DE3228292A1 - Einrichtung zum platieren der oberflaeche eines metallstreifens - Google Patents
Einrichtung zum platieren der oberflaeche eines metallstreifensInfo
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Description
■". : ; -;22c292
Dia Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zum Platien-n der Oberfläche eines Metallstreifens. Es handelt
sich dabei um das selektive Platieren von Flächenteilen eines for ι laufenden Metallstreifens.
Bei den fortlaufenden Metallstreifen, auf deren Platierung such die Erfindung bezieht, handelt es sich .
insbesondere· um l.eitungsrahmen, wie sie bei der Herstellung von paketförmigen integrierten Schaltungen benutzt
werden.
Dabei werden ausgewählte Flächenbereiche von Leitungsrahmen paketförmiger integrierter Schaltungen platiert,
um bestimmte elektrische und mechanische Eigenschaften
zu erhalten. Z.B. werden die exponierten Leitungen von Halbleiterpaketen mit einem Zinn-Bleilötmaterial platiert,
um die exponierten Leitungen gegen Korrosion zu schützen und die elektrischen Eigenschaften späterer Anschlüsse
an die Leitungen zu verbessern. Bisher war es üblich, die Anschlußleitungen von Halbleiterpaketen in ein Bad geschmolzenen
Lötmaterials zu tauchen, um die Leitungen mit einem Lötmateria]überzug zu versehen. Ein solches Tauchverfahren
ist jedoch zeitraubend und ergibt eine unerwünscht dicke Lötmaterialschicht, die häufig dicker ist als 1 mil
bzw. 25,4 ,um, auf den Paketanschlußleitungen. Eine solche
Dicke ist viol größer als erforderlich zur Herstellung der Verbindung sowie zum Korrosionsschutz und ist häufig nicht
so gleichmäßig wie erwünscht wäre. Auch kann die Hitze aus dem geschmolzenen Lötmaterial Fehler einer integrierten
■-Ä- —"
6
6
Schaltung in dem Paket oder der Verbindung zwischen den
Metalleitungen und einer Kunststoffumkapselung der integrierten
Schaltung verursachen.
Das zur Aufnahme von Plättchen dienende Kissen
kann punktweise mit einem Edelmetall platiert sein.
Die punktweise Plattierung ist eine Art selektiver PIatierung.
Bei Punktpiatiereinrichtungen enthält die Anode ein Paar in ein Elektrolyt-Platierbad, welches das Piatiermaterial
enthält, eingetauchte Drähte. Die Badflüssigkeit wird durch verhältnismäßig kleine Düsen gegen die
Oberfläche des Plättchenkissens getrieben. Es kann zwar mittels Verwendung eines Punktplattierverfahrens ein
gleichmäßiger und steuerbarer Niederschlag erhalten werden. Die selektive Platierung großer Flächen unter Verwendung
des üblichen Punktplatierungsverfahrens ergibt jedoch
unstabile elektrolytische Bäder, die ständig mit Platiermaterial nachgefüllt werden müssen, was zeitraubend und
unwirtschaftlich ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine raschere und wirtschaftlichere Platierung möglich zu machen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Kombination
der in dem Patentanspruch 1 genannten Merkmale gelöst. Es sind eine Vorrichtung zur Bereitstellung einer
verbrauchbaren Anode, eine Exponiervorrichtung für einen oder mehrere ausgewählte Flächenteile der Oberfläche eines
Leiterrahmens, eine Einrichtung zum Zuführen eines Elektrolyten zwischen die vorbrauchbare Anode und den exponierten
Flächenteil des Leiterrahmens und eine Einrichtung zum Durchloiten eines elektrischen Stroms durch den Elektrolyten
zwischen der verbrauchbaren Anode und dem Leiterrahmen vorgesehen.
Bei einer alternativen Ausfuhrungsform der Erfindung
kann auch eine genau gleiche Einrichtung zum gleichzeitigen Piatieren beider Seiten eines Leiterrahmens verwendet
werden.
Bei der Einrichtung gemäß der Erfindung kann die Vorrichtung zum Exponieren eines oder mehrerer ausgewählter
Flächenteile des Leiterrahmens einen doppelwandigen Maskierapparat mit einem Paar in einem Abstand voneinander angeordneter
Wandungen umfassen. In einer dieser Wandungen, angrenzend an den Leiterrahmen, können eine oder mehrere
Öffnungen zum Exponieren einer entsprechenden Zahl ausgewählter Flächenteile des Leiterrahmens vorgesehen sein.
In der anderen Wandung können mehrere Öffnungen zum Ermöglichen einer Strömung von Elektrolytflüssigkeit zwischen
dem verbrauchbaren Anodenmaterial und dem Leiterrahmen vorgesehen sein.
Praktisch wird Elektrolytflüssigkeit zum Fließen
zwischen den Wandungen des doppelwandigen Maskierapparates gebracht. Wenn die Elektrolytflüssigkeit die öffnungen
in den Wandungen erreicht, strömt sie seitlich durch die Öffnungen zu dem Leiterrahmen und durch das verbrauchbare
Anodenmaterial. Um eine gleichmäßige Platierung der aus-
gewählten Flächenteile des Leiterrahmens zu gewährleisten,
sind auch Mittel zur Erzeugung von Turbulenz in der Nachbarschaft des Leiterrahmens vorgesehen, wie z.B. durch
entsprechend gestaltete und angeordnete Leitkörper oder Leitflächen.
Wenn die Elektrolytflüssigkeit aus dem Zwischenraum der Wände des Maskierungsapparates einerseits und des
verbrauchbaren Anodenmaterials andererseits abgegeben wird, fließt sie in einen Sumpf, von wo aus sie erneut durch
den Apparat umlaufen kann.
Bei Systemen mit zwei Maskierungsapparaten zur gleichzeitigen Platierung entgegengesetzter Seiten des Leiterrahmens
ist auch eine Einrichtung zum Einstellen der Lage eines der Maskierungsapparate gegenüber dem anderen
vorgesehen, um die Relativlage der Platierung auf den sich gegenüberliegenden Seiten des Leiterrahmens steuern
zu können.
Es wurde gefunden, daß aufgrund der Erfindung kontinuierlich eine selektive Großflächenplatierung über längere
Zeitspannen ausgeführt werden kann, ohne daß eine unerwünschte Erschöpfung der Platierungsbades eintritt,
und daß dabei ausgezeichnete Platierungsergebnisse erzielt
werden.
Im folgenden ist die Erfindung anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigen
Fig. 1 einen Teil eines fortlaufenden Metallstreifens
von Leiterrahmen mit einem Muster von jeweils
vierzehn Anschlüssen, wie sie bei der Herstellung von Halbleiterpaketen benutzt werden können;
Fig. 2 eine vergrößerte Darstellung zweier
solcher Leiterrahmenmuster mit vierzehn Stiften, wie in Fig. 1 dargestellt;
Fig. 3 zeigt perspektivisch einen Apparat
zur selektiven Platierung mit zwei Masken und verbrauchbarer Anode gemäß der Erfindung;
Fig. 3A ist ein Querschnitt mit Blickrichtung
auf die Ebene 3A-3A von Fig. 3;
Fig. 4 ist eine perspektivische Darstellung
einer der Masken des Apparates von Fig. 3;
Fig. 5 ist ein Querschnitt mit Blickrichtung
auf die Ebene 5-5 von Fig. 4.
In Fig. 1 ist ein Teil eines fortlaufenden Streifens 1 mit Leiterrahmen gezeigt. In jeweils einem Leiterrahmen
sind Indexschienen 2 und 3 an der Seitenkante vorhanden. In den Indexschienen 2 und 3 sind Indexlöcher 4 bzw. 5
vorgesehen. Zwischen den Schienen 2 und 3 sind mehrere Leiterrahmenmuster 6A, 6B, 6C, 6D, 6E usw. mit je vierzehn
Stiften oder Anschlüssen vorhanden. Die gezeigten Leiterrahmenmuster mit vierzehn Stiften sollen hier nur
typische Leiterrahmenmuster veranschaulichen. Es können auch andere Leiterrahmenmuster mit mehr oder weniger Leitungen
zur Herstellung von Halbleiterpaketen benutzt werden. Der Deutlichkeit halber ist eine vergrößerte Ansicht der
Leiterrahmenmuster 6C und 6D in Fig. 2 gezeigt.
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10
Wie Fig. 2 zeigt, sind in jedem der Leiterrahmenmuster
6C und 6D Kissen 10 zur Aufnahme von Halbleiterplättchen vorgesehen. Von jeweils einem Kissen 10 aus
erstrecken sich mehrere, in diesem Fall vierzehn, innere · Leiter 11. Von den inneren Leitern 11 aus erstrecken sich
wiederum mehrere, in diesem Fall vierzehn, äußere Leiter 12. Die Leiter 11 und 12 sind unterteilt,und zwar befinden
sich sieben auf der einen und sieben auf der entgegengesetzten Seite des Plättchenaufnahmekissens 10.
Die äußeren Leiter 12 zweier benachbarter Leiterrauster, die sich durch ihre Bezifferung unterscheiden,
sind gemäß der Erfindung mit einer Zinn-Blei-Legierung jeweils in dem durch gestrichelte Linien umgrenzten Bereich
13 versehen.
Die Fig. 3, 3A, 4 und 5 zeigen eine kasten- oder quaderförmige Einrichtung gemäß der Erfindung zum selektiven
Piatieren, die mit 20 bezeichnet ist. Sie enthält eine verbrauchbare. Anode und weist ein oben offenes kastenförmiges
Gehäuse 7 auf. In dem Gerät oder der Einrichtung 20 sind zwei doppelwandige Maskenanordnungen 21 und 22 vorgesehen,
die beweglich von oben in das Gehäuse 7 eingesetzt sind. Die Maskenanordnungen 21 und 22 weisen je zwei mit
Wandungen versehene Behälter 23 und 2 4 auf. Diese enthalten mehrere Tragglieder 63. Die Behälter 23 und 24 dienen
zur Aufnahme eines verbrauchbaren Anodenmaterials 18.
In den Behältern 2 3 und 24 sind zwei dauerhafte Anodenkörper
25 und 26 vorgesehen, die mit dem verbrauchbaren
Anodenmaterial in elektrischem Kontakt stehen. Die Teile 25 und 26 haben vorzugsweise die Gestalt rechteckiger
Platten und sind mit der positiven Klemme einer (nicht dargestellten) Energiequelle verbunden. Die Tragglieder
63 sorgen für einen passenden Abstand und ausreichende Druckbeständigkeit, wenn die Maskenanordnungen 21 und 22
an dem Leiterrahmen 1 geschlossen sind. Außerhalb der Behälter 23 und 24 befinden sich zwei Durchgangskanäle
27 bzw. 28 für die Elektrolytflussxgkeit. In den Kanälen 27 und 28 sind mehrere Tragglieder 64 vorgesehen. Diese
sorgen für einen passenden Abstand der Maskenanordnungen 21 und 22 und für ausreichende Druckfestigkeit, wenn die
Maskenanordnungen an dem Leiterrahmen geschlossen sind. Der Elektrolyt 8 aus einem Sumpf 9 gelangt in die
Einrichtung über zwei Elektrolytflüssigkeitsrohre 29 und 30. Aus den Rohren 29 und 30 läuft die Flüssigkeit durch
einen Verteiler 65 und mehrere Eintrittsöffnungen 66 in die Kanäle 27 und 28 der Einrichtung. Der Elektrolyt 8
aus den Kanälen 27 und 28 wird dann durch mehrere Abgabeöffnungen 67, einen Verteiler 68 und zwei Rohre 31 und
geleitet und mit Hilfe zweier Pumpen 33 bzw. 34 durch die Einrichtung zurückgeleitet. Der Leiterrahmen 1 ist während
des Platierens zwischen den Maskenanordnungen 21 und 22 festgeklemmt.
Die beiden Maskenanordnungen 21 und 22 sind genau gleich und es genügt daher nur die Maske 21 im einzelnen
anhand der Fig. 4 und 5 zu beschreiben.
Wie die Fig. 4 und 5 zeigen, sind in den Maskenanordnungen 21 und 22 zwei Wandungsteile 40 und 41 vorgesehen.
Die Wandungsteile 40 und 41 weisen mehrere Fenster 42 bzw. 43 auf. Auf der Außenfläche des Wandungsteils
40 und in der Umgebung der Fenster 42 ist ein elastisches Dichtungsmaterial 44 angebracht. Das Material
44 dient zum Abdichten der Maskenanordnung 21 gegen den Leiterrahmen. 1 gegen Flüssigkeit, um ein Herauslaufen
oder Durchsickern von Elektrolytflüssigkeit zwischen der Maske 21 und dem Leiterrahmen 1 während der Platierung
des Leiterrahmens zu verhindern.
Die Wandungsteile 40 und 41 sind durch mehrere elastische Teile 50 und 51 getrennt. Die Teile 50 und
51 ermöglichen es den Wandungsteilen 40 und 41 sich nach innen und außen zu biegen und gewährleisten dadurch einen
guten flüssigkeitsdichten Abschluß zwischen den Dichtungsflächen des Materials 44 und der Oberfläche des Leiterrahmens
1 .
Längs der Oberkante der Wand 40 sind mehrere Indexglieder
in Form von Ausschnitten 53 und 54 vorgesehen. Die Indexglieder 53 und 5 4 liefern der Bedienungsperson
eine Sichtanzeige für die Stellung der Maskenanordnung 21 relativ zu einem benachbarten Leiterrahmen.1, wenn
die Anordnung in die Piatiereinrichtung eingesetzt ist.
An entgegengesetzten Enden der Wand 40 ist in dem Dichtungsmaterial 44 ein Schlitz 60 vorgesehen. Von diesem
Schlitz 60 aus erstreckt sich wie Fig. 4 zeigt eine
Druckentlastungsöffnung 61 nach oben. Der Schlitz 60 und die Druckentlastungsöffnung 61 sind vorgesehen, um es zu
ermöglichen, daß das Material 44 während des flüssigkeitsdichten
Abschließens des Materials 44 gegen den Leiterrahmen 1 zusammengedrückt werden kann, ohne daß eine entsprechende
Verzerrung des Materials in der Umgebung des benachbarten Fensters 42 auftritt.
An den entgegengesetzten Enden der Maskenanordnung 21 ist eine Einstellschraube 70 beweglich in einer Wand des
Gehäuses 7 montiert. Die Einstellschraube 70 dient zum Einstellen der Lage der Maskenanordnung 21 relativ zum Gehäuse
7und relativ zu der Maskenanordnung 22, wenn die Maskenanordnungen 21 und 22 in das Gehäuse 7 eingesetzt
werden. Diese Einstellung wird erleichtert durch die Indexglieder
53 und 54.
Quer über jedes der Fenster 43 ist ein Ablenkflächenkörper
80 vorgesehen, der sich etwa halb in den Raum zwischen den Wandungsteilen 40 und 41 erstreckt. Wie Fig. 3
erkennen läßt, hat der Ablenkflächenkörper 8O einen etwa
reckteckigen Querschnitt mit einem spitz zulaufenden Ende.
Wie die Fig. 3 und 3A erkennen lassen, sind die Maskenanordnung 22 und die zu ihr gehörenden Teile beweglich auf
einer beweglichen Unterlage 90 angeordnet. Die Unterlage ist mit einer schwenkbaren GelenkanOrdnung 91 versehen.
Das Schwenkgelenk 91 oder eine funktionell gleichwertige Anordnung wie z.B. eine Gleitbahn dient dazu, die Maskenanordnung
22 von dem Leiterrahmen 1 und der Maskenanordnung
21 wegzubewegen, um den Leiterrahmen dazwischen auf eine Teilmarke einzustellen (Index)- Diese Einstellung
des Leiterrahmens 1 zwischen den Maskenanordnungen 21 und 22 ist erforderlich, um die Leiterrahmenmuster 6a,
6b usw. nacheinander"platieren zu können.
Beim Betrieb wird der Leiterrahmen 1 zwischen die Maskenanordnungen 21 und 22 eingesetzt. Wenn der Leiterrahmen
1 zwischen diesen eingesetzt ist, wird die Maskenanordnung 22 in eine flüssigkeitsdichte Lage gegen den
Leiterrahmen 1 bewegt. Nachdem die Maskenanordnungen 21 und 22 in eine solche Lage gebracht worden sind und
flüssigkeitsdicht gegen den Leiterrahmen 1 anliegen, wird elektrische Energie an die dauerhaften Anoden 25 und 26
angelegt. Während dieser Zeit wird elektrolytische Flüssigkeit ständig durch die Rohre 29 und 30 gepumpt. Die negative
Klemme der Energiequelle wird in üblicher Weise mit dem Leiterrahmen verbunden. Wenn die Flüssigkeit aus dem
inneren Ende der Rohre 29 und 30 abgegeben wird, fließt sie zwischen den Wänden 40 und 41 der Maskenanordnungen
21 bzw. 22 nach oben. Sobald die Flüssigkeit auf die Leitflächenkörper 80 trifft, entsteht eine Turbulenz,
was zur Folge hat, daß die Flüssigkeit durch die Fenster 42 und 43 hindurch abgelenkt wird.
Sobald der durch die Fenster 42 exponiorte Flächenbereich
des Leiterrahmens und das verbrauchbare Anodenmaterial 18 durch dir Elektrolytflüssigkeit 8 befeuchtet
ist, beginnt der Platierungsprozeß, wobei Ionen des ver-
brauchbaren Anodenmaterials 18 aufgelöst und bereits in
Lösung befindliche Ionen auf der jeweiligen exponierten Fläche des Leiterrahmens 1 abgelagert oder niedergeschlagen
werden.
Sobald ein kontinuierlicher Fluß von Elektrolytflüssigkeit 8 zwischen den Wänden 40 und 41 und durch
das verbrauchbare Anodenmaterial 18 stattfindet, fließt überschüssige Flüssigkeit über die inneren Wände der
Sammelbehälter 27, 28 und gelangt durch die Abflußrohre 31 bzw. 32 zu den Pumpen 33 und 34 zurück.
Nach einer vorbestimmten, durch die erforderliche Dicke des Platierungsmaterials auf dem Leiterrahmen 1
bestimmten Zeit wird die elektrische Energie abgeschaltet. Die Maskenanordnung 22 und die dazugehörigen Teile
werden von der Maskenanordnung 21 und dem Leiterrahmen 1 um die Achsen der Gelenkanordnung 91 abgeschwenkt. Sobald
auf diese Weise genügend freies Spiel geschaffen ist, wird der Leiterrahmen 1 zur Platierung eines anderen
Satzes des Leiterrahmenmusters 6a, 6b usw. weiterbewegt.
Danach werden die Maskenanordnung 22 und die dazugehörigen
Teile wiederum durch eine entsprechende Bewegung zur flüssigkeitsdichten Anlage an dem Leiterrahmen 1 gebracht
und der vorher beschriebene Platierungsprozeß wird wiederholt.
Zu geeigneten Zeitpunkten während des Platierungsprozesses werden Messungen vorgenommen, um die Genauigkeit
der räumlichen Lage des Platierungsmaterials auf dem Leiter-
rahmen 1 zu bestimmen und, falls erforderlich, die Masken
21 oder 22 mittels der Einstellschraube 70 nachgestellt, um die Platierungsflächenbereiche auf dem Leiterrahmen in
die richtige Lage zu bringen. Außerdem wird von Zeit zu Zeit zusätzliches Anodenmaterial 18 als ein sogenannter
"Schuß" in die Behälter 23 und 2 4 eingegeben, um das verbrauchte Material aufzufüllen.
Die vorstehend beschriebene Einrichtung ist eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung, jedoch sind verschiedene
Abwandlungen und Veränderungen möglich, ohne daß das erfinderische Konzept verlassen wird. Z.B. können
- wenngleich hier ein Leiterrahmen mit nur einer Reihe von Leitermustern mit vierzehn Anschlüssen dargestellt
und beschrieben sind - auch beispielsweise Doppelleiterrahmen vorgesehen werden, bei denen Leiternmster mit je
vierzehn Anschlüssen nebeneinander auf einem Streifen vorhanden sind, so daß ein Leiterrahmen von der zweifachen
Breite des in der Zeichnung Dargestellten gebildet wird. Die beschriebene Einrichtung kann dementsprechend abgewandelt
und dem Doppelleiterrahmenstreifen angepaßt werden.
In solch einem Falle werden die Maskenanordnungen 21 und 22 mit zwei Reihen von Fenstern übereinander statt
mit nur einer Fensterreihe in den Wänden 40 und 41, wie in den Fig. 3 bis 5 gezeigt, ausgerüstet. Zusätzlich zu
der Möglichkeit der Vermehrung der Zahl gleichzeitig zu platierender Flächen auf einer Seite eines Einzel- oder
Dualleiterrahmens wird auch die Möglichkeit in Betracht
gezogen, die Größe der ausgewählten Flächenbereiche zu verändern, um sie einem bestimmten Anwendungsfall anzupassen.
Die Flächenbereiche können auch unterschiedliche Größe untereinander aufweisen. Ferner kann die Platierungseiηrichtung
zur Platierung jeglicher Art von Metallstreifen und zur Verwendung anderen Platierungsmaterials
dienen. Ihre Anwendbarkeit ist auch nicht auf Leiterrahmen oder auf Zinn-Blei-Platierungsmaterial beschränkt.
Es wird ferner die Möglichkeit in Betracht gezogen, daß, während eine Zinn-Blei-Legierung als hier bei der Verwirklichung
der Erfindung verwendetes Platierungsmaterial beschrieben ist, auch andere Arten verbrauchbaren Anodenmaterials
verwendet werden können. In solchen Fällen wird es erforderlich, entsprechend verträgliche Elektrolytflüssigkeiten
und entsprechende dauerhafte Anoden 25 und 26 anzuwenden. Da außerdem noch weitere Abwandlungen und Veränderungen
der als Beispiel beschriebenen Ausführungsformen, für den Fachmann erkennbar, vorkommen können, soll
der Schutzbereich der Erfindung nicht auf die beschriebenen und angeregten Ausführungsmöglichkeiten begrenzt sein.
Er soll vielmehr durch die beanspruchten Merkmale sowie deren Äquivalente bestimmt werden.
Claims (14)
- DIP L.-ING. J. RICHTER PATENTANWÄLTEDIPL.- ING. F. WERDERMANNZÜGEL. VERTRETER BEIM EPA ■ PROFESSIONAL REPRESENTATIVES BEFORE EPO · MANDATAIRES AGR£ES PRES LOEB2OOO HAMBURG 36 28. JULI 1982NEUER WALL1O■J3;· (O 4O) 34 OO 45/34 OO 56TELESRAMME; INVENTIUS HAMBURGTELEX 2163 551 INTU DUNSER ZEICHENiOUR FILE J^ ^ β 2 3 33Wditi/WaAnmelder:National Semiconductor Corporation, 2900 Semiconductor Drive, Santa Clara, Kalif. 95 051 (V.St.A.)Einrichtung zum Piatieren der Oberfläche eines Metallstreifens.Patentansprüche:Ί· Einrichtung zum Piatieren der Oberfläche eines Metallstreifens, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zur Bereitstellung eines verbrauchbaren Anodenmaterials,eine Vorrichtung, die dazu dient, einen oder mehrere ausgewählte Oberflächenbereiche des Metallstreifens dem Zutritt eines Elektrolyten zu exponieren, der sich zwischen dem verbrauchbaren Anodenmaterial und dem Metallstreifen befindet undeine Vorrichtung, die dazu dient, elektrischen Strom durch den Elektrolyten zwischen dem verbrauchbaren Anodenmaterial und dem Metallstreifen hindurchzuleiten.
- 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Bereitstellungsvorrichtung einen Durchgangskanal für die Strömung des Elektrolyten zwischen dem in ihr enthaltenen verbrauchbaren Anodenmaterial und dem Metallstreifen sowie einen Anschluß zur Verbindung einer elektrischen Energiequelle mit dem Anodenmaterial aufweist.
- 3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschluß an die elektrische Energiequelle ein im Innern der Bereitstellungsvorrichtung angeordnetes elektrisch leitendes Teil zur Herstellung des Kontakts mit dem verbrauchbaren Anodenmaterial aufweist.
- 4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrisch leitende Teil aus einem Material besteht, das bei Anwesenheit des Elektrolyten relativ langsam im Vergleich zur Zerfallsrate des verbrauchbaren Anodenmaterials zerfällt.
- 5. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Exponiervorrichtung aus einer Öffnung und einer diese umgebenden Vorrichtung zum Verhindern einer Strömung des Elektrolyten zwischen der Exponiervorrichtung und der Oberfläche des Metallstreifens während des Platierens des Metallstreifens besteht.
- 6. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Exponieren zwei in einem Abstand voneinander angeordnete Wandungsteile, eine erste, im ausgewählten Bereich auf der Oberflächedes Metallstreifens zugeordnete Öffnung in dem einen Wandungsteil zur Exponierung des ausgewählten Bereichs gegenüber dem Elektrolyten und eine zweite öffnung in dem anderen Wandungsteil zur Bildung eines Flüssigkeitsdurchgangs für den Elektrolyten zwischen der das verbrauchbare Anodenmaterial enthaltenden Vorrichtung und der ersten öffnung aufweist.
- 7. Einrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zur elastisch nachgiebigen Trennung der Wandungsteile.
- 8. Einrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung, die dazu dient, den Elektrolyten zwischen den Wandungsteilen und durch die erste und zweite Öffnung fließen zu lassen.
- 9. Einrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zum Verursachen einer Turbulenz in der durch die erste Öffnung fließenden Elektrolytströmung .
- 10. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ausgewählte Bereich auf der Oberfläche des Metallstreifens ausgewählte Teile auf entgegengesetzten Seiten des Metallstreifens aufweist, daß die Exponiervorrichtung eine erste und eine zweite Vorrichtung zum Exponieren der ausgewählten Bereiche auf entgegengesetzten Seiten des Metallstreifens gegenüber dem Elektrolyten umfaßt,
daß die Vorrichtung zur Bereitstellung des verbrauchbarenAnodenmaterials eine erste und eine zweite Teilvorrichtung zur Bereitstellung eines verbrauchbaren Anodenmaterials in der Nähe der Exponiervorrichtungen auf beiden Seiten des Metallstreifens umfaßt und daß die Vorrichtung zur Zuführung elektrischen Stromes aus einem ersten und einem zweiten Vorrichtungsteil zur Leitung eines Stromes durch den Elektrolyten zwischen dem verbrauchbaren Anodenmaterial auf jeder Seite des Metallstreifens einerseits und dem Metallstreifen andererseits besteht. - 11. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Metallvorrichtung eine Vorrichtung zum lösbaren Einsetzen des Metallstreifens zwischen die erste und die zweite Exponiervorrichtung aufweist.
- 12. Einrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Einsetzen Mittel zur Trennung der ersten und zweiten Exponiervorrichtung umfaßt.
- 13. Einrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennvorrichtung MittGl zum Schwenken der ersten und/oder der zweiten Exponiervorrichtung gegenüber den jeweils anderen Exponiervorrichtunqen aufweist.
- 14. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Exponiervorrichtung eine Einrichtung zur Bewegung der einen und/oder der anderen Exponiervorrichtung gegenüber der jeweils anderen zwecks Einstellung der Lage der Plabierung auf den sich gegenüberliegenden Seiten des Metall Streifens aufweist.
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---|---|---|---|
DE19823228292 Granted DE3228292A1 (de) | 1981-07-30 | 1982-07-29 | Einrichtung zum platieren der oberflaeche eines metallstreifens |
Country Status (3)
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---|---|
US (1) | US4378283A (de) |
JP (1) | JPS5871388A (de) |
DE (1) | DE3228292A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3937926A1 (de) * | 1989-11-15 | 1991-05-16 | Schering Ag | Vorrichtung zum abblenden von feldlinien in einer galvanikanlage |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60255992A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 部分メツキ装置 |
US4582583A (en) * | 1984-12-07 | 1986-04-15 | National Semiconductor Corporation | Continuous stripe plating apparatus |
US5114557A (en) * | 1991-02-20 | 1992-05-19 | Tooltek Engineering Corp. | Selective plating apparatus with optical alignment sensor |
US6099712A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-08 | Semitool, Inc. | Semiconductor plating bowl and method using anode shield |
US6921468B2 (en) * | 1997-09-30 | 2005-07-26 | Semitool, Inc. | Electroplating system having auxiliary electrode exterior to main reactor chamber for contact cleaning operations |
AU5907798A (en) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Semitool, Inc. | Electroplating system having auxiliary electrode exterior to main reactor chamber for contact cleaning operations |
US6565729B2 (en) * | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
TWI223678B (en) * | 1998-03-20 | 2004-11-11 | Semitool Inc | Process for applying a metal structure to a workpiece, the treated workpiece and a solution for electroplating copper |
US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6368475B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-09 | Semitool, Inc. | Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7351315B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
EP1194613A4 (de) * | 1999-04-13 | 2006-08-23 | Semitool Inc | Bearbeitungsvorrichtung und bearbeitungskammer mit verbessertem fluss von prozessfluiden |
US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US7585398B2 (en) * | 1999-04-13 | 2009-09-08 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US7351314B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-04-01 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
WO2001090434A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-29 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
EP1481114A4 (de) | 2001-08-31 | 2005-06-22 | Semitool Inc | Vorrichtung und verfahren zur elektrochemischen verarbeitung von mikroelektronischen werkstücken |
US7247223B2 (en) * | 2002-05-29 | 2007-07-24 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces |
DE10229001B4 (de) | 2002-06-28 | 2007-02-15 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und System zum Steuern der Ionenverteilung während des galvanischen Auftragens eines Metalls auf eine Werkstückoberfläche |
US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3723283A (en) * | 1970-12-23 | 1973-03-27 | Select Au Matic | Selective plating system |
US4029555A (en) * | 1975-05-23 | 1977-06-14 | Electroplating Engineers Of Japan, Limited | High-speed continuous plating method and apparatus therefor |
US4220506A (en) * | 1978-12-11 | 1980-09-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process for plating solder |
US4224117A (en) * | 1979-04-18 | 1980-09-23 | Western Electric Company, Inc. | Methods of and apparatus for selective plating |
-
1981
- 1981-07-30 US US06/288,590 patent/US4378283A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-07-29 DE DE19823228292 patent/DE3228292A1/de active Granted
- 1982-07-30 JP JP57133624A patent/JPS5871388A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3723283A (en) * | 1970-12-23 | 1973-03-27 | Select Au Matic | Selective plating system |
US4029555A (en) * | 1975-05-23 | 1977-06-14 | Electroplating Engineers Of Japan, Limited | High-speed continuous plating method and apparatus therefor |
US4220506A (en) * | 1978-12-11 | 1980-09-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process for plating solder |
US4224117A (en) * | 1979-04-18 | 1980-09-23 | Western Electric Company, Inc. | Methods of and apparatus for selective plating |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3937926A1 (de) * | 1989-11-15 | 1991-05-16 | Schering Ag | Vorrichtung zum abblenden von feldlinien in einer galvanikanlage |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3228292C2 (de) | 1992-12-24 |
US4378283A (en) | 1983-03-29 |
JPS5871388A (ja) | 1983-04-28 |
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