之處在於透鏡1004B已從角分佈改變元件1104移除，並取而代之包括一具有一微結構(未顯示)之反射器件1104A，且於旋轉多邊形面鏡602與反射器件1104A之間置放一透鏡1116。替代地(或額外地)，反射器件1104A之微結構可配置成上面就圖7、8及/或9所討論之角分佈改變元件中的一或多者。操作時，透鏡1116會將相干光束508聚焦至反射器件1104A上以形成不相干光束510。不相干光束510係由透鏡1116引導至旋轉多邊形面鏡602上。
於圖12所顯示之具體實施例中，系統1200包括輻射源SO、旋轉多邊形面鏡602、一角分佈改變元件1204、一透鏡系統1216(其包括一第一透鏡1216A與一第二透鏡1216B)、與照明器IL。於此具體實施例中，角分佈改變元件1204包括一透射元件1204A與一反射元件1204B。反射元件1204B可為一角度反射器，其就一軸1222而言係對稱的。透射元件1204A可沿著軸1222而縱向延伸並包括一微結構(未顯示)。該微結構在其穿透透射元件1204A而透射時會改變相干光束508的角分佈以形成不相干光束510。替代地(或額外地)，該透射器件1204A之微結構可配置成上面就圖7、8、及/或9所討論之角分佈改變元件中的一或多者。操作時，相干光束508係經透鏡1216A引導而從反射元件1204B之一第一內表面1218反射。在反射之後，相干光束508會穿透透射元件1204A而透射以形成不相干光束510。隨後不相干光束510係在由透鏡1216B引導至旋轉多邊形面鏡602上之前從反射元件1204B之第二內表面1220反射。
應瞭解的係，角分佈改變元件504可運用其他元件與元件組態，使得上述具體實施例及/或範例僅係舉例而並不詳盡。
替代地(或額外地)，旋轉多邊形面鏡602之一或多個反射表面614可具有光學功率，其可允許移除系統500中引導或處理光所必須之一或多個透鏡或面鏡。同時，替代地或額外地，該等角分佈改變元件504、704、804、904、1004、1104及/或1204中的一或多者可具有光學功率，其可允許移除系統500中引導或處理光所必須之一或多個透鏡或面鏡。
圖13顯示描述根據本發明之一項具體實施例之方法1300的流程圖。於步驟1302中，運用一旋轉光學元件引導至少一部分相干光束以由一角分佈改變元件反射而形成一不相干光束。於步驟1304中，一照明光束係由該不相干光束形成。於步驟1306中，圖案化該照明光束。於步驟1308中，將該圖案化照明光束投影至一基板的目標部分上。
雖然本文中特別提及使用微影裝置來製造一特定器件(例如，一積體電路或一平板顯示器)，不過，仍應瞭解的係，本文所述之微影裝置還可能具有其它應用。應用包含(但不限於)，積體電路、整合光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微機電器件(MEMS)、發光二極體(LED)等的製造。同時，例如在一平板顯示器中，本裝置可用於協助產生各種不同的層，例如一薄膜電晶體層及/或一濾色器層。
雖然以上特別參考本發明之具體實施例在光學微影之背景中的使用，但仍應瞭解，本發明可用在其他應用中，例如壓印微影，且若情況允許，並不限定於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中的佈局可定義於基板上所產生的圖案。可將該圖案化器件之佈局壓印到對基板所供應之一光阻層中，其中該光阻係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來固化。在光阻固化後，從光阻中移除該圖案化器件，同時在其中留下一圖案。
結論
儘管上面已說明本發明之各種具體實施例，然而仍應瞭解，僅以範例而非限制性方式呈現該等具體實施例。熟知相關技術人士將明白，其中可進行各種形式及細節變化而不脫離本發明之精神及範疇。因此，本發明之廣度及範疇不應侷限於上述任何範例性具體實施例，而應僅根據以下的申請專利範圍及其等效內容來定義。
應該瞭解的係，詳細說明段落(而非發明概要段落與發明摘要段落)的目的係意欲用於闡述申請專利範圍。發明概要段落與發明摘要段落可提出本案發明人所設計的本發明一或多項示範性具體實施例，而非全部示範性具體實施例，且不應視為以任何方式限制本發明及隨附的申請專利範圍。
500．．．輻射系統
502．．．旋轉光學元件
504．．．角分佈改變元件
506．．．相干光束
508．．．相干光束
510．．．不相干光束
512．．．不相干光束
602．．．旋轉光學元件
614．．．反射表面
704．．．角分佈改變元件
804．．．角分佈改變元件
904．．．角分佈改變元件
1000．．．輻射系統
1004．．．角分佈改變元件
1004A．．．反射器件
1004B．．．透鏡
1100．．．輻射系統
1104A．．．反射器件
1116．．．透鏡
1200．．．輻射系統
1204．．．角分佈改變元件
1204A．．．透射元件
1204B．．．反射元件
1216．．．透鏡系統
1216A．．．第一透鏡
1216B．．．第二透鏡
1218．．．第一內表面
1220．．．第二內表面
1222．．．軸
1402．．．旋轉光學元件(壓電工作台)
1502．．．旋轉光學元件(光電器件)
AD．．．調整器
AL．．．透鏡
AS．．．孔徑止動部
B．．．輻射光束
BD．．．光束輸送系統
BS．．．分光器
CO．．．聚光器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統
IN．．．整合器
L1．．．透鏡
L2．．．透鏡
MLA．．．微透鏡陣列
PD．．．圖案化器件
PS．．．投影系統
PW．．．定位器
R．．．列
R1．．．列
R2．．．列
S．．．輻射光點
SA．．．陣列
SE．．．光點曝光
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板工作台
本文所併入且形成說明書一部份之附圖將解說本發明之一或多項具體實施例，且會配合說明來進一步解釋本發明之原理並使熟悉有關技術人士能實施與利用本發明。
圖1與2描述根據本發明之各具體實施例的微影裝置。
圖3描述根據圖2中所顯示之本發明之一項具體實施例將一圖案轉印至一基板的模式。
圖4描述根據本發明之一項具體實施例的光學引擎配置。
圖5顯示根據本發明之一項具體實施例的一輻射系統。
圖6顯示根據本發明之一項具體實施例的一旋轉光學元件。
圖7、8與9顯示根據本發明之各具體實施例的示範性角分佈改變元件。
圖10、11與12顯示根據本發明之各具體實施例的各輻射系統。
圖13顯示描述根據本發明之一項具體實施例之方法的流程圖。
圖14與15顯示根據本發明之各具體實施例的各旋轉光學元件。
現將參考附圖說明本發明之一或多項具體實施例。於該等圖式中，相同參考編碼可指示相同或功能類似的元件。此外，一參考編碼的最左數字可識別該參考編碼首次出現的圖式。
500．．．輻射系統
502．．．旋轉光學元件
504．．．角分佈改變元件
506．．．相干光束
508．．．相干光束
510．．．不相干光束
512．．．不相干光束
SO．．．輻射源
IL．．．照明系統

Claims (41)

  1. 一種系統，其包含：一輻射源，其會產生至少一部分相干光束；一角分佈改變元件；以及一旋轉光學元件，其係配置成(a)接收來自該輻射源的部分相干光束與(b)引導該所接收之部分相干光束進而由該角分佈改變元件反射形成一不相干光束，其中以不同角度或位置將該部分相干光束基於該旋轉光學元件之一旋轉速度引導至該角分佈改變元件上，該等角度隨時間函數而變化。
  2. 如請求項1之系統，其中該角分佈改變元件包含一擴散器或一擴散器與一反射器件。
  3. 如請求項2之系統，其中該擴散器包含一濕式蝕刻或全像擴散器。
  4. 如請求項1之系統，其中該角分佈改變元件包含一繞射光學元件或一繞射光學元件與一反射器件。
  5. 如請求項1之系統，其中該角分佈改變元件包含一折射光學元件、一折射光學元件與透鏡或一折射光學元件與一反射器件。
  6. 如請求項1之系統，其中該角分佈改變元件包含一分區透鏡、一菲涅耳分區透鏡、一波帶片、或一菲涅耳波帶片或一反射器件與一分區透鏡、一菲涅耳分區透鏡、一波帶片或一菲涅耳波帶片。
  7. 如請求項1之系統，其中該旋轉光學元件包含一旋轉面 鏡。
  8. 如請求項7之系統，其中該旋轉面鏡包含一旋轉多邊形面鏡。
  9. 如請求項1之系統，其中該旋轉光學元件包含一壓電工作台。
  10. 如請求項1之系統，其中該旋轉光學元件包含一光電調變器。
  11. 如請求項1之系統，其中該角分佈改變元件係配置成增加該輻射光束的角分佈。
  12. 如請求項1之系統，其中該角分佈改變元件包括具有一光學功率之一反射表面。
  13. 如請求項1之系統，其中該旋轉光學元件包括具有光學功率的反射表面。
  14. 如請求項1之系統，其進一步包含：一照明器，其中該旋轉光學元件係配置成將該不相干光束引導至該照明器上。
  15. 如請求項1之系統，其中該旋轉光學元件係配置成將該不相干光束從該角分佈改變元件反射至一照明器、一光學系統或一圖案化器件上。
  16. 一種微影系統，其包含：一照明系統，其會產生一照明輻射光束，其包含，一輻射源，一旋轉光學元件，以及一角分佈改變元件； 一圖案化器件，其會圖案化該照明輻射光束；以及一投影系統，其會將經圖案化之光束投影至一基板的一目標部分上，其中：該旋轉光學元件係配置成(a)接收來自該輻射源的部分相干光束與(b)引導該所接收之部分相干光束進而由該角分佈改變元件反射形成一不相干光束；以及以不同角度或位置將該部分相干光束基於該旋轉光學元件之一旋轉速度引導至該角分佈改變元件上，該等角度隨時間函數而變化。
  17. 如請求項16之微影系統，其中該旋轉光學元件係經進一步配置成從該角分佈改變元件接收該不相干光束。
  18. 如請求項17之微影系統，其中該照明系統進一步包含：一照明器，其中該旋轉光學元件係配置成將該不相干光束引導至該照明器上。
  19. 如請求項16之微影系統，其中該角分佈改變元件包含一擴散器、一濕式蝕刻擴散器、一全像擴散器、一繞射光學元件、一折射光學元件、一分區透鏡、一菲涅耳分區透鏡、一波帶片或一菲涅耳波帶片。
  20. 如請求項19之微影系統，其中該角分佈改變元件進一步包含一透鏡或一反射器件。
  21. 如請求項16之微影系統，其中該旋轉光學元件包含一旋轉面鏡、一旋轉多邊形面鏡、一壓電工作台或一光電器件。
  22. 如請求項16之微影系統，其中該角分佈改變元件或該旋 轉光學元件中的至少一者包括具有光學功率的一反射表面。
  23. 一種器件製造方法，其包含：(a)運用一旋轉光學元件來引導至少一部分相干光束以由一角分佈改變元件反射而形成一不相干光束；(b)由該不相干光束形成一照明光束；(c)圖案化該照明光束；以及(d)將該經圖案化之照明光束投影至一基板之一目標部分上，其中以不同角度或位置藉由該旋轉光學元件將該部分相干光束引導至該角分佈改變元件上，該等角度隨時間函數而變化。
  24. 如請求項23之方法，其中步驟(b)包含將該不相干光束引導回到該旋轉光學元件上以形成該照明光束。
  25. 如請求項24之方法，其中該旋轉光學元件會將該不相干光束引導至一照明器或一光學系統上以產生該照明光束。
  26. 如請求項23之方法，其進一步包含運用一擴散器、一濕式蝕刻擴散器、一全像擴散器、一繞射光學元件、一折射光學元件、一分區透鏡、一菲涅耳分區透鏡、一波帶片或一菲涅耳波帶片來作為該角分佈改變元件。
  27. 如請求項26之方法，其進一步包含於該角分佈改變元件中運用一反射器件或一透鏡。
  28. 如請求項23之方法，其進一步包含運用一旋轉面鏡、作 為該旋轉光學元件之一旋轉多邊形面鏡、一壓電工作台或一光電器件。
  29. 如請求項23之方法，其進一步包含於該角分佈改變元件或該旋轉光學元件中的至少一者上形成具有光學功率之一反射表面。
  30. 一種輸出一不相干輸出光束的雷射，其包含：一輻射源，其會產生至少一部分相干光束；一角分佈改變元件；以及一旋轉光學元件，其係配置成(a)接收來自該輻射源的部分相干光束與(b)引導該所接收之部分相干光束進而由該角分佈改變元件反射形成該不相干輸出光束，其中以不同角度或位置將該部分相干光束基於該旋轉光學元件之一旋轉速度引導至該角分佈改變元件上，該等角度隨時間函數而變化。
  31. 如請求項30之雷射，其中該旋轉光學元件係經進一步配置成從該角分佈改變元件接收該不相干光束。
  32. 如請求項30之雷射，其中該角分佈改變元件包含一擴散器、一濕式蝕刻擴散器、一全像擴散器、一繞射光學元件、一折射光學元件、一分區透鏡、一菲涅耳分區透鏡、一波帶片或一菲涅耳波帶片。
  33. 如請求項32之雷射，其中該角分佈改變元件進一步包含一透鏡或一反射器件。
  34. 如請求項30之雷射，其中該旋轉光學元件包含一旋轉面鏡、一旋轉多邊形面鏡、一壓電工作台或一光電器件。
  35. 如請求項30之雷射，其中該角分佈改變元件或該旋轉光學元件中的至少一者包括具有光學功率的一反射表面。
  36. 一種輸出一不相干照明光束的照明器，其包含：一輻射源，其會產生至少一部分相干光束；一角分佈改變元件；以及一旋轉光學元件，其係配置成(a)接收來自該輻射源的部分相干光束與(b)引導該所接收之部分相干光束進而由該角分佈改變元件反射形成該不相干照明光束，其中以不同角度或位置將該部分相干光束基於該旋轉光學元件之一旋轉速度引導至該角分佈改變元件上，該等角度隨時間函數而變化。
  37. 如請求項36之照明器，其中該旋轉光學元件係經進一步配置成從該角分佈改變元件接收該不相干光束。
  38. 如請求項36之照明器，其中該角分佈改變元件包含一擴散器、一濕式蝕刻擴散器、一全像擴散器、一繞射光學元件、一折射光學元件、一分區透鏡、一菲涅耳分區透鏡、一波帶片或一菲涅耳波帶片。
  39. 如請求項38之照明器，其中該角分佈改變元件進一步包含一透鏡或一反射器件。
  40. 如請求項36之照明器，其中該旋轉光學元件包含一旋轉面鏡、一旋轉多邊形面鏡、一壓電工作台或一光電器件。
  41. 如請求項36之照明器，其中該角分佈改變元件或該旋轉光學元件中的至少一者包括具有光學功率的一反射表面。
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