JP2002170811A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ドライエッチングを経た基板にはドライエッチ
ング時に反応生成物が生成される。この反応生成物は次
工程のために除去される必要がある。よって、従来技術
では基板に対して、ノズルから処理液として反応生成物
の除去液、除去液を洗い流す中間リンス液、純水を順に
供給している。従来の基板処理装置においては基板に各
種処理液を供給するにあたっての工夫が特になされてお
らず、さらなる処理品質の向上の余地があった。 【解決手段】そこで本発明の基板処理装置１では、加圧
ポンプ２７で処理液を加圧して基板に供給するため高圧
の処理液が反応生成物に供給される。このため反応生成
物が基板Ｗから良好に除去される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明はレジスト膜をマスク
として基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングす
るドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエッ
チング工程によって基板上に生成された反応生成物を除
去する基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては半導体
ウエハなどの基板上に形成されたアルミや銅などの金属
の薄膜がレジスト膜をマスクとしてエッチングされて半
導体素子の配線とされる工程がある。例えば図１１
（Ａ）のように、基板１０１上に素子１０２が形成さ
れ、その上に金属膜１０３が形成される。この金属膜１
０３は例えばアルミニウムである。そして金属膜１０３
の上にはレジスト膜１０４が形成されている。このレジ
スト膜１０４は金属膜１０３の上面にレジストを塗布し
て乾燥させ、乾燥したレジストに対して露光機によって
配線パターンを露光し、露光が済んだレジストに対して
現像液を供給して不要な部分を溶解除去することで得る
ことができる。これによって、金属膜１０３の必要部分
だけはレジスト膜１０３によってマスクされ、次のエッ
チング工程では該金属膜１０３の必要部分はエッチング
されずに残ることになる。次に、レジスト膜１０３によ
ってマスクされた金属膜１０３に対してＲＩＥなどのド
ライエッチングを施すと金属膜１０３の内、レジスト膜
１０３によってマスクされていない部分はエッチングさ
れて除去され、エッチングされずに残った部分が金属配
線１０６となる。このようにドライエッチングを行うと
図１１（Ｂ）のように、金属配線１０６の側方にレジス
ト膜１０３などに由来する反応生成物１０５が堆積す
る。この反応生成物１０５は後続するレジスト除去工程
では通常除去されず、レジスト膜１０４を除去した後も
図１１（Ｃ）のように基板１０１上に残ってしまう。こ
のような反応生成物１０５を除去せずに基板１０１を次
工程に渡すと次工程以降の処理品質に悪影響を与えるの
で次工程に渡す前に除去する必要がある。従来の基板処
理装置では、基板に対して反応生成物の除去液を供給す
る除去液供給手段、除去液を洗い流す作用のある有機溶
剤などの中間リンス液を基板に供給する中間リンス供給
手段、基板に純水を供給して純水洗浄を行う純水供給手
段を有している。そして、このような反応生成物を除去
する基板処理装置ではノズルから基板に対して各種処理
液を供給している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
種の基板処理装置においては基板に各種処理液を単に吐
出しているだけで特に工夫がなされておらず、さらなる
処理品質の向上の余地があった。本発明の目的は、レジ
スト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜をドラ
イエッチングするドライエッチング工程を経た基板か
ら、該ドライエッチング工程によって基板上に生成され
た反応生成物を除去する処理の品質向上である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜を
ドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板
から、該ドライエッチング工程によって基板上に生成さ
れた反応生成物を除去する基板処理装置であって、前記
ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転する保
持回転部と、回転している基板に対して反応生成物を除
去する除去液を供給する除去液供給部と、回転している
基板に対して純水を供給する純水供給部と、液体を加圧
して送出する液体加圧部とを有し、前記液体加圧部は前
記除去液供給部に対して加圧された除去液を供給し、前
記除去液供給部は加圧された除去液を基板に噴射する除
去液噴射ノズルを有する基板処理装置である。

【０００５】請求項２に記載の発明はレジスト膜をマス
クとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチング
するドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエ
ッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を
該基板から除去する基板処理装置であって、前記ドライ
エッチング工程を経た基板を保持して回転する保持回転
部と、回転している基板に対して反応生成物を除去する
除去液を供給する除去液供給部と、回転している基板に
対して純水を供給する純水供給部と、液体を加圧して送
出する液体加圧部とを有し、前記液体加圧部は前記純水
供給部に対して加圧された純水を供給し、前記純水供給
部は加圧された純水を基板に噴射する純水噴射ノズルを
有する基板処理装置である。

【０００６】請求項３に記載の発明はレジスト膜をマス
クとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチング
するドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエ
ッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を
該基板から除去する基板処理装置であって、前記ドライ
エッチング工程を経た基板を保持して回転する保持回転
部と、回転している基板に対して反応生成物を除去する
除去液を供給する除去液供給部と、回転している基板に
対して基板上の除去液を洗い流す中間リンス液を供給す
る中間リンス液供給部と、回転している基板に対して純
水を供給する純水供給部と、液体を加圧して送出する液
体加圧部とを有し、前記液体加圧部は前記中間リンス液
供給部に対して加圧された中間リンス液を供給し、前記
中間リンス液供給部は加圧された中間リンス液を基板に
噴射する中間リンス液噴射ノズルを有する基板処理装置
である。

【０００７】請求項４に記載の発明は請求項１ないし請
求項３に記載の基板処理装置において、前記液体加圧部
は、一端が閉止された筒状のシリンダと、該シリンダの
他端側から摺動自在に挿入されたピストンと、ピストン
をシリンダに対して摺動させるピストン駆動部と、ピス
トンとシリンダとの間に形成される空間に連通し、該空
間に液を流入させる流入口と、前記空間に連通し、流入
口から該空間に流入した液を流出させる流出口とを有す
る基板処理装置である。

【０００８】請求項５に記載の発明は基板に付着した有
機物を有機物の除去液で除去する基板処理装置であっ
て、基板を保持して回転する保持回転部と、前記基板に
除去液を供給する除去液供給部と、前記基板に純水を供
給する純水供給部と、液体を加圧して送出する液体加圧
部とを有し、前記液体加圧部は前記除去液供給部に対し
て加圧された除去液を供給し、前記除去液供給部は加圧
された除去液を基板に噴射する除去液噴射ノズルを有す
る基板処理装置である。

【０００９】請求項６に記載の発明は基板に付着した有
機物を有機物の除去液で除去する基板処理装置であっ
て、基板を保持して回転する保持回転部と、前記基板に
除去液を供給する除去液供給部と、前記基板に純水を供
給する純水供給部と、液体を加圧して送出する液体加圧
部とを有し、前記液体加圧部は前記純水供給部に対して
加圧された純水を供給し、前記純水供給部は加圧された
純水を基板に噴射する純水噴射ノズルを有する基板処理
装置である。

【００１０】請求項７に記載の発明は基板に付着した有
機物を有機物の除去液で除去する基板処理装置であっ
て、基板を保持して回転する保持回転部と、前記基板に
除去液を供給する除去液供給部と、前記基板に除去液を
洗い流す中間リンス液を供給する中間リンス液供給部
と、前記基板に純水を供給する純水供給部と、液体を加
圧して送出する液体加圧部とを有し、前記液体加圧部は
前記中間リンス液供給部に対して加圧された中間リンス
液を供給し、前記中間リンス液供給部は加圧された中間
リンス液を基板に噴射する中間リンス液噴射ノズルを有
する基板処理装置である。

【００１１】請求項８に記載の発明は前記有機物はレジ
ストが変質して生じた反応生成物であり、前記除去液は
該反応生成物を除去する除去液であることを特徴とする
基板処理装置である。

【００１２】請求項９に記載の発明は請求項５ないし請
求項８に記載の基板処理装置において、前記液体加圧部
は、一端が閉止された筒状のシリンダと、該シリンダの
他端側から摺動自在に挿入されたピストンと、ピストン
をシリンダに対して摺動させるピストン駆動部と、ピス
トンとシリンダとの間に形成される空間に連通し、該空
間に液を流入させる流入口と、前記空間に連通し、流入
口から該空間に流入した液を流出させる流出口とを有す
る基板処理装置である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下の各実施形態において、基板
とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板であ
る。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜ま
たは絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅や
アルミニウム、チタン、タングステンがある。絶縁膜と
してはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜、有機絶縁膜、
低誘電体層間絶縁膜がある。なお、ここでいう薄膜と
は、薄膜が形成された基板の主面に対して垂直方向の断
面において高さ寸法が底部の長さ寸法より短いものはも
ちろん、高さ寸法が底部の長さ寸法より長いものも含
む。従って、基板上で部分的に形成されている膜や配線
など、基板主面に向ったとき線状や島状に存在するもの
も薄膜に含まれる。

【００１４】以下の各実施形態における基板処理とは基
板から有機物を除去する有機物除去処理、または、レジ
ストが変質して生じた反応生成物を基板から除去する反
応生成物除去処理である。さらに具体的に述べると、有
機物としてのレジストを除去する処理、またはドライエ
ッチングによって生じた有機物であり、レジストや薄膜
に由来する反応生成物であるポリマーを基板から除去す
るポリマー除去処理である。

【００１５】例えば、レジスト膜をマスクとして前記薄
膜をドライエッチングする工程を経た基板にはドライエ
ッチングによってレジストや薄膜に由来する反応生成物
であるポリマーが生成されている。このポリマーはレジ
ストそのものよりも薄膜に由来する成分（例えば金属）
が多く含まれた有機物である。なお、ここでいうレジス
トは感光性物質である。また、以下の各実施形態におけ
る除去液とは有機物を除去する有機物除去液であり、レ
ジストが変質して生じた反応生成物の除去液であり、レ
ジストを除去するレジスト除去液であって、ポリマー除
去液である。ポリマー除去液としては有機アルカリ液を
含む液体、無機酸を含む液体、フッ化アンモン系物質を
含む液体が使用できる。その内、有機アルカリ液を含む
液体としてはＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳ
Ｏ（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシルアミンが挙
げられる。また無機酸を含む液体としてはフツ酸、燐酸
が挙げられる。その他、ポリマー除去液としては１−メ
チル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１−
ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノール
アミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、カテコ
ール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオー
ル、パーフレン、フェノールを含む液体などがあり、よ
り具体的には、１−メチル−２ピロリドンとテトラヒド
ロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノールア
ミンとの混合液、ジメチルスルホシキドとモノエタノー
ルアミンとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタノ
ールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、２−
（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリド
ンとの混合液、モノエタノールアミンと水とアロマテイ
ックジオールとの混合液、パークレンとフェノールとの
混合液などが挙げられる。

【００１６】なお、有機アミンを含む液体（有機アミン
系除去液という。）にはモノエタノールアミンと水とア
ロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコー
ルとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキル
スルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混
合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと
水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシア
ミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の
混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混
合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコ
ール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とト
リエタノールアミンとの混合溶液がある。

【００１７】また、フッ化アンモン系物質を含む液体
（フッ化アンモン系除去液という。）には、有機アルカ
リと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有
機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキ
ルアミドと水と弗化アンモンとの混合溶液、ジメチルス
ルホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶
液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシ
ドと弗化アンモンと水との混合溶液、弗化アンモンとト
リエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミ
ンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸ア
ルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと
有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩
と有機酸と無機塩との混合溶液がある。

【００１８】また、無機物を含む無機系除去液としては
水と燐酸誘導体との混合溶液がある。

【００１９】また、以下の各実施形態における中間リン
ス液とは除去液を基板から洗い流す液体であり、例えば
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などの有機溶剤また
はオゾンを純水に溶解したオゾン水、水素を純水に溶解
した水素水などの機能水を使用することができる。な
お、中間リンス液としてオゾンを純水に溶解したオゾン
水を使用すれば、有機物、レジストが変質して生じた反
応生成物、ポリマーをより完全に除去できる。また、以
下の各実施形態において、除去液、中間リンス液、純水
を総称して処理液という。

【００２０】＜１ 基板処理装置１＞図１、図２は基板
処理装置１の構成を示す図である。なお、図１は図２の
Ｉ−Ｉ断面図であるが、便宜上、一部ハッチングを省略
している。基板処理装置１は図１のように断面が略コの
字状で、上面視では図２のように中央部分に開口を有す
る略リング状のカップ３と、図１のようにカップ３の開
口を通じて鉛直方向に立設され、基板Ｗを保持して回転
する保持回転部５と、保持回転部５に保持されている基
板Ｗに対して除去液を供給する除去液供給部７と、同じ
く保持回転部５に保持されている基板Ｗに対して純水を
供給する純水供給部９とを有する。カップ３は底部に複
数の排出口４を有する。そして、基板Ｗに供給された処
理液の剰余分はカップ３の内壁を伝って排出口４に至
り、該排出口４から装置外に排出される。保持回転部５
は不図示の機枠に固定され、鉛直方向に配された駆動軸
を有するスピンモータ１３とスピンモータ１３の駆動軸
に固定されたスピン軸１４と、スピン軸１４の頂部に設
けられた基板保持部材としてのチャック１５とを有す
る。このチャック１５は上面の吸着面に不図示の吸着孔
を有し、該吸着孔からエアを吸引するバキューム式チャ
ックである。そして、チャック１５上に載置された基板
Ｗは前記吸着孔からのエアの吸引により保持される。こ
のような保持回転部５ではチャック１５上に載置された
基板Ｗをチャック１５による吸着で保持し、スピンモー
タ１３を駆動することで前記チャック１５上に保持した
基板Ｗを回転させる。除去液供給部７は、不図示の機枠
に固定され、鉛直方向に配された駆動軸を有する第１回
動モータ１７と第１回動モータ１７の駆動軸に固定され
た第１回動軸１９と、第１回動軸１９の頂部に接続され
た第１アーム２１とを有する。第１アーム２１の先端に
は除去液吐出ノズル１１が設けられる。除去液吐出ノズ
ル１１は略鉛直方向に長手方向が配された管状部材であ
り、一端から除去液が供給されるとともに、他端から基
板Ｗに対して除去液を供給する。また、同じく第１アー
ム２１の先端にはブラケット２３（図２では二点鎖線で
表示）を介して除去液噴射ノズル１２が設けられてい
る。除去液噴射ノズル１２は後述のように加圧された除
去液（以下、加圧除去液と言う場合もある。）を噴射す
るが、基板Ｗの表面に対して４５度の傾斜をもって加圧
除去液を噴射するよう設置されている。そして、上記、
前記除去液吐出ノズル１１および除去液噴射ノズル１２
は、除去液吐出ノズル１１から吐出される除去液と除去
液噴射ノズル１２から噴射される加圧除去液とが基板Ｗ
表面において交差するように配置されているとともに、
除去液吐出ノズル１１および除去液噴射ノズル１２が第
１回動モータ１７によって回動させられたとき除去液吐
出ノズル１１から吐出される除去液と除去液噴射ノズル
１２から噴射される加圧除去液とが図２のように基板Ｗ
の回転中心Ｃを通り、かつ、回転する基板Ｗの端縁が描
く回転円９５の円周上の２点で交差する円弧８５上を往
復移動するように配置されている。

【００２１】純水供給部９は、不図示の機枠に固定さ
れ、鉛直方向に配された駆動紬を有する第２回動モータ
３１と第２回動モータ３１の駆動軸に固定された第２回
動軸３３と、第２回動軸３３の頂部に接続された第２ア
ーム３５とを有する。第２アーム３５の先端には純水吐
出ノズル２４が設けられる。純水吐出ノズル２４は略鉛
直方向に長手方向が配された管状部材であり、一端から
純水が供給されるとともに、他端から基板Ｗに対して純
水を供給する。また、同じく第２アーム３５の先端には
ブラケット２６（図２では二点鎖線で表示）を介して純
水噴射ノズル２５が設けられている。純水噴射ノズル２
５は後述のように加圧された純水（以下、加圧純水と言
う場合もある。）を噴射するが、基板Ｗの表面に対して
４５度の傾斜をもって加圧純水を噴射するよう設置され
ている。そして、前記純水吐出ノズル２４および純水噴
射ノズル２５は、純水吐出ノズル２４から吐出される純
水と純水噴射ノズル２５から噴射される加圧純水とが基
板Ｗ表面において交差するように配置されているととも
に、純水吐出ノズル２４および純水噴射ノズル２５が第
２回動モータ３１によって回動させられたとき純水吐出
ノズル２４から吐出される純水と純水噴射ノズル２５か
ら噴射される加圧純水とが図２のように基板Ｗの回転中
心Ｃを通り、かつ、回転する基板Ｗの端縁が描く回転円
９５の円周上の２点で交差する円弧８７上を往復移動す
るように配置されている。

【００２２】＜２、除去液供給系、純水供給系＞図３に
除去液供給系８９と純水供給系９１および、窒素供給系
９３を示す。除去液供給系８９は装置外の除去液源４５
から除去液を汲み出す加圧ポンプ６５と加圧ポンプ６５
によって汲み出された除去液から汚染物質をフィルタリ
ングするフィルタ６１とフィルタリングされた除去液の
除去液噴射ノズル１２への流路を開閉する除去液噴射弁
５３とを有する。また、除去液供給系８９は除去液源４
５から除去液を汲み出す除去液ポンプ４７と、除去液ポ
ンプ４７によって汲み出された除去液から汚染物質をフ
ィルタリングするフィルタ４９と、フィルタリングされ
た除去液の除去液吐出ノズル１１への流路を開閉する除
去液吐出弁５６とを有する。このような構成によって除
去液供給系８９は清浄化された除去液を除去液噴射ノズ
ル１２および、除去液吐出ノズル１１に供給できる。

【００２３】なお、除去液噴射ノズル１２の先端には口
径０．５ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下の除去液
噴射口が設けられており、除去液加圧ポンプ６５は前記
除去液噴射口から高圧の除去液が噴射されるように設定
されている。ここでの高圧とは２．９４×１０^６Ｐａ
（３０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上の圧力で基板Ｗに到達する
ような圧力である。純水供給系９１は装置外の純水源５
５から純水を汲み出す純水加圧ポンプ６６と純水加圧ポ
ンプ６６によって汲み出された純水から汚染物質をフィ
ルタリングするフィルタ６４とフィルタリングされた純
水の純水噴射ノズル２５への流路を開閉する純水噴射弁
６３とを有する。また、純水供給系９１は純水源５５か
ら純水を汲み出す純水ポンプ５７と、純水ポンプ５７に
よって汲み出された純水から汚染物質をフィルタリング
するフィルタ５９と、フィルタリングされた純水の純水
吐出ノズル２４への流路を開閉する純水吐出弁５６とを
有する。このような構成によって純水供給系９１は清浄
化された純水を純水噴射ノズル２５および、純水吐出ノ
ズル２４に供給できる。なお、純水噴射ノズル２５の先
端には口径０．５ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下
の純水噴射口が設けられており、純水加圧ポンプ６６は
前記純水噴射口から高圧の純水が噴射されるように設定
されている。ここでの高圧とは２．９４×１０^６Ｐａ
（３０ｋｇｆ／ｃｍ^２）以上の圧力で基板Ｗに到達する
ような圧力である。

【００２４】＜３、液体加圧部＞上述の除去液加圧ポン
プ６５および、純水加圧ポンプ６６は同様の構成であっ
て、図４のような加圧ポンプ２７を用いている。以下、
加圧ポンプ２７を含む液体加圧部１６について説明す
る。液体加圧部１６は加圧ポンプ２７と、装置外の圧空
源４３からのエアの供給先をを後述の前ポート２９また
は後ポート３０に切り替え、エアの供給先が前ポート２
９であるときは後ポート３０と装置外の排気部４４とを
連通させて後ポート３０から排気させ、エアの供給先が
後ポート３０であるときは前ポート２９と排気部４４と
を連通させて前ポート２９から排気させる電磁弁３７と
を有する。加圧ポンプ２７は前端が閉止され後端が開放
された筒状のシリンダ２８、前端が該シリンダ２８の後
端と気密に連結し後端が閉止されているとともに、シリ
ンダ２８の内径よりも大なる径の円柱状の摺動空間６７
をその中に有する摺動室５２、シリンダ２８内に摺動自
在に挿入されたピストン３９、ピストン３９に連結され
摺動室５２内にて摺動することで、ピストン３９をシリ
ンダ２８に対して摺動させる摺動部材７１、摺動部材７
１が分割している摺動空間６７の内、ピストン３９が配
されている側の空間（前室９２）と連通する前ポート２
９、摺動部材７１が分割している摺動空間６７の内、前
室の反対側に形成される空間（後室９３）と連通する後
ポート３０、を有する。また、シリンダ２８とピストン
３９の前端とで空間（液室８３という。）が形成され
る。また、シリンダ２８の閉止されている側の先端には
液室８３と連通する流入口７４が開けられており、流入
口７４から液室８３へは流入側逆止弁７４を介して処理
液源６７から処理液が流入する。また、シリンダ２８の
閉止されている側の先端には液室８３と連通する流出口
８２が開けられており、流出側逆止弁７５を介して液室
８３内の処理液が流出する。

【００２５】このような液体加圧部１６では電磁弁３７
を操作することで圧空源４３からのエアを前ポート２９
に供給する。すると前室９２にエアが供給されるので摺
動部材７１は後壁７３に向って移動する。これによりピ
ストン３９は後退し、液室８３に処理液が流入する。こ
のとき、流出口８２には流出側逆止弁７５が設けられて
いるので流出口８２から液室８３に流体が流入すること
はない。所定量の処理液を液室に溜めたら電磁弁３７を
操作し、エアの供給先を後ポート３０に切り替える。す
ると後室９３にエアが供給されるので摺動部材７１は前
壁７２に向って移動する。これによりピストン３９は前
進し、液室８３内の処理液が流出口８２から流出する。
このとき、流入口８１には流入側逆止弁７４が設けられ
ているので液室８３から流入口８１に処理液が逆流する
ことはない。このようにして液体加圧部１６は加圧した
処理液を流出させることができる。

【００２６】以上のような加圧ポンプ２７を除去液加圧
ポンプ６５として適用した場合、処理液源６７は除去液
源４５に相当する。そして、流出側逆止弁７５から流出
する加圧除去液はフィルタ６１に向って送出されること
になる。また、加圧ポンプ２７を純水加圧ポンプ６６と
して適用した場合、処理液源６７は純水源５５に相当す
る。そして、流出側逆止弁７５から流出する加圧純水は
フィルタ６４に向って送出されることになる。

【００２７】＜４、制御手段＞図５は基板処理装置１の
制御手段６９を示す。制御手段６９にはスピンモータ１
３、第１回動モータ１７、第２回動モータ３１、除去液
ポンプ４７、純水ポンプ５７、除去液噴射弁５３、純水
噴霧弁６３、除去液吐出弁５６、純水吐出弁５８、除去
液側窒素弁６６、純水側窒素弁６５、温調器５１、温調
器６１が接続されており、制御手段６９は後述の基板処
理方法に記載のとおり、これら接続されているものを制
御する。本基板処理装置１では除去液噴射ノズル１２お
よび、純水噴射ノズル２５に気液混合ノズル２７を使用
している。気液混合ノズル２７は直流部３７を有するの
で除去液ミストや純水ミストの拡散が抑制される。この
ため、除去液ミストや純水ミストが所定の速度までに加
速されるとともに、除去液ミストや純水ミストはその速
度の減衰が小さい状態で基板Ｗに到達できる。

【００２８】本基板処理装置１では除去液噴射ノズル１
２および、純水噴射ノズル２５から除去液ミストおよび
純水ミストを基板Ｗの表面に対して４５度の角度をもっ
て噴射しているが側壁の反応生成物を除去するためには
除去液ミストおよび純水ミストの噴射方向と基板Ｗの表
面との角度を３０度から６０度の範囲にするのが好まし
く、４５度にするのがより好ましい。

【００２９】＜５、基板処理装置１を用いた基板処理方
法＞図６のように基板処理装置１を用いた基板処理方法
は除去液供給工程ｓ１と、除去液振切り工程ｓ２と、純
水供給工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４とを有する。以
下、各工程について図７を参照して説明する。なお、図
７では縦軸に記載の各要素が横軸に記載の時間におい
て、弁にあっては開状態に、その他の要素では動作状態
にある場合、網掛けが施されている。

【００３０】（１、除去液供給工程ｓ１）まず、制御手
段６９がスピンモータ１３を駆動して所定の回転数で基
板Ｗを回転させる。そして、第１回動モータ１７を回動
させるるとともに除去液ポンプ４７を駆動し、また、除
去液吐出弁５８を開状態にすることで除去液吐出ノズル
１１から基板Ｗに対して除去液を供給させる。これによ
り、基板Ｗは比較的多量の除去液の供給を受け、基板Ｗ
上の反応生成物は膨潤を開始する。次に除去液吐出ノズ
ル１１からの除去液供給開始から第１の所定時間経過
後、除去液吐出弁５８を閉じて除去液吐出ノズル１１か
らの除去液を供給を停止するとともに除去液ポンプ４７
も停止させる。そして、除去液加圧ポンプ６５を駆動す
るとともに除去液噴射弁５３を開き、除去液噴射ノズル
１２から加圧除去液を基板Ｗに噴射する。これにより、
加圧された除去液が、膨潤してふやけつつある反応生成
物に叩き付けられる。よって、反応生成物には強力に除
去液が打ち込まれて、さらに膨潤が進むとともに、既に
膨潤していた反応生成物は基板Ｗから脱落する。しか
も、除去液噴射ノズル１２は基板Ｗに対して４５度の角
度をもって加圧除去液を噴射しているので加圧除去液は
基板Ｗの凹凸の側壁に付着している反応生成物に対して
勢いを弱められることが少ない状態で到達する。よっ
て、より、反応生成物の膨潤、基板Ｗからの脱落が促進
される。

【００３１】なお、前記第１の所定時間は除去液吐出ノ
ズル１１からの除去液供給開始後、除去液によって基板
Ｗ上の反応生成物が膨潤を開始するまでの時間であり、
予め実験で求めてある。次に制御手段６９は除去液噴射
ノズル１２がカップ３の上方から退避した状態にて第１
回動モータ１７の駆動を停止させる。また、制御手段６
９は除去液噴射弁５３閉状態にし、除去液加圧ポンプ６
５の駆動も停止して除去液供給部７からの除去液の供給
を停止させる。

【００３２】（２、除去液振切り工程ｓ２）次に制御手
段６９は基板Ｗへの除去液の供給を停止させる一方で、
引き続きスピンモータ１３を回転させ、基板Ｗを回転さ
せた状態を維持する。これにより、除去液振切り工程ｓ
２が実行される。この除去液振切り工程ｓ２において基
板Ｗは５００ｒｐｍ以上で回転され、好ましくは１００
０ｒｐｍから４０００ｒｐｍで回転される。また、回転
を維持する時間は少なくとも１秒以上、好ましくは２〜
５秒である。このように、基板Ｗに対する除去液の供給
を停止した状態で基板が回転する状態を維持するので基
板Ｗ上の除去液は遠心力によって基板Ｗ上から振切られ
る。

【００３３】（３、純水供給工程ｓ３）除去液振切り工
程ｓ２の後、制御手段６９が、第２回動モータ３１を回
動させるとともに純水ポンプ５７を駆動し、純水吐出弁
５８を開状態にして純水吐出ノズル２４から純水を供給
させる。これにより、基板Ｗは比較的多量の純水の供給
を受け、基板Ｗ上で膨潤している反応生成物は洗い流さ
れ始める。次に純水吐出ノズル２４からの純水供給開始
から第２の所定時間経過後、純水吐出弁５８を閉じて純
水吐出ノズル２４からの純水の供給を停止するとともに
純水ポンプ５７も停止させる。そして、純水加圧ポンプ
６６を駆動するとともに純水噴射弁６３を開き、純水噴
射ノズル２５から加圧純水を基板Ｗに噴射する。これに
より、加速された純水が、膨潤してふやけた反応生成物
に叩き付けられ、反応生成物は基板Ｗから脱落する。し
かも、純水噴射ノズル２５は基板Ｗに対して４５度の角
度をもって加圧純水を噴射しているので加圧純水は基板
Ｗの凹凸の側壁に付着している反応生成物に対して勢い
を弱められることが少ない状態で到達する。よって、よ
り反応生成物の基板Ｗからの脱落が保進される。なお、
前記第２の所定時間は、純水吐出ノズル２４からの純水
供給開始後、純水により基板Ｗ上の反応生成物がある程
度脱落するまでの時間であり、予め実験で求めてある。
次に制御手段６９は純水噴射ノズル２５がカップ３の上
方から退避した状態にて第２回動モータ３１の駆動を停
止させる。また、制御手段６９は純水噴射弁６３を閉状
態にし、純水加圧ポンプ６６の駆動も停止して純水供給
部９からの純水の供給を停止させる。

【００３４】（４、純水振切り工程ｓ４）純水供給工程
ｓ３の後、制御手段６９は基板Ｗへの純水の供給を停止
する一方で、引き続きスピンモータ１３を回転させ、基
板Ｗを回転させた状態を維持する。これにより、純水振
切り工程ｓ４が実行される。以上のようにして基板Ｗに
除去液および純水が供給されることによって反応生成物
が除去される。

【００３５】本基板処理方法によれば除去液供給工程ｓ
１開始以降、第１の所定時間が経過するまでは除去液吐
出ノズル１１から液状の除去液を連続的に供給している
が、前記第１の所定時間経過後は除去液噴射ノズル１２
から加圧除去液を供給しているので、除去液供給工程ｓ
１全体において除去液吐出ノズル１１のように連続的に
液状の除去液を供給するものに比べて除去液の消費量が
少なくて済む。しかも、除去液噴射ノズル１２からは高
圧の加圧除去液を基板Ｗに噴射しているので、基板Ｗ上
の反応生成物の膨潤、基板Ｗからの脱落にかかる時間が
短くなりスループットが向上する。

【００３６】また、純水供給工程ｓ３開始以降、第２の
所定時間が経過するまでは純水吐出ノズル２４から液状
の純水を連続的に供給しているが、前記第２の所定時間
経過後は純水噴射ノズル２５から加圧純水を供給してい
るので、純水供給工程ｓ３全体において純水吐出ノズル
２４のように連続的に液状の純水を供給するものに比べ
て純水の消費量が少なくて済む。しかも、純水噴射ノズ
ル２５からは高圧の加圧純水を基板Ｗに噴射しているの
で、反応生成物の基板Ｗからの脱落にかかる時間が短く
なりスループットが向上する。

【００３７】なお、本基板処理方法によれば除去液振切
り工程ｓ２において、基板Ｗ上の除去液が振切られ、基
板Ｗ上に残存する除去液が僅少または全く無くなる。よ
って、この状態で純水供給工程ｓ３において基板Ｗに対
して純水を供給すれば純水が接触する除去液の量は僅少
または全く無いのでペーハーショックが発生しても基板
Ｗへの影響はほとんど無いか、ペーハーショック自体が
生じない。ペーハーショックとは除去液と純水とが接触
して強アルカリが生成されることを言い、このような強
アルカリが生成されると金属膜に損傷を与えるので可能
な限り抑制する必要がある。

【００３８】また、本基板処理方法では除去液供給工程
ｓ１開始後、第１の所定時間が経過するまでは除去液吐
出ノズル１１から液状の除去液を供給し、第１の所定時
間経過後、除去液振切り工程ｓ２開始直前まで除去液噴
射ノズル１２から加圧除去液を基板Ｗに噴射している
が、以下のようにしてもよい。すなわち、除去液供給工
程ｓ１全体にわたって除去液噴射ノズル１２から加圧除
去液を供給してもよい。この場合、基板処理装置１には
除去液吐出ノズル１１を設けなくてもよい。また、除去
液供給工程ｓ１開始後、所定時間が経過するまでは除去
液噴射ノズル１２から加圧除去液を供給し、該所定時間
経過後、除去液吐出ノズル１１から液状の除去液を供給
してもよい。また、本基板処理方法では純水供給工程ｓ
３開始から第２の所定時間が経過するまでは純水吐出ノ
ズル２４から液状の純水を供給し、第２の所定時間経過
後、純水振切り工程ｓ４直前まで純水噴射ノズル２５か
ら加圧純水を基板Ｗに噴射しているが、以下のようにし
てもよい。すなわち、純水供給工程ｓ３全体にわたって
純水噴射ノズル２５から加圧純水を供給してもよい。こ
の場合、基板処理装置１には純水吐出ノズル２４を設け
なくてもよい。また、純水供給工程ｓ３開始から所定時
間が経過するまでは純水噴射ノズル２５から加圧純水を
供給し、該所定時間経過後、純水吐出ノズル２４から液
状の純水を供給してもよい。

【００３９】＜６、基板処理装置１００＞図７、図８に
従って基板処理装置１００について説明する。なお、図
７は図８のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図であるが、便宜上、一
部ハッチングを省略している。基板処理装置１００は前
述の基板処理装置１の構成に加えて、中間リンス液供給
部としての溶剤供給部２を有している。そして、基板処
理装置１００は基板処理装置１と共通部分が多いので、
以下、基板処理装置１と共通の部分は図面に同一の参照
番号を付し説明を省略する。

【００４０】基板処理装置１００は溶剤供給部２を有
し、該溶剤供給部２は、不図示の機枠に固定され、鉛直
方向に配された駆動軸を有する第３回動モータ１８と第
３回動モータ１８の駆動軸に固定された第３回動軸２０
と、第３回動軸２０の頂部に接続された第３アーム２２
とを有する。第３アーム２２の先端には溶剤吐出ノズル
４０が設けられる。溶剤吐出ノズル４０は略鉛直方向に
長手方向が配された管状部材であり、一端から有機溶剤
が供給されるとともに、他端から基板Ｗに対して有機溶
剤を供給する。また、同じく第３アーム２２の先端には
ブラケット４１（図８では二点鎖線で表示）を介して溶
剤噴射ノズル３９が設けられている。溶剤噴射ノズル３
９は後述のように加圧された有機溶剤（以下、加圧溶剤
と言うこともある。）を噴射するが、基板Ｗの表面に対
して４５度の傾斜をもって加圧溶剤を噴射するよう設置
されている。そして、上記、前記溶剤吐出ノズル４０お
よび溶剤噴射ノズル３９は、溶剤吐出ノズル４０から吐
出される有機溶剤と溶剤噴射ノズル３９から噴射される
加圧溶剤とが基板Ｗ表面において交差するように配置さ
れているとともに、溶剤吐出ノズル４０および溶剤噴射
ノズル３９が第３回動モータ１８によって回動させられ
たとき、溶剤吐出ノズル４０から吐出される有機溶剤と
溶剤噴射ノズル３９から噴射される加圧溶剤とが図８の
ように基板Ｗの回転中心Ｃを通り、かつ、回転する基板
Ｗの端縁が描く回転円９５の円周上の２点で交差する円
弧８６上を往復移動するように配置されている。

【００４１】＜７、溶剤供給系＞図９に溶剤供給系９０
を示す。溶剤供給系９０は装置外の有機溶剤源４５から
有機溶剤を汲み出す溶剤溶剤加圧ポンプ７６と溶剤加圧
ポンプ７６によって汲み出された有機溶剤から汚染物質
をフィルタリングするフィルタ３２とフィルタリングさ
れた有機溶剤の溶剤噴射ノズル３９への流路を開閉する
溶剤噴射弁５４とを有する。また、溶剤供給系９０は有
機溶剤源４５から有機溶剤を汲み出す溶剤ポンプ４８
と、溶剤ポンプ４８によって汲み出された有機溶剤から
汚染物質をフィルタリングするフィルタ５２と、フィル
タリングされた有機溶剤の溶剤吐出ノズル４０への流路
を開閉する溶剤吐出弁６２とを有する。このような構成
によって溶剤供給系９０は清浄化された有機溶剤を溶剤
噴射ノズル３９および、溶剤吐出ノズル４０に供給でき
る。なお、溶剤噴射ノズル３９の先端には口径０．５ｍ
ｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下の溶剤噴射口が設け
られており、溶剤加圧ポンプ７６は前記溶剤噴射口から
高圧の溶剤が噴射されるように設定されている。ここで
の高圧とは２．９４×１０^６Ｐａ（３０ｋｇｆ／ｃ
ｍ^２）以上の圧力で基板Ｗに到達するような圧力であ
る。

【００４２】また、ここでは前述の加圧ポンプ２７を溶
剤加圧ポンプ７６として適用している。この場合、図４
の処理液源６７は有機溶剤源４６に相当する。そして、
流出側逆止弁７５から流出する加圧溶剤はフィルタ３２
に向って送出されることになる。

【００４３】基板処理装置１００は不図示の制御手段を
有し、その制御手段には基板処理装置１の制御手段６９
と同様、スピンモータ１３、第１回動モータ１７、第２
回動モータ３１、除去液ポンプ４７、純水ポンプ５７、
除去液噴射弁５３、純水噴射弁５３、除去液吐出弁５
６、純水吐出弁５８、除去液加圧ポンプ６５、純水加圧
ポンプ６６が接続されているとともに、第３回動モータ
１８、溶剤ポンプ４８、溶剤噴射弁５４、溶剤吐出弁６
２、溶剤加圧ポンプ７６がさらに接続されている。

【００４４】本基板処理装置１００では溶剤噴射ノズル
３９から加圧溶剤を基板Ｗの表面に対して４５度の角度
をもって噴射しているが側壁の反応生成物を除去するた
めには加圧溶剤の噴射方向と基板Ｗの表面との角度を３
０度から６０度の範囲にするのが好ましく、４５度にす
るのがより好ましい。

【００４５】＜８、基板処理装置１００を用いた基板処
理方法＞図１０に従って、上記基板処理装置１００を用
いた基板処理方法について説明する。基板処理装置１０
０を用いた基板処理方法は除去液供給工程ｓ３１と、除
去液振切り工程Ｓ３２と、中間リンス工程としての溶剤
供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３４と純水振切り工程
ｓ３５とを有する。この基板処理方法は実質的に、除去
液供給工程ｓ１と、除去液振切り工程ｓ２と、純水供給
工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４とを有する基板処理装置
１を用いた基板処理方法において、除去液振切り工程ｓ
２と純水供給工程ｓ３との間に溶剤供給工程を加えたも
のである。よって、前記除去液供給工程ｓ３１と、除去
液振切り工程ｓ３２と、純水供給工程ｓ３４と純水振切
り工程ｓ３５とはそれぞれ基板処理装置１を用いた基板
処理方法における除去液供給工程ｓ１と、除去液振切り
工程ｓ２と、純水供給工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４と
同じ内容なので説明を省略する。

【００４６】次に溶剤供給工程ｓ３３につき説明する。
溶剤供給工程ｓ３３は除去液供給工程ｓ３１と、除去液
振切り工程ｓ３２とを経てから実行される。除去液振切
り工程ｓ３２では基板Ｗに対する除去液の供給を停止し
た状態で基板が回転する状態を維持するので基板Ｗ上の
除去液は遠心力によって基板Ｗ上から振切られ、基板Ｗ
上に残る除去液は限りなく少なくなっている。

【００４７】溶剤供給工程ｓ３３開始時には前記不図示
の制御手段が、第３回動モータ１８を回動させるととも
に溶剤ポンプ４８を駆動し、溶剤吐出弁６２を開状態に
して溶剤吐出ノズル４０から有機溶剤を供給させる。こ
れにより、基板Ｗは比較的多量の有機溶剤の供給を受
け、基板Ｗ上の除去液が洗い流され始める。次に溶剤供
給工程ｓ３３開始から第３の所定時間経過後、溶剤吐出
弁６２を閉じて溶剤吐出ノズル４０からの有機溶剤の供
給を停止するとともに溶剤ポンプ４８の駆動も停止する
そして同じく、第３の所定時間経過後、溶剤加圧ポンプ
７６を駆動するとともに溶剤噴射弁５４を開き、溶剤噴
射ノズル３９から加圧溶剤を基板Ｗに噴射する。これに
より、高圧の加圧溶剤が、膨潤してふやけた反応生成物
に叩き付けられ、反応生成物は基板Ｗから脱落する。し
かも、溶剤噴射ノズル３９は基板Ｗに対して４５度の角
度をもって加圧溶剤を噴射しているので加圧溶剤は基板
Ｗの凹凸の側壁に付着している反応生成物に対して勢い
を弱められることが少ない状態で到達する。よって、よ
り反応生成物の基板Ｗからの脱落が促進される。このた
め、処理に要する時間が短くなる。なお、前記第３の所
定時間は、溶剤供給工程ｓ３３開始以降、溶剤吐出ノズ
ル４０から供給される有機溶剤により、基板Ｗ上の除去
液がある程度洗い流されるまでの時間であり、予め実験
で求めてある。純水供給工程ｓ３４直前において前記不
図示の制御手段は溶剤噴射ノズル３９がカップ３の上方
から退避した状態にて第３回動モータ１８の駆動を停止
させる。また、不図示の制御手段は溶剤噴射弁５４を閉
状態にし、溶剤加圧ポンプ７６の駆動も停止して溶剤供
給部２からの有機溶剤の供給を停止させる。

【００４８】このように溶剤供給工程ｓ３３では有機溶
剤を基板Ｗに供給することによって、基板Ｗから除去液
を洗い流してしまう。このため、後続する純水供給工程
ｓ３４にて基板Ｗに純水が供給されたとき、純水に接触
する除去液はまったく無くなるのでペーハーショックの
発生を防止することができる。このため、基板Ｗ上の薄
膜に対するダメージの発生を防止することができる。ま
た、本基板処理方法では除去液振切り工程ｓ３２におい
て基板Ｗから除去液を振切っているのでこの時点で基板
Ｗに残存する除去液は僅かである。このため、溶剤供給
工程ｓ３３において有機溶剤によって除去液を洗い流す
のに必要な時間を短縮することができる。このためスル
ープットが向上する。また、同じく、基板Ｗに残存する
除去液は僅かであるため、溶剤供給工程ｓ３３において
必要となる有機溶剤の量を低減することができるのでコ
ストを削減することもできる。なお、本基板処理方法で
は溶剤供給工程ｓ３３の直後に純水供給工程ｓ３４を実
行しているが、溶剤供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３
４との間に基板Ｗ上の溶剤を振切る溶剤振切り工程を設
けてもよい。

【００４９】また、本基板処理方法では除去液供給工程
ｓ３１開始から純水振切り工程ｓ３５終了まで基板Ｗの
回転を停止させていないが、除去液供給工程ｓ３１との
間、除去液振切り工程ｓ３２と溶剤供給工程ｓ３３との
間、溶剤供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３４との間、
純水供給工程ｓ３４と純水振切り工程ｓ３５との間の何
れかで一旦基板Ｗの回転を停止させてもよい。また、本
基板処理方法では除去液供給工程ｓ３１開始後、第１の
所定時間が経過するまでは除去液吐出ノズル１１から液
状の除去液を供給し、第１の所定時間経過後、除去液振
切り工程ｓ３２開始直前まで除去液噴射ノズル１２から
加圧除去液を基板Ｗに噴射しているが、以下のようにし
てもよい。すなわち、除去液供給工程ｓ３１全体にわた
って除去液噴射ノズル１２から加圧除去液を供給しても
よい。この場合、基板処理装置１には除去液吐出ノズル
１１を設けなくてもよい。また、除去液供給工程ｓ３１
開始後、所定時間が経過するまでは除去液噴射ノズル１
２から加圧除去液を供給し、該所定時間経過後、除去液
吐出ノズル１１から液状の除去液を供給してもよい。ま
た、本基板処理方法では溶剤供給工程ｓ３３開始後、第
３の所定時間が経過するまでは溶剤吐出ノズル４０から
液状の有機溶剤を供給し、第３の所定時間経過後、純水
供給工程ｓ３４開始直前まで溶剤噴射ノズル３９から加
圧溶剤を基板Ｗに噴射しているが、以下のようにしても
よい。すなわち、溶剤供給工程ｓ３３全体にわたって溶
剤噴射ノズル３９から加圧溶剤を供給してもよい。この
場合、基板処理装置１００には溶剤吐出ノズル４０を設
けなくてもよい。また、溶剤供給工程ｓ３３開始跡、所
定時間が経過するまでは溶剤噴射ノズル３９から加圧溶
剤を供給し、該所定時間経過後、純水供給工程ｓ３４開
始直前まで溶剤吐出ノズル４０から液状の有機溶剤を供
給してもよい。また、本基板処理方法では純水供給工程
ｓ３３開始から第２の所定時間が経過するまでは純水吐
出ノズル２４から液状の純水を供給し、第２の所定時間
経過後、純水振切り工程ｓ４直前まで純水噴射ノズル２
５から加圧純水を基板Ｗに噴射しているが、以下のよう
にしてもよい。すなわち、純水供給工程ｓ３３全体にわ
たって純水噴射ノズル２５から加圧純水を供給してもよ
い。この場合、基板処理装置１には純水吐出ノズル２４
を設けなくてもよい。また、純水供給工程ｓ３３開始か
ら所定時間が経過するまでは純水噴射ノズル２５から加
圧純水を供給し、該所定時間経過後、純水吐出ノズル２
４から液状の純水を供給してもよい。

【００５０】＜９、まとめ＞以上の基板処理装置１、１
００の保持回転部は基板を水平に保持して回転させてい
るが、基板の主面を水平面に対して傾斜させて、または
基板の主面を鉛直方向に沿わせて保持回転する保持回転
部としてもよい。また、以上の基板処理装置１、１００
の保持回転部は唯１枚の基板を保持しているが、複数の
基板を保持する保持回転部としてもよい。また基板処理
装置１では除去液供給部７は除去液噴射ノズル１２を、
純水供給部９は純水噴射ノズル２５をそれぞれ有する
が、除去液噴射ノズル１２、純水噴射ノズル２５のいず
れかを省略してもよい。また基板処理装置１００では除
去液供給部７は除去液噴射ノズル１２を、純水供給部９
は純水噴射ノズル２５を、溶剤供給部２は溶剤噴射ノズ
ル３９をそれぞれ有するが、除去液噴射ノズル１２、純
水噴射ノズル２５、溶剤噴射ノズル３９のいずれか１つ
または２つを省略してもよい。以上の実施形態の基板処
理ではドライエッチングを経て表面にポリマーが生成さ
れた基板を対象としているが、該ドライエッチングを経
てさらにアッシングを経た基板を対象とした場合に特に
効果がある。アッシングは例えば酸素プラズマ中にレジ
スト膜を有する基板を配して行われるが、アッシングを
経ると、より多くのポリマーが生成される。このため、
ドライエッチングとアッシングとを経た基板からポリマ
ーを除去する処理を行う場合、本願発明によれば、より
スループットが向上でき、また、コストを削減できる。
また、基板Ｗ上に反応生成物が凸状に堆積している場
合、以上の基板処理装置１、１００においては処理液の
ミストは基板Ｗに対して傾斜した方向から噴射されてい
るので該凸状に堆積している反応生成物は処理液のミス
トによりへし折られる。このため、反応生成物の除去処
理を速く済ませることができる。また基板処理装置１、
１００では除去液噴射ノズル１２、純水噴射ノズル２
５、溶剤噴射ノズル３９から高圧の処理液を噴射させる
ための液体加圧部にて加圧ポンプ２７を用いているが以
下のような構成としてもよい。すなわち、処理液を貯留
する密閉容器と、密閉容器内の空間に加圧されたガスを
供給する加圧ガス供給手段と、一端が密閉容器内の処理
液に接し、他端が密閉容器外に導かれている処理液供給
管とを設け、該処理液供給管から除去液噴射ノズル１２
または純水噴射ノズル２５または溶剤噴射ノズル３９に
対して処理液を供給する構成としてもよい。この場合の
ガスは処理液の変質を防止するため不活性ガスが望まし
く、例えば、窒素、アルゴンが使用できる。

【００５１】なお、上記実施形態では基板Ｗを回転させ
ながら、少なくとも基板Ｗの回転中心Ｃに処理液を供給
しているが、本発明は回転する基板Ｗに処理液を供給す
ることに限られない。例えば、間欠的に回動または回転
している基板Wの回転中心Ｃに処理液を供給してもよ
い。また、静止した状態の基板Ｗの中央に処理液を供給
した後、基板Wを回動または回転させてもよい。この場
合の回動または回転は連続的でも間欠的でもよい。

【００５２】また、チャック１５は基板Ｗの裏面のみと
接触して基板Ｗを保持しているため、基板Ｗの表面全
体、特に基板Ｗの表面の周辺部分にもまんべんなく液体
が供給されるので処理における基板Ｗの面内均一性が確
保できる。

【００５３】また、同じくチャック１５は基板Ｗの裏面
のみと接触して基板Ｗを保持しているため、基板Ｗの周
部分に接触するものは何も無い。よって、基板Ｗから液
体を振り切るとき、液が基板Ｗから円滑に排出される。

【００５４】なお、上記実施形態ではドライエッチング
工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成さ
れたポリマーを除去することを開示したが、本発明はド
ライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板
から前記ポリマーを除去することに限定されるものでは
ない。例えば、先にも言及したが、本発明はプラズマア
ッシングの際に生成されたポリマーを基板から除去する
場合も含む。よって、本発明は、必ずしもドライエッチ
ングとは限らない各種処理において、レジストに起因し
て生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
また、本発明は、ドライエッチングや、プラズマアッシ
ングによる処理で生成されるポリマーだけを除去するこ
とに限定されるものではなく、レジストに由来する各種
反応生成物を基板から除去する場合も含む。

【００５５】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。例えば、レジスト
が塗布され、該レジストに配線パターン等の模様が露光
され、該レジストが現像され、該レジストの下層に対し
て下層処理（例えば下層としての薄膜に対するエッチン
グ処理）が施された基板を対象とし、下層処理が終了し
て、不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれ
る。なお、この場合、不要になったレジスト膜を除去す
るのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反応生成物
があればこれも同時に除去できるので、スループットが
向上するとともに、コストを削減できる。例えば、上記
下層処理において、下層である薄膜に対してドライエッ
チングを施した場合は反応生成物も生成される。よっ
て、ドライエッチング時に下層をマスクすることに供さ
れたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が変質し
て生じた反応生成物も同時に除去できる。

【００５６】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを基板から除去することも含
む。

【００５７】また、上記実施形態の基板処理装置では純
水供給部が設けられているがこれをリンス液供給部とし
てもよい。この場合は純水源の代わりにリンス液源を設
け、リンス液源のリンス液を基板に供給する。ここでの
リンス液は常温（摂氏20度〜28度程度）、常圧（約1気
圧）で放置すれば水になる液体である。例えば、オゾン
を純水に溶解したオゾン水、水素を純水に溶解した水素
水、二酸化炭素を純水に溶解した炭酸水である。特に、
純水の代わりにリンス液として、オゾン水を使用すれば
有機物、レジストが変質して生じた反応生成物、ドライ
エッチによって生じたポリマーをより完全に除去でき
る。よって、この場合は有機物、レジストが変質して生
じた反応生成物、ポリマーを基板から除去する処理の処
理品質を向上させるという課題を解決できる。

【００５８】また上記実施形態の基板処理方法では純水
供給工程において、基板に純水を供給し、純水振切り工
程で基板から純水を振切っているが、純水供給工程をリ
ンス液供給工程とし、純水振切り工程をリンス液振切り
工程としてもよい。この場合はリンス液供給工程で前記
リンス液を基板に供給し、リンス液振切り工程で基板か
ら前記リンス液を振切る。従って、上記実施形態におい
て、除去液振切り工程または中間リンス工程に続いてリ
ンス液供給工程、リンス液振切り工程を行ってもよい。

【００５９】なお、リンス液供給工程で使用するリンス
液がオゾン水であるときは、有機物、レジストが変質し
て生じた反応生成物、ドライエッチによって生じたポリ
マーをより完全に除去できる。よって、この場合は有機
物、レジストが変質して生じた反応生成物、ドライエッ
チによって生じたポリマーを基板から除去する処理の処
理品質を向上させるという課題を解決できる。

【００６０】

【発明の効果】本発明の基板処理装置によれば、加圧し
た除去液または純水または中間リンス液を基板に供給す
る。このため、基板から反応生成物を良好に除去でき、
処理の品質向上を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置１の側面図である。

【図２】基板処理装置１の上面図である。

【図３】除去液供給系８９、純水供給系９１を示す図で
ある。

【図４】液体加圧部１６を示す図である。

【図５】基板処理装置１のハード構成図である。

【図６】基板処理装置１を用いた基板処理方法のフロー
図である。

【図７】基板処理装置１００の側面図である。

【図８】基板処理装置１００の上面図である。

【図９】溶剤供給系９０を示す図である。

【図１０】基板処理装置１００を用いた基板処理方法の
フロー図である。

【図１１】従来技術を説明する図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ２ 溶剤供給部 ５ 保持回転部 ７ 除去液供給部 ９ 純水供給部 １２ 除去液噴射ノズル １６ 液体加圧部 ２５ 純水噴射ノズル ２７ 加圧ポンプ ２８ シリンダ ３９ 溶剤噴射ノズル ８１ 流入口 ８２ 流出口 １００ 基板処理装置

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レジスト膜をマスクとして基板の表面に存
   在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
   程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
   板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置で
   あって、 前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転す
   る保持回転部と、 回転している基板に対して反応生成物を除去する除去液
   を供給する除去液供給部と、 回転している基板に対して純水を供給する純水供給部
   と、 液体を加圧して送出する液体加圧部とを有し、 前記液体加圧部は前記除去液供給部に対して加圧された
   除去液を供給し、 前記除去液供給部は加圧された除去液を基板に噴射する
   除去液噴射ノズルを有する基板処理装置。
2. 【請求項２】レジスト膜をマスクとして基板の表面に存
   在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
   程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
   板上に生成された反応生成物を該基板から除去する基板
   処理装置であって、 前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転す
   る保持回転部と、 回転している基板に対して反応生成物を除去する除去液
   を供給する除去液供給部と、 回転している基板に対して純水を供給する純水供給部
   と、 液体を加圧して送出する液体加圧部とを有し、 前記液体加圧部は前記純水供給部に対して加圧された純
   水を供給し、 前記純水供給部は加圧された純水を基板に噴射する純水
   噴射ノズルを有する基板処理装置。
3. 【請求項３】レジスト膜をマスクとして基板の表面に存
   在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
   程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
   板上に生成された反応生成物を該基板から除去する基板
   処理装置であって、 前記ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転す
   る保持回転部と、 回転している基板に対して反応生成物を除去する除去液
   を供給する除去液供給部と、 回転している基板に対して基板上の除去液を洗い流す中
   間リンス液を供給する中間リンス液供給部と、 回転している基板に対して純水を供給する純水供給部
   と、 液体を加圧して送出する液体加圧部とを有し、 前記液体加圧部は前記中間リンス液供給部に対して加圧
   された中間リンス液を供給し、 前記中間リンス液供給部は加圧された中間リンス液を基
   板に噴射する中間リンス液噴射ノズルを有する基板処理
   装置。
4. 【請求項４】請求項１ないし請求項３に記載の基板処理
   装置において、 前記液体加圧部は、 一端が閉止された筒状のシリンダと、該シリンダの他端
   側から摺動自在に挿入されたピストンと、ピストンをシ
   リンダに対して摺動させるピストン駆動部と、ピストン
   とシリンダとの間に形成される空間に連通し、該空間に
   液を流入させる流入口と、前記空間に連通し、流入口か
   ら該空間に流入した液を流出させる流出口とを有する基
   板処理装置。
5. 【請求項５】基板に付着した有機物を有機物の除去液で
   除去する基板処理装置であって、 基板を保持して回転する保持回転部と、 前記基板に除去液を供給する除去液供給部と、 前記基板に純水を供給する純水供給部と、 液体を加圧して送出する液体加圧部とを有し、 前記液体加圧部は前記除去液供給部に対して加圧された
   除去液を供給し、 前記除去液供給部は加圧された除去液を基板に噴射する
   除去液噴射ノズルを有する基板処理装置。
6. 【請求項６】基板に付着した有機物を有機物の除去液で
   除去する基板処理装置であって、 基板を保持して回転する保持回転部と、 前記基板に除去液を供給する除去液供給部と、 前記基板に純水を供給する純水供給部と、 液体を加圧して送出する液体加圧部とを有し、 前記液体加圧部は前記純水供給部に対して加圧された純
   水を供給し、 前記純水供給部は加圧された純水を基板に噴射する純水
   噴射ノズルを有する基板処理装置。
7. 【請求項７】基板に付着した有機物を有機物の除去液で
   除去する基板処理装置であって、 基板を保持して回転する保持回転部と、 前記基板に除去液を供給する除去液供給部と、 前記基板に除去液を洗い流す中間リンス液を供給する中
   間リンス液供給部と、 前記基板に純水を供給する純水供給部と、 液体を加圧して送出する液体加圧部とを有し、 前記液体加圧部は前記中間リンス液供給部に対して加圧
   された中間リンス液を供給し、 前記中間リンス液供給部は加圧された中間リンス液を基
   板に噴射する中間リンス液噴射ノズルを有する基板処理
   装置。
8. 【請求項８】前記有機物はレジストが変質して生じた反
   応生成物であり、前記除去液は該反応生成物を除去する
   除去液であることを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】請求項５ないし請求項８に記載の基板処理
   装置において、 前記液体加圧部は、 一端が閉止された筒状のシリンダと、該シリンダの他端
   側から摺動自在に挿入されたピストンと、ピストンをシ
   リンダに対して摺動させるピストン駆動部と、ピストン
   とシリンダとの間に形成される空間に連通し、該空間に
   液を流入させる流入口と、前記空間に連通し、流入口か
   ら該空間に流入した液を流出させる流出口とを有する基
   板処理装置。