KR101121042B1 - 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사 마스크의제조방법 및 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

Abstract

기판(10) 위에 피전사체에 전사하기 위해 전사 패턴을 갖는 전사 마스크의 원판인 포토마스크 블랭크(100)에 있어서, 포토마스크 블랭크(100)는, 기판(10) 위에 상기 전사 패턴이 되는 차광막(20)과, 레지스트 막(30)을 갖고, 차광막(20)을 패터닝해서 얻어지는 전사 패턴을 갖는 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지했을 때에, 원하는 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도가 되도록, 기판(10) 주표면의 가장자리 부분에 형성된 레지스트 막(30)이, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 포토마스크 블랭크(100)의 피지지 영역(31)에서의 소정 영역에서 제거되어 있다. 이러한 구성에 의해, 스테퍼의 기판 보유부재에 레티클을 장착했을 때에, 레티클의 변형을 억제하고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하 및 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제하는 것을 가능하게 하고 있다.

마스크 블랭크, 전사 마스크, 차광막, 기판, 레지스트 막

Description

마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사 마스크의 제조방법 및 반도체장치의 제조방법{MASK BLANK, MASK BLANK MANUFACTURING METHOD, TRANSFER MASK MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은, 전사 마스크를 제조하기 위한 원판인 마스크 블랭크, 마스크 블랭크의 제조방법, 전사 마스크의 제조방법 및 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.

반도체장치, 포토마스크 등을 제조하는 분야에 있어서는, 기판의 일 주표면에 형성된 레지스트 막 중, 불필요한 일부분을 제거하는 것이 종종 요구된다. 예를 들면, 기판 위에 레지스트 막을 도포할 때, 대략 수평으로 유지한 기판 위에 도포액을 적하하고, 기판을 회전함으로써 그 원심력을 이용해서 기판 위에 균일한 레지스트막을 형성하는 회전 도포 방법을 행한 경우, 도포막이 기판의 전체 면에 균일하게 형성되도록 저속으로 회전시키면, 기판 표면의 가장자리 부분에 작용하는 원심력이 작아지고, 레지스트 액이 기판 표면의 가장자리 부분에 머물고, 그 부분의 막두께가 두꺼워져버린다. 이 막두께의 두께화에 의한, 기판 표면의 가장자리 부분 의 돌출이 있으면, 아래와 같은 문제가 있다.

즉, 포토마스크 블랭크의 제조공정에 있어서, 기판 표면에 레지스트가 형성된 후, 그 기판은 각종 처리 공정을 경과하는 동안에, 반송 기구에 보유되거나, 기판 수납 케이스에 삽발되거나 한다. 이때, 기판의 가장자리 부분이 반송기구의 척(chuck)부와, 수납 케이스내의 수납 홈에 접촉함으로써, 기판 가장자리 부분의 레지스트막이 박리해서 발진원이 되고, 그 박리된 레지스트가 포토마스크 블랭크의 주표면에 부착되는 것에 의한 결함이 생겨버린다.

그리고, 전술한 사태를 회피하기 위해서, 기판에 레지스트를 회전 도포해서 레지스트 막을 형성시킨 후, 기판 가장자리 부분의 레지스트 막을 미리 제거해 두는 처리가 실행된다. 이 처리는, 기판을 소정의 회전중심 주위에 수평 회전시키면서, 기판 가장자리 부분의 레지스트에 레지스트를 용해하는 처리액을 공급하고, 이 기판 가장자리 부분의 피막을 용해 제거함으로써 행해지고 있다.

예를 들면, 기판 가장자리 부분의 불필요한 레지스트 막을 제거하는 기술로서, 특허문헌 1에 개시되어 있는 방법이 있다.

이 불필요막 제거 방법은, 레지스트 막을 회전 도포 방법에 의해 형성 후, 기판 가장자리 부분(제거하는 불필요막의 위쪽에 위치하는 부위)에 미세한 구멍이 다수 형성된 커버 부재를 기판 위에 얹어 놓고, 기판과 커버 부재가 일체로 되어 회전한 상태에서, 커버 부재의 위쪽으로부터 용제를 공급함으로써, 용제는 미세한 구멍을 거쳐서 기판 가장자리 부분에 공급되고, 기판 가장자리 부분에 형성된 레지스트를 용해 제거하는 것이다.

또한, 기판 가장자리 부분에는, 얼라인먼트 마크나 QA(품질 보증)패턴을 형성함으로써, 얼라인먼트 마크나 QA패턴의 패턴 불량이 일어나지 않도록, 기판 측면으로부터 수 mm정도의 영역에서의 레지스트 막을 제거하고 있다.

특허문헌1: 일본국 공개특허공보 2001-259502호 공보

(발명의 개시)

상기의 포토마스크 블랭크 중에서도, 반도체 집적회로의 제조시에, 패턴 전사를 위해 노광 장치(이하, 스테퍼라고 기재하는 경우도 있다.)에 장착되어 축소 노광 장치용 마스크로서 사용되는 전사 마스크(이하, 레티클이라고 기재하는 경우도 있다.)는, 적어도 그 주표면이 경면 처리된 투명한 글래스 기판 위에 스퍼터링 방법 등에 의하여, 크롬 등을 포함하는 차광막으로 이루어진 패턴이 형성된 것이다. 그리고, 보통 레티클은, 전사 패턴이 형성된 측의 주표면을 피전사 기판측을 향해 장착된다. 그리고, 레티클이 장착될 때는, 그 패턴 에리어를 넓게 또한, 스테퍼의 가동시에 기판이 벗어나는 일이 없도록, 기판 주표면의 가장자리 부분에 진공 척킹된다.

도 11에 스테퍼에서의 대표적인 레티클의 흡착 기구를 나타내는 모식적인 종단면도이다.

도 11에 있어서, 레티클(1)은 기판 보유장치(5)에 기판 보유부재(6)에 의해 흡착되어서 셋트된다. 기판 보유부재(6)는 흡인관(8)을 거쳐서 진공장치(도시되지 않고 있다.)에 접속되어 있고, 이 진공장치에 의해 흡인되어 레티클(1)이 흡인된 다.

레티클(1)에 있어서, 기판 보유부재(6)가 접촉하는 피지지 영역은, 노광 장치 메이커마다 다르지만, 대개 기판 측면으로부터 십수 mm정도이다.

상기의 기판 가장자리 부분의 레지스트 막이 제거된 포토마스크 블랭크를 사용해서 포토마스크를 제작하는 경우, 차광막이 노출되어 있는 기판 측면으로부터 수 mm의 영역은, 포토마스크 제조공정의 에칭 처리시에 제거된다. 그 때문에 기판 보유부재(6)에 대응하는 영역에, 차광막의 경계가 들어갔을 경우, 차광막의 막두께분(보통 1000옹스트롬 정도)의 단차가 생겨버린다. 따라서, 금후, 패턴의 미세화의 진행에 따라, 이 단차에 기인하여, 진공 척킹된 레티클이 변형하고, 레티클(전사 패턴)의 위치 정밀도가 저하하거나, 및 포커스 정밀도가 저하할 위험성이 생각된다. 상기의 문제는, 반도체 디자인 룰에서 65nm노드가 대상이 되는 ArF 엑시머레이저(파장:193nm)나, 그것보다 파장이 짧은 F2엑시머레이저(파장:157nm) 노광용의 마스크 블랭크, 전사 마스크에서 현저해진다.

그래서, 본 발명은, 상기의 문제점을 감안해서 이루어진 것으로, 노광 장치의 기판 보유부재에 전사 마스크를 장착했을 때에, 전사 마스크의 변형을 억제하고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제하고, 또한 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있는 마스크 블랭크 및 그 제조방법, 및 전사 마스크의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.

(구성 1)

전사 마스크를 제조하기 위한 원판으로, 전사 마스크가 제조된 경우에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막과, 전사 마스크를 제조할 때에 사용되는 레지스트 막과를 기판 주표면상에 구비하고 있는 마스크 블랭크에 있어서,

상기 마스크 블랭크에 의해 전사 마스크가 제조된 경우에, 이 전사 마스크에 형성되게 되는 보조 패턴의 형성영역과, 상기 전사 마스크를 이용하여 전사를 행할 때에 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 마스크 블랭크의 피지지 영역과를, 상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 갖고,

상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에서는, 상기 레지스트 막이 형성되어 있지 않은 영역을 갖고, 그 레지스트 막이 형성되어 있지 않은 영역은, 상기 마스크 블랭크에 의해 제조된 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지해서 전사를 행할 때에 원하는 전사 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도를 얻을 수 있는 위치 정밀도로 유지되게 되는 범위에 선정된 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.

(구성 2)

상기 보조 패턴형성영역에는, 상기 박막 및 상기 레지스트 막이 형성된 것을 특징으로 하는 구성 1에 따른 마스크 블랭크.

(구성 3)

전사 마스크를 제조하기 위한 원판으로, 전사 마스크가 제조되었을 경우에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막과, 전사 마스크를 제조할 때에 사용되는 포지티브 형 레지스트 막과를 기판 주표면 위에 구비하고 있는 마스크 블랭크에 있어서,

상기 마스크 블랭크에 의해 전사 마스크가 제조되었을 경우에, 이 전사 마스크에 형성되게 되는 보조 패턴의 형성영역과, 상기 전사 마스크를 이용하여 전사를 행할 때에 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 마스크 블랭크의 피지지 영역과를, 상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 갖고,

상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에서는, 상기 레지스트 막에 노광이 실행되어 노광 영역으로 하고, 상기 노광영역은, 이 레지스트 막을 현상했을 때에 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차에 의해 레지스트 막이 제거되는 영역이며, 상기 마스크 블랭크에 의해 제조된 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지해서 전사를 행할 때에 원하는 전사 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도가 되는 위치 정밀도로 유지되게 되는 범위에 선정된 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.

(구성 4)

상기 보조 패턴형성영역은 상기 노광이 실행되어 있지 않은 미노광 영역인 것을 특징으로 하는 구성 3에 따른 포토마스크 블랭크.

(구성 5)

전사 마스크를 제조하기 위한 원판인 마스크 블랭크의 제조방법으로, 기판 주표면상에, 전사 마스크가 제조되었을 경우에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막을 형성하는 박막형성 공정과, 상기 박막 위에 포지티브형 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 공정과, 상기 도포된 레지스트를 열처리하는 열처리공정을 갖는 마스크 블랭크의 제조방법에 있어서,

상기 기판 주표면의 가장자리 부분은, 상기 마스크 블랭크에 의해 전사 마스크가 제조되었을 경우에, 이 전사 마스크에 형성되게 되는 보조 패턴의 형성 영역과, 상기 전사 마스크를 이용하여 전사를 행할 때에 노광 장치의 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 마스크 블랭크의 피지지 영역을 갖는 것이고,

상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에서는, 상기 레지스트 막에 노광이 실행되어 노광 영역으로 하고, 상기 노광 영역은, 이 레지스트 막을 현상했을 때에 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차에 의해 레지스트 막이 제거되는 영역이며, 상기 마스크 블랭크에 의해 제조된 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지해서 전사를 행할 때에 원하는 전사 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도가 되는 위치 정밀도로 유지되게 되는 범위에 선정된 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.

(구성 6)

상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성된 불필요한 레지스트 막의 노광 처리를 포함하고, 상기 노광 처리 후, 상기 노광 영역에 선택적으로 현상액을 공급하고, 상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성된 불필요한 레지스트 막, 및 상기피지지 영역에 형성된 레지스트 막을 제거하는 레지스트 막 제거 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 구성 5에 따른 마스크 블랭크의 제조방법.

(구성 7)

구성 5에 따른 마스크 블랭크의 제조방법에 의해 얻어진 마스크 블랭크를 사 용한 전사 마스크 제조공정에서의 에칭 처리 공정에 있어서,

전사 패턴의 형성과 함께, 상기 노광 처리를 실시한 피지지 영역에 형성된 상기 박막도 함께 제거하는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조방법.

(구성 8)

기판 주표면상에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막과 이 박막 위에 형성된 포지티브형 레지스트 막이 형성된 마스크 블랭크를 사용하여, 상기 박막에 패턴을 형성해서 전사 마스크를 제조하는 전사 마스크의 제조방법에 있어서,

상기 전사 마스크의 가장자리 부분은, 전사를 행할 때에 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 피지지 영역을 가지는 것이며,

상기 피지지 영역에는 상기 박막이 형성되지 않은 영역을 가지고, 이 박막의 형성되지 않은 영역은, 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지해서 전사를 행할 때에 원하는 전사 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도가 되는 위치 정밀도로 유지되게 되는 범위에 선정된 영역인 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조방법.

(구성 9)

구성 8에 따른 전사 마스크의 제조방법에 의해 얻어진 전사 마스크를 사용하고, 석판인쇄법에 의해 상기 전사 패턴을 반도체 기판에 전사해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.

상기의 구성 1에 의하면, 기판 주표면의 가장자리 부분에 존재하는 마스크 블랭크의 피지지 영역이며, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 마스크 블 랭크의 피지지 영역에 있어서, 레지스트 막이 형성되지 않은 영역을 가지고, 그 레지스트 막이 형성되어 있지 않은 영역은, 마스크 블랭크에 의해 제조된 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지해서 전사를 행할 때에 원하는 전사 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도를 얻을 수 있는 위치 정밀도로 유지되게 되는 범위에 선정된 영역인 것을 특징으로 한다. 레지스트 막만이 상기 피지지 영역에서 형성되어 있지 않은 경우는, 전사 마스크 제조공정에서의 에칭 처리 공정으로 전사 패턴의 형성과 함께, 피지지 영역에서의 박막이 제거된다.

따라서, 패턴 위치 정밀도 및 포커스 정밀도의 저하에 크게 기인하는 피지지영역에서는 박막이 형성되어 있지 않고, 기판이 노출한 상태로 되고, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 진공 척킹되는 전사 마스크의 변형을 억제할 수 있다. 따라서, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제하고, 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.

제거 등의 방법에 의해 박막 또는 레지스트 막이 형성되지 않은 상기 피지지 영역은, 노광 장치의 기판 보유부재에 따라 다르고, 기판에 접촉되는 측의 피지지 영역 전체이어도 되고, 피지지 영역에 바코드 패턴이나 QA패턴, 얼라인먼트 마크, 페리클 위치정렬용 마크 등 반도체 기판에는 전사되지 않은 보조 패턴이 형성되는 보조 패턴 형성영역이 위치하는 경우에는, 이 보조 패턴이 형성되는 보조 패턴 형성영역 이외의 피지지 영역이어도 된다. 패턴의 미세화에 따라 요구되는 패턴 위치 정밀도 및 포커스 정밀도에 따라, 박막이나 레지스트 막이 형성되지 않은 소정영역을 적당하게 결정한다.

구성 2에 의하면, 보조 패턴 형성영역에는 박막 및 레지스트 막이 형성되어 있으므로, 바코드 패턴, QA패턴, 얼라인먼트 마크, 페리클 위치정렬용 마크 등의 보조 패턴의 패턴 불량을 방지할 수 있다.

구성 3, 5에 의하면, 상기 박막을 패터닝해서 얻어지는 전사 패턴을 가지는 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지했을 때에, 원하는 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도가 되도록, 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성된 포지티브형 레지스트 막이, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 마스크 블랭크의 피지지 영역에 있어서 노광 처리되어, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 하고 있으므로, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정이나, 마스크 블랭크 제조공정에서의 노광 영역에만 현상액을 공급해서 불필요한 레지스트 막을 제거하는 레지스트 막 제거공정으로, 패턴위치 정밀도 및 포커스 정밀도의 저하에 크게 기인하는 피지지 영역에 형성된 레지스트 막을 간단하게 제거할 수 있다.

구성 4에 의하면, 보조 패턴 형성영역은, 노광 처리되지 않은 미노광 영역이므로, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정에서도, 바코드 패턴, QA패턴, 얼라인먼트 마크, 페리클 위치정렬용 마크 등의 보조 패턴 형성영역에는 레지스트 막이 남아있고, 그것들의 보조 패턴의 패턴 불량을 방지할 수 있다.

구성 6에 의하면, 마스크 블랭크의 제조공정에 있어서, 피지지 영역과, 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성된 불필요한 레지스트 막도 함께 노광 처리한 후, 노광 영역에 선택적으로 현상액을 공급하고, 피지지 영역에 형성된 레지스트 막을 제거하도록 하고 있으므로, 마스크 블랭크의 반송시에 파지되는 척부나, 마스크 블랭크 수납 케이스내의 수납홈에 접촉하는 것에 의한 레지스트 막 박리를 방지할 수 있다.

구성 7에 의하면, 구성 5의 제조방법에 의해 얻어진 마스크 블랭크를 사용한 전사 마스크 제조공정에서의 에칭 처리 공정에 있어서, 전사 패턴의 형성과 함께, 패턴 위치 정밀도 및 포커스 정밀도의 저하에 크게 기인하는 노광 처리를 실시한 피지지 영역에서는 박막도 함께 제거하므로, 기판이 노출한 상태가 되고, 노광 장치의 기판 보유부재에 진공 척킹되는 전사 마스크의 변형을 억제할 수 있다. 따라서, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제하고, 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.

구성 8에 의하면, 전사 마스크의 제조과정(예를 들면, 묘화공정, 현상 공정)에 있어서, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 전사 마스크의 피지지 영역에서의 소정영역에 형성되지 않도록 하고 있으므로, 전사 마스크의 원판인 마스크 블랭크의 단계에서, 상기 피지지 영역에 있어서 차광막이나 레지스트 막이 형성되지 않도록 하는 등을 행하지 않아도 양호하므로, 종래의 소정 레지스트 막을 갖는 마스크 블랭크를 그대로 이용할 수 있다.

구성 9에 의하면, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 피지지 영역에 박막이 형성되어 있지 않은 전사 마스크를 사용해서 노광 장치에 의해 전사 패턴을 전사해서 반도체 기판 위에 패턴 형성하므로, 패턴 위치 정밀도의 저하를 최소한으로 억제한 반도체장치를 얻을 수 있다.

도 1은, 제1의 실시형태에 따른 포토마스크 블랭크의 설명도로, (a)는 평면도, (b)는 단면도이다.

도 2는, 제2의 실시형태에 따른 포토마스크 블랭크의 설명도로, (a)는 평면도, (b)는 단면도이다.

도 3은, 제3의 실시형태에 따른 포토마스크 블랭크의 설명도로, (a)는 평면도, (b)는 단면도이다.

도 4는, 제4의 실시형태에 따른 포토마스크 블랭크의 설명도로, (a)는 평면도, (b)는 단면도이다.

도 5는, 본 발명의 실시예에 따른 불필요막 제거장치의 설명도로, (a)는 단면도, (b)는 A-A선 단면도이다.

도 6은, 도 5의 부분 확대 단면도이다.

도 7은 도 5의 부분 확대 단면도이다.

도 8은 실시예에 따른 불필요막 제거 장치의 부분 확대 사시도이다.

도 9는 실시예에 따른 불필요막 제거 장치의 분해 사시도이다.

도 10은, 실시예에 따른 포토마스크 블랭크를 제조하기 위한 커버 부재의 설명도로, (a)는 단면도, (b)는 평면도이다.

도 11은, 스테퍼에서의 기판 흡착 기구를 도시한 도면이다.

10 : 기판

20 : 차광막

30 : 레지스트 막

31 : 피지지 영역

32 : 보조 패턴 형성영역

50: 회전대

60: 커버 부재

61 : 약액 공급구멍

62 : 평탄부

63 : 경사부

64 : 가장자리 평탄부

65 : 측부

67 : 끼워맞춤홈

68 : 약액공급부재

69 : 구멍

70 : 노즐

80 : 약액

90 : 실

100, 101 : 포토마스크 블랭크

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.

(제1의 실시형태)

도 1은, 기판 가장자리 부분의 불필요한 레지스트 막과, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 형성된 레지스트 막을 제거한 제1의 실시형태의 포토마스크 블랭크를 도시한 도면이다. 도 1(a)는 레지스트 막이 형성되어 있는 측으로부터 본 포토마스크 블랭크의 평면도, 도 1(b)는, A-A선 단면도이다.

포토마스크 블랭크(100)는, 노광 광에 대하여 투광성을 가지는 기판(10)과, 기판(10)의 주표면상에 형성된 차광막(20)과, 차광막(20) 위에 형성된 레지스트 막(30)으로 이루어진다. 기판 가장자리 부분의 불필요 영역에 형성된 레지스트 막(30)과, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역(31)(좌변에 1 부분, 우변에 1부분의 합계 2부분)에 형성된 레지스트 막(30)은, 제거해 있다. 따라서, 포토마스크 블랭크의 반송시에 파지되는 척부나, 마스크 블랭크 수납 케이스내의 수납 홈에 접촉함에 의한 레지스트 막 박리를 방지할 수 있고, 또한, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정에서, 전사 패턴의 형성과 함께, 피지지 영역에서의 박막이 제거된다. 따라서, 피지지 영역은 기판이 노출한 상태가 되고, 박막의 막 두께분의 단차가 없으므로, 노광 장치의 기판 보유부재에 진공 척킹되는 레티클의 변형이 억제되어, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하, 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다. 이때, 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성되는 피지지 영역(31) 이외의 보조 패턴 형성영역(32)에는, 레지스트 막(30)이 제거되지 않고 남아있으므로, 보조 패턴의 패턴 불량은 발생하지 않는다.

(제2의 실시형태)

도 2는, 기판 가장자리 부분의 불필요한 레지스트 막을 제거하고, 또한, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 노광 처리를 실시하고, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 한, 제2의 실시형태의 포토마스크 블랭크를 도시한 도면이다. 도 2(a)는 레지스트 막이 형성되어 있는 측으로부터 본 포토마스크 블랭크의 평면도, 도 2(b)는, A-A선 단면도이다.

포토마스크 블랭크(100)는, 노광광에 대하여 투광성을 가지는 기판(10)과, 기판(10)의 주표면상에 형성된 차광막(20)과, 차광막(20) 위에 형성된 레지스트 막(30)으로 이루어진다. 기판 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막(30)은 제거되고, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역(31)(좌변에 1부분, 우변에 1부분의 합계 2부분)에 형성된 레지스트 막(30)은, 노광 처리되어, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 하고 있다.

따라서, 기판 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막(30)은 제거되어 있으므로, 포토마스크 블랭크의 반송시에 파지되는 척부나, 마스크 블랭크 수납 케이스내의 수납 홈에 접촉함에 의한 레지스트 막 박리를 방지할 수 있고, 또한, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리공정으로, 전사 패턴의 형성과 함께, 노광 처리를 실시한 피지지 영역의 레지스트막도 동시에 제거하므로, 전사 패턴의 형성과 함께, 피지지 영역에서의 박막이 제거된다. 따라서, 피지지 영역은 기판이 노 출한 상태가 되고, 박막의 막두께분의 단차가 없으므로, 노광 장치의 기판 보유

부재에 진공 척킹되는 레티클의 변형이 억제되고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하, 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다. 이때, 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성되는 피지지 영역(31) 이외의 보조 패턴 형성영역(32)에는, 노광 처리되지 않고 미노광 영역이 있고, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정에서도 레지스트 막(30)이 제거되지 않고 남아있으므로, 보조 패턴의 패턴 불량은 발생하지 않는다.

또한, 제2의 실시형태에서 사용하는 레지스트는, 노광 영역을 현상액에 의해 제거하기 때문에, 포지티브형 레지스트라고 한다.

또한, 제2의 실시형태의 포토마스크 블랭크에서의 노광 영역과 미노광 영역은, 현상액을 공급하는 방법이나, 레지스트에 따라서는 굴절율이나 투과율의 차이로 판별하는 것이 가능하다.

(제3의 실시형태)

도 3은, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 노광 처리를 실시하고, 노광영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 한 포토마스크 블랭크를 도시한 도면이다. 도 3(a)는 레지스트 막이 형성되어 있는 측으로부터 본 포토마스크 블랭크의 평면도, 도 3(b)는, A-A선 단면도이다.

포토마스크 블랭크(100)는, 노광광에 대하여 투광성을 가지는 기판(10)과, 기판(10)의 주표면상에 형성된 차광막(20)과, 차광막(20 위에 형성된 레지스트 막(30)으로 이루어진다. 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역(31)(좌변 에 1부분, 우쪽에 1부분의 합계 2부분)에 형성된 레지스트 막(30)은, 노광 처리되어, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 하고 있다. 따라서, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정으로, 전사 패턴의 형성과 함께, 노광 처리를 실시한 피지지 영역의 레지스트 막도 동시에 제거하므로, 전사 패턴의 형성과 함께, 피지지 영역에서의 박막이 제거된다. 따라서, 피지지 영역은 기판이 노출한 상태가 되고, 박막의 막두께분의 단차가 없으므로, 노광 장치의 기판 보유부재에 진공 척킹되는 레티클의 변형이 억제되어, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하, 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다. 이때, 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성되는 피지지 영역(31) 이외의 보조 패턴 형성영역(32)에는, 노광 처리되지 않고 미노광 영역이 있고, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정에서도 레지스트 막(30)이 제거되지 않고 남아있으므로, 보조 패턴의 패턴 불량은 발생하지 않는다.

또한, 제3의 실시형태에서 사용하는 레지스트는, 노광 영역이 현상액에 의해 제거하기 때문에, 포지티브형 레지스트로 한다.

또한, 상기와 마찬가지로 포토마스크 블랭크에서의 노광 영역과 미노광 영역은, 현상액을 공급하는 방법이나, 레지스트에 따라서는 굴절율이나 투과율의 차이로 판별하는 것이 가능하다.

(제4의 실시형태)

도 4는 전사 패턴이 되는 박막을, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 형성되지 않도록 한 제4의 실시형태의 포토마스크 블랭크를 도시한 도면 이다. 도 4(a)는 레지스트 막이 형성되어 있는 측으로부터 본 포토마스크 블랭크의 평면도, 도 4(b)는 A-A선 단면도이다.

포토마스크 블랭크(100)는, 노광광에 대하여 투광성을 가지는 기판(10)과, 기판(10)의 주표면상에 형성된 차광막(20)과, 차광막(20) 위에 형성된 레지스트 막(30)으로 이루어진다. 차광막(20)은, 스퍼터링법 등의 막 형성시에, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역(31)(좌변에 1부분, 우변에 1부분의 합계 2부분)에 차광막(20)이 형성되지 않도록 차폐 부재를 이용하는 등으로 하여 형성된다.

따라서, 제4의 실시형태의 포토마스크 블랭크를 사용해서 전사 마스크로 한 경우, 노광 장치의 피지지 영역은 기판이 노출한 상태가 되고, 박막의 막두께분의 단차가 없으므로, 노광 장치의 기판 보유부재에 진공 척킹되는 레티클의 변형이 억제되고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하나 포커스 정밀도의 저하를 최소한 억제할 수 있다. 이때, 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성되는 피지지 영역(31) 이외의 보조 패턴 형성영역(32)에는, 박막이 형성되어 있으므로, 보조 패턴의 패턴 불량은 발생하지 않는다. 또한, 상기의 제4 실시형태에 있어서, 기판 가장자리 부분의 불필요한 레지스트 막이 제거된 포토마스크 블랭크에서도 상관없다.

또한, 상기의 제1～제3의 실시형태에서는 노광 장치의 피지지 영역 전체 면의 레지스트 막에 대해서, 제거 또는 노광 처리를 행한 것을 예로 들어서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 피지지 영역에 바코드 패턴이나 QA패턴 등의 보조 패턴이 형성되는 전사 마스크에서는, 노광 장치의 기판 보유부재에 진공 척킹되는 레티클의 변형을 억제하고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하 및 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있는 피지지 영역에서의 소정영역(바코드 패턴이나 QA패턴 등의 보조 패턴 형성영역의 전부 또는 일부)에 대하여, 레지스트 막이 남도록 하여도 된다.

그리고, 상기의 제1～제4의 실시형태의 기판의 피지지 영역에서, 기판의 피지지 영역에서의 평탄도는, 전사 패턴의 위치 정밀도가 저하하는 일이 없도록, 0.5㎛이하로 하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 0.3㎛이하가 바람직하다. 또한, 기판의 단부형상은, 기판의 측면을 향해서 돌출하는 형상보다도 늘어져 있는 형상(가장자리 늘어짐 형상)이 바람직하다. 여기에서, 평탄도란, 기판 주표면의 표면측에 임의로 설치한 기준면으로부터 주표면 면내에서의 표면형상의 최대 높이와 최소높이의 차(측정면으로부터 최소제곱법으로 산출되는 가상 절대 평면(초평면)에 대한 측정면의 최대치와 최소치의 차)를 말한다.

또한, 피지지 영역이외의 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성된 레지스트 막은, 마스크 블랭크의 반송시에 파지되는 척부나, 마스크 블랭크 수납 케이스내의 수납 홈에 접촉함에 의한 레지스트 막 박리를 방지하기 위해서, 동시에 제거되어 있는 쪽이 바람직하다. 피지지 영역 이외의 기판 주표면의 제거 폭은, 얼라인먼트 마크나 QA패턴 등의 보조 패턴의 패턴 불량이 없도록, 1～3mm정도로 한다.

또한, 본 발명에서 말하는 마스크 블랭크는, 투과형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 블랭크를 모두 가리키고, 이것들의 구조는, 기판 위에 피전사체에 전사할 전사 패턴이 되는 박막과, 레지스트 막을 갖는다.

투과형 마스크 블랭크는, 기판으로서 투광성 기판을 사용하고, 전사 패턴이 되는 박막은, 피전사체에 전사할 때에 사용하는 노광광에 대하여 광학적 변화를 초래하는 박막(예를 들면, 차광 기능을 갖는 박막)이 사용된 포토마스크 블랭크다. 여기서, 노광광에 대하여 광학적 변화를 초래하는 박막이란, 노광광을 차단하는 차광막이나, 노광광의 위상을 변화시키는 위상 쉬프트 막 등을 가리킨다. 또한, 차광 기능을 가지는 박막이란, 차광 기능과 위상 쉬프트 기능을 가지는 소위 하프톤 막과, 차광 기능을 가지는 차광막을 포함한다.

따라서, 투과형 마스크 블랭크는, 차광막이 형성된 포토마스크 블랭크, 하프톤 막이 형성된 위상 쉬프트 마스크 블랭크(하프톤형 위상 쉬프트 마스크 블랭크), 위상 쉬프트 막이 형성된 위상 쉬프트 마스크 블랭크 등을 포함한다.

또한, 반사형 마스크 블랭크는, 기판으로서 열팽창계수의 작은 것을 사용하고, 이 기판 위에 광반사 다층막, 전사 패턴이 되는 광흡수체막을 가지는 마스크 블랭크이다.

또한, 본 발명의 마스크 블랭크에는, 상술한 막 이외에, 레지스트 하지 반사방지막(BARC:Bottom Anti-Reflective Coating), 레지스트 상층 반사방지막(TARL:Top Anti-Reflective Layer), 레지스트 상층 보호막, 도전성막 등의 막이 형성되어도 된다.

이하, 상기의 제1～제3의 실시형태에서의 포토마스크 블랭크의 제조방법을 도면을 참조하면서 설명한다.

우선, 상기의 제1의 실시형태에서의 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막의 제거, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 형성 된 레지스트 막의 제거, 및 제2의 실시형태에서의 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막의 제거를 행하기 위한 불필요막 제거장치에 대해서, 도 5 내지 도 9를 사용하여 설명한다. 도 5는 불필요막 제거장치의 구성을 나타낸 단면도, 도 6 및 도 7은, 도 5의 부분 확대 단면도, 도 8은 도 5에 나타내는 불필요막 제거장치의 부분 확대 사시도, 도 9는 도 5에 나타내는 불필요막 제거장치의 분해 사시도이다.

도 5 내지 도 9에서, 불필요막 제거장치에 얹어 놓는 포토마스크 블랭크(당해 포토마스크 블랭크에는, 부호 101을 부여한다.)에 관하여 설명한다. 포토마스크 블랭크(101)는 기판(10)을 가지고, 기판(10)은, 노광광에 대하여 투광성을 가지는 기판으로, 기판(10) 위에 차광막(20)이 형성되고, 또한, 이 차광막(20) 위에 회전 도포 방법 등으로 형성된 미베이크의 상태의 레지스트 막(30)이 형성되어 있다.

불필요막 제거장치는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 회전대(50)에 얹어 놓게 보유된 포토마스크 블랭크(101)의 윗면측을 커버 부재(60)에 의해 덮고, 이 커버 부재(60)의 위쪽으로부터 노즐(70)로부터 레지스트 막(30)을 용해하는 약액(80)을 분출시켜서 커버 부재(60)의 약액 공급구멍(61)을 통해서 불필요막 부분(도 9에서, 부호 32a를 부여한 부분)에 공급해서 이것을 용해 제거하는 것이다.

커버 부재(60)는, 포토마스크 블랭크(101)를 위쪽으로부터 씌우도록 하여 덮는 것으로, 중심으로부터 가장자리에 걸친 대부분은 평탄부(62)이다. 이 평탄부(62)로부터 외주부에 걸쳐서 경사부(63)가 형성되고, 이 경사부(63)로부터 또 외주부를 향해서 두께가 두꺼운 가장자리 평탄부(64)가 형성되고, 이 가장자리 평탄부 (64)의 외주단이 아래쪽으로 연장하고, 측부(65)가 형성되어 있다.

가장자리 평탄부(64)에는, 다수의 관통구멍인 약액 공급구멍(61)을 가지는 약액 공급부재(68)가 자유롭게 탈착하도록 끼워져 있다. 약액 공급부재(68)는, 가장자리 평탄부(64)에 설치한 끼워맞춤 홈(67)에 끼워 넣어져 있다. 끼워맞춤 홈(67)의 바닥에는, 도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 약액 공급구멍(61)보다도 지름이 작은 다수의 구멍(69)이 설치된다. 끼워맞춤 홈(67)의 바닥부는, 비유해서 말하면 금망형을 보이고 있고, 약액 공급량은 이것들의 구멍(69)이 아니라, 약액 공급구멍(61)의 구멍 지름에 따라 결정되게 되어 있다. 약액 공급부재(68)가 홈(67)에 끼워 넣어져 평탄부가 구성된다. 또한, 커버 부재(60)의 본체와 측부(65)는, 상기 끼워 맞춤 홈(67)의 바닥부에 의해 연결되게 된다.

또한, 포토마스크 블랭크(101)의 약액 공급구멍(61)의 적당한 몇 군데에는, 약액에 내성이 있는(예를 들면, 수지계)실(90)이 통하여 있고, 커버 부재(60)의 내벽과 포토마스크 블랭크(101)의 표면과의 사이에 개재되어 이들 간격의 크기를 설정하게 되어 있다. 즉, 이 실(90)은, 약액 공급구멍(61)을 지나고, 끼워 맞춤 홈(67)의 저벽과 포토마스크 블랭크(101)의 표면의 측부(65)의 외측, 및 가장자리 평탄부(64)의 외주단을 통과해서 루프형으로 형성되어 있다.

실(90)의 굵기는, 끼워 맞춤 홈(67)의 저벽과 포토마스크 블랭크(101)의 표면과의 간격의 크기 d1을, 이 간격에 약액을 공급했을 때에 약액의 표면장력에 의해, 약액이 간격 가운데를 타고 가서 간격 중에 퍼지는 것이 가능한 크기로 설정한다. 예를 들면, 간격의 크기 d1을 0.05mm～3mm로 한다. 이 범위 이외라면, 약액이 간격 가운데를 타고 가서 간격중에 퍼지는 것이 곤란해져, 제거할 수 없는 부분을 할 수 있거나, 제거 부분과 다른 부분과의 경계가 가장자리에 톱니 모양이 들쭉날쭉이 연속적으로 있는 상태가 되는 경우가 있다.

또한, 측부(65)의 내벽과 포토마스크 블랭크(101)의 측면과의 간격의 크기d2는, 이 간격 가운데를 약액이 레지스트 막(30)에 접촉하면서 통과할 수 있는 크기이면 좋다.

또한, 커버 부재(60)의 중심부로부터 가장자리에 걸쳐서의 대부분인 평탄부(62)의 내벽과 대향하는 포토마스크 블랭크(101)의 표면의 영역은, 필요한 레지스트 막의 영역이다. 이 영역에서는, 약액의 표면장력이 작용하지 않도록, 커버 부재(60)의 내벽과 포토마스크 블랭크(101)의 표면과의 사이의 간격을 d1보다도 크게 하지만, 포토마스크 블랭크의 레지스트 막(30)의 온도분포가, 커버 부재(60)의 내벽면에서의 열전달에 의해 영향을 받지 않도록 소정 이상 크고, 또한, 간격에서 기체의 대류가 생겨서 이 대류에 의해 포토마스크 블랭크(101)의 레지스트 막(3)에 온도분포가 생기지 않도록 소정 이하로 작게 설정한 값인 d3으로 한다.

예를 들면, 이 d3는, 0.05mm～20mm로 하는 것이 바람직하다. 0.05mm미만이라면 커버 부재(60)로부터의 열전달을 받기 쉽고, 예를 들면 커버 부재 표면에 약액의 기화열이 불규칙하게 작용해서 큰 온도분포가 생겼을 경우, 이 온도분포를 직접 반영해서 레지스트 막(30)에 온도분포를 주고, 막두께 변동이나 감도변화를 주어버릴 우려가 높아진다. 한편, 20mm초라면 자연의 대류가 생기고, 레지스트 막에 온도분포를 생기게 할 우려가 높아진다.

상기한 바와 같이, 커버 부재(60)는, 약액공급장치에 의해 공급된 약액을 불필요한 레지스트막 부분(가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막, 노광 장치의 기판 보유부재의 피지지 영역에 형성된 레지스트 막)에 공급하고, 레지스트 막을 용해 제거하는 약액 공급구멍(61)을 갖는다. 이 약액 공급구멍(61)은, 커버 부재(60)의 끼워 맞춤 홈(67)에 끼워 맞추어지는 약액 공급부재(68)에 설치된다. 약액 공급부재(68)에 설치되는 약액 공급구멍(61)의 지름 또는/및 약액 공급구멍(61)의 배치를 결정해 두면, 약액 공급구멍(61)을 통해서 불필요한 레지스트 막 부분에 공급되는 약액의 공급량 또는/및 공급위치를 조정할 수 있다. 따라서, 약액 공급구멍(61)을 가지는 약액 공급부재(68)는, 각 노광 장치의 기판 보유부재의 피지지 영역에 대응하도록, 또는/및 가장자리 부분의 불필요 영역의 제거 폭마다 미리 복수로 준비하고, 이것들을 교환함으로써, 약액의 공급량 또는/및 공급 위치를 조정하는 조정수단을 구성할 수 있다.

불필요한 레지스트 막을 제거하는 약액의 약액 공급구멍의 크기 또는/및 위치를, 약액 공급부재(68)의 교환에 의해, 적당하게 조정 가능하게 하고 있으므로, 커버부재 전체를 설계?준비?교환하지 않고, 제거 영역을 적당하게 제어할 수 있다.

그래서, 약액 공급부재(68)를 끼운 커버 부재(60)가 덮인 포토마스크 블랭크(101)는, 회전대(50)에 지지되어 회전되면서 처리된다. 회전대(50)는 회전축(51)에 부착된 4개의 수평방향으로 방사형으로 연장된 지지 아암(52)과, 각각의 지지 아암(52)의 선단부에 설치된 한 쌍의 지지 대좌(53)를 갖는다. 지지 대좌(53)는, 그 위 에 포토마스크 블랭크(101)의 4각을 배치하여 지지하는 것이다. 회전축(51)은, 도면에 나타내지 않은 회전 구동장치에 결합되어, 원하는 회전수로 회전되게 되어 있다. 이때, 포토마스크 블랭크(101)의 아래쪽으로도, 약액공급용 노즐(70a)이 설치되어 있고, 상기 노즐(70a)로부터 약액(80a)을 공급하고, 불필요한 레지스트 막을 확실하게 제거할 수 있도록 되어 있다.

<실시예 1>

상기의 불필요막 제거장치에 의해, 아래와 같이 하여 제1의 실시형태의 포토마스크 블랭크를 제조한다.

도 10은, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 형성된 레지스트 막이 제거된 포토마스크 블랭크를 제조하기 위한 커버 부재를 도시한 도면이다. 도 10(a)는 커버 부재의 단면도, 도 10(b)는 커버 부재의 위쪽에서 본 평면도이다.

커버 부재(60)의 가장자리 부분의 4변에, 소정의 구멍 지름을 갖는 약액 공급구멍(61)을 가지는 4개의 약액 공급부재(68a～68d)가 각각 끼워 넣어진다. 각 약액 공급부재(68)의 길이를 동일하게 설정함으로써, 약액 공급부재(68)를 끼워 넣었을 때에, 커버 부재(60)의 4개의 코너부에 순차적으로 각 약액 공급부재(68)의 일단이 오도록 하고 있다. 여기서, 약액 공급구멍(61)의 형성 위치는, 4개의 약액 공급부재(68)를 끼워 넣었을 때에, 상하 변을 따라 직선 모양으로 배열되게 되는 약액 공급 구멍(61)을 외측 집합(기판측면으로부터 약 2mm의 위치)에 형성되어 있다. 또한 좌우변에, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역의 레지스트 막을 제거하도록, 내측집합(기판측면으로부터 십 수 mm의 위치)에 기판 보유부재용 약액 공급구멍(61b)이 형성되고, 그 이외의 영역에는 상하변과 마찬가지로, 외측 집합에 직선 모양으로 배열한 약액 공급구멍(61)이 형성되어 있다.

(a) 네가티브형 레지스트의 경우

우선, 기판(10) 위에 막두께 1000Å의 크롬으로 이루어진 차광막(20)이 스퍼터링법으로 형성되고, 이 차광막(20) 위에 미베이크 상태의 레지스트 막(30)이 형성된 포토마스크 블랭크(101)를, 회전대(50)에 셋트하고, 도 10의 커버 부재(60)를 씌우면, 노즐(70)로부터 공급량을 조절하면서 약액(80)을 공급한다. (약액은, 레지스트 막이 용해하는 것이면 무엇이든지 좋고, 유기용제 등을 사용한다.) 동시에, 회전대(50)를 회전수 100～1000rpm으로 1～60초간 회전시킨다. 이에 따라, 약액(80)을 약액 공급구멍(61)을 통해서, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 형성된 레지스트 막에 침투시켜 용해 제거한다.

또한, 상기 처리가 종반에 가까워진 시점에서, 노즐(70a)로부터 약액(80a)을 분출시켜서 용해 제거를 확실하게 한다. 다음에, 베이크 처리 등을 실행하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 레지스트 막, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역의 레지스트 막이 제거된 레지스트막을 갖는 포토마스크 블랭크를 얻었다.

이 포토마스크 블랭크는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 좌우의 2변에 인접해 있 는 피지지 영역(31)의 부위가 레지스트 막 제거영역이고, 기판측면으로부터의 폭 a₁이 십 수 mm이며, 상하 2변에 인접해서 설치된 레지스트막 제거 영역의 기판측면으로부터의 폭 b₁은 1.8mm이다.

(b) 포지티브형 레지스트의 경우

레지스트 막(30)이 포지티브형 레지스트일 경우에는, 상기 제조방법 외에,

이하의 제조방법에서도 포토마스크 블랭크를 제조할 수 있다.

기판(10) 위에 막두께 1000Å의 크롬으로 이루어진 차광막(20)이 스퍼터링법에 의해 형성되고, 이 차광막(20) 위에 미베이크 상태의 레지스트 막(30)이 형성된 포토마스크 블랭크(101)에서, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요영역 및, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에, 노광 광원으로부터 광 파이버 등의 전송장치를 거쳐서 노광 처리를 행한다. 이 노광 처리는, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 하기 위함이다.

다음에, 상기의 (a) 네가티브형 레지스트일 경우와 마찬가지로 하여, 상기의 불필요막 제거장치에, 노광 처리를 끝낸 포토마스크 블랭크를 셋트하고, 노광 영역에만 현상액의 약액이 공급되도록 하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 형성된 레지스트 막에 침투시켜서 용해 제거한다. 레지스트 막의 용해 제거가 끝나면, 베이크 처리 등을 실시하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 레지스트 막, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역의 레지스트 막이 제거된 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크를 얻었다. 이 포토마스크 블랭크도, 도 1에 나타낸 바와 같이,, 좌우의 2변에 인접해 있는 피지지 영역(31)의 부위가 레지스트막 제거영역이고, 기판측면으로부터의 폭 a₁이 십 수 mm이고, 상하변에 인접하게 설치된 레지스트 막 제거 영역의 기판측면으로부터의 폭 b₁은 1.8mm이다.

제2, 제3의 실시형태에서의 포토마스크 블랭크의 제조방법은, 레지스트 막(30)이 포지티브형 레지스트일 경우에 적용된다.

<실시예 2>

우선, 기판(10) 위에 막두께 1000Å의 크롬으로 이루어진 차광막(20)이 스퍼터링법에 의해 형성되고, 이 차광막(20) 위에 미베이크 상태의 레지스트 막(30)이 형성된 포토마스크 블랭크(101)에서, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에, 노광 광원으로부터 광 파이버 등의 전송장치를 통해서 노광 처리를 행한다.

노광 처리가 끝난 포토마스크 블랭크를, 상기의 실시예 1과 동일한 불필요막 제거장치에 셋트한다. 여기에, 약액 공급구멍(61)이, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역에 대응해서 형성되어 있는 커버 부재(60)(기판측면으로부터 약 2mm의 위치에 대응해서 설치된 약액 공급구멍(61)을 갖는 커버 부재)를 설치하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역에만 현상액의 약액이 공급되도록 하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막에 침투시켜서 용해 제거한다.

불필요영역에 형성된 레지스트 막이 용해 제거된 포토마스크 블랭크에, 베이크 처리 등을 실행하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 레지스트 막이 제거되어, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역의 레지스트 막이 노광 처리되어, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 한 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크를 얻었다. 이 포토마스크 블랭크는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 좌우의 2변에 인접해 있는 피지지 영역(31)의 부위가 노광 영역(현상에 의해 용해속도차가 얻어지도록 한 영역)이며, 기판측면으로부터의 폭 a₂가 십 수 mm이며, 또한 상하 좌우 4변에 인접하게 설치된 레지스트 막 제거 영역의 기판측면으로부터의 폭 b₂는 1.8mm이다.

또한, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 형성되어 있는 레지스트 막(30)은, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정으로, 전사 패턴의 형성과 함께 제거된다.

또한, 상기의 실시예 2에서는, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역, 및 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 노광 처리를 행한 후, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역에만 현상액의 약액을 공급했지만, 유기용제의 약액에 의해, 우선 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역에 형성된 레지스트 막을 제거한 후, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 노광 처리를 행해도 상관없다.

<실시예 3>

우선, 기판(10) 위에 막두께 1000Å의 크롬으로 이루어진 차광막(20)을 스퍼터링법에 의해 형성하고, 이 차광막(20) 위에 미베이크 상태의 레지스트 막(30)이 형성된 포토마스크 블랭크(101)에 있어서, 노광장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에, 노광 광원으로부터 광 파이버 등의 전송장치를 거쳐서 노광 처리를 행하고, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 한 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크를 얻었다.

노광 영역은, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리 공정으로, 전사 패턴의 형성과 함께, 피지지 영역의 레지스트 막도 함께 제거되게 된다. 이 포토마스크 블랭크는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 좌우의 2변에 인접해 있는 피지지 영역(31)의 부위가 노광 영역(현상에 의해 용해속도차가 얻어지도록 한 영역)이며, 기판측면으로부터의 폭 a₃이 십 수 mm이다.

<실시예 1～3 공통>

상기의 실시예 1～3에 의해 얻은 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크의 전사 패턴 형성영역(피지지 영역 및 보조 패턴 형성영역의 내측)에, 홀 패턴과 라인?앤드?스페이스 패턴을 묘화하고, 현상처리, 포스트 베이크 처리, 레지스트 박리, 세정을 행해서 전사 마스크(레티클)를 제조했다. 얻어진 전사 마스크(레티클) 에 있어서, 스테퍼의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에는, 차광막이 형성되어 있지 않고, 경면 연마된 기판이 노출되어 있었다.

여기서, 기판 변형 시험을 행하기 위해서, 도 11에 나타낸 스테퍼의 기판 보유부재와 같이, 기판의 2변을 진공 척킹하는 기판 변형 시험기를 준비하고, 실시예 1～3에 의해 얻어진 전사 마스크(레티클)를, 진공 척에 의해 척킹하고, 광학식 간섭계(Zygo Mark GPI)로 평탄도 변화량을 측정한 바, 0.1㎛이하가 되고, 기판 변형은 거의 확인되지 않았다.

<실시예 4>

상기 실시예 1에 있어서, 기판(101)에 차광막(20)을 스퍼터링법에 의해 형성할 때, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에 차광막(20)이 형성되지 않도록 블록킹하여서 차광막(20)을 형성하고, 또한 레지스트막 형성 후는, 도 5에 기재한 불필요막 제거장치를 사용하고, 기판 가장자리 부분에 형성된 불필요한 레지스트 막만을 용해 제거한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크를 제조했다. 이 포토마스크 블랭크는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 좌우의 2변에 인접해 있는 피지지 영역(31)의 부위에 차광막이 형성되지 않은 영역이며, 기판측면으로부터의 폭₄가 십 수mm이다. 이 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크의 전사 패턴 형성 영역(피지지 영역 및 보조 패턴 형성 영역의 내측)에, 홀 패턴과 라인?앤드?스페이스 패턴을 묘화하고, 현상 처리, 포스트베이 크 처리, 레지스트 박리, 세정을 행해서 전사 마스크(레티클)를 제작했다. 얻어진 전사 마스크(레티클)에 있어서, 스테퍼의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에는, 차광막이 형성되어 있지 않고, 경면 연마된 기판이 노출되어 있었다. 여기서, 기판 변형 시험을 행하기 위해서, 도 11에 나타낸 스테퍼의 기판 보유부재와 같이, 기판의 2변을 진공 척킹하는 기판 변형 시험기를 준비하고, 실시예 4에 의해 얻어진 전사 마스크(레티클)를, 진공 척에 의해 척킹하고, 광학식 간섭계(Zygo Mark GPI)로 평탄도 변화량을 측정한 바, 0.1㎛이하가 되고, 기판 변형은 거의 확인되지 않았다.

<참고예 1>

우선, 기판(10) 위에 막두께 1000Å의 크롬으로 이루어진 차광막(20)이 스퍼터링법에 의해 형성되고, 이 차광막(20) 위에 미베이크 상태의 레지스트 막(30)이 형성된 포토마스크 블랭크(101)에서, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역에, 노광 광원으로부터 광 파이버 등의 전송장치를 거쳐서 노광 처리를 행한다.

노광 처리가 끝난 포토마스크 블랭크를, 상기 실시예 1과 마찬가지의 불필요막 제거 장치에 셋트한다. 여기에, 약액 공급구멍(61)이, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역에 대응해서 형성되어 있는 커버 부재(60)(기판측면으로부터 약 2mm의 위치에 대응해서 설치된 약액 공급구멍(61)을 갖는 커버 부재)를 설치하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요한 영역에만 현상액의 약액이 공급되도록 하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 불필요영역에 형성된 레지스트 막에 침투시켜서 용해 제거한다. 불필요영역에 형성된 레지스트 막이 용해 제거된 포토마스크 블랭크에, 베이크 처리 등을 실행하고, 포토마스크 블랭크 가장자리 부분의 레지스트 막이 제거된, 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크를 얻었다.

실시예 1～4에 공통되게 행해진 것과 마찬가지로, 레지스트 막을 갖는 포토마스크 블랭크의 전사 패턴 형성영역(피지지 영역 및 보조 패턴 형성영역의 내측)에, 홀 패턴과 라인?앤드?스페이스 패턴을 묘화하고, 현상 처리, 포스트 베이크처리, 레지스트 박리, 세정을 행하여 전사 마스크(레티클)를 제조했다. 얻어진 전사 마스크(레티클)에서의 스테퍼의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에는, 차광막의 경계가 형성되어 있고, 차광막의 막두께(1000Å)만큼, 경면 연마된 기판 위에 단차가 형성되었다.

또한, 실시예 1～4에 공통되게 행해진 것과 마찬가지로, 기판 변형 시험기에 의한 평탄도 변화량을 측정한 바, 기판 변형은 0.2㎛정도이었다. 상기 실시예에서 제조한 전사 마스크와, 참고예에서 제조한 전사 마스크를 사용하여, 공지의 리소그래피법(노광 광원을 ArF엑시머 레이저라고 함)에 의해 전사 마스크에 형성되어 있는 전사 패턴을 반도체 기판 위에 전사해서 패턴형성을 행했다. 그 결과, 전사 마스크 기인에 의해서만 포커스 정밀도, 패턴 위치 정밀도는, 참고예와 비교해서 실시예는 포커스 정밀도에 있어서 6nm의 개선(50% 이상의 개선), 패턴 위치 정밀도에 있어서 25nm의 개선(50% 이상의 개선)을 할 수 있었다.

상기 결과로부터 분명하듯이, 본 발명의 구성을 갖는 마스크 블랭크는, 노광 장치에 전사 마스크를 장착했을 때의 기판 변형이 억제되어, 패턴 위치 정밀도의 저하, 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있는 것이 명백하다.

또한, 상기 실시예에서는, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역전체 면의 레지스트 막에 대해서, 제거 또는 노광 처리를 행한 것을 들어서 설명했다. 그러나, 본 발명의 적용은, 이에 한정하지 않고, 피지지 영역에 바코드 패턴이나 QA패턴 등의 보조 패턴이 형성되는 전사 마스크에서는, 보조 패턴을 형성하는 영역에 해당하는 레지스트 막이 남도록 약액 공급부재를 커버 부재에 장착하는 것으로 하여도 된다.

해당 영역에 레지스트 막을 남김으로써, 진공 척에 의한 레티클의 변형이 억제되고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하 및 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있으므로 바람직한 구성이다.

또한, 상기 실시예에서는, 전사 마스크로 하였을 때에, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에서의 소정 영역에 박막이 형성되지 않도록 마스크 블랭크의 단계에서 세공(박막이 형성되지 않도록 하는 것, 레지스트 막을 제거하는 것, 레지스트 막에 노광 처리를 실시하는 것)을 행하는 예를 내세워서 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 전사 마스크의 제조과정에서, 노광 장치의 기판 보유부재에 대응한 피지지 영역에서의 소정영역에 박막이 형성되지 않도록 해도 상관없다.

본 발명의 포토마스크 블랭크에 의하면, 박막을 패터닝해서 얻어진 전사 패 턴을 갖는 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지했을 때에, 원하는 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도로 되도록, 기판 주표면의 가장자리 부분에 형성된 박막 및/또는 레지스트 막이, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 마스크 블랭크의 피지지 영역에서의 소정 영역에서 제거되어 있으므로, 노광 장치의 기판 보유부재에 전사 마스크를 장착했을 때에, 전사 마스크의 변형을 억제하고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하 및 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.

또한, 본 발명의 포토마스크 블랭크의 제조방법에 의하면, 레지스트 도포 공정 후, 박막을 패터닝해서 얻어진 전사 패턴을 갖는 전사 마스크를 노광 장치의 기판 보유부재로 지지했을 때에, 원하는 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도가 되도록, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 마스크 블랭크의 피지지 영역에서의 소정 영역에 대하여 노광 처리를 행하고, 노광 영역과 미노광 영역과의 사이에서 현상액에 의한 용해속도차가 얻어지도록 하고 있음으로써, 전사 마스크 제조공정에서의 현상 처리공정, 에칭 처리공정으로, 전사 패턴의 형성과 함께, 노광 장치의 보유부재에 의해 지지되는 마스크 블랭크의 피지지 영역에서의 레지스트 막, 박막이 제거되므로, 노광 장치의 기판 보유부재에 전사 마스크를 장착했을 때에, 전사 마스크의 변형을 억제하고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하 및 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있는 포토마스크 블랭크를 간단하게 제조할 수 있다.

또한, 본 발명의 전사 마스크의 제조방법에 의하면, 현상 처리공정, 에칭처 리공정으로 전사 패턴의 형성과 함께, 원하는 패턴 위치 정밀도 및 원하는 포커스 정밀도가 되도록, 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되는 마스크 블랭크의 피지지 영역에서의 소정 영역의 레지스트 막, 박막이 제거되므로, 노광 장치의 기판 보유부재에 전사 마스크를 장착했을 때에, 전사 마스크의 변형을 억제하고, 전사 패턴의 위치 정밀도의 저하 및 포커스 정밀도의 저하를 최소한으로 억제할 수 있다.

Claims (16)

1. 전사 마스크를 제조하기 위한 원판이고, 전사 마스크가 제조된 경우에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막과, 전사 마스크를 제조할 때에 사용할 수 있는 레지스트 막을, 기판 주표면 상에 구비하고 있는 마스크 블랭크에 있어서,

   상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 있는 불필요 영역의 내측에 위치하고, 상기 전사 마스크를 이용하여 전사를 행할 때에 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 마스크 블랭크의 피지지 영역을 가지고,

   상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에 있어서는, 상기 박막이 형성되고, 또한 상기 레지스트 막이 형성되어 있지 않은 영역을 가지고,

   상기 전사 마스크를 제조할 때에, 상기 전사 패턴의 형성과 함께 상기 피지지 영역에 있어서의 박막이 제거되는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 마스크 블랭크에 의해 전사 마스크가 제조된 경우에, 이 전사 마스크에 형성되게 되는 보조 패턴의 형성영역을 가지고,

   상기 보조 패턴의 형성영역 이외의 상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에는, 상기 레지스트 막이 형성되어 있지 않고,

   상기 보조 패턴 형성영역에는, 상기 박막 및 상기 레지스트 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
3. 전사 마스크를 제조하기 위한 원판이고, 전사 마스크가 제조된 경우에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막과, 전사 마스크를 제조할 때에 사용되는 레지스트 막을, 기판 주표면 상에 구비하고 있는 마스크 블랭크에 있어서,

   상기 레지스트 막은, 포지티브 형 레지스트 막으로서,

   상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 있는 불필요 영역의 내측에 위치하고, 상기 전사 마스크를 이용하여 전사를 행할 때에 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 마스크 블랭크의 피지지 영역을 가지고,

   상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에 있어서는, 상기 레지스트 막을 현상했을 때에 레지스트 막이 제거되도록 레지스트 막에 노광이 실행되어 있는 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 마스크 블랭크에 의해 전사 마스크가 제조된 경우에, 이 전사 마스크에 형성되게 되는 보조 패턴 형성영역을 가지고,

   상기 보조 패턴 형성영역 이외의 상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에는, 노광이 실시되어 있고,

   상기 보조 패턴 형성영역은, 상기 노광이 실행되어 있지 않은 미노광 영역인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
5. 전사 마스크를 제조하기 위한 원판인 마스크 블랭크의 제조방법으로, 기판 주표면 상에, 전사 마스크가 제조된 경우에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막을 형성하는 박막형성 공정과, 상기 박막 위에 포지티브형 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 공정을 갖는 마스크 블랭크의 제조방법에 있어서,

   상기 마스크 블랭크는, 상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 있는 불필요 영역의 내측에 위치하고, 상기 전사 마스크를 이용하여 전사를 행할 때에 노광 장치의 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 마스크 블랭크의 피지지 영역을 가지며,

   상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에 대해, 상기 레지스트 막을 현상했을 때에 레지스트 막이 제거되도록 레지스트 막에 노광처리를 실행하는 노광공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 노광공정은, 상기 불필요 영역에 형성된 레지스트 막의 노광처리를 포함하고,

   상기 노광 공정 후, 상기 노광이 실행된 영역에 선택적으로 현상액을 공급하고, 상기 불필요 영역에 형성된 레지스트 막, 및 상기 피지지 영역에 형성된 레지스트 막을 제거하는 레지스트 막 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.
7. 제 3 항 또는 제 4 항 마스크 블랭크를 사용한 전사 마스크의 제조방법으로서,

   전사 패턴의 형성과 함께, 상기 노광 처리를 실시한 피지지 영역에 형성된 상기 박막도 동시에 제거하는 에칭처리공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조방법.
8. 기판 주표면상에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막과 이 박막 위에 형성된 포지티브형 레지스트 막이 형성된 마스크 블랭크를 사용하고, 상기 박막에 패턴을 형성해서 전사 마스크를 제조하는 전사 마스크의 제조방법으로,

   상기 전사 마스크는, 상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 있는 불필요 영역의 내측에 위치하고, 전사를 행할 때에 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 피지지 영역을 갖고,

   상기 피지지 영역에는 상기 박막이 형성되지 않은 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 마스크의 제조방법.
9. 청구범위 제8항에 기재된 전사 마스크의 제조방법에 의해 얻어진 전사 마스크를 사용하여, 리소그래피법에 의해 상기 전사 패턴을 반도체 기판에 전사해서 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
10. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

    상기 불필요 영역의 레지스트 막이 제거되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
11. 전사 마스크를 제조하기 위한 원판으로서, 전사 마스크가 제조된 경우에 전사 패턴을 구성하게 되는 박막과, 전사 마스크를 제조할 때에 이용되는 레지스트 막을 기판 주표면 상에 구비하고 있는 마스크 블랭크에 있어서,

    상기 기판 주표면의 가장자리 부분에 있는 불필요 영역의 내측에 위치하고, 상기 전사 마스크를 이용하여 전사를 행할 때에 노광 장치의 기판 보유부재에 의해 지지되게 되는 영역인 마스크 블랭크의 피지지 영역을 가지고,

    상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에 있어서는, 상기 박막이 형성되어 있지 않은 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 마스크 블랭크에 의해 전사 마스크가 제조된 경우에, 이 전사 마스크에 형성되게 되는 보조 패턴의 형성영역을 가지고,

    상기 보조 패턴 형성영역 이외의 상기 마스크 블랭크의 피지지 영역에는, 상기 박막이 형성되어 있지 않고,

    상기 보조 패턴 형성영역에는, 상기 박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
13. 제 1 항, 제 3 항, 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 불필요 영역의 레지스트 막의 제거 폭은, 기판측면으로부터 1~3mm인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
14. 제 3 항에 있어서,

    상기 피지지 영역의 내측에 위치하는 전사 패턴 형성영역을 더 가지고,

    상기 전사 패턴 형성영역에 있어서는, 레지스트 막에 노광이 실행되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
15. 제 11 항에 있어서,

    상기 피지지 영역에 있어서는, 상기 박막이 형성되어 있지 않고, 또한 상기 레지스트 막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
16. 제 5 항에 있어서,

    상기 피지지 영역의 내측에 위치하는 전사 패턴 형성영역을 더 가지고,

    상기 노광공정은, 전사 패턴 형성영역에 있어서는, 레지스트 막에 노광이 실행되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크의 제조방법.

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