DE10162191A1

DE10162191A1 - Automatisches Vielkanalätzsystem

Info

Publication number: DE10162191A1
Application number: DE2001162191
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Coenen
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2001-12-17
Filing date: 2001-12-17
Publication date: 2003-06-18
Also published as: WO2003052796A3; AU2002366434A1; WO2003052796A2

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ätzung von Präzisionsoberflächen und hat die Aufgabe, eine Vorrichtung und ein Verfahren anzugeben, wodurch eine Produktentwicklung und eine Produktionsprozeßentwicklung erleichtert wird. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Ätzvorrichtung aus einer Reaktionskammer zur Aufnahme und Bearbeitung eines einzelnen Gegenstandes besteht.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Ätzung von Präzisionsoberflächen.
Die Ätzung von Präzisionsoberflächen hat für eine ganze Reihe von Substraten große wirtschaftliche Bedeutung. Sie wird bei der Herstellung von sogenannten "Wafern" in der Halbleiterindustrie genauso angewandt, wie bei der Herstellung von Produkten der Mikosystemtechnik, wo Bauteile mit mikroelektromechanischen Strukturen (MEMS-Bauteile) eine immer größer werdende Bedeutung erlangen. Letztere werden ebenfalls über Techniken der Halbleiterfabrikation erzeugt. Die Ätzung von Präzisionsoberflächen wird ebenfalls bei der Herstellung von porösem Silizium genutzt.
Neben Silizium basierten Substraten werden auch Glas- oder Kunststoffoberflächen geätzt, so zum Beispiel bei der Herstellung von Flachbildschirmen oder der Herstellung von CDs, die als Speichermedium für Daten große wirtschaftliche Bedeutung besitzen.
Allen diesen Herstellungsprozessen ist gemeinsam, daß sie in erster Linie hohe Stückzahlen bei höchster Qualität erzeugen sollen. Zu diesem Zweck findet eine ständige Verbesserung sowohl der Produktionsanlagen als auch der Prozesse der Herstellung statt. Um diese Verbesserung durchführen zu können, benötigen die Entwicklungsabteilungen der Herstellerbetriebe entsprechend ausgestattete Anlagen. Zur Entwicklung von neuen Produkten oder neuartigen Materialien benötigen auch Forschungsinstitute solche Anlagen.
Diese Anlagen müssen in der Lage sein, kontinuierlich Verfahrens- Parameter wie den Ätzmittelfluß, die Zusammensetzung des Ätzmittels, die Ätzdauer, die Ätztemperatur, den pH-Wert oder die Höhe der angelegten Spannung und des Stromes zu ändern und diese gleichzeitig zu überwachen.
Dies ist mit für die Produktion bestimmten Anlagen nur schwer durchführbar, da diese Produktionsanlagen nicht zur raschen Änderung von Parametern eingerichtet sind und diese Änderungen im Gegenteil sogar verhindern sollen, um eine gleichbleibend hohe Qualität der hergestellten Ware zu gewährleisten.
In der deutschen Patentschrift DE 196 46 273 wird eine automatische Endpunkterkennung des Ätzvorganges eines Halbleiterwafers beschrieben sowie eine dazu verwendete Vorrichtung. Die Endpunkterkennung beruht auf der Messung der Schallgeschwindigkeit in der Ätzflüssigkeit.
Eine weitere Vorrichtung, um Produktionsparameter zu überwachen, wird in der US-Schrift 6,254,720 B1 beschrieben. Dort wird der Verbrauch eines Ätzmittels mittels des Druckes im Gasraum über dem Ätzmittel bestimmt. Eine weitergehende Überwachung von Parametern wird jedoch nicht beschrieben.
Ausgehend von der US-Schrift 6,254,720 B1 als nächstkommendem Stand der Technik, ist es daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren anzugeben, wodurch eine Produktentwicklung und eine Produktionsprozeßentwicklung bei den eingangs genannten Produktionsprozessen erleichtert wird.
Diese Aufgabe wird bei der Ätzvorrichtung, insbesondere bei der Ätzvorrichtung zur nasschemischen Ätzung von Präzisionsoberflächen, dadurch gelöst, daß sie aus einer Reaktionskammer zur Aufnahme und Bearbeitung eines einzelnen Gegenstandes besteht. Zur Optimierung und Entwicklung eines Produktionsprozesses werden gewöhnlich einzelne Parameter dieses Prozesses optimiert, wobei die Gesamtzahl der Parameter aus ökonomischen Gründen möglichst gering zu halten ist. Vorteilhafterweise erlaubt die vorliegende Erfindung diese Parametereinschränkung, indem sie die Bearbeitung eines einzelnen Gegenstandes ermöglicht. Damit werden statistische Schwankungen ausgeschlossen, die durch Materialabweichungen gleichgearteter Gegenstände bedingt sind.
In vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Reaktionskammer an ihrer Oberseite durch einen verriegelbaren Deckel mit Sichtfenster abschließbar ausgebildet ist. Diese Ausführungsform stellt vorteilhaft sicher, daß zum einen die bei der Ätzung entstehenden giftigen SiF₄-Gase nicht entweichen können und ermöglicht vorteilhaft die optische Verfolgung des Bearbeitungsfortschrittes, vorzugsweise durch ein Mikroskop.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die Reaktionskammer einen Zu- sowie einen Ablauf für Ätzmittel besitzt, wobei Zu- und Ablauf in Überlaufgeometrie, räumlich weitest möglich voneinander getrennt, angebracht sind. Diese Anordnung erlaubt vorteilhaft den kontinuierlichen Austausch von verbrauchtem Ätzmittel ohne daß der Ätzprozeß unterbrochen werden müßte.
Dadurch, daß der Zulauf im Reaktionskammerinneren als zentral an der Bodenfläche angeordnete und zu dieser senkrechte Winkel bildende, nach oben zeigende Zulaufdüsen sowie als tangential zur Reaktionskammerwand angeordnete Zulaufdüsen ausgebildet ist, wird vorteilhaft erreicht, daß das Ätzmittel ständig in durchmischender Bewegung gehalten wird. Dies hat zur Folge, daß die zu ätzende Oberfläche ständig in Kontakt mit frischem Ätzmittel steht, und es nicht zur Ausbildung von stabilen Grenzschichten mit verbrauchtem Ätzmittel kommt. Anhand dieser Anordnung ist gleichzeitig die Wirkung der Ausbildung von Grenzschichten auf den Produktionsprozeß ermittelbar.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß der Zulauf aus einem an der Außenseite der Reaktionskammerwand angebrachtem Anschluß besteht, bei dem mindestens zwei separate Zugänge zu einem Zulauf zusammengeführt sind. Diese Ausgestaltung vereinfacht die Konstruktion der Kammer und erlaubt die Applikation von unterschiedlichen Ätzmitteln innerhalb eines Produktionsvorganges.
In Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Zugänge durch Ventile abschließbar sind. Diese Weiterbildung hat den Vorteil, daß unterschiedliche Ätzmittel zum unmittelbaren Einsatz in der Reaktionskammer bereitgestellt werden können, ohne daß sich diese vorher vermischen. Gleichzeitig erlaubt diese Weiterbildung, daß ein, beispielsweise leerer, Ätzmittelvorratsbehälter ausgetauscht werden kann, ohne den Produktionsprozeß zu stören. Durch die zeitgesteuerte Betätigung der Ventile läßt sich ebenfalls mit Vorteil ein beliebiges Gemisch von unterschiedlichen Ätzmitteln erzeugen.
Die in Ausgestaltung der Erfindung vorgesehene Pumpe an jedem Zugang ermöglicht ein konstantes Fördern von Ätzmittel, so daß vorteilhafterweise reproduzierbare Reaktionsbedingungen erzeugt werden.
Dadurch, daß die Reaktionskammer ein Ablaßventil an der Bodenfläche aufweist, wird mit Vorteil ein schneller Austausch zwischen zwei Ätzmitteln erreicht.
Eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß die Reaktionskammer eine Ultraschalleinrichtung aufweist. Die Löslichkeit der beim Ätzprozeß entstehenden Gase im Ätzmittel wird durch Ultraschall vorteilhaft herabgesetzt und diese Gase können leichter aus dem Prozeß entfernt werden. Die quantitative Entfernung der Gase führt zu qualitativ hochwertigeren Produkten und erhöht die Reproduzierbarkeit der Produktionsergebnisse.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung eines Gaseinlasses am oberen Abschnitt der Seitenwand der Reaktionskammer und der eines Gasauslasses am oberen Rand der gegenüberliegenden Seitenwand, erlaubt mit Vorteil den Austausch des Gasraumes der Reaktionskammer. Durch das Spülen des Gasraumes mit beispielsweise N₂ wird ein Partialdruckgradient zwischen gelöstem und gasförmigem SiF₄ erzeugt, der die Menge an gelöstem SiF₄-Gas weiter reduziert und so die Reproduzierbarkeit der Produktionsprozesse mit Vorteil weiter erhöht.
In Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Ätzvorrichtung mindestens eine gasdicht ausgebildete Öffnung aufweist. Durch diese gasdichte Öffnung wird zum einen vorteilhaft erreicht, daß das Innere der Reaktionskammer für Meßgeräte zur Bestimmung von Produktionsparametern zugängig ist, und zum anderen wird vorteilhaft erreicht, daß dabei das Entweichen von giftigem SiF₄-Gas verhindert wird.
In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß durch mindestens eine gasdicht ausgebildete Öffnung mindestens ein Meßwertaufnehmer oder eine Elektrode in die Reaktionskammer geführt ist. Diese Ausgestaltung ermöglicht vorteilhaft die Bestimmung von Parametern unmittelbar benachbart zum Ätzvorgang und erlaubt weiterhin die Untersuchung von Prozessen, die elektrochemisch ablaufen, wie zum Beispiel die Produktion von MEMS-Bauteilen oder porösem Silizium.
Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der Erfindung sieht vor, daß der Meßwertaufnehmer eine pH-Elektrode, und/oder eine Leitfähigkeitselektrode und/oder ein Temperaturfühler und/oder ein Mikroskop und/oder ein Durchflußsensor ist. Die Diversität der verwendbaren Meßwertaufnehmer erlaubt eine vollständige Überwachung der Parameter eines Prozesses, so daß die Optimierung dieses Prozesses auf einer soliden Datenbasis erfolgt. Anhand der Überwachung des pH- Wertes wird der Verbrauch des Ätzmittels überprüft. Bei Unterschreitung eines bestimmten Wertes wird mittels der Pumpe aus einem Vorratsbehälter über den Zulauf bei geöffnetem Ventil frisches Ätzmittel in die Reaktionskammer gefördert. Dieses verdrängt verbrauchtes Ätzmittel aus der Kammer, welches über den Ablauf in eine Neutralisations- und Abfalleinheit abfließt. Anhand der Meßwerte der Leitfähigkeitselektrode und/oder der pH-Elektrode wird die Vollständigkeit eines Spülprozesses ermittelt.
In Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Ätzvorrichtung temperierbar ausgebildet ist. Dies führt vorteilhafterweise dazu, daß reproduzierbare Reaktionsbedingungen geschaffen werden. Gleichzeitig wird durch eine Erhöhung der Temperatur die Wirkung eines Ätzmittels erhöht.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Deckelinnenseite einen dort befestigten horizontalen Halter für eine zu ätzende Oberfläche, insbesondere die Oberfläche eines sogenannten Wafers von bis zu 300 mm Durchmesser, aufweist. Die horizontale Lage des zu ätzenden Materials führt überraschenderweise dazu, daß die Qualität der gefertigten Produkte deutlich über solcher in senkrechter Lage gefertigter liegt. Die Ursache ist darin zu suchen, daß die beim Ätzvorgang entstehenden Gase im Fall horizontaler Lagerung senkrecht nach oben entweichen. Sie kommen so nicht in weiteren Kontakt mit der zu ätzenden Oberfläche.
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß auf der Deckelinnenseite eine an sich bekannte elektrochemische Zelle angebracht ist, wobei deren Deckel durch die mit zwei O-Ringen dichtschlüssig gegen die Zelle ausgebildete, zu bearbeitende Oberfläche gebildet ist, und die Zelle mit einer K₂SO₄-Lösung gefüllt ist, und die Zelle eine Pt-Elektrode und einen lichtdurchlässigen Abschnitt in der Wandung aufweist. Dadurch, daß die Ätzvorrichtung eine solche elektrochemische Zelle aufweist, können vorteilhafterweise auch Prozesse der Produktion von MEMS-Bauteilen und porösem Silizium untersucht werden.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß ein rechnergestütztes Programm vorgesehen ist, das Meßwerte erfaßt und auswertet sowie zeitabhängige Vorgänge veränderbar steuert. Diese Weiterbildung führt zu einer vorteilhaften Erleichterung der Prozeßoptimierung.
In Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß eine erfindungsgemäße Ätzvorrichtung aus kombinierbaren Modulen besteht.
Durch diese Modularität wird mit Vorteil erreicht, daß die Ätzvorrichtung an die Optimierung einer Vielzahl von Produktionsprozessen angepaßt werden kann.
Die Verfahrensaufgabe der vorliegenden Erfindung wird dadurch gelöst, daß unterschiedliche Ätzmittel dosiert einzeln und in Kombination zugeführt werden. Diese Vorgehensweise erlaubt die vorteilhafte Variation unterschiedlicher Ätzmittel zur Optimierung von Produktionsprozessen.
Die Verfahrensaufgabe wird weiterhin dadurch gelöst, daß die Ätzmittel die zu ätzende Präzisionsoberfläche in tangentialer Weise anströmen, wodurch vorteilhaft erreicht wird, daß das Ätzmittel ständig in durchmischender Bewegung verbleibt. Dies hat zur Folge, daß die zu ätzende Oberfläche ständig in Kontakt mit frischem Ätzmittel steht, und es nicht zur Ausbildung von stabilen Grenzschichten mit verbrauchtem Ätzmittel kommt. Anhand dieser Anordnung ist gleichzeitig die Wirkung der Ausbildung von Grenzschichten auf den Produktionsprozeß ermittelbar.
Vorteilhafterweise wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Einwirkzeit unterschiedlicher Ätzmittel unabhängig voneinander variiert, so daß der Parameter der Prozeßdauer optimiert werden kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren sieht vorteilhafter Weise vor, daß zwischen Ätzphasen Spülphasen erfolgen. Dieses Verfahren stellt sicher, daß die Wirkung eines Ätzmittels exakt von dem eines anderen unterschieden werden kann.
Dadurch, daß das Spülen mit deionisiertem Wasser und/oder mit nichtaromatischen Alkoholen mit C-Kettenlängen < 6 erfolgt, wird vorteilhafterweise die Erkennung des Endzeitpunktes einer Spülphase durch Messung des Leitfähigkeitswertes vereinfacht. Die Verwendung von Alkoholen bereitet die Trocknung vor und führt vorteilhafterweise zu einer vollständigen Entfernung eventuell auf der Oberfläche des zu ätzenden Gegenstandes verbliebener Spül- oder Ätzflüssigkeit.
Das erfindungsgemäße Verfahren sieht vor, daß die verbrauchten Ätzmittel in einem Abfallbehälter aufgefangen werden und im Anschluß in einer Neutralisationsanlage neutralisiert werden. Dieser Verfahrensschritt erleichtert vorteilhafterweise die Handhabung der erfindungsgemäßen Ätzvorrichtung und erhöht die Sicherheit im Umgang mit ihr.
Das erfindungsgemäße Verfahren sieht weiterhin vor, daß das während des Ätzprozesses entstehende gasförmige SiF₄ aus dem Gasraum der Reaktionskammer mittels Stickstoffspülung entfernt und in eine Neutralisationseinrichtung geleitet wird. Neben der damit verbundenen, und schon erwähnten Erhöhung der Sicherheit der erfindungsgemäßen Ätzvorrichtung, wird so vorteilhafterweise ein Partialdruckgradient zwischen gelöstem und gasförmigem SiF₄ erzeugt, der die Menge an gelöstem SiF₄-Gas weiter reduziert und so die Reproduzierbarkeit der Produktionsprozesse mit Vorteil weiter erhöht.
Schließlich sieht das erfindungsgemäße Verfahren vor, daß der Ätzprozeß bei unterschiedlichen Temperaturen erfolgt, wodurch vorteilhafterweise die Wirkung eines Ätzmittels erhöht wird.
In Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist vorgesehen, daß der Ätzprozeß unter Zufuhr von elektrischer Energie und/oder Lichtenergie erfolgt. Dieser Verfahrensschritt ermöglicht mit Vorteil den Einsatz der Ätzvorrichtung zur Prozeßoptimierung und Produktentwicklung von MEMS-Bauteilen und/oder porösem Silizium.
Die Erfindung wird in einer bevorzugten Ausführungsform unter Bezugnahme auf eine Zeichnung beschrieben, wobei weitere vorteilhafte Einzelheiten der Zeichnung zu entnehmen sind. Funktionsmäßig gleiche Teile sind dabei mit denselben Bezugszeichen versehen.
Die selbsterklärende Zeichnung zeigt im einzelnen in:
Fig. 1 ein Schema des Aufbaus der Ätzvorrichtung.
Fig. 1 zeigt eine Ätzvorrichtung zum Ätzen von Präzisionsoberflächen eines einzelnen Gegenstandes. Die Präzisionsoberfläche ist über einen an einem Deckel 2 angebrachten Halter 17 fixiert und taucht in einer Reaktionskammer 1 in ein Ätzmittel ein. Die Ätzvorrichtung ist dabei über eine nicht dargestellte computergesteuerte Temperaturregelung auf eine bestimmte Temperatur eingestellt, bzw. ändert ihre Temperatur nach Vorgabe eines zeitgesteuerten Temperaturprogrammes.
Während des Ätzvorganges wird das Ätzmittel durch eine nicht dargestellte Umwälzpumpe ständig in Bewegung gehalten, wobei das Ätzmittel über unterschiedlich orientierte Zulauf-Düsen 6 am Boden der Reaktionskammer 1 austritt. Dadurch wird eine ständige Bewegung des Ätzmittels erzielt, die durch die Ultraschalleinrichtung 12 verstärkt wird. Die ständige Bewegung trägt dazu bei, die bei den Ätzprozessen entstehenden Gase aus dem Ätzmittel auszutragen. Die so ausgetragenen Gase sammeln sich im Gasraum über dem Ätzmittel. Dort werden sie durch einen über einen Gaseinlaß 13 eintretenden und über einen Gasauslaß 14 austretenden Gasstrom entfernt. Der austretende Gasstrom wird in eine Neutralisationseinheit 21 geleitet und kann so sicher entsorgt werden.
Bestimmte Parameter des Ätzmittels wie zum Beispiel der pH-Wert werden ständig mittels eines Meßwertaufnehmers 16, beispielsweise einer pH-Elektrode, aufgenommen und zur Auswertung und Überwachung an einen nicht dargestellten Computer übermittelt. Dieser ist mit entsprechender Software ausgestattet, beispielsweise Lab View Software, die neben einer Überwachungs- und Auswertefunktion auch die freie Programmierbarkeit von Prozeßabläufen ermöglicht. Sinkt der pH-Wert im Verlauf eines Ätzprozesses unter einen, von Ätzmittel abhängigen voreingestellten Wert, öffnet das von der Software gesteuerte Ventil 9 und frisches Ätzmittel wird über die Pumpe 10 aus einem nicht dargestellten Vorratsbehälter über eine Zuleitung 8 und einen Anschluß 7 in das Innere der Reaktionskammer 1 gefördert. Das verbrauchte Ätzmittel wird aus der Kammer verdrängt und gelangt über Auslaß 5 und einen Abfallbehälter 19 in eine Neutralisationsanlage 20. Erreicht der pH-Wert nach Zufuhr von frischem Ätzmittel einen voreingestellten Wert, wird die Zufuhr gestoppt. Ein gewünschter schneller Ablaß des Ätzmittels erfolgt über das am Boden der Reaktionskammer 1 angebrachte Ablaßventil 11. Der langsamere Austausch eines Ätzmittels gegen ein anderes, bzw. die Zwischenschaltung einer Spülphase erfolgen ebenfalls softwaregesteuert und meßwertabhängig über das Ätzmittel-Modul 22. Bei diesem Vorgang wird das alte Ätzmittel durch die neu geförderte Spülsubstanz oder das neue Ätzmittel solange verdrängt, bis zum Beispiel der pH-Wert oder der Leitfähigkeitswert der Lösung einen bestimmten voreingestellten Wert erreichen. Am Ende eines Prozeßschrittes wird die Reaktionskammer 1 mit deionisiertem Wasser in gleicher Weise gespült. Die nach dem Prozeßschritt erhaltenen Strukturen auf der Präzisionsoberfläche werden mittels eines nicht dargestellten Mikroskops durch das Fenster 3 des Deckels 2 oder wahlweise über ein in die Reaktionskammer 1 eingeführtes Endoskop überprüft. Am Ende eines oder mehrerer Prozeßschritte werden die Präzisionsoberflächen mit Propanol gespült, so daß die Präzisionsoberflächen zur Trocknung vorbereitet wird.
Zur Weiterentwicklung von Prozessen der Herstellung von porösem Silizium oder MEMS-Bauteilen, bzw. zur Produktentwicklung auf diesem Gebiet, wird der Halter 17 gegen eine elektrochemische Zelle 18 ausgetauscht, die entsprechend vorbereitet wurde. Der naßchemische Ätzprozeß wird in diesem Fall zusätzlich unter Zufuhr von elektrischer Energie und/oder Lichtenergie ausgeführt. BEZUGSZEICHENLISTE 1 Reaktionskammer
2 Deckel
3 Sichtfester
4 Zulauf
5 Ablauf
6 Zulauf-Düsen
7 Anschluß
8 Zugang
9 Ventil
10 Pumpe
11 Ablaßventil
12 Ultraschalleinrichtung
13 Gaseinlaß
14 Gasauslaß
15 gasdichte Öffnung
16 Meßwertaufnehmer/Elektrode
17 Halter
18 elektrochemische Zelle
19 Abfallbehälter
20 Neutralisationsanlage
21 Neutralisationseinrichtung
22 Modul

Claims

1. Ätzvorrichtung zur nasschemischen Ätzung von Präzisionsoberflächen, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus einer Reaktionskammer (1) zur Aufnahme und Bearbeitung eines einzelnen Gegenstandes besteht.

2. Ätzvorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (1) an ihrer Oberseite durch einen verriegelbaren Deckel (2) mit Sichtfenster (3) abschließbar ausgebildet ist.

3. Ätzvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (1) einen Zulauf (4) sowie einen Ablauf (5) für Ätzmittel besitzt, wobei Zulauf (4) und Ablauf (5) räumlich weitestmöglich voneinander getrennt angebracht sind.

4. Ätzvorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Zulauf (4) im Reaktionskammerinneren als zentral an der Bodenfläche angeordnete und zu dieser senkrechte Winkel bildende, nach oben zeigende Zulaufdüsen (6) sowie als tangential zur Reaktionskammerwand angeordnete Zulaufdüsen (6) ausgebildet ist.

5. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Zulauf (4) weiterhin aus einem an der Außenseite der Reaktionskammerwand angebrachtem Anschluss (7) besteht, bei dem mindestens zwei separate Zugänge (8) zu einem Zulauf (4) zusammengeführt sind.

6. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zugänge (8) durch Ventile (9) abschließbar sind.

7. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Pumpe (10) an jedem Zugang (8) vorgesehen ist.

8. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktionskammer (1) ein Ablassventil (11) an der Bodenfläche aufweist.

9. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (1) eine Ultraschalleinrichtung (12) aufweist.

10. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktionskammer (1) am oberen Abschnitt ihrer Seitenwand einen Gaseinlaß (13) und einen Gasauslaß (14) am oberen Rand der gegenüberliegenden Seitenwand aufweist.

11. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie mindestens eine gasdicht ausgebildete Öffnung (15) aufweist.

12. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass durch mindestens eine gasdicht ausgebildete Öffnung (15) mindestens ein Meßwertaufnehmer/Elektrode (16) in die Reaktionskammer (1) geführt ist.

13. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Messwertaufnehmer (16) eine pH-Elektrode, und/oder eine Leitfähigkeitselektrode und/oder ein Temperaturfühler und/oder ein Mikroskop und/oder ein Durchflußsensor ist.

14. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie temperierbar ausgebildet ist.

15. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen auf der Deckelinnenseite angebrachten horizontalen Halter (17) für eine zu ätzende Oberfläche, insbesondere die Oberfläche eines sogenannten Wafers von bis zu 300 mm Durchmesser, aufweist.

16. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Deckelinnenseite eine an sich bekannte elektrochemische Zelle (18) angebracht ist, wobei deren Deckel durch die mit zwei O- Ringen dichtschlüssig gegen die Zelle ausgebildete, zu bearbeitende Oberfläche gebildet ist, und die Zelle mit einer K₂SO₄-Lösung gefüllt ist, und die Zelle eine Pt-Elektrode und einen lichtdurchlässigen Abschnitt in der Wandung aufweist.

17. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein rechnergestütztes Programm Meßwerte erfaßt und auswertet sowie zeitabhängige Vorgänge veränderbar steuert.

18. Ätzvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie aus kombinierbaren Modulen (22) besteht.

19. Verfahren zur Ätzung von Präzisionsoberflächen, dadurch gekennzeichnet, dass unterschiedliche Ätzmittel dosiert einzeln und inh Kombination zugeführt werden.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzmittel die zu ätzende Präzisionsoberfläche in tangentialer Weise anströmen.

21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Einwirkzeit unterschiedlicher Ätzmittel unabhängig voneinander variiert wird.

22. Verfahren nach Anspruch 19, 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Ätzphasen Spülphasen erfolgen.

23. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das Spülen mit deionisiertem Wasser und/oder mit nichtaromatischen Alkoholen mit C-Kettenlängen < 6 erfolgt.

24. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die verbrauchten Ätzmittel in einem Abfallbehälter (19) aufgefangen werden und im Anschluß in einer Neutralisationsanlage (20) neutralisiert Werden.

25. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass das während des Ätzprozesses entstehende gasförmige SiF₄ aus dem Gasraum der Reaktionskammer mittels Stickstoffspülung entfernt und in eine Neutralisationseinrichtung (21) geleitet wird.

26. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzprozeß bei unterschiedlichen Temperaturen erfolgt.

27. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzprozeß unter Zufuhr von elektrischer Energie erfolgt.

28. Verfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzprozeß unter Zufuhr von Lichtenergie erfolgt.