JP2014131033A - ウエハ形状物品を処理するための方法および装置 - Google Patents
ウエハ形状物品を処理するための方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014131033A JP2014131033A JP2013259825A JP2013259825A JP2014131033A JP 2014131033 A JP2014131033 A JP 2014131033A JP 2013259825 A JP2013259825 A JP 2013259825A JP 2013259825 A JP2013259825 A JP 2013259825A JP 2014131033 A JP2014131033 A JP 2014131033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- droplet generator
- wafer
- orifice
- shaped article
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
【解決手段】単分散液滴の噴霧を生成するよう設計された液滴生成器を用いて、ウエハ形状物品の湿式処理を改善する。液滴生成器は、スピンチャックの上方に取り付けられ、ウエハ形状物品の主要面にわたって直線または弓状の経路で移動される。液滴生成器は、音響エネルギが放出オリフィス150の周りの本体の領域に到達するように本体に音響的に結合された変換器を備える。各オリフィスは、少なくとも1μmかつ最大200μmの幅wと、wに対するhの比が1以下であるような高さhとを有する。
【選択図】図3
Description
Claims (15)
- ウエハ形状物品の湿式処理のための装置であって、
所定の向きに前記ウエハ形状物品を保持するよう適合されたスピンチャックと、
本体と、液体のための流入口と、前記スピンチャック上に載置された前記ウエハ形状物品の表面上に液体を放出するための少なくとも1つのオリフィスと、音響エネルギが前記少なくとも1つのオリフィスの周りの前記本体の領域に到達するように前記本体に音響的に結合された少なくとも1つの変換器と、を有する液滴生成器であって、前記液滴生成器は、前記少なくとも1つのオリフィスを通して液体を単分散液滴の噴霧として供給するよう構成されている、液滴生成器と、
前記液滴生成器から放出される液体と同じ側で前記ウエハ形状物品上に処理液体を供給するように、前記スピンチャックおよび前記液滴生成器に対して位置決めされた処理液体供給器と、
前記処理液体供給器から供給された前記処理液体との関連で、前記液滴生成器からの単分散液滴の噴霧を制御するよう構成されたコントローラと、
を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、さらに、
前記液滴生成器に結合され、前記スピンチャックに載置された前記ウエハ形状物品と略平行な直線または弓状の経路で前記液滴生成器を移動させるよう構成されたアームを備える、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記少なくとも1つのオリフィスは、少なくとも1μmかつ最大200μmの幅wと、wに対するhの比が1以下であるような高さhとを有する、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記液滴生成器は、さらに、
液体容器と、
圧縮ガスを保持するための圧力容器と、を備え、
前記液体容器、前記圧力容器、および、前記液滴生成器は、相互接続可能である、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記液滴生成器は、さらに、
高圧ポンプと、
液体容器と、を備え、
前記高圧ポンプは、前記液体容器および前記液滴生成器と接続可能である、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記液滴生成器は、少なくとも1列の直線配列の少なくとも2つのオリフィスを備える、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記少なくとも1つのオリフィスは、前記本体に取り付けられたプレートに含まれる、装置。 - 請求項5に記載の装置であって、
前記高圧ポンプは、2から50バールの範囲の圧力Pに液体を加圧するよう構成されている、装置。 - 請求項3に記載の装置であって、
前記幅wは、10μmから80μmである、装置。 - ウエハ形状物品を処理するための方法であって、
処理液体供給器から前記ウエハ形状物品の主要面上に処理液体を供給して、前記ウエハ形状物品の前記主要面上に処理液体の薄膜を形成する工程と、
液滴生成器から前記液滴生成器に形成された少なくとも1つのオリフィスを通して別の液体を別個に放出しつつ、前記液体が前記少なくとも1つのオリフィスを通る際に前記液体に音響エネルギを印加する工程であって、前記音響エネルギは、波数kaが0.3から1までの間になるような波長λを有し、ka=wπ/λであることにより、前記液体の単分散液滴の流れを生成する、工程と、
前記単分散液滴の流れを前記処理液体の薄膜に衝突させる工程と、
を備える、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、さらに、
前記ウエハ形状物品の前記主要面と平行に前記液滴生成器を移動させる工程を備える、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、さらに、
前記主要面と略垂直な軸を中心に前記ウエハ形状物品を回転させる工程を備え、
前記処理液体は、前記単分散液滴の流れによって衝突された前記処理液体の薄膜が0.5mm以下の厚さを有するように供給される、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記単分散液滴の前記液体は、水以下の粘性を有する、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記音響エネルギは、圧電変換器によって生成される、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記液体は、10μmから80μmまでの基本的に同じサイズを各々有する複数のオリフィスを通して供給される、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/718,901 | 2012-12-18 | ||
US13/718,901 US8691022B1 (en) | 2012-12-18 | 2012-12-18 | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014131033A true JP2014131033A (ja) | 2014-07-10 |
Family
ID=50391760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013259825A Pending JP2014131033A (ja) | 2012-12-18 | 2013-12-17 | ウエハ形状物品を処理するための方法および装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8691022B1 (ja) |
JP (1) | JP2014131033A (ja) |
KR (1) | KR20140079333A (ja) |
CN (1) | CN103871929B (ja) |
TW (1) | TWI602235B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9627608B2 (en) | 2014-09-11 | 2017-04-18 | Lam Research Corporation | Dielectric repair for emerging memory devices |
US9960057B2 (en) * | 2014-12-18 | 2018-05-01 | Lam Research Ag | Device for measuring the distribution or impulse of a series of droplets |
KR102602833B1 (ko) * | 2021-09-30 | 2023-11-16 | 엔젯 주식회사 | 복수의 노즐 헤드를 구비한 프린팅 장치 및 복수의 노즐팁 정렬 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10211469A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-11 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 球状粒体の製造装置 |
JP2000262989A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-09-26 | Uct Kk | 基板洗浄装置 |
JP2002170811A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009530865A (ja) * | 2006-03-24 | 2009-08-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の洗浄方法及び装置 |
JP2010056376A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
US7963466B2 (en) * | 2000-08-28 | 2011-06-21 | Medspray XEMEMS B.V. | Nozzle device and nozzle for atomisation and/or filtration and methods for using the same |
JP2012182320A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ノズル、基板処理装置、および基板処理方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS528505B1 (ja) * | 1970-02-06 | 1977-03-09 | ||
US3790079A (en) | 1972-06-05 | 1974-02-05 | Rnb Ass Inc | Method and apparatus for generating monodisperse aerosol |
JPS5523674B2 (ja) | 1974-09-30 | 1980-06-24 | ||
US4629478A (en) | 1984-06-22 | 1986-12-16 | Georgia Tech Research Corporation | Monodisperse aerosol generator |
DE3912524A1 (de) | 1988-04-20 | 1989-11-02 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Vorrichtung zur periodischen erzeugung von tropfen kleinster abmessungen |
US4958052A (en) * | 1989-02-14 | 1990-09-18 | Mahieu William R | ARC severing and displacement method and apparatus for fault current interruption |
GB9324938D0 (en) | 1993-12-04 | 1994-01-26 | Atomic Energy Authority Uk | Aerosol generator |
TW386235B (en) | 1995-05-23 | 2000-04-01 | Tokyo Electron Ltd | Method for spin rinsing |
US20060118132A1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-06-08 | Bergman Eric J | Cleaning with electrically charged aerosols |
DE10013451B4 (de) | 2000-03-17 | 2006-05-04 | Degussa Ag | Vorrichtung zur Erzeugung monodisperser Tropfen |
DE10013450B4 (de) | 2000-03-17 | 2006-05-04 | Degussa Ag | Vorrichtung zur Erzeugung monodisperser Tropfen |
JP2002009035A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
JP4494840B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
EP1763072A4 (en) * | 2004-06-04 | 2010-02-24 | Tokyo Electron Ltd | SUBSTRATE PURIFICATION METHOD AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM |
JP3930495B2 (ja) | 2004-06-16 | 2007-06-13 | 三菱重工業株式会社 | ニッケル超微粒子分散液体ナトリウムの製造方法、装置、液体ナトリウムの漏洩検出方法 |
TWI286796B (en) * | 2004-12-14 | 2007-09-11 | Sez Ag | Apparatus and method for drying disk-shaped substrates |
JP4986565B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR101369197B1 (ko) * | 2006-01-20 | 2014-03-27 | 아크리온 테크놀로지즈 인코포레이티드 | 평평한 물품을 처리하는 음향 에너지 시스템, 방법 및 장치 |
JP4767138B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 |
TW200739710A (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-16 | Dainippon Screen Mfg | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
WO2008008921A2 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Akrion Technologies, Inc. | Tranducer assembly incorporating a transmitter having through holes, and method of cleaning |
TWI352628B (en) * | 2006-07-21 | 2011-11-21 | Akrion Technologies Inc | Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr |
JP4884180B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US7837805B2 (en) * | 2007-08-29 | 2010-11-23 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating surfaces |
US8500913B2 (en) * | 2007-09-06 | 2013-08-06 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating surfaces, and methods for removing one or more materials from surfaces |
US7749327B2 (en) * | 2007-11-01 | 2010-07-06 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating surfaces |
NL2002787C2 (en) | 2009-04-23 | 2010-10-26 | Medspray Xmems Bv | Atomising body, atomising device, inhaler, manufacturing method of manufacturing an atomising body and assembly method for assembling an atomising device. |
-
2012
- 2012-12-18 US US13/718,901 patent/US8691022B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-18 CN CN201310578966.9A patent/CN103871929B/zh active Active
- 2013-12-17 TW TW102146718A patent/TWI602235B/zh active
- 2013-12-17 JP JP2013259825A patent/JP2014131033A/ja active Pending
- 2013-12-18 KR KR1020130158802A patent/KR20140079333A/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-03-05 US US14/198,121 patent/US9548221B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10211469A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-11 | Toshiba Tungaloy Co Ltd | 球状粒体の製造装置 |
JP2000262989A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-09-26 | Uct Kk | 基板洗浄装置 |
US7963466B2 (en) * | 2000-08-28 | 2011-06-21 | Medspray XEMEMS B.V. | Nozzle device and nozzle for atomisation and/or filtration and methods for using the same |
JP2002170811A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009530865A (ja) * | 2006-03-24 | 2009-08-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の洗浄方法及び装置 |
JP2010056376A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
JP2012182320A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ノズル、基板処理装置、および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9548221B2 (en) | 2017-01-17 |
CN103871929B (zh) | 2016-09-28 |
US8691022B1 (en) | 2014-04-08 |
TW201442098A (zh) | 2014-11-01 |
KR20140079333A (ko) | 2014-06-26 |
CN103871929A (zh) | 2014-06-18 |
TWI602235B (zh) | 2017-10-11 |
US20140182636A1 (en) | 2014-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102285832B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101612633B1 (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
CN102057468B (zh) | 基板清洗方法及基板清洗装置 | |
JP5732376B2 (ja) | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 | |
JP6389089B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
RU2018136898A (ru) | Способ и устройство для очистки подложек | |
JP2014131033A (ja) | ウエハ形状物品を処理するための方法および装置 | |
JP4652959B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
KR20150139705A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US9480938B2 (en) | Method for using acoustic waves for purging filters in semiconductor manufacturing equipment | |
CN106232867A (zh) | 膜形成设备、基板处理设备和装置制造方法 | |
JP2018101790A (ja) | 基板洗浄装置および基板処理装置 | |
TWI818980B (zh) | 流體噴射處理設備、工具及其製程 | |
JP2011031176A (ja) | 吐出ノズル、吐出装置、気泡の検出方法及び気泡の除去方法 | |
KR20160008720A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP6069398B2 (ja) | 2流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法 | |
TW201410339A (zh) | 用以處理晶圓狀物件之方法及設備 | |
JP6542613B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
WO2022030187A1 (ja) | 製膜用霧化装置、製膜装置及び製膜方法 | |
KR101865348B1 (ko) | 초음파 세정 장치 | |
Lu et al. | 4A-3 traveling wave driven micro-dispenser for CPU cooling application | |
JP6238810B2 (ja) | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 | |
JP2022125528A (ja) | 経皮吸収型製剤製造用の液状薬剤の塗布装置 | |
JPH02266522A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法及びその装置 | |
CN116689204A (zh) | 一种基于谐振腔的非接触雾化装置与光刻胶涂胶方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140404 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180220 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180518 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20181218 |