JPH05313347A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH05313347A JPH05313347A JP11584292A JP11584292A JPH05313347A JP H05313347 A JPH05313347 A JP H05313347A JP 11584292 A JP11584292 A JP 11584292A JP 11584292 A JP11584292 A JP 11584292A JP H05313347 A JPH05313347 A JP H05313347A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist pattern
- electrode
- slope
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトリソグラフィー技術によるレジストパ
ターン形成方法において、一括露光による立体形状表面
へのレジストパターン形成を実現する。 【構成】 段差を有するＳｉ基板表面における段差斜面
に隣接する底面部でのポジ型レジストのレジストパター
ン形成方法において、ダミーパターンを有するマスクを
利用し前記Ｓｉ基板段差斜面での反射光による段差底面
部のレジストパターンの損失を防止したこと、および前
記Ｓｉ基板段差斜面での反射光による入射露光部を回避
してレジストパターンを配置することを特徴とする。
ターン形成方法において、一括露光による立体形状表面
へのレジストパターン形成を実現する。 【構成】 段差を有するＳｉ基板表面における段差斜面
に隣接する底面部でのポジ型レジストのレジストパター
ン形成方法において、ダミーパターンを有するマスクを
利用し前記Ｓｉ基板段差斜面での反射光による段差底面
部のレジストパターンの損失を防止したこと、および前
記Ｓｉ基板段差斜面での反射光による入射露光部を回避
してレジストパターンを配置することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、立体形状表面へのレジ
ストパターン形成方法に関する。
ストパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２のごとくエッチングにより段差を
有するＳｉ基板１２１の立体形状表面に電極を形成する
場合、Ｓｉ基板表面に電極となる金属膜をスパッタ等に
より形成し、これをフォトリソグラフィー技術より作製
したレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチン
グして電極１２２を形成する。このような電極形成方法
においては、図１３（ａ）のようなマスクを用いる従来
技術では、図１３（ｂ）のようにポジ型レジスト１３５
のパターニングの際、段差斜面（（１１１）面）１３８
でのＵＶ光１３６の反射光１３７により非露光部が露光
され、パターンが消失したり、あるいは細くなってしま
い良好なパターニングができないという課題を有してい
る。
有するＳｉ基板１２１の立体形状表面に電極を形成する
場合、Ｓｉ基板表面に電極となる金属膜をスパッタ等に
より形成し、これをフォトリソグラフィー技術より作製
したレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチン
グして電極１２２を形成する。このような電極形成方法
においては、図１３（ａ）のようなマスクを用いる従来
技術では、図１３（ｂ）のようにポジ型レジスト１３５
のパターニングの際、段差斜面（（１１１）面）１３８
でのＵＶ光１３６の反射光１３７により非露光部が露光
され、パターンが消失したり、あるいは細くなってしま
い良好なパターニングができないという課題を有してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、段差
を有するＳｉ基板表面に成膜した導電性金属膜を、フォ
トリソグラフィー技術により一括露光で形成されたレジ
ストパターンをエッチングマスクとしたエッチングによ
り電極を形成しようとした場合、反射率の高い電極表面
上では段差斜面での反射光によってレジストパターンが
損失し、その結果として電極が形成できないという課題
を有している。
を有するＳｉ基板表面に成膜した導電性金属膜を、フォ
トリソグラフィー技術により一括露光で形成されたレジ
ストパターンをエッチングマスクとしたエッチングによ
り電極を形成しようとした場合、反射率の高い電極表面
上では段差斜面での反射光によってレジストパターンが
損失し、その結果として電極が形成できないという課題
を有している。
【０００４】そこで本発明はこのような課題を解決する
もので、その目的とするところは段差斜面での反射光に
よるレジストパターンの損失のないレジストパターン形
成方法を提供することにある。
もので、その目的とするところは段差斜面での反射光に
よるレジストパターンの損失のないレジストパターン形
成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のレジストパター
ン形成方法は、表面に段差を有するＳｉ基板上の段差斜
面に隣接する底部にレジストパターンを形成する方法で
あって、 １）前記Ｓｉ基板表面にポジ型レジストを被覆形成し、 ２）所望するレジストパターンと、前記所望するレジス
トパターンに入射する斜面反射光を遮断すべく配置され
るダミーパターンを前記レジストパターンに近接する段
差斜面上に有するフォトマスク を用いて露光することを特徴とする。
ン形成方法は、表面に段差を有するＳｉ基板上の段差斜
面に隣接する底部にレジストパターンを形成する方法で
あって、 １）前記Ｓｉ基板表面にポジ型レジストを被覆形成し、 ２）所望するレジストパターンと、前記所望するレジス
トパターンに入射する斜面反射光を遮断すべく配置され
るダミーパターンを前記レジストパターンに近接する段
差斜面上に有するフォトマスク を用いて露光することを特徴とする。
【０００６】また、表面に段差を有するＳｉ基板上の段
差斜面に隣接する底部にレジストパターンを形成する方
法であって、 １）前記Ｓｉ基板表面にポジ型レジストを被覆形成し、 ２）前記段差斜面での反射による入射光を回避すべく所
望するレジストパターンを前記レジストパターンに近接
する前記段差斜面から離して配置したフォトマスク を用いて露光することを特徴とする。
差斜面に隣接する底部にレジストパターンを形成する方
法であって、 １）前記Ｓｉ基板表面にポジ型レジストを被覆形成し、 ２）前記段差斜面での反射による入射光を回避すべく所
望するレジストパターンを前記レジストパターンに近接
する前記段差斜面から離して配置したフォトマスク を用いて露光することを特徴とする。
【０００７】また、前項のポジ型レジストの被覆形成方
法がスプレーコーティングであることを特徴とする。
法がスプレーコーティングであることを特徴とする。
【０００８】また、前項のレジストパターン形成方法に
おいて、段差斜面の結晶面方位を（１１１）面とするＳ
ｉ基板でのレジストパターンの配置が段差量をＨ、前記
段差斜面上部エッジからの距離Ｗとし、 Ｗ＝Ｈ／ｔａｎ２０゜ で示されるＷより離れた前記段差斜面底部領域であるこ
とを特徴とする。
おいて、段差斜面の結晶面方位を（１１１）面とするＳ
ｉ基板でのレジストパターンの配置が段差量をＨ、前記
段差斜面上部エッジからの距離Ｗとし、 Ｗ＝Ｈ／ｔａｎ２０゜ で示されるＷより離れた前記段差斜面底部領域であるこ
とを特徴とする。
【０００９】
【作用】マスク上に設けたダミーパターンにより段差斜
面に当たる露光を遮断し反射光の発生を防ぐことがで
き、反射光によるレジストパターンの損失を防止でき
る。
面に当たる露光を遮断し反射光の発生を防ぐことがで
き、反射光によるレジストパターンの損失を防止でき
る。
【００１０】また、斜面からの反射光の影響のない部分
に電極を形成することによっても反射光によるパターン
不良を回避し、電極を形成できる。
に電極を形成することによっても反射光によるパターン
不良を回避し、電極を形成できる。
【００１１】
【実施例】 （実施例１）図１に示すようなエッチングで作製した段
差を有するＳｉ基板上へのＣｒ−Ａｕ電極の形成におい
て、本発明の第１の実施例について説明する。基板表面
の結晶面方位を（１００）面とするＳｉ基板を水酸化カ
リウム水溶液を用いた異方性エッチングを行うと図１の
Ｓｉ基板１１の様な形状にエッチングされ、段差斜面１
２には平滑な（１１１）面が形成される。このような溝
状の段差を有するＳｉ基板１１に図１のように段差上面
１３および段差下面１４を通るようにＣｒ−Ａｕ電極１
５を形成する電極作製方法について、図２においてＣｒ
−Ａｕ膜形成までの工程を説明する。電極を形成するエ
ッチング加工済みの図２（ａ）のようなＳｉ基板２１を
硫酸洗浄し、よく水洗した後、熱酸化炉で摂氏１１００
度、４時間、Ｗｅｔ酸化の条件で図２（ｂ）のようにＳ
ｉ基板表面に酸化膜２２を１．１ミクロン形成し、この
酸化膜を電極とＳｉ基板を絶縁するための絶縁膜とす
る。さらに硫酸洗浄により清浄化したＳｉ基板２１上の
電極形成面全面にＣｒ層をスパッタにより５００オング
ストローム成膜した後、Ｃｒ層上に更にＡｕ層をスパッ
タにより２０００オングストローム成膜し、図２（ｃ）
にようにＡｕ−Ｃｒ膜２３を形成する。次に図２（ｄ）
のようにポジ型レジスト２４をスプレーコーティングに
より２ミクロンの厚さに塗布する。
差を有するＳｉ基板上へのＣｒ−Ａｕ電極の形成におい
て、本発明の第１の実施例について説明する。基板表面
の結晶面方位を（１００）面とするＳｉ基板を水酸化カ
リウム水溶液を用いた異方性エッチングを行うと図１の
Ｓｉ基板１１の様な形状にエッチングされ、段差斜面１
２には平滑な（１１１）面が形成される。このような溝
状の段差を有するＳｉ基板１１に図１のように段差上面
１３および段差下面１４を通るようにＣｒ−Ａｕ電極１
５を形成する電極作製方法について、図２においてＣｒ
−Ａｕ膜形成までの工程を説明する。電極を形成するエ
ッチング加工済みの図２（ａ）のようなＳｉ基板２１を
硫酸洗浄し、よく水洗した後、熱酸化炉で摂氏１１００
度、４時間、Ｗｅｔ酸化の条件で図２（ｂ）のようにＳ
ｉ基板表面に酸化膜２２を１．１ミクロン形成し、この
酸化膜を電極とＳｉ基板を絶縁するための絶縁膜とす
る。さらに硫酸洗浄により清浄化したＳｉ基板２１上の
電極形成面全面にＣｒ層をスパッタにより５００オング
ストローム成膜した後、Ｃｒ層上に更にＡｕ層をスパッ
タにより２０００オングストローム成膜し、図２（ｃ）
にようにＡｕ−Ｃｒ膜２３を形成する。次に図２（ｄ）
のようにポジ型レジスト２４をスプレーコーティングに
より２ミクロンの厚さに塗布する。
【００１２】次に図３（ａ）のような段差斜面にダミー
パターンマスク３２を設けた本実施例によるところのマ
スクを使用すると、図３（ｂ）のようにダミーパターン
マスク３１が段差斜面への入射光を遮蔽するため、図３
（ｃ）のようにレジストパターンが反射光の影響なく形
成できる。したがって、Ｃｒ−Ａｕ膜３５をエッチング
し電極を形成しても、電極パターンが従来法のように反
射光の影響を受けることなく、マスクパターンに忠実に
形成できる。なお、電極パターニング工程は以下のよう
になる。図３（ｃ）に示すようなパターニングされたレ
ジスト３６をエッチングマスクとしてＡｕ層をヨウ素ヨ
ウ化カリウム水溶液でエッチングし、さらにＣｒ層をフ
ェリシアン化カリウム水溶液においてエッチングし電極
３５を形成する。最後にレジスト３６を剥離して、Ｓｉ
基板を洗浄し図３（ｄ）のように電極形成が終了する。
パターンマスク３２を設けた本実施例によるところのマ
スクを使用すると、図３（ｂ）のようにダミーパターン
マスク３１が段差斜面への入射光を遮蔽するため、図３
（ｃ）のようにレジストパターンが反射光の影響なく形
成できる。したがって、Ｃｒ−Ａｕ膜３５をエッチング
し電極を形成しても、電極パターンが従来法のように反
射光の影響を受けることなく、マスクパターンに忠実に
形成できる。なお、電極パターニング工程は以下のよう
になる。図３（ｃ）に示すようなパターニングされたレ
ジスト３６をエッチングマスクとしてＡｕ層をヨウ素ヨ
ウ化カリウム水溶液でエッチングし、さらにＣｒ層をフ
ェリシアン化カリウム水溶液においてエッチングし電極
３５を形成する。最後にレジスト３６を剥離して、Ｓｉ
基板を洗浄し図３（ｄ）のように電極形成が終了する。
【００１３】（実施例２）本発明の第２の実施例におけ
る電極形成方法を図４で説明するが、使用マスクを除き
Ｃｒ−Ａｕ膜のエッチングまでの工程は実施例１で説明
した工程と全く同じである。実施例１で説明した電極形
成工程においてレジストコートした時点で、本実施例に
よるところの図４（ａ）のようなマスクを用い、図４
（ｂ）のように段差斜面４７に入射したＵＶ光４６の斜
面での反射光による露光部４９に電極パターン４１が来
ないようパターン位置をずらしたマスクを用い露光する
ことで、図４（ｃ）のように反射光の影響を回避でき
る。ここでマスク補正に必要な段差下面の反射光による
露光部４９を求めるためには、水酸化カリウム水溶液に
よるエッチングで形成される段差の斜面角度が一定であ
ることから図５に示すように計算により推定できる。計
算上、反射光が投射される段差下面部５４の段差上面エ
ッジからの幅Ｗは段差量（エッチング量）をＨとして Ｗ＝Ｈ／ｔａｎ２０゜ で求められる。また、図６のように段差下面の電極パタ
ーンマスク６１を太くすることによって、反射光の影響
によるレジストパターンの細りをカバーし、断線を回避
することもできる。このようなレジストパターン形成方
法も本実施例の範ちゅうである。本実施例に示したよう
に反射光を回避できる部分にレジストパターンを形成
し、電極を形成することによっても良好なパターニング
が行える。
る電極形成方法を図４で説明するが、使用マスクを除き
Ｃｒ−Ａｕ膜のエッチングまでの工程は実施例１で説明
した工程と全く同じである。実施例１で説明した電極形
成工程においてレジストコートした時点で、本実施例に
よるところの図４（ａ）のようなマスクを用い、図４
（ｂ）のように段差斜面４７に入射したＵＶ光４６の斜
面での反射光による露光部４９に電極パターン４１が来
ないようパターン位置をずらしたマスクを用い露光する
ことで、図４（ｃ）のように反射光の影響を回避でき
る。ここでマスク補正に必要な段差下面の反射光による
露光部４９を求めるためには、水酸化カリウム水溶液に
よるエッチングで形成される段差の斜面角度が一定であ
ることから図５に示すように計算により推定できる。計
算上、反射光が投射される段差下面部５４の段差上面エ
ッジからの幅Ｗは段差量（エッチング量）をＨとして Ｗ＝Ｈ／ｔａｎ２０゜ で求められる。また、図６のように段差下面の電極パタ
ーンマスク６１を太くすることによって、反射光の影響
によるレジストパターンの細りをカバーし、断線を回避
することもできる。このようなレジストパターン形成方
法も本実施例の範ちゅうである。本実施例に示したよう
に反射光を回避できる部分にレジストパターンを形成
し、電極を形成することによっても良好なパターニング
が行える。
【００１４】（実施例３）本発明の第３の実施例として
高アスペクト比を有するＳｉ基板への電極形成方法を説
明する。本発明の第２の実施例における反射光からの回
避は図４の様に段差下面に回避できるだけの配線スペー
スがある場合にはダミーパターンを必要とせず有効な方
法である。しかし、図７のように電極を形成するエッチ
ング溝７２のアスペクト比が高くなると反射光７４を回
避することは難しくなる。このような場合、前項実施例
１のマスク作製方法が有効であり、図８（ａ）のような
マスクを用い、図８（ｂ）のように露光を行うことによ
って、図８（ｃ）のように高アスペクト比のエッチング
溝段差に問題なく電極を形成できる。このように斜面に
ダミーパターンマスク８２を設けて反射光を遮蔽するこ
とによって、段差下面８９での微細な電極パターン形成
が可能になる。また、図９のようにダミーパターンマス
ク９２を電極としても利用することができ、エッチング
溝内の多線配線をより有効に行える。
高アスペクト比を有するＳｉ基板への電極形成方法を説
明する。本発明の第２の実施例における反射光からの回
避は図４の様に段差下面に回避できるだけの配線スペー
スがある場合にはダミーパターンを必要とせず有効な方
法である。しかし、図７のように電極を形成するエッチ
ング溝７２のアスペクト比が高くなると反射光７４を回
避することは難しくなる。このような場合、前項実施例
１のマスク作製方法が有効であり、図８（ａ）のような
マスクを用い、図８（ｂ）のように露光を行うことによ
って、図８（ｃ）のように高アスペクト比のエッチング
溝段差に問題なく電極を形成できる。このように斜面に
ダミーパターンマスク８２を設けて反射光を遮蔽するこ
とによって、段差下面８９での微細な電極パターン形成
が可能になる。また、図９のようにダミーパターンマス
ク９２を電極としても利用することができ、エッチング
溝内の多線配線をより有効に行える。
【００１５】（実施例４）本発明の第４の実施例は、実
施例１及び実施例２の併用例、すなわちダミーパターン
により段差斜面へＵＶ光を入射を低減しつつ、反射光の
入射の影響を回避する必要がある場合について説明す
る。実施例３では段差上面に酸化膜、あるいはダミーパ
ターンとなる電極層の一部が残っても良い場合であり、
陽極接合によりガラスをＳｉ基板の段差部を跨ぐように
接合する場合、接合部のＳｉ基板表面は異物等のない平
滑なＳｉ面でなければ接合できないため、接合部段差上
面に酸化膜、電極層が残らないように除去しなければな
らない。そこでＳｉ基板へのガラスの陽極接合を行う場
合は、絶縁膜となる酸化膜を電極パターニングと同様に
レジストをパターニングし、レジストパターンをマスク
として、酸化膜をフッ酸水溶液によりエッチングする。
その後、Ａｕ−Ｃｒ膜をスパッタ成膜し、前項ですでに
示したように電極パターニングを行う。酸化膜をパター
ニングする場合、段差下面に酸化膜が残るようにマスク
による段差斜面のマスキングが必要となる。このような
場合、マスク合わせ時の公差を考え、図１０（ａ）のよ
うに酸化膜パターンマスク１０１を段差幅より若干小さ
くする必要があり、図１０（ｂ）のように酸化膜パター
ンマスク１０１とＳｉ基板１０２の段差上面との隙間か
ら反射光が入射してしまうため段差下面の中央部１０７
のレジストが露光されてしまう。絶縁膜パターニングに
おいては段差下面の中央部１０７の酸化膜１１３がエッ
チングされてしまい、このような部分に電極を形成する
と絶縁性が保てなくなるため、この部分を回避して電極
を形成する必要がある。また、段差斜面上部の隙間から
入射によって発生する反射光の影響を考慮しなければな
らないことは言うまでもない。そこで図１１（ａ）のよ
うな電極パターンマスク１１１及びダミーパターンマス
ク１１２を有するマスクを用いて電極を形成することに
よって、図１１（ｂ）のように電極を形成でき、電極を
形成したＳｉ基板１１３とガラス１１５との陽極接合も
可能となる。
施例１及び実施例２の併用例、すなわちダミーパターン
により段差斜面へＵＶ光を入射を低減しつつ、反射光の
入射の影響を回避する必要がある場合について説明す
る。実施例３では段差上面に酸化膜、あるいはダミーパ
ターンとなる電極層の一部が残っても良い場合であり、
陽極接合によりガラスをＳｉ基板の段差部を跨ぐように
接合する場合、接合部のＳｉ基板表面は異物等のない平
滑なＳｉ面でなければ接合できないため、接合部段差上
面に酸化膜、電極層が残らないように除去しなければな
らない。そこでＳｉ基板へのガラスの陽極接合を行う場
合は、絶縁膜となる酸化膜を電極パターニングと同様に
レジストをパターニングし、レジストパターンをマスク
として、酸化膜をフッ酸水溶液によりエッチングする。
その後、Ａｕ−Ｃｒ膜をスパッタ成膜し、前項ですでに
示したように電極パターニングを行う。酸化膜をパター
ニングする場合、段差下面に酸化膜が残るようにマスク
による段差斜面のマスキングが必要となる。このような
場合、マスク合わせ時の公差を考え、図１０（ａ）のよ
うに酸化膜パターンマスク１０１を段差幅より若干小さ
くする必要があり、図１０（ｂ）のように酸化膜パター
ンマスク１０１とＳｉ基板１０２の段差上面との隙間か
ら反射光が入射してしまうため段差下面の中央部１０７
のレジストが露光されてしまう。絶縁膜パターニングに
おいては段差下面の中央部１０７の酸化膜１１３がエッ
チングされてしまい、このような部分に電極を形成する
と絶縁性が保てなくなるため、この部分を回避して電極
を形成する必要がある。また、段差斜面上部の隙間から
入射によって発生する反射光の影響を考慮しなければな
らないことは言うまでもない。そこで図１１（ａ）のよ
うな電極パターンマスク１１１及びダミーパターンマス
ク１１２を有するマスクを用いて電極を形成することに
よって、図１１（ｂ）のように電極を形成でき、電極を
形成したＳｉ基板１１３とガラス１１５との陽極接合も
可能となる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、段差
を有するＳｉ基板上でのレジストパターンの形成におい
て、マスクの改良だけで、段差斜面による反射光の影響
によるレジストパターンの損失を無くし、良好なレジス
トパターニングを行うことができるという効果を有す
る。さらに、今まで反射光の影響によって不可能だった
高アスペクト比のエッチング溝内への多線電極形成も可
能となり、センサなどの分野においてマイクロマシニン
グ技術によって作製される複雑な立体形状表面に電極を
形成できるという効果を有する。
を有するＳｉ基板上でのレジストパターンの形成におい
て、マスクの改良だけで、段差斜面による反射光の影響
によるレジストパターンの損失を無くし、良好なレジス
トパターニングを行うことができるという効果を有す
る。さらに、今まで反射光の影響によって不可能だった
高アスペクト比のエッチング溝内への多線電極形成も可
能となり、センサなどの分野においてマイクロマシニン
グ技術によって作製される複雑な立体形状表面に電極を
形成できるという効果を有する。
【図１】 本発明の第１の実施例におけるＳｉ基板表面
への電極形成を説明する図である。
への電極形成を説明する図である。
【図２】 本発明の第１の実施例における電極形成プロ
セスを説明する図である。
セスを説明する図である。
【図３】 本発明の第１の実施例における電極パターニ
ング工程を説明する図である。
ング工程を説明する図である。
【図４】 本発明の第２の実施例における電極パターニ
ング工程を説明する図である。
ング工程を説明する図である。
【図５】 本発明の第２の実施例における反射光露光領
域の予測方法の原理を説明する図である。
域の予測方法の原理を説明する図である。
【図６】 本発明の第２の実施例におけるマスク設計法
を応用したマスクパターンを説明する図である。
を応用したマスクパターンを説明する図である。
【図７】 本発明の第３の実施例におけるアスペクト比
の大きいエッチング溝を有するＳｉ基板への電極形成の
問題点を説明する図である。
の大きいエッチング溝を有するＳｉ基板への電極形成の
問題点を説明する図である。
【図８】 本発明の第３の実施例におけるアスペクト比
の大きいエッチング溝を有するＳｉ基板への電極形成を
説明する図である。
の大きいエッチング溝を有するＳｉ基板への電極形成を
説明する図である。
【図９】 本発明の第３の実施例におけるダミーパター
ンの電極パターンとしての利用を説明する図である。
ンの電極パターンとしての利用を説明する図である。
【図１０】 本発明の第４の実施例における酸化膜のマ
スクパターンと露光工程を説明する図である。
スクパターンと露光工程を説明する図である。
【図１１】 本発明の第４の実施例における露光工程を
説明する図である。
説明する図である。
【図１２】 従来技術におけるＳｉ基板表面への電極形
成を説明する図である。
成を説明する図である。
【図１３】 従来のマスクを用いた露光工程を説明する
図である。
図である。
１１ Ｓｉ基板 １２ 段差斜面（（１１１）面） １３ 段差上面 １４ 段差下面 １５ 電極（Ｃｒ−Ａｕ） ２１ Ｓｉ基板 ２２ 酸化膜 ２３ Ｃｒ−Ａｕ膜（電極） ２４ ポジ型レジスト ３１ 電極パターンマスク ３２ ダミーパターンマスク ３３ Ｓｉ基板 ３４ 酸化膜 ３５ Ｃｒ−Ａｕ膜（電極） ３６ ポジ型レジスト ３７ ＵＶ光 ３８ 段差斜面 ４１ 電極パターンマスク ４２ Ｓｉ基板 ４３ 酸化膜 ４４ Ｃｒ−Ａｕ膜（電極） ４５ ポジ型レジスト ４６ ＵＶ光 ４７ 段差斜面 ４８ 反射光 ４９ 反射光による露光部 ５１ Ｓｉ基板 ５２ 段差斜面（（１１１）面） ５３ ＵＶ光 ５４ 反射光 ５５ 角度５５゜ ５６ 角度３５゜ ５７ 角度２０゜ ５８ 段差上面 ５９ 段差下面 ６１ 電極パターンマスク ７１ Ｓｉ基板 ７２ エッチング溝 ７３ ＵＶ光 ７４ 反射光 ８１ 電極パターンマスク ８２ ダミーパターンマスク ９１ 電極パターンマスク ９２ ダミーパターンマスク兼電極パターンマスク １０１ 酸化膜パターンマスク １０２ Ｓｉ基板 １０３ 酸化膜 １０４ ポジレジスト １０５ ＵＶ光 １０６ 反射光 １０７ 段差下面 １１１ 電極パターンマスク １１２ ダミーパターンマスク １１３ Ｓｉ基板 １１４ 酸化膜 １１５ ガラス １１６ 絶縁不良（酸化膜） １１７ 電極（Ｃｒ−Ａｕ） １２１ Ｓｉ基板 １２２ 電極（Ｃｒ−Ａｕ） １３１ 電極パターンマスク １３２ Ｓｉ基板 １３３ 酸化膜 １３４ Ｃｒ−Ａｕ膜 １３５ ポジ型レジスト １３６ ＵＶ光 １３７ 反射光 １３８ 段差斜面
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に段差を有するＳｉ基板上の段差斜
面に隣接する底部にレジストパターンを形成する方法で
あって、 １）前記Ｓｉ基板表面にポジ型レジストを被覆形成し、 ２）所望するレジストパターンと、前記所望するレジス
トパターンに入射する斜面反射光を遮断すべく配置され
るダミーパターンを前記レジストパターンに近接する段
差斜面上に有するフォトマスク を用いて露光することを特徴とするレジストパターン形
成方法。 - 【請求項２】 表面に段差を有するＳｉ基板上の段差斜
面に隣接する底部にレジストパターンを形成する方法で
あって、 １）前記Ｓｉ基板表面にポジ型レジストを被覆形成し、 ２）前記段差斜面での反射による入射光を回避すべく所
望するレジストパターンを前記レジストパターンに近接
する前記段差斜面から離して配置したフォトマスク を用いて露光することを特徴とするレジストパターン形
成方法。 - 【請求項３】 ポジ型レジストの被覆形成方法がスプレ
ーコーティングであることを特徴とする請求項１及び請
求項２記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項４】 レジストパターン形成方法において、段
差斜面の結晶面方位を（１１１）面とするＳｉ基板での
レジストパターンの配置が段差量をＨ、前記段差斜面上
部エッジからの距離Ｗとし、 Ｗ＝Ｈ／ｔａｎ２０゜ で示されるＷより離れた前記段差斜面底部領域であるこ
とを特徴とする請求項２記載のレジストパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11584292A JPH05313347A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11584292A JPH05313347A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05313347A true JPH05313347A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14672481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11584292A Pending JPH05313347A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05313347A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19508746A1 (de) * | 1994-03-11 | 1995-11-02 | Hyundai Electronics Ind | Belichtungsmaske |
| JP2007148300A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク、およびカラーフィルタ基板 |
| CN109283799A (zh) * | 2018-08-24 | 2019-01-29 | 广州联声电子科技有限公司 | 一种微加工连线方法 |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP11584292A patent/JPH05313347A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19508746A1 (de) * | 1994-03-11 | 1995-11-02 | Hyundai Electronics Ind | Belichtungsmaske |
| DE19508746B4 (de) * | 1994-03-11 | 2004-04-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Belichtungsmaske |
| JP2007148300A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク、およびカラーフィルタ基板 |
| JP4697960B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2011-06-08 | 大日本印刷株式会社 | パターンニング方法とこれに用いられる近接露光用の原版マスク |
| CN109283799A (zh) * | 2018-08-24 | 2019-01-29 | 广州联声电子科技有限公司 | 一种微加工连线方法 |
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