CN1661481A - 光刻装置及器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种包括多个平行的平面反射表面衍射光学MEMS器件和一个传动器系统的光刻装置。所述传动器系统用来在垂直于所述平面反射器的方向上调节各平面反射器的位置，以改变与所述器件的光相互作用特性(例如相位、强度等)。

Description

光刻装置及器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置和器件制造方法。

背景技术

光刻装置是一种在基片的目标部分施加要求的图案的机器。例如，光刻装置可用在集成电路(IC)、平板显示器以及涉及精细结构的其它器件的制造中。传统的光刻装置中，可使用图案形成件(也称为掩膜或掩模版(reticle))产生与IC(或其它器件)的各层相对应的电路图案，并且该图案可成像在基片(例如，硅片或玻璃片)的目标部分(例如，包括芯片的一部分、一个芯片或若干芯片)。该目标部分上有辐射敏感材料(例如光刻胶)。图案形成件可包括产生电路图案的独立可控单元的阵列，用来代替掩膜。

一般，单个基片会包括被连续曝光的相邻目标部分形成的网格。公知的光刻装置包括分步投射光刻机(stepper)和扫描机。在分步投射光刻机中，以一次通过就将整个图案曝光到目标部分的方式来照射各目标部分。在扫描机中，通过给定方向(扫描方向)上用投射光束扫描图案，同时与该方向平行或反平行地对基片进行同步扫描，来对目标部分进行照射。

使用包括独立可控单元(例如，光栅光阀)的阵列的图案形成装置的光刻装置是公知的。尤其，其中各独立可控单元为衍射光学MEMS器件的光刻装置是公知的。各衍射光学MEMS器件可包括多个反射条。相间的条可相对于其余的条变形，结果，未变形的反射条便形成光栅(例如，衍射光栅)。因此，在未形变状态时，衍射光学MEMS器件作为平面反射器，反射入射光线。在形变状态时，衍射光学MEMS器件用作光栅，入射光线被衍射。

使用适当的空间滤波器，可从由独立可控单元的阵列返回的射束中滤除未衍射的光线(即，由作为平面反射器的衍射光学MEMS反射的光线)，仅剩下到达基片的衍射光。通过这种方式，光束被按照衍射光学MEMS器件阵列的寻址图案(addressing pattern)图案化。一般，该阵列可矩阵寻址(matrix-addressable)，通过使用适当的电子手段进行。

但是，由于各器件只能控制指向基片的一部分的辐射的强度，并不能相对来自相邻器件的辐射来调整辐射的相位，因此，衍射光学MEMS器件的使用是受限的。

发明内容

本发明的实施例提供了一种能够利用对比度和相位信息二者对射束进行图案化处理的独立可控单元的阵列。

本发明的一实施例提供了一种用于对射束进行图案化的图案形成阵列，该图案形成阵列包括多个独立可控单元。各独立可控单元包括一排基本平行的平面反射器和用以在基本垂直于反射器的传动方向上设定反射器位置的传动器系统。该传动器系统可在传动方向上，将第一组的一个或多个反射器设定到距图像形成阵列的底部为第一多个距离中的一个要求的距离处，并且该传动器系统可在传动方向上，独立于第一组反射器，将第二组的一个或多个反射器设定到距该底部为第二多个距离中的一个要求的距离处。

因此，通过独立地传动两组反射器，不仅可在垂直于反射器的方向上，控制发射器之间的间隔，由此控制辐射是否被反射或衍射(并从而控制被图案化的射束的对比度，被反射或衍射的辐射已从该图案化的射束中滤除)，而且还可控制所有反射器相对图案形成阵列底部的位置。上述方法能够控制从各独立可控单元反射或衍射的辐射相对于相邻独立可控单元的相位。因而，这种图案形成阵列可用于用对比度和相位信息对射束进行图案化。

最好，行内相间的反射器在第一组反射器内，而剩余的反射器在第二组内。因而，通过设定第一组反射器到图案形成阵列底部的距离不同于第二组反射器，形成衍射入射辐射的光栅。在一优选配置中，各独立可控单元包括一排六个平面反射器，三个在第一组，三个在第二组。在另一优选实施例中，该行内的相邻反射器之间的间隔基本为将要进行图案化的射束的辐射波长的四分之一。发明人还考虑了许多其他组合。

可对传动器系统进行配置，以将第一和第二多个距离中的至少一个设定为至少三个不同距离。因此，可将反射镜组之间的距离和/或反射器到底部的距离(换言之，对比度控制和相位控制中的至少一种)设定为至少三种设置中的一个。因而，除了提供对比度和相位控制，独立可控单元可提供对比度控制和相位控制中至少一种的中间等级。独立可控单元最好能提供多个相位和对比度的中间等级。这种性能可用于更多地控制基片上产生的图案。

控制第一和第二多个距离中的至少一个可包括提供一个连续的数值范围。这种方法可转而提供独立可控单元产生的相位和/或对比度的连续控制。这种方法进一步增强了对通过曝光产生在基片上的图案的控制。

可对传动器系统进行设置，以独立调整第一组和第二组中至少一组内的各反射器的位置。对于增加可获得的对比度、提供更多的成像效果和/或提供各独立可控单元的相位以及对比度控制的增强校准控制，这种方法是可取的。然而，应该知道，各反射器的独立控制会增加传动器系统和/或控制该传动器系统的控制系统的复杂性。

本发明的另一实施例提供了一种光刻装置，该光刻装置包括用以提供投射射束的照明系统；上述的用以对该投射光束进行图案处理的图案形成阵列；用以支持基片的基片台以及用以将该图案化光束投射到该基片的目标部分的投射系统。

该光刻装置最好还包括一聚焦单元阵列，各聚焦单元将来自照明系统的部分射束聚焦到图像形成阵列内的独立可控单元之一的若干平面反射器上。因而，可将射束只导引到独立可控单元的主动部分，即可进行调整以控制辐射的相位和对比度的部分。因而，改善了结果图案化射束的对比度和相位控制。

聚焦单元阵列内的各聚焦单元还可收集从其相关联的独立可控单元反射和/或衍射的辐射，并将该辐射引导到投射系统。因而，在被投射到基片上的结果图像化射束中，来自相邻独立可控单元的辐射被彼此相邻地投射到基片上。如果松散拼合(loosely-packed)的独立可控单元阵列直接投射到基片上，则不会出现上述情况。在后一情况下，来自相邻的独立可控单元的辐射投射到基片上的不相邻的位置。因而，使用聚焦单元阵列能够有效地利用相邻独立可控单元的相位控制。例如，这种方法可用来改善空中图像(aerial image)中的对比度，增加可印出的清晰度。

本发明的又一实施例提供了一种器件制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供基片；使用照明系统提供投射射束；使用图案形成阵列，在投射射束的横截面上向投射射束传递图案以及将图案化射束投射到基片的目标部分上。该图案形成阵列包括多个独立可控单元，各独立可控单元包括一排基本平行的平面反射器以及一个传动器系统，该传动器系统用于在基本垂直于这些反射器的传动方向上设定这些反射器的位置。对于各独立可控单元，传动器系统用于在传动方向上，将第一组的一个或多个反射器设定到距图案形成阵列的底部为第一多个距离中一个要求的距离处，并在传动方向上，独立于第一组，将第二组的一个或多个反射器设定到距该底部为第二多个距离中一个要求的距离处。

附图说明

本申请结合附图说明本发明，该附图构成说明书的一部分，连同描述部分进一步解释了本发明的基本原理，使本领域的技术人员能够完成并使用本发明。

图1描述了本发明一实施例的光刻装置。

图2描述了本发明一实施例的处于第一状态的独立可控单元。

图3描述了本发明一实施例的处于第二状态的独立可控单元。

图4描述了本发明一实施例的独立可控单元阵列。

图5a、5b、5c和5d描述了本发明一实施例的处于四种不同状态的独立可控单元的横截面。

以下，参照附图就本发明进行描述。附图中，相同的标记指同一的或功能上类同的元件。

具体实施方式

本申请所用的“独立可控单元的阵列”应广义理解为指可用于使入射射束具有图案化横截面，以便在基片的目标部分产生要求的图案的任何装置。在这种语义环境中，也可使用“光阀”、“光栅光阀”、“空间光调制器”(SLM)。这种图案形成装置的示例可包括以下描述的装置。

应该知道，在使用特征的预偏置(pre-biasing)、光学近似校正特征、相位变化技术和多次曝光技术的情况下，例如，“显示”在独立可控单元的阵列上的图案可与最后转移到基片的层或基片上的层上的图案不基本相同。类似地，最后在基片上产生的图案可与独立可控单元的上任意时刻产生的图案不一致。这种情况会出现在这样的配置中：在该配置中，最后在基片的各部分形成的图案是在给定的时间间隔内或给定的曝光次数内逐步形成，在过程中，独立可控单元阵列上的图案和/或基片的相对位置发生变化。

尽管在本申请中，参照了在IC制造中使用的特定光刻装置，但应该理解，本申请所描述的光刻装置可具有其它应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的导引到和检测图案、平板显示器、薄膜磁头等。本领域的技术人员应该知道，在这些选择性应用中，可认为本申请所使用的任何“晶片”或“芯片”分别与更广义的“基片”或“目标部分”同义。例如，在曝光之前或以后，在导引到装置(一般用来在基片上涂覆光刻胶并对曝光的光刻胶进行显影的工具)中或在计量或检验工具中，可对本申请提及的基片进行处理。适用时，本申请的揭示内容可用于上述或其它基片处理工具。此外，可对基片进行多次处理，例如为了产生多层IC，所以本申请所使用的“基片”也指已经包括多个经处理的层的基片。

本申请所用的“辐射”和“射束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，波长为365、248、193、157或126nm的辐射)、极远紫外(EUV)辐射(例如，波长在5-20nm之间的辐射)以及粒子束(例如，离子束或电子束)。

本申请所使用的“投射系统”应广泛地解释为包含各种类型投射系统，包括折射光学系统、反射光学系统以及反折射光学系统，例如，适合所用的曝光辐射或适合其它条件(例如，使用浸入液体或使用真空)的投射系统。可认为本申请所使用的任何“透镜”与更上位的“投射系统”同义。

照明系统也可包括各种类型的光学元件，包括用于导引到、整形或控制投射射束的折射、反射和反折射光学元件，并且在下文中，这些光学元件还被集合地或者单独地称为“透镜”。

光刻装置可具有两个(双级)或多个基片台(和/或两个或多个掩模台)。在这种“多级”机器中，可并行地使用附加台，或者是当一个或多个台正用于曝光时，可在一个或多个其它台上进行准备步骤。

光刻装置还可以将基片浸入具有相对高折射率的液体(例如水)中，以填充投射系统的最后元件和基片之间的空间。浸入液体也可加到该光刻装置内的其它空间中，例如，掩模和投射系统的第一元件之间的空间。用以增加投射系统的数值孔径的浸入技术是本领域中的公知技术。

图1示意性地描述了本发明一实施例的光刻投射装置100，装置100至少包括辐射系统102(例如，EX、IL(例如，AM、IN、CO等))、单独可控单元的阵列PPM 104、载物台WT 106(例如，基片台)和投射系统(“透镜”)PL 108。

辐射系统102可用以提供投射射束PB 110(例如，UV辐射)，在该特定情况下，辐射系统102还包括一个辐射源LA 112。

单独可控单元的阵列104(例如，可编程反射镜阵列)可用以在投射射束110上施加图案。一般地，单独可控单元的阵列104的位置可以相对投射装置108固定。然而，在一可选择的配置中，单独可控单元的阵列104可与定位装置(未图示)相连，以相对投射系统精确定位该单独可控单元的阵列104。如本申请所述的，单独可控单元的阵列104是反射型的(例如，设有一个单独可控单元的反射阵列)。

载物台106可设有用以固定基片W 114(例如，涂覆光刻胶的硅片和玻璃基片)的基片固定装置，并且载物台106可与定位装置PW116相连，以相对投射系统108精确地定位基片114。

投射系统(例如，透镜)108(例如，石英和/或CaF₂透镜系统或由上述材料制成的反折射系统，或者反射镜系统)可用于将从分束器118接收的图案化的射束投射到基片114的目标部分C 120(例如，一个或多个芯片)上。投射装置108可将单独可控单元的阵列104的图像投射到基片114上。另外，投射系统108也可投射第二辐射源的像，独立可控单元的阵列104的元件作为该辐射源的遮光器(shutter)。投射装置108还可包括微透镜阵列(MLN)，以形成第二辐射源，并将微光点投射到基片114上。

辐射源112(例如，激基激光器)可产生射束122。该射束122直接或经过调整装置126(例如，扩束器Ex)之后，被送入照明系统(照明装置)IL 124。照明装置124可包括用于设定射束122的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称作σ-外和σ-内)的调节装置AM 128。另外，照明装置124一般还包括各种其它元件，例如积分器IN 130和集光器CO132。通过这种方法，照射到单独可控单元的阵列104的射束110的横截面上具有要求的均匀度和强度分布。

值得注意，关于图1，辐射源112可位于光刻投射装置100的外壳内(例如，当辐射源是汞灯时，经常为这种情况)。在可选用的实施例中，辐射源112也可远离光刻投射装置100而设置。在这种情况下，射束122将被引入光刻投射装置100(例如，在适当的定向镜的辅助下)。后一种情况通常出现在当辐射源112为激基激光器时。应该明白，这两种情况都是在本发明的考虑范围内。

在经分束器118导引后，射束110随后与独立可控单元阵列104相交。由独立可控单元的阵列104反射后，射束110通过投射系统108，该投射系统108将射束110聚焦到基片114的目标部分120。

借助于定位装置116(和底板BP 136上可选用的干涉测量装置IF134，该干涉测量装置134通过分束器140接受干涉光束138)，基片台106可精确移动，以在射束110的光路中定位不同的目标部分120。使用时，例如在扫描过程中，独立可控单元的阵列104的定位装置可用于精确校正独立可控单元的阵列104相对射束110的光路的位置。一般，借助于长行程模块(行程定位)和短行程模块(精细定位)，可实现载物台106的移动，这两种模块未在图1中明示。也可使用类似的系统定位独立可控单元的阵列104。应该明白，投射射束110也可选择/附加为可移动的，而与此同时载物台106和/或独立可控单元阵列104可具有固定位置，以提供所要求的相对移动。

在本实施例的一个可选择结构中，基片台106可为固定的，基片114可在基片台106上移动。进行这种处理时，在基片台106的最上层平面上设有大量的开口，气体经该开口送入，以提供气垫，该气垫能够支撑基片114。这种装置传统上被称为空气支承装置。可使用一个或多个传动器(未图示)，使基片114在基片台106上移动，这些传动器能够相对于射束110的光路精确地定位基片114。另外，也可通过选择性地开启和阻塞气体开口的通道，使基片114在基片台106上移动。

尽管本发明的光刻装置100在本申请中描述为对基片上的光刻胶进行曝光，应该明白，本发明并不限于这种用途，该光刻装置110可在无光刻胶的光刻中，用来投射经图案化的投射光束110。

所述装置100可以四个优选方式使用：

1.分步方式：在一次曝光(即一次“闪光”)中，将独立可控单元的阵列104上的整体图案投射到一个目标部分120上。随后，基片台106沿x和/或y方向移到不同位置，以通过射束110曝光不同的目标部分120。

2.扫描方式：基本与分步方式相同，但不在一次闪光中对给定的目标部分120进行曝光。取而代之，独立可控单元的阵列104可在给定方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)上，以速度V移动，以使投射射束110在独立可控单元的阵列104上扫描。同时，基片台106在相同或相反的方向上，以速度V＝Mv移动，其中，M是投射系统108的放大倍数。以这种方式，不必损失分辨率，即可曝光相对大的目标部分120。

3.脉冲方式：独立可控单元的阵列104基本保持静止，并利用脉冲辐射系统102，将整体图案投射到基片114的目标部分上。以基本不变的速度移动基片台106，以使投射射束110横跨基片106扫描一条横线。在辐射系统102的各脉冲之间，独立可控单元的阵列104上的图案更新为要求的图案，且这些脉冲被定时，以在基片114的要求的位置上对连续的目标部分120进行曝光。结果，投射射束110可在基片上进行扫描，以曝光一条基片114的全部图案。重复该过程，直到整个基片114被逐线地完成曝光。

4.连续扫描方式：与脉冲方式基本相同，但本方式使用基本不变的辐射系统102，并且当投射光束110横跨基片114扫描并对它进行曝光时，独立可控单元的阵列104上的图案被更新。

也可对上述的使用方式进行结合或变化，或者也可采用完全不同的使用方式。

图2描述了本发明一实施例的独立可控单元10。例如，在一实施例中，可使用光栅光阀作为独立可控单元10。在美国专利No.5,661,592中可找到光栅光阀的一般概述，本申请参考并结合了该专利的全部内容。该光栅光阀具有多个反射面11、12、13、14、15、16，该反射面对照明系统102提供的辐射具有反射性。反射面11-16可为长条，并可互相邻接地配置而形成排。然而，应该明白，也可使用长条形以外的其它形状。反射面可配置为基本彼此平行。在第一位置，所有的反射面11-16位于同一平面内。因而，独立可控单元10可作为入射到它上面的辐射的平面反射器。

各独立可控单元10具有一个用于调整反射条位置的相关联的传动器系统(未图示)。图3显示了本发明一实施例的处于第二状态的独立可控单元10。该实施例中，相对于剩余反射器12、14、16，相间反射器11、13、15发生位移。因而，第一组反射面11、13、15位于第一平面内，第二组反射器12、14、16位于平行于第一平面的第二平面内，但是第二平面在垂直反射面的方向上发生位移。因而，在第二状态中，独立可控单元10作为光栅(例如，衍射光栅)，并且入射到其上的辐射以衍射辐射的形式返回。

例如，如果在垂直反射面的方向上，将第一和第二平面(第一和第二组反射器所在平面)的间隔设定为照明系统120产生的辐射波长的四分之一，那么所有入射到独立可控单元上的辐射都能被衍射。应该明白，在本发明的范围内，也可考虑其它结构。

光刻投射装置设有滤光器(未图示)，例如投射装置内的孔，该滤光器可防止反射辐射(即零级辐射)或衍射辐射(即一级辐射或更高级辐射)被投射系统108投射到到基片114上。因而，在图案形成阵列内，通过将选定的一组独立可控单元10设定为反射辐射，而其它独立可控单元10衍射辐射，可将图案传递到投射到基片114的射束110上。例如，在2003年5月30日提出的，申请号为No.10/449,908，标题为“Maskless Lithography Systems and MethodsUtilizing Spatial Modulator Arrays”(“采用空间光调制阵列的无掩模光刻系统及方法”)的美国申请描述了各种图案形成阵列，本发明通过参照该申请而包括其全部内容。

如图2和图3所示，可通过使一反射条的形状发生形变，来实现反射面的位移。在一实施例中，当去除施加到反射条上的传动力时，该反射条可自然地回复到未形变状态，因而反射条不需要回复传动力。应该知道，在这种配置中，当反射条发生位移时，至少部分反射条不移动。因而，独立可控单元10只有一部分是主动的(即可控的)。此外，在各组独立可控单元10周围需要空间，以提供控制电路和/或各独立可控单元10的其它表面。因此，独立可控单元10的阵列可只包括相对小的主动区域。这种情况通常称为“松散拼合”结构。

因而，如图4所示，可对光刻装置进行配置。根据图4所示的本发明的一实施例，独立可控单元20的阵列，对应于图2和图3的可控单元10(下面都称为单元10)，包括主动区域21(例如，反射器11-16的可移动部分)。在独立可控单元10的阵列附近提供一聚焦单元阵列22，例如透镜23的阵列。各聚焦单元23将来自照明系统102的射束的一部分24聚焦到相应的独立可控单元10的主动区域21上。各聚焦单元23最好还收集从各独立可控单元10反射或衍射的辐射，并将收集的辐射导引到投射系统108。于是，图案化射束大部分只由来自独立可控单元10的阵列的主动区域21的辐射形成，而不是由来自位于主动区域21之间的被动区域的辐射形成。

反射器11-16可通过本领域技术人员公知的任何装置传动。可通过反射器和独立可控单元10的阵列的静止部分之间的静电力提供传动。然而，本发明并不仅限于此。例如，各反射面(例如11-16)也可固定在压电(piezo-electic)传动器(未图示)上。

图5a、图5b、图5c和图5d显示了本发明一实施例的处于四种不同状态的独立可控单元10的横截面。

图5a显示了处于第一状态的独立可控单元10，其中所有的反射面31、32、33、34、35、36在一公共平面内(例如，反射面31-36是基本平行的平面反射器)，并且在垂直该平面的方向上，距独立可控单元10的阵列的底部30为一给定距离。因而，独立可控单元10用作入射辐射的平面反射器。

如图5b所示，在第二状态时，相间反射面32、34、36相对剩余反射面31、33、35发生位移。因而，独立可控单元10作为光栅(例如，衍射光栅)，入射辐射被衍射。

图5c显示了处于第三状态的独立可控单元10。和图5b所示的处于第二状态的元件一样，相间反射器31、33、35在垂直反射面的方向上相对剩余反射器32、34、36发生位移。因此，如前，单元10作为光栅衍射入射辐射。然而，与处于第二状态的单元10相比，所有的反射面31-36在垂直反射面的方向上进一步发生位移。因而，如果第一独立可控单元10设定在第二状态，相邻的独立可控单元10设定在第三状态，这两个独立可控单元10上都将衍射入射辐射，但一个独立可控单元的衍射辐射相对另一个独立可控单元的衍射辐射具有相位差。

图5d显示了处于第四状态的独立可控单元。在这种情况下，和图5a所示的第一状态一样，所有的反射面31、32、33、34、35、36都在单一平面内，以使该独立可控单元10作为反射入射辐射的平面反射器。然而，所有的反射面(31-36)相对如图5a所示的第一状态时所处的位置发生了位移。因而，如果第一独立可控单元10设定为第一状态，并且第二独立可控单元10设定为第四状态，那么两个独立可控单元10都作为平面反射器，反射辐射，但是第一独立可控单元10反射的辐射相对第二独立反射单元10反射的辐射具有相位偏移。

因而，通过分别控制两组反射面的位置(即具有相间反射面32、34、36的第一组和具有剩余反射面31、33、35)，可提供具有对比度和相位控制的独立可控单元10。通过将独立可控单元10的各组依次设定为四种状态的一种，可利用对比度和相位信息，使投射到基片114上的射束形成图案。

如图5a、图5b、图5c和图5d所示，距离d1代表两组反射面的平面之间的距离，距离d2代表由反射面形成的光栅/反射器相对参考位置的距离。因而，设定独立可控单元10的距离d2可有效地设定光栅/反射器相对基片114的距离。因此，通过将相邻独立可控单元的距离d2设定为不同值，可提供从各独立可控单元反射/衍射到基片114的辐射内的相位差。

例如，如果相邻独立可控单元的距离d2的差值设定为由照明系统102提供的辐射波长的四分之一，在基片114上，来自一独立可控单元的辐射与来自另一独立可控单元的辐射完全异相。然而，如果d2值设定为相同，来自各独立可控单元的辐射彼此同相。应该明白，通过将d2设定为最小和最大值之间的中间值，可获得中间相位偏移。

如上面所讨论的，将d1设定为零，使独立可控单元10用作平面反射器。例如，将d1设定为照明系统102提供的辐射波长的四分之一，使独立可控单元10用作纯光栅(即不反射零级辐射)。因此，例如，如果将投射系统108的光瞳设定为滤除所有的衍射辐射(例如，零级辐射和更高级辐射)，那么当d1为零(或设定为最小)时，从给定的独立可控单元10导引到投射系统108内的辐射强度最大。相反，如果对投射系统光瞳进行配置，使零级辐射不导引到投射系统108内，而使一级辐射导引到投射系统108内，那么当d1设定为零时，从独立可控单元10进入投射系统108内的辐射最小，当d1设定为四分之一波长值时，从独立可控单元10进入投射系统108内的辐射最大。

应该知道，当d1设定为中间值时，入射到独立可控单元10上的辐射将部分反射，部分衍射。因而，来自独立可控单元10，经过投射系统108并被投射到基片114上的辐射的强度同样处于中间值。因而，调整d1可用于设定独立可控单元10的对比度。还应该明白，也可通过在从零到照明系统102提供的辐射的四分之一波长以外的数值上变化d1，实现对比度控制。例如，控制d1在四分之三波长和一倍波长之间变化，也可提供类似的效果。

可对传动器系统进行配置，以使该传动器系统可将反射面设定到有限数量的预定位置上。例如，传动器系统可将d1和d2分别设定为两个标称值中的一个。在这种情况下，独立可控单元10只可以设定到图5a、图5b、图5c、图5d所示的四种状态上。这四种状态可对应于设定为在投射系统108中提供最大和最小辐射等级(即开或关状态)并用于提供与相邻的独立可控单元10同相或异相的辐射的独立可控单元10。另外，可对传动器系统进行配置，以使它可提供多个中间d1和/或d2值，该多个中间值提供多个相邻的独立可控单元10之间的对比度等级和/或相位差。此外，还可对传动器系统进行配置，以将d1和d2设定为最小值和最大值之间的连续范围。

尽管上面描述了本发明的多种实施例，但应该理解，这些实施例仅为示例，而不是限制。本领域的技术人员不难明白，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对本申请进行各种形式和细节上的修改。因而，本发明的广度和范围将不受上述的实施例的限制，而仅由后附的权利要求及其等效物限定。

Claims (9)

1.一种使射束形成图案的系统，所述系统包括多个独立可控单元，各单元包括：

一排基本平行的平面反射器；以及

一个传动器系统，该系统在基本垂直于所述反射器的传动方向上移动所述反射器的位置，

其中，所述传动器系统在所述传动方向上，将第一组的一个或多个反射器移到距所述系统的底部为第一多距离组中的一个距离的位置；

其中，所述传动器系统在所述传动方向上将第二组的一个或多个反射器，独立于所述第一组，移到距所述底部为第二多距离组中的一个距离的位置。

2.如权利要求1所述的系统，其中：

第一组反射器包括所述排中的相间的反射器；

第二组反射器包括所述排中的剩余的反射器。

3.如权利要求1所述的系统，其中：所述第一和第二多距离组中的至少一组包括至少三个距离。

4.如权利要求1所述的系统，其中：所述第一和第二多距离组中的至少一组包括第一距离和第二距离之间的连续值。

5.如权利要求1所述的系统，其中：所述传动器系统在所述传动方向上将所述第一组和第二组中至少一组的各反射器，独立于所述组内的其它反射器，移到距所述底部为多个距离中一个所要求距离的位置。

6.一种光刻装置，其中包括：

提供射束的照射系统；

使所述射束形成图案的图案形成阵列，所述图案形成阵列包括多个独立可控单元，各单元包括：

一排基本平行的平面反射器；以及

一个传动器系统，所述传动器系统在基本垂直于所述反射器的传动方向上，移动所述反射器的位置，

其中，所述传动器系统在所述传动方向上，将第一组的一个或多个反射器移到距所述图案形成阵列的底部为第一多距离组中的一个距离的位置；

其中，所述传动器系统在所述传动方向上将第二组的一个或多个反射器，独立于所述第一组，移到距所述底部为第二多距离组中的一个距离的位置；

一个支持基片的基片台；

一个将图案化的射束投射到所述基片的目标部分的投射系统。

7.如权利要求6所述的光刻装置，还包括：

一个聚焦单元的阵列，各聚焦单元将所述射束的一部分聚焦到所述图案形成阵列中的独立可控单元中的一个相关联的单元的若干平面反射器上。

8.如权利要求7所述的光刻装置，其中：各聚焦单元收集来自相关联的独立可控单元的反射或衍射的辐射中的一种辐射，并将它导引到所述投射系统内。

9.一种器件制造方法，包括如下步骤：

通过用图案形成阵列向所述射束在其截面上传递图案，对照射系统提供的射束进行图案处理，所述图案形成阵列使用多个独立可控单元，所述独立可控单元具有一排基本平行的平面反射器和一个传动器系统，所述传动器系统在基本垂直于所述反射器的传动方向上设定所述反射器的位置；

将所述图案化的射束投射到基片的目标部分；

用所述传动器系统在所述传动方向上，将第一组的一个或多个反射器移到距所述图案形成阵列的底部为第一多距离组中的一个所要求距离的位置；以及

用所述传动器系统在所述传动方向上将第二组的一个或多个反射器，独立于所述第一组，移到距所述底部为第二多距离组中的一个所要求距离的位置。

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