JPH04280993A - メッキ方法 - Google Patents
メッキ方法Info
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- JPH04280993A JPH04280993A JP6941891A JP6941891A JPH04280993A JP H04280993 A JPH04280993 A JP H04280993A JP 6941891 A JP6941891 A JP 6941891A JP 6941891 A JP6941891 A JP 6941891A JP H04280993 A JPH04280993 A JP H04280993A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、半導体用の
ウエーハやICリードフレームのようなものに好適なメ
ッキ方法に関する。
ウエーハやICリードフレームのようなものに好適なメ
ッキ方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、ウエーハについてのメッキ方法
を例にとると、メッキ槽の下方から供給されメッキ槽の
上部開口からオーバーフローするようにして循環するメ
ッキ液にメッキ対象物を接触させてメッキする方法が知
られている(例えば、実開平2‐38472号公報、実
開平2‐122067号公報)。このような上昇流式あ
るいは上噴射式のメッキ方法は、ウエーハあるいはIC
リードフレームのような平板状のメッキ対象物に効率よ
くメッキできると言う点で優れているものの、メッキ対
象物のメッキ面が下方を向いているため、その表面に気
泡、特に化学反応で発生した水素ガスによる微小な気泡
が付着・滞留し易く、この気泡によるメッキ阻害という
問題を抱えている。
を例にとると、メッキ槽の下方から供給されメッキ槽の
上部開口からオーバーフローするようにして循環するメ
ッキ液にメッキ対象物を接触させてメッキする方法が知
られている(例えば、実開平2‐38472号公報、実
開平2‐122067号公報)。このような上昇流式あ
るいは上噴射式のメッキ方法は、ウエーハあるいはIC
リードフレームのような平板状のメッキ対象物に効率よ
くメッキできると言う点で優れているものの、メッキ対
象物のメッキ面が下方を向いているため、その表面に気
泡、特に化学反応で発生した水素ガスによる微小な気泡
が付着・滞留し易く、この気泡によるメッキ阻害という
問題を抱えている。
【0003】これに対処するために、従来では、途中で
一旦メッキ液の液面を下げてメッキ対象物のメッキ面を
空気に曝すことにより気泡を除去したり、あるいは複雑
なノズル構成により気泡の付着・滞留を防止するように
していた。しかし、途中で一旦メッキ液の液面を下げる
方法は作業効率の低下を避けられず、また複雑なノズル
構成を用いるとメッキ装置のコストアップやメンテナン
スの点でマイナスが大きい。
一旦メッキ液の液面を下げてメッキ対象物のメッキ面を
空気に曝すことにより気泡を除去したり、あるいは複雑
なノズル構成により気泡の付着・滞留を防止するように
していた。しかし、途中で一旦メッキ液の液面を下げる
方法は作業効率の低下を避けられず、また複雑なノズル
構成を用いるとメッキ装置のコストアップやメンテナン
スの点でマイナスが大きい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】したがって、この発明
は、メッキ対象物に付着した気泡を特別な構造を付加す
ることなく簡単に且つ効率よく除去でき、より安定した
メッキ処理を行えるメッキ方法の提供を目的としている
。
は、メッキ対象物に付着した気泡を特別な構造を付加す
ることなく簡単に且つ効率よく除去でき、より安定した
メッキ処理を行えるメッキ方法の提供を目的としている
。
【0005】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、この発明によるメッキ方法は、間欠的にメッ
キ液を高速で流すと共に、この高流速時に対応させて電
流を停止させるようにしている。
るために、この発明によるメッキ方法は、間欠的にメッ
キ液を高速で流すと共に、この高流速時に対応させて電
流を停止させるようにしている。
【0006】
【作 用】この方法は、間欠的に流す高流速のメッキ
液により定期的に気泡を除去するようにしている。ただ
、流れが高速だと、メッキ液が一定の流れ方向を持って
いる関係から、メッキ形状に歪みをを生じ易いので、こ
の高流速の際には電流を停止させてメッキの析出を停止
させるものである。
液により定期的に気泡を除去するようにしている。ただ
、流れが高速だと、メッキ液が一定の流れ方向を持って
いる関係から、メッキ形状に歪みをを生じ易いので、こ
の高流速の際には電流を停止させてメッキの析出を停止
させるものである。
【0007】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。この実
施例は、ウエーハ用メッキ装置1を用いた例に関するも
ので、先ずウエーハ用メッキ装置1について簡単に説明
する。ウエーハ用メッキ装置1は、ロート状に絞られた
下方の供給部2sから供給されたメッキ液Lを上方の開
口部2pからオーバーフローさせるようにしたカップ状
のメッキ槽2を備えており、このメッキ槽2の開口部2
pに載置したウエーハUにメッキ液Lを接触させてメッ
キするようになっている。
施例は、ウエーハ用メッキ装置1を用いた例に関するも
ので、先ずウエーハ用メッキ装置1について簡単に説明
する。ウエーハ用メッキ装置1は、ロート状に絞られた
下方の供給部2sから供給されたメッキ液Lを上方の開
口部2pからオーバーフローさせるようにしたカップ状
のメッキ槽2を備えており、このメッキ槽2の開口部2
pに載置したウエーハUにメッキ液Lを接触させてメッ
キするようになっている。
【0008】メッキ槽2の開口部2pには、載置受け部
3が庇状に内側に出っ張らせて形成されており、また、
この載置受け部3には弾性部材4が設けられている。そ
して、ウエーハUは、この弾性部材4に押接状態で載置
され、図2に示すような状態でその全周を所定の幅でメ
ッキ液Lに対しシールされる状態にされている。
3が庇状に内側に出っ張らせて形成されており、また、
この載置受け部3には弾性部材4が設けられている。そ
して、ウエーハUは、この弾性部材4に押接状態で載置
され、図2に示すような状態でその全周を所定の幅でメ
ッキ液Lに対しシールされる状態にされている。
【0009】また、ウエーハUと弾性部材4との間にカ
ソード電極5の先端が挟持されている。このカソード電
極5の先端は、細線の束を解いて平たくして形成されて
おり、弾性部材4の弾性により弾性部材4にめり込む状
態となり、メッキ液Lに対し完全にシールされ、しかも
カソード電極5のウエーハUへの接触が確実に且つ安定
的になされる状態となっている。尚、6はアノード電極
で、そこに形成された通孔6hを通ってメッキ液Lが上
昇するようになっている。
ソード電極5の先端が挟持されている。このカソード電
極5の先端は、細線の束を解いて平たくして形成されて
おり、弾性部材4の弾性により弾性部材4にめり込む状
態となり、メッキ液Lに対し完全にシールされ、しかも
カソード電極5のウエーハUへの接触が確実に且つ安定
的になされる状態となっている。尚、6はアノード電極
で、そこに形成された通孔6hを通ってメッキ液Lが上
昇するようになっている。
【0010】次いで、このようなウエーハ用メッキ装置
1を用いたウエーハUのメッキ方法について説明する。 先ず、メッキ開始時に最初の15秒間を高流速、この例
では標準流速の7.5 倍に当たる15リットル/分程
度の流量が得られる流速でメッキ液Lを供給して開始時
の取り込み気泡の除去を行う。この際には電流を停止さ
せておく。その後は、2リットル/分程度の流量が得ら
れる標準流速でメッキ処理を約10分間行い、続いて電
流を停止させると共に、15リットル/分程度の流量が
得られる高流速でメッキ液Lを流して気泡除去を約5秒
間行う、という組合せを繰り返す。つまり、標準流速に
よるメッキ処理の間に一定の間隔をおいて間欠的に高流
速による気泡除去タイムを挿入しているもので、このよ
うな組合せにより、気泡の影響を受けることのない安定
したメッキ処理を行えるようになる。
1を用いたウエーハUのメッキ方法について説明する。 先ず、メッキ開始時に最初の15秒間を高流速、この例
では標準流速の7.5 倍に当たる15リットル/分程
度の流量が得られる流速でメッキ液Lを供給して開始時
の取り込み気泡の除去を行う。この際には電流を停止さ
せておく。その後は、2リットル/分程度の流量が得ら
れる標準流速でメッキ処理を約10分間行い、続いて電
流を停止させると共に、15リットル/分程度の流量が
得られる高流速でメッキ液Lを流して気泡除去を約5秒
間行う、という組合せを繰り返す。つまり、標準流速に
よるメッキ処理の間に一定の間隔をおいて間欠的に高流
速による気泡除去タイムを挿入しているもので、このよ
うな組合せにより、気泡の影響を受けることのない安定
したメッキ処理を行えるようになる。
【0011】高流速時に電流を停止させるのは、流れが
高速だと、メッキ液Lが一定の流れ方向を持っている関
係から、ウエーハUのバンプメッキのようにメッキによ
りバンプを形成する場合には、このバンプBの形状に図
3に示すような歪みを生じてしまうので、これを避ける
ために高流速の間については電流を停止させてメッキの
析出を止めているものである。
高速だと、メッキ液Lが一定の流れ方向を持っている関
係から、ウエーハUのバンプメッキのようにメッキによ
りバンプを形成する場合には、このバンプBの形状に図
3に示すような歪みを生じてしまうので、これを避ける
ために高流速の間については電流を停止させてメッキの
析出を止めているものである。
【0012】尚、高流速による気泡除去を挿む間隔及び
高流速を流す時間の比率は種々の条件により定まるもの
で、当然に前記実施例のものに限られるものでない。
高流速を流す時間の比率は種々の条件により定まるもの
で、当然に前記実施例のものに限られるものでない。
【0013】
【発明の効果】この発明によるメッキ方法は、以上説明
してきたように、間欠的に電流を停止させた状態でメッ
キ液を高速で流すことにより、メッキ対象物に付着した
気泡を除去するようにしているので、特別な構造を付加
することなく簡単に且つ効率よく気泡を除去でき、より
安定したメッキ処理を行える。
してきたように、間欠的に電流を停止させた状態でメッ
キ液を高速で流すことにより、メッキ対象物に付着した
気泡を除去するようにしているので、特別な構造を付加
することなく簡単に且つ効率よく気泡を除去でき、より
安定したメッキ処理を行える。
【0014】
【図1】この発明によるメッキ方法を実施するためのウ
エーハ用メッキ装置の要部側面図である。
エーハ用メッキ装置の要部側面図である。
【図2】弾性部材によるウエーハのシール状態を示す平
面図である。
面図である。
【図3】メッキ液の流れによりバンプに生じた歪みの例
示図である。
示図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 メッキ槽の上部に載置したメッキ対象
物にメッキ液の上昇流を接触させてメッキするメッキ方
法において、間欠的にメッキ液を高速で流すと共に、こ
の高流速時に対応させて電流を停止させるようにしたこ
とを特徴とするメッキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3069418A JP2697773B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3069418A JP2697773B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | メッキ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04280993A true JPH04280993A (ja) | 1992-10-06 |
JP2697773B2 JP2697773B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=13402048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3069418A Expired - Lifetime JP2697773B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | メッキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2697773B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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