CN109001957B - 光掩模和显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供光掩模和显示装置的制造方法。通过接近曝光方式将光掩模的转印用图案转印到被转印体上的情况下，难以转印出忠实于光掩模的图案设计的高精细图案。本发明为在透明基板上具备用于在被转印体上形成黑色矩阵的转印用图案的接近曝光用的光掩模，转印用图案具备：第1狭缝图案，其是形成在第1图案形成区域的、实质上由透光部构成的狭缝图案，具有一定宽度W1的部分；第2狭缝图案，其是形成在除了交叉区域以外的第2图案形成区域的、实质上由半透光部构成的狭缝图案，具有比一定宽度W1小的一定宽度W2的部分；和辅助图案，其是未独立地进行解像的图案，对在被转印体上所形成的黑色矩阵像的形状进行修整。

Description

光掩模和显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及用于制造电子器件的光掩模，特别是涉及适合用于制造平板显示器的光掩模、和显示装置的制造方法。
背景技术
专利文献1中记载了利用光刻能够在基板等被转印体上形成具有精细部分的线图案的光掩模。具体而言，专利文献1中记载了一种光掩模，该光掩模用于形成具有线宽为2μm～10μm的精细部分的线图案和围绕该线图案的周边区域，该光掩模具有遮光部、与上述线图案对应的半透光部、和围绕上述遮光部和上述半透光部且与上述周边区域对应的透光部，上述半透光部比上述线图案的上述精细部分更宽广。由此，能够抑制设备投资的增加或生产效率的降低，并且能够形成精细的线图案。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-99247号公报
发明内容
发明所要解决的课题
随着便携终端等的市场急剧扩大，对于液晶显示装置(以下简称为“LCD”)等平板显示器(以下简称为“FPD”)制品，像素密度的增加动向不断发展。另外，强烈期望显示画面的分辨率、亮度、省电、动作速度等性能进一步提高。
作为LCD中所用的彩色滤光片(以下简称为“CF”)基板，已知有在透明基板上排列有与各像素电极对应的三原色的滤光片(红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片)并在各滤光片之间设置有作为遮光部分的黑色矩阵(以下简称为“BM”)的彩色滤光片基板。BM将例如像液晶显示元件的源极布线、像素电极与源极布线之间的间隙等那样的无助于图像显示的部分进行遮光。为了使液晶显示明亮，期望尽可能减少利用BM进行遮光的部分、即期望将BM的线宽微细化。
图19的(a)是示出彩色滤光片的构成例的示意图。在此处所示的彩色滤光片的图案中，在一个像素(P单位图案)中排列有形成彼此相同形状的三个子像素(SP单位图案)。三个子像素分别与R(Red，红)、G(Green，绿)、B(Blue，蓝)颜色的滤光片对应。各子像素形成为长方形，以一定的间距规则地排列。
各子像素由BM进行划分。BM相互交叉且形成为格子状。另外，具有上述三种颜色的子像素的一个像素以一定的间距规则地排列，由此形成重复图案。
随着上述BM的微细化动向，对于具备用于形成BM的转印用图案的光掩模而言，也需要微细化。但是，仅简单地缩小光掩模所具备的图案的尺寸，会产生以下的不良情况。
对于CF的制造而言，应用通过接近曝光方式的曝光装置(接近曝光装置)将光掩模的转印用图案主要在负型的感光材料上曝光的方法。将已有(微细化前)的BM形成用的光掩模的图案示于图19的(b)，将为了形成更高精细的BM而对上述光掩模的图案进行了微细化的图案示于图19的(c)。例如在将300ppi(像素每英寸，pixel per inch)左右的CF转变为超过400ppi的更微细的规格的状况下需要如此进行图案的微细化。
使用具备图19的(c)的图案的光掩模在CF基板上转印BM的图案而制造CF的情况下，理想的是得到图20的(a)所示那样的BM的转印图像。但是，现实是产生下述等课题：转印到CF基板上的BM的转印图像如图20的(b)所示那样BM的宽度未充分地微细化(图中，参照Z1部分)，并且子像素的开口的角(图中，参照Z2部分)带有圆角。由此，实际上难以得到理想的CF的图案。
根据上述专利文献1所记载的技术，对于BM的线宽的微细化，得到了一定的效果。另一方面，在形成用于制造更有利的CF的BM中，子像素的开口的角的圆角等还存在进一步改良的余地。据认为这是因为，在接近曝光时，由于在光掩模与被转印体之间的间隙(即接近间隙)所产生的衍射光而形成复杂的光强度分布，在被转印体上所形成的转印图像无法忠实地再现光掩模的图案。
根据发明人的研究，可知根据光掩模的图案的设计，在透过光掩模的光到达被转印体(此处为CF基板)上时，受到衍射作用的影响，在非有意的位置产生光强度的局部增加或局部减少，形成与光掩模的图案不同的形状的光强度分布。因此，可知难以形成忠实于光掩模的图案设计的BM，并且上述趋势随着图案的微细化而变得更显著。
另一方面，为了控制导致上述问题的接近间隙中的衍射光，考虑了使接近间隙充分窄、或者从根本上改变光学条件(曝光光源波长等)。但是，若考虑CF制造的生产效率、成本效率，则使用一定程度的大型的光掩模(一边的尺寸为300mm以上、优选为400～2000mm左右)是有利的。并且，对于为了接近曝光而对该程度的尺寸的光掩模进行保持而言，从稳定地生产CF的方面出发，期望充分确保接近间隙(例如为30μm以上、优选为40μm以上)。另外，与投影曝光方式相比，接近曝光方式的生产成本低是较大的优点，若改变光学条件等装置构成，则有可能显著损害该优点。
本发明的目的在于提供一种光掩模和显示装置的制造方法，其中，通过接近曝光方式将光掩模的转印用图案转印到被转印体上的情况下，能够转印出忠实于目标器件的图案设计的高精细图案。
用于解决课题的手段
(第1方式)
本发明的第1方式是一种光掩模，其是在透明基板上具备用于在被转印体上形成黑色矩阵的转印用图案的接近曝光用的光掩模，其特征在于，
将在第1方向上延伸的图案形成区域设为第1图案形成区域、将在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的图案形成区域设为第2图案形成区域、将上述第1图案形成区域与上述第2图案形成区域交叉的区域设为交叉区域时，
上述转印用图案具备：
第1狭缝图案，其是形成在上述第1图案形成区域的、实质上由透光部构成的狭缝图案，具有一定宽度W1的部分；
第2狭缝图案，其是形成在除了上述交叉区域以外的上述第2图案形成区域的、实质上由半透光部构成的狭缝图案，具有比上述一定宽度W1小的一定宽度W2的部分；和
辅助图案，其是未独立地进行解像的图案，对在上述被转印体上所形成的上述黑色矩阵像的形状进行修整。
(第2方式)
本发明的第2方式是如上述第1方式所述的光掩模，其特征在于，
上述辅助图案包含部分突出地形成在上述第2狭缝图案的宽度方向的两侧的、由半透明部构成的一对凸部。
(第3方式)
本发明的第3方式是如上述第2方式所述的光掩模，其特征在于，
上述一对凸部在对上述转印用图案进行接近曝光时，抑制上述第2狭缝图案在上述被转印体上形成的转印图像的光强度分布中的光强度的局部降低，使上述第2狭缝图案的透射光强度均匀化。
(第4方式)
本发明的第4方式是如上述第1～第3方式中任一项所述的光掩模，其特征在于，
上述辅助图案包含从上述第2狭缝图案的出口起至少在上述第2方向上扩张而形成的、由半透光部构成的扩张部。
(第5方式)
本发明的第5方式是如上述第4方式所述的光掩模，其特征在于，
上述扩张部在对上述转印用图案进行接近曝光时使上述第2狭缝图案在上述被转印体上形成的转印图像中的角部的曲率增加。
(第6方式)
本发明的第6方式是如上述第1～第5方式中任一项所述的光掩模，其特征在于，
上述辅助图案包含位于在上述第1方向上相邻的两个上述交叉区域的中间而形成在上述第1图案形成区域的、由半透光部或遮光部构成的孤立图案。
(第7方式)
本发明的第7方式是如上述第6方式所述的光掩模，其特征在于，
上述孤立图案在对上述转印用图案进行接近曝光时，抑制上述第1狭缝图案在上述被转印体上形成的转印图像的光强度分布中的光强度的局部峰，使上述第1狭缝图案的透射光强度均匀化。
(第8方式)
本发明的第8方式是如上述第6或第7方式所述的光掩模，其特征在于，
上述孤立图案的形状为矩形。
(第9方式)
本发明的第9方式是一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
准备上述第1～第8方式中任一项所述的光掩模的工序；和
使用接近曝光装置将上述转印用图案转印到上述被转印体上的工序。
发明效果
根据本发明，通过接近曝光方式将光掩模的转印用图案转印到被转印体上的情况下，能够转印出忠实于目标器件的图案设计的高精细图案。由此，例如将CF基板作为被转印体来形成BM的情况下，能够在被转印体上形成高精细的BM，因此能够有助于制造高性能的CF。
附图说明
图1是示出本发明的参考方式的光掩模的构成例的俯视图。
图2的(a)是图1的H-H截面图，(b)是图1的V1-V1截面图，(c)是图1的V2-V2截面图。
图3是示出第1图案形成区域、第2图案形成区域和交叉区域的配置关系的俯视图。
图4的(a)是示意性示出在使用接近曝光装置对参考方式的光掩模的转印用图案进行曝光时在被转印体上所得到的转印图像的光强度分布的俯视图，(b)是示出通过图中的(a)所示的光强度分布在被转印体(负型的感光材料)上所形成的BM图像的俯视图。
图5的(a)是将图1所示的光掩模的转印用图案的交叉区域周边放大的俯视图，(b)是示意性示出在利用接近曝光装置对该转印用图案进行曝光时在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布的俯视图。
图6是示意性示出转印图像的理想的光强度分布的俯视图。
图7是示出本发明的第1实施方式的光掩模所具备的转印用图案的构成例的俯视图。
图8是示意性示出使用本发明的第1实施方式的光掩模时所得到的转印图像的光强度分布的一例的俯视图。
图9是示出本发明的第1实施方式的光掩模所具备的转印用图案的其他构成例的俯视图。
图10是示意性示出在利用接近曝光装置对上述图1所示的参考方式的光掩模的转印用图案进行曝光时在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布的俯视图。
图11是示出本发明的第2实施方式的光掩模所具备的转印用图案的构成例的俯视图。
图12的(a)～(e)是示出能够在本发明的第2实施方式中应用的扩张部的方式的俯视图。
图13是示意性示出在利用接近曝光装置对上述图1所示的参考方式的光掩模的转印用图案进行曝光时在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布的俯视图。
图14是示出本发明的第3实施方式的光掩模所具备的转印用图案的构成例的俯视图。
图15是示出参考方式的光掩模的转印用图案的俯视图。
图16是示出对具备上述图15所示的转印用图案的光掩模进行曝光而在被转印体上所得到的光学像(转印图像)的光强度分布的图。
图17是示出在光掩模的转印用图案中导入了辅助图案的例子的俯视图。
图18是示出通过上述图17的转印用图案在被转印体上所得到的光学像的光强度分布的图。
图19的(a)是示出彩色滤光片的构成例的示意图，(b)是示出微细化前的掩模图案的图，(c)是示出微细化后的掩模图案的图。
图20的(a)是示出基于理想的BM的转印图像的CF的图案的图，(b)是基于现实的BM的转印图像的CF的图案的图。
具体实施方式
＜参考方式>
图1是示出本发明的参考方式的光掩模的构成例的俯视图。另外，图2的(a)是图1的H-H截面图，(b)是图1的V1-V1截面图，(c)是图1的V2-V2截面图。
图示的光掩模是在透明基板上具备用于在被转印体上形成BM的转印用图案的接近曝光用的光掩模。光掩模的转印用图案具备：实质上由透光部22构成的第1狭缝图案1、实质上由半透光部21构成的第2狭缝图案2、和实质上由遮光部23构成的遮光图案3。
第1狭缝图案1和第2狭缝图案2形成在与各自对应的图案形成区域。具体而言，如图3所示，将在第1方向上延伸的图案形成区域设为第1图案形成区域E1、将在与第1方向交叉的第2方向上延伸的图案形成区域设为第2图案形成区域E2、将第1图案形成区域E1与第2图案形成区域E2交叉的区域(图中施加阴影线的区域)设为交叉区域E3时，第1狭缝图案1形成在第1图案形成区域E1，第2狭缝图案2形成在除了交叉区域E3以外的第2图案形成区域E2。在此，作为一例，将X方向(横方向)设为第1方向、将Y方向(纵向)设为第2方向。该情况下，第1图案形成区域E1和第2图案形成区域E2以相互呈直角地交叉的形式形成为格子状。
第1狭缝图案1是以X方向为长度方向、以Y方向为宽度方向而形成的狭缝状的图案，在Y方向上以规定的间距P1排列。第2狭缝图案2是以X方向为宽度方向、以Y方向为长度方向而形成的狭缝状的图案，在X方向上以规定的间距P2排列。遮光图案3是由第1狭缝图案1和第2狭缝图案2围成的图案。需要说明的是，图1示出光掩模的转印用图案的一部分，实际上第1狭缝图案1和第2狭缝图案2分别以规定的间距P1、P2的重复周期形成。
第1狭缝图案1由使透明基板30的表面露出的透光部22构成。第2狭缝图案2由在透明基板30上成膜半透光膜31而形成的半透光部21构成。半透光膜31是透过曝光光的一部分的半透光性的膜。遮光图案3由在透明基板30上成膜遮光膜32而形成的遮光部23构成。需要说明的是，图2中，遮光部23形成为半透光膜31和遮光膜32依次层叠而成的层叠膜，层叠顺序也可以相反，另外也可以为遮光膜32的单层膜。
图4的(a)是示意性示出在使用接近曝光装置对上述参考方式的光掩模的转印用图案进行曝光时在被转印体上所得到的转印图像的光强度分布的俯视图。另外，图4的(b)是示出通过图4的(a)所示的光强度分布在被转印体(负型的感光材料)上所形成的BM图像的俯视图。在图4的(b)中，由与第1狭缝图案1对应的第1BM图案41和与第2狭缝图案2对应的第2BM图案42围成的部分成为与遮光图案3对应的开口部43。另外，以L1表示第1BM图案41的线宽、以L2表示第2BM图案42的线宽。
根据上述图4的(a)所示的光强度分布，通过光掩模的转印用图案在被转印体上所得到的转印图像的形状中出现下述三种现象。
(1)在第1图案形成区域E1和第2图案形成区域E2的交叉区域E3附近且在第2狭缝图案2的长度方向的端部(图4的(a)的A部)附近，出现曝光光的光强度局部降低的暗的光斑(以下称为“光量降低光斑”)。由于此处出现的光强度的降低，容易导致在被转印体上所形成的BM图像中，第2BM图案42的线宽L2一部分小于设计值，或者根据情况产生断线。
(2)如图4的(b)所示，BM图像的开口部43的角不为直角，而是带圆角。进一步，光量的等高线的形状在光掩模的转印用图案中为直线的部分也产生波动而出现波纹(图4的(a)的B部)。因此，在被转印体上所形成的BM图像的开口部43的角变圆，开口面积减少。
(3)在第1狭缝图案1中，在X方向上相邻的两个交叉区域E3的中间出现强的光量峰(图4的(a)的C部)。因此，产生透过第1狭缝图案1的曝光光线的光强度不需要的强弱。因此，在与第1狭缝图案1对应地在被转印体上所形成的BM图像中，产生局部较强的固化部分44，由此存在在BM的立体结构中产生凹凸的风险。
在现状中，消除由于因上述三种现象而使图案形状劣化的转印图像而在对被转印体上的BM用感光材料进行感光而制造CF时会产生的不良情况作为课题变得显著。以下，以与由于上述(1)的现象而产生的课题对应的实施方式作为第1实施方式、以与由于上述(2)的现象而产生的课题对应的实施方式作为第2实施方式、以与由于上述(3)的现象而产生的课题对应的实施方式作为第3实施方式来进行说明。
＜第1实施方式>
首先，对上述(1)的现象进行研究。
图5的(a)是将图1所示的光掩模的转印用图案的交叉区域周边放大的俯视图，(b)是示意性示出在利用接近曝光装置对该转印用图案进行曝光时在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布的俯视图。
在图5的(a)中，第1狭缝图案1具有一定宽度W1的部分，第2狭缝图案2具有一定宽度W2(其中，W2＜W1)的部分。第1狭缝图案1的一定宽度W1的部分与X方向平行，第2狭缝图案2的一定宽度W2的部分与Y方向平行。
交叉区域E3是在Y方向上相邻的第2狭缝图案2之间划分的多边形(在图5的(a)中为四边形)的区域。交叉区域E3在将在Y方向上隔着交叉区域E3对置的第2狭缝图案2的角部分别设为YE时，能够特定为用直线将各个角部YE连接而成的多边形的区域。关于某一个第2狭缝图案2，用直线将在X方向上成对的第2狭缝图案2的角部YE连接起来的线段相当于第2狭缝图案2的出口。第2狭缝图案2的出口是交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界，是指在第2方向(在本方式中为Y方向)上与交叉区域E3相接的第2狭缝图案2的端边。第2狭缝图案2的角部YE例如在交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界部分能够特定为第2狭缝图案2的线宽或边缘形状急剧变化的变曲部。
如上所述，第1狭缝图案1由透光部22构成，第2狭缝图案2由半透光部21构成。另外，在图5的(a)中，为了表示交叉区域E3的范围而施加了阴影线，但交叉区域E3为第1狭缝图案1的一部分。因此，交叉区域E3与第1狭缝图案1同样地，由让透明基板30露出的透光部22构成。需要说明的是，关于交叉区域E3，在图5的(a)以外的附图中，有时也施加阴影线。遮光图案3是与BM的开口对应的图案，由遮光部23构成。遮光图案3形成为位于在X方向上相邻的第2狭缝图案2之间，并且位于在Y方向上相邻的第1狭缝图案1之间。
在图5的(b)中，在与第2狭缝图案2对应的部分，在从交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界起在Y方向上隔着d1(μm)的距离的位置形成有光量降低光斑45。需要说明的是，在图5的(b)中，强调表现出在图4的(a)的A部产生的光量降低光斑。光量降低光斑45的形成在形成BM的工序中会如上所述产生BM的线宽细或断线的风险，因此是不优选的。即，期望得到使透过了第2狭缝图案2的曝光光在被转印体上形成的光的强度更均匀化、结果如图6所示那样的理想的光强度分布。需要说明的是，在图6所示的光强度分布中，未产生光量降低光斑45。
因此，本发明人研究了导入辅助图案，提高通过第1狭缝图案1和第2狭缝图案2在被转印体上所形成的BM的转印图像的光强度的均匀性。该辅助图案是在使用接近曝光装置将光掩模的转印用图案转印到被转印体上的情况下未独立地进行解像的图案。在此，“未独立地进行解像的图案”是指，在显示装置制造用曝光装置的曝光条件下，由于光掩模的图案中的CD和透过率，未以能够识别该图案的转印图像的状态形成在被转印体上的图案。CD是(临界尺寸，Critical Dimension)的简称，具有图案宽度的意思。辅助图案是出于使在被转印体上所形成的BM图像接近图6所示那样的理想形状的目的而导入的图案，起到对在被转印体上所形成的BM图像的形状进行修整的作用。
(第1实施方式的光掩模)
图7是示出本发明的第1实施方式的光掩模所具备的转印用图案的构成例的俯视图。
图示的光掩模通过利用接近曝光方式进行曝光，能够作为用于在被转印体上形成BM的光掩模应用。该第1实施方式的光掩模除了在转印用图案中包含辅助图案以外，具备与上述图1所示的参考方式的光掩模同样的图案。具体而言，具备包含在第1图案形成区域E1所形成的第1狭缝图案1和在除了交叉区域E3以外的第2图案形成区域E2所形成的第2狭缝图案2、和由第1狭缝图案1和第2狭缝图案2围成的遮光图案3的转印用图案。
第1狭缝图案1具有一定宽度W1(μm)的部分，第2狭缝图案2具有比一定宽度W1(μm)窄的一定宽度W2(μm)的部分。第1狭缝图案1的Y方向的间距(重复周期)为P1(μm)，第2狭缝图案2的X方向的间距(重复周期)为P2(μm)。优选第1狭缝图案1实质上由透光部22构成，第2狭缝图案2实质上由半透光部21构成。透光部22能够让透明基板30露出，半透光部21能够在半透光膜31上成膜半透光膜31而形成。在将透明基板的曝光光透过率设为100％时，半透光部21的曝光光透过率优选为30～70％，更优选为40～60％。另外，对于半透光膜31的曝光光的相移量优选为±90度以内，更优选为±60度以内。交叉区域E3实质上由透光部22构成。
需要说明的是，在本实施方式中，在存在未独立地进行解像但为了提高BM的图案的转印性而导入的辅助图案的情况下，“实质上”的区域是指该辅助图案以外的区域。例如包含在由透光部构成的第1狭缝图案1内如后所述导入由半透光部构成的孤立图案作为辅助图案的情况等。该情况下，第1狭缝图案1“实质上”由透光部构成是指，在将由透光部构成的第1狭缝图案1和由半透光部构成的辅助图案加在一起的面积设为100％时，第1狭缝图案1所占的面积为65％以上、优选为80％以上的情况。对于第2狭缝图案2也同样地，第2狭缝图案2“实质上”由半透光部构成是指，第2狭缝图案2所占的面积为65％以上、优选为80％以上的情况。另外，交叉区域E3实质上由透光部构成的情况例如如在后述的第2实施方式中所述那样，是指在将光学特性与交叉区域E3不同的辅助图案导入至交叉区域E3内的情况下，除了辅助图案以外的部分为透光部的情况。
另外，在第1狭缝图案1和第2狭缝图案2形成的相当于格子的窗的部分，分别形成有遮光图案3。遮光图案3由在透明基板30上形成有遮光膜32的遮光部23构成。第1狭缝图案1和第2狭缝图案2构成与要形成在被转印体上的BM对应的格子状的图案。另外，由第1狭缝图案1和第2狭缝图案2围成的遮光图案3构成与BM的开口对应的图案。在制造LCD的CF的情况下，在透明的CF基板上形成BM之后，在BM的各开口部分形成与各自对应的颜色(R、G、B)的滤光片。
需要说明的是，未进行图示，但在光掩模的转印用图案的外周附近可以具有未形成遮光部的透光部。该透光部与液晶显示装置的显示部分外缘的边框区域对应，与第1、第2狭缝图案相比，具有充分宽的宽度。
第1狭缝图案1的一定宽度部分中的宽度尺寸W1(μm)优选为15≤W1≤40，第2狭缝图案2的一定宽度部分的宽度尺寸W2(μm)优选为4≤W2≤12。另外，第1狭缝图案1的间距P1(μm)优选为400≤P1≤100，第2狭缝图案2的间距P2(μm)优选为10≤P2≤35。
需要说明的是，在本实施方式中，列举第1图案形成区域E1和第2图案形成区域E2相互呈直角地交叉的情况为例进行了说明，但本发明并不限于此。例如第1图案形成区域E1与第2图案形成区域E2的交叉角度可以为90±45度以内、更优选为90±30度以内。任一情况下，第1狭缝图案1形成在第1图案形成区域E1，第2狭缝图案2形成在除了交叉区域E3以外的第2狭缝图案2。
另外，第1狭缝图案1可以不在所有的部分为一定宽度，只要具有W1的一定宽度部分即可。同样地，第2狭缝图案2可以不在所有的部分为一定宽度，只要具有W2的一定宽度部分即可。因此，例如第1狭缝图案1可以具有部分成为宽幅的部分。另外，优选第1狭缝图案1和第2狭缝图案2分别以长度的50％以上的比例具有上述一定宽度W1、W2的部分。
以下，使用图7对本发明的第1实施方式的光掩模的转印用图案所具备的辅助图案进行说明。
在第2狭缝图案2中形成有一对凸部5作为辅助图案。一对凸部5部分突出地形成在第2狭缝图案2的宽度方向的两侧，由此第2狭缝图案2的一部分成为线宽比其他部分宽的宽幅部6。各个凸部5以在X方向上为α1(μm)的突出量、在Y方向上为β1(μm)的突出宽度形成。一对凸部5形成在第2狭缝图案2的宽度方向两侧的对应的位置，优选在宽度方向上对称地设置。另外，优选一对凸部5形成在从交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界起在Y方向上等距离的位置。
优选由一对凸部5形成的宽幅部6配置在交叉区域E3的附近。具体而言，优选在Y方向上从交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界至宽幅部6的重心的距离D1为第2狭缝图案2的长度(P1-W1)的1/4以内。该情况下，上述距离D1的优选范围为β1÷2≤D1≤0.25×(P1-W1)。另外，优选距离D1满足β1÷2＜D1，即与交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界分开地配置凸部5。
宽幅部6的宽度以W2+(2×α1)表示。该情况下，凸部5的突出量α1优选为0＜α1≤0.3×W2，更优选为0.04×W2≤α1≤0.25×W2。另外，凸部5的突出宽度β1优选为0＜β1≤0.15×(P1-W1)。
根据本发明人的研究，确认到通过在第2狭缝图案2设置宽幅部6，能够抑制上述光量降低光斑45(图5的(b))的形成。即，可知当对具备图7的转印用图案的BM形成用的光掩模进行曝光时，如图6所示那样消除了在第2狭缝图案2的转印图像中的光强度的下降，光强度分布均匀化。即，上述情况与无宽幅部6的情况相比，能够进行光强度分布的均匀化。
需要说明的是，在本实施方式中，在距离交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界为距离D1的位置形成有宽幅部6，但以距离D1特定的宽幅部6的位置与图5的(b)所示的以距离d1特定的光量降低光斑45的位置未必一致。即，未必是D1＝d1，也存在D1>d1或D1＜d1的情况。宽幅部6的最佳的位置、即第2狭缝图案2的转印图像中的光强度分布最稳定的宽幅部6的位置能够通过光学模拟进行确认。
另外，设置在第2狭缝图案2的宽幅部6的数量不限于一个。即，导入至第2狭缝图案2的凸部5不限于一对。例如在交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界的附近设置宽幅部6，结果在第2狭缝图案2的转印图像中有时如图8所示那样形成新的光量降低光斑45b。光量降低光斑45b在距离交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界在Y方向上为距离d2的位置产生。
因此，为了消除该光量下降，使第2狭缝图案2的转印图像的光强度分布更均匀，如图9所示，除了上述宽幅部6之外，可以导入第二个宽幅部6b。宽幅部6b通过一对凸部5b形成在第2狭缝图案2。
在图9所示的转印用图案中，在距离交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界为D1(μm)的距离的位置设置宽幅部(以下也称为“主宽幅部”)6，进一步在距离该边界为D2(μm)的距离的位置设置有宽幅部6b。该情况下，Y方向的距离D2与上述距离D1同样地，表示从交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界至宽幅部6b的重心的距离，满足D2>D1的关系。另外，宽幅部6中的凸部5的突出量α1(μm)与宽幅部6b中的凸部5b的突出量的α2(μm)的关系优选为α1≥α2，更优选为α1>α2。
在第2狭缝图案2仅设置宽幅部6的情况下、或设置宽幅部6和宽幅部6b这二者的情况下，优选凸部5、5b的突出形状为矩形。另外，设置在第2狭缝图案2的宽幅部6的数量可以为三个以上。该情况下，按照距离交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界从近到远的顺序将各个宽幅部6的突出量设为α1、α2、α3、α4、…时，它们的关系优选为α1≥α2≥α3≥α4…，更优选为α1>α2>α3>α4…。其中，该条件应用于从交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界至第2狭缝图案2的长度方向的中间部的区间。
从第2狭缝图案2的长度方向的一端到另一端所配置的宽幅部6的数量N优选为1≤N≤5。该情况下，优选主宽幅部6配置在交叉区域E3的附近。
需要说明的是，关于光量降低光斑45b，以距离D2特定的宽幅部6b的位置与以距离d2特定的光量降低光斑45b的位置也未必一致。即，未必是D2＝d2，也存在D2>d2或D2＜d2的情况。该点在第2狭缝图案2设置三个以上宽幅部6的情况(D3以下的情况)也是同样的。
在本发明的第1实施方式的光掩模中，在第2狭缝图案2通过一对凸部5形成了宽幅部6，从而在对转印用图案进行接近曝光时，能够抑制第2狭缝图案2在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布中的光强度的局部降低(光量降低光斑45的产生)，能够使第2狭缝图案2的透射光强度均匀化。由此，能够使在被转印体上所形成的第2狭缝图案2的转印图像的光强度分布接近图6所示的理想的光强度分布。其结果是，在显示装置的制造工序中，在制造CF的情况下，能够使在CF基板上所形成的BM的尺寸(特别是图案宽度)为规定范围内，能够降低断线的风险。
另外，认为本实施方式将现有的光掩模所具备的、与BM的开口对应的遮光图案一部分替换为解像界限以下(未独立地进行解像)的半透光部，从而能够降低转印图像的变细或断线的风险。
＜第2实施方式>
本发明的第2实施方式的光掩模解决由于上述(2)的现象而产生的课题。
图10是示意性示出在利用接近曝光装置对上述图1所示的参考方式的光掩模的转印用图案进行曝光时在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布的俯视图。在此，强调表现出图4的(a)所示的B部(角部的圆形和等高线的起伏)。即，即使遮光图案3的角部K(图5的(a))有棱角，当在被转印体上转印为转印图像时，与遮光图案3的角部K对应的部分(图10的J部)也带圆角，进入要配置滤光片的开口区域的内侧。同时，在作为由透光部构成的第1狭缝图案1的转印图像形成的明亮的带(图10的Q部)的外缘所形成的等高线(图中S部)产生波纹、起伏(图中参照虚线的椭圆)。由于这些现象，使用光掩模制造的CF的开口部(配置滤光片的区域)的开口面积减小，有可能损坏显示屏的明亮度。
(第2实施方式的光掩模)
图11是示出本发明的第2实施方式的光掩模所具备的转印用图案的构成例的俯视图。
本发明的第2实施方式的光掩模与上述第1实施方式的光掩模同样地，具备第1狭缝图案1、第2狭缝图案2和遮光图案3，与第1实施方式的区别技术特征在于下述方面：代替具有上述宽幅部(或在具有上述宽幅部的基础上)，具有下述扩张部作为上述辅助图案。
在图11所示的光掩模中，从第2狭缝图案2的出口起在Y方向上扩张而形成扩张部7。另外，扩张部7也从第2狭缝图案2的出口起在X方向上扩张。此处，X方向是指与第1狭缝图案1的一定宽度W1的部分平行的方向，Y方向是指与第2狭缝图案2的一定宽度W2的部分平行的方向。另外，第2狭缝图案2的出口如上所述是交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界，是指在第2方向(在本方式中为Y方向)上与交叉区域E3相接的第2狭缝图案2的端边。扩张部7由半透光部构成。扩张部7按照从交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界向交叉区域E3侧突出的方式进行扩张，进一步按照也向交叉区域E3的两侧突出的方式进行扩张。
此处，将扩张部7的Y方向的扩张量设为γ1(μm)、将X方向的扩张量设为γ2(μm)时，Y方向的扩张量γ1以交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界为基准进行规定，X方向的扩张量γ2以第2狭缝图案2的角部YE的位置为基准进行规定。扩张部7相对于第2狭缝图案2的宽度方向的中心在X方向的一方与另一方分别以γ2(μm)的扩张量对称地突出。因此，X方向上的扩张部7的宽度W3(μm)大于第2狭缝图案2的宽度W2。扩张部7的宽度W3与第2狭缝图案2的宽度W2的关系为W3(＝W2+2×γ2)>W2。扩张部7形成为矩形，该矩形由具有γ1的尺寸的短边和具有W3的尺寸的长边构成。
扩张部7的γ1(μm)的尺寸优选为0＜γ1＜0.5×W1，更优选为0＜γ1＜0.1×P1＜0.5×W1。另外，扩张部7的γ2(μm)的尺寸优选为0＜γ2＜0.5×(P2-W2)，更优选为0＜γ2＜0.3×(P2-W2)。
在第2实施方式的光掩模的转印用图案中，优选第2狭缝图案2由半透光部构成且扩张部7也与第2狭缝图案2同样地由半透光部构成。另外，更优选扩张部7为由与第2狭缝图案2相同的半透光膜形成的、具有相同的光透过率的半透光部。
在本发明的第2实施方式的光掩模中，通过形成从第2狭缝图案2的出口起在X方向和Y方向上扩张的扩张部7，在对转印用图案进行接近曝光时，能够增加第2狭缝图案2在被转印体上形成的转印图像中的角部(图10的J部)的曲率，能够抑制角部的变圆。换言之，与无扩张部的情况相比，该扩张部能够增加在被转印体上所形成的转印图像中的上述角部的曲率。
例如能够使图10的转印图像中的角部J的曲率R2接近图6所示的曲率R1(>R2)。进一步，能够抑制由透光部构成的第1狭缝图案1的转印图像中的等高线(图10的S部)的波动。由此，能够使在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布接近图6所示的理想的光强度分布。其结果是，在显示装置的制造工序中，在制造CF的情况下，能够抑制BM的开口面积的减少，能够得到更明亮的CF。
扩张部的方式除了图11所示的方式以外，例如还考虑了如图12的(a)～(e)所示的各种方式。
在上述图11中，扩张部7采用在X方向和Y方向这双方上扩张的方式(XY扩张型)。与此相对，在图12的(a)中，扩张部7采用以与第2狭缝图案2的宽度W2相同的宽度仅在Y方向上扩张的方式(Y扩张型)。另外，在图12的(b)中，采用在Y方向上扩张的扩张部7的前端呈凸型突出的方式(Y凸扩张型)，在图12的(c)中，采用在Y方向上扩张的扩张部7的前端呈凹型凹进的方式(Y凹扩张型)。另外，在图12的(d)中，采用在X方向和Y方向这双方上扩张的扩张部7的前端呈凸型突出的方式(XY凸扩张型)，在图12的(e)中，采用在X方向和Y方向这双方上扩张的扩张部7的前端呈凹型凹进的方式(XY凹扩张型)。其中，在图12的(b)和(d)所示的凸型的方式中，采用与凸部的中心的扩张量γ1相比，凸部的两尺寸的扩张量小(此处“小”包含为零的情况)的方式。另外，在图12的(c)和(e)所示的凹型的方式中，采用与凹部的两尺寸的扩张量γ1相比，凹部的中心的扩张量小(此处，“小”包含为零的情况)的方式。
需要说明的是，扩张部的方式可以是组合多个上述图11和图12例示的形状的方式。另外，扩张部的最佳形状有时根据第1狭缝图案1和第2狭缝图案2各自的宽度或光透过率的设定而不同，能够通过光学模拟选择更好的形状。另外，扩张部的形状并不限于上述例示的形状，可以根据BM的设计图案来决定。另外，在上述例示的扩张部7中，采用以第2狭缝图案2的宽度方向中心为基准对称的形状，但不限于此，可以为非对称的形状。
另外，在本发明的第2实施方式中，例示了第1狭缝图案1和第2狭缝图案2成直角的设计图案，但在第1狭缝图案1与第2狭缝图案2所成的角不是直角的情况下，也能够设置上述扩张部。即，扩张部可以从第2狭缝图案2的出口(交叉区域E3与第2狭缝图案2的边界)起在Y方向上扩张且根据需要也在X方向上扩张。
本实施方式通过将现有的光掩模所具备的与交叉区域对应的透光部一部分替换成解像界限以下(未独立地进行解像)的半透光部，能够改良BM转印图像的廓线。
＜第3实施方式>
本发明的第3实施方式的光掩模解决由于上述(3)的现象而产生的课题。
图13是示意性示出在利用接近曝光装置对上述图1所示的参考方式的光掩模的转印用图案进行曝光时在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布的俯视图。在此，强调表现出图4的(a)所示的C部(强的光量峰的出现)。即，有时在第1狭缝图案1的宽度中心附近、与在X方向上相邻的两个交叉区域E3的中间对应的位置形成光量强的峰。在出现这样的峰时，在被转印体上所形成的BM等(例如负型的感光性树脂)局部较强地产生固化，作为立体结构物，存在高度地产生凸凹的风险。
(第3实施方式的光掩模)
图14是示出本发明的第3实施方式的光掩模所具备的转印用图案的构成例的俯视图。
本发明的第3实施方式的光掩模与上述第1实施方式的光掩模同样地，具备第1狭缝图案1、第2狭缝图案2和遮光图案3，与第1实施方式或第2实施方式的区别技术特征在于下述方面：代替具有上述宽幅部或扩张部(或在具有上述宽幅部或扩张部的基础上)，具有下述孤立图案作为上述辅助图案。
在图14所示的光掩模中，在形成第1狭缝图案1的第1图案形成区域E1设置有孤立图案8。孤立图案8形成为位于在X方向上相邻的两个交叉区域E3的中间。在此，“孤立图案”是指呈岛状孤立的图案，例如如图14所示，是指被让透明基板露出的透光部围成的岛状的图案。
如图所示，孤立图案8在第1狭缝图案1的宽度方向的中央附近，配置在将在X方向相邻的交叉区域E3的重心连接起来的直线的中间。在此，在X方向上相邻的交叉区域E3的中间配置有一个孤立图案8，但也可以在此使2个以上的孤立图案分离地配置。配置2个以上的孤立图案的情况下，可以在X方向上相邻的交叉区域E3的中间地点，与第1狭缝图案1的宽度方向并列地配置2个以上的孤立图案。任一情况下，均优选孤立图案8的重心距交叉区域E3为等距离。具体而言，可以使孤立图案8的位置例如为距交叉区域E3的重心在X方向上为距离D3(＝1/2Py)的位置。并且，能够根据该孤立图案8，降低局部光强度的峰。
另外，孤立图案8可以为由半透光部构成的矩形的图案。但是，孤立图案8的形状也可以为矩形以外的形状。另外，孤立图案8也可以为实质上不透射光的遮光部。实质上不透射光是指，优选光学浓度OD满足OD≥3的条件的情况。另外，使孤立图案8为半透光部的情况下，优选用具有与第2狭缝图案2相同的光透过率的半透光部(半透光膜)形成孤立图案8即可。
在使孤立图案8由半透光部形成时，未独立地进行解像的尺寸的选择更容易，因此是优选的。
在第3实施方式中，可以通过光学模拟来选择孤立图案8的尺寸、形状、曝光光透过率(由半透光部构成的情况)、配置位置、个数等。
在本发明的第3实施方式的光掩模中，按照位于在X方向上相邻的两个交叉区域E3的中间的方式在第1图案形成区域E1形成了由半透光部或遮光部构成的孤立图案8，由此在对转印用图案进行接近曝光时，能够抑制第1狭缝图案1在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布中的光强度的局部峰。并且，与无孤立图案8的情况相比，能够使第1狭缝图案1的透射光强度均匀化。由此，在被转印体上所形成的第1狭缝图案1的转印图像中，降低光强度的不需要的上下浮动(强弱的产生)，成为具有更均匀的光强度的转印图像。由此，能够使在被转印体上所形成的转印图像的光强度分布接近图6所示的理想的光强度分布。其结果是，在显示装置的制造工序中，制造CF的情况下，能够抑制BM的不需要的高度变动。
并且，本方式的光掩模将与现有的光掩模所具备的狭缝图案(第1狭缝图案)对应的透光部一部分替换成解像界限以下(未独立地进行解像)的遮光部或半透光部，由此能够降低转印图像中的光强度的凹凸。
在以上所述的第1实施方式、第2实施方式和第3实施方式中，分别示出了为了提高格子状的图案的转印性而对BM图像的形状进行修整的辅助图案。即，在第1实施方式中，例示了一对凸部5(宽幅部6)作为辅助图案，在第2实施方式中，示出了扩张部7作为辅助图案，在第3实施方式中，例示了孤立图案8作为辅助图案。这些辅助图案在设计光掩模的转印用图案时，可以分别单独应用，也可以组合任意两个辅助图案，也可以使所有的辅助图案共存。
另外，本发明的光掩模如在上述第1～第3实施方式中例示，通过具有未独立地在被转印体上进行解像的辅助图案，提高在被转印体上所形成的BM图像的光强度的均匀性，由此能够精致地形成更微细的BM。
本发明的光掩模例如能够通过以下的方法进行制造。
首先，准备光掩模坯料，在由石英等构成的透明基板30上层叠半透光膜31和遮光膜32，进一步在其上形成光致抗蚀剂膜。半透光膜31可以为含有Cr、Ta、Zr、Si、Mo中的任一种的膜、或可以从它们的化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、碳化氮化物、氧化氮化碳化物等)选择适当的化合物。或可以使用Si的化合物(SiON等)、或者过渡金属硅化物(MoSi等)、其化合物(氧化物、氮化物、氧化氮化物、氧化氮化碳化物等)。半透光膜31的曝光光透过率优选为30～70％、更优选为40～60％。遮光膜32的材料也可以从上述中进行选择。另外，在半透光膜31与遮光膜32之间无蚀刻选择性的情况下，可以根据需要在之间夹着这些膜和具有蚀刻选择性的蚀刻阻挡膜来层叠半透光膜31和遮光膜32。
接着，使用激光器描绘装置等对上述光掩模坯料描绘所期望的图案，通过实施所需次数的该描绘和蚀刻，能够制成本发明的光掩模。蚀刻可以适当应用湿蚀刻。
通过上述方法制造出的本发明的光掩模至少具有透光部22和遮光部23，优选具有半透光部21。透光部22可以是让透明基板30露出而形成的，遮光部23可以是在透明基板30上至少形成遮光膜32而形成的，半透光部21可以是在透明基板30上形成半透光膜31而形成的。
另外，本发明的光掩模通过使用接近曝光装置进行曝光，能够将转印用图案转印到被转印体(液晶面板基板、CF基板等)上。该情况下，曝光光的波长可以适当使用包含365nm、405nm和436nm的光源。另外，接近曝光中应用的接近间隙可以优选为40～300μm左右，更优选为100～150μm的范围。
本发明的光掩模如上所述可以用于BM的形成。该情况下，在对光掩模的转印用图案的尺寸与通过将该转印用图案转印到被转印体上而形成的格子状的BM的尺寸的关系进行规定时，如下所述。即，在将光掩模的转印用图案中的第1狭缝图案1的宽度设为W1(μm)、将第2狭缝图案2的宽度设为W2(μm)、将与第1狭缝图案1对应地形成的BM图案的线宽设为L1(μm)、将与第2狭缝图案2对应地形成的BM图案的线宽设为L2(μm)时，优选L1≤W1、L2≤W2，更优选L2＜W2，进一步优选1.2≤W2/L2≤3。
通过使用这样的本发明的光掩模，例如能够形成L2为2～10μm、进一步为2～8μm的BM。另外，通过使用本发明的光掩模，能够稳定地形成高精细的BM。这是因为得到下述优异的作用效果：在被转印体上所形成的光学像中，光强度分布中不容易形成不需要的波动或凹凸；和相对于接近间隙的变动，BM的宽度不容易变动等。
本发明的光掩模可以在不妨碍作用效果的范围内具有附加的光学膜或功能膜。例如可以根据需要附加反射降低膜、蚀刻阻止膜、导电性膜。
＜实施例>
作为本发明的实施例，以BM形成用的接近曝光用光掩模为对象进行光学模拟。
图15是示出作为参比的参考方式的光掩模的转印用图案的俯视图。图示的转印用图案如上述图1中示出那样，具备由透光部构成的第1狭缝图案1、由半透光部构成的第2狭缝图案2、和由遮光部构成的遮光图案3。第1狭缝图案1具有一定宽度W1(μm)的部分，第2狭缝图案2具有比上述W1小的一定宽度W2(μm)的部分。第1狭缝图案1的Y方向的间距P1、第2狭缝图案2的X方向的间距P2、第1狭缝图案1的宽度W1、第2狭缝图案2的宽度W2如下所述。
P1＝19μm
P2＝57μm
W1＝15μm
W2＝9μm
设想通过上述转印用图案在被转印体(负型感光材料)上形成下述尺寸的子像素BM图案。
L1＝15μm(目标)
L2＝5μm(目标)
图16是示出对具备上述图15所示的转印用图案的光掩模进行曝光而在被转印体上所得到的光学像(转印图像)的光强度分布的图。在得到图示的光强度分布时所应用的光学模拟的条件如下。需要说明的是，图中的Gap表示接近间隙的值。另外，光强度(％)以相对值表示。
曝光波长(λ)：365nm(单线)
准直角：2.0deg.
接近间隙：{100,110,120,130,140}μm
半透光膜的透过率：53％
半透光膜的相移量：0deg.
接着，如图17所示，在转印用图案中导入辅助图案并与上述同样地进行光学模拟。图17的转印用图案是在上述图15的转印用图案中导入了两个宽幅部(6,6b)、扩张部7(Y凸扩张型)和孤立图案8作为辅助图案，除此以外是相同的。在此应用的辅助图案的尺寸如下。
D1＝4.8μm
α1＝1.0μm
β1＝4.0μm
D2＝13.5μm
α2＝0.5μm
β2＝4.0μm
γ1＝4.0μm(凸部的两尺寸的扩张量2.5μm、宽幅部的宽度3.0μm)
D3＝9.5μm
δ1＝6μm
δ2＝4μm
图18是示出通过上述图17的转印用图案在被转印体上所得到的光学像的光强度分布的图。由该图18可知下述内容。
(I)在图18中，与上述图16相比，第2狭缝图案2的转印图像的光量(光强度)增加。这意味着，降低与第2狭缝图案2对应地形成的BM图案的断线的风险。
(II)在图18中，抑制在上述图16出现的、由于BM图像的开口角的光量的下降所导致的圆角，上述开口角的曲率变大。另外，在图18中，与上述图16相比，抑制了沿着X方向的BM图案的、等高线的波纹。由此，BM图像的开口形状接近矩形，光强度30％以上的面积增加。这意味着，得到BM的开口面积大、明亮的CF。
(III)在图18中，抑制在上述图16中出现的、X方向的BM图案中的转印图像的强的光量峰，得到整个X方向上均匀的光量分布。这意味着，不容易产生BM的立体结构不需要的凹凸。
由以上的光学模拟的结果，确认到本发明的光掩模起到优异的作用效果。
符号说明
1…第1狭缝图案
2…第2狭缝图案
3…遮光图案
5…凸部
6…宽幅部
7…扩张部
8…孤立图案
21…半透光部
22…透光部
23…遮光部
30…透明基板
31…半透光膜
32…遮光膜
E1…第1图案形成区域
E2…第2图案形成区域
E3…交叉区域

Claims (9)

1.一种光掩模，其是在透明基板上具备用于在被转印体上形成黑色矩阵的转印用图案的接近曝光用的光掩模，其特征在于，
将在第1方向上延伸的图案形成区域设为第1图案形成区域、将在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸的图案形成区域设为第2图案形成区域、将所述第1图案形成区域与所述第2图案形成区域交叉的区域设为交叉区域时，
所述转印用图案具备：
第1狭缝图案，其是形成在所述第1图案形成区域的、实质上由透光部构成的狭缝图案，具有一定宽度W1的部分；
第2狭缝图案，其是形成在除了所述交叉区域以外的所述第2图案形成区域的、实质上由半透光部构成的狭缝图案，具有比所述一定宽度W1小的一定宽度W2的部分；和
辅助图案，其是未独立地进行解像的图案，对在所述被转印体上所形成的所述黑色矩阵像的形状进行修整。
2.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于，
所述辅助图案包含部分突出地形成在所述第2狭缝图案的宽度方向的两侧的、由半透光部构成的一对凸部。
3.如权利要求2所述的光掩模，其特征在于，
所述一对凸部在对所述转印用图案进行接近曝光时抑制所述第2狭缝图案在所述被转印体上形成的转印图像的光强度分布中的光强度的局部降低，使所述第2狭缝图案的透射光强度均匀化。
4.如权利要求1～3中任一项所述的光掩模，其特征在于，
所述辅助图案包含从所述第2狭缝图案的出口起至少在所述第2方向上扩张而形成的、由半透光部构成的扩张部。
5.如权利要求4所述的光掩模，其特征在于，
所述扩张部在对所述转印用图案进行接近曝光时使所述第2狭缝图案在所述被转印体上形成的转印图像中的角部的曲率增加。
6.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于，
所述辅助图案包含位于在所述第1方向上相邻的两个所述交叉区域的中间而形成在所述第1图案形成区域的、由半透光部或遮光部构成的孤立图案。
7.如权利要求6所述的光掩模，其特征在于，
所述孤立图案在对所述转印用图案进行接近曝光时抑制所述第1狭缝图案在所述被转印体上形成的转印图像的光强度分布中的光强度的局部峰，使所述第1狭缝图案的透射光强度均匀化。
8.如权利要求6或7所述的光掩模，其特征在于，
所述孤立图案的形状为矩形。
9.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
准备权利要求1～8中任一项所述的光掩模的工序；和
使用接近曝光装置将所述转印用图案转印到所述被转印体上的工序。
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