JP2697773B2 - メッキ方法 - Google Patents
メッキ方法Info
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- JP2697773B2 JP2697773B2 JP3069418A JP6941891A JP2697773B2 JP 2697773 B2 JP2697773 B2 JP 2697773B2 JP 3069418 A JP3069418 A JP 3069418A JP 6941891 A JP6941891 A JP 6941891A JP 2697773 B2 JP2697773 B2 JP 2697773B2
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- plating
- flow rate
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- plating solution
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- Expired - Lifetime
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば、半導体用の
ウエーハやＩＣリードフレームのようなものに好適なメ
ッキ方法に関する。
ウエーハやＩＣリードフレームのようなものに好適なメ
ッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ウエーハについてのメッキ方法
を例にとると、メッキ槽の下方から供給されメッキ槽の
上部開口からオーバーフローするようにして循環するメ
ッキ液にメッキ対象物を接触させてメッキする方法が知
られている（例えば、実開平２‐３８４７２号公報、実
開平２‐１２２０６７号公報）。このような上昇流式あ
るいは上噴射式のメッキ方法は、ウエーハあるいはＩＣ
リードフレームのような平板状のメッキ対象物に効率よ
くメッキできると言う点で優れているものの、メッキ対
象物のメッキ面が下方を向いているため、その表面に気
泡、特に化学反応で発生した水素ガスによる微小な気泡
が付着・滞留し易く、この気泡によるメッキ阻害という
問題を抱えている。
を例にとると、メッキ槽の下方から供給されメッキ槽の
上部開口からオーバーフローするようにして循環するメ
ッキ液にメッキ対象物を接触させてメッキする方法が知
られている（例えば、実開平２‐３８４７２号公報、実
開平２‐１２２０６７号公報）。このような上昇流式あ
るいは上噴射式のメッキ方法は、ウエーハあるいはＩＣ
リードフレームのような平板状のメッキ対象物に効率よ
くメッキできると言う点で優れているものの、メッキ対
象物のメッキ面が下方を向いているため、その表面に気
泡、特に化学反応で発生した水素ガスによる微小な気泡
が付着・滞留し易く、この気泡によるメッキ阻害という
問題を抱えている。
【０００３】これに対処するために、従来では、途中で
一旦メッキ液の液面を下げてメッキ対象物のメッキ面を
空気に曝すことにより気泡を除去したり、あるいは複雑
なノズル構成により気泡の付着・滞留を防止するように
していた。しかし、途中で一旦メッキ液の液面を下げる
方法は作業効率の低下を避けられず、また複雑なノズル
構成を用いるとメッキ装置のコストアップやメンテナン
スの点でマイナスが大きい。
一旦メッキ液の液面を下げてメッキ対象物のメッキ面を
空気に曝すことにより気泡を除去したり、あるいは複雑
なノズル構成により気泡の付着・滞留を防止するように
していた。しかし、途中で一旦メッキ液の液面を下げる
方法は作業効率の低下を避けられず、また複雑なノズル
構成を用いるとメッキ装置のコストアップやメンテナン
スの点でマイナスが大きい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、この発明
は、メッキ対象物に付着した気泡を特別な構造を付加す
ることなく簡単に且つ効率よく除去でき、より安定した
メッキ処理を行えるメッキ方法の提供を目的としてい
る。
は、メッキ対象物に付着した気泡を特別な構造を付加す
ることなく簡単に且つ効率よく除去でき、より安定した
メッキ処理を行えるメッキ方法の提供を目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、この発明では、メッキ槽の上部に載置したメ
ッキ対象物にメッキ液の上昇流を接触させて電気メッキ
するメッキ方法について、メッキ対象物のメッキ面に付
着する気泡を除去可能な流速でメッキ液を流す高流速時
間帯を間欠的に与えると共に、この高流速時に対応させ
て電流を停止させるようにしている。
るために、この発明では、メッキ槽の上部に載置したメ
ッキ対象物にメッキ液の上昇流を接触させて電気メッキ
するメッキ方法について、メッキ対象物のメッキ面に付
着する気泡を除去可能な流速でメッキ液を流す高流速時
間帯を間欠的に与えると共に、この高流速時に対応させ
て電流を停止させるようにしている。
【０００６】
【作 用】この方法は、間欠的に流す高流速のメッキ液
により定期的に気泡を除去するようにしている。ただ、
流れが高速だと、メッキ液が一定の流れ方向を持ってい
る関係から、メッキ形状に歪みを生じ易いので、この高
流速の際には電流を停止させてメッキの析出を停止させ
るものである。
により定期的に気泡を除去するようにしている。ただ、
流れが高速だと、メッキ液が一定の流れ方向を持ってい
る関係から、メッキ形状に歪みを生じ易いので、この高
流速の際には電流を停止させてメッキの析出を停止させ
るものである。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。この実
施例は、ウエーハ用メッキ装置１を用いた例に関するも
ので、先ずウエーハ用メッキ装置１について簡単に説明
する。ウエーハ用メッキ装置１は、ロート状に絞られた
下方の供給部２ｓから供給されたメッキ液Ｌを上方の開
口部２ｐからオーバーフローさせるようにしたカップ状
のメッキ槽２を備えており、このメッキ槽２の開口部２
ｐに載置したウエーハＵにメッキ液Ｌを接触させてメッ
キするようになっている。
施例は、ウエーハ用メッキ装置１を用いた例に関するも
ので、先ずウエーハ用メッキ装置１について簡単に説明
する。ウエーハ用メッキ装置１は、ロート状に絞られた
下方の供給部２ｓから供給されたメッキ液Ｌを上方の開
口部２ｐからオーバーフローさせるようにしたカップ状
のメッキ槽２を備えており、このメッキ槽２の開口部２
ｐに載置したウエーハＵにメッキ液Ｌを接触させてメッ
キするようになっている。
【０００８】メッキ槽２の開口部２ｐには、載置受け部
３が庇状に内側に出っ張らせて形成されており、また、
この載置受け部３には弾性部材４が設けられている。そ
して、ウエーハＵは、この弾性部材４に押接状態で載置
され、図２に示すような状態でその全周を所定の幅でメ
ッキ液Ｌに対しシールされる状態にされている。
３が庇状に内側に出っ張らせて形成されており、また、
この載置受け部３には弾性部材４が設けられている。そ
して、ウエーハＵは、この弾性部材４に押接状態で載置
され、図２に示すような状態でその全周を所定の幅でメ
ッキ液Ｌに対しシールされる状態にされている。
【０００９】また、ウエーハＵと弾性部材４との間にカ
ソード電極５の先端が挟持されている。このカソード電
極５の先端は、細線の束を解いて平たくして形成されて
おり、弾性部材４の弾性により弾性部材４にめり込む状
態となり、メッキ液Ｌに対し完全にシールされ、しかも
カソード電極５のウエーハＵへの接触が確実に且つ安定
的になされる状態となっている。尚、６はアノード電極
で、そこに形成された通孔６ｈを通ってメッキ液Ｌが上
昇するようになっている。
ソード電極５の先端が挟持されている。このカソード電
極５の先端は、細線の束を解いて平たくして形成されて
おり、弾性部材４の弾性により弾性部材４にめり込む状
態となり、メッキ液Ｌに対し完全にシールされ、しかも
カソード電極５のウエーハＵへの接触が確実に且つ安定
的になされる状態となっている。尚、６はアノード電極
で、そこに形成された通孔６ｈを通ってメッキ液Ｌが上
昇するようになっている。
【００１０】次いで、このようなウエーハ用メッキ装置
１を用いたウエーハＵのメッキ方法について説明する。
先ず、メッキ開始時に最初の１５秒間を高流速、この例
では標準流速の7.5 倍に当たる１５リットル／分程度の
流量が得られる流速でメッキ液Ｌを供給して開始時の取
り込み気泡の除去を行う。この際には電流を停止させて
おく。その後は、２リットル／分程度の流量が得られる
標準流速でメッキ処理を約１０分間行い、続いて電流を
停止させると共に、１５リットル／分程度の流量が得ら
れる高流速でメッキ液Ｌを流して気泡除去を約５秒間行
う、という組合せを繰り返す。つまり、標準流速による
メッキ処理の間に一定の間隔をおいて間欠的に高流速に
よる気泡除去タイムを挿入しているもので、このような
組合せにより、気泡の影響を受けることのない安定した
メッキ処理を行えるようになる。
１を用いたウエーハＵのメッキ方法について説明する。
先ず、メッキ開始時に最初の１５秒間を高流速、この例
では標準流速の7.5 倍に当たる１５リットル／分程度の
流量が得られる流速でメッキ液Ｌを供給して開始時の取
り込み気泡の除去を行う。この際には電流を停止させて
おく。その後は、２リットル／分程度の流量が得られる
標準流速でメッキ処理を約１０分間行い、続いて電流を
停止させると共に、１５リットル／分程度の流量が得ら
れる高流速でメッキ液Ｌを流して気泡除去を約５秒間行
う、という組合せを繰り返す。つまり、標準流速による
メッキ処理の間に一定の間隔をおいて間欠的に高流速に
よる気泡除去タイムを挿入しているもので、このような
組合せにより、気泡の影響を受けることのない安定した
メッキ処理を行えるようになる。
【００１１】高流速時に電流を停止させるのは、流れが
高速だと、メッキ液Ｌが一定の流れ方向を持っている関
係から、ウエーハＵのバンプメッキのようにメッキによ
りバンプを形成する場合には、このバンプＢの形状に図
３に示すような歪みを生じてしまうので、これを避ける
ために高流速の間については電流を停止させてメッキの
析出を止めているものである。
高速だと、メッキ液Ｌが一定の流れ方向を持っている関
係から、ウエーハＵのバンプメッキのようにメッキによ
りバンプを形成する場合には、このバンプＢの形状に図
３に示すような歪みを生じてしまうので、これを避ける
ために高流速の間については電流を停止させてメッキの
析出を止めているものである。
【００１２】尚、高流速による気泡除去を挿む間隔及び
高流速を流す時間の比率は種々の条件により定まるもの
で、当然に前記実施例のものに限られるものでない。
高流速を流す時間の比率は種々の条件により定まるもの
で、当然に前記実施例のものに限られるものでない。
【００１３】
【発明の効果】この発明によるメッキ方法は、以上説明
してきたように、間欠的に電流を停止させた状態でメッ
キ液を高速で流すことにより、メッキ対象物に付着した
気泡を除去するようにしているので、特別な構造を付加
することなく簡単に且つ効率よく気泡を除去でき、より
安定したメッキ処理を行える。
してきたように、間欠的に電流を停止させた状態でメッ
キ液を高速で流すことにより、メッキ対象物に付着した
気泡を除去するようにしているので、特別な構造を付加
することなく簡単に且つ効率よく気泡を除去でき、より
安定したメッキ処理を行える。
【００１４】
【図１】この発明によるメッキ方法を実施するためのウ
エーハ用メッキ装置の要部側面図である。
エーハ用メッキ装置の要部側面図である。
【図２】弾性部材によるウエーハのシール状態を示す平
面図である。
面図である。
【図３】メッキ液の流れによりバンプに生じた歪みの例
示図である。
示図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 メッキ槽の上部に載置したメッキ対象物
にメッキ液の上昇流を接触させて電気メッキするメッキ
方法において、メッキ対象物のメッキ面に付着する気泡
を除去可能な流速でメッキ液を流す高流速時間帯を間欠
的に与えると共に、この高流速時に対応させて電流を停
止させるようにしたことを特徴とするメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069418A JP2697773B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069418A JP2697773B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280993A JPH04280993A (ja) | 1992-10-06 |
| JP2697773B2 true JP2697773B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=13402048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3069418A Expired - Lifetime JP2697773B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2697773B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69929967T2 (de) * | 1998-04-21 | 2007-05-24 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Elektroplattierungssystem und verfahren zur elektroplattierung auf substraten |
| US6416647B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| US6994776B2 (en) * | 1998-06-01 | 2006-02-07 | Semitool Inc. | Method and apparatus for low temperature annealing of metallization micro-structure in the production of a microelectronic device |
| US6251236B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Cathode contact ring for electrochemical deposition |
| US6254760B1 (en) | 1999-03-05 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system and method |
| US6613214B2 (en) | 1998-11-30 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Electric contact element for electrochemical deposition system and method |
| US6258220B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
| US6228233B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Inflatable compliant bladder assembly |
| US6267853B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
| DE19934298A1 (de) * | 1998-12-22 | 2000-07-06 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
| KR100665745B1 (ko) * | 1999-01-26 | 2007-01-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 구리도금방법 및 그 장치 |
| US6136163A (en) * | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
| US6662673B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-12-16 | Applied Materials, Inc. | Linear motion apparatus and associated method |
| US6837978B1 (en) | 1999-04-08 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Deposition uniformity control for electroplating apparatus, and associated method |
| US6571657B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-06-03 | Applied Materials Inc. | Multiple blade robot adjustment apparatus and associated method |
| US6585876B2 (en) | 1999-04-08 | 2003-07-01 | Applied Materials Inc. | Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method |
| US6551488B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Segmenting of processing system into wet and dry areas |
| US6582578B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition |
| US6557237B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Removable modular cell for electro-chemical plating and method |
| US6551484B2 (en) | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method |
| US6423636B1 (en) | 1999-11-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Process sequence for improved seed layer productivity and achieving 3mm edge exclusion for a copper metalization process on semiconductor wafer |
| US6576110B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Coated anode apparatus and associated method |
| US6436267B1 (en) | 2000-08-29 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Method for achieving copper fill of high aspect ratio interconnect features |
| US7189313B2 (en) | 2002-05-09 | 2007-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with fluid retention band |
| US7138039B2 (en) | 2003-01-21 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Liquid isolation of contact rings |
| US7025861B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-04-11 | Applied Materials | Contact plating apparatus |
| US7205153B2 (en) | 2003-04-11 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Analytical reagent for acid copper sulfate solutions |
| DE602005022650D1 (de) | 2004-04-26 | 2010-09-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Verbessertes Plattierungsverfahren |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194196A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 電気錫−鉛合金メツキ法 |
| JPH02205696A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-15 | Seiko Instr Inc | 半導体ウエハのめっき装置 |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP3069418A patent/JP2697773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04280993A (ja) | 1992-10-06 |
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Legal Events
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