JP2021032905A - フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、パターン形成方法、及びフォトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】１回のフォトリソグラフィにより転写用パターンと枠パターンとを形成すること。【解決手段】実施形態のフォトマスクの製造方法は、ハーフトーン膜、遮光膜、及びマスク膜をこの順に積層した基板を準備するステップと、マスク膜の第１の領域および第１の領域を囲む第２の領域に照射量の異なるエネルギ線をそれぞれ照射するステップと、第１の領域のマスク膜を部分的に除去するステップと、第２の領域および第１の領域において残存したマスク膜をマスクにして、ハーフトーン膜および遮光膜を加工するステップと、を有する。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、パターン形成方法、及びフォトマスクに関する。

半導体装置の製造工程において微細なパターンを形成する方法にハーフトーン膜を有するフォトマスク（位相シフトマスク）によるパターン転写がある。このようなフォトマスクを製造する際には、ハーフトーン膜に転写用パターンを形成した後、例えば、パターンの周辺部分を囲う遮光用の枠パターンを、遮光膜を用いて形成している。これには、複数回のリソグラフィを要する。

特許第５７３９３７５号公報 特許第５７７９２９０号公報 特許第５６８６２１６号公報

本発明の実施形態は、１回のフォトリソグラフィにより転写用パターンと枠パターンとを形成するフォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法、パターン形成方法、及びフォトマスクを提供することを目的とする。

実施形態のフォトマスクの製造方法は、ハーフトーン膜、遮光膜、及びマスク膜をこの順に積層した基板を準備するステップと、前記マスク膜の第１の領域および前記第１の領域を囲む第２の領域に照射量の異なるエネルギ線をそれぞれ照射するステップと、前記第１の領域のマスク膜を部分的に除去するステップと、前記第２の領域および前記第１の領域において残存した前記マスク膜をマスクにして、前記ハーフトーン膜および前記遮光膜を加工するステップと、を有する。

図１は、実施形態１にかかるフォトマスクの構成例を示す図である。 図２は、実施形態１にかかるフォトマスクの製造方法の手順の一例を示すフロー図である。 図３は、実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフロー図である。 図４は、実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフロー図である。 図５は、実施形態１の比較例にかかるフォトマスクの製造方法の手順の一例を示すフロー図である。 図６は、実施形態２にかかるフォトマスクの構成例を示す図である。 図７は、実施形態２にかかるフォトマスクの製造方法の手順の一例を示すフロー図である。 図８は、実施形態２の比較例にかかるフォトマスクの製造方法の手順の一例を示すフロー図である。

以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。

［実施形態１］
以下、図面を参照して、実施形態１について詳細に説明する。

（フォトマスクの構成例）
図１は、実施形態１にかかるフォトマスク１０の構成例を示す図である。図１（ａ）はフォトマスク１０の断面図であり、（ｂ）は平面図である。

図１（ａ）（ｂ）に示すように、実施形態１のフォトマスク１０は、基板１１、ハーフトーン膜１２、及び遮光膜１３を備える。

基板１１は、例えば矩形に成形された石英等から構成される。ただし、基板１１は、後述する露光光に対して透明な材料であれば、石英以外の部材から構成されていてもよい。

ハーフトーン膜１２は、基板１１上に配置され、例えばＭｏＳｉ等から構成される。ハーフトーン膜１２は、基板１１を構成する石英等よりも露光光の透過率の低い膜である。ハーフトーン膜１２は、位相シフト膜とも呼ばれ、透過光の位相を反転させる性質を有する。ハーフトーン膜１２は、第１のパターンとしての転写用パターン１２ｐ及び第２のパターンとしての枠パターン１２ｆを含む。

転写用パターン１２ｐは、後述するウェハ上のレジスト膜に転写されるためのパターンである。転写用パターン１２ｐがハーフトーン膜１２により構成されることで、基板１１を透過した光と、転写用パターン１２ｐを透過して位相がシフトした光との光干渉効果により、パターンの解像度を向上させることができる。枠パターン１２ｆは、後述する枠パターン１３ｆの土台となる。

遮光膜１３は、ハーフトーン膜１２上に配置され、例えばＣｒ、Ｔａ、あるいはこれらの何れかの酸化物等から構成される。遮光膜１３は露光光を略完全に遮光する。つまり、遮光膜は露光光を透過させない。遮光膜１３は枠パターン１３ｆを含む。

枠パターン１３ｆは、転写用パターン１２ｐの外側に配置され、転写用パターン１２ｐを枠状に囲うパターンである。枠パターン１３ｆにより、例えば、ウェハ上の隣接するショット領域に連続して露光を行う場合であっても、１回で露光される露光領域であるショット領域間で重なり露光が生じてしまうのを抑制することができる。

なお、重なり露光の抑制のため、ウェハを露光する露光機側にも可動式の遮光シャッタが設けられる。ウェハに対して露光を行うときは、ウェハのショット領域のサイズに合わせて遮光シャッタを動作させ、ショット領域の外周を遮光する。枠パターン１３ｆは、このような遮光シャッタの役割を補助するものであってもよい。

（フォトマスクの製造方法）
次に、図２を用いて、実施形態１のフォトマスク１０の製造方法の例について説明する。図２は、実施形態１にかかるフォトマスク１０の製造方法の手順の一例を示すフロー図である。

図２（ａ）に示すように、石英等の基板１１上に、ハーフトーン膜１２、遮光膜１３、及びマスク膜としてのレジスト膜２１をこの順に形成する。

図２（ｂ）に示すように、レジスト膜２１の一部に電子ビーム等のエネルギ線を照射する。これにより、エネルギ線が照射され、後に除去される除去パターン２１ｒと、エネルギ線が照射されず、ハーフトーン膜１２から構成される転写用パターン１２ｐと同一のパターンを有することとなる転写用パターン２１ｐと、がレジスト膜２１の中央部に形成される。さらに、除去パターン２１ｒ及び転写用パターン２１ｐの外周を枠状に取り囲むようにエネルギ線が照射された枠パターン２１ｆが形成される。

このとき、除去パターン２１ｒと枠パターン２１ｆとでは、エネルギ線の照射量を異ならせる。エネルギ線の照射量は、例えば照射時間および照度の少なくともいずれかを変化させることで異ならせることができる。例えば、除去パターン２１ｒには、レジスト膜２１を露光させる際に通常、用いられる照射時間や照度にてエネルギ線が照射される。枠パターン２１ｆには、照射時間を長くしたり照度を高めたりすることで、照射量を大きくしたエネルギ線が照射される。

このように、レジスト膜２１は、除去パターン２１ｒ及び転写用パターン２１ｐを含む第１の領域と、第１の領域を囲み、枠パターン２１ｆを含む第２の領域と、を有すると考えることができる。エネルギ線の照射は、第１の領域の少なくとも一部と、第２の領域とに対して、それぞれ異なる照射量で行われる。

図２（ｃ）に示すように、転写用パターン２１ｐ、除去パターン２１ｒ、及び枠パターン２１ｆが形成されたレジスト膜２１に現像液を供給し、レジスト膜２１の一部を溶解させて除去する。

現像液は、基本的には、レジスト膜２１の露光部分、つまり、エネルギ線が照射された部分を溶かして除去する。しかし、エネルギ線の照射量が所定量を超えると、その部分は硬化して現像液により溶解することができなくなる。このため、転写用パターン２１ｐを除く除去パターン２１ｒが溶解され除去される。一方、エネルギ線の照射量の大きい枠パターン２１ｆは除去されずに残る。

これらのことにより、レジスト膜２１は、除去されずに残った転写用パターン２１ｐと枠パターン２１ｆとを有することとなる。

図２（ｄ）に示すように、レジスト膜２１をマスクに遮光膜１３を、プラズマ等を用いたエッチングにより加工する。これにより、レジスト膜２１の転写用パターン２１ｐが転写された転写用パターン１３ｐと、枠パターン２１ｆが転写された枠パターン１３ｆとが遮光膜１３に形成される。

ここで、遮光膜１３がエッチングされるのに伴い、マスクとなるレジスト膜２１も多少ながらエッチングされていく。このとき、転写用パターン２１ｐと枠パターン２１ｆとではエッチング耐性が異なる。

上述のように、枠パターン２１ｆはエネルギ線の照射量の大きい硬化したレジスト膜２１から構成され、未露光のレジスト膜２１から構成される転写用パターン２１ｐよりもエッチング耐性が高い。したがって、下地のハーフトーン膜１２が露出するまで遮光膜１３をエッチング除去したときには、転写用パターン２１ｐの膜厚は、枠パターン２１ｆの膜厚よりも薄くなっている。

図２（ｅ）に示すように、レジスト膜２１をマスクに、更に、ハーフトーン膜１２を、プラズマ等を用いたエッチングにより加工する。これにより、レジスト膜２１の転写用パターン２１ｐが転写された転写用パターン１２ｐと、枠パターン２１ｆが転写された枠パターン１２ｆとがハーフトーン膜１２に形成される。

また、上述のように、転写用パターン２１ｐはエッチング耐性が低く、膜厚も減少しているので、下地の基板１１が露出するまでハーフトーン膜１２をエッチング除去したときには、転写用パターン２１ｐは消失する。

ただし、転写用パターン２１ｐは、ハーフトーン膜１２のエッチング加工の途中で消失してもよい。ハーフトーン膜１２の加工には、遮光膜１３がエッチングされ難い条件が使用されるので、転写用パターン２１ｐの消失後は、遮光膜１３の転写用パターン１３ｐがマスクとなって、ハーフトーン膜１２の転写用パターン１２ｐが形成される。

図２（ｆ）に示すように、レジスト膜２１をマスクに、遮光膜１３を更に、プラズマ等を用いたエッチングにより加工する。これにより、遮光膜１３のうち、枠パターン２１ｆにより保護された枠パターン１３ｆが残り、転写用パターン１３ｐはエッチング除去される。下地の転写用パターン１２ｐが露出するまで遮光膜１３の転写用パターン１３ｐをエッチング除去したときには、レジスト膜２１の枠パターン２１ｆは消失する。

以上により、実施形態１のフォトマスク１０が製造される。

（半導体装置の製造方法）
次に、図３及び図４を用いて、実施形態１のフォトマスク１０を使用したパターン形成方法の例について説明する。図３及び図４は、実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一例を示すフロー図である。フォトマスク１０を使用したパターン形成方法は、半導体装置の製造方法の一環として実施される。

図３（ａ）に示すように、半導体基板としてのウェハ５０上に、被加工膜５１と、半導体装置の製造方法に用いられるマスク膜としてのレジスト膜５２とをこの順に形成する。

図３（ｂ）に示すように、フォトマスク１０をウェハ５０のレジスト膜５２の上方に配置する。このとき、転写用パターン１２ｐ及び枠パターン１３ｆ等が形成された側をウェハ５０に対向させる。

所定波長の光をフォトマスク１０の上方から照射し、ウェハ５０上のレジスト膜５２を露光させる。このときの光の照射量は、レジスト膜５２を露光させる際に用いる通常の照射量とする。

これにより、露光光に対して透明な露出した基板１１と対向する位置のレジスト膜５２が露光される。そして、転写用パターン１２ｐ及び枠パターン１３ｆと対向する位置のレジスト膜２１に、転写用パターン１２ｐが転写されたレジストパターン５２ｐと、枠パターン１３ｆが転写された枠パターン５２ｆとが形成される。

なお、基板１１上のショット領域Ｓには、少なくともレジストパターン５２ｐが形成された領域が含まれる。ショット領域Ｓには、枠パターン５２ｆの形成領域は含まれない。または、ショット領域Ｓに枠パターン５２ｆの形成領域が含まれる場合であっても、枠パターン５２ｆはショット領域Ｓ内のパターンには影響しない位置に配置される。

図３（ｃ）に示すように、現像液を用いて露光された部分のレジスト膜５２を除去する。

図４（ａ）に示すように、レジストパターン５２ｐ及び枠パターン５２ｆを有するレジスト膜５２をマスクに、被加工膜５１をエッチング加工する。これにより、パターン５１ｐ及び枠パターン５１ｆを有する被加工膜５１が得られる。

図４（ｂ）に示すように、残ったレジスト膜５２を除去する。

これ以降、図３及び図４のような工程を所定回数繰り返すことで、半導体装置が製造される。

（比較例）
次に、図５を用いて、比較例のフォトマスク１０’の製造方法について説明する。基板１１’上に、ハーフトーン膜１２’、遮光膜１３’、及びレジスト膜２１’を形成し（図５（ａ））、通常の照射量の電子線等を照射してレジスト膜２１’を露光して、転写用パターン２１ｐ’及び枠パターン２１ｆ’を形成する（図５（ｂ））。レジスト膜２１’をマスクに遮光膜１３’をエッチングし、転写用パターン１３ｐ’及び枠パターン１３ｆ’を形成する（図５（ｃ））。このとき、転写用パターン２１ｐ’及び枠パターン２１ｆ’は略等しい速さでエッチングされていき、略等しい膜厚となる。レジスト膜２１’をマスクに更にハーフトーン膜１２’をエッチングし、転写用パターン１２ｐ’及び枠パターン１２ｆ’を形成する（図５（ｄ））。レジスト膜２１’は消失し、または、除去される。

ハーフトーン膜１２’及び遮光膜１３’を覆うようにレジスト膜３１’を形成し（図５（ｅ））、通常の照射量の電子線等を照射してレジスト膜３１’を露光し、枠パターン３１ｆ’を形成する（図５（ｆ））。レジスト膜３１’をマスクに遮光膜１３’の転写用パターン１３ｐ’をエッチング除去して、枠パターン１３ｆ’を有する遮光膜１３’を形成する（図５（ｇ））。

以上のように、比較例のフォトマスク１０’の製造方法によれば、遮光膜１３’の枠パターン１３ｆ’を形成するためには、レジスト膜２１’，３１’を用いた複数回のフォトリソグラフィが必要である。これにより、フォトマスク１０’の製造期間が長期化してしまう。また、転写用パターン１２ｐ’，１３ｐ’の間隙にまでレジスト膜３１’を形成するため、その後の工程でレジスト膜３１’が異物として残留してしまう場合がある。

実施形態１のフォトマスク１０の製造方法によれば、レジスト膜２１を用いた１回のフォトリソグラフィで、フォトマスク１０を製造することができる。これにより、フォトマスク１０の製造期間を短縮することができ、異物の残留を抑制することができる。

実施形態１のフォトマスク１０の製造方法によれば、照射量を異ならせてエネルギ線をレジスト膜２１に照射して、エッチング耐性の異なる転写用パターン２１ｐと枠パターン２１ｆとを形成する。これにより、１回のフォトリソグラフィで、ハーフトーン膜１２の転写用パターン１２ｐと、遮光膜１３の枠パターン１３ｆとを形成することができる。

なお、上述の実施形態１では、転写用パターン２１ｐと枠パターン２１ｆとにおけるエネルギ線の照射量を異ならせることとしたが、これに限られない。例えば、転写用パターン２１ｐと枠パターン２１ｆとにおけるエネルギ線の照射量は同量とし、その後に、枠パターン２１ｆに紫外線等のエネルギ線を照射してもよい。紫外線の照射によるＵＶキュア効果によっても、現像液に溶解せず、転写用パターン２１ｐよりも高いエッチング耐性を有する枠パターン２１ｆが得られる。

［実施形態２］
以下、図面を参照して、実施形態２について詳細に説明する。実施形態２のフォトマスクでは枠パターンが多層膜構造となっている点が、上述の実施形態１とは異なる。

（フォトマスクの構成例）
図６は、実施形態２にかかるフォトマスク１０ａ〜１０ｃの構成例を示す図である。

図６（ａ）に示すように、フォトマスク１０ａは、上述の実施形態１のフォトマスク１０の構成に加え、遮光膜１３上に配置されるハードマスク膜１４を備える。ハードマスク膜１４は、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、あるいはこれらの複合材料等から構成される。

ハードマスク膜１４は、遮光膜１３の枠パターン１３ｆ上に配置される枠パターン１４ｆを含む。このように、フォトマスク１０ａは、遮光膜１３とハードマスク膜１４との多層膜構造の枠パターン１３ｆ，１４ｆを備える。

図６（ｂ）に示すように、フォトマスク１０ｂは、上述のフォトマスク１０ａの構成に加え、ハードマスク膜１４上に配置される遮光膜１５を備える。遮光膜１５は、例えば上述の遮光膜１３と同様の材料から構成されることができる。遮光膜１３，１５の材料がそれぞれ異なっていてもよい。

遮光膜１５は、ハードマスク膜１４の枠パターン１４ｆ上に配置される枠パターン１５ｆを含む。このように、フォトマスク１０ｂは、遮光膜１３、ハードマスク膜１４、及び遮光膜１５の多層膜構造の枠パターン１３ｆ，１４ｆ，１５ｆを備える。

図６（ｃ）に示すように、フォトマスク１０ｃは、上述のフォトマスク１０ｂの構成に加え、遮光膜１５上に配置されるハードマスク膜１６を備える。ハードマスク膜１６は、例えば上述のハードマスク膜１４と同様の材料から構成されることができる。ハードマスク膜１４，１６の材料がそれぞれ異なっていてもよい。

ハードマスク膜１６は、遮光膜１５の枠パターン１５ｆ上に配置される枠パターン１６ｆを含む。このように、フォトマスク１０ｃは、遮光膜１３、ハードマスク膜１４、遮光膜１５、及びハードマスク膜１６の多層膜構造の枠パターン１３ｆ，１４ｆ，１５ｆ，１６ｆを備える。

（フォトマスクの製造方法）
実施形態２のフォトマスク１０ａ〜１０ｃは、当初、基板１１上に積層する膜構成を適宜、変更することで製造される。以下、図７を用い、代表例として、実施形態２のフォトマスク１０ａの製造方法の例について説明する。図７は、実施形態２にかかるフォトマスク１０ａの製造方法の手順の一例を示すフロー図である。

図７（ａ）に示すように、基板１１上に、ハーフトーン膜１２、遮光膜１３、ハードマスク膜１４、及びマスク膜としてのレジスト膜２１をこの順に形成する。

図７（ｂ）に示すように、レジスト膜２１の一部に電子ビーム等のエネルギ線を、レジスト膜２１の第１の領域および第２の領域に対して照射量を異ならせて照射する。これにより、エネルギ線未照射の転写用パターン２１ｐと、照射量の小さい除去パターン２１ｒと、照射量の大きい枠パターン２１ｆとが形成される。

図７（ｃ）に示すように、レジスト膜２１に現像液を供給して除去パターン２１ｒを除去する。

図７（ｄ）に示すように、レジスト膜２１をマスクにハードマスク膜１４を、プラズマ等を用いてエッチング加工する。これにより、ハードマスク膜１４が、転写用パターン１４ｐ及び枠パターン１４ｆを有することとなる。レジスト膜２１の転写用パターン２１ｐの膜厚は、枠パターン２１ｆよりも薄くなる。

図７（ｅ）に示すように、レジスト膜２１をマスクに、更に、遮光膜１３をエッチング加工する。これにより、転写用パターン１３ｐ及び枠パターン１３ｆを有する遮光膜１３が形成される。レジスト膜２１の転写用パターン２１ｐは消失する。

図７（ｆ）に示すように、ハードマスク膜１４の転写用パターン１４ｐと、レジスト膜２１の枠パターン２１ｆとをマスクに、ハーフトーン膜１２をエッチング加工する。これにより、転写用パターン１２ｐ及び枠パターン１２ｆを有するハーフトーン膜１２が形成される。ハードマスク膜１４をマスクとしてハーフトーン膜１２を加工することで、良好な寸法変換差（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を有する転写用パターン１２ｐが得られる。ハードマスク膜１４の転写用パターン１４ｐは消失する。

図７（ｇ）に示すように、レジスト膜２１の枠パターン２１ｆをマスクに、遮光膜１３の転写用パターン１３ｐをエッチング除去する。枠パターン２１ｆは消失する。

以上により、実施形態２のフォトマスク１０ａが製造される。

（比較例）
次に、図８を用いて、比較例のフォトマスク１０ａ’の製造方法について説明する。基板１１’上に、ハーフトーン膜１２’、遮光膜１３’、ハードマスク膜１４’、及びレジスト膜２１’を形成し（図８（ａ））、通常の照射量の電子線等を照射してレジスト膜２１’を露光して、転写用パターン２１ｐ’及び枠パターン２１ｆ’を形成する（図８（ｂ））。レジスト膜２１’をマスクにハードマスク膜１４’をエッチングし（図８（ｃ））、更に遮光膜１３’をエッチングして（図８（ｄ））、転写用パターン１３ｐ’，１４ｐ’及び枠パターン１３ｆ’，１４ｆ’を形成する。レジスト膜２１’は消失する。ハードマスク膜１４’をマスクにハーフトーン膜１２’をエッチングし、転写用パターン１２ｐ’及び枠パターン１２ｆ’を形成する（図８（ｅ））。ハードマスク膜１４’は消失する。ハードマスク膜１４’が残っていた場合、別途、ハードマスク膜１４’を除去してもよい。

ハーフトーン膜１２’及び遮光膜１３’を覆うようにレジスト膜３１’を形成し（図８（ｆ））、通常の照射量の電子線等を照射してレジスト膜３１’を露光して、枠パターン３１ｆ’を形成する（図８（ｇ））。レジスト膜３１’をマスクに遮光膜１３’の転写用パターン１３ｐ’をエッチング除去して、枠パターン１３ｆ’を有する遮光膜１３’を形成する（図８（ｈ））。

以上のように、比較例のフォトマスク１０ａ’の製造方法によれば、遮光膜１３’の枠パターン１３ｆ’を形成するためには、やはり、レジスト膜２１’，３１’を用いた複数回のフォトリソグラフィが必要となる。

実施形態２のフォトマスク１０ａ〜１０ｃの製造方法によれば、上述の実施形態１と同様の効果を奏する。

実施形態２のフォトマスク１０ａ〜１０ｃの製造方法によれば、ハードマスク膜１４，１６等をマスクにハーフトーン膜１２を加工することにより、良好なＣＤを有する転写用パターン１２ｐを形成することができる。

実施形態２のフォトマスク１０ｂの製造方法によれば、ハードマスク膜１４により転写用パターン１２ｐのＣＤを改善しつつ、Ｃｒ等から構成される遮光膜１５をハードマスク膜１４上に配置することで、レジスト膜２１との密着性をハードマスク膜１４よりも向上させることができる。

実施形態２のフォトマスク１０ａ〜１０ｃによれば、枠パターン１３ｆ〜１６ｆを多層膜構造とすることで、ショット領域外周部の遮光性を向上させることができる。また、遮光膜１３を薄く構成するなど、設計の自由度も向上させることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０，１０ａ〜１０ｃ…フォトマスク、１１…基板、１２…ハーフトーン膜、１２ｆ〜１６ｆ，２１ｆ…枠パターン、１２ｐ，２１ｐ…転写用パターン、１３，１５…遮光膜、１４，１６…ハードマスク膜、２１…レジスト膜。

Claims (6)

1. ハーフトーン膜、遮光膜、及びマスク膜をこの順に積層した基板を準備するステップと、
   前記マスク膜の第１の領域および前記第１の領域を囲む第２の領域に照射量の異なるエネルギ線をそれぞれ照射するステップと、
   前記第１の領域のマスク膜を部分的に除去するステップと、
   前記第２の領域および前記第１の領域において残存した前記マスク膜をマスクにして、前記ハーフトーン膜および前記遮光膜を加工するステップと、を有する、
   フォトマスクの製造方法。
2. 前記エネルギ線を照射するステップでは、
   前記マスク膜における前記第１の領域および前記第２の領域のエッチング耐性を異ならせる、
   請求項１に記載のフォトマスクの製造方法。
3. 前記基板を準備するステップでは、前記遮光膜と前記マスク膜との間にハードマスク膜が形成された前記基板を準備し、
   前記加工するステップでは、前記ハーフトーン膜、前記遮光膜、及び前記ハードマスク膜が加工される、
   請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。
4. 被加工膜が形成された半導体基板上に配置したマスク膜に、基板、前記基板上に配置され第１のパターン及び前記第１のパターンを囲む第２のパターンを有するハーフトーン膜、前記ハーフトーン膜の前記第２のパターン上に配置される遮光膜、及び前記遮光膜上に配置されるハードマスク膜を備えるフォトマスクを介して光照射し、前記マスク膜に前記第１のパターンを転写するステップと、
   前記第１のパターンが転写された前記マスク膜をマスクにして、前記被加工膜を加工するステップと、を含む、
   半導体装置の製造方法。
5. マスク膜に、基板、前記基板上に配置され第１のパターン及び前記第１のパターンを囲む第２のパターンを有するハーフトーン膜、前記ハーフトーン膜の前記第２のパターン上に配置される遮光膜、及び前記遮光膜上に配置されるハードマスク膜を備えるフォトマスクを介して光照射し、前記マスク膜に前記第１のパターンを転写するステップを含む、
   パターン形成方法。
6. 基板と、
   前記基板上に配置され、第１のパターン、及び前記第１のパターンを囲む第２のパターンを有するハーフトーン膜と、
   前記ハーフトーン膜の前記第２のパターン上に配置される遮光膜と、
   前記遮光膜上に配置されるハードマスク膜と、を備える、
   フォトマスク。

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