JPH07335650A - 半導体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、不良品が発生することなく、精度
の高いメッキ処理等を行うことができる半導体の製造方
法を提供することを目的としている。 【構成】 上方を開放した処理槽１の上方に半導体ウェ
ハーＷをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハ
ーＷの被処理面に処理液Ｓを噴流させながら上下電極間
に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理
を施す半導体の製造方法において、定常運転時に、処理
液Ｓの噴流を停止し、半導体ウェハーＷの被処理面と処
理液Ｓとの接触を解くことにより、半導体ウェハーＷの
被処理面に付着する水素ガス等の泡Ｈを除去するように
したことを特徴とする方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハーにバン
プ電極や配線を形成したり、化成処理を施す場合に好適
する噴流式のメッキ方法や化成方法等に用いられる半導
体の製造方法、更に詳しくは、均一なメッキ処理等を行
うことが可能な半導体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を製造する場合、半導体ウェ
ハーに対し、メッキ処理を施したり、化成処理を施すこ
とがある。例えば、ＤＨＤ（Double Heatsink Diode)型
ダイオードを製造する場合や、ＴＡＢ（Tape Automated
Bounding ）型半導体装置を製造する場合、半導体ウェ
ハーに対し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、半田等よりなる50〜60
μｍ程度のバンプ電極を形成している。また、Ａｕその
他の金属により、配線を形成している。そして、このよ
うなバンプ電極や配線を形成する場合、一般に図11に示
す噴流式のメッキ装置ａが用いられている。具体的に
は、図11のようにメッキ液ｂを底面の中央から導入し上
方からオーバーフローさせる噴流式のメッキ槽ｃと；こ
のメッキ槽ｃ内に配設された下部電極ｄと；メッキ槽ｃ
の上部にメッキ槽ｃの上端から若干突出するように配設
され、半導体ウェハーｗをその被処理面を下にして保持
する複数の陰極ピンを用いた上部電極ｅとを有し；半導
体ウェハーｗの被処理面にメッキ液ｂを噴流させながら
上下電極ｅ、ｄ間に電流を流して半導体ウェハーｗにメ
ッキ処理を施すものがある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のメッキ
装置ａを用いた半導体の製造方法にあっては、まず運転
時の初期にあっては、循環ポンプに接続された配管等の
内部に空気等の泡が溜まっており、この空気等の泡が半
導体ウェハーｗの被処理面に付着した状態のままで、メ
ッキ処理が行われることにより、また定常運転時では、
メッキ槽ｃ内の化学反応で発生した水素ガス等の泡が半
導体ウェハーｗの被処理面に付着した状態のままで、メ
ッキ処理が行われることにより、半導体ウェハーｗの被
処理面における空気、水素ガス等の泡が付着した箇所の
メッキが薄くなったり、ひどい場合にはメッキがされな
いこともあり、不良品の製品が発生するという問題点が
あった。

【０００４】そこで、本発明は、不良品が発生すること
なく、精度の高いメッキ処理等を行うことができる半導
体の製造方法を提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをそ
の被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理
面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して
半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体の
製造方法において、定常運転時に、処理液の噴流を停止
し、半導体ウェハーの被処理面と処理液との接触を解く
ことにより、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素
ガス等の泡を除去するようにしたことを特徴とする方法
である。

【０００６】更に、後述する効果により、上方を開放し
た処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下に
して保持し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流
させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーに
メッキ、化成等の処理を施す半導体の製造方法におい
て、定常運転に入る前に、処理槽に処理液を送り込む循
環ポンプの作動及び停止を交互に繰り返すことにより、
半導体ウェハーの被処理面と処理液との接触を間欠的に
繰り返し、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガ
ス等の泡を除去するとともに半導体ウェハーの濡れ性を
良くする工程と；定常運転時に、間欠的に循環ポンプを
停止し、半導体ウェハーの被処理面と処理液との接触を
解くことにより、半導体ウェハーの被処理面に付着する
水素ガス等の泡を除去する工程とを設けたことを特徴と
する方法を用いるのが好ましい。

【０００７】加えて、上方を開放した処理槽の上方に半
導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体
ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極
間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処
理を施す半導体の製造方法において、処理槽に処理液を
送り込む循環ポンプを高速回転させて、処理槽と循環ポ
ンプ等を連結する配管内等の空気等の泡を除去する工程
と；定常運転に入る前に、循環ポンプの作動及び停止を
交互に繰り返すことにより、半導体ウェハーの被処理面
と処理液との接触を間欠的に繰り返し、半導体ウェハー
の被処理面に付着する水素ガス等の泡を除去するととも
に半導体ウェハーの濡れ性を良くする工程と；定常運転
時に、間欠的に循環ポンプを停止し、半導体ウェハーの
被処理面と処理液との接触を解くことにより、半導体ウ
ェハーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を除去する
工程とを設けたことを特徴とする方法を用いるのがより
効果的である。

【０００８】また、同様に上記目的を達成するために、
上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被
処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理面に
処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して半導
体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体の製造
方法において、定常運転の途中で、処理槽に処理液を送
り込む循環ポンプを、間欠的に高速回転させることによ
り、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガス等の
泡を除去するようにしたことを特徴とする方法であって
もよい。

【０００９】

【作用】以上の如く本発明に係る請求項１から請求項３
の半導体の製造方法によれば、まず最初に処理槽に処理
液を送り込む循環ポンプを高速回転させて、処理槽と循
環ポンプ等を連結する配管内等の空気等の泡を除去す
る。

【００１０】そして、定常運転に入る前に、循環ポンプ
の作動及び停止を交互に繰り返すことにより、半導体ウ
ェハーの被処理面と処理液との接触を間欠的に繰り返す
ことにより、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素
ガス等の泡を除去するとともに半導体ウェハーの濡れ性
を良くする。

【００１１】次に、上方を開放した処理槽の上方に半導
体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウ
ェハーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間
に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理
を施すのであるが、定常運転の途中で、循環ポンプを停
止し、半導体ウェハーの被処理面と処理液との接触を解
くことにより、半導体ウェハーの被処理面に付着する水
素ガス等の泡を除去しながら、メッキ処理を行うことが
できる。

【００１２】請求項４記載の半導体の製造方法によれ
ば、定常運転に入ってメッキ処理等を行っている途中に
おいて、処理槽に処理液を送り込む循環ポンプを、間欠
的に高速回転させることにより、処理液を半導体ウェハ
ーの被処理面に噴流させる量を増加させ、半導体ウェハ
ーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を除去すること
ができる。

【００１３】

【実施例】本発明の詳細を更に図示した実施例により説
明する。まず、半導体製造装置Ａについて説明し、更に
具体的にこの半導体製造装置Ａを用いて行う半導体の製
造方法について順に説明を行う。半導体製造装置Ａは、
図１及び図２に示すように、処理槽１、下部電極２、上
部電極３、該上部電極３が処理液Ｓに接触するのを防止
するための保護パッド４、外部容器５、循環ポンプ６で
構成されている。

【００１４】まず、処理槽１は、図２の如くポリプロピ
レン等の樹脂よりなる上方を開放した容器である。

【００１５】下部電極２は、図１及び図２の如く前記処
理槽１内に配設されている網状のものであり、陽極であ
る。

【００１６】そして、上部電極３は、図３及び図４に示
すように、処理液Ｓとの接触を防止するための保護パッ
ド４で、陰極ピン７先端部の周囲に外被するものであ
る。

【００１７】まず、陰極ピン７は、全体をコの字に折曲
し、一方が長くなるように設定しており、短い方の陰極
ピン７ａは、半導体ウェハーＷを支持するためのもので
あり、他方の長い電極は、電線と接続を行うためのもの
である。

【００１８】取付台８は、図３及び図４に示すように、
陰極ピン７を背面から挿入して、それぞれの先端部が表
面から突出するように、基板９に案内孔10を穿設し、こ
の短い陰極ピン７の先端部の周囲を外被する保護パッド
４を収納するための有底の保持孔11を設け、基板９の両
側に固定ボルト12を挿入するための通孔13を設けたもの
である。

【００１９】保護パッド４は、図３及び図４に示すよう
に、軸心方向に陰極ピン７を位置させるための貫通孔14
を穿設した筒体であり、筒体の上部、或いは特に図示し
ないが、筒体の下部、中央部、又は筒体全体を軸心方向
に伸縮自在な蛇腹構造４ａとし、全体をシリコンゴムで
一体成形したものである。

【００２０】また、保護パッド４としては、上述したも
のに限定されず、軸心方向に伸縮自在な部材であればよ
い。例えば図６に示した保護パッド４は、シリコンゴム
等の軟質部材を用い、軟質部材の有する伸縮力を利用し
て、軸心方向に伸縮自在にしたものである。

【００２１】そして、上部電極３は、陰極ピン７を背面
から取付台８の案内孔10内に挿入して、図４のように取
付台８表面から陰極ピン７の両先端部を立設した状態
で、処理槽１の開口端に取付台８を固定ボルト12，12で
取り付け、保護パッド４の貫通孔14内に一方の陰極ピン
７ａの先端部を挿入して取付台８の保持孔11内に保護パ
ッド４を設置することにより、この保護パッド４で一方
の陰極ピン７ａの先端部全体を外被したものである。

【００２２】また、図１及び図２で示す15は、半導体ウ
ェハーＷ端部に当接して、位置決めを行うための当止ピ
ンである。

【００２３】外部容器５は、図１に示すように処理槽１
からオーバーフローさせた処理液Ｓを受けるための容器
であり、上方を開放した容器であり、このように外部容
器５にオーバーフローした処理液Ｓを、循環ポンプ６を
用いて、処理槽１の下部入口部に送り込むような構造と
している。

【００２４】更に、図例の半導体製造装置Ａは、図７に
示すように、処理槽１内に配設された下部電極２と電気
接続する接続部材16を、処理槽底部１ａを貫通して外部
に取り出したものであり、接続部材16は、接続ボルト17
と挟持ボルト18で構成されており、具体的には処理槽１
底面に凹部19を設け、この凹部19内に頭部17ａが位置す
るように挟持ボルト18先端部を処理槽１から外部容器５
にかけて貫通し、接続ボルト17の螺軸17ｂにナット20を
螺合させて締結固定し、網状の下部電極２を介在させた
状態で挟持ボルト18を、接続ボルト17の頭部17ａに螺合
し、また接続ボルト17の螺軸17ａに螺合させたナット20
の間に接続端子21を介在させた状態で、ナット20を螺合
してなり、この接続端子21に電線を接続するのである。
また、挟持ボルト18及び固定ボルト12としては、耐蝕性
を考慮して、チタンに白金メッキを施したものが好まし
い。

【００２５】尚、上述した接続部材21では、作業性等を
考慮して接続ボルト17と挟持ボルト18を用いているが、
こうした構造に限定されるものでもなく、腐食性を有す
る電線等を用いることも可能である。

【００２６】そして、半導体製造装置Ａによれば、図１
に示すように、上部電極３における陰極ピン７に外被し
た保護パッド４・・上に、半導体ウェハーＷを載置する
と、半導体ウェハーの自重により又は図示しない重りを
付加することにより、保護パッド４を軸心方向に圧縮さ
せる方向に力が働き、即ち図５（ａ）に示した状態か
ら、図５（ｂ）に示した状態に、保護パッド４の蛇腹部
４ａが縮んで、半導体ウェハーＷの処理面と上部電極３
の陰極ピン７先端を接触させるのである。

【００２７】従って、保護パッド４により外部と接触す
ることなく、密閉状態に維持された状態で、上部電極３
の陰極ピン７・・で半導体ウェハーＷが支持することに
より、上方を開放した処理槽１の上方にその被処理面を
下にして半導体ウェハーＷが保持され、半導体ウェハー
Ｗの被処理面に処理液Ｓを噴流させながら上下電極３，
２間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッキ、化成等
の処理を施すのである。

【００２８】次に、この半導体製造装置Ａを用いてメッ
キ処理を行う半導体の製造方法について、図８に示した
タイムチャートに基づいて詳述する。

【００２９】まず、「開始時のポンプ動作」に示すよう
に、処理槽底部１ａの噴出孔22から処理液Ｓを送り込む
ための循環ポンプ６を作動させて回転数を上げることに
より、処理槽１内の処理液Ｓを上昇させて、半導体ウェ
ハーＷの被処理面に接触させ、ここで循環ポンプ６を更
に高速回転で運転することにより、処理液Ｓを急激に噴
流させて、配管内にある空気等の泡を排出することがで
きる。そして、作動させた循環ポンプ６を停止させるこ
とにより、図９（ａ）から図９（ｂ）に示すように、処
理液Ｓの液面を下げて、半導体ウェハーＷの被処理面と
処理液Ｓの接触を解き、半導体ウェハーＷの被処理面に
付着した空気等の泡Ａを除去することができ、このよう
に循環ポンプの回転及び停止を交互に数回繰り返すこと
により、半導体ウェハーＷの被処理面に付着した空気等
の泡Ａを除去することができるとともに、半導体ウェハ
ーＷの被処理面と処理液Ｓとの濡れ性を良くして、メッ
キ処理を行い易くする。

【００３０】更に、「処理中のポンプ／通電動作」に示
すように、その循環ポンプ６を作動させて処理液Ｓを上
昇させ、処理液Ｓを半導体ウェハーＷの被処理面に噴流
させ、メッキ電源を入れることにより連続メッキを行う
ことができる。一定時間メッキ処理を行った後、循環ポ
ンプ６を停止させることにより、図９（ａ）から図９
（ｂ）に示すように、処理液Ｓの液面を下降させ、半導
体ウェハーＷの被処理面と処理液Ｓの接触を解き、半導
体ウェハーＷの被処理面に付着した化学反応で発生した
水素ガス等の泡Ｈを除去することができ、再び循環ポン
プ６を作動させて処理液Ｓを上昇させて、処理液Ｓを半
導体ウェハーＷの被処理面に噴流させ、メッキ電源を入
れることにより連続メッキを行うことができる。このよ
うに、メッキ処理の定常運転において、間欠的に循環ポ
ンプ６を停止させる動作を繰り返すことにより、半導体
ウェハーＷの被処理面に付着した処理槽１内の化学反応
で発生した水素ガス等の泡Ｈを除去することができる。

【００３１】上述した一連の動作を、コンピューターを
用いてフィードバック制御にて自動で行うことにより、
均一なメッキ層を形成し、精度の高いメッキ処理を行う
ことができる。

【００３２】尚、上述した例では、循環ポンプ６を停止
させることにより、処理液Ｓを下降させて、半導体ウェ
ハーＷの被処理面と処理液Ｓとの接触を解いているが、
処理槽底部１ａに貫通して設けた噴出孔22を、遮蔽板等
で閉じることにより、処理液Ｓを下降させるようにした
ものであってもよい。

【００３３】このように半導体の製造方法を用いれば、
メッキ処理を行う前に、循環ポンプ６を高速回転させ
て、処理液Ｓを噴流させることにより、配管内にある空
気等の泡Ａを排出することができ、また、その後循環ポ
ンプの回転及び停止を交互に数回繰り返すことにより、
半導体ウェハーＷの被処理面に付着した空気等の泡Ａを
除去することができるとともに、半導体ウェハーＷの被
処理面と処理液Ｓとの濡れ性を良くして、メッキ処理を
行い易くすることができる。

【００３４】また、メッキ処理の定常運転に入った後
は、循環ポンプ６を一定間隔ごとに停止させることによ
り、処理液Ｓの液面を下降させ、半導体ウェハーＷの被
処理面と処理液Ｓとの接触を解き、半導体ウェハーＷの
被処理面に付着した水素ガス等の泡Ｈを除去することに
より、均一なメッキ処理を行うことができる。従って、
従来のように、配管内にある空気等の泡Ａや処理槽１内
の化学反応で発生した水素ガス等の泡Ｈに付着が原因と
なって発生するメッキの不良を解消することができ、精
度の高いメッキ処理を行うことができる。

【００３５】最後に、この半導体製造装置Ａを用いてメ
ッキ処理を行う他の半導体の製造方法について、図10に
示したタイムチャートに基づいて詳述する。

【００３６】基本的には、定常運転に入るまでの動さは
上述した半導体の製造方法と同じであるが、定常運転に
入ってメッキ処理を行っている途中において、処理槽１
に処理液Ｓを送り込む循環ポンプ６を、間欠的に高速回
転させることにより、処理液Ｓを半導体ウェハーＷの被
処理面に噴流させる量を増加させ、半導体ウェハーの被
処理面に付着する水素ガス等の泡Ｈを除去することがで
きる。

【００３７】このように半導体の製造方法を用いれば、
循環ポンプ６を間欠的に高速回転させることにより、処
理液Ｓを半導体ウェハーＷの被処理面に噴流させる量を
増加させ、半導体ウェハーＷの被処理面に付着する水素
ガス等の泡Ｈを除去することができるので、均一なメッ
キ処理を行うことができる。しかも、かかる方法によれ
ば、メッキ処理を連続運転しながら、その途中におい
て、循環ポンプ６を高速回転させることにより行うこと
ができるので、循環ポンプ６を停止して、メッキ処理を
中断する必要がなく、半導体ウェハーの被処理面に付着
する水素ガス等の泡Ｈを効率良く除去することができ
る。

【００３８】尚、図８に示した半導体の製造方法又は図
10に示した半導体の製造方法の選択は、処理液Ｓ、半導
体ウェハーＷの種類等により、適宜好ましい方法を用い
ることができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。請求項１記載の半導
体の製造方法によれば、メッキ処理等の定常運転に入っ
た後に、循環ポンプを停止させることにより、或いは処
理液の噴流を遮蔽板等で遮断することにより、処理液の
液面を下降させ、半導体ウェハーの被処理面と処理液の
接触を解き、半導体ウェハーの被処理面に付着した水素
ガス等の泡を除去することにより、均一なメッキ処理を
行うことができる。従って、従来のように、処理槽内の
化学反応で発生した水素ガス等の泡に付着が原因となっ
て発生するメッキ等の不良を解消することができ、精度
の高いメッキ処理等を行うことができる。

【００４０】請求項２記載の半導体の製造方法によれ
ば、メッキ処理等を行う前に、循環ポンプの回転及び停
止を交互に数回繰り返すことにより、半導体ウェハーの
被処理面に付着した空気等の泡を除去することができる
とともに、半導体ウェハーの被処理面と処理液との濡れ
性を良くして、メッキ処理を行い易くすることができ
る。従って、従来のように、配管内に溜まった空気等の
泡が原因となって発生するメッキの不良を解消すること
ができ、精度の高いメッキ処理を行うことができる。

【００４１】請求項３記載の半導体の製造方法によれ
ば、メッキ処理等を行う前に、循環ポンプを高速回転さ
せて、処理液を噴流させることにより、配管内にある空
気等の泡を排出して除去することができる。

【００４２】請求項４記載の半導体の製造方法によれ
ば、循環ポンプを間欠的に高速回転させることにより、
処理液を半導体ウェハーの被処理面に噴流させる量を増
加させ、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガス
等の泡を除去することができるので、均一なメッキ処理
を行うことができる。しかも、かかる方法によれば、メ
ッキ処理等を連続運転しながら、その途中において、循
環ポンプを高速回転させることにより行うことができる
ので、循環ポンプを停止して、メッキ処理等を中断する
必要がなく、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素
ガス等の泡を効率良く除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体製造装置全体を示す原理図

【図２】半導体製造装置の平面図

【図３】上部電極の拡大断面図

【図４】上部電極の分解斜視図

【図５】保護パッドの動きを示す説明断面図

【図６】他の例の保護パッドの動きを示す説明断面図

【図７】下部電極の要部を示す拡大断面図

【図８】半導体の製造方法におけるポンプ等の動きを示
すタイムチャート図

【図９】半導体の製造方法の原理を示す説明図

【図10】他の半導体の製造方法におけるポンプ等の動き
を示すタイムチャート図

【図11】従来の半導体製造装置における一部断面状態の
正面図

【符号の説明】

Ａ 半導体製造装置 Ｓ 処理液 Ｗ 半導体ウェハー １ 処理槽 ２
下部電極 ３ 上部電極 ４
保護パッド ５ 外部容器 ６
循環ポンプ ７ 陰極ピン ８
取付台 ９ 基板 10
案内孔 11 保持孔 12
固定ボルト 13 通孔 14
貫通孔 15 当止ピン 16
接続部材 17 接続ボルト 18
挟持ボルト 19 凹部 20
ナット 21 接続端子 22
噴出孔

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上方を開放した処理槽の上方に半導体ウ
   ェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハ
   ーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電
   流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施
   す半導体の製造方法において、 定常運転時に、処理液の噴流を停止し、半導体ウェハー
   の被処理面と処理液との接触を解くことにより、半導体
   ウェハーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を除去す
   るようにしたことを特徴とする半導体の製造方法。
2. 【請求項２】 上方を開放した処理槽の上方に半導体ウ
   ェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハ
   ーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電
   流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施
   す半導体の製造方法において、 定常運転に入る前に、処理槽に処理液を送り込む循環ポ
   ンプの作動及び停止を交互に繰り返すことにより、半導
   体ウェハーの被処理面と処理液との接触を間欠的に繰り
   返し、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガス等
   の泡を除去するとともに半導体ウェハーの濡れ性を良く
   する工程と、 定常運転時に、間欠的に循環ポンプを停止し、半導体ウ
   ェハーの被処理面と処理液との接触を解くことにより、
   半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を
   除去する工程と、 を設けたことを特徴とする半導体の製造方法。
3. 【請求項３】 上方を開放した処理槽の上方に半導体ウ
   ェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハ
   ーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電
   流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施
   す半導体の製造方法において、 処理槽に処理液を送り込む循環ポンプを高速回転させ
   て、処理槽と循環ポンプ等を連結する配管内等の空気等
   の泡を除去する工程と、 定常運転に入る前に、循環ポンプの作動及び停止を交互
   に繰り返すことにより、半導体ウェハーの被処理面と処
   理液との接触を間欠的に繰り返し、半導体ウェハーの被
   処理面に付着する水素ガス等の泡を除去するとともに半
   導体ウェハーの濡れ性を良くする工程と、 定常運転時に、間欠的に循環ポンプを停止し、半導体ウ
   ェハーの被処理面と処理液との接触を解くことにより、
   半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を
   除去する工程と、 を設けたことを特徴とする半導体の製造方法。
4. 【請求項４】 上方を開放した処理槽の上方に半導体ウ
   ェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハ
   ーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電
   流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施
   す半導体の製造方法において、 定常運転の途中で、処理槽に処理液を送り込む循環ポン
   プを、間欠的に高速運転させることにより、半導体ウェ
   ハーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を除去するよ
   うにしたことを特徴とする半導体の製造方法。