TWI257524B - A method for determining parameters for lithographic projection, a computer system and computer program therefor, a method of manufacturing a device and a device manufactured thereby - Google Patents

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TWI257524B
TWI257524B TW092133073A TW92133073A TWI257524B TW I257524 B TWI257524 B TW I257524B TW 092133073 A TW092133073 A TW 092133073A TW 92133073 A TW92133073 A TW 92133073A TW I257524 B TWI257524 B TW I257524B
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    • G03F7/70441Optical proximity correction [OPC]

Description

1257524 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於爲使用一微影投影設備之微影投影決定參 數’尤其疋輪射源強度分佈、光學接近修正規則及處理窗 口 ’更明確的說,係關於爲包含以下各項之一種微影投影 设備決定麥數: -一用於提供投影輻射束的輻射系統; -一用於支撐圖案化構件之支撐結構,該圖案化構件用來 根據一所要圖案來圖案化投影射束; -一用於固持一基板之基板台; -一用於將該圖案化射束投影至該基板之目標部分的上的 投影乐統。 【先前技術】 此處所彳木用之術語"圖案化構件,,應被廣泛地解釋爲係指 可被用來對應於待被建立於該基板之目標部分中的圖案 來、七射輻射束賦予一圖案化橫截面的構件;術語”光閥,, 亦可被用於本文中。該圖案通常將對應於_被建立於該目 標部分中之裝置中的特定功能層,該裝置諸如一積體電路 或其他裝置(見下文)。該等圖案化構件之實例包括: 光罩。光罩之概念在微影技術中爲人熟知,且包括多 種光罩一型’諸如二元、交替相移及衰減相移,以及 種混合光罩類型。在純射束中置放如此之光罩導致了 根據光罩上之圖案來衝擊該光罩之輻射的選擇性透射 皁射(右為一反射光罩)。若爲一光
O:\89\89338.DOC -6- 1257524 罩 ,則該支撐結構通常爲光罩台,Α 垂一口射占士 ”蜂保遠光罩在入射 谓射束令可被固持於所要位置,且 輻射束㈣。 —⑼彳目對於該 可备式化之鏡陣列(mirror array)。該裝置之— 具有—黏彈性控制層與一反射表面的矩陣可^,局 ^ 疋止表面。 ^又傷之基本原理在於,(例如)該反射表面之定 2射光反射成繞射光,而未定址區域將人射光反射成 °利用—合適的濾、光器’該非繞射光可被過遽 矩:射光束,僅留下繞射光;以此方式,該光束根據該 ,定址表面之定址圖案而被圖案化。可程式化鏡陣 列之一替代實施例採用微鏡之矩陣排列,藉由施加合適 ^局部電場,或採職電致動構件,每個該等微鏡均可 刀別關於-軸線而傾斜。再次,該等鏡是矩陣可定址的, 使仔定址鏡將在不同方向將入射輻射束反射至未定址 鏡,以此方式,該反射光束根據該等矩陣可定址鏡之定 址圖案而被圖案化。可利用合適的電子構件來執行所需 、車疋址在以上所描述之兩種情況中,該圖案化構 件可包含一個或多個可程式化鏡陣列。此處所涉及之鏡 陣歹j的更多貧訊可自如第us 5,296,891及仍5,523,⑼號 美國專利與PC丁專利申請案w〇 98/38597及w〇 98/33〇96 收集到,该等專利與申請案以引用的方式併入本文中。 右爲一可程式化鏡陣列,則該支撐結構可體現爲框架或 台,例如,可按需要被固定或移動之框架或台。 可程式化LCD陣列。該種構造之一實例在第
〇:\89\89338 DOC 1257524 US 5’229,872號美國專利中給出’該專利以引用的方式併 人本文中^如上所述’該狀況中之切結構可體現馬: 架或台,例如可被按需要固定或移動之框架或台。 爲簡化之目的’本文之餘下内容在特定位置中,特定係指 涉及一光罩與一光罩台之實例; <旦是,應在以上提出:圖曰 =化構件的更廣泛内容中領會該等實例中討論之通用原 微影投影設備可被用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在 該種狀況下,圖案化構件可產生—對應於㈣之個靜的 電路圖案’且該圖案可在-已塗覆有—輕射感應材料(光阻) 層的基板(石夕晶圓)上,被成像至—目標部分(例如包含—個 或多個晶粒)上。單,通常將包含經由該投影系統而依 次被照射(每次一個)之鄰近目標部分的整體網路。在♦前执 備中,對於在光罩臺上藉由光罩來圖案化而言,在兩個: 冋類型機器之間存在差異。在一種類型微影投影設備中, 藉由-舉將整個光罩圖案曝光至目標部分上,來照射每個 目標部分;該設備通常被稱爲晶圓步進器(㈣心一⑺。 在另一裝置—一通常被稱爲步進及掃描裝置――中,藉由 在該投影射束下按-給定參考方向(”掃描”方向)漸進:掃 描光罩圖案,而同時平行或反平行於該方向掃描該基板 台’來照射每個目標部分;因爲該投影系統通常將呈有一 放大因數Μ(通常<υ’所以掃描基板台之速度V爲掃描光罩 台之速度的因㈣倍。關於此處所描述之微影裝置的更多 資訊可自(例如)US 6,046,792收集’其以引用的方式併入本
O:\89\89338 DOC 1257524 文中。 在使用一微影投影設備的製造過程中,一圖案(例 光罩中)被成像至至少部分爲一賴射感應材料(光阻)層所P 盘的基板上。在該成像步驟之前,該基板可能會唾受各二 程序諸如塗底漆―)、光阻塗覆及軟式烘烤。在二 光後,該基板可能會經受其他程序,諸如曝後棋烤(: 顯影、硬式烘烤及成像特徵部分之量測/檢查。該程序 被諸圖案化-裝置(例如IC)之個別層的基礎。該圖案化層 接者可能會經受各種程製程,諸如㈣、離子植人(推雜)、 噴度金屬(metalllzat酿)、氧化、化學機械研磨等,所有象 程意欲完成-個別層。若需要若干個層,則整體程序或其 變體,將必須爲形成每個新的層而重複。最終,裝置之陣 列將呈現於該基板(晶圓)上。該等裝置接著藉由—種技術 (諸如切割或鑛切)而自彼此分離,由此該等個別裝置可被安 裝於-載體上、連接至引腳等。關於該等製程之其他資訊 可自如Peter van Zant所著,McGraw HiU出版社在MW年第 三次出版的編號爲ISBN 〇_〇7·〇6725〇_4的,,奶⑽响
Fabncadon: A Practlcal GU1de to Semic〇nductor Processmg·' 獲得,其以引用的方式併入本文中。 ^簡單之目㈤’該投影系統在下文中可被稱爲"透鏡”,· 但疋,該術語應被廣泛地解釋爲包含各種類型之投影系 統’例如包括折射光學器件、反射光學器件及反射折射系 該輻射系統亦可包括根據用於指向、定形或控制投影 輻射束之該等設計類型中的任何一個來操作的組件,且該
0 \89\89338 DOC 1257524 寺、、且件亦可在下文中共同地或特殊地被稱爲"透鏡"。此 σ又備可爲一種具有兩個或兩個以上基板台(及/ :?個或兩個以上光罩台)之類型的微影設備。在該等”多 =(multlplestage)’,裝置中,額外之台可被平行使用,或 2個或多個台被用於曝光時,製備步驟可在一個或多個 /、他臺上執行。雙平臺微影設備被描述於如US 5 969 441 與W〇 98/40791 ’其以弓丨用的方式併入本文中。, 在微影中存在—已知爲光學接近效應的問題。此係由隔 離特徵部分與密集特徵部分相比,在繞射圖案中的固有差 :、所‘致的。狁集特徵部分可包括巢狀圖案及緊密相隔之 週期性特徵部分。當密集及分隔較遠的線同時被印刷時, 该光學接近效應將導致臨界尺寸(CD)之差異。當該等線被 印刷時是不同的,儘管其在光罩上是相同的。 光學接近效應亦視所使用之照明設置而定。最初,所謂 的習知照明模態已被使用,該照明模態在投影透鏡之光瞳 中具有類似圓盤的照明輻射強度分佈。但是,在成像較小 特徵部分之趨勢下,離軸照明模態已變得標準,以爲小特 铽。卩分改良該處理窗口 ,意即曝光及/或焦距幅度 platitude)。但是,對離軸照明模態(諸如環形照明)而言,光 學接近效應可變得更差。 该問題之解決方法已藉由偏置(bias)主光罩上之不同特 被部分來應用光學接近修正(〇PC)。根據偏置之一種形態, (例如)藉由將該主光罩上之該等分隔較遠的線稍微變得更 厚來偏置該等特徵部分,使得在基板上之影像中,其被以
O:\89\89338.DOC -10- 1257524 與密集線相同之橫向尺寸印刷。在 隹侷置之另一種形態中, 末端修正被應用,使得該笨蜱π总3 伃s寺、、泉不官疋隔離或密集的,皆被 :’且該偏置變得越複雜。光學接近修正⑽C)之另一種形 態將使用在主光罩上之所謂的,,輔助特徵部分”(亦已知爲 ”掃描桿,,)來改變(例如)隔離特徵部分 正確尺寸印刷。在US5卿_atanabe等人之:: 用正確長度印刷。但是’在更小節距中且在離轴照明下, 作爲節距函數的CD變化越大1而越多線偏置必須被應 parallel 〇ptlcal proxlmity correction and venficadon system SPIE第 4000卷,1015至1〇23頁中,討論了 〇pc。 亦已知有可根據被成像之圖案來最佳化輻射源之空間強 度分佈的技術。根據一種方法,輻射源被分成多個塊,且 該系統在開啓或關閉之每一塊中被模擬成與一點源相當。 對每個源點而言,該基板上之所選擇點中的最終強度依次 被计t 種隶佳化常式接著被用來計算包含複數個照明 源塊的最佳源分佈,以爲該圖案之最佳印刷來最小化基板 中之計算強度與基板中之理想強度之間的差異。另一種技 術是爲每一塊輻射源計算實際強度與理想強度之間的差 兴,亚將其以等級次序放置。藉由在照明達到一臨限值前, 以等級次序接受該等源塊,來獲得總照明強度分佈。該等 技術之其他細節可自US 6,045,976獲得,其以引用的方式併 入本文中。 吾人將瞭解,〇PC需要先進的軟體算法及非常複雜的光 罩製作,且源最佳化需要相似先進的軟體。在以下方面已
O:\89\89338 D0C -11 - 1257524 予 門靖·爲一定範圍内之特徵部分或特徵部分之群, 7人滿思地將〇pc與同時進行最佳化照明強度分佈及爲一 適當處理窗口提供充分的處理幅度相結合。 【發明内容】 本I月之一目標係(至少部分地)減輕以上問題。根據本 毛月其提供一種用於爲配合一微影投影設備一起使用之 圖案化構件來決定投影射束源強度分佈與光學接近修正規 則的方法,該微影投影設備包含: 用於提供投影輻射束的輻射系統; -一用於支撐®案化構件之支撐結構,該㈣化構件用來 根據一所要圖案來圖案化投影射束; -一用於固持—基板之基板台;及 :-用於將圖案化射束投影至基板之—目標部分上的投影 该万法之特徵在於包含以下步驟·· 選擇待成像之所要圖案的複數個特徵部分. 概,上將該輕射系統中之輕射分成複數個源元素;
對母個源元素而言:爲#彳JU &、J| I , 舄母個所4擇之特徵部分計算處王」 囪口’並决疋最佳介兮癸 取仫化该寺叶鼻出之處理窗口 接近修正規則; < 里且的尤与 選擇該等源元素, 忒寺處理固口之重疊盥光學 規則爲該等源元辛滿足姑^ 且/、尤子接近修卫 凡I /雨足特定準則;及 輸出關於以下各項的 定了-源強度分佈;之該等源元素, /、九学接近修正規則。
O:\89\89338.DOC -12 - 1257524 本發明 構件的電 儲存構件 適合執行 本發明 式碼構件 産品。 之另一態樣係提供包含一資料處理器與資料儲存 腦系統,該資料處理器適合根據一被儲存於資料 中之可執行程式來處理資料,其中該可執行程式 上述方法。 亦提供一種包含用於在電腦上執行上述方法之程 的電腦程式,與一種攜帶該電腦程式之電腦程式 又怨樣係提供一種製造一使用包含以下各項 之彳放衫投影設備的裝置的方法: 、 …用於提供&影輻射束之輻射系統; 用於支撐圖案化構件之支樓結構,該圖案化構件用來 根據一所要圖案來圖案化投影射束; -一用於固持一基板之基板台;及 /用於將圖案化射束投影至基板之一目標部分上的投影 糸統。 該方法包含以下步驟·· 提供一至少部分爲一能量感應材料層覆蓋之基板; 提供一要求於該基板上建立之圖案; 在該支撐結構上提供圖案化構件; 在該輻射糸統中,建立一大體對應於由上述方法輸出之 所選擇源元素的總和的源強度分佈; 根據欲成像於根據由上述方法輸出之光學接近修正規則 而被修改之基板上的圖案,來界定該圖案化構件之圖案;及 且 0 \89\89338 DOC -13 - 1257524 使用所建立之源強度分佈與所界定之圖案化構件、藉 上述方法輸出之該處理窗…利用圖案化輻射東,來 以該基板上之能量感應材料層之-目標區域。 本發明亦提供—根攄势&梦w 很像衣仏衣置之上述方法而被製造的裝 置。 儘官在本文中已特定參考根據本發明之設備在π製造中 的使用’應清晰地瞭解該設傷可具有許多其他可能的應 用。舉例而言,其可被用於積體光學系統、磁域記憶體之 導引及制圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等的製造中。 熟習此項技術者將認識到,在該等替代中請案之内容中, 本文中之術語’’主光罩丨,、,丨。曰圓”斗、”曰, ^ 尤卓3曰固或晶粒π之任何使用應被認 爲分別被更通用之術語,,光嚴"、,,苴,, a ”。尤皁 基板,,或"目標部分"所替 換。 在本實施例中’術語,,輻射”與,,射束”被用來包含所有類型 之電磁輻射,包括紫外線輻射(例如波長爲365、248、193、 157或126麵)及刪(超紫外線輻射,例如具有在5_2〇疆範 圍内之波長)’以及粒子束,諸如離子束或電子束。 【實施方式】 實施例1 ,示意地描繪根據本發明一特定實施例之微影投影設 備。該設備包含: •一用於提供一投影輻射束TPB (例如EUV輻射)之輻射系統
Ex,IL,該輻射系統在該特定狀況下亦包含一輻射源la·, •一第一目標台(光罩台)MT,其呈有一用於 ’、
、有用於固持光罩MA O:\89\89338.DOC -14- 1257524 (例如主光罩)之光罩固持 精確地定位該光罩的第一 器,並被連接 定位構件。 至用於關於PL項而 •一第一目標台(基板台)wt,i呈右 "有一用於固持基板w(例 如爲經光阻塗覆之矽晶圓)之基 土傲u符為,亚被連接至用於 關於PL項而精確地定位該基板的第二定位構件; •一用於將光罩MA之照射部分成像至該基板w之目標部分 C(例如包含—個或多個晶粒)的投影系統(,,透鏡")PL (例如 一折射或反射折射系統,場偏轉器陣列或鏡群)。 如此處所描緣’該設備係一種透射類型設備(意即,具有一 透射光罩)。但;%,其通常亦係(例如)—種發射類型設備(例 如’具有-發射光罩)。或者,該裝置可採用另一種圖案化 構件,諸如上述之一種類型的可程式化鏡陣列。 該源LA (例如一Hg燈、準分子雷射、放電源、產生雷射 之包水LPP、圍繞一儲能環或同步加速器中之電子束之一路 徑所提供的波動器)產生輻射束。該射束被直接地或在穿過 調節構件(諸如射束擴展器Εχ)後饋入照明系統(照明器)工心 中。該照明器IL可包含用於在該射束中設定強度分佈之外 徑及/或内徑徑向長度(通常分別被稱爲σ-内徑或σ一外徑)的 調整構件AM。另外,其通常包含各種其他組件,諸如一積 累IN與一聚光器c〇。以此方式,衝擊該光罩之射束 PB在其橫截面中具有所要的一致性及強度分佈。 應注意關於圖1,源LA可在該微影投影設備之外殼内(例 如,通常爲當源LA爲汞燈之狀況),但是其亦可遠離該微影 投影設備,其產生之輻射束被引入該設備中(例如,借助於
O:\89\89338.DOC -15- 1257524 合適的指向鏡);後一種情況通常爲當源la係一準分子雷射 的狀況。本發明及申請專利範圍包含此兩種情況。 射束PB隨後截取光罩MA,其被固持於光罩上。在 已被光罩MA有選擇地反射之後,射束pb穿過透鏡1>]^,該 透鏡PL將射束PB聚焦至基板W之目標部分c上。借助於第 二定位構件(及干涉量測構件IF),可精確地移動基板台 WT,例如,以定位在射束1>]8之路徑中不同的目標部分匸。 同樣,例如,在自光罩庫機械擷取光罩MA後或在掃描過程 中,該第一定位構件可被用來關於射束pBi路徑而精確地 定位光罩MA。目標台MT、WT之移動通常借助於一長衝程 模件(粗糙定位)與一短衝程模件(精細定位)而被實現,該等 模件未在圖1中清晰描繪。但是,在一晶圓步進器之狀況下 (與一步進及掃描設備相對),光罩台ΜΤ可僅被連接至一短 衝程致動器,或可被固定。 所描述之設備可被用於兩種不同模態中: 1.在步進模態中’光罩台町基本保持固$,且整個光罩 影像被一舉(意即單―”閃光”)投影至目標部分c上。基板台 WT接著在χ及/或7方向移動,使得一不同的目標部分c可被 射束ΡΒ照射; -在掃杬杈恶中,除了 —給定目標部分C不被以單一”閃光,, 曝光外’基本應用相同的情況。相反,光罩台ΜΤ可在-給 定方向(所謂的”掃描方&,, ° 方向,例如y方向)以速度ν移動,結果 使得投影射束PB在—尖罢旦/ a
__ 光罩衫像上掃描;同時,基板台WT 同時在相同或相及古 向以速度移動,其中μ是透鏡
O:\89\89338.DOC -16- 1257524 PL的放大率(通常^^丨/4或1/5)。以此方式,一相對較大之 目標部分C可被曝光,且不影響其解析度。 圖2展不體現用於圖丨之微影投影設備之本發明的方法的 ⑽圖。在步驟sl〇中,對一需要被成像至一基板上的圖案 而口複數個特徵部分被選擇,且其所允許之尺寸界限(意 P⑽界尺寸)被^寸疋化。圖3示意地展示待成像之圖案的一 部分,且由小環所指示之3個特徵部分u、12、13爲所選擇 特徵部分之貫例。進一步的初始化在步驟S 1 〇中被完成,以 界定所允許的光學接近修正(〇PC)範圍一—意即,可被允許 之特徵部分之偏置(例如加寬或加長)量的限制,及輔助特徵 部分尺寸的限制,並選擇可接受之最小重疊處理窗口 〇Pw 臨限值。描述怎樣的0PW仍爲可接受之下限可被界定如 下· 1) OPW之最大焦距幅度;2) 0PW之最大曝光幅度;3口) 與2)之函數,例如此兩者之乘積;4) ; 〇pw之面積;或以 上因數之組合,例如利用邏輯算子(諸如ΑΝ〇或〇r)而進行 組合。 上述步驟及步驟S20至S4〇不必於圖1所描繪之真實微影 備上執行,但是,當'然,利用—模擬該物理設備的 月自模型而被執行,且所以該圖宰、昭 ^ I u未…、丁、統、投影透鐘 等被表示爲數位資料。因此,對該等項之參考當然應被認 爲在電腦模型中包括對應的虛擬項。 在步驟S20中,輻射源在概念上被分成多個元素。應、、主 意,此處所使用之表述”輻射源”或其均等物与, 仅衫射東源f 可指産生輻射之真實源,諸如雷射;或可(例 如)指在該輻射
〇:\89\89338 DOC -17- 1257524 路徑中充當虛擬或"第二,之 1刀请如積乐态或調節該 =射之其他構件’及在該射束路徑中有效地充當隨後項之 、源的π分。在以下實施例中,輕射源在該照明系統中之 光里中。3射束。该光瞳通常爲圓形且由圖4⑷中之小環Μ 表示。整個輕射源具有一在光瞳14中充當位置函數的強产 t佈,該強度分佈對應於入射在光罩上之輻射的角狀強: 分佈。 八如^所述,_對根據本發明之方法的計算而言,輻射源被 刀成禝數個元素’每個元素對應於該源之一個區域或像 素。每個^素可爲”開啓”或,,關閉”的。總的源可被認爲是 "開啓”之元素的總和。爲簡化該計算,每個源元素可近似 爲一點源,諸如圖4⑷中由十字記號15所指示。根據一實施 例,依次爲該源所分成的每個元素區域(意1,圖4⑷中之 栅格上的每個點)執行以下爲步驟S20所描述之計算, 越整個光瞳。 仁疋,出於焦闌性之原因,通常需要該光瞳中之源具有 疋的對%性,意即,該分佈之重力中心較佳應位於光瞳 中:。因此,根據圖4(b)所展示之另一實施例,其可藉由將 光目里14分成兩半來構建一對稱源,而用於計算之每個源元 素包含兩個子元素15、16,其中每一半包含_個,且關: 該光軸(光瞳中心)互相沿直徑對置。因此,用於計算目的之 :一源”兀素”可由幾個子元素15、16組成。在該實例中, 藉由考慮僅半中之源(由圖4(b)之左半部分中的拇格所指 示)並使用對稱性産生另一半中之源,來將計算量減少至二
O:\89\89338.DOC '18- 1257524 半。 射圖案之正、負次序大致相同的事實,所以在實踐中亦可 運用以上方法,並將計算量減少至約四分之一。 根據圖4(c)所展示之另一實施例,光瞳被分成四個象限, 且每個源元素包含經以下方式獲得之四個子元素:關於該 等垂直與水平軸來反射第一象限中之點源15,以產生在其 他三個象限中以十字記號16、17、18所指示的源。由於繞 汝圖4(a) (b)與(C)所示,该等源元素位於矩形栅格上, 但是此僅爲構建源元素之一實例;可根據情況使用任何直 他合適的分割,諸如六邊形栅格或根據極座標來排列的點 源。源光瞳14亦可被分成6個或其他數目之區域,而不以 個或4個。光瞳内之柵格區域的精確定位可爲完全隨意的。 將參考圖5來描述用於建立複合源元素(意即由多個點源 組成之源元素)之另一改良實施例。⑴光瞳之左半部被分成 如圖5之左上部分所展示的N個點之柵格。該等點中的一個 與光瞳右半部中之對應的對稱點一起被選擇,如2個十字記 戒所展示。(ii)光瞳底半部被分成M個點之柵格可等於 N),且又一對對稱源點被選擇,如圖5之中上圖解中的兩個 小正方形所示。(m)用於步驟S2〇的計算之最終所選擇之源 元素(如下文所描述)是自步驟⑴與(11)所得的兩個源對的總 和,思即,該源元素包含由圖5之右上部分中之兩個十字記 號與兩個正方形所描繪之4個子元素。步驟(11)與(111)接著被 重複Μ次,歷經所有Μ個”頂部/底部”源點對,保持由步驟⑴ 所得的源對不變;接著返回步驟⑴,,,左邊/右邊"源點對被 0._9338.doc -19- 1257524 增量至下—個點對,接著再將步驟(Π)與㈣重㈣次。以 上步驟—直被重複,直至所有則固"左邊/右邊”源對均已被 用所有Μ個,,頂部/底部”源對計算,從而總共給出了㈣個 —素女圖5之右手行所示意描述。爲每個所選擇之圖案 特徵部分之每個該等Μ*Ν個源元素,執行以下描述之㈣ 及OPW分析。 藉由尺平或垂直分剎線來將源光瞳分成左邊/右邊兩半 ^頁4 /底4兩半的分割操作,可採用不同於所描緣的方 式,例如被旋轉任意角度而進行,及/或可不必互相正交。 唯一的準則在於該等分割線的方向是不相同的。該實施例 被描述成關於將光曈分成兩半(如圖4(b)所示),但是若如在 圖4⑷中未進行分割或如在圖4⑷中分成四個象限,或採用 其他任何分割,亦可實現該實施例。 繼續步驟S20,對每個源元素(例如由圖4⑷之子元素15、 “、17與18所組成)而言’每個所選擇之特徵部分的處理窗 口被計算’例如’如Chns Α i州_Ν g•㈣M2冬8) 年之”InsideProllth,,,特別是第1〇章中所描述。 圖6⑷爲一個源元素示意地說明所選擇之特徵部分U、12 與13的處理窗口 2卜22、?3。兮癸老 - 5亥寺處理© 口界定輻射量(dose) 與焦距之範圍(意即’曝光幅度EL與焦距幅度(焦深DOF)), 該等範圍將帶來在所界定之尺寸界限内之特徵部分的可接 受印刷。接著,最佳介# + ^ 里® 口之重疊的該等OPC規則被 ^b可(例如)藉由對具有較大間隔之結構應用偏置而變 亍pi單X有效地降低局部幸畐射量。隨著局部轄射量被有
O:\89\89338.DOC -20- 1257524 效降低,此一特徵部分之處理窗口被上推,使得需要較高 幸田射里來曝光。亥特彳政部分。此被示意地表示於圖6 (匕)中,其 中應用所決定之OPC規則已導致自圖6(a)移動了處理窗口 21、22與23,使得該等窗口最大限度地重疊。同樣應用或 代替應用偏置,辅助特徵部分之使用可被包括於〇pc規則 中,以最佳化處理窗口之重疊。關於決定〇pC規則之更多 資汛可獲自 S Wolf與 r N Tauber(ISBN 0-9616721-6-1)之 "Smcon Pr〇Cessing”與其中所包含之文獻參考。該應用所決 定之opc規則之結果,除影響沿圖6(b)中之輻射量與焦距軸 的處理窗口的位置外,還可能影響圖6(b)中之處理窗口的形 狀及/或尺寸。因此,根據本發明,該方法可包括計算處理 窗口 21、22與23之形狀與尺寸之改變的額外步驟,及接下 來的決定最佳化處理窗口之重疊的〇PC規則與應用該等所 決疋之Ο P C規則的額外步驟。 圖6(C)展示表示可獲取之處理窗口的所得的重疊處理窗 口〇pw,其中可爲給定的源元素並藉由應用計算出之〇pc 規則,成功地印刷所選擇之特徵部分。此被重複,使得可 爲每個源元素,決定opc規則之集合並獲得一最佳化〇pw。 圖、7係步驟S20之結果的示意標繪圖。每個十字記號表示 一特定源元素之〇PC與〇PW的標繪圖。圖7僅爲一幫助瞭解 本·發明之示意2D—標繪圖。實際上,〇pc規則之每個集合 可用數學方式表示成多維向量,且該等十字記號位於多維 向量空間中。如以上所述,可用許多參數來描述〇pw之特 徵,例如··曝光幅度、焦距幅度、窗口面積或其組合。〇ρ,
O:\89\89338.DOC -21 ^ 1257524 準則可被組合成圖7中垂直繪製的一個值。舉例而言,垂直 繪製的量可表示該函數:具有一[〇pw之最大〇〇17]相關之臨 限值與(AND) — [〇PW之最大曝光幅度]相關之臨限值的 [OPW之最大DOF]。該函數可用數學方式寫成:MaxD〇F& (MaxD〇F>F & MaxEL>E)。此將爲其中MaxD〇F大於所選擇 之值F且同時MaxEL大於所選擇之值E的該等源點繪製 MaxDOF。此僅爲一實例。亦可設想許多其他的組合。 根據步驟S30,必須計算輻射源元素,且必須選擇待形成 该最佳化源之強度分佈的該等輻射源元素。首先,所選擇 之源元素必須具有一符合步驟sl〇中指定之最小臨限值的 〇PW。該臨限值由圖7中之水平虛線所指示。例如,該臨限 值可爲最大焦深(D0F)大於〇.3μιη,且最大曝光幅度(EL)大 於7%。在該實例中,該臨限值使用一個以上參數。對應於 該線下之該等十字記號的源元素可被排除。此可利用上述 用於、會衣圖7中之點的函數而被有效完成。 其久,源70素必須具有一大體上共同的〇pc規則集合, 使知田。又计圖案化構件(諸如光罩)時存在相容性。根據體現 本毛月之種方法’此藉由用一相似〇pc識別在具有較高 十字記號密度之圖7之標繪圖中的區域而被完成。一合適區 域由圖7中之橢圓形虛線3〇所指示。用數學方式陳述,該方 法步驟在多維〇PC向量空間中尋找一具有較高點密度之區 域。接著用必須存在足夠源元素之基本準則自較高密度區 :開始來遥擇點’使得總體照明充分明亮;例士口,爲實踐 目的’至少10%之源光瞳區域必須被照明。由此在所選
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擇 '、元素之OPC值範圍上不必存在任何嚴格限制;其將 依任何特定狀況之點密度而定,但是,較佳準則當,然是0PC 值儘可能地幾乎相@,使得所選擇之源元素點之opc值的 範圍被最小化。 當然,應瞭解對本發明之方法而言,不必纟會製如圖7中之 源元素點,且確實此物理上可用於多維0PC向i。相反, 圖7僅爲幫助瞭解本發明之圖解說明。可藉由—處理相關資 料之處理器來完成該計算。 在選擇源元素之集合後,於步驟335中決定〇pc規則之最 t集σ。〇pc規則之集合由近似於該等所 共同啊向量的㈣向量有效地提供。在步驟S35 = 2 利用包含所選擇之源元素之總和的整個最佳_,而不是 分別利用該等源元素’來決定〇pc規則之最終集合。利用 已知軟體常式來決定0PC規則,如前所述,該等軟體常式 最佳化OPW。 在步驟S40中,該最佳化方法之結果被輸出。該等結果包 3表不所選擇之輻射源元素之群與〇pc規則之集合的資 料所遥擇之源兀素之群的處理窗口亦可視情況被輸出, 但此並不是必要的。參考圖7,所選擇之輻射源元素之群爲 该寺對應於區域30内之十字記號的輻射源元素。最佳化之 幸田射源強度分佈由该等元素之總和提供。該處理窗口資气 可利用OPC規則與最佳化源來輔助圖案之正確曝光,但該 貢訊對設置一諸如步進器或掃描儀之微影設備並非必要。 用於執行步驟S10至S40之方法的設備不必爲圖i之微影
0\89\89338.DOC -23 - 1257524 投影設備的-部分’且可爲一可存取表示待成像圖案盘該 投影設備之物理性能的資料的習知電腦系統。當然,該設 備可爲-專用於微影投影設備的系統。用於執行該最佳或 近乎最佳之輻射源及0PC的計算的電腦系統,可包含:於 執行體現本發明之方法的軟體,該軟體被存在於一資料儲 存器中並由一處理器執行。 圖2之另一步驟S50的一個或多個部分可視情況被執行。 被輸出的關於所選擇之輻射源元素之群的資料一—其包含 該j之所要強度分佈,可被用來構建—具有該強度 真實輻射源。此可藉由在投影設備之照明器江中包括一個 或多個射束界定元件而被完成,該等射束界定元件(例如) 包含光學構件’諸如灰色濾光器或空間濾光器,或用於界 定強度分佈之任何合適的折射、發射、繞射或濾光構件。 此外,關於最佳化之0PC規則之集合的資料可被應用至所 要的圖案,以設計-用於曝光基板的圖案化構件,諸如光 罩。最後,該方法可包括將圖案成像至使用上述輻射源及 圖案化構件的基板上、與在步驟S4〇所獲得的處理窗口内曝 光該影像的步驟。 雖然以上已描述本發明之特定實施例,但是應瞭解可不 按上述方式來實踐本發明。本說明書並非意欲限制本發明。 【圖式簡單說明】 僅藉由貫例,參考該等隨附示意圖,來描述本發明之實 施例,其中: 圖1描綠根據本發明一實施例之微影投影設備;
O:\89\89338.DOC -24- 1257524 圖2係展示體現本發明之一方法之輪廓的流程圖; 圖3示意地描繪待成像之圖案的特徵部分; 圖4(a)、4(b)與4(c)描繪用於將該輻射源分成多個源元素 的不同方法; 圖5示意地描繪用於根據本發明另一實施例將輻射源分 成多個元素的另一構建; 圖6(a)、6(b)與6(c)示意地描繪特定圖案特徵部分之處理 窗口與重疊處理窗口之最佳化;及 圖7示意地描繪基於重疊處理窗口與同時的光學接近規 正,爲該等最佳化之輻射源選擇源元素。 【圖式代表符號說明】 AM 調整構件 CO 聚光器 Ex 射束擴展器 IF 干涉量測構件 IL 照明器 IN 積累器 LA 輻射源 MA 光罩 MT 光罩台 PB 投影輻射束 PL 透鏡 W 固持基板 WT 基板台 9338.DOC -25- 1257524 11 、 12 、 13 14 1 5、1 6、1 7、 21 、 22 > 23 30 S10至 S50 特徵部分 光瞳 18 子元素/十字記號 處理窗口 橢圓形虛線 步驟 O:\89\89338.DOC -26-

Claims (1)

1257@#2133〇73號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年5月)j卜 拾、申請專利範圍: 1. -種用於爲配合—微影投影設備—起使狀1 件決定投影射束源強度分佈與光學接近修正規: 法’該微影投影設備包含·· 、方 --用於提供該投影輻射束之輻射系統; -一用於支撐圖案化構件之支撐纟士 μ如a 又访、,、口構,该圖案化構件用 於根據-所要的圖案來圖案化該投影射束,· _ 一用於固持一基板之基板台,·及 -一用於將該圖案化射束投 的投影系統, 束技,…基板之-目標部分上 °亥方法之特徵在於包含以下步驟: 選擇待成像之該所要圖案之複數個特徵部分; 概,上將該輕射系統中之該韓射分成複數個源元素; • 2 口源兀素而s •爲每個所選擇之特徵部分計算該 处理窗口,並決定最佳化該等計算出之處理窗口之重疊 的光學接近修正規則; 4 等源元素,该等處理窗口之該重疊與該等光學 接近L正規則爲該等源元素滿足指定準則;且 輸出關於以下各項的資料:該等所選擇之源元素,其 界定了-源強度分佈;與光學接近修正規則。 •"明專利靶圍第1項之方法,其中該選擇源元素之步驟 的一個準則或進目丨丨 一 、之、、且合爲該重疊處理窗口超過一預定 臨限值。 申明專利範圍第1項或第2項之方法,其中該選擇該等 O:\89\89338-940518.DOC 1257524 4. 5. 6. 7. 8. 原元素之步驟的一個準則爲該等所選擇之元素的光學接 近修正規則大體相同。 如申睛專利範圍第1項或第2項之方法,其中該選擇該等 源元素之步驟包含,在藉由該等光學接近規則界定的該 向星二間中識別一具有高密度源元素的區域。 如申凊專利範圍第1項或第2項之方法,進一步包含基於 一對應於該等所選擇之源元素之該總和的源強度分佈, 來叶算該等所輸出之光學接近修正規則的步驟。 如申請專利範圍第1項或第2項之方法,其中每個源元素 已έ對稱放置之4個子元素,在該源之每個象限中有一 子元素。 如申請專利範圍第1項或第2項之方法,其中每個源元素 包含由兩個子元素組成之至少一集合,該等兩個子元素 被放置於該源之相對兩半中。 :申請專利範圍第1項或第2項之方法,#中該將該韓射 分成複數個源元素的步驟包含:選擇一第一子元素集 Τ,選擇一第二子元素集合;及依次爲該等源元素中的 每一個,建立該第一子元素集合與該第二子元素集合的 組合。 ^ 9. 如申請專利範圍第i項或第2項之方法,&—步包含用於 産生一可插入該輻射系統中之射束界定元件之步驟,以 在該輕射系統中建立一大體上對應於該等所輸出之所選 擇源70素的源強度分佈。 10. 如申請專利範圍第1項或第2項之方法,進 步包含用於 O:\89\89338-940518.DOC 1257524 產生一如光罩等圖案化 根據該等所輪出之…“ 其中根據欲成像於 的圖案,來尺固 規則而破修改之基板上 一 ;界疋该圖案化構件之圖案。 ι· -種包含-資料處理器或資 構 資料處理器適合根據_ =的^自系統,該 執行程式來處理資料,/二 =料儲存構件中之可 請專利範圍第1項或第2項之枝。订長式適合執行如申 12 13. 之電腦可讀取媒體,其中該電腦程 私式碼構件以執行下列步驟: 選擇待成像之該所要圖案之複數㈣徵部分; 概念上將該輻; Μ 士 對每個源元=統二:韓射分成複數個源元素; 處理窗口,並決定;佳==ΤΓ計算該 的光學接近修正規則; π之免理由口之重疊 選擇該等源元素,該等處理窗口之該重疊 接近修正規則爲該等源元素滿足指定準則;且、 輸出關於以下各項的眘杻· ^^^ 貝枓.该等所選擇之源元素,豆 界疋了-源強度分佈;與光學接近修正規則。 、 一種使用一包含以下久T:S七Ab, σ員之彳政影投影設備製造一裝置的 方法, -一用於提供一投影麵太 又〜知射束之輻射系統; 用於固持一基板之基板台;及 --用於支撐圖案化構件之支標結構,該圖案化構件用 於根據-所要的圖案來圖案化該投影射束; O:\89\89338-940518.DOC 1257524 -一用於將該圖案化射束投影至該基板之一目標部分上 的投影系統, 該方法包含以下步驟: 提供一至少部分爲一能量感應材料層所覆蓋之基板· k供一需要形成於該基板上之圖案; 在該支撐結構上提供圖案化構件; 在邊輻射系統中建立一源強度分佈,其大體上對應於 藉由如申請專利範圍第丨項或第2項之方法所輸出之該等 所選擇源元素之該總和; 、 根據欲成像於根據如申請專利範圍第丨項或第2項之方 法所輸出之該等光學接近修正規則而被修改的該基板上 的該圖案,來界定該圖案化構件之圖案;及 利用藉由使用该所建立之源強度分佈與該所界定之圖 案化構件而產生的該圖案化輻射束,來曝光該基板上之 該能量感應材料層之一目標區域。 O:\89\89338-940518.DOC
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