JP6415186B2 - 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法 - Google Patents
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Claims (12)
- 基板を露光する露光装置の性能を評価する際に用いられる評価用マスクであって、
前記露光装置の第1性能を評価するための第1パターン及び第2パターンと、
前記露光装置の前記第1性能とは異なる第2性能を評価するための第3パターンと、
前記第1パターンを含む第1部分領域における単位面積あたりの開口部と遮光部との第1比率と、前記第2パターンを含む第2部分領域における単位面積あたりの開口部と遮光部との第2比率との差分を±10%以内にするためのダミーパターンと、
を有し、
前記第3パターンが、前記第1部分領域内において前記第1パターンの周囲に配置され、
前記ダミーパターンが、前記第2部分領域内において前記第2パターンの周囲に配置されていることを特徴とする評価用マスク。 - 前記ダミーパターンは、前記第1比率と前記第2比率とを等しくするように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の評価用マスク。
- 前記第1部分領域は、前記第1パターンを中心とする円形状の領域であり、
前記第2部分領域は、前記第2パターンを中心とする円形状の領域であることを特徴とする請求項1又は2に記載の評価用マスク。 - 前記第1部分領域及び前記第2部分領域は、直径5mm以上80mm以下の領域であることを特徴とする請求項3に記載の評価用マスク。
- 前記第1パターン、前記第2パターン、前記第3パターン及び前記ダミーパターンは、開口パターンであることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の評価用マスク。
- 前記ダミーパターンは、前記第3パターンと同一の開口パターンで形成されていることを特徴とする請求項5に記載の評価用マスク。
- 前記第1性能は、線幅及びフォーカスの少なくとも一方を含み、
前記第2性能は、ディストーションを含むことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の評価用マスク。 - 基板を露光する露光装置の性能を評価する際に用いられる評価用マスクであって、
前記露光装置の第1性能を評価するための第1パターン及び第2パターンと、
前記露光装置の前記第1性能とは異なる第2性能を評価するための第3パターンと、
前記評価用マスクを介してレジストが塗布された基板を前記露光装置で露光して、当該基板を現像したときに、当該基板の上の前記第1パターンに対応するレジスト像の線幅と、前記第2パターンに対応するレジスト像の線幅とを同一とするためのダミーパターンと、
を有し、
前記第3パターンが、前記第1パターンを含む第1部分領域内において前記第1パターンの周囲に配置され、
前記ダミーパターンが、前記第2パターンを含む第2部分領域内において前記第2パターンの周囲に配置されていることを特徴とする評価用マスク。 - 基板を露光する露光装置の性能を評価する際に用いられる評価用マスクであって、
前記露光装置の第1性能を評価するための第1パターン及び第2パターンと、
前記露光装置の前記第1性能とは異なる第2性能を評価するための第3パターンと、
前記第1パターンを含む第1部分領域における単位面積あたりの開口部の面積と、前記第2パターンを含む第2部分領域における単位面積あたりの開口部の面積とを一致させるためのダミーパターンと、
を有し、
前記第3パターンが、前記第1部分領域内において前記第1パターンの周囲に配置され、
前記ダミーパターンが、前記第2部分領域内において前記第2パターンの周囲に配置されていることを特徴とする評価用マスク。 - 基板を露光する露光装置の性能を評価する評価方法であって、
前記露光装置を用いて、評価用マスクを介して、レジストが塗布された基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板の上のレジスト像に基づいて、前記露光装置の性能を評価する工程と、を有し、
前記評価用マスクは、請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の評価用マスクであることを特徴とする評価方法。 - 基板を露光する露光装置であって、
前記基板に転写すべきパターンを有するマスクと、前記露光装置の性能を評価するための評価用マスクとを交換可能に保持するマスクステージと、
前記評価用マスクを用いて評価された前記露光装置の性能に基づいて、前記露光装置の性能の調整を制御する制御部と、を有し、
前記評価用マスクは、請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の評価用マスクであることを特徴とする露光装置。 - 請求項11に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
を有し、現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014173007A JP6415186B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法 |
TW104119998A TWI597562B (zh) | 2014-08-27 | 2015-06-22 | Evaluation mask, evaluation method, exposure apparatus, and method of manufacturing an article processed from a substrate |
KR1020150116433A KR101952990B1 (ko) | 2014-08-27 | 2015-08-19 | 평가용 마스크, 평가 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
CN201510522421.5A CN105388699B (zh) | 2014-08-27 | 2015-08-24 | 评价用掩模、评价方法、曝光装置以及物品的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014173007A JP6415186B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016048299A JP2016048299A (ja) | 2016-04-07 |
JP2016048299A5 JP2016048299A5 (ja) | 2017-09-14 |
JP6415186B2 true JP6415186B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=55421123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014173007A Active JP6415186B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6415186B2 (ja) |
KR (1) | KR101952990B1 (ja) |
CN (1) | CN105388699B (ja) |
TW (1) | TWI597562B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117406546B (zh) * | 2023-12-14 | 2024-04-12 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 一种掩模版及其图形修正方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002015992A (ja) * | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | リソグラフィ・プロセス及びリソグラフィ・システムの評価方法、基板処理装置の調整方法、リソグラフィ・システム、露光方法及び装置、並びに感光材料の状態の測定方法 |
JP2003007591A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Nikon Corp | 荷電粒子線光学系の収差評価方法、荷電粒子線装置調整方法、荷電粒子線露光方法、非点収差評価方法及び評価用パターン |
JP2003142367A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Sony Corp | 評価用マスク及びマスク評価方法 |
JP2003318083A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、光学系の調整方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4051240B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-02-20 | 富士通株式会社 | 試験用フォトマスク、フレア評価方法、及びフレア補正方法 |
JP4005870B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | マスク、マスクの作成方法、および半導体装置の製造方法 |
JP5164409B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2013-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 光硬化性組成物、カラーフィルター及びその製造方法、並びに、固体撮像素子 |
DE102008019341B4 (de) * | 2008-04-15 | 2020-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Analyse von Masken für die Photolithographie |
JP2012047937A (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-08 | Nsk Technology Co Ltd | 露光評価用マスクおよび露光評価方法 |
JP2012078552A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク作製方法 |
JP5497693B2 (ja) * | 2011-06-10 | 2014-05-21 | Hoya株式会社 | フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
-
2014
- 2014-08-27 JP JP2014173007A patent/JP6415186B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-22 TW TW104119998A patent/TWI597562B/zh active
- 2015-08-19 KR KR1020150116433A patent/KR101952990B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-24 CN CN201510522421.5A patent/CN105388699B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160025457A (ko) | 2016-03-08 |
CN105388699B (zh) | 2019-11-01 |
KR101952990B1 (ko) | 2019-02-27 |
CN105388699A (zh) | 2016-03-09 |
TW201608330A (zh) | 2016-03-01 |
JP2016048299A (ja) | 2016-04-07 |
TWI597562B (zh) | 2017-09-01 |
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