JP3916627B2 - マスクブランク及びその製造方法、並びにマスクの製造方法 - Google Patents
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また、フォトマスク基板上に実パターン以外にアライメントマーク、バーコードパターン、QA(品質保証)パターンなどの補助パターンが、マスク基板主表面の周辺部に形成されている。しかも、近年、これらの補助パターンは、実パターンの有効領域の拡大から、マスク基板の周縁部ぎりぎりの領域に形成されるようになった。
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有し、前記基板主表面の周辺部に形成されたレジスト膜が、露光装置の保持部材により支持されるマスクブランクの被支持部領域、及びその周辺領域において残存され、それらの領域以外は除去されていることを特徴とするマスクブランクである。
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンと、補助パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターン及び補助パターンとなる薄膜と、レジスト膜とを有し、前記基板主表面の周辺部に形成されたレジスト膜が、前記補助パターンが形成されるマスクブランクの補助パターン形成領域及びその周辺で残存され、それ以外の不要な領域で除去されていることを特徴とするマスクブランクである。
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンと、補助パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜等の膜を有し、前記基板周縁部に形成された前記膜が部分的に除去されて、マスクブランクを識別するための識別パターンが形成されていることを特徴とするマスクブランクである。
前記識別パターンがバーコードパターンである第3の手段に記載のマスクブランクである。
前記基板主表面の周辺部に形成された膜が、レジスト膜である第3の手段又は第4の手段に記載のマスクブランクである。
前記識別パターン以外の前記基板周辺部に形成されたレジスト膜が除去されていることを特徴とする第5の手段記載のマスクブランクである。
前記マスクブランクは、透光性基板上に少なくとも遮光機能を有する薄膜、レジスト膜等の膜が形成されたフォトマスクブランクであることを特徴とする第1乃至第7の何れかに記載のマスクブランクである。
この識別パターンやバーコードパターンは、不要であればフォトマスク作製時にエッチングにより簡単に除去することができる。識別パターンやバーコードパターンはレジスト膜のみを除去してレジスト膜とその下に形成されている遮光機能を有する薄膜との反射を利用してパターン認識としてもよく、また、除去されたレジスト膜をマスクとしてさらに遮光機能を有する薄膜も除去してレジスト膜/遮光機能を有する薄膜と透光性基板との反射を利用してパターン認識してもよい。
さらに、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑えるために、第6の手段のように、識別パターン以外の基板周辺部に形成されたレジスト膜が除去されている方が好ましい。
また、マスクブランクには、上述の膜以外に、レジスト下地反射防止膜(BARC:Bottom Anti−Reflective Coating)、レジスト上層反射防止膜(TARL:Top Anti−Reflective Layer)、レジスト上層保護膜、導電性膜等の膜が形成されても良い。そして、必要に応じて、基板周辺部に形成されているこれらの膜を除去して上述の第1〜第7の手段のマスクブランクを形成しても構わない。
基板表面に形成された膜のうちの不要な部分を溶媒によって溶解除去する不要膜除去方法であって、前記基板表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上から溶媒を供給してこの溶媒をカバー部材の周辺部に設けられた溶媒流路を通じて不要な部分を溶媒で除去するとともに、前記溶媒流路を通じて前記不要な膜部分へ供給される溶媒の供給量又は/及び供給位置を調整できるようにしたことを特徴とする不要膜除去方法である。
また、溶媒流路とは、カバー部材における不要な膜部分に対応する位置に溶媒を供給するための溶媒供給孔を設けて溶媒流路としても、また、カバー部材の外側に溶媒案内部材を設け、カバー部材と溶媒案内部材との間を溶媒流路としても良い。
前記基板及びカバー部材を共に回転させながら溶媒流路(例えば、溶媒供給孔)を通じて不要膜部分を溶媒で除去することを特徴とする第8の手段に記載の不要膜除去方法である。
前記溶媒流路は、前記カバー部材の周辺部に設けられた溶媒供給孔であることを特徴とする第8又は第9に記載の不要膜除去方法である
溶媒供給孔の大きさは、カバー部材に形成されている全ての溶媒供給孔を同じ大きさに変えてもよく、また、基板の各辺毎に変えてもよく、さらにある一定の領域毎に変えてもよく、さらに個々の溶媒供給孔毎に変えてもよい。
基板表面に形成された膜のうちの不要な部分を溶媒によって除去する不要膜除去装置であって、前記基板表面を覆うカバー部材と、このカバー部材の上から溶媒を供給する溶媒供給装置とを有し、前記カバー部材は、前記溶媒供給装置によって供給された溶媒を不要な膜部分に供給して不要膜を除去する薬液流路を有し、前記溶媒流路を通じて前記不要な膜部分へ供給される溶媒の供給量又は/及び供給位置を調整する調整手段を備えていることを特徴とする不要膜除去装置である。
カバー部材全体を設計・準備・交換することなく、除去幅を適宜制御することができ、所望の除去幅を有する基板(例えば、フォトマスクブランク)を確実かつ容易に得ることができる。
前記溶媒流路は、前記カバー部材の周辺部に設けられた溶媒供給孔であることを特徴とする第11の手段の不要膜除去装置である。
前記調整手段は、前記溶媒供給孔を有し、溶媒供給孔の径又は/及び溶媒供給孔の配置が予め決められた溶媒供給部材を設け、前記溶媒供給部材を前記カバー部材の所定部位に交換可能に構成し、溶媒供給部材を交換することによって前記溶媒の供給量又は/及び供給位置を調整するようにしたことを特徴とする第11の手段に記載の不要膜除去装置である。
前記調整手段は、前記カバー部材の所定部位に溶媒供給孔を設け、この溶媒供給孔の径を調整することによって前記溶媒の供給量又は/及び供給位置を調整するようにしたことを特徴とする第11の手段に記載の不要膜除去装置である。
基板上に被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜と、レジスト膜等の膜を形成する膜形成工程を有するマスクブランクの製造方法において、前記膜形成工程において不要な部分に形成された不要膜を第8乃至第10の手段に記載の方法で除去する不要膜除去工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
第16の手段は、
前記マスクブランクが第1乃至第7の何れかの手段に記載のマスクブランクであることを特徴とする第15の手段に記載のマスクブランクの製造方法である。
尚、第15の手段に記載されたマスクブランクの製造方法は、第16の手段のように、上記第1の手段乃至第7の手段の何れかに記載のマスクブランクを製作する際に有効であるが、これに限らず、例えば、マスクブランクからマスクを作製する際に使われる電子線描画装置のアース端子や基板支持部が当接する領域とその周辺領域、さらに、基板周辺部に形成された発塵に起因する不要なレジスト膜を除去したマスクブランクなど、基板周辺部に形成された不要膜(レジスト膜等)の除去領域を適宜調整、制御しなければならないマスクブランクを作製する際に、有効である。
第15又は16の手段に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法である。
溶媒案内部材92は、溶媒が供給される溶媒供給口93を有する。溶媒案内部材92とカバー部材91とは、溶媒案内部材92とカバー部材91の間にある間隔が形成されるように接続部材94で固定されており、溶媒案内部材92とカバー部材91の間が、溶媒供給口93から供給された溶媒の流路、即ち溶媒流路となる。
溶媒供給口93は、図示せぬ溶媒供給装置によって供給される溶媒が、カバー部材91の外周をつたわって基板10の不要な膜部分に供給されるように、溶媒案内部材92の上方に設けられている。
また、不要膜部分への露光、及び不要膜部分への現像液の供給による不要膜除去方法は、以下のようにして行われる。露光光源より光ファイバー等の伝送装置を介してレジスト膜の不要膜部分に露光処理を行う。その後、上述と同様にして上述の不要膜除去装置にセットし、不要膜部分にのみ溶媒が供給されるようにして不要膜部分を除去し、ベーク処理等を施してレジスト膜が基板の中央部に略正方形状に形成されたレジスト膜付きフォトマスクブランクを得る。
本発明のマスクブランクによれば、部分的に除去された膜がユーザ仕様に合わせて除去されていれば、ユーザ仕様に対応したマスクブランクとすることができる。特に、補助パターンの形成領域に応じてマスクブランクの周辺部に形成された膜(例えば、レジスト膜)の除去領域が制御されていると、補助パターンのパターン不良の発生を防止できる。さらに、基板周縁部のレジスト膜が剥離することによる発塵を抑えることもできる。
また、マスクブランクに欠陥データなどの識別パターン(例えば、バーコードパターンや識別用記号など)が形成されていると、他の要素を介在することなくマスクブランクの識別を正確に行うことができる。
また、本発明の不要膜除去装置によれば、カバー部材に不要膜部分へ供給される溶媒の供給量又は/及び供給位置を調整する調整手段を設けるだけで、ユーザ仕様に合わせた最適な領域の不要膜を容易に除去できる。
また、本発明のマスクブランク製造方法によれば、周辺部の膜が部分的に除去されたマスクブランクを容易に製造できる。
また、本発明のフォトマスクの製造方法によれば、識別パターンのパターン欠陥のないマスク(フォトマスク等)や、露光装置にマスク(レチクル等)を保持したときに、位置精度が低下しないマスク(レチクル等)を製造することができる。
Claims (10)
- 基板上に被転写体に転写すべく転写パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、
該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターンとなる薄膜及びレジスト膜を有し、
前記基板上に欠陥データを示す前記レジスト膜、又は前記薄膜及びレジスト膜を構成する材料からなる識別パターンが形成されていることを特微とするマスクブランク。 - 基板上に被転写体に転写すべく転写パターンを有する転写マスクの原版であるマスクブランクにおいて、
該マスクブランクは、前記基板上に前記転写パターンとなる薄膜及びレジスト膜を有し、
前記基板の周縁部に形成された前記レジスト膜、又は前記薄膜及びレジスト膜が部分的に除去されて、マスクブランクを識別するための識別パターンが形成されているとともに、前記識別パターンは、欠陥データを示すものであることを特徴とするマスクブランク。 - 前記識別パターンがバーコードパターンであることを特徴とする請求項1又は2に記載のマスクブランク。
- 前記識別パターンは、レジスト膜とその下に形成されている薄膜との反射を利用してパターン認識されるか、又は、レジスト膜及び薄膜と、基板との反射を利用してパターン認識されるものであることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一に記載のマスクブランク。
- 前記識別パターン以外の前記基板周縁部に形成されたレジスト膜が除去されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一に記載のマスクブランク。
- 基板上に被転写体に転写すべく転写パターンとなる薄膜及びレジスト膜を形成する膜形成工程と、前記基板の周辺部にマスクブランクを識別するための識別パターンを形成する識別パターン形成工程とを有するマスクブランクの製造方法であって、
前記識別パターン形成工程は、
前記基板表面をカバー部材で覆い、このカバー部材の上から溶媒を供給してこの溶媒を
カバー部材の周辺部に設けられたパターン用溶媒供給孔を通じて識別パターンを形成すべく不要な部分を溶媒で除去するようにするとともに、
前記パターン用溶媒供給孔を通じて前記不要な膜部分へ供給される溶媒の供給量及び/又は供給位置を調整する調整手段を設け、
前記調整手段を、前記溶媒供給孔の径及び/又は溶媒供給孔の配置が予め決められた溶媒供給部材であって前記カバー部材の所定部位に交換可能に配置されるもので構成し、前記溶媒供給部材を交換することによって前記溶媒の供給量及び/又は供給位置を調整することで前記パターン用溶媒供給孔を通じて前記不要な膜部分へ供給される溶媒の供給量及び/又は供給位置を調整して識別パターンを形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記識別パターンは、欠陥データを示すものであることを特徴とする請求項6記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記識別パターンは、バーコードパターンであること特徴とする請求項6又は7記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記基板及び前記カバー部材を共に回転させながらパターン用溶媒供給孔を通じて識別パターンを形成すべく不要な部分を溶媒で除去することを特徴とする請求項6乃至8の何れか一に記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項6至9に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法。
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