DE19934298A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten - Google Patents

Abstract

Um vor und/oder während einer Behandlung eines Substrats unterhalb eines Substrats eingeschlossene Gasblasen auszuspülen, ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einem eine Behälterwand aufweisenden Prozeßbehälter und einem über dem Prozeßbehälter bewegbar angeordneten Substrathalter, vorgesehen, bei dem ein zum Substrat weisender Rand der Behälterwand einen sich nach außen erweiternden Innenumfang aufweist. Über diesen Rand wird Behandlungsfluid zu einem Außenbereich des Substrats hin gerichtet. Bei einer Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem mit Behandlungsfluid befüllbaren Behälter, einem den Behälter umgebenden Überlauf und einem Substrathalter zum Positionieren eines Substrats oberhalb des Behälters ist durch eine Steuereinrichtung zum Steuern eines Behandlungsfluid-Niveaus im Überlauf in Abhängigkeit vom Abstand des Substrathalters vom Behälter eine gleichmäßigere Behandlung der Substrate möglich.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrich­ tung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, ins­ besondere Halbleiterwafern, mit einem eine Behälterwand aufweisenden Prozeßbehälter und einem über dem Prozeßbe­ hälter bewegbar angeordneten Substrathalter.

Vorrichtungen dieser Art sind in der Halbleiterindustrie für unterschiedlichste Behandlungsvorgänge bekannt. Bei diesen Vorrichtungen wird in der Regel ein Behandlungs­ fluid auf ein am Substrathalter angeordnetes Substrat ge­ leitet. Dabei erfolgt eine Anströmung des Substrats im wesentlichen senkrecht zu einer Substratoberfläche. In einigen Fällen, insbesondere dort, wo ein Ablauf für das Behandlungsfluid tiefer liegt als die angeströmte Sub­ stratoberfläche, werden unterhalb des Substrats Gasblasen eingeschlossen, welche eine gute, gleichmäßige Behandlung des Substrats beeinträchtigen. Die gleichmäßige Behand­ lung kann ferner durch einen Strömungsabriss an einer über dem Prozeßbehälter beabstandeten Substratoberfläche gestört werden.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine gute und gleichmäßige Behandlung von Substraten zu gewährleisten. Eine spezielle Aufgabe liegt darin, vor und/oder während einer Behandlung eines Substrats unter­ halb eines Substrats eingeschlossene Gasblasen auszuspü­ len.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung der oben genannten Art gelöst, bei der ein sich nach au­ ßen erweiternder Innenumfang eines zum Substrat weisenden Rands der Behälterwand vorgesehen ist. Durch den sich nach außen erweiternden Innenumfang des zum Substrat wei­ senden Rands der Behälterwand wird gezielt eine Strömung des Behandlungsfluids auf Randbereiche eines sich darüber befindlichen Substrats gerichtet, um dort Bereiche rela­ tiver Strömungsruhe zu vermeiden. Somit wird ein gutes Ausspülen von Gasblasen und eine gute, gleichmäßige Be­ handlung auch in einem Bereich außerhalb der Innenabmes­ sungen der Behälterwand gewährleistet.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung ist das Substrat mit dem Substrathalter in unter­ schiedlichen Abständen oberhalb des Randes der Behälter­ wand positionierbar, so daß ein zwischen dem Substrat und dem Behälter bzw. dem Substrathalter und dem Behälter ge­ bildeter Strömungskanal veränderbar ist. Durch diese Ver­ änderung des Strömungskanals kann die Strömungsgeschwin­ digkeit auf einfache Weise verändert und für ein Ausspü­ len von Gasblasen erhöht werden. Vorteilhafterweise ist der Rand der Behälterwand in einer Position des Substrats auf einen Kontaktbereich zwischen dem Substrathalter und dem Substrat gerichtet, um zu vermeiden, daß in diesem Bereich eine relative Strömungsruhe auftritt. Dabei ist der Abstand zwischen dem Substrat und dem Rand der Behäl­ terwand in dieser Position der kleinstmögliche Abstand, d. h. das Substrat kann nicht tiefer abgesenkt werden, um besonders hohe Strömungsgeschwindigkeiten und ein gutes Ausspülen von Gasblasen zu erreichen.

Vorteilhafterweise verjüngt sich die Dicke der Behälter­ wand zum Rand hin, um eine möglichst große Überlappung einer Öffnung des Prozeßbehälters mit dem darüber befind­ lichen Substrat zu ermöglichen, während gleichzeitig ein ausreichender Strömungskanal zwischen einem den Rand um­ gebenden Teil des Substrathalters und dem Rand gebildet wird. Dabei wird die Verjüngung vorteilhafterweise durch eine Konturierung des Außenumfangs der Behälterwand ge­ bildet, um zwischen dem Teil des Substrathalters und der Behälterwand einen ausreichenden Strömungskanal zu bil­ den. Vorteilhafterweise ist die Konturierung des Außenum­ fangs der Behälterwand an eine Innenumfangsform eines Trägerrings des Substrathalters angepaßt, um zu verhin­ dern, daß sich der dazwischen gebildete Strömungskanal zu sprunghaft verändert und die Strömung abreißt.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung, weist die Vorrichtung eine innerhalb des Prozeß­ behälters angeordnete Anodenanordnung auf, um zur Förde­ rung des Behandlungsvorgangs eine Spannung zwischen dem Substrat und der Anodenanordnung anzulegen. Dabei wird die Anodenanordnung vorteilhafterweise durch eine Loch­ platte oder ein Streckgitter gebildet.

Zum Erzeugen einer Spannung zwischen dem Substrat und der Anodenanordnung ist vorteilhafterweise eine Kontaktanord­ nung am Substrathalter vorgesehen, die gemäß einer beson­ ders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung eine zum Prozeßbehälter weisende Oberfläche des Substrats elek­ trisch kontaktiert.

Für eine Homogenisierung der Strömung des Behandlungs­ fluids innerhalb des Prozeßbehälters weist dieser einen sich zum Substrat hin erweiternden trichterförmigen Boden auf, der gemäß einer Ausführungsform durch einen Einsatz gebildet wird. Alternativ könnte der trichterförmige Bo­ den einteilig mit einer senkrechten Behälterwand ausge­ bildet sein. Gemäß einer besonders bevorzugten Ausfüh­ rungsform der Erfindung bildet der trichterförmige Boden einen Teil der Behälterwand.

Für eine weitere Homogenisierung der Strömung des Behand­ lungsfluids innerhalb des Prozeßbehälters ist zwischen einem Boden des Prozeßbehälters und dem zum Substrat wei­ senden Rand der Behälterwand des Prozeßbehälters wenig­ stens eine Lochplatte vorgesehen.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein den Prozeßbehälter umgebender Überlaufkragen vorgesehen, der vorteilhafterweise einen nach oben geöffneten Raum zwischen der Behälterwand des Prozeßbehälters und den Überlaufkragen bildet. Durch den Überlaufkragen kann auf besonders einfache Weise ein Behandlungsfluid außerhalb des Prozeßbehälters angestaut werden. Dabei ist der Über­ laufkragen vorzugsweise höher als der zum Substrat wei­ sende Rand der Behälterwand, so daß das Behandlungsfluid auf ein Niveau angestaut werden kann, welches auf oder über der Höhe des zum Substrat weisenden Rands der Behäl­ terwand liegt. Vorzugsweise ist im Überlaufkragen ein Ab­ laß vorgesehen, um das darin angestaute Behandlungsfluid abzulassen.

Zum Auffangen des verwendeten Behandlungsfluids ist gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ein den Prozeßbehälter umgebender weiterer Prozeßbehälter vorge­ sehen. Der weitere Prozeßbehälter ermöglicht das Auffan­ gen sowie ggf. ein Recycling des verwendeten Behandlungs­ fluids.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung wird die Vorrichtung als Metallplattierungsvor­ richtung verwendet.

Die zuvor gestellte Aufgabe wird auch durch ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwa­ fern, gelöst, bei dem ein Substrat mittels eines Sub­ strathalters in eine erste Position benachbart zu einem eine Behälterwand aufweisenden Prozeßbehälter bewegt wird, und ein Behandlungsfluid durch den Prozeßbehälter auf eine zum Prozeßbehälter weisende Oberfläche des Sub­ strats geleitet wird, wobei das Behandlungsfluid über ei­ ne sich nach außen erweiternde Innenumfangsfläche eines zum Substrat weisenden Rands der Behälterwand des Prozeß­ behälters zu einem Außenbereich des Substrats hin gerich­ tet ist. Hierdurch, wird wie schon zuvor ausgeführt, ver­ hindert, daß in Randbereichen des Substrats eine relative Strömungsruhe auftritt, um ein gutes Ausspülen von Gas­ blasen sicherzustellen.

Vorteilhafterweise wird das Substrat gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung in eine vom Rand der Behäl­ terwand des Prozeßbehälters weiter beabstandete zweite Position angehoben. Dieses Anheben des Substrats führt zu einer Vergrößerung des zwischen dem Substrat und dem Sub­ stratträger einerseits und dem Prozeßbehälter anderer­ seits gebildeten Strömungskanal, um nach dem Ausspülen von Gasblasen für eine weitere Behandlung des Substrats eine geringe Strömungsgeschwindigkeit und eine gleichmä­ ßigere Strömung zwischen Innen- und Außenbereichen des Substrats vorzusehen.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung wird eine Spannung zwischen einer in dem Prozeß­ behälter befindlichen Anodenanordnung und dem Substrat angelegt, um die Behandlung des Substrats zu fördern. Da­ bei wird vorteilhafterweise die zum Prozeßbehälter wei­ sende Oberfläche des Substrats elektrisch kontaktiert. Für eine gute Prozeßsteuerung wird die angelegte Spannung abhängig von der Position des Substrats verändert. Dabei ist die angelegte Spannung in der zweiten Position des Substrats vorteilhafterweise höher als in der ersten Po­ sition. Dies hat den Vorteil, daß zum Beispiel eine Ab­ scheidung eines Materials auf dem Substrat in der ersten Position, in der die Strömungsgeschwindigkeit höher ist als in der zweiten Position, unterbunden wird.

Vorteilhafterweise wird die auf das Substrat geleitete Strömung innerhalb des Prozeßbehälters homogenisiert, um für eine gute und gleichmäßige Behandlung des Substrats eine homogene Strömung vorzusehen. Dabei wird die Homoge­ nisierung vorteilhafterweise über einen trichterförmigen Boden des Prozeßbehälters und/oder wenigstens eine in dem Prozeßbehälter angeordnete Lochplatte erreicht. Vorteil­ hafterweise wird während des Ausblasen von Luftblasen in der ersten Position ein Ablaß in einem den Rand des Pro­ zeßbehälters umgebenden Überlaufkragen geöffnet, damit das Behandlungsfluid frei abfließen kann und der Aus­ blasströmung kein Widerstand entgegensetzt wird. In der zweiten Position des Substrats wird der Ablaß hingegen vorteilhafterweise geschlossen um ein Anstauen von Be­ handlungsfluid zu erreichen. Dabei wird das Behandlungs­ fluid vorteilhafterweise angestaut, bis es eine Höhe er­ reicht, die wenigstens auf der Höhe des angehobenen Sub­ strats liegt, um einen guten Kontakt zwischen dem Behand­ lungsfluid und dem Substrat sicherzustellen.

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird bei einer Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem mit Behandlungsfluid befüllbaren Behälter, ei­ nem den Behälter umgebenden Überlauf und einem Substrat­ halter zum Positionieren eines Substrats oberhalb des Be­ hälters dadurch gelöst, daß eine Steuereinrichtung zum Steuern eines Behandlungsfluid-Niveaus im Überlauf in Ab­ hängigkeit vom Abstand des Substrathalters vom Behälter vorgesehen ist. Die Steuereinrichtung ermöglicht, daß sich das Behandlungsfluid-Niveau im Überlauf immer auf oder über der Höhe des Substrats befindet. Hierdurch wird ein guter Kontakt zwischen dem Behandlungsfluid und dem Substrat sichergestellt und ein Abriß der auf das Sub­ strat gerichteten Strömung, insbesondere bei größeren Ab­ ständen zwischen Substrat und Behälterwand, verhindert.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung weist die Steuer­ einheit ein steuerbares Auslaßventil im Überlauf auf, über welches das Behandlungsfluid-Niveau eingestellt wer­ den kann. Vorteilhafterweise ist benachbart zum Überlauf ein weiterer Überlauf angeordnet, so daß auf einfache Weise das Behandlungsfluid-Niveau in dem Überlauf durch die Höhe des Überlaufrandes zum weiteren Überlauf be­ grenzt ist. Dabei ist vorzugsweise ein höhenverstellbarer Überlaufrand vorgesehen, um auf einfache Weise unter­ schiedliche Behandlungsfluid-Niveaus im Überlauf vorzuse­ hen.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist ein Schwimm­ körper den Überlaufrand auf. Der Schwimmkörper ermöglicht durch seinen natürlichen Auftrieb eine besonders einfache Möglichkeit der Höhenverstellung des Überlaufrandes.

Bei einer alternativen Ausführungsform ist ein den Über­ laufrand aufweisender Schieber vorgesehen über den die Höhenverstellung des Überlaufrandes erfolgt. Dabei ist der Schieber vorzugsweise mittels einer Feder nach oben vorgespannt und auf einfache Weise gegen die Federvor­ spannung einstellbar.

Vorzugsweise ist ein Abstandhalter zwischen dem Schwimm­ körper bzw. dem Schieber und dem Substrathalter vorgese­ hen, der einen vorbestimmten Abstand zwischen dem Schwimmkörper bzw. dem Schieber und dem Substrathalter vorgibt. Dies ergibt eine besonders einfache Möglichkeit die Höhe des Überlaufrandes und somit das Behandlungs­ fluid-Niveau direkt über die Bewegung des Substrathalters einzustellen. Insbesondere wird hierdurch eine feste, im wesentlichen immer gleichbleibende Beziehung zwischen der Höhe des Überlaufrands und der Höhe des Substrathalters beibehalten.

Die gestellte Aufgabe wird bei einem Verfahren zum Behan­ deln von Substraten mit einem Behandlungsfluid, bei dem ein Substrat mit einem Substrathalter über einem von ei­ nem Überlauf umgebenden Becken gehalten und mit dem Be­ handlungsfluid von unten angeströmt wird, dadurch gelöst, daß das Niveau des Behandlungsfluid im Überlauf in Abhän­ gigkeit vom Abstand zwischen dem Substrathalter und dem Becken gesteuert wird. Durch dieses Verfahren ergeben sich die schon oben genannten Vorteile.

Die Vorrichtung wird nachfolgend anhand bevorzugter Aus­ führungsbeispiele unter Bezugnahme auf die Figuren be­ schrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht einer er­ findungsgemäßen Vorrichtung zum behandeln von Substraten;

Fig. 2 eine vergrößerte Teilansicht der erfindungsge­ mäßen Vorrichtung; und

Fig. 3 eine nochmals vergrößerte Teilansicht einer Topfrandkontur eines Prozeßbehälters der vor­ liegenden Erfindung;

Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht eines al­ ternativen Ausführungsbeispiels der erfindungs­ gemäßen Vorrichtung;

Fig. 5 und 6 schematische Querschnittsansichten eines weiteren Ausführungsbeispiels der erfindungsge­ mäßen Vorrichtung in unterschiedlichen Behand­ lungspositionen;

Fig. 7 und 8 schematische Querschnittsansichten eines noch weiteren Ausführungsbeispiels der erfin­ dungsgemäßen Vorrichtung in unterschiedlichen Behandlungspositionen.

Fig. 1 zeigt eine Metallplattierungsvorrichtung 1, ins­ besondere eine Kupferplattierungsvorrichtung, mit einem Substrathalter 2 und einem Prozeßbehälter 3. Der Sub­ strathalter 2 besteht aus einem oberen Deckel 5 und einem unteren Ring 6, zwischen denen ein Wafer 7 eingeklemmt ist. Der Substrathalter 2 ist oberhalb des Prozeßbehäl­ ters 3 vertikal anhebbar und absenkbar. Wie in Fig. 3 zu sehen ist, ist an einem Innenumfang des Rings 6 eine Dichtung 9 vorgesehen, welche konzentrisch um einen Mit­ telpunkt des Wafers 7 herum angeordnet ist. Die Dichtung 9 dichtet einen Randbereich des Wafers 7 ab. Dieser Rand­ bereich des Wafers 7 wird über eine Vielzahl von Kontakt­ federn 11, von denen eine in Fig. 3 zu sehen ist, kon­ taktiert.

Für weitere Einzelheiten bezüglich des Substrathalters wird, um Wiederholungen zu vermeiden, auf die von der An­ melderin der vorliegenden Anmeldung am selben Tag einge­ reichten Anmeldung mit der Anmeldenummer 198 59 467.4 und dem Titel "Substrathalter", Bezug genommen. Diese An­ meldung wird insofern zum Gegenstand der vorliegenden An­ meldung gemacht.

Der Prozeßbehälter 3 besitzt eine Bodenplatte 15 und Sei­ tenwände 16. In der Bodenplatte 15 ist eine Leitung 18 ausgebildet, die an einem Ende über eine Öffnung 20 mit einem zwischen den Seitenwänden gebildeten Raum in Ver­ bindung steht. Über einen mit der Leitung 18 in Verbin­ dung stehenden Anschlußstutzen 22 und nicht dargestellte Leitungen steht die Leitung 18 mit einer Quelle eines flüssigen Elektrolyten in Verbindung. Ein von der Öffnung 20 beabstandetes Ende der Leitung 18 ist durch ein Stop­ fenelement 24 verschlossen, das an einem Stab 26 befe­ stigt ist. Durch Bewegen des Stopfens 24 kann das eine Ende der Leitung 18 geöffnet werden und in der Leitung 18 stehender Elektrolyt kann in einen nicht dargestellten, den Prozeßbehälter 3 umgebenden Behälter abgelassen wer­ den.

Zwischen den Seitenwänden 16 und beabstandet von der Bo­ denplatte 15 ist ein Trichterelement 30 angeordnet, wel­ ches auf geeignete Weise wie zum Beispiel Schrauben an den Seitenwänden 16 befestigt ist. Zwischen der Boden­ platte 15 und dem Trichterelement 30 wird eine Kammer 32 gebildet. Das Trichterelement 30 weist eine zentrierte, zur Kammer 32 weisende Öffnung 34 mit kleine Durchmesser auf. Ausgehend von der Öffnung 34 bildet das Trichterele­ ment 30 einen sich nach oben erweiternden trichterförmi­ gen Raum 36. Oberhalb des trichterförmigen Raums 36 ist eine Lochplatte 38 vorgesehen, die mit einer Oberkante 39 des Trichterelements 30 in Kontakt steht. Die Lochplatte 38 liegt auf der Oberkante 39 des Trichterelements auf, und ist auf geeignete Weise, wie zum Beispiel durch Schrauben 40, an den Seitenwänden 16 befestigt. Auf einer der Bodenplatte 15 entgegengesetzten Stirnseite 42 der Seitenwand 16 ist ein oberes Wandteil 44 befestigt. Das Wandteil 44 besitzt Öffnungen 46 zum Durchführen von elektrischen Kontaktelementen 48. Die Kontaktelemente 48 stehen in elektrischen Kontakt mit einer oberhalb der Lochplatte 38 befindlichen und zu dieser beabstandeten Anodenplatte 50, die ebenfalls als Lochplatte ausgebildet ist. Alternativ kann die Anodenplatte 50 als Streckgitter ausgebildet sein.

Wie am besten in den Fig. 2 und 3 zu erkennen ist, be­ sitzt das Wandelement 44 eine konturierte Innenumfangs­ fläche 52. Die Innenumfangsfläche 52 ist in einem unteren Bereich bezüglich einer Längsmittelachse geneigt. In ei­ nem weiteren, darüber befindlichen Bereich ist die Innen­ umfangsfläche 52 im wesentlichen parallel zu der Längs­ mittelachse. In einem oberen Randbereich 54 vergrößert sich der Umfang der Innenumfangsfläche 52 durch eine nach außen gebogene Rundung 55. Im Randbereich 54 des Wandele­ ments 44 verjüngt sich die Wanddicke des Wandelements 44 nach oben zu einer Spitze 56 wie am besten in Fig. 3 zu sehen ist. Die Verjüngung wird durch eine abgeschrägte Außenkontur 58 in dem Randbereich 54 des Wandelements 44 erreicht. Diese Außenkontur 58 ist an eine nach innen weisende Kontur der Dichtung 9 des Substrathalters 2 an­ gepaßt.

An dem Wandelement 44 ist ein Überlaufkragen 60, der das Wandelement 44 umgibt, angebracht. Der Überlaufkragen 60 bildet zwischen sich und dem Wandelement 44 einen nach oben geöffneten Raum 62. In einer Seitenwand des Über­ laufkragens 60 ist ein steuerbarer Ablaß 64 ausgebildet, der wie nachfolgend noch beschrieben wird geöffnet und/oder geschlossen werden kann. Die Seitenwände des Überlaufkragens 60 sind höher als die oberste Spitze 56 des Wandelements 44.

Während des Betriebs der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird der Substrathalter 2 zunächst soweit abgesenkt, daß sich der Wafer 7 kurz oberhalb der Spitze 56 des Wandele­ ments 44 befindet. In dieser Position wird zunächst durch Einleiten eines flüssigen Elektrolyts, der beispielsweise aus Wasser, Schwefelsäure, Kupfersulfid, Chlor, Natrium­ chlorid und organischen Additiven besteht, Luft, die durch die Glockenform des Substrathalters unterhalb des Substrats eingeschlossen ist, ausgeblasen. Dabei ist der Abstand zwischen der Spitze 56 und dem Substrat 7 relativ klein, um hohe Strömungsgeschwindgkeiten zu erreichen. Durch den sich nach außen erweiternden Innenumfang des Wandelements 44 im Randbereich 54 wird ein Teil der Strö­ mung direkt auf den Übergang zwischen der Dichtlippe 9 des Substrathalters 2 und dem Wafer 7 gerichtet. Durch die Kontur 58 der Außenseite wird der Strömungsquer­ schnitt in einem Bereich hinter der Spitze 56 des Wande­ lements 44 über eine kurze Distanz möglichst gleichmäßig gehalten, um zu verhindern, daß die Strömung in diesem Be­ reich abreißt, wodurch ein gutes Ausblasen von Luft si­ chergestellt ist. Nach dem Ausblasen von Luft wird der Substrathalter 2 etwas angehoben, da bei dem kleinen Ab­ stand zwischen Substrat 7 und Spitze 56 die Fließge­ schwindigkeit für eine homogene Abscheidung von Metall auf dem Substrat, insbesondere im diesem Bereich, zu hoch wäre. Beim Anheben des Substrathalters wird gleichzeitig, durch Schließen des Überlaufs 64, flüssiger Elektrolyt in dem Überlaufkragen 60 angestaut, so daß der Deckel zumin­ dest teilweise in der Flüssigkeit aufgenommen ist. Dabei wird das Flüssigkeitsniveau bis auf die Höhe des Wafers oder darüber hinaus angehoben, um sicherzustellen, daß der Kontakt zwischen dem Elektrolyt und dem Wafer auf­ grund des vergrößerten Abstands nicht abreißt..Der Ab­ stand zwischen Substrat 7 und Spitze 56 ist abhängig von den gewünschten Strömungsbedingungen für die Abscheidung einstellbar.

Schon während des Ausblasens von Luft wird ein kleiner Strom zwischen der Anodenplatte 50 und der hierzu weisen­ den Oberfläche des Wafers 7 angelegt. Dies ist notwendig, damit eine zuvor auf die Oberfläche des Wafers 7 aufge­ brachte, dünne Metallschicht durch den Elektrolyten nicht abgeätzt bzw. auflöst wird. Die dabei angelegte Spannung reicht jedoch nicht aus um eine wesentliche Abscheidung von Metall auf dem Wafer 7 zu erreichen. In der angehobe­ nen Position des Substrathalters wird der Strom dann er­ höht um eine Abscheidung von Metall auf dem Wafer 7 zu bewirken.

Die Fig. 4 bis 6 zeigen eine alternative Metallplat­ tierungsvorrichtung 100, die einen im wesentlichen drei­ teiligen Prozeßbehälter aufweist, wobei in den Fig. 5 und 6 zur Vereinfachung der Darstellung nicht alle De­ tails dargestellt sind. Die Vorrichtung 100 weist ein Trichterelement 102, eine daran befestigte Behälterwand 104 und einen Auffangbehälter 106 auf.

Das Trichterelement 102 weist einen sich nach oben erwei­ ternden Trichter 108 auf. Eine untere Öffnung 109 des Trichters 108 ist durch ein Anschlußelement 110 ver­ schlossen, über das Behandlungsfluid in den Trichter 108 eingeleitet wird. Das Anschlußelement 110 ist beispiels­ weise durch Schweißen oder eine sonstige in der Technik bekannte Art und Weise am Trichter 108 befestigt. Am Au­ ßenumfang des Trichters 108 ist ein den Trichter 108, zu­ mindest teilweise, umgebendes Stützelement 112 ange­ bracht.

In einem oberen Bereich 114 weist der Trichter 108 eine stark verbreiterte Wanddicke auf. In diesem Bereich 114 ist wenigstens eine Durchgangsöffnung 116 zur Aufnahme bzw. Durchführung eines Kontaktzapfens 118 vorgesehen, der nachfolgend noch beschrieben wird. Ferner ist in dem Bereich 114 eine Durchgangsöffnung 120 vorgesehen, an dessen unteren Ende ein Anschlußelement 122 angebracht ist. Im Bereich 114 ist darüber hinaus eine Bohrung 124 vorgesehen. Diese dient zur Aufnahme einer Befestigungs­ schraube 126, zur Befestigung der Behälterwand 104 an dem Trichterelement 102, wie nachfolgend noch in größerer Einzelheit beschrieben wird.

Die obere Behälterwand 104 wird durch eine innere Wand 128 und einen äußeren Überlaufkragen 130 gebildet. In ei­ nem oberen Randbereich ist die innere Behälterwand 128 genauso konturiert, wie die Behälterwand 44.

In Umfangsrichtung weist die Behälterwand 128 drei Ver­ dickungen 131 auf, von denen eine in Fig. 4 zu sehen ist. In den Verdickungen 131 der Behälterwand 128 sind Bohrun­ gen 132 zur Aufnahme von Stellschrauben 134 vorgesehen, welche sich in Öffnungen des unteren Rings 6 eines Sub­ strathalters 2 erstrecken und als Auflage für den unteren Ring 6 dienen. Über die Stellschrauben 134, kann die Höhe und Ausrichtung des über dem Prozeßtopf befindlichen Sub­ strathalters 2 genau eingestellt und ggf. auch verändert werden. Anstelle von Stellschrauben könnten auch ver­ schiebbare Zylinder, Spindeln etc. verwendet werden.

Zwischen der inneren Behälterwand 128 und dem Überlauf­ kragen 130 wird eine im wesentlichen U-förmige, nach oben geöffnete Kammer 140 gebildet. Der Überlaufkragen 130 um­ gibt die innere Behälterwand 128 und ist höher als diese. Im Boden der Kammer 140 ist eine Öffnung 142 ausgebildet, sowie eine gestufte Bohrung 144, die zur teilweisen Auf­ nahme und Durchführung der Schraube 126 dient. Das Trich­ terelement 102 und die Behälterwand 104 sind durch die Schraube 126, welche sich durch die Öffnung 144 in der Behälterwand in die Öffnung 124 in dem Trichterelement erstreckt, aneinander befestigt. Dabei sind die Öffnungen 144 und 124 zur Aufnahme der Schraube 126 zueinander aus­ gerichtet. Auch die Öffnungen 142 und 120 sind zueinander ausgerichtet, um über das Anschlußelement 122 einen Aus­ laß für die Kammer 140 zu bilden.

Während des Zusammenschraubens des Trichterelements 102 und der Behälterwand 104 wird dazwischen in passend aus­ gebildeten Aussparungen eine Lochplatte 150 eingeklemmt. Ferner wird beim Zusammenschrauben eine Oberseite des sich durch den verbreiterten Bereich 114 des Trichters 108 erstreckenden Zapfens 118 gegen eine Unterseite eines Kontaktelements 152 einer Anodenplatte 154 geklemmt. So­ mit wird eine elektrische Kontaktierung einer sich inner­ halb des Prozeßbehälters befindlichen Anodenplatte 154 von außerhalb des Prozeßbehälters ermöglicht. Am Außenum­ fang des verbreiterten Bereichs 114 des Trichters 108 ist eine Auffangbehälter 106 angebracht, wie z. B. durch Schweißen. Der Auffangbehälter 106 umgibt einen Teil des Trichters 108 und die obere Behälterwand 104, wobei der Auffangbehälter 106 eine Wand aufweist, die höher ist als der Überlaufkragen 130 der Behälterwand 104. Zwischen dem Überlaufkragen 130 der Behälterwand 104 und dem Auffang­ behälter 106 wird eine im wesentlichen U-förmige, nach oben geöffnete Kammer 160 gebildet, die eine nicht näher dargestellte Öffnung aufweist, an der ein Anschlußelement 162 angebracht ist.

Der Betrieb der Vorrichtung gemäß diesem Ausführungsbei­ spiel wird nachfolgend anhand der Fig. 5 und 6 be­ schrieben. Der Substrathalter wird mit einem darin gehal­ tenen Substrat in die in Fig. 5 gezeigte Position ge­ bracht, so daß zwischen einem am Substrathalter gehalte­ nen Substrat und einer Oberkante der Behälterwand 128 ein schmaler Spalt gebildet wird. Anschließend wird flüssiger Elektrolyt über das Trichterelement 102 eingeleitet bis es durch den oben genannten Spalt zwischen Substrat und Oberkante der Behälterwand 128 in die Kammer 140 strömt. Aufgrund des relativ geringen Spalts wird Luft, die durch die Glockenform des Substrathalters unterhalb des Sub­ strats eingeschlossen ist, wie beim ersten Ausführungs­ beispiel, ausgeblasen. Ein mit einem Auslaß der Kammer 140 in Verbindung stehendes Ventil 170 ist geöffnet, um ein gutes Abfließen des überströmenden Elektrolyts zu ge­ währleisten, so daß der Strömung im Bereich des oben ge­ nannten Spalts kein Widerstand entgegengesetzt wird.

Anschließend wird der Substratträger in die in Fig. 6 gezeigte Position angehoben und das Ventil 170 wird ge­ schlossen, so daß sich der in die Kammer 140 strömende Elektrolyt dort anstaut. Der Elektrolyt wird so lange an­ gestaut, bis er über den äußeren Überlaufkragen 130 in die äußere Kammer 160 strömt. Hierdurch wird das Niveau des Behandlungsfluids in der Kammer 140 angehoben, so daß es auf der Höhe des von unten angeströmten Substrats liegt. Hierdurch wird ein sicherer Kontakt zwischen dem Behandlungsfluid und dem Substrat sichergestellt der an­ sonsten durch das Anheben des Substratträgers abreißen könnte.

Die Fig. 7 und 8 zeigen ein weiteres Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung. Das Ausführungsbeispiel der Fig. 7 und 8 gleicht in wesentlichen Punkten dem Ausführungsbeispiel der Fig. 4 bis 6 und daher werden im folgenden dieselben Bezugszeichen verwendet.

Die Fig. 7 und 8 zeigen eine Metallplatierungsvorrich­ tung 100, die, wie beim Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 4 bis 6, einen im wesentlichen dreiteiligen Prozeß­ behälter aufweist. Der Prozeßbehälter weist ein Trich­ terelement 102, eine daran befestigte Behälterwand 104 und einen Auffangbehälter 106 auf. Die Behälterwand 104 wird durch eine innere Wand 128 und eine äußere Wand 130' gebildet. Im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel der Fig. 4 bis 6, bei dem die äußere Wand 130 höher war als die innere Wand 128, ist bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 7 und 8 die äußere Wand 130' niedriger als die innere Wand 128. Zwischen der inneren Wand 128 und der äußeren Wand 130' wird eine im wesentlichen U-förmige, nach oben geöffnete Kammer 140 gebildet.

Innerhalb der Kammer 140 ist ein höhenverstellbares Über­ laufelement angeordnet. In den Fig. 7 und 8 sind je­ weils zwei unterschiedliche Überlaufelemente dargestellt, nämlich ein als Schwimmkörper 180 ausgebildetes Überlau­ felement auf der linken Seite sowie ein federvorgespann­ ter Schieber 182 auf der rechten Seite. Obwohl in den Fig. 7 und 8 zwei unterschiedliche höhenverstellbare Überlaufelemente dargestellt sind, sei bemerkt, daß bei der tatsächlichen Ausführung ein einheitliches Überlaufe­ lement vorgesehen ist, das entweder als Schwimmkörper 180 oder als federvorgespanntes Element 182 ausgebildet ist. Natürlich ist es auch möglich, ein als Schwimmkörper aus­ gebildetes Element zusätzlich mittels einer Feder vorzu­ spannen.

Im folgenden wird nun zunächst der Schwimmkörper 180 nä­ her beschrieben. Der Schwimmkörper 180 erstreckt sich um die Kammer 140 herum und ist am Innenumfang der äußeren Wand 130 geführt. Der Schwimmkörper 180 bildet eine im Querschnitt im wesentlichen rechteckige und abgeschlosse­ ne Innenkammer 184. Durch das abgeschlossene Volumen der Kammer 184 wird der notwendige Auftrieb des Schwimmkör­ pers 180 in einem Fluid erzeugt. Der Schwimmkörper 180 weist einen sich nach oben erstreckenden Überlaufflansch 186 auf, der sich nach oben zu einer Überlaufkante 188 verjüngt. Der Überlaufflansch 186 besitzt einen Innenum­ fang der größer ist als der Außenumfang des Substratträ­ gers 2, so daß dieser radial in dem Überlaufflansch 186 aufgenommen werden kann.

Der Schwimmkörper 180 weist ferner einen Abstandhalter 190 in der Form eines Stegs auf, der innerhalb des Innen­ umfangs des Überlaufflansches 186 angeordnet ist, und von einer Unterseite des Substratträgers 2 kontaktiert wird, wie in den Fig. 7 und 8 gezeigt ist. Wenn die Kammer 140 mit Behandlungsfluid gefüllt ist, schwimmt der Schwimmkörper 180 in der Kammer auf bis der Abstandhalter 190 mit der Unterseite des Substratträgers 2 in Kontakt kommt. Der Überlaufflansch 186 erstreckt sich radial um den Substrathalter 2 herum und bildet eine Überlaufkante 188 die im wesentlichen auf derselben Ebene wie ein in dem Substrathalter 2 aufgenommenes Substrat liegt. Die Überlaufkante 188 liegt höhenmäßig über einer oberen Kan­ te der äußeren Behälterwand 130', so daß in die Kammer 140 eingeleitetes Behandlungsfluid über die Überlaufkante 188 in die Kammer 160 strömt, wenn das Ventil 170 ge­ schlossen ist. Wenn der Substratträger von der in Fig. 7 gezeigten Position in die in Fig. 8 gezeigte, angehobene Position bewegt wird, folgt der Schwimmkörper 180 der Be­ wegung des Substratträgers 2, aufgrund der Auftriebskraft des Schwimmkörpers 180. Hierdurch wird das Niveau des Be­ handlungsfluids in der Kammer 140 immer auf dem Niveau des in dem Substratträger 2 befindlichen Substrats gehal­ ten, da der Schwimmkörper jeder Bewegung des Substratträ­ gers folgt. Dies ergibt eine einfache und stufenlose Hö­ henverstellung der Überlaufkante 188 für die Kammer 40 in Abhängigkeit vom Abstand zwischen Substrat 7 und innerer Behälterwand 128. Obwohl der Schwimmkörper 180 so darge­ stellt ist, daß er eine im wesentlichen abgeschlossene hohle Kammer 184 als Auftriebskörper besitzt, kann der Schwimmkörper 180 auch eine andere Form besitzen sowie aus einem massiven, einen guten Auftrieb besitzenden Ma­ terial wie zum Beispiel Styropor ausgebildet sein.

Nachfolgend wird das zweite Ausführungsbeispiel für ein höhenverstellbares Überlaufelement 182, welches in den Fig. 7 und 8 auf der rechten Seite dargestellt ist, beschrieben. Das Überlaufelement 182 besitzt einen Grund­ körper 192, mit einem Außenumfang, der dem Innenumfang der äußeren Behälterwand 130' angepaßt ist, und durch die Wand 130' im wesentlichen vertikal verschiebbar geführt ist. Der Grundkörper 192 besitzt einen sich zu einer Überlaufkante 194 verjüngenden oberen Abschnitt. Unter­ halb des sich verjüngenden Abschnitts weist das Überlauf­ element 182 einen sich im wesentlichen senkrecht radial nach innen erstreckenden Abstützflansch 196 auf. Der Ab­ stützflansch 196 ist am radial inneren Ende um 90 Grad nach unten abgewinkelt, um eine Tasche zur Aufnahme einer Feder 198 zu bilden, deren Funktion im nachfolgenden noch näher erläutert wird. Von dem Abstützflansch 196 er­ streckt sich unter einem rechten Winkel ein Abstandhalter 200 nach oben, der, wie der Abstandhalter 190, einen vor­ bestimmten Abstand zwischen dem höhenverstellbaren Über­ laufelement 182, insbesondere der Überlaufkante 194 und dem Substrathalter 2 einstellt.

Die Feder 198 ist eine Druckfeder, und wie in den Fig. 7 und 8 zu erkennen ist, ist sie zwischen einem Boden der Kammer 140 und einer Unterseite des Stützflansches 196 angeordnet und ist auf geeignete Weise daran befestigt.

Im Einsatz drückt die Feder 198 das Überlaufelement 182 nach oben, bis der Abstandhalter 200 mit einer Unterseite des Substrathalters 2 in Kontakt kommt. Solange sich kein Substrathalter über dem Prozeßbehälter befindet wird die nach oben gerichtete Bewegung des Überlaufelements durch einen nicht dargestellten Anschlag begrenzt. Wenn der Ab­ standhalter 200 mit der Unterseite des Substrathalters 2 in Kontakt kommt, liegt die Überlaufkante 194 im wesent­ lichen auf einer Höhe mit einem in dem Substrathalter 2 aufgenommenen Substrat. Wenn der Substrathalter 2 aus der in Fig. 7 in die in Fig. 8 gezeigte Position bewegt wird, folgt das Überlaufelement 182 aufgrund der Feder­ vorspannung der Bewegung des Substratträgers, so daß die Höhenbeziehung zwischen dem Substrat und der Überlauf­ kante 194 beibehalten wird.

Der Betrieb der Vorrichtung gemäß den Ausführungsbeispie­ len der Fig. 7 und 8 ist im wesentlichen derselbe wie bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 4 bis 6. Das Sub­ strat wird zunächst in die in Fig. 7 gezeigte Position gebracht und es wird von unten mit Behandlungsfluid ange­ strömt, so daß Behandlungsfluid in die Kammer 140 strömt. Aus der Kammer 140 wird das Behandlungsfluid über das Ventil 170 abgelassen. Anschließend wird das Ventil 170 geschlossen, so daß sich das Behandlungsfluid in der Kam­ mer 140 anstaut. Bei dem Ausführungsbeispiel eines Schwimmkörpers als höhenverstellbares Überlaufelement schwimmt dieses auf bis es mit dem Substratträger in Kon­ takt kommt, wie in Fig. 7 gezeigt ist. Bei dem federvor­ gespannten Überlaufelement wird der Kontakt mit dem Sub­ stratträger von Anfang an durch die nach oben gerichtete Federvorspannung erreicht. Anschließend wird der Sub­ stratträger 2 angehoben, um den Spalt zwischen Substrat und innerer Behälterwand 128 zu vergrößern. Dabei folgt das höhenverstellbare Überlaufelement 180 bzw. 182 der Bewegung des Substratträgers, so daß die jeweilige Über­ laufkante 188 bzw. 194 auf der Höhe des in dem Substrat­ träger 2 aufgenommenen Substrats liegt. Bei den in Fig. 7 und 8 gezeigten Ausführungsbeispielen ist eine im we­ sentlichen stufenlose, der Position des Substratträgers 2 folgende Einstellung der Überlaufkanten 188 bzw. 194 mög­ lich.

Die Vorrichtung wurde anhand bevorzugter Ausführungsbei­ spiele beschrieben ohne auf die spezielle dargestellten Formen beschränkt zu sein. So kann der Prozeßbehälter 3 beispielsweise einteilig ausgebildet sein und der Raum 32 unterhalb des Trichterelements 30 könnte entfallen. Auch kann das Trichterelement und/oder die Lochplatte 30 in bestimmten Anwendungsfällen weggelassen werden. Ferner ist die Vorrichtung nicht auf die Metallplattierung von Wafern beschränkt. Sie ist auch für die Plattierung ande­ rer Substrate oder für sonstige Behandlungsprozesse ge­ eignet.

Claims (47)

1. Vorrichtung (1) zum Behandeln von Substraten (7), insbesondere Halbleiterwafern, mit einem eine Behäl­ terwand (44) aufweisenden Prozeßbehälter (3) und ei­ nem über dem Prozeßbehälter (3) bewegbar angeordneten Substrathalter (2), gekennzeichnet durch einen sich nach außen erweiternden Innenumfang eines zum Sub­ strat weisenden Rands der Behälterwand (44).

2. Vorrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Substrat (7) mit dem Substrathalter (2) in unterschiedlichen Abständen oberhalb des Rands der Behälterwand (44) positionierbar ist.

3. Vorrichtung (1) nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Rand der Behälterwand (44) in einer Position des Substrats (7) auf einen Kontaktbereich zwischen dem Substrathalter und dem Substrat ge­ richtet ist.

4. Vorrichtung (1) nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Abstand zwischen dem Substrat (7) und dem Rand der Behälterwand (44) in der einen Posi­ tion der kleinstmögliche Abstand ist.

5. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Dicke der Behälterwand (44) zum Rand hin verjüngt.

6. Vorrichtung (1) nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Verjüngung durch eine Konturierung des Außenumfangs (58) der Behälterwand (44) gebildet wird.

7. Vorrichtung (1) nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Konturierung des Außenumfangs (58) der Behälterwand (44) an eine Innenumfangsform eines Trägerrings (6) des Substrathalters (2) angepaßt ist.

8. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch eine Anodenanordnung (50) innerhalb des Prozeßbehälters (3).

9. Vorrichtung (1) nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Anodenanordnung (50) durch eine Lochplatte gebildet wird.

10. Vorrichtung (1) nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Anodenanordnung (50) durch ein Streckgitter gebildet wird.

11. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch eine Kontaktanordnung am Substrathalter (2).

12. Vorrichtung (1) nach Anspruch 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß über die Kontaktanordnung eine zum Pro­ zeßbehälter weisende Oberfläche des Substrats (7) elektrisch kontaktierbar ist.

13. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch einen sich zum Substrat (7) hin erweiternden trichterförmigen Boden des Prozeßbe­ hälters (3).

14. Vorrichtung (1) nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der trichterförmige Boden durch einen Einsatz (30) gebildet wird.

15. Vorrichtung (1) nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der trichterförmige Boden einteilig mit einer senkrechten Behälterwand (16) ausgebildet ist.

16. Vorrichtung (1) nach Anspruch 13, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der trichterförmige Boden einen Teil der Behälterwand bildet.

17. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch wenigstens eine Lochplatte (38) zwischen einem Boden des Prozeßbehälters (3) und dem zum Substrat (7) weisenden Rand der Behälterwand (44) des Prozeßbehälters (7).

18. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch einen den Prozeßbehälter (3) umgebenden Überlaufkragen (60).

19. Vorrichtung (1) nach Anspruch 18, gekennzeichnet durch einen nach oben geöffneten Raum zwischen der Behälterwand (44) des Prozeßbehälters (3) und dem Überlaufkragen (60).

20. Vorrichtung (1) nach Anspruch 18 oder 19, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Überlaufkragen (60) höher als der zum Substrat (60) weisende Rand der Behälterwand (44) ist.

21. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 20, gekennzeichnet durch einen Ablaß (64) im Überlauf­ kragen (60).

22. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch einen den Prozeßbehälter (3) umgebenden weiteren Prozeßbehälter (3).

23. Vorrichtung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Metall­ plattierungsvorrichtung.

24. Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern mit folgenden Verfahrensschritten:

• - Bewegen eines Substrats (7) mittels eines Substrat­ halters in eine erste Position benachbart zu einem eine Behälterwand (44) aufweisenden Prozeßbehälter (3);
• - Leiten eines Behandlungsfluids durch den Prozeßbe­ hälter auf eine zum Prozeßbehälter weisende Ober­ fläche des Substrats (7), wobei das Behandlungs­ fluid über eine sich nach außen erweiternde Innen­ umfangsfläche eines zum Substrat weisenden Rands der Behälterwand (44) des Prozeßbehälters (3) zu einem Außenbereich des Substrats (7) hin gerichtet wird.

25. Verfahren nach Anspruch 24, gekennzeichnet durch An­ heben des Substrats (1) in eine vom. Rand der Behäl­ terwand (44) des Prozeßbehälters (3) weiter beabstan­ dete zweite Position.

26. Verfahren nach einem der vorhergehenden Verfahrens­ ansprüche, gekennzeichnet durch Anlegen einer Span­ nung zwischen einer in dem Prozeßbehälter (3) befind­ lichen Anodenanordnung und dem Substrat (7).

27. Verfahren nach Anspruch 26, gekennzeichnet durch eine elektrische Kontaktierung der zum Prozeßbehälter (3) weisenden Oberfläche des Substrats (7).

28. Verfahren nach Anspruch 26 oder 27, gekennzeichnet durch Verändern der angelegten Spannung abhängig von der Position des Substrats (7).

29. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß die angelegte Spannung in der zweiten Position des Substrats (7) höher ist als in der ersten Position.

30. Verfahren nach einem der vorhergehenden Verfahrens­ ansprüche, gekennzeichnet durch Homogenisieren der auf das Substrat (7) geleiteten Strömung innerhalb des Prozeßbehälters (3).

31. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Homogenisierung über einen trichterförmigen Boden des Prozeßbehälters (3) und/oder wenigstens ei­ ne in dem Prozeßbehälter angeordnete Lochplatte (38) erfolgt.

32. Verfahren nach einem der vorhergehenden Verfahrens­ ansprüche, gekennzeichnet durch Öffnen eines Ablasses in einem den Rand des Prozeßbehälters umgebenden Überlaufkragen (60), wenn sich das Substrat (7) in der ersten Position befindet.

33. Verfahren nach einem der vorhergehenden Verfahrens­ ansprüche, gekennzeichnet durch Schließen eines Ab­ lasses in einem den Rand des Prozeßbehälters (3) um­ gebenden Überlaufkragen (60), wenn sich das Substrat (7) in der zweiten Position befindet.

34. Verfahren nach Anspruch 33, gekennzeichnet durch An­ stauen von Behandlungsfluid innerhalb des Überlauf­ kragens (60), bis das Behandlungsfluid eine Höhe er­ reicht, die wenigstens auf der Höhe des Substrats (7) liegt.

35. Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem mit Behandlungsfluid befüllbaren Behälter, einem den Behälter umgebenden Überlauf und einem Substrathalter zum Positionieren eines Substrats oberhalb des Behäl­ ters, gekennzeichnet durch eine Steuereinrichtung zum Steuern eines Behandlungsfluid-Niveaus im Überlauf in Abhängigkeit vom Abstand des Substrathalters vom Be­ hälter.

36. Vorrichtung nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinheit ein steuerbares Auslaßventil im Überlauf aufweist.

37. Vorrichtung nach Anspruch 35 oder 36, gekennzeichnet durch einen benachbart zum Überlauf angeordneten wei­ teren Überlauf.

38. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 35 bis 36, ge­ kennzeichnet durch einen höhenverstellbaren Über­ laufrand.

39. Vorrichtung nach Anspruch 38, gekennzeichnet durch einen den Überlaufrand aufweisenden Schwimmkörper.

40. Vorrichtung nach Anspruch 38, gekennzeichnet durch einen den Überlaufrand aufweisenden Schieber.

41. Vorrichtung nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, daß der Schieber mittels einer Feder nach oben vorge­ spannt ist.

42. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 35 bis 41, ge­ kennzeichnet durch einen Abstandshalter zwischen dem Schwimmkörper bzw. dem Schieber und dem Substrathal­ ter.

43. Verfahren zum Behandeln von Substraten mit einem Be­ handlungsfluid, bei dem ein Substrat mit einem Sub­ strathalter über einem von einem Überlauf umgebenden Becken gehalten und mit dem Behandlungsfluid von un­ ten angeströmt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Niveau des Behandlungsfluids im Überlauf in Abhängig­ keit vom Abstand zwischen dem Substrathalter und dem Becken gesteuert wird.

44. Verfahren nach Anspruch 43, dadurch gekennzeichnet, daß das Behandlungsfluid-Niveau über ein Auslaßventil gesteuert wird.

45. Verfahren nach Anspruch 43 oder 44, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Behandlungsfluid-Niveau über einen höhenverstellbaren Überlaufrand gesteuert wird.

46. Verfahren nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe des Überlaufrands durch den Substrathal­ ter gesteuert wird.

47. Verfahren nach Anspruch 95 oder 46, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein den Überlaufrand aufweisendes Ele­ ment zum Substrathalter hin vorgespannt ist.