JPH0661210A - 基板の洗浄方法 - Google Patents
基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0661210A JPH0661210A JP21310292A JP21310292A JPH0661210A JP H0661210 A JPH0661210 A JP H0661210A JP 21310292 A JP21310292 A JP 21310292A JP 21310292 A JP21310292 A JP 21310292A JP H0661210 A JPH0661210 A JP H0661210A
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- JP
- Japan
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- particles
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- descending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の洗浄方法に関し，薬液または水洗処理
中に，基板上への微粒子の付着の抑制を目的とする。 【構成】 洗浄用液体を下側より供給し上縁より溢流す
る処理槽に, 支持物に保持された被洗浄基板を降下させ
て該処理槽中に浸漬する際に，降下速度を小さくした期
間を有するシーケンスで浸漬するように構成する。
中に，基板上への微粒子の付着の抑制を目的とする。 【構成】 洗浄用液体を下側より供給し上縁より溢流す
る処理槽に, 支持物に保持された被洗浄基板を降下させ
て該処理槽中に浸漬する際に，降下速度を小さくした期
間を有するシーケンスで浸漬するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の洗浄方法に関し，
特に，支持物（洗浄ホルダ）に保持されたシリコン(Si)
ウエハを, 上縁より溢流（オーバフロー）する処理槽に
浸漬して洗浄する方法に関する。
特に，支持物（洗浄ホルダ）に保持されたシリコン(Si)
ウエハを, 上縁より溢流（オーバフロー）する処理槽に
浸漬して洗浄する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】洗浄装置はウエハ上に付着しないように
微粒子を除去するのが目的であり，そのために硫酸系や
アンモニア系等各種の薬液が使われている。そして，各
薬液処理後には純水による洗浄が通常行われている。
微粒子を除去するのが目的であり，そのために硫酸系や
アンモニア系等各種の薬液が使われている。そして，各
薬液処理後には純水による洗浄が通常行われている。
【０００３】従来は，シリコンウエハを支持物と同時
に，連続的に等速度で薬液または純水の入った処理槽に
浸漬していた。
に，連続的に等速度で薬液または純水の入った処理槽に
浸漬していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例では，シリコン
ウエハを支持物とともに連続的に等速で降下させるた
め，最初に液体に触れる場所にある微粒子がウエハの浸
漬に伴う液の流れに乗ってウエハ上に付着するという問
題があった。
ウエハを支持物とともに連続的に等速で降下させるた
め，最初に液体に触れる場所にある微粒子がウエハの浸
漬に伴う液の流れに乗ってウエハ上に付着するという問
題があった。
【０００５】本発明は薬液または水洗処理中に，基板上
への微粒子の付着の抑制を目的とする。
への微粒子の付着の抑制を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，洗浄
用液体を下側より供給し上縁より溢流する処理槽に,支
持物に保持された被洗浄基板を降下させて該処理槽中に
浸漬する際に，降下速度を小さくした期間を有するシー
ケンスで浸漬する基板の洗浄方法により達成される。
用液体を下側より供給し上縁より溢流する処理槽に,支
持物に保持された被洗浄基板を降下させて該処理槽中に
浸漬する際に，降下速度を小さくした期間を有するシー
ケンスで浸漬する基板の洗浄方法により達成される。
【０００７】
【作用】本発明は処理槽に降下中の基板が，基板と支持
物との接触点等の微粒子発生の多い部分に来たときに降
下速度を緩やかにして，処理槽外に溢流する液流を使っ
て基板のない側に微粒子を運び去り，その後再び降下を
開始する動作を適宜必要に応じて行い，最後に基板全体
を処理液中に浸漬して洗浄を行うようにしたものであ
る。
物との接触点等の微粒子発生の多い部分に来たときに降
下速度を緩やかにして，処理槽外に溢流する液流を使っ
て基板のない側に微粒子を運び去り，その後再び降下を
開始する動作を適宜必要に応じて行い，最後に基板全体
を処理液中に浸漬して洗浄を行うようにしたものであ
る。
【０００８】従って，本発明では基板が処理液中に降下
する際に，基板あるいは支持物が原因で発生する微粒子
を基板上に付着させることなしに除去できる。
する際に，基板あるいは支持物が原因で発生する微粒子
を基板上に付着させることなしに除去できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の実施例の説明図である。図に
おいて，１は水洗処理槽，２は純水供給口，３は溢流す
る箇所（処理槽の上縁），４は基板でシリコンウエハ，
５は石英または炭化シリコン(SiC) で作製された支持物
である。
おいて，１は水洗処理槽，２は純水供給口，３は溢流す
る箇所（処理槽の上縁），４は基板でシリコンウエハ，
５は石英または炭化シリコン(SiC) で作製された支持物
である。
【００１０】通常, 支持物５の降下速度は50 mm/s 程度
であるが, 基板と支持物との接触点等の微粒子の多い部
分であるA-A 及びB-B の所で10 mm/s 程度に減速する
か, または一時停止し，微粒子を除去するに十分な時間
だけ減速または停止を続け, 最終的には全体を処理槽の
底面上に定置させて所定時間の洗浄処理を行う。
であるが, 基板と支持物との接触点等の微粒子の多い部
分であるA-A 及びB-B の所で10 mm/s 程度に減速する
か, または一時停止し，微粒子を除去するに十分な時間
だけ減速または停止を続け, 最終的には全体を処理槽の
底面上に定置させて所定時間の洗浄処理を行う。
【００１１】実施例では水洗処理について説明したが,
薬液処理の場合でも本発明は適用可能である。次に, 実
施例の効果を従来例と対比して以下に示す。
薬液処理の場合でも本発明は適用可能である。次に, 実
施例の効果を従来例と対比して以下に示す。
【００１２】 微粒子の粒度 従来例 実施例 Ｓ(0.2〜0.5 μｍ) 818 119 Ｍ(0.5〜1.0 μｍ) 343 12 Ｌ(1.0μｍ以上) 175 8 計 1336. 133 なお，ダストカウンタはトプコン社製WM1000を用いた。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば, 薬液または水洗処理中
に，基板上への微粒子付着が抑制され，半導体装置の製
造歩留と信頼性の向上に寄与することができた。
に，基板上への微粒子付着が抑制され，半導体装置の製
造歩留と信頼性の向上に寄与することができた。
【図１】 本発明の実施例の説明図
１ 処理槽 ２ 純水または薬液供給口 ３ 溢流する箇所（処理槽の上縁） ４ 基板でシリコンウエハ ５ 支持物（基板ホルダ）
Claims (1)
- 【請求項１】 洗浄用液体を下側より供給し上縁より溢
流する処理槽に, 支持物に保持された被洗浄基板を降下
させて該処理槽中に浸漬する際に，降下速度を小さくし
た期間を有するシーケンスで浸漬することを特徴とする
基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21310292A JPH0661210A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21310292A JPH0661210A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661210A true JPH0661210A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16633609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21310292A Withdrawn JPH0661210A (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661210A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016203681A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
-
1992
- 1992-08-11 JP JP21310292A patent/JPH0661210A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016203681A1 (ja) * | 2015-06-18 | 2016-12-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
| JP2017011005A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |