JP2009004478A - パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009004478A JP2009004478A JP2007162403A JP2007162403A JP2009004478A JP 2009004478 A JP2009004478 A JP 2009004478A JP 2007162403 A JP2007162403 A JP 2007162403A JP 2007162403 A JP2007162403 A JP 2007162403A JP 2009004478 A JP2009004478 A JP 2009004478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist film
- pattern
- resist
- film
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体基板100の表面にレジスト膜104を形成し、露光装置2を用いて、レジスト膜104と投影光学系203との間に液体を満たしつつ、液体205を介してレジスト膜104を露光し、露光後にレジスト膜104表層に形成された撥水層105を除去し、撥水層105を除去後に基板100を加熱処理し、レジスト膜104を現像してレジストパターン107を形成することによって、レジストパターン107のパターン制御性を向上する。
【選択図】図2
Description
まず、図4(a)に示すように、表面に被加工膜101が形成された半導体基板100上に反射防止膜102、SOG膜103、レジスト膜104を順に塗布形成し、それぞれをベーク処理する。
101:被加工膜
102:反射防止膜
103:SOG膜
104:レジスト膜
105:撥水層
106:アルカリ性溶液(有機アルカリ水溶液)
107:レジストパターン
2:露光装置
203:投影光学系
205:液体(液浸液)
Claims (5)
- 基板表面にレジスト膜を形成する工程と、
露光装置を用いて、前記レジスト膜と投影光学系との間に液体を満たしつつ、前記液体を介して前記レジスト膜を露光する工程と、
露光後、前記レジスト膜表層の撥水層を除去する工程と、
前記撥水層を除去後、前記基板を加熱処理する工程と、
前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジスト膜表層の撥水層を除去する工程は、前記レジスト膜表層にアルカリ性溶液を供給して、前記レジスト膜表面を洗浄する工程を含むことを特徴とする請求項1記載のパターン形成方法。
- 前記アルカリ性溶液は、有機アルカリ水溶液であることを特徴とする請求項2記載のパターン形成方法。
- 前記有機アルカリ水溶液の有機アルカリ濃度は、前記現像工程に用いられる有機アルカリ水溶液の有機アルカリ濃度よりも低いことを特徴とする請求項3記載のパターン形成方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一項記載のパターン形成方法を用いて、基板上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクにして、前記レジストパターンの下層膜を加工する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007162403A JP2009004478A (ja) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US12/143,187 US20080318166A1 (en) | 2007-06-20 | 2008-06-20 | Method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007162403A JP2009004478A (ja) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009004478A true JP2009004478A (ja) | 2009-01-08 |
Family
ID=40136855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007162403A Abandoned JP2009004478A (ja) | 2007-06-20 | 2007-06-20 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080318166A1 (ja) |
JP (1) | JP2009004478A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100131953A (ko) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 포토리소그래피 방법 |
US8119313B2 (en) | 2009-03-06 | 2012-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
US8808970B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-08-19 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005067011A1 (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Tokyo Electron Limited | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
WO2005085954A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
JP2006091798A (ja) * | 2004-04-16 | 2006-04-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料 |
JP2007078745A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 保護膜形成用材料およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 |
JP2007140075A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP4955977B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
JP4718893B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP4797662B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
-
2007
- 2007-06-20 JP JP2007162403A patent/JP2009004478A/ja not_active Abandoned
-
2008
- 2008-06-20 US US12/143,187 patent/US20080318166A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005067011A1 (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Tokyo Electron Limited | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 |
WO2005085954A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
JP2006091798A (ja) * | 2004-04-16 | 2006-04-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料 |
JP2007078745A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 保護膜形成用材料およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法 |
JP2007140075A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バリア膜形成用材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8119313B2 (en) | 2009-03-06 | 2012-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor device |
KR20100131953A (ko) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 포토리소그래피 방법 |
JP2011053650A (ja) * | 2009-06-08 | 2011-03-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトリソグラフィー方法 |
JP2016001334A (ja) * | 2009-06-08 | 2016-01-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトリソグラフィー方法 |
KR101701189B1 (ko) | 2009-06-08 | 2017-02-01 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 | 포토리소그래피 방법 |
US8808970B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-08-19 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
US9105476B2 (en) | 2011-08-26 | 2015-08-11 | Renesas Electronics Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080318166A1 (en) | 2008-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5851052B2 (ja) | パターン平滑化及びインライン限界寸法のスリム化のための蒸気処理プロセス | |
US10606176B2 (en) | Method for patterning a substrate using extreme ultraviolet lithography | |
JP2014510954A (ja) | リソグラフィ適用において感放射線材料のラインを幅狭化する方法 | |
TWI699821B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
TWI324791B (ja) | ||
JP2006210825A (ja) | パターン形成方法 | |
US8846305B2 (en) | Photolithography method including dual development process | |
JP2012256726A (ja) | レジスト膜のリワーク方法および半導体装置の製造方法ならびに基板処理システム | |
JP2009004478A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008153373A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7144673B2 (en) | Effective photoresist stripping process for high dosage and high energy ion implantation | |
US20120202156A1 (en) | Cleaning process for semiconductor device fabrication | |
JPH11145031A (ja) | 化学増幅系レジストのパターン形成方法 | |
US20100167213A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
US7851139B2 (en) | Pattern forming method | |
JP2009295716A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
US20090123878A1 (en) | Patterning method | |
JP2008066467A (ja) | パターン形成方法 | |
KR100819647B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
JP2010118501A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100546118B1 (ko) | 미세 패턴 형성방법 | |
JP2007088256A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
US8507190B2 (en) | Method for preparing alignment mark for multiple patterning | |
KR101057178B1 (ko) | 포토마스크의 제조방법 | |
JP2008153328A (ja) | 薄膜パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110610 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110714 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111125 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111227 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120720 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20120806 |