JP3387208B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、より
詳細には、半導体ウェハーにバンプ電極や配線を形成し
たり、化成処理を施す場合に好適する噴流式のメッキ方
法や化成方法に用いる装置に関する。
詳細には、半導体ウェハーにバンプ電極や配線を形成し
たり、化成処理を施す場合に好適する噴流式のメッキ方
法や化成方法に用いる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する場合、半導体ウェ
ハーに対し、メッキ処理を施したり、化成処理を施すこ
とがある。例えば、ＤＨＤ（Double Heatsink Diode)型
ダイオードを製造する場合や、ＴＡＢ（Tape Automated
Bounding ）型半導体装置を製造する場合、半導体ウェ
ハーに対し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、半田等よりなる50〜60
μｍ程度のバンプ電極を形成している。また、Ａｕその
他の金属により、配線を形成している。そして、このよ
うなバンプ電極や配線を形成する場合、一般に図８に示
す噴流式のメッキ装置ａが用いられている。具体的に
は、図８のようにメッキ液ｂを底面の中央から導入し上
方からオーバーフローさせる噴流式のメッキ槽ｃと；こ
のメッキ槽ｃ内に配設された下部電極ｄと；メッキ槽ｃ
の上部にメッキ槽ｃの上端から若干突出するように配設
され、半導体ウェハーｗをその被処理面を下にして保持
する複数の陰極ピンを用いた上部電極ｅとを有し；半導
体ウェハーｗの被処理面にメッキ液ｂを噴流させながら
上下電極ｅ、ｄ間に電流を流して半導体ウェハーｗにメ
ッキ処理を施すものがある。
ハーに対し、メッキ処理を施したり、化成処理を施すこ
とがある。例えば、ＤＨＤ（Double Heatsink Diode)型
ダイオードを製造する場合や、ＴＡＢ（Tape Automated
Bounding ）型半導体装置を製造する場合、半導体ウェ
ハーに対し、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、半田等よりなる50〜60
μｍ程度のバンプ電極を形成している。また、Ａｕその
他の金属により、配線を形成している。そして、このよ
うなバンプ電極や配線を形成する場合、一般に図８に示
す噴流式のメッキ装置ａが用いられている。具体的に
は、図８のようにメッキ液ｂを底面の中央から導入し上
方からオーバーフローさせる噴流式のメッキ槽ｃと；こ
のメッキ槽ｃ内に配設された下部電極ｄと；メッキ槽ｃ
の上部にメッキ槽ｃの上端から若干突出するように配設
され、半導体ウェハーｗをその被処理面を下にして保持
する複数の陰極ピンを用いた上部電極ｅとを有し；半導
体ウェハーｗの被処理面にメッキ液ｂを噴流させながら
上下電極ｅ、ｄ間に電流を流して半導体ウェハーｗにメ
ッキ処理を施すものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のメッキ
装置ａにあっては、図８の如く上部電極ｅが、メッキ液
ｂ内に浸漬されているので、上方からオーバーフローさ
せながら半導体ウェハーｗにバンブ電極や配線が形成さ
れると同時に、半導体ウェハーｗを経由しないで、直接
上部電極ｅに電流が流れ、上部電極ｅもメッキされる。
このため、上部電極ｅに付着した析出金属と、半導体ウ
ェハーｗに付着した析出金属とが接続一体化して、半導
体ウェハーｗが上部電極ｅから取れないことがあり、無
理に取ろうとすると、半導体ウェハーｗが破損すること
があった。特に、シリコンよりも機械的強度が格段に小
さいＧａＡｓ等の化合物半導体ウェハーにおいては破損
しやすかった。のみならず、一般に、上部電極ｅと半導
体ウェハーｗの下地金属との材質が相違しているので、
両者の電解電圧が異なり、しかも、上部電極ｅの総面積
が、半導体ウェハーｗの総被メッキ面積に対して無視で
きないため、メッキ条件の設定が非常に困難であった。
更には、上部電極ｅに付着したＡｇ、Ａｕ等の析出金属
の除去が必要となり、装置の稼働率が低下するといっ
た、各種の問題点がある。また、従来のメッキ装置ａに
あっては、図８に示すように、メッキ槽ｃ内に下部電極
ｄが配設されており、この下部電極ｄを電気接続する場
合、メッキ槽ｃ内を通って外部に電気配線を取り出す必
要があるので、上部電極ｅの陰極ピンに半導体ウェハー
ｗをセットする作業が行いにくく、中には作業中にかか
る電気配線を不用意に切断してしまう等の事故が発生
し、またメッキ槽ｃ内の電気配線が、メッキ液ｂの流れ
の妨げになるという問題点があった。
装置ａにあっては、図８の如く上部電極ｅが、メッキ液
ｂ内に浸漬されているので、上方からオーバーフローさ
せながら半導体ウェハーｗにバンブ電極や配線が形成さ
れると同時に、半導体ウェハーｗを経由しないで、直接
上部電極ｅに電流が流れ、上部電極ｅもメッキされる。
このため、上部電極ｅに付着した析出金属と、半導体ウ
ェハーｗに付着した析出金属とが接続一体化して、半導
体ウェハーｗが上部電極ｅから取れないことがあり、無
理に取ろうとすると、半導体ウェハーｗが破損すること
があった。特に、シリコンよりも機械的強度が格段に小
さいＧａＡｓ等の化合物半導体ウェハーにおいては破損
しやすかった。のみならず、一般に、上部電極ｅと半導
体ウェハーｗの下地金属との材質が相違しているので、
両者の電解電圧が異なり、しかも、上部電極ｅの総面積
が、半導体ウェハーｗの総被メッキ面積に対して無視で
きないため、メッキ条件の設定が非常に困難であった。
更には、上部電極ｅに付着したＡｇ、Ａｕ等の析出金属
の除去が必要となり、装置の稼働率が低下するといっ
た、各種の問題点がある。また、従来のメッキ装置ａに
あっては、図８に示すように、メッキ槽ｃ内に下部電極
ｄが配設されており、この下部電極ｄを電気接続する場
合、メッキ槽ｃ内を通って外部に電気配線を取り出す必
要があるので、上部電極ｅの陰極ピンに半導体ウェハー
ｗをセットする作業が行いにくく、中には作業中にかか
る電気配線を不用意に切断してしまう等の事故が発生
し、またメッキ槽ｃ内の電気配線が、メッキ液ｂの流れ
の妨げになるという問題点があった。
【０００４】そこで、本発明は、上部電極の陰極ピンと
半導体ウェハーがメッキされることにより、発生するト
ラブルを解消し、加えてメッキ槽内に配設された下部電
極との電気配線にともなうトラブルをも解消することが
できる半導体製造装置を提供することを目的としてい
る。
半導体ウェハーがメッキされることにより、発生するト
ラブルを解消し、加えてメッキ槽内に配設された下部電
極との電気配線にともなうトラブルをも解消することが
できる半導体製造装置を提供することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをそ
の被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理
面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して
半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体製
造装置において、半導体ウェハーの被処理面の周端部を
支持する上部電極の陰極ピンを立設し、該陰極ピン先端
部を上下に伸縮自在な保護パッドで外被し、前記処理槽
内に配設された前記下部電極と電気接続する接続部材
を、該処理槽底部を貫通して外部に取り出したことを特
徴とするものである。
に、上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをそ
の被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理
面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して
半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体製
造装置において、半導体ウェハーの被処理面の周端部を
支持する上部電極の陰極ピンを立設し、該陰極ピン先端
部を上下に伸縮自在な保護パッドで外被し、前記処理槽
内に配設された前記下部電極と電気接続する接続部材
を、該処理槽底部を貫通して外部に取り出したことを特
徴とするものである。
【０００６】更に、後述する効果により、軸心方向に貫
通孔を有する筒体であり、筒体の一部又は全体を軸心方
向に伸縮自在な蛇腹構造としたものを用いるのが好まし
い。
通孔を有する筒体であり、筒体の一部又は全体を軸心方
向に伸縮自在な蛇腹構造としたものを用いるのが好まし
い。
【０００７】
【０００８】
【作用】以上の如く請求項１の半導体製造装置によれ
ば、上部電極における陰極ピンに外被した保護パッド上
に、半導体ウェハーを載置すると、半導体ウェハーの自
重により又は重りを付加することにより、保護パッドを
軸心方向に圧縮させる方向に力が働いて保護パッドが変
形し、半導体ウェハーの処理面と上部電極の陰極ピン先
端を接触させるのである。従って、保護パッドにより外
部と接触することなく、密閉状態に維持された状態で、
上部電極の陰極ピンで半導体ウェハーを支持することに
より、上方を開放した処理槽の上方にその被処理面を下
にして半導体ウェハーが保持され、半導体ウェハーの被
処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流
して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施すので
ある。また、処理槽内に配設された下部電極と電気接続
する接続部材を、処理槽底部を貫通して外部に取り出し
たものを用いているので、処理槽底部を貫通して外部に
取り出した接続部材に、電線を接続することができる。
ば、上部電極における陰極ピンに外被した保護パッド上
に、半導体ウェハーを載置すると、半導体ウェハーの自
重により又は重りを付加することにより、保護パッドを
軸心方向に圧縮させる方向に力が働いて保護パッドが変
形し、半導体ウェハーの処理面と上部電極の陰極ピン先
端を接触させるのである。従って、保護パッドにより外
部と接触することなく、密閉状態に維持された状態で、
上部電極の陰極ピンで半導体ウェハーを支持することに
より、上方を開放した処理槽の上方にその被処理面を下
にして半導体ウェハーが保持され、半導体ウェハーの被
処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流
して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施すので
ある。また、処理槽内に配設された下部電極と電気接続
する接続部材を、処理槽底部を貫通して外部に取り出し
たものを用いているので、処理槽底部を貫通して外部に
取り出した接続部材に、電線を接続することができる。
【０００９】また、請求項２の半導体製造装置によれ
ば、保護パッドとして、軸心方向に貫通孔を有する筒体
であり、筒体の一部又は全体を軸心方向に伸縮自在な蛇
腹構造としたものを用いているので、軸心方向に荷重が
働くと、保護パッドの蛇腹構造の部分が縮むのであり、
荷重を解くと保護パッドの蛇腹構造の部分が伸びるので
ある。
ば、保護パッドとして、軸心方向に貫通孔を有する筒体
であり、筒体の一部又は全体を軸心方向に伸縮自在な蛇
腹構造としたものを用いているので、軸心方向に荷重が
働くと、保護パッドの蛇腹構造の部分が縮むのであり、
荷重を解くと保護パッドの蛇腹構造の部分が伸びるので
ある。
【００１０】
【００１１】
【実施例】本発明の詳細を更に図示した実施例により説
明する。図１及び図２に示す半導体製造装置Ａは、本発
明に係る代表的実施例のものであり、処理槽１、下部電
極２、上部電極３、該上部電極３が処理液Ｓに接触する
のを防止するための保護パッド４、外部容器５、循環ポ
ンプ６で構成されている。
明する。図１及び図２に示す半導体製造装置Ａは、本発
明に係る代表的実施例のものであり、処理槽１、下部電
極２、上部電極３、該上部電極３が処理液Ｓに接触する
のを防止するための保護パッド４、外部容器５、循環ポ
ンプ６で構成されている。
【００１２】まず、処理槽１は、図２の如くポリプロピ
レン等の樹脂よりなる上方を開放した容器である。
レン等の樹脂よりなる上方を開放した容器である。
【００１３】下部電極２は、図１及び図２の如く前記処
理槽１内に配設されている網状のものであり、陽極であ
る。
理槽１内に配設されている網状のものであり、陽極であ
る。
【００１４】そして、上部電極３は、図３及び図４に示
すように、処理液Ｓとの接触を防止するための保護パッ
ド４で、陰極ピン７先端部の周囲に外被するものであ
る。
すように、処理液Ｓとの接触を防止するための保護パッ
ド４で、陰極ピン７先端部の周囲に外被するものであ
る。
【００１５】まず、陰極ピン７は、全体をコの字に折曲
し、一方が長くなるように設定しており、短い方の陰極
ピン７ａは、半導体ウェハーＷを支持するためのもので
あり、他方の長い電極は、電線と接続を行うためのもの
である。
し、一方が長くなるように設定しており、短い方の陰極
ピン７ａは、半導体ウェハーＷを支持するためのもので
あり、他方の長い電極は、電線と接続を行うためのもの
である。
【００１６】取付台８は、図３及び図４に示すように、
陰極ピン７を背面から挿入して、それぞれの先端部が表
面から突出するように、基板９に案内孔10を穿設し、こ
の短い陰極ピン７の先端部の周囲を外被する保護パッド
４を収納するための有底の保持孔11を設け、基板９の両
側に固定ボルト12を挿入するための通孔13を設けたもの
である。
陰極ピン７を背面から挿入して、それぞれの先端部が表
面から突出するように、基板９に案内孔10を穿設し、こ
の短い陰極ピン７の先端部の周囲を外被する保護パッド
４を収納するための有底の保持孔11を設け、基板９の両
側に固定ボルト12を挿入するための通孔13を設けたもの
である。
【００１７】保護パッド４は、図３及び図４に示すよう
に、軸心方向に陰極ピン７を位置させるための貫通孔14
を穿設した筒体であり、筒体の上部、或いは特に図示し
ないが、筒体の下部、中央部、又は筒部全体を軸心方向
に伸縮自在な蛇腹構造４ａとし、全体をシリコンゴムで
一体成形したものである。
に、軸心方向に陰極ピン７を位置させるための貫通孔14
を穿設した筒体であり、筒体の上部、或いは特に図示し
ないが、筒体の下部、中央部、又は筒部全体を軸心方向
に伸縮自在な蛇腹構造４ａとし、全体をシリコンゴムで
一体成形したものである。
【００１８】また、保護パッド４としては、上述したも
のに限定されず、軸心方向に伸縮自在な部材であればよ
い。例えば図６に示した保護パッド４は、シリコンゴム
等の軟質部材を用い、軟質部材の有する伸縮力を利用し
て、軸心方向に伸縮自在にしたものである。
のに限定されず、軸心方向に伸縮自在な部材であればよ
い。例えば図６に示した保護パッド４は、シリコンゴム
等の軟質部材を用い、軟質部材の有する伸縮力を利用し
て、軸心方向に伸縮自在にしたものである。
【００１９】そして、上部電極３は、陰極ピン７を背面
から取付台８の案内孔10内に挿入して、図４のように取
付台８表面から陰極ピン７の両先端部を立設した状態
で、処理槽１の開口端に取付台８を固定ボルト12，12で
取り付け、保護パッド４の貫通孔14内に一方の陰極ピン
７ａの先端部を挿入して取付台８の保持孔11内に保護パ
ッド４を設置することにより、この保護パッド４で一方
の陰極ピン７ａの先端部全体を外被したものである。
から取付台８の案内孔10内に挿入して、図４のように取
付台８表面から陰極ピン７の両先端部を立設した状態
で、処理槽１の開口端に取付台８を固定ボルト12，12で
取り付け、保護パッド４の貫通孔14内に一方の陰極ピン
７ａの先端部を挿入して取付台８の保持孔11内に保護パ
ッド４を設置することにより、この保護パッド４で一方
の陰極ピン７ａの先端部全体を外被したものである。
【００２０】また、図１及び図２で示す15は、半導体ウ
ェハーＷ端部に当接して、位置決めを行うための当止ピ
ンである。
ェハーＷ端部に当接して、位置決めを行うための当止ピ
ンである。
【００２１】外部容器５は、図１に示すように処理槽１
からオーバーフローさせた処理液Ｓを受けるための容器
であり、上方を開放した容器であり、このように外部容
器５にオーバーフローした処理液Ｓを、循環ポンプ６を
用いて、処理槽１の下部入口部に送り込むような構造と
している。
からオーバーフローさせた処理液Ｓを受けるための容器
であり、上方を開放した容器であり、このように外部容
器５にオーバーフローした処理液Ｓを、循環ポンプ６を
用いて、処理槽１の下部入口部に送り込むような構造と
している。
【００２２】更に、図例の半導体製造装置Ａは、図７に
示すように、処理槽１内に配設された下部電極２と電気
接続する接続部材16を、処理槽底部１ａを貫通して外部
に取り出したものであり、接続部材16は、接続ボルト17
と挟持ボルト18で構成されており、具体的には処理槽１
底面に凹部19を設け、この凹部19内に頭部17ａが位置す
るように挟持ボルト18先端部を処理槽１から外部容器５
にかけて貫通し、接続ボルト17の螺軸17ｂにナット20を
螺合させて締結固定し、網状の下部電極２を介在させた
状態で挟持ボルト18を、接続ボルト17の頭部17ａに螺合
し、また接続ボルト17の螺軸17ａに螺合させたナット20
の間に接続端子21を介在させた状態で、ナット20を螺合
してなり、この接続端子21に電線を接続するのである。
また、挟持ボルト18及び固定ボルト12としては、耐蝕性
を考慮して、チタンに白金メッキを施したものが好まし
い。
示すように、処理槽１内に配設された下部電極２と電気
接続する接続部材16を、処理槽底部１ａを貫通して外部
に取り出したものであり、接続部材16は、接続ボルト17
と挟持ボルト18で構成されており、具体的には処理槽１
底面に凹部19を設け、この凹部19内に頭部17ａが位置す
るように挟持ボルト18先端部を処理槽１から外部容器５
にかけて貫通し、接続ボルト17の螺軸17ｂにナット20を
螺合させて締結固定し、網状の下部電極２を介在させた
状態で挟持ボルト18を、接続ボルト17の頭部17ａに螺合
し、また接続ボルト17の螺軸17ａに螺合させたナット20
の間に接続端子21を介在させた状態で、ナット20を螺合
してなり、この接続端子21に電線を接続するのである。
また、挟持ボルト18及び固定ボルト12としては、耐蝕性
を考慮して、チタンに白金メッキを施したものが好まし
い。
【００２３】尚、上述した接続部材21では、作業性等を
考慮して接続ボルト17と挟持ボルト18を用いているが、
こうした構造に限定されるものでもなく、腐食性を有す
る電線等を用いることも可能である。
考慮して接続ボルト17と挟持ボルト18を用いているが、
こうした構造に限定されるものでもなく、腐食性を有す
る電線等を用いることも可能である。
【００２４】そして、半導体製造装置Ａによれば、図１
に示すように、上部電極３における陰極ピン７に外被し
た保護パッド４・・上に、半導体ウェハーＷを載置する
と、半導体ウェハーの自重により又は図示しない重りを
付加することにより、保護パッド４を軸心方向に圧縮さ
せる方向に力が働き、即ち図５（ａ）に示した状態か
ら、図５（ｂ）に示した状態に、保護パッド４の蛇腹部
４ａが縮んで、半導体ウェハーＷの処理面と上部電極３
の陰極ピン７先端を接触させるのである。
に示すように、上部電極３における陰極ピン７に外被し
た保護パッド４・・上に、半導体ウェハーＷを載置する
と、半導体ウェハーの自重により又は図示しない重りを
付加することにより、保護パッド４を軸心方向に圧縮さ
せる方向に力が働き、即ち図５（ａ）に示した状態か
ら、図５（ｂ）に示した状態に、保護パッド４の蛇腹部
４ａが縮んで、半導体ウェハーＷの処理面と上部電極３
の陰極ピン７先端を接触させるのである。
【００２５】従って、保護パッド４により外部と接触す
ることなく、密閉状態に維持された状態で、上部電極３
の陰極ピン７・・で半導体ウェハーＷが支持することに
より、上方を開放した処理槽１の上方にその被処理面を
下にして半導体ウェハーＷが保持され、半導体ウェハー
Ｗの被処理面に処理液Ｓを噴流させながら上下電極３，
２間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッキ、化成等
の処理を施すのである。
ることなく、密閉状態に維持された状態で、上部電極３
の陰極ピン７・・で半導体ウェハーＷが支持することに
より、上方を開放した処理槽１の上方にその被処理面を
下にして半導体ウェハーＷが保持され、半導体ウェハー
Ｗの被処理面に処理液Ｓを噴流させながら上下電極３，
２間に電流を流して半導体ウェハーＷにメッキ、化成等
の処理を施すのである。
【００２６】また、半導体ウェハーＷにメッキ、化成等
の処理を施した後、半導体ウェハーＷを取り外すと、保
護パッド４の蛇腹部４ａが元の状態に復帰して、図５
（ａ）のように保護パッド４が陰極ピン７ａを外被した
状態に戻るのである。
の処理を施した後、半導体ウェハーＷを取り外すと、保
護パッド４の蛇腹部４ａが元の状態に復帰して、図５
（ａ）のように保護パッド４が陰極ピン７ａを外被した
状態に戻るのである。
【００２７】このように、半導体製造装置Ａを用いるこ
とにより、上部電極３の陰極ピン７先端部は、保護パッ
ド４により外部と接触することなく、密閉状態に維持さ
れた状態で、半導体ウェハーＷは上部電極３の陰極ピン
７・・で支持されることとなるので、陰極ピン７に処理
液Ｓが接触することなく半導体ウェハーＷにメッキ、化
成等の処理を施すことができる。従って、従来の半導体
製造装置のように、半導体ウェハーＷと上部電極３の陰
極ピン７が付着したり、またメッキ条件の設定が非常に
困難であったり、更には、上部電極３の陰極ピン７に付
着したＡｇ、Ａｕ等の析出金属の除去が必要となり、装
置の稼働率が低下するといった問題点を解消することが
できる。
とにより、上部電極３の陰極ピン７先端部は、保護パッ
ド４により外部と接触することなく、密閉状態に維持さ
れた状態で、半導体ウェハーＷは上部電極３の陰極ピン
７・・で支持されることとなるので、陰極ピン７に処理
液Ｓが接触することなく半導体ウェハーＷにメッキ、化
成等の処理を施すことができる。従って、従来の半導体
製造装置のように、半導体ウェハーＷと上部電極３の陰
極ピン７が付着したり、またメッキ条件の設定が非常に
困難であったり、更には、上部電極３の陰極ピン７に付
着したＡｇ、Ａｕ等の析出金属の除去が必要となり、装
置の稼働率が低下するといった問題点を解消することが
できる。
【００２８】また、半導体製造装置Ａは、処理槽１底部
及び外部容器５底部にかけて接続ボルト17を貫通させ
て、接続端子21を外部に取り出して容易に電気配線を行
うことができるので、従来の装置のように、処理槽１内
に電気配線を行う必要がなく、大変に作業性に優れた装
置となる。
及び外部容器５底部にかけて接続ボルト17を貫通させ
て、接続端子21を外部に取り出して容易に電気配線を行
うことができるので、従来の装置のように、処理槽１内
に電気配線を行う必要がなく、大変に作業性に優れた装
置となる。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。請求項１記載の半導
体製造装置によれば、半導体ウェハーの重り又は付加し
た重りの荷重により、保護パッドは圧縮され、上部電極
の陰極ピン先端部は、保護パッドにより外部と接触する
ことなく、密閉状態に維持された状態で、半導体ウェハ
ーは上部電極の陰極ピン先端で支持されることとなるの
で、陰極ピンに処理液が接触することなく半導体ウェハ
ーにメッキ、化成等の処理を施すことができる。従っ
て、従来の半導体製造装置のように、半導体ウェハーと
上部電極の陰極ピンが付着したり、またメッキ条件の設
定が非常に困難であったり、更には、上部電極の陰極ピ
ンに付着したＡｇ、Ａｕ等の析出金属の除去が必要とな
り、装置の稼働率が低下するといった問題点を完全に解
消することができる。また、処理槽内に配設された下部
電極と電気接続する接続部材を、処理槽底部を貫通させ
て、接続端子を外部に取り出して電気配線を行うことが
できる。従って、従来の半導体製造装置のように、メッ
キ槽内の下部電極に接続した電気配線が邪魔になり、上
部電極の陰極ピンに半導体ウェハーをセットする作業が
行いにくく、中には作業中にかかる電気配線を不用意に
切断してしまう等の事故が発生し、またメッキ槽内の電
気配線が、メッキ液の流れの妨げになるという問題点を
完全に解消することができる。
ので、次に記載する効果を奏する。請求項１記載の半導
体製造装置によれば、半導体ウェハーの重り又は付加し
た重りの荷重により、保護パッドは圧縮され、上部電極
の陰極ピン先端部は、保護パッドにより外部と接触する
ことなく、密閉状態に維持された状態で、半導体ウェハ
ーは上部電極の陰極ピン先端で支持されることとなるの
で、陰極ピンに処理液が接触することなく半導体ウェハ
ーにメッキ、化成等の処理を施すことができる。従っ
て、従来の半導体製造装置のように、半導体ウェハーと
上部電極の陰極ピンが付着したり、またメッキ条件の設
定が非常に困難であったり、更には、上部電極の陰極ピ
ンに付着したＡｇ、Ａｕ等の析出金属の除去が必要とな
り、装置の稼働率が低下するといった問題点を完全に解
消することができる。また、処理槽内に配設された下部
電極と電気接続する接続部材を、処理槽底部を貫通させ
て、接続端子を外部に取り出して電気配線を行うことが
できる。従って、従来の半導体製造装置のように、メッ
キ槽内の下部電極に接続した電気配線が邪魔になり、上
部電極の陰極ピンに半導体ウェハーをセットする作業が
行いにくく、中には作業中にかかる電気配線を不用意に
切断してしまう等の事故が発生し、またメッキ槽内の電
気配線が、メッキ液の流れの妨げになるという問題点を
完全に解消することができる。
【００３０】請求項２記載の半導体製造装置によれば、
保護パッドに半導体ウェハーを載せ、必要に応じて重り
を載せることにより、軸心方向に荷重が働き、保護パッ
ドの蛇腹構造の部分が縮み、荷重を解くと保護パッドの
蛇腹構造の部分が伸びるので、保護パッドの軸心方向の
伸縮を容易に行うことができる。
保護パッドに半導体ウェハーを載せ、必要に応じて重り
を載せることにより、軸心方向に荷重が働き、保護パッ
ドの蛇腹構造の部分が縮み、荷重を解くと保護パッドの
蛇腹構造の部分が伸びるので、保護パッドの軸心方向の
伸縮を容易に行うことができる。
【００３１】
【図１】半導体製造装置全体を示す原理図
【図２】半導体製造装置の平面図
【図３】上部電極の拡大断面図
【図４】上部電極の分解斜視図
【図５】保護パッドの動きを示す説明断面図
【図６】他の例の保護パッドの動きを示す説明断面図
【図７】下部電極の要部を示す拡大断面図
【図８】従来の半導体製造装置における一部断面状態の
正面図
正面図
Ａ 半導体製造装置
Ｓ 処理液
Ｗ 半導体ウェハー
１ 処理槽
２ 下部電極
３ 上部電極
４ 保護パッド
５ 外部容器
６ 循環ポンプ
７ 陰極ピン
８ 取付台
９ 基板
10 案内孔
11 保持孔
12 固定ボルト
13 通孔
14 貫通孔
15 当止ピン
16 接続部材
17 接続ボルト
18 挟持ボルト
19 凹部
20 ナット
21 接続端子
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
C25D 5/08
C25D 7/12
Claims (2)
- 【請求項１】 上方を開放した処理槽の上方に半導体ウ
ェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハ
ーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電
流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施
す半導体製造装置において、 半導体ウェハーの被処理面の周端部を支持する上部電極
の陰極ピンを立設し、該陰極ピン先端部を上下に伸縮自
在な保護パッドで外被し、前記処理槽内に配設された前
記下部電極と電気接続する接続部材を、該処理槽底部を
貫通して外部に取り出してなる半導体製造装置。 - 【請求項２】 軸心方向に貫通孔を有する筒体であり、
筒体の一部又は全体を軸心方向に伸縮自在な蛇腹構造と
した保護パッドを用いた請求項１記載の半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10938294A JP3387208B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10938294A JP3387208B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321115A JPH07321115A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3387208B2 true JP3387208B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=14508830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10938294A Expired - Fee Related JP3387208B2 (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3387208B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5832786B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2015-12-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 電解メッキ装置 |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP10938294A patent/JP3387208B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07321115A (ja) | 1995-12-08 |
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