JPH05267304A - メッキ装置及びメッキ方法 - Google Patents
メッキ装置及びメッキ方法Info
- Publication number
- JPH05267304A JPH05267304A JP4061899A JP6189992A JPH05267304A JP H05267304 A JPH05267304 A JP H05267304A JP 4061899 A JP4061899 A JP 4061899A JP 6189992 A JP6189992 A JP 6189992A JP H05267304 A JPH05267304 A JP H05267304A
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- JP
- Japan
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- wafer
- plating
- nozzle
- wafers
- container
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエーハの表面に形成されている電極取り出
し用パッドの表面にメッキを施してバンプを形成するメ
ッキ装置に関し、多数のウエーハを狭い領域内において
一度にメッキ処理することが可能であり、電極取り出し
用のパッドの表面に均一な膜厚のバンプを形成すること
が可能となるメッキ装置及びメッキ方法の提供を目的と
する。 【構成】 ウエーハ７をウエーハ吸着部2aにより吸着
し、回転可能なウエーハ搭載容器２と、このウエーハ吸
着部2aにおいてこのウエーハ７に接触して通電するコン
タクタ2bと、このウエーハ搭載容器２の回転中心に設け
られており、側面に設けた噴出口3aから噴出するメッキ
液をこのウエーハ７の表面に吹きつけてメッキを行う回
転可能なノズル３と、このウエーハ搭載容器２の周囲に
設けたメッキ槽１により集めたこのメッキ液をフィルタ
４を通してこのノズル３に循環して供給するポンプ５と
を具備するように構成する。
し用パッドの表面にメッキを施してバンプを形成するメ
ッキ装置に関し、多数のウエーハを狭い領域内において
一度にメッキ処理することが可能であり、電極取り出し
用のパッドの表面に均一な膜厚のバンプを形成すること
が可能となるメッキ装置及びメッキ方法の提供を目的と
する。 【構成】 ウエーハ７をウエーハ吸着部2aにより吸着
し、回転可能なウエーハ搭載容器２と、このウエーハ吸
着部2aにおいてこのウエーハ７に接触して通電するコン
タクタ2bと、このウエーハ搭載容器２の回転中心に設け
られており、側面に設けた噴出口3aから噴出するメッキ
液をこのウエーハ７の表面に吹きつけてメッキを行う回
転可能なノズル３と、このウエーハ搭載容器２の周囲に
設けたメッキ槽１により集めたこのメッキ液をフィルタ
４を通してこのノズル３に循環して供給するポンプ５と
を具備するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエーハの表面に形成
されている電極取り出し用パッドの表面にメッキを施し
てバンプを形成するメッキ装置に関するものである。
されている電極取り出し用パッドの表面にメッキを施し
てバンプを形成するメッキ装置に関するものである。
【０００２】近年の半導体装置に対しては高集積化と高
速化が要求されており、この要求に対応してＴＡＢ、フ
リップチップ、マルチチップモジュール等の実装技術が
開発されている。
速化が要求されており、この要求に対応してＴＡＢ、フ
リップチップ、マルチチップモジュール等の実装技術が
開発されている。
【０００３】これらの実装技術には、電極取り出し用パ
ッドの表面に設けるバンプと呼ばれる突起電極を形成す
ることが必要不可欠である。このバンプは一般的にはメ
ッキによって形成され、メッキ方法にはディップ方式や
噴流方式があるが、これらの方式はメッキ膜の膜厚分布
を均一にし、多数のウエーハを一括して処理することが
困難である。
ッドの表面に設けるバンプと呼ばれる突起電極を形成す
ることが必要不可欠である。このバンプは一般的にはメ
ッキによって形成され、メッキ方法にはディップ方式や
噴流方式があるが、これらの方式はメッキ膜の膜厚分布
を均一にし、多数のウエーハを一括して処理することが
困難である。
【０００４】以上のような状況から、多数のウエーハの
電極取り出し用パッドの表面に、均一な膜厚のバンプを
形成することが可能なメッキを行うことが要望されてい
る。
電極取り出し用パッドの表面に、均一な膜厚のバンプを
形成することが可能なメッキを行うことが要望されてい
る。
【０００５】
【従来の技術】従来のメッキ方法について図４〜図５に
より詳細に説明する。図４は従来のディップ方式のメッ
キ装置及びメッキ方法を示す図、図５は従来の噴流方式
のメッキ装置及びメッキ方法を示す図である。
より詳細に説明する。図４は従来のディップ方式のメッ
キ装置及びメッキ方法を示す図、図５は従来の噴流方式
のメッキ装置及びメッキ方法を示す図である。
【０００６】従来のディップ方式のメッキ装置は図４に
示すように、メッキ槽11内のメッキ液中にウエーハ７と
アノード12とを対向させて浸漬し、メッキ用の電源13の
陰極をウエーハ７に、陽極をアノード12に接続し、電流
を流してウエーハ７の表面にメッキを施す方法である。
示すように、メッキ槽11内のメッキ液中にウエーハ７と
アノード12とを対向させて浸漬し、メッキ用の電源13の
陰極をウエーハ７に、陽極をアノード12に接続し、電流
を流してウエーハ７の表面にメッキを施す方法である。
【０００７】この方式においては、ウエーハ７の表面に
濃度の均一なメッキ液を均一に供給することと電流をウ
エーハ面内に均一に流すことが難しいので、ウエーハ７
の面内のメッキ膜厚の分布が良くない。また、ウエーハ
７の裏面もメッキされてしまうから、レジスト膜等で被
覆してメッキを行わねばならない。
濃度の均一なメッキ液を均一に供給することと電流をウ
エーハ面内に均一に流すことが難しいので、ウエーハ７
の面内のメッキ膜厚の分布が良くない。また、ウエーハ
７の裏面もメッキされてしまうから、レジスト膜等で被
覆してメッキを行わねばならない。
【０００８】このディップ方式を改良したのが図５に示
す噴流方式である。この方法では図５に示すように絶縁
物、例えば塩化ビニールからなるカップ21と称する円筒
形の台の上に、メッキする面を下向きにしてウエーハ７
を搭載し、ウエーハ７の周辺部に 120°間隔で設けたコ
ンタクタ22をウエーハ７のメッキを施す面に接触させカ
ップ21内に設けたメッシュ状のアノード25との間にメッ
キ用の電源23により電流を流し、カップ21の底部に設け
たノズル24からメッキ液をアノード25を通して噴出させ
てこのアノード25を通過したメッキ液によりウエーハ７
の表面のメッキを行っている。
す噴流方式である。この方法では図５に示すように絶縁
物、例えば塩化ビニールからなるカップ21と称する円筒
形の台の上に、メッキする面を下向きにしてウエーハ７
を搭載し、ウエーハ７の周辺部に 120°間隔で設けたコ
ンタクタ22をウエーハ７のメッキを施す面に接触させカ
ップ21内に設けたメッシュ状のアノード25との間にメッ
キ用の電源23により電流を流し、カップ21の底部に設け
たノズル24からメッキ液をアノード25を通して噴出させ
てこのアノード25を通過したメッキ液によりウエーハ７
の表面のメッキを行っている。
【０００９】この方式においては、一個のカップ21を用
いて一枚のウエーハ７のメッキを行うので、多数のウエ
ーハ７を一度に処理するのが困難であり、一度に処理す
るためには非常に広い面積が必要である。
いて一枚のウエーハ７のメッキを行うので、多数のウエ
ーハ７を一度に処理するのが困難であり、一度に処理す
るためには非常に広い面積が必要である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のデ
ィップ方式のメッキ方法においては、ウエーハのバンプ
を形成すべき面のみに、均一な膜厚のメッキを施すこと
が困難であるという問題点があり、噴流方式のメッキ方
法においては、多数のウエーハを一度に処理するのが困
難であり、一度に処理するためには非常に広い面積が必
要であるという問題点があった本発明は以上のような状
況から、多数のウエーハを狭い領域内において一度にメ
ッキ処理することが可能であり、電極取り出し用のパッ
ドの表面に均一な膜厚のバンプを形成することが可能と
なるメッキ装置及びメッキ方法の提供を目的としたもの
である。
ィップ方式のメッキ方法においては、ウエーハのバンプ
を形成すべき面のみに、均一な膜厚のメッキを施すこと
が困難であるという問題点があり、噴流方式のメッキ方
法においては、多数のウエーハを一度に処理するのが困
難であり、一度に処理するためには非常に広い面積が必
要であるという問題点があった本発明は以上のような状
況から、多数のウエーハを狭い領域内において一度にメ
ッキ処理することが可能であり、電極取り出し用のパッ
ドの表面に均一な膜厚のバンプを形成することが可能と
なるメッキ装置及びメッキ方法の提供を目的としたもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のメッキ装置は、
ウエーハをウエーハ吸着部により吸着可能なウエーハ搭
載容器と、このウエーハ吸着部においてこのウエーハに
接触して通電するコンタクタと、このウエーハ搭載容器
の回転中心に設けられており、側面に設けた噴出口から
噴出するメッキ液をこのウエーハの表面に吹きつけてメ
ッキを行うノズルと、このウエーハ搭載容器の周囲に設
けたメッキ槽により集めたこのメッキ液をフィルタを通
してこのノズルに循環して供給するポンプとを具備し、
このウエーハ搭載容器とノズルの両方或いはどちらか一
方のみが回転可能であるように構成する。
ウエーハをウエーハ吸着部により吸着可能なウエーハ搭
載容器と、このウエーハ吸着部においてこのウエーハに
接触して通電するコンタクタと、このウエーハ搭載容器
の回転中心に設けられており、側面に設けた噴出口から
噴出するメッキ液をこのウエーハの表面に吹きつけてメ
ッキを行うノズルと、このウエーハ搭載容器の周囲に設
けたメッキ槽により集めたこのメッキ液をフィルタを通
してこのノズルに循環して供給するポンプとを具備し、
このウエーハ搭載容器とノズルの両方或いはどちらか一
方のみが回転可能であるように構成する。
【００１２】本発明のメッキ方法は、上記のメッキ装置
により行うメッキ方法であって、このウエーハ吸着部に
よりこのウエーハをこのウエーハ搭載容器に搭載し、こ
のコンタクタをこのウエーハの表面に接触させる工程
と、このポンプによりこのメッキ液をこのノズルに送
り、この噴出口から噴出させてこのウエーハのメッキを
行う工程とからなるように構成する。
により行うメッキ方法であって、このウエーハ吸着部に
よりこのウエーハをこのウエーハ搭載容器に搭載し、こ
のコンタクタをこのウエーハの表面に接触させる工程
と、このポンプによりこのメッキ液をこのノズルに送
り、この噴出口から噴出させてこのウエーハのメッキを
行う工程とからなるように構成する。
【００１３】
【作用】即ち本発明においては、ウエーハ搭載容器のウ
エーハ吸着部によりウエーハをこのウエーハ搭載容器に
搭載し、ポンプによりメッキ液をノズルに送り、このノ
ズルの噴出口からメッキ液を噴出させてウエーハのメッ
キを行うので、多数のウエーハを一度に処理し、膜厚の
分布が均一なバンプを電極取り出し用パッドの表面に形
成することが可能となる。
エーハ吸着部によりウエーハをこのウエーハ搭載容器に
搭載し、ポンプによりメッキ液をノズルに送り、このノ
ズルの噴出口からメッキ液を噴出させてウエーハのメッ
キを行うので、多数のウエーハを一度に処理し、膜厚の
分布が均一なバンプを電極取り出し用パッドの表面に形
成することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下図１〜図３により本発明の一実施例につ
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例のメ
ッキ装置を示す図、図２は図１のＡ−Ａ断面を示す図、
図３は本発明による一実施例のメッキ装置のウエーハ取
り付け部の詳細を示す図である。
いて詳細に説明する。図１は本発明による一実施例のメ
ッキ装置を示す図、図２は図１のＡ−Ａ断面を示す図、
図３は本発明による一実施例のメッキ装置のウエーハ取
り付け部の詳細を示す図である。
【００１５】本発明のメッキ装置は、図１に示すように
メッキ槽１の中心に回転中心を有し、ウエーハ７をウエ
ーハ吸着部2aにより吸着して搭載可能なウエーハ搭載容
器２と、周囲にメッキ液を均等に噴出可能な噴出口3aを
備えたノズル３からなり、メッキ液はメッキ槽１内に溜
められ、下部の排液口1aからフィルタ４を介してポンプ
５により循環させてノズル３の噴出口3aから噴出させて
いる。
メッキ槽１の中心に回転中心を有し、ウエーハ７をウエ
ーハ吸着部2aにより吸着して搭載可能なウエーハ搭載容
器２と、周囲にメッキ液を均等に噴出可能な噴出口3aを
備えたノズル３からなり、メッキ液はメッキ槽１内に溜
められ、下部の排液口1aからフィルタ４を介してポンプ
５により循環させてノズル３の噴出口3aから噴出させて
いる。
【００１６】６インチ径のウエーハ７を搭載するウエー
ハ搭載容器２は一辺が20cmの八角形の回転体であり、図
１に示すように一面には３枚のウエーハ７を20cm間隔で
搭載するようにウエーハ吸着部2aが設けられている。
ハ搭載容器２は一辺が20cmの八角形の回転体であり、図
１に示すように一面には３枚のウエーハ７を20cm間隔で
搭載するようにウエーハ吸着部2aが設けられている。
【００１７】ウエーハ吸着部2aに真空吸着したウエーハ
７の表面の周辺部には図に示すようにコンタクタ2bを接
触させており、メッキ用の電源６の陽極はノズル３に、
陰極はウエーハ搭載容器２のコンタクタ2bに接続してい
る。
７の表面の周辺部には図に示すようにコンタクタ2bを接
触させており、メッキ用の電源６の陽極はノズル３に、
陰極はウエーハ搭載容器２のコンタクタ2bに接続してい
る。
【００１８】図２に示すようにノズル３には噴出口3aが
90°間隔で、ウエーハ７一枚に対して一個づつ設けられ
ており、噴出口3aからは円錐状にメッキ液が噴出するよ
うになっている。
90°間隔で、ウエーハ７一枚に対して一個づつ設けられ
ており、噴出口3aからは円錐状にメッキ液が噴出するよ
うになっている。
【００１９】本実施例のメッキ装置のウエーハ搭載容器
２及びノズル３は個々に回転可能になっており、下記の
表に示すような組み合わせで、回転或いは静止させてウ
エーハ７のメッキを行うことが可能である。
２及びノズル３は個々に回転可能になっており、下記の
表に示すような組み合わせで、回転或いは静止させてウ
エーハ７のメッキを行うことが可能である。
【００２０】
【表１】
【００２１】このようにウエーハ搭載容器２に24枚のウ
エーハ７を搭載し、ノズル３の噴出口3aから噴出するメ
ッキ液により、すべてのウエーハ７の表面を均等にメッ
キ処理することができるので、膜厚の分布が均一なバン
プを形成することが可能となる。
エーハ７を搭載し、ノズル３の噴出口3aから噴出するメ
ッキ液により、すべてのウエーハ７の表面を均等にメッ
キ処理することができるので、膜厚の分布が均一なバン
プを形成することが可能となる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造のメッキ装置を用いて行うメ
ッキ方法により、ウエーハの表面の電極取り出し用パッ
ドの表面に均一な膜厚のバンプを形成することが可能と
なる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果
が期待できるメッキ装置及びメッキ方法の提供が可能で
ある。
によれば極めて簡単な構造のメッキ装置を用いて行うメ
ッキ方法により、ウエーハの表面の電極取り出し用パッ
ドの表面に均一な膜厚のバンプを形成することが可能と
なる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果
が期待できるメッキ装置及びメッキ方法の提供が可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による一実施例のメッキ装置を示す図
【図２】 図１のＡ−Ａ断面を示す図
【図３】 本発明による一実施例のメッキ装置のウエー
ハ取り付け部の詳細を示す図、
ハ取り付け部の詳細を示す図、
【図４】 従来のディップ方式のメッキ装置及びメッキ
方法を示す図
方法を示す図
【図５】 従来の噴流方式のメッキ装置及びメッキ方法
を示す図
を示す図
１はメッキ槽、1aは排液口、２はウエーハ搭載容器、2a
はウエーハ吸着部、2bはコンタクタ、３はノズル、3aは
噴出口、４はフィルタ、５はポンプ、６は電源、７はウ
エーハ、
はウエーハ吸着部、2bはコンタクタ、３はノズル、3aは
噴出口、４はフィルタ、５はポンプ、６は電源、７はウ
エーハ、
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエーハ(7) をウエーハ吸着部(2a)によ
り吸着可能なウエーハ搭載容器(2) と、 前記ウエーハ吸着部(2a)において前記ウエーハ(7) に接
触して通電するコンタクタ(2b)と、 前記ウエーハ搭載容器(2) の回転中心に設けられてお
り、側面に設けた噴出口(3a)から噴出するメッキ液を前
記ウエーハ(7) の表面に吹きつけてメッキを行うノズル
(3) と、 前記ウエーハ搭載容器(2) の周囲に設けたメッキ槽(1)
により集めた前記メッキ液をフィルタ(4) を通して前記
ノズル(3) に循環して供給するポンプ(5) と、 を具備し、前記ウエーハ搭載容器(2) と前記ノズル(3)
の両方或いはどちらか一方のみが回転可能であることを
特徴とするメッキ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のメッキ装置により行うメ
ッキ方法であって、 前記ウエーハ吸着部(2a)により前記ウエーハ(7) を前記
ウエーハ搭載容器(2)に搭載し、前記コンタクタ(2b)を
前記ウエーハ(7) の表面に接触させる工程と、 前記ポンプ(5) により前記メッキ液を前記ノズル(3) に
送り、前記噴出口(3a)から噴出させて前記ウエーハ(7)
のメッキを行う工程と、 からなることを特徴とするメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4061899A JPH05267304A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | メッキ装置及びメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4061899A JPH05267304A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | メッキ装置及びメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267304A true JPH05267304A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13184459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4061899A Withdrawn JPH05267304A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | メッキ装置及びメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267304A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325974B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2002-03-07 | 한수철 | 반도체용 웨이퍼의 니켈 도금장치 |
| WO2012011727A2 (ko) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | 주식회사 케이엠더블유 | 전기도금 장치 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP4061899A patent/JPH05267304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325974B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2002-03-07 | 한수철 | 반도체용 웨이퍼의 니켈 도금장치 |
| WO2012011727A2 (ko) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | 주식회사 케이엠더블유 | 전기도금 장치 |
| KR20120008891A (ko) * | 2010-07-20 | 2012-02-01 | 주식회사 케이엠더블유 | 전기도금 장치 |
| WO2012011727A3 (ko) * | 2010-07-20 | 2012-05-03 | 주식회사 케이엠더블유 | 전기도금 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |