TWI450051B - 微影裝置中控制圖案化元件的方法、元件製造方法及微影裝置 - Google Patents

微影裝置中控制圖案化元件的方法、元件製造方法及微影裝置 Download PDF

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Description

微影裝置中控制圖案化元件的方法、元件製造方法及微影裝置
本發明係關於一種在微影裝置中控制圖案化元件之方法、一種用於製造元件之方法，及一種微影裝置。
微影裝置為將所要圖案施加至基板或基板之部分上的機器。微影裝置可用於(例如)平板顯示器、積體電路(IC)及涉及精細結構之其他元件的製造中。在習知裝置中，可被稱作光罩或比例光罩之圖案化元件可用以產生對應於平板顯示器(或其他元件)之個別層的電路圖案。此圖案可藉由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而轉印至基板(例如，玻璃板)之全部或部分上。
代替電路圖案，圖案化元件可用以產生其他圖案，例如，彩色濾光器圖案或圓點矩陣。代替光罩，圖案化元件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含個別可控制器件陣列。在此系統中，相比於以光罩為基礎之系統，可更快且成本更低地改變圖案。
在使用包含個別可控制器件陣列之圖案化元件的微影中，已知的是使用如下圖案化元件：其中該等個別可控制器件中每一者可經設定至輻射透射至基板的第一狀態，或輻射未透射至基板的第二狀態。此元件可被稱作黑白對比元件(black and white contrast device)。
在使用此元件的情況下，可易於藉由根據圖案內之位置將每一個別可控制器件選擇為呈第一狀態或第二狀態來設定圖案。因此，計算上相對直接的是將所要圖案轉換成用於圖案化元件之控制信號。此外，該配置可以相似於以光罩為基礎之系統的方式予以使用。舉例而言，以對應於以光罩為基礎之系統的方式，對於待形成於基板上之所要圖案，可使用已知光學近接校正(OPC)技術來製備該圖案，且一旦判定該圖案，隨即產生用於圖案化元件之控制信號。
然而，藉由改變個別可控制器件列之狀態來調整圖案內之特徵之邊緣之位置。因而，對應於特徵之邊緣之每一可能位置提供一個別可控制器件列。舉例而言，線寬之最小增量及特徵(諸如，線)之邊緣之位置之最小移位通常可為臨界尺寸(CD)之1/20。為了向此情形提供黑白對比元件，將提供用於具有臨界尺寸之大小之基板上之每一單位面積的400個個別可控制器件(20×20)。
因而，對於使用黑白對比元件之系統，提供極大數目個個別可控制器件，以便在任一時間將圖案轉印至基板之足夠大區域以確保微影裝置之經濟產出率。
然而，存在對可提供於單一元件中之個別可控制器件之數目的限制。此係部分地歸因於在提供具有皆正確地起作用之愈來愈大數目個個別可控制器件之元件(即，用於該元件之製造程序之良率)方面的困難，且部分地歸因於在將控制信號提供至大數目個個別可控制器件方面的困難。因而，可提供一配置，該配置包括(例如)可各自包括一或多個圖案化元件之多個光學圓柱及用以將影像同時地投影至基板上之投影系統。然而，光學圓柱之數目愈大，則微影裝置之貨品成本愈大。
因而，可使用如上文所論述的具有可經設定至兩個以上狀態之個別可控制器件之圖案化元件。此等個別可控制器件可將經引導至基板之輻射之強度設定至多個位準中之一者。此圖案化元件可被稱作灰階對比元件。在一實例中，可使用8位元定址將每一個別可控制器件設定至256個灰階位準中之一者。
使用灰階系統之優點在於：可藉由改變對應於特徵之邊緣之個別可控制器件之灰階位準來調整特徵之邊緣之位置。藉由改變灰階位準，在基板處所接收之劑量之輪廓(profile)改變。又，調整在基板處所接收之劑量超越抗蝕劑臨限值的點，從而對應地調整特徵之邊緣之位置。因而，在此系統中，可能沒有必要具有對應於特徵之邊緣之每一可能位置的個別可控制器件。對於每一個別可控制器件係藉由8位元資料定址的上文所論述之實例，具有臨界尺寸之大小之基板上之每一單位面積可能需要僅七個個別可控制器件。
因而，使用灰階個別可控制器件可縮減用以在基板上以給定臨界尺寸形成給定影像區域之個別可控制器件之總數目。又，舉例而言，相比於使用黑白對比元件之系統所需要的光學圓柱，可能需要較少光學圓柱。
用於產生用於個別可控制器件之控制信號的資料處理對於使用灰階對比元件之系統顯著地更複雜。因而，使用顯著計算資源，從而再次增加微影裝置之貨品成本。
此外，在此配置中，可能難以補償藉由變得非回應之個別可控制器件引入的誤差。因而，可進一步顯著地增加計算複雜性，以便提供針對此等誤差之補償，及/或可能有必要確保極少個別可控制器件係非回應的。此情形又可能需要在非回應個別可控制器件之數目超過臨限值時相對頻繁地替換圖案化元件，及/或可在圖案化元件應具有極少非回應個別可控制器件的情況下增加圖案化元件之成本。
因此，需要(例如)提供一種克服本文所描述之缺點中之一或多者或其他缺點的新系統。
在一實施例中，提供一種在一微影裝置中控制一圖案化元件之方法，該微影裝置經組態以在一基板上形成一影像，其中該圖案化元件包含複數個個別可控制器件，該複數個個別可控制器件各自可經設定至輻射被引導至該基板之一對應部分的一第一狀態，或輻射未被引導至該基板之一對應部分的一第二狀態，該方法包含：將想要形成於一基板上之一圖案之一表示轉換成複數個區域強度信號，該複數個區域強度信號各自對應於待設定於該圖案化元件之一各別區域中之一輻射強度位準，使得經設定於該圖案化元件之每一區域中之該等各別輻射強度位準在該基板處之效應為該所要圖案；將該等區域強度信號中每一者轉換成用於對應於該圖案化元件之該區域之各別複數個個別可控制器件的複數個控制信號，使得將該等個別可控制器件設定至適當狀態，以便使在使用時將該區域中之所有該等個別可控制器件設定至該等狀態之組合效應係提供在該區域強度信號中所規定的用於該區域之該輻射強度位準；及根據該等個別可控制器件中每一者之關聯控制信號來設定該個別可控制器件。
在一實施例中，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：使用包含一個別可控制器件陣列之一圖案化元件以將一圖案賦予至一輻射光束；及將該輻射光束投影至一基板上；其中該等個別可控制器件中每一者可經設定至輻射被引導至該基板之一對應部分的一第一狀態，或輻射未被引導至該基板之一對應部分的一第二狀態；且該圖案化元件係根據以上方法予以控制。
在一實施例中，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一圖案化元件，其包含用以將一圖案賦予至一輻射光束之複數個個別可控制器件；一投影系統，其經組態以將該輻射光束投影至一基板上；及一處理器，其經組態以：將想要形成於一基板上之一圖案之一表示轉換成複數個區域強度信號，該複數個區域強度信號各自對應於待設定於該圖案化元件之一各別區域中之一輻射強度位準，使得經設定於該圖案化元件之每一區域中之該等各別輻射強度位準在該基板處之效應為該所要圖案；將該等區域強度信號中每一者轉換成用於對應於該圖案化元件之該區域之各別複數個個別可控制器件的複數個控制信號，使得將該等個別可控制器件設定至適當狀態，以便使在使用時將該區域中之所有該等個別可控制器件設定至該等狀態之組合效應係提供用於該區域之該輻射強度位準；及將該等控制信號提供至該等個別可控制器件以設定該等個別可控制器件中每一者之該狀態。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外實施例、特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。
併入於本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明之一或多個實施例，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。
雖然論述特定組態及配置，但應理解，此論述僅係出於說明性目的而進行。熟習相關技術者將認識到，可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下使用其他組態及配置。對於熟習相關技術者將顯而易見，本發明亦可用於多種其他應用中。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置1。該裝置包含照明系統IL、圖案化元件PD、基板台WT及投影系統PS。照明系統(照明器)IL經組態以調節來自源SO之輻射光束B(例如，UV輻射)。
圖案化元件PD(例如，比例光罩或光罩或個別可控制器件陣列)調變光束。一般而言，個別可控制器件陣列之位置將相對於投影系統PS而固定。然而，取而代之，個別可控制器件陣列可連接至經組態以根據某些參數來準確地定位個別可控制器件陣列之定位器。
基板台WT經建構以支撐基板(例如，抗蝕劑塗佈基板)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之定位器PW。
投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS經組態以將藉由個別可控制器件陣列調變之輻射光束投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
本文所使用之術語「圖案化元件」或「對比元件」應被廣泛地解釋為指代可用以調變輻射光束之橫截面(諸如)以在基板之目標部分中創製圖案的任何元件。該元件可為靜態圖案化元件(例如，光罩或比例光罩)或動態圖案化元件(例如，可程式化器件陣列)。出於簡潔起見，大部分描述將係依據動態圖案化元件。然而，應瞭解，可在不脫離本發明之範疇的情況下使用靜態圖案元件。
應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。相似地，最終產生於基板上之圖案可能不會對應於在任一瞬間形成於個別可控制器件陣列上之圖案。在如下配置中可為此狀況：在該配置中，遍及給定時間週期或給定數目次曝光而建置形成於基板之每一部分上的最終圖案，在該給定時間週期或給定數目次曝光期間，個別可控制器件陣列上之圖案及/或基板之相對位置改變。
通常，創製於基板之目標部分上的圖案將對應於創製於目標部分中之元件(諸如，積體電路或平板顯示器)中的特定功能層(例如，平板顯示器中之彩色濾光器層，或平板顯示器中之薄膜電晶體層)。此等圖案化元件之實例包括(例如)光罩、可程式化鏡面陣列、雷射二極體陣列、發光二極體陣列、光柵光閥，及LCD陣列。圖案可憑藉電子器件(例如，電腦)而程式化之圖案化元件(諸如，包含複數個可程式化器件之圖案化元件(例如，在先前句子中所提及之所有元件，惟光罩除外))在本文中被稱作「對比元件」。在一實例中，圖案化元件包含至少10個可程式化器件，例如，至少100個、至少1000個、至少10000個、至少100000個、至少1000000個或至少10000000個可程式化器件。
可程式化鏡面陣列可包含具有黏彈性控制層之矩陣可定址表面及反射表面。此裝置所隱含之基本原理在於(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當空間濾光器的情況下，可自反射光束中濾出非繞射輻射，從而僅使繞射輻射到達基板。以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。應瞭解，作為一替代例，濾光器可濾出繞射輻射，從而使非繞射輻射到達基板。
可以對應方式來使用繞射光學MEMS元件(微機電系統元件)陣列。在一實例中，繞射光學MEMS元件包含複數個反射帶，該等反射帶可相對於彼此而變形以形成將入射輻射反射為繞射輻射之光柵。
可程式化鏡面陣列之另外替代實例使用微小鏡面之矩陣配置，可藉由施加合適局域化電場或藉由使用壓電致動器而使該等鏡面中每一者圍繞軸線個別地傾斜。再次，鏡面係矩陣可定址的，使得經定址鏡面在不同於未經定址鏡面之方向上反射入射輻射光束；以此方式，反射光束可根據矩陣可定址鏡面之定址圖案而被圖案化。可使用合適電子器件來執行所需矩陣定址。
另一實例PD為可程式化LCD陣列。
微影裝置可包含一或多個對比元件。舉例而言，微影裝置可具有複數個個別可控制器件陣列，複數個個別可控制器件陣列各自彼此獨立地被控制。在此配置中，個別可控制器件陣列中之一些或全部可具有選自以下各者之至少一者：共同照明系統(或照明系統之部分)、用於個別可控制器件陣列之共同支撐結構，及/或共同投影系統(或投影系統之部分)。
在一實例(諸如，圖1所描繪之實施例)中，基板W具有實質上圓形形狀，視需要，沿著其周界之部分具有凹口及/或平坦化邊緣。在一實施例中，基板具有多邊形形狀，例如，矩形形狀。
基板具有實質上圓形形狀之實例中包括如下實例：其中基板具有至少25毫米之直徑，例如，直徑為至少50毫米、至少75毫米、至少100毫米、至少125毫米、至少150毫米、至少175毫米、至少200毫米、至少250毫米或至少300毫米。在一實施例中，基板具有至多500毫米、至多400毫米、至多350毫米、至多300毫米、至多250毫米、至多200毫米、至多150毫米、至多100毫米或至多75毫米之直徑。
基板為多邊形(例如，矩形)之實例中包括如下實例：其中基板之至少一側(例如，至少2個側或至少3個側)具有至少5公分之長度，例如，長度為至少25公分、至少50公分、至少100公分、至少150公分、至少200公分或至少250公分。
在一實例中，基板之至少一側具有至多1000公分之長度，例如，長度為至多750公分、至多500公分、至多350公分、至多250公分、至多150公分或至多75公分。
在一實例中，基板W為晶圓，例如，半導體晶圓。在一實例中，晶圓材料係選自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP及InAs組成之群組。在一實例中，晶圓為III/V化合物半導體晶圓。在一實例中，晶圓為矽晶圓。在一實施例中，基板為陶瓷基板。在一實例中，基板為玻璃基板。在一實例中，基板為塑膠基板。在一實例中，基板係透明的(對於人類肉眼而言)。在一實例中，基板係彩色的。在一實例中，基板係無色的。
基板之厚度可變化，且在一定程度上可取決於(例如)基板材料及/或基板尺寸。在一實例中，厚度為至少50微米，例如，至少100微米、至少200微米、至少300微米、至少400微米、至少500微米或至少600微米。在一實例中，基板之厚度為至多5000微米，例如，至多3500微米、至多2500微米、至多1750微米、至多1250微米、至多1000微米、至多800微米、至多600微米、至多500微米、至多400微米或至多300微米。
可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。在一實例中，抗蝕劑層提供於基板上。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸沒液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
投影系統可將圖案成像於個別可控制器件陣列上，使得圖案相干地形成於基板上。或者，投影系統可成像次級源，對於次級源，個別可控制器件陣列之器件充當遮光片(shutter)。在此方面，投影系統可包含(例如)用以形成次級源且將光點成像至基板上之聚焦器件陣列，諸如，微透鏡陣列(被稱為MLA)或菲涅耳(Fresnel)透鏡陣列。在一實例中，聚焦器件陣列(例如，MLA)包含至少10個聚焦器件，例如，至少100個聚焦器件、至少1000個聚焦器件、至少10000個聚焦器件、至少100000個聚焦器件或至少1000000個聚焦器件。在一實例中，圖案化元件中個別可控制器件之數目等於或大於聚焦器件陣列中聚焦器件之數目。在一實例中，聚焦器件陣列中之一或多個(例如，1000個或1000個以上、大多數或約每一)聚焦器件可與個別可控制器件陣列中之一或多個個別可控制器件光學地相關聯，例如，與個別可控制器件陣列中之2個或2個以上個別可控制器件(諸如，3個或3個以上、5個或5個以上、10個或10個以上、20個或20個以上、25個或25個以上、35個或35個以上，或50個或50個以上)光學地相關聯。在一實例中，(例如)在使用一或多個致動器的情況下，MLA至少在朝著及離開基板之方向上係可移動的(例如，在使用致動器的情況下)。能夠使MLA朝著及離開基板而移動會允許(例如)在不必移動基板的情況下進行聚焦調整。
如本文在圖1及圖2中所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射個別可控制器件陣列)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射個別可控制器件陣列)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對高折射率之「浸沒液體」(例如，水)覆蓋，以便填充在投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，在圖案化元件與投影系統之間的空間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
再次參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。在一實例中，輻射源提供具有至少5奈米之波長的輻射，例如，波長為至少10奈米、至少50奈米、至少100奈米、至少150奈米、至少175奈米、至少200奈米、至少250奈米、至少275奈米、至少300奈米、至少325奈米、至少350奈米或至少360奈米。在一實例中，藉由輻射源SO提供之輻射具有至多450奈米之波長，例如，波長為至多425奈米、至多375奈米、至多360奈米、至多325奈米、至多275奈米、至多250奈米、至多225奈米、至多200奈米或至多175奈米。在一實例中，輻射具有包括436奈米、405奈米、365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米及/或126奈米之波長。在一實例中，輻射包括大約365奈米或大約355奈米之波長。在一實例中，輻射包括寬波長頻帶，例如，涵蓋365奈米、405奈米及436奈米。可使用355奈米雷射源。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。照明器IL或與其相關聯之額外組件亦可經配置以將輻射光束劃分成複數個子光束，複數個子光束可(例如)各自與個別可控制器件陣列之一個或複數個個別可控制器件相關聯。二維繞射光柵可(例如)用以將輻射光束劃分成子光束。在本描述中，術語「輻射光束」涵蓋(但不限於)光束包含複數個此等輻射子光束之情形。
輻射光束B經由光束遞送系統BD及照明器IL而入射於圖案化元件PD(例如，個別可控制器件陣列)上，且係藉由該圖案化元件調變。在已藉由圖案化元件PD反射的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、電容性感測器或其類似者)，基板台WT可準確地移動，例如，以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。在使用之情況下，用於個別可控制器件陣列之定位器可用以(例如)在掃描期間準確地校正圖案化元件PD相對於光束B之路徑的位置。
在一實例中，憑藉未在圖1中明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現基板台WT之移動。在一實例中，裝置至少不存在用以移動基板台WT之短衝程模組。亦可使用相似系統以定位個別可控制器件陣列。應瞭解，或者或另外，光束B可為可移動的，而物件台及/或個別可控制器件陣列可具有固定位置以提供所需相對移動。此配置可輔助限制裝置之大小。作為一另外替代例(其可(例如)適用於平板顯示器之製造中)，基板台WT及投影系統PS之位置可為固定的，且基板W可經配置以相對於基板台WT而移動。舉例而言，基板台WT可具備一系統，該系統用於以實質上恆定速度來掃描橫越該系統之基板W。
如圖1所示，可藉助於部分反射光學器件或光束分裂器BS將輻射光束B引導至圖案化元件PD，部分反射光學器件或光束分裂器BS經組態成使得輻射最初係藉由該光束分裂器反射，且被引導至圖案化元件PD。應認識到，亦可在不使用光束分裂器之情況下將輻射光束B引導於圖案化元件處。在一實例中，輻射光束係以介於0°與90°之間(例如，介於5°與85°之間、介於15°與75°之間、介於25°與65°之間或介於35°與55°之間)的角度被引導於圖案化元件處(圖1所示之實施例處於90°之角度)。圖案化元件PD調變輻射光束B且將輻射光束B反射回至部分反射光學器件或光束分裂器BS，部分反射光學器件或光束分裂器BS將經調變光束透射至投影系統PS。然而，應瞭解，可使用替代配置以將輻射光束B引導至圖案化元件PD且隨後引導至投影系統PS。詳言之，若使用透射圖案化元件，則可能不需要諸如圖1所示之配置的配置。
所描繪裝置可用於若干模式中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使個別可控制器件陣列及基板保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描個別可控制器件陣列及基板(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板相對於個別可控制器件陣列之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在脈衝模式中，使個別可控制器件陣列保持基本上靜止，且使用脈衝式輻射源將整個圖案投影至基板W之目標部分C上。基板台WT以基本上恆定速率而移動，使得造成光束B掃描橫越基板W之行。在輻射系統之脈衝之間根據需要而更新個別可控制器件陣列上之圖案，且該等脈衝經時控成使得在基板W上之所需部位處曝光順次目標部分C。因此，光束B可橫越基板W進行掃描以曝光用於該基板之條帶的完整圖案。重複該程序，直至已逐行曝光完整基板W為止。
4.在連續掃描模式中，基本上相同於脈衝模式，惟如下情形除外：相對於經調變輻射光束B以實質上恆定速率來掃描基板W，且隨著光束B橫越基板W進行掃描且曝光基板W而更新個別可控制器件陣列上之圖案。可使用與個別可控制器件陣列上之圖案之更新同步的實質上恆定輻射源或脈衝式輻射源。
5.在可使用圖2之微影裝置執行的像素柵格成像模式中，藉由隨後曝光藉由光點產生器形成之光點來實現形成於基板W上之圖案，該等光點被引導至圖案化元件PD上。經曝光光點具有實質上相同形狀。在基板W上，該等光點被印刷於實質上一柵格中。在一實例中，光點大小大於經印刷像素柵格之間距，但比曝光光點柵格小得多。藉由變化所印刷之光點的強度來實現圖案。在曝光閃光(exposure flash)之間，遍及光點之強度分佈變化。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在微影中，將圖案曝光於基板上之抗蝕劑層上。接著，顯影抗蝕劑。隨後，對基板執行額外處理步驟。此等後續處理步驟對基板之每一部分的效應取決於抗蝕劑之曝光。詳言之，程序經調諧成使得接收高於給定劑量臨限值之輻射劑量的基板之部分不同於接收低於劑量臨限值之輻射劑量的基板之部分作出回應。舉例而言，在蝕刻程序中，藉由經顯影抗蝕劑層來保護接收高於臨限值之輻射劑量的基板之區域免於蝕刻。然而，在曝光後顯影中，移除接收低於臨限值之輻射劑量的抗蝕劑之部分，且因此，不保護彼等區域免於蝕刻。因而，可蝕刻所要圖案。詳言之，圖案化元件中之個別可控制器件經設定成使得透射至在圖案特徵內的基板上之區域的輻射處於足夠高之強度以使得該區域在曝光期間接收高於劑量臨限值之輻射劑量。藉由設定對應個別可控制器件以提供零輻射強度或顯著較低輻射強度，基板上之剩餘區域接收低於劑量臨限值之輻射劑量。
實務上，即使個別可控制器件經設定以在特徵邊界之一側上提供最大輻射強度且在另一側上提供最小輻射強度，圖案特徵之邊緣處的輻射劑量亦不會自給定最大劑量突然地改變至零劑量。取而代之，歸因於繞射效應，輻射劑量之位準橫越過渡區而下降。藉由經顯影抗蝕劑最終形成之圖案特徵之邊界的位置係藉由經接收劑量下降至低於輻射劑量臨限值時之位置判定。藉由設定將輻射提供至在圖案特徵邊界上或附近的基板上之點(不僅達最大強度位準或最小強度位準，而且達介於最大強度位準與最小強度位準之間的強度位準)的個別可控制器件，可更精確地控制輻射劑量橫跨過渡區之下降的輪廓，且因此更精確地控制圖案特徵邊界之精確位置。此情形通常被稱作「灰階化(grayscaling)」。
相比於在一微影系統中可能提供之控制，灰階化提供圖案特徵邊界之位置的較大控制，在該微影系統中，僅可將藉由給定個別可控制器件提供至基板之輻射強度設定至兩個值(即，僅僅最大值及最小值)。在一實施例中，可將至少三個不同輻射強度值投影至基板上，例如，至少4個輻射強度值、至少8個輻射強度值、至少16個輻射強度值、至少32個輻射強度值、至少64個輻射強度值、至少128個輻射強度值或至少256個輻射強度值。
應瞭解，可出於上文所描述之目的之額外或替代目的而使用灰階化。舉例而言，可調諧在曝光之後的基板之處理，使得取決於經接收輻射劑量位準，存在基板之區帶的兩個以上潛在回應。舉例而言，接收低於第一臨限值之輻射劑量的基板之部分以第一方式作出回應；接收高於第一臨限值但低於第二臨限值之輻射劑量的基板之部分以第二方式作出回應；且接收高於第二臨限值之輻射劑量的基板之部分以第三方式作出回應。因而，灰階化可用以提供具有兩個以上所要劑量位準的橫越基板之輻射劑量輪廓。在一實施例中，輻射劑量輪廓具有至少2個所要劑量位準，例如，至少3個所要輻射劑量位準、至少4個所要輻射劑量位準、至少6個所要輻射劑量位準，或至少8個所要輻射劑量位準。
應進一步瞭解，可藉由除了藉由僅僅控制在基板上之每一點處所接收之輻射之強度(如上文所描述)以外的方法來控制輻射劑量輪廓。舉例而言，或者或另外，可藉由控制基板上之每一點之曝光的持續時間而控制藉由該點接收之輻射劑量。作為一另外實例，基板上之每一點可在複數次順次曝光中潛在地接收輻射。因此，或者或另外，可藉由使用複數次順次曝光之選定子集來曝光每一點而控制藉由該點接收之輻射劑量。
為了在基板上形成所要圖案，在曝光程序期間之每一階段將圖案化元件中之個別可控制器件中每一者設定至適用狀態。因此，將表示適用狀態之控制信號傳輸至個別可控制器件中每一者。在一實例中，微影裝置包括產生控制信號之控制器。可以向量界定格式(諸如，GDSII)向微影裝置提供待形成於基板上之圖案。為了將設計資訊轉換成用於每一個別可控制器件之控制信號，控制器包括一或多個資料操縱元件，一或多個資料操縱元件各自經組態以對表示圖案之資料串流執行處理步驟。資料操縱元件可被集體地稱作「資料路徑(datapath)」。
資料路徑之資料操縱元件可經組態以執行以下功能中之一或多者：將以向量為基礎之設計資訊轉換成點陣圖圖案資料；將點陣圖圖案資料轉換成輻射劑量映像(即，橫越基板之輻射劑量輪廓)；將輻射劑量映像轉換成用於每一個別可控制器件之輻射強度值；及將用於每一個別可控制器件之輻射強度值轉換成對應控制信號。
圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置之配置。此實施例可用於(例如)平板顯示器之製造中。對應於圖1所示之組件的組件係以相同元件符號予以描繪。又，各種實施例(例如，基板、對比元件、MLA、輻射光束等等之各種組態)之以上描述仍適用。
如圖2所示，投影系統PS包括光束擴展器，光束擴展器包含兩個透鏡L1、L2。第一透鏡L1經配置以接收經調變輻射光束B且將其聚焦通過孔徑光闌AS中之孔徑。另外透鏡AL可位於該孔徑中。接著，輻射光束B發散且係藉由第二透鏡L2(例如，場透鏡)聚焦。
投影系統PS進一步包含透鏡陣列MLA，透鏡陣列MLA經配置以接收經擴展之經調變輻射B。對應於圖案化元件PD中之一或多個個別可控制器件的經調變輻射光束B之不同部分傳遞通過透鏡陣列MLA中之各別不同透鏡。每一透鏡ML將經調變輻射光束B之各別部分聚焦至位於基板W上之點。以此方式，將輻射光點S之陣列曝光至基板W上。應瞭解，儘管展示所說明透鏡陣列14之僅八個透鏡，但該透鏡陣列可包含數千個透鏡(對於用作圖案化元件PD之個別可控制器件陣列亦如此)。
圖3示意性地說明根據本發明之一實施例的如何使用圖2之系統來產生基板W上之圖案。實心圓圈表示藉由投影系統PS中之透鏡陣列MLA投影至基板W上的光點S之陣列。隨著在基板W上曝光一系列曝光，基板W在Y方向上相對於透鏡系統PS而移動。空心圓圈表示先前已在基板W上曝光之光點曝光SE。如圖所示，藉由投影系統PS內之透鏡陣列投影至基板上的每一光點曝光基板W上的光點曝光之列R。藉由光點S中每一者所曝光的光點曝光SE之所有列R的總和來產生用於基板之完整圖案。此配置通常被稱作上文所論述之「像素柵格成像」。
可看出，輻射光點S之陣列經配置為相對於基板W成角度θ(該基板之邊緣平行於X及Y方向)。如此進行以使得當在掃描方向(Y方向)上移動基板時，每一輻射光點將傳遞遍及基板之不同區域，藉此允許藉由輻射光點15之陣列來覆蓋整個基板。在一實例中，角度θ為至多20°、10°，例如，至多5°、至多3°、至多1°、至多0.5°、至多0.25°、至多0.10°、至多0.05°或至多0.01°。在一實例中，角度θ為至少0.001°。
圖4示意性地展示根據本發明之一實施例的可如何使用複數個光學引擎在單次掃描中曝光整個平板顯示器基板W。在所示實例中，輻射光點S之八個陣列SA係藉由八個光學引擎(圖中未繪示)產生，該等光學引擎係以「棋盤(chess board)」組態而配置成兩個列R1、R2，使得輻射光點S之一個陣列的邊緣與輻射光點之鄰近陣列的邊緣稍微重疊(在掃描方向Y上)。在一實例中，光學引擎經配置成至少3個列，例如，4個列或5個列。以此方式，輻射頻帶延伸橫越基板W之寬度，從而允許在單次掃描中執行整個基板之曝光。應瞭解，可使用任何合適數目個光學引擎。在一實例中，光學引擎之數目為至少1個，例如，至少2個、至少4個、至少8個、至少10個、至少12個、至少14個或至少17個。在一實例中，光學引擎之數目小於40個，例如，小於30個或小於20個。
每一光學引擎可包含如上文論述之分離照明系統IL、圖案化元件PD及投影系統PS。然而，應瞭解，兩個或兩個以上光學引擎可共用照明系統、圖案化元件及投影系統中之一或多者的至少一部分。
在一實施例中，供應照明器之輻射源SO為連續輻射源，尤其是燈(例如，Hg燈)。結合此連續源SO，個別可控制器件係以(例如)至少約50千赫茲、至少約80千赫茲或至少約100千赫茲之速率而接通(ON)及斷開(OFF)。
本發明之一實施例提供一種微影系統，微影系統具有包含複數個個別可控制器件之圖案化元件，複數個個別可控制器件可經設定至兩個狀態中之一者，即，輻射被引導至基板之對應部分的第一狀態，或輻射未被引導至基板之對應部分的第二狀態。因而，本發明之一實施例可與已知黑白對比元件一起予以使用。然而，此圖案化元件係以不同於通常已知之方式的方式予以使用。
圖5示意性地描繪根據本發明之一實施例的程序，該程序用於自想要形成於基板上之圖案之表示判定圖案化元件所需要之控制信號。
圖6示意性地描繪用於此程序之系統之器件。詳言之，如圖所示，微影裝置可包括用於執行該程序(即，判定用於個別可控制器件31之控制信號)之控制器32。
如圖5中所表示，想要形成於基板W上之圖案20形成該程序之開始點。在該程序之第一步驟21中，將意欲形成於基板上之圖案20之表示轉換成複數個區域強度信號22。該等區域強度信號中每一者對應於將設定於圖案化元件30之每一各別區域中之一輻射強度位準，以便使經設定於該圖案化元件之每一區域中之所有各別輻射強度位準在基板處之效應將為所要圖案20。換言之，區域強度信號對應於在如下情況下將使用之設定：在圖案化元件30上之每一區域處提供一個個別可控制器件，且圖案化元件30經組態以使用灰階，即，其中個別可控制器件中每一者能夠設定至複數個不同輻射強度位準。因而，此程序可對應於用於產生用於灰階對比元件之控制信號的已知程序。
在後續步驟23中，將區域強度信號22各自轉換成用於設定複數個個別可控制器件31之複數個控制信號24。
詳言之，如上文所論述，每一區域強度信號22係與用於圖案化元件30之區域的輻射強度有關。每一此區域包括複數個個別可控制器件31，複數個個別可控制器件31各自可經設定至兩個狀態中之一者，如上文所論述。因而，步驟23將區域強度信號22中每一者轉換成用以設定與該區域強度信號相關聯的圖案化元件30之區域中之每一個別可控制器件31的控制信號24。
用於將區域強度信號轉換成用於各別個別可控制器件之複數個控制信號的程序23經配置成使得將圖案化元件30之區域中之每一個別可控制器件設定至其各別狀態之組合效應係使得用於該區域之總輻射強度對應於藉由對應區域強度信號規定之輻射強度。可接著藉由控制器32將用於個別可控制器件之控制信號24提供至個別可控制器件31，以便設定圖案化元件30。
相比於先前已知無光罩微影系統，此實施例之配置具有一或多個優點。詳言之，因為使用複數個黑白個別可控制器件以模仿單一灰階個別可控制器件之效應，所以相比於針對使用黑白對比元件之習知無光罩微影系統將使用的個別可控制器件，針對具有臨界尺寸之大小之基板上之每一單位面積使用較少個別可控制器件。
此情形可藉由考慮如下事實予以理解：在使用黑白對比元件之習知系統中，僅對應於一特徵之邊緣的個別可控制器件係用以調整該特徵之邊緣之位置，即，藉由呈一列之個別可控制器件在兩個可用狀態之間切換。
與此對比，在此實施例之配置中，改變圖案化元件上之區域內之任一個別可控制器件的狀態可用以調整該特徵之邊緣之位置，即，不僅僅是在特徵邊界處之個別可控制器件。因而，使用離開一特徵之所欲邊緣之個別可控制器件來微調該特徵之邊緣之位置的此可能性具有如下結果：可能沒有必要提供對應於該特徵之邊緣之每一可能位置的個別可控制器件列。因而，用於具有臨界尺寸之大小之基板上之每一單位面積的個別可控制器件之數目縮減。又，此情形可縮減光學圓柱之總數目，從而縮減微影裝置之貨品成本。
在本發明之一實施例中，如圖5所描繪，該程序亦可包括修改想要形成於基板上之圖案20之表示以考量基板之失真及/或基板之位置誤差的步驟25。舉例而言，在將圖案曝光於基板上之程序期間，可藉由感測器33檢測基板，以便量測基板自標稱基板幾何形狀之失真及/或基板之位置誤差。藉由以對應於基板之經量測失真及/或位置誤差的方式修改待形成於基板上之圖案，可使在用以於基板上形成元件之程序之給定部分中投影至基板上之圖案與先前形成於基板上之元件之層準確地對準。
如圖5所示，在將待形成於基板上之圖案之表示轉換成複數個區域強度信號的步驟之前，可提供分離步驟25以使用關於基板之失真的來自感測器33之資料來修改想要形成於基板上之圖案20之表示。然而，或者，可在用於將想要形成於基板上之圖案之表示轉換成複數個區域強度信號的程序21中考量藉由感測器33對基板之失真的量測。
因此，應瞭解，根據此實施例之微影系統可有利地考量基板之失真，以便改良隨後形成之影像相對於基板上之元件之先前形成之層的疊對準確性。在用於使用黑白對比元件之通常已知之系統中可能不提供此可能性，該黑白對比元件(如上文所論述)可限於先前判定之圖案且因此可能不易於根據基板失真予以修改。
在本發明之一實施例中，如圖5所示，在將區域強度信號22轉換成用於個別可控制器件31中每一者之複數個控制信號24的步驟23期間，可考量關於非回應個別可控制器件31之資訊26。因而，舉例而言，若個別可控制器件已知永久地呈用於個別可控制器件之兩個可能狀態中之一者(不管施加於個別可控制器件之控制信號)，則轉換用於對應複數個個別可控制器件之控制信號的步驟23可經組態成使得假定非回應個別可控制器件31將保持於該狀態。
舉例而言，程序可經配置成使得若圖案化元件30之給定區域中的個別可控制器件31中之一半待設定至第一狀態，則已知永久地呈第一狀態之任何非回應個別可控制器件31包括於待設定至第一狀態的個別可控制器件31之群組中。
因而，此配置可藉助於相對簡單處理(諸如本文進一步詳細地所論述)而考量非回應個別可控制器件之已知狀態。詳言之，此系統之計算複雜性可能不會顯著地增加。此係與使用灰階對比元件之先前已知系統進行比較，在該系統中，通常沒有可能補償非回應個別可控制器件。此外，在可考量非回應個別可控制器件的使用灰階對比元件之先前已知系統中，計算複雜性會顯著地增加。
圖7示意性地描繪可在一實施例中用以將區域強度信號22轉換成用於個別可控制器件31之對應集合之複數個控制信號24的程序。
為了轉換區域強度信號，程序23使用一系列查找表27。舉例而言，此等查找表可儲存於為控制器32之部件的記憶體32a中。查找表27可(例如)規定用於對應於圖案化元件30上之區域之個別可控制器件集合的複數個控制信號，複數個控制信號係用於區域強度信號22之每一可能設定。可藉由針對區域強度信號22之每一所要設定使對應複數個個別可控制器件之狀態擬合於用於圖案化元件30上之區域的所要有效點展開函數來產生控制信號集合。
因而，藉由自查找表27選擇與特定區域強度信號22相關聯的用於個別可控制器件31之適當控制信號集合，該程序可將區域強度信號22轉換成複數個控制信號24。可以相對很少計算複雜性執行此程序。
在一實施例中，查找表27針對圖案化元件30之所有區域可為共同的。
在一實施例中，可針對圖案化元件30之每一不同區域提供查找表27之各別集合。在此配置中，可選擇查找表27，以便考量圖案化元件30之每一區域內之任何非回應個別可控制器件31。因而，舉例而言，對於同一區域強度信號，待設定至第一狀態之個別可控制器件31之不同分佈(例如)可用於圖案化元件30之不同區域。因而，可縮減或最小化非回應個別可控制器件31之影響。
或者或另外，用於圖案化元件30之每一不同區域的控制信號集合可考量個別可控制器件31之已知位置誤差。以此方式，上文所論述的用於產生區域強度信號22之程序可能無需能夠考量光點位置誤差。
應瞭解，在一實施例中，可週期性地更新查找表27以考量新識別之非回應個別可控制器件及/或新識別之光點位置誤差(在需要時)。
在一實施例中，或者或另外，查找表27可經組態以考量圖案梯度資訊。因而，舉例而言，可選擇用於圖案化元件30之區域的控制信號集合，使得針對圖案化元件30之區域有效地產生的所得點展開函數相對於圖案化元件30之區域在圖案中之位置係適當的(可能地被最佳化)。舉例而言，對於區域強度信號22之給定值，相比於圖案特徵之對置側上之邊緣，針對圖案特徵之一個側上之邊緣，可自查找表27選擇用於圖案化元件30之區域的不同控制信號集合。
圖8示意性地描繪用於將區域強度信號22轉換成用於圖案化元件30之區域之對應個別可控制器件之各別複數個控制信號24的另外實施例之程序。
在轉換程序23之第一部分23a中，判定圖案化元件之區域內的個別可控制器件31之數目，個別可控制器件31應經設定至第一狀態，以便使圖案化元件30之區域將藉由區域強度信號22指定之輻射強度引導至基板。在轉換程序23之第二部分23b中，經設定至第一狀態之經判定數目個個別可控制器件31可橫越圖案化元件30之區域而分佈，以便產生用於該區域內之複數個個別可控制器件31的控制信號24。
可藉由任何數目個方式執行分佈程序23b。舉例而言，分佈程序可為隨機的、偽隨機的，或可提供一演算法，以便橫越圖案化元件30之區域而實質上均勻地分佈經設定至第一狀態之個別可控制器件31。應瞭解，可使用其他分佈程序。亦應瞭解，分佈程序23b可考量圖案化元件30之每一區域中的非回應個別可控制器件31。
亦應瞭解，可使用複數個不同程序，以便將想要形成於基板上之圖案之表示轉換成複數個區域強度信號22，如上文所論述。
在一實施例中，控制器32可使用自圖案化元件之每一區域所導出的橫越基板之輻射強度分佈之表示(通常被稱為點展開函數)。對於基板上之每一點，自想要形成於基板上之圖案判定在基板處所想要之輻射強度。自此輻射強度，可演算待設定於圖案化元件之每一區域處的輻射強度位準，使得考量各別點展開函數的來自每一區域之貢獻之總和等於在基板處所想要之輻射強度。
應瞭解，用以判定最佳解之演算可為計算上密集型的。然而，應瞭解，對在基板上之一點處所接收之輻射強度的最大貢獻係藉由圖案化元件30上之單一對應點提供。此外，離圖案化元件上之此點愈遠，則對在基板處所接收之強度的貢獻愈小。因而，即使當演算限於僅考慮一有限區帶(其環繞對應於基板上之所關注點的圖案化元件30上之點)內的圖案化元件30上之區域之貢獻時，亦可找到解之良好近似。換言之，所考量之每一點展開函數之效應可限於基板之一部分，該部分環繞對應於圖案化元件之區域的點。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在特定元件(例如，積體電路或平板顯示器)之製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用。應用包括(但不限於)製造積體電路、整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微機電元件(MEMS)，等等。又，舉例而言，在平板顯示器中，本發明之裝置可用以輔助創製多種層，例如，薄膜電晶體層及/或彩色濾光器層。
雖然上文已描述本發明之各種實施例，但應理解，該等實施例僅係藉由實例而非限制予以呈現。對於熟習相關技術者將顯而易見，在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，可在該等實施例中進行形式及細節之各種改變。因此，本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物予以界定。本申請案闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個但未必所有例示性實施例，且因此，該等實施例不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
1．．．微影裝置
20．．．圖案
21．．．程序之第一步驟/程序
22．．．區域強度信號
23．．．後續步驟/轉換程序
23a．．．轉換程序之第一部分
23b．．．轉換程序之第二部分/分佈程序
24．．．控制信號
25．．．分離步驟
26．．．資訊
27．．．查找表
30．．．圖案化元件
31．．．個別可控制器件
32．．．控制器
32a．．．記憶體
33．．．感測器
AD．．．調整器
AL．．．透鏡
AS．．．孔徑光闌
B．．．輻射光束/經擴展之經調變輻射
BD．．．光束遞送系統
BS．．．部分反射光學器件/光束分裂器
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積光器
L1．．．第一透鏡
L2．．．第二透鏡
ML．．．透鏡
MLA．．．透鏡陣列
PD．．．圖案化元件
PS．．．投影系統
PW．．．定位器
R．．．列
R1．．．列
R2．．．列
S．．．輻射光點
SA．．．輻射光點之陣列
SE．．．光點曝光
SO．．．源/輻射源
W．．．基板/平板顯示器基板
WT．．．基板台
圖1及圖2描繪根據本發明之各種實施例的微影裝置；
圖3描繪使用如圖2所示的本發明之一實施例將圖案轉印至基板的模式；
圖4描繪根據本發明之一實施例的光學引擎之配置；
圖5描繪用以判定用於控制圖案化元件之控制信號的根據一實施例的程序之配置；
圖6描繪根據一實施例的微影裝置之控制系統之示意性配置；
圖7描繪根據一實施例的圖5之程序之細節；及
圖8描繪根據一實施例的圖5之程序之細節之替代配置。
已參看隨附圖式而描述本發明之實施例。在該等圖式中，類似元件符號可指示相同或功能上相似之器件。
AL．．．透鏡
AS．．．孔徑光闌
B．．．輻射光束/經擴展之經調變輻射
BD．．．光束遞送系統
IL．．．照明系統/照明器
L1．．．第一透鏡
L2．．．第二透鏡
ML．．．透鏡
MLA．．．透鏡陣列
PD．．．圖案化元件
PS．．．投影系統
S．．．輻射光點
SO．．．源/輻射源
W．．．基板/平板顯示器基板
WT．．．基板台

Claims (22)

  1. 一種在一微影裝置中控制一圖案化元件之方法，該微影裝置經組態以在一基板上形成一影像，其中該圖案化元件包含複數個個別可控制器件，該複數個個別可控制器件各自可經設定至輻射被引導至該基板之一對應部分的一第一狀態，或輻射未被引導至該基板之一對應部分的一第二狀態，該方法包含：將想要形成於一基板上之一圖案之一表示轉換成複數個區域強度信號，該複數個區域強度信號各自對應於待設定於該圖案化元件之一各別區域中之一輻射強度位準，使得經設定於該圖案化元件之每一區域中之該等各別輻射強度位準在該基板處之效應為該所要圖案；將該等區域強度信號中每一者轉換成用於對應於該圖案化元件之該區域之各別複數個個別可控制器件的複數個控制信號，使得將該等個別可控制器件設定至適當狀態，以使在使用時將該區域中之所有該等個別可控制器件設定至該等狀態之組合效應係提供在該區域強度信號中所規定的(specified)用於該區域之該輻射強度位準；及根據該等個別可控制器件中每一者之關聯控制信號來設定該等個別可控制器件中之每一者。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含：檢測該基板，以便判定選自以下各者之至少一者：該基板自一標稱幾何形狀之一失真，或該基板之一位置誤 差；及藉由根據該基板之該失真及/或該位置誤差來修改想要形成於該基板上之一標稱圖案而判定想要形成於該基板上之該圖案。
  3. 如請求項2之方法，其中將想要形成於該基板上之該圖案之該表示轉換成該複數個區域強度信號包括：根據該基板之該失真及/或該位置誤差來修改想要形成於該基板上之一標稱圖案。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中將想要形成於該基板上之該圖案之該表示轉換成該複數個區域強度信號會使用自該圖案化元件之每一區域所導出的橫越該基板之輻射強度分佈之一表示，且判定用於該圖案化元件之每一區域之該等輻射強度位準，使得在該基板上之每一點處，自該圖案化元件之該等區域中每一者所接收之輻射之總和等於在想要形成於該基板上之該圖案中用於該基板上之該點之該各別輻射強度。
  5. 如請求項4之方法，其中所使用的自該圖案化元件之每一區域所導出的橫越該基板之該輻射強度分佈限於該基板之一部分，該部分環繞對應於該圖案化元件之該區域之中心的在該基板上之一點。
  6. 如請求項1至3中任一項之方法，其中將該等區域強度信號轉換成該複數個控制信號會考量對控制信號非回應之個別可控制器件之已知狀態。
  7. 如請求項1至3中任一項之方法，其中將該等區域強度信 號轉換成該複數個控制信號包含自用於每一區域強度信號之一查找表選擇用於該圖案化元件之一區域中之該等個別可控制器件的一對應控制信號集合。
  8. 如請求項7之方法，其中針對該圖案化元件之每一區域使用一分離查找表，該分離查找表使每一可能區域強度信號與用於該圖案化元件之該區域之該等個別可控制器件的一對應控制信號集合有關。
  9. 如請求項1至3中任一項之方法，其中將該等區域強度信號轉換成該複數個控制信號包含：針對該圖案化元件之每一區域判定待設定至該第一狀態的該區域之個別可控制器件之數目，以便在該基板上之該對應部分處提供所要總輻射強度；及判定用於該圖案化元件之該區域之該等個別可控制器件的該等控制信號，使得經設定至該第一狀態之該數目個個別可控制器件橫越該區域而分佈。
  10. 如請求項9之方法，其中經設定至該第一狀態之該等個別可控制器件橫越該區域隨機地、偽隨機地或均勻地分佈。
  11. 一種元件製造方法，其包含：使用包含一個別可控制器件陣列之一圖案化元件以將一圖案賦予至一輻射光束；及將該輻射光束投影至一基板上；其中該等個別可控制器件中每一者可經設定至輻射被引導至該基板之一對應部分的一第一狀態，或輻射未被 引導至該基板之一對應部分的一第二狀態；且該圖案化元件係根據如請求項1至10中任一項之方法予以控制。
  12. 一種平板顯示器，其係根據如請求項11之方法予以製造。
  13. 一種積體電路元件，其係根據如請求項11之方法予以製造。
  14. 一種微影裝置，其包含：一圖案化元件，其包含用以將一圖案賦予至一輻射光束之複數個個別可控制器件；一投影系統，其經組態以將該輻射光束投影至一基板上；及一處理器，其經組態以：將想要形成於一基板上之一圖案之一表示轉換成複數個區域強度信號，該複數個區域強度信號各自對應於待設定於該圖案化元件之一各別區域中之一輻射強度位準，使得經設定於該圖案化元件之每一區域中之該等各別輻射強度位準在該基板處之效應為該所要圖案；將該等區域強度信號中每一者轉換成用於對應於該圖案化元件之該區域之各別複數個個別可控制器件的複數個控制信號，使得將該等個別可控制器件設定至適當狀態，以使在使用時將該區域中之所有該等個別可控制器件設定至該等狀態之組合效應係提供用於該區域之該輻射強度位準；及 將該等控制信號提供至該等個別可控制器件以設定該等個別可控制器件中每一者之該狀態。
  15. 如請求項14之微影裝置，其進一步包含一感測器，該感測器經組態以檢測該基板，以便判定該基板自一標稱幾何形狀之失真；且該控制器經進一步組態以藉由根據自該感測器所判定的該基板之該失真來修改想要形成於該基板上之一標稱圖案而判定想要形成於該基板上之該圖案。
  16. 如請求項14或15之微影裝置，其中該控制器經組態成使得當將想要形成於一基板上之一圖案之一表示轉換成複數個區域強度信號時，該控制器使用自該圖案化元件之每一區域所導出的橫越該基板之輻射強度分佈之一表示，且判定用於該圖案化元件之每一區域之該等輻射強度位準，使得在該基板上之每一點處，自該圖案化元件之該等區域中每一者所接收之輻射之總和等於在想要形成於該基板上之該圖案中用於該基板上之該點之該各別輻射強度。
  17. 如請求項16之微影裝置，其中所使用的自該圖案化元件之每一區域所導出的橫越該基板之該輻射強度分佈限於該基板之一部分，該部分環繞對應於該圖案化元件之該區域之中心的在該基板上之一點。
  18. 如請求項14或15之微影裝置，其中該控制器經組態以在考量對控制信號非回應之個別可控制器件之已知狀態的情況下將該等區域強度信號轉換成用於各別複數個個別 可控制器件之複數個控制信號。
  19. 如請求項14或15之微影裝置，其中該控制器包含一記憶體，該記憶體儲存使可能區域強度信號與用於一區域之該等個別可控制器件之一對應控制信號集合有關的一查找表；且該控制器經組態以使用該查找表將該等區域強度信號轉換成複數個控制信號。
  20. 如請求項19之微影裝置，其中該記憶體包含用於該圖案化元件之每一區域之一分離查找表。
  21. 如請求項14或15之微影裝置，其中該控制器經組態以藉由以下步驟將該等區域強度信號轉換成用於各別複數個個別可控制器件之複數個控制信號：針對該圖案化元件之每一區域判定待設定至該第一狀態的該區域之個別可控制器件之數目，以便在該基板上之該對應部分處提供所要總輻射強度；及判定用於該圖案化元件之該區域之該等個別可控制器件的該等控制信號，使得經設定至該第一狀態之該數目個個別可控制器件橫越該區域而分佈。
  22. 如請求項21之微影裝置，其中該控制器經組態成使得經設定至該第一狀態之該等個別可控制器件橫越該區域隨機地、偽隨機地或均勻地分佈。
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