JPH0837189A - ウエハメッキ装置 - Google Patents
ウエハメッキ装置Info
- Publication number
- JPH0837189A JPH0837189A JP16987894A JP16987894A JPH0837189A JP H0837189 A JPH0837189 A JP H0837189A JP 16987894 A JP16987894 A JP 16987894A JP 16987894 A JP16987894 A JP 16987894A JP H0837189 A JPH0837189 A JP H0837189A
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- Japan
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- plating
- wafer
- plating solution
- semiconductor wafer
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハ表面に残り易いガスを半導体ウ
エハ表面より追い出し、また、メッキ高さのばらつきを
低減できるウエハメッキ装置を提供する。 【構成】 上向きに設置された半導体ウエハ８を設置し
たステージ９を自回転、およびステージ台１０を公回転
させる。そして半導体ウエハは８の上方よりメッキ液１
６をメッキ液噴出ノズル１２より直噴出、シャワー噴
出、または霧状噴出させて半導体ウエハ８の表面に当て
る。メッキ反応室１３を真空ポンプ１８を用い減圧状態
にする。基板用電極端子１１とメッシュ電極板１５に電
流を印加し、電解メッキを行うウエハメッキ装置の構成
とする。
エハ表面より追い出し、また、メッキ高さのばらつきを
低減できるウエハメッキ装置を提供する。 【構成】 上向きに設置された半導体ウエハ８を設置し
たステージ９を自回転、およびステージ台１０を公回転
させる。そして半導体ウエハは８の上方よりメッキ液１
６をメッキ液噴出ノズル１２より直噴出、シャワー噴
出、または霧状噴出させて半導体ウエハ８の表面に当て
る。メッキ反応室１３を真空ポンプ１８を用い減圧状態
にする。基板用電極端子１１とメッシュ電極板１５に電
流を印加し、電解メッキを行うウエハメッキ装置の構成
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上に電解
メッキ法にてバンプ電極を形成するウエハメッキ装置に
関する。
メッキ法にてバンプ電極を形成するウエハメッキ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体ウエハにバンプ電極を形成
する手法の一つとして、電解メッキを施す技術がある。
する手法の一つとして、電解メッキを施す技術がある。
【０００３】また、半導体ウエハとメッキ液を触れさせ
る方法の１つを次ぎに説明する。図２は、従来のウエハ
メッキ装置の構成図である。ウエハメッキ装置につい
て、以下にその構成を説明する。図２は従来の噴流式ウ
エハメッキ装置を示し、半導体ウエハ１がメッキ漕６の
上部の開口部に、半導体ウエハ表面を下向きに固定され
ている。また、半導体ウエハ１に、メッキ漕６上部の基
板電極端子２が接触している。前記メッキ漕６内部にカ
ップ５が設けられ、カップ５内で、かつ半導体ウエハ１
の下方にメッシュ電極板３が、さらにその下にメッキ液
液噴出ノズル４が設置されており、カップ５内にメッキ
液７が満たされている。
る方法の１つを次ぎに説明する。図２は、従来のウエハ
メッキ装置の構成図である。ウエハメッキ装置につい
て、以下にその構成を説明する。図２は従来の噴流式ウ
エハメッキ装置を示し、半導体ウエハ１がメッキ漕６の
上部の開口部に、半導体ウエハ表面を下向きに固定され
ている。また、半導体ウエハ１に、メッキ漕６上部の基
板電極端子２が接触している。前記メッキ漕６内部にカ
ップ５が設けられ、カップ５内で、かつ半導体ウエハ１
の下方にメッシュ電極板３が、さらにその下にメッキ液
液噴出ノズル４が設置されており、カップ５内にメッキ
液７が満たされている。
【０００４】以上のように構成されたウエハメッキ装置
について、以下にその動作を説明する。カップ５内に満
たされたメッキ液７は、カップ５内に設けたメッキ液噴
出ノズル４より直噴出され、攪拌される。また、メッキ
液噴出ノズル４から直噴出されたメッキ液７は、メッシ
ュ電極板３を通っていく。そして、半導体ウエハ１は、
基板用電極端子２と接触しており、半導体ウエハ１は陰
極として正イオン（メッキ液７が金メッキ液の場合Ａｕ
+）を引きつけ、電解メッキされる。
について、以下にその動作を説明する。カップ５内に満
たされたメッキ液７は、カップ５内に設けたメッキ液噴
出ノズル４より直噴出され、攪拌される。また、メッキ
液噴出ノズル４から直噴出されたメッキ液７は、メッシ
ュ電極板３を通っていく。そして、半導体ウエハ１は、
基板用電極端子２と接触しており、半導体ウエハ１は陰
極として正イオン（メッキ液７が金メッキ液の場合Ａｕ
+）を引きつけ、電解メッキされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のウ
エハメッキ装置は、半導体ウエハ１が表面を下向きにし
て固定され、半導体ウエハ１下方のメッキ液噴出ノズル
４からメッキ液７を吹き上げ、半導体ウエハ１にメッキ
液７を触れさせていた。
エハメッキ装置は、半導体ウエハ１が表面を下向きにし
て固定され、半導体ウエハ１下方のメッキ液噴出ノズル
４からメッキ液７を吹き上げ、半導体ウエハ１にメッキ
液７を触れさせていた。
【０００６】しかしながら、従来の装置では、メッキ液
７が噴き上げ式であることや、半導体ウエハ１が下向き
であるため、配管系（メッキ液噴出ノズル等）より発生
する気泡やメッキ反応時に発生する水素ガスを、半導体
ウエハ１の表面から追い出すことは困難である。
７が噴き上げ式であることや、半導体ウエハ１が下向き
であるため、配管系（メッキ液噴出ノズル等）より発生
する気泡やメッキ反応時に発生する水素ガスを、半導体
ウエハ１の表面から追い出すことは困難である。
【０００７】また、半導体ウエハ１は固定されているた
め、半導体ウエハ１とメッキ液７が触れる部分が均一で
なく、半導体ウエハ１の中心と半導体ウエハ１の周辺で
メッキ高さがばらつく問題があった。
め、半導体ウエハ１とメッキ液７が触れる部分が均一で
なく、半導体ウエハ１の中心と半導体ウエハ１の周辺で
メッキ高さがばらつく問題があった。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、配管系からの気泡や、メッキ反応時に発生する水
素ガスを半導体ウエハ表面から追い出すことができ、ま
た、半導体ウエハの中心と半導体ウエハの周辺でメッキ
高さのばらつきをなくすことができるウエハメッキ装置
を提供することを目的とする。
ので、配管系からの気泡や、メッキ反応時に発生する水
素ガスを半導体ウエハ表面から追い出すことができ、ま
た、半導体ウエハの中心と半導体ウエハの周辺でメッキ
高さのばらつきをなくすことができるウエハメッキ装置
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のウエハメッキ装置は、ウエハを載置するステ
ージと、前記ステージに載置したウエハ上面に上方より
メッキ液を噴出するメッキ液噴出ノズルを備え、前記ウ
エハ、ステージおよびメッキ液噴出ノズルを収納するメ
ッキ反応室から構成されている。
に本発明のウエハメッキ装置は、ウエハを載置するステ
ージと、前記ステージに載置したウエハ上面に上方より
メッキ液を噴出するメッキ液噴出ノズルを備え、前記ウ
エハ、ステージおよびメッキ液噴出ノズルを収納するメ
ッキ反応室から構成されている。
【００１０】また、前記ステージはウエハ面内以外の軸
を中心に回転する構成とする。また、メッキ液噴出ノズ
ルはメッキ液をシャワー状または霧状に噴出させる構成
とする。
を中心に回転する構成とする。また、メッキ液噴出ノズ
ルはメッキ液をシャワー状または霧状に噴出させる構成
とする。
【００１１】また、メッキ反応室を常圧状態または減圧
状態にする装置を備えた構成とする。
状態にする装置を備えた構成とする。
【００１２】
【作用】この構成によって、配管系からの気泡やメッキ
反応時に発生する水素ガスを、半導体ウエハが上向きで
あること、あるいはメッキ反応室を減圧状態にすること
で、半導体ウエハ表面から追い出すことができる。ま
た、半導体ウエハに均一的にメッキ液を触れさせるので
半導体ウエハ中心と半導体ウエハ周辺でのメッキ高さの
ばらつきを低減させることができる。
反応時に発生する水素ガスを、半導体ウエハが上向きで
あること、あるいはメッキ反応室を減圧状態にすること
で、半導体ウエハ表面から追い出すことができる。ま
た、半導体ウエハに均一的にメッキ液を触れさせるので
半導体ウエハ中心と半導体ウエハ周辺でのメッキ高さの
ばらつきを低減させることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例のウエハ
メッキ装置の構成を示すものである。
照しながら説明する。図１は本発明の一実施例のウエハ
メッキ装置の構成を示すものである。
【００１４】構成要素として８は半導体ウエハ、９はス
テージ、１０はステージ台、１１は基板用電極端子、１
２はメッキ液噴出ノズル、１３はメッキ反応室、１４は
ポンプ、１５はメッシュ電極板、１６はメッキ液、１７
はパイプ、１８は真空ポンプ、１９はステージ台軸であ
る。
テージ、１０はステージ台、１１は基板用電極端子、１
２はメッキ液噴出ノズル、１３はメッキ反応室、１４は
ポンプ、１５はメッシュ電極板、１６はメッキ液、１７
はパイプ、１８は真空ポンプ、１９はステージ台軸であ
る。
【００１５】上記構成要素よりなるウエハメッキ装置に
ついて、以下に各構成要素の相関を説明する。半導体ウ
エハ８はステージ９上に表が上向きに置かれており、ス
テージ９は、ステージ台１０上に設置されている。半導
体ウエハ８は、その表面の周辺部がステージ台１０に設
けられた基板用電極端子１１と接触している。半導体ウ
エハ８の上方には、メッキ液噴出ノズル１２が設けら
れ、このメッキ液噴出ノズル１２の上流側にメッシュ電
極板１５が設置されている。前記メッキ液噴出ノズル１
２へメッキ反応室１３の内底のメッキ液１６を供給する
パイプ１７と、このパイプ中に設けたポンプ１４を備え
ている。前記ステージ台１０、パイプ１７、ポンプ１
４、メッキ液噴出ノズル１２等はメッキ反応室１３で包
まれている。また、メッキ反応室１３には、内部を減圧
するための真空ポンプ１８を接続している。また、ステ
ージ台１０は中心部をステージ台軸１９で支持され、回
転自在となっている。
ついて、以下に各構成要素の相関を説明する。半導体ウ
エハ８はステージ９上に表が上向きに置かれており、ス
テージ９は、ステージ台１０上に設置されている。半導
体ウエハ８は、その表面の周辺部がステージ台１０に設
けられた基板用電極端子１１と接触している。半導体ウ
エハ８の上方には、メッキ液噴出ノズル１２が設けら
れ、このメッキ液噴出ノズル１２の上流側にメッシュ電
極板１５が設置されている。前記メッキ液噴出ノズル１
２へメッキ反応室１３の内底のメッキ液１６を供給する
パイプ１７と、このパイプ中に設けたポンプ１４を備え
ている。前記ステージ台１０、パイプ１７、ポンプ１
４、メッキ液噴出ノズル１２等はメッキ反応室１３で包
まれている。また、メッキ反応室１３には、内部を減圧
するための真空ポンプ１８を接続している。また、ステ
ージ台１０は中心部をステージ台軸１９で支持され、回
転自在となっている。
【００１６】以上のように構成された本実施例のウエハ
メッキ装置について、以下その動作を説明する。まず、
図１の半導体ウエハ８を表が上向きになるようにステー
ジ９上に置き、半導体ウエハ８の表面の周辺部に基板用
電極端子１１を接触させる。そして、ステージ９をモー
ターなどにより自回転させる。同時に、ステージ台１０
はステージ台軸１９の他方の端をモーターなどに接続さ
せ公回転させる。また、メッキ反応室１３は、真空ポン
プ１８により減圧状態にする。
メッキ装置について、以下その動作を説明する。まず、
図１の半導体ウエハ８を表が上向きになるようにステー
ジ９上に置き、半導体ウエハ８の表面の周辺部に基板用
電極端子１１を接触させる。そして、ステージ９をモー
ターなどにより自回転させる。同時に、ステージ台１０
はステージ台軸１９の他方の端をモーターなどに接続さ
せ公回転させる。また、メッキ反応室１３は、真空ポン
プ１８により減圧状態にする。
【００１７】メッキ反応室１３内部の下方にあるメッキ
液１６は、ポンプ１４、パイプ１７によって、メッシュ
電極板１５を通りメッキ液噴出ノズル１２により、直噴
出状、シャワー状、または、霧状に下方にある半導体ウ
エハ８に向けて噴出され、メッキ液は半導体ウエハ８の
表面に均一に当たる。
液１６は、ポンプ１４、パイプ１７によって、メッシュ
電極板１５を通りメッキ液噴出ノズル１２により、直噴
出状、シャワー状、または、霧状に下方にある半導体ウ
エハ８に向けて噴出され、メッキ液は半導体ウエハ８の
表面に均一に当たる。
【００１８】半導体ウエハ８は基板用電極端子１１と接
触しており、そして半導体ウエハ８は陰極として正イオ
ン（メッキ液１６が金メッキ液の場合Ａｕ+）を引きつ
け、電解メッキされる。
触しており、そして半導体ウエハ８は陰極として正イオ
ン（メッキ液１６が金メッキ液の場合Ａｕ+）を引きつ
け、電解メッキされる。
【００１９】以上のように本実施例によれば、半導体ウ
エハを上向きにして上方よりメッキ液を噴出して当てる
ようにしたことや、メッキ反応室を減圧状態にしたの
で、配管系からの気泡やメッキ反応時に発生する水素ガ
スを、半導体ウエハ表面から追い出すことができる。
エハを上向きにして上方よりメッキ液を噴出して当てる
ようにしたことや、メッキ反応室を減圧状態にしたの
で、配管系からの気泡やメッキ反応時に発生する水素ガ
スを、半導体ウエハ表面から追い出すことができる。
【００２０】また、ステージを回転させることや、ステ
ージ台を回転させること、また、メッキ液噴出ノズルか
らメッキ液を、直噴射、シャワー状噴射、霧状に噴出さ
せるので、半導体ウエハの中心と半導体ウエハの周辺で
のメッキ高さのばらつきを低減させることができる。
ージ台を回転させること、また、メッキ液噴出ノズルか
らメッキ液を、直噴射、シャワー状噴射、霧状に噴出さ
せるので、半導体ウエハの中心と半導体ウエハの周辺で
のメッキ高さのばらつきを低減させることができる。
【００２１】
【発明の効果】前記実施例の説明より明らかなように、
本発明は半導体ウエハを上向きに設置し、半導体ウエハ
を回転させ、あるいは、半導体ウエハの上方からメッキ
液を噴出させて半導体ウエハの表面に当てること、さら
にはメッキ液を直噴射、シャワー状噴出、霧状噴出する
こと、メッキ反応室を減圧状態にすることにより、半導
体ウエハ表面よりガスを追い出すことを容易する。ま
た、メッキ高さばらつきを低減することができる優れた
ウエハメッキ装置を実現するものである。
本発明は半導体ウエハを上向きに設置し、半導体ウエハ
を回転させ、あるいは、半導体ウエハの上方からメッキ
液を噴出させて半導体ウエハの表面に当てること、さら
にはメッキ液を直噴射、シャワー状噴出、霧状噴出する
こと、メッキ反応室を減圧状態にすることにより、半導
体ウエハ表面よりガスを追い出すことを容易する。ま
た、メッキ高さばらつきを低減することができる優れた
ウエハメッキ装置を実現するものである。
【図１】本発明の一実施例のメッキ装置の構成を示す断
面図
面図
【図２】従来のウエハメッキ装置の構成を示す断面図
８ 半導体ウエハ ９ ステージ １０ ステージ台 １１ 基板用電極端子 １２ メッキ液噴出ノズル １３ メッキ反応室 １４ ポンプ １５ メッシュ電極板 １６ メッキ液 １７ パイプ １８ 真空ポンプ １９ ステージ台軸
Claims (8)
- 【請求項１】 ウエハを載置するステージと、前記ステ
ージに載置した前記ウエハの上面に上方からメッキ液を
噴出して当てるメッキ液噴出ノズルを備えたウエハメッ
キ装置。 - 【請求項２】 ステージは回転するように設けられた請
求項１記載のウエハメッキ装置。 - 【請求項３】 ステージは、ウエハ面内以外の軸を中心
として回転するようにした請求項１記載のウエハメッキ
装置。 - 【請求項４】 メッキ液噴出ノズルは、メッキ液をシャ
ワー状に噴出する請求項１記載のウエハメッキ装置。 - 【請求項５】 メッキ液噴出ノズルは、メッキ液を直噴
出する請求項１記載のウエハメッキ装置。 - 【請求項６】 メッキ液噴出ノズルは、メッキ液を霧状
に噴出する請求項１記載のウエハメッキ装置。 - 【請求項７】 ウエハ、ステージおよびメッキ液噴出ノ
ズルはメッキ反応室に収納された請求項１記載のウエハ
メッキ装置。 - 【請求項８】 メッキ反応室は減圧される請求項７記載
のウエハメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16987894A JPH0837189A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | ウエハメッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16987894A JPH0837189A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | ウエハメッキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837189A true JPH0837189A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15894638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16987894A Pending JPH0837189A (ja) | 1994-07-22 | 1994-07-22 | ウエハメッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0837189A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325974B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2002-03-07 | 한수철 | 반도체용 웨이퍼의 니켈 도금장치 |
| JP2006249530A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 金属膜パターンの形成方法 |
| KR100817762B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-03-31 | 주식회사 대성엔지니어링 | 웨이퍼 자동 도금시스템 |
| KR100817761B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-03-31 | 주식회사 대성엔지니어링 | 웨이퍼 자동 도금시스템의 도금 및 도금액제거장치 |
| JP2009024249A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Yoshiji Ichihara | 電気めっき装置及びめっき部材の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-22 JP JP16987894A patent/JPH0837189A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100325974B1 (ko) * | 1999-06-24 | 2002-03-07 | 한수철 | 반도체용 웨이퍼의 니켈 도금장치 |
| JP2006249530A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 金属膜パターンの形成方法 |
| KR100817762B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-03-31 | 주식회사 대성엔지니어링 | 웨이퍼 자동 도금시스템 |
| KR100817761B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-03-31 | 주식회사 대성엔지니어링 | 웨이퍼 자동 도금시스템의 도금 및 도금액제거장치 |
| JP2009024249A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Yoshiji Ichihara | 電気めっき装置及びめっき部材の製造方法 |
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