TW202321525A - 基板液處理裝置及基板液處理方法 - Google Patents

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後藤一幸
白石雅敏
濵田正人
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]本揭示係提供在電解鍍敷中，對堆積於基板上之鍍敷金屬之膜厚的均勻化有利的技術。 [解決手段]控制部係控制鍍敷液供給部及通電部，以在作為電極對向面之一部分範圍的第1對向範圍接觸鍍敷液之狀態，對處理面通電而實行第1電解鍍敷處理之方式，輸出控制訊號，控制鍍敷液供給部及通電部，以於第1電解鍍敷處理之後，在電極對向面之中的較第1對向範圍更寬廣的第2對向範圍接觸鍍敷液之狀態，對處理面通電而實行第2電解鍍敷之方式，輸出控制訊號。

Description

基板液處理裝置及基板液處理方法
本揭示係關於基板液處理裝置及基板液處理方法。
為了在半導體基板之微細凹部(溝渠等)埋入金屬配線，利用電解鍍敷(電鍍)。專利文獻1揭示利用電解鍍敷而製造銅配線基板的單片式之基板處理裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-133160號公報
[發明所欲解決之課題]
在電解鍍敷處理中，由於對基板(晶圓)通電，在基板之種子層上堆積鍍敷金屬。更具體而言，藉由經由被連接於基板之外周部的電極而對基板之全體通電，在整個基板之處理面之全體堆積鍍敷金屬。
如此一來，在對基板通電之時，由於種子層之電阻在基板產生電壓下降。該電壓下降的程度隨著遠離電極連接部(即是，基板外周部)而變大。因此，比起在基板外周部的鍍敷速度，在基板中心部中之鍍敷速度變慢，最終堆積在基板上的鍍敷金屬之膜厚在基板外周部和基板中心部之間有產生較大的差異之情形。
另一方面，近年來，基板配線越來越微細化，要求種子層之更薄膜化。隨著種子層變薄，種子層之電阻增大，在電解鍍敷處理中於基板產生的電壓下降之程度變大。因此，隨著種子層之薄膜化，被堆積在基板上之鍍敷金屬之膜厚之均勻化更進一步被阻礙。
本揭示係提供在電解鍍敷中，對堆積於基板上之鍍敷金屬之膜厚的均勻化有利的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣係關於一種基板液處理裝置，其具備：基板保持部，其係將基板保持成能夠旋轉；第1電極，其係接觸於藉由基板保持部被保持的基板；第2電極，其具有被配置在面對於藉由基板保持部被保持的基板之處理面的位置的電極對向面：密封部，其係包圍處理面；鍍敷液供給部，其係對藉由上述基板保持部被保持的基板之處理面供給鍍敷液；通電部，其係經由第1電極及第2電極，而對藉由基板保持部被保持的基板之處理面通電；及控制部，控制部係控制鍍敷液供給部及通電部，以在作為電極對向面之一部分範圍的第1對向範圍接觸鍍敷液之狀態，對處理面通電而實行第1電解鍍敷處理之方式，輸出控制訊號，控制鍍敷液供給部及通電部，以於第1電解鍍敷處理之後，在電極對向面之中的較第1對向範圍更寬廣的第2對向範圍接觸鍍敷液之狀態，對處理面通電而實行第2電解鍍敷之方式，輸出控制訊號。 [發明之效果]
若藉由本揭示時，在電解鍍敷中，有利於堆積於基板上之鍍敷金屬之膜厚的均勻化。
參照圖面，針對本揭示之一實施型態予以說明。
圖1為表示基板處理系統80之一例之概略的圖。圖1所示的處理系統80具有搬入搬出站91及處理站92。搬入搬出站91包含具備複數載體C的載置部81，和設置有第1搬運機構83及收授部84之搬運部82。在各載體C在水平狀態下收容複數基板W。在處理站92，設置被設置在搬運部86之兩側的複數處理單元10、在搬運路86往返移動的第2搬運機構85。
基板W被載置於藉由第1搬運機構83從載體C被取出而被載置於收授部84，藉由第2搬運機構85從收授部84被取出。而且，基板W係藉由第2搬運機構85被搬入至對應的處理單元10，在對應的處理單元10中被施予各種處理。之後，基板W藉由第2搬運機構85從對應的處理單元10被取出而被載置於收授部84，之後，藉由第1搬運機構83返回至載置部81之載體C。
處理系統80具備控制部93。控制部93係藉由例如電腦而被構成，具備運算處理部及記憶部。在控制部93之記憶部，記憶在處理系統80被進行的各種處理用的程式及資料。控制部93之運算處理部係藉由適當讀出被記憶於記憶部的程式並實行，控制處理系統80之各種機構而進行各種處理。
被記憶於控制部93之記憶部的程式及資料係被記錄於藉由電腦可讀取的記憶媒體者，即使為從該記憶媒體被安裝於記憶部者亦可。就以藉由電腦可讀取之記憶媒體而言，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
圖2為表示處理單元10之一例的圖。
處理單元10具備基板保持部11、第1電極12、第2電極13、密封部14、鍍敷液供給部15、通電部16及處理液供給部17。
基板保持部11係在控制部93(参照圖1)之控制下，將基板W保持成能夠旋轉。基板保持部11係從第2搬運機構85(参照圖1)接取並保持基板W，於處理單元10中之所有處理結束之後，將基板W收授至第2搬運機構85。
基板保持部11所致的基板W之保持方式不被限定。典型上，利用基板W之背面(尤其中央部)由基板保持部11吸附，藉由基板保持部11保持基板W。在基板W藉由基板保持部11被保持之狀態，藉由基板W之上面被構成的處理面Ws在水平方向延伸。
在本例中，在進行後述鍍敷處理之期間，雖然基板保持部11不使基板W旋轉而保持，但是即使使基板W旋轉亦可。再者，在對基板W進行其他的處理(例如，洗淨處理、沖洗處理或乾燥處理)之期間，即使基板保持部11使基板W旋轉亦可，即使不旋轉亦可。
第1電極(負極)12係被設置成能夠接觸於藉由基板保持部11而被保持的基板W。圖2所示的第1電極12係藉由第1電極支持部25而被支持，被定位在較密封部14更靠基板W之外周側。
第1電極支持部25係被支持成能夠藉由第1電極移動部27移動。藉由第1電極移動部27在控制部93之控制下使第1電極支持部25移動，可以將第1電極12配置在遠離基板W的位置(退避位置)，和接觸於基板W之外周部(尤其，基板W之上面)的位置(處理位置)。不限定於第1電極12之移動方向，即使在高度方向(圖2之上下方向)移動亦可，即使在水平方向移動亦可。
第2電極(正極)13具有電極對向面13s。電極對向面13s係於鍍敷處理之期間，被配置在與藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws對面的位置。
在圖2中，為了方便，描繪具有平板形狀的第2電極13，描繪與水平方向平行延伸的電極對向面13s。但是，如後述般，第2電極13能具有平板以外的形狀。再者，電極對向面13s能在與水平方向非平行地延伸。
第2電極13係藉由第2電極支持部26而被支持。第2電極支持部26係被支持成能夠藉由第2電極移動部28移動。藉由第2電極移動部28在控制部93之控制下使第2電極支持部26移動，可以將第2電極13之電極對向面13s配置在遠離基板W之處理面Ws的位置(退避位置)，和接近於處理面Ws之位置(處理位置)。不限定於第2電極13之移動方向，即使在高度方向移動亦可，即使在水平方向移動亦可。
即使第2電極移動部28使第2電極支持部26及第2電極13旋轉亦可。即使第2電極支持部26及第2電極13藉由第2電極移動部28而以藉由基板保持部11而被保持的基板W之旋轉軸線(基板W之中心軸線)為中心迫使旋轉亦可。
通電部16具有通電端子35及電源37。電源37被連接於第1電極12，同時經由通電端子35而被連接於第2電極13。
通電部16係在控制部93之控制下，經由第1電極12及第2電極13而對藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws通電。即是，如後述般，在第1電極12接觸於基板W，並且第2電極13經由鍍敷液而連接於基板W之狀態，電源37對基板W(尤其，處理面Ws)通電。藉由通電部16而被供給的電氣的電壓值及電流值能夠因應所準備的配方而自由設定。
電源37在圖2所示的例中，雖然經由單一的通電端子35而被連接於第2電極13，但是即使經由複數通電端子35而被連接於第2電極13亦可。
隨著離通電端子35的距離變大，起因於第2電極13之電阻的電壓下降之程度變大，有在基板W之處理面Ws上的鍍敷金屬之堆積速度變慢之傾向。因此，在設置複數通電端子35之情況，藉由在整個第2電極13之全體離散性地設置複數通電端子35，在整個第2電極13之全體抑制電壓下降，可以促進在整個處理面Ws之全體的鍍敷金屬之堆積速度的均勻化。
圖3為表示第2電極13之一部分的放大俯視圖，表示複數通電端子35之配置例。在圖3所示之例中，第2電極13被區分為各者持有正六角形之平面形狀的複數假想區分區域，連接對應於各假想區分區域之中心的通電端子35。各假想區分區域之大小考慮第2電極13之電阻而被適當決定。
如此一來，藉由在持有多角形之平面形狀的複數假想區分區域之母點，配置對應的通電端子35，抑制在第2電極13的電壓下降，能夠在整個第2電極13之全體施加均勻的電壓。
利用密封部14(参照圖2)被配置成包圍藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws，防止液體從處理面Ws上漏出(尤其鍍敷液)。
圖2所示的密封部14具有環狀之平面形狀，藉由被推壓且接觸於基板W之上面之外周部，包圍藉由基板W之上面(但是外周部除外)構成的處理面Ws之全體。本例之密封部14係被支持成能夠藉由第1電極支持部25移動，與第1電極12一體性移動。
鍍敷液供給部15係對藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws供給鍍敷液。在本例之處理單元10中，因進行基板W之電解鍍敷處理，故不含還原劑的鍍敷液從鍍敷液供給部15被供給至基板W之處理面Ws。
圖2所示的鍍敷液供給部15包含鍍敷液供給源31、經由鍍敷液供給路30而被連接於鍍敷液供給源31的鍍敷液供給噴嘴33，和被設置在鍍敷液供給路30的鍍敷液供給閥32。
圖2所示的鍍敷液供給噴嘴33係被定位成貫通第2電極13及第2電極支持部26之中央部，藉由第2電極支持部26被支持，被設置成能夠與第2電極13一體性地移動。但是，鍍敷液供給噴嘴33之設置態樣不被限定，即使鍍敷液供給噴嘴被定位在第2電極13之中央部以外之處(例如第2電極13之外緣部)亦可。再者，即使在鍍敷液供給噴嘴33之前端(即是吐出口)，設置網目狀之第2電極13或形成有藉由沖孔處理形成有複數孔的第2電極13亦可。
藉由鍍敷液供給閥32在控制部93之控制下調整鍍敷液供給路30之開關及開口度，改變有無從鍍敷液供給噴嘴33吐出鍍敷液及吐出量。
藉由在密封部14被推壓至基板W之處理面Ws之狀態，朝向處理面Ws之中的藉由密封部14被包圍的範圍(例如，處理面Ws之中央部)，從鍍敷液供給噴嘴33吐出鍍敷液，在處理面Ws上形成鍍敷液的液膜。
處理液供給部17對保持於基板保持部11之基板W之處理面Ws供給鍍敷液以外的處理液。處理液供給部17係藉由處理液移動部29被支持成能夠移動，被配置在對處理面Ws供給處理液的位置，和在不對處理面Ws供給處理液之期間待機的位置。
從處理液供給部17被吐出的處理液之組成及用途不被限定。處理液供給部17能以複數用途吐出複數種類的處理液。在處理液供給部17吐出複數種類之處理液之情況，即使處理液供給部17從個別的噴嘴吐出2種類以上之處理液亦可，即使從共通的噴嘴吐出亦可。在處理液供給部17吐出複數種類之處理液之情況，即使按處理液設置個別的處理液供給部17及處理液移動部29亦可。從處理液供給部17被吐出，被供給至基板W之處理面Ws的處理液，即使為例如被使用於鍍敷處理之前先被進行的基板W之前處理的前處理液亦可，即使為被使用於鍍敷處理之後被進行的基板W之後處理的後處理液亦可。
在上述處理單元10中，控制部93係控制鍍敷液供給部15及通電部16，以於實行第1電解鍍敷處理之後，實行第2電解鍍敷處理之方式，輸出控制訊號。
第1電解鍍敷處理係在鍍敷液僅接觸於第2電極13之電極對向面13s之中的作為一部分範圍的第1對向範圍之狀態，藉由對基板W之處理面Ws通電而被進行的鍍敷處理。
另一方面，第2電解鍍敷處理係在第2電極13之電極對向面13s之中的較第1對向範圍更寬廣的第2對向範圍(尤其包含第1對向範圍的範圍)接觸鍍敷液之狀態，藉由對基板W之處理面Ws通電而進行的鍍敷處理。
在第1電解鍍敷處理中，比起處理面Ws之其他區域中的鍍敷處理，可以更促進基板W之處理面Ws之中的與第1對向範圍對向的第1處理區域中之鍍敷處理。因此，藉由在第1處理區域設定基板W之中的被定位在遠離第1電極12接觸之位置的區域(在本例中，為處理面Ws之中央區域)，可以減少起因於電壓下降的處理面Ws上的鍍敷金屬之膜厚差。
接著，說明鍍敷處理方法(基板液處理方法)之具體實施型態。
[第1實施型態] 圖4為表示第1實施型態所涉及之處理單元10之一例的圖。圖5為表示第1實施型態所涉及之處理單元10之其他例的圖。在圖4及圖5中，表示構成處理單元10之僅一部分要素，省略其他要素之圖示。
在本實施型態中，在第2電極13之電極對向面13s之中，面對於藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws之中心區域的範圍，相對於基板W之處理面Ws突出。即是，電極對向面13s之中心區域被定位成相對性地較接近於處理面Ws，電極對向面13s之外周區域被定位成相對性離處理面Ws較遠。
在圖4及圖5表示剖面的第2電極13(尤其電極對向面13s)雖然在中心區域和外周區域之間具有直線性地傾斜的平坦部，但是第2電極13之中心區域和外周區域之間的部分之形狀不限定。例如，在第2電極13之剖面中，即使電極對向面13s在中心區域和外周區域之間，具有平滑的彎曲部亦可，即使具有階差部亦可。
在本實施型態中，從鍍敷液供給噴嘴33(鍍敷液供給部15)供給鍍敷液Lp的位置不被限定。再者，對基板W之處理面Ws供給鍍敷液Lp的鍍敷液供給噴嘴33之數量也不被限定。
例如，即使如圖4所示般，從被設置在第2電極13之中心區域(尤其中心軸線上)的單一鍍敷液供給噴嘴33對基板W之處理面Ws之中心區域供給鍍敷液Lp亦可。被定位在面對於藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws之中心區域的鍍敷液供給噴嘴33，可以朝向處理面Ws之中心區域(例如中心軸線上)往垂直方向吐出鍍敷液Lp。
或是，即使如圖5所示般，從被設置在第2電極13之外周區域的複數鍍敷液供給噴嘴33對基板W之處理面Ws之外周區域供給鍍敷液Lp亦可。被定位在面對於藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws之外周區域的鍍敷液供給噴嘴33，可以朝向處理面Ws之外周區域吐出鍍敷液Lp。如圖5所示般，從被配置在彼此遠離的位置的複數鍍敷液供給噴嘴33吐出鍍敷液Lp，係有利於使被形成在處理面Ws上的鍍敷液Lp之積液的液面在整個處理面Ws之全體均勻性地上升。
圖6A～圖6I為表示第1實施型態之鍍敷處理方法(基板液處理方法)之一例的圖。
在圖6A～圖6I中，表示構成處理單元10之僅一部分要素，省略其他要素之圖示。再者，在圖6A～圖6I中，雖然表示圖4所示的處理單元10，但是即使在其他的處理單元10(例如，圖5所示的處理單元10)之情況，也可以以相同的方法實施鍍敷處理方法。
在以下說明的鍍敷處理方法係藉由構成處理單元10(基板液處理裝置)之各裝置在控制部93之控制下適當動作而被進行。
首先，基板W藉由基板保持部11被接取且被保持(圖6A)。此時，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33係被配置在遠離基板W的退避位置。
之後，因應所需，處理液從處理液供給部17被供給至基板W之處理面Ws，進行處理面Ws之前處理(例如洗淨處理)(圖6B)。
之後，因應所需，從處理面Ws除去處理液，迫使處理面Ws乾燥(圖6C)。在本例中，藉由基板保持部11使基板W旋轉，進行處理液之除去及處理面Ws之乾燥。
在進行上述前處理～處理面Ws之乾燥處理的期間，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33維持被配置在退避位置的原樣。
之後，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在處理位置(圖6D)。依此，第1電極12及密封部14被定位成接觸於基板W之外周部，第2電極13之電極對向面13s在基板W之處裡面Ws之附近，於遠離處理面Ws之位置，面對於處理面Ws。其結果，在處理面Ws之上方，形成藉由基板W、密封部14及第2電極13被區劃的封閉空間。尤其，密封部14被推壓至基板W之上面，密封部14及基板W被置放在液密狀態。
之後，從被配置成處理位置的鍍敷液供給噴嘴33，朝向處理面Ws之上方的封閉空間吐出鍍敷液Lp，對基板W之處理面Ws供給鍍敷液Lp。來自鍍敷液供給噴嘴33的鍍敷液Lp之供給速度(流速)可以在控制部93之控制下，藉由鍍敷液供給部15(鍍敷液供給閥32(参照圖2)而改變，能夠因應事先準備的配方而自由設定。
從鍍敷液供給噴嘴33被供給至處理面Ws上的鍍敷液Lp係藉由密封部14而被阻擋，積液在處理面Ws上而形成液膜。
另外，在進行對基板W之處理面Ws供給鍍敷液Lp之期間，有處理面Ws之表面層(種子層)與鍍敷液Lp反應而溶解之情形。從抑制如此的處理面Ws之表面層的溶解之觀點，以從對處理面Ws供給鍍敷液Lp的初期階段，對處理面Ws通電，在處理面Ws促進鍍敷金屬之生長為佳。
例如，即使控制部93控制鍍敷液供給部15及通電部16，以於開始對處理面Ws通電之後，開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp之方式，輸出控制訊號亦可。在此情況，與開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp，同時地在處理面Ws地促進鍍敷反應所致的鍍敷金屬之堆積。其結果，可以抑制處理面Ws之表面層溶解於鍍敷液Lp之情形。
而且，隨著從鍍敷液供給噴嘴33供給鍍敷液Lp，處理面Ws上之鍍敷液Lp之積液之液面緩緩地上升，鍍敷液Lp到達至與第2電極13之電極對向面13s接觸的高度位置(圖6E)。如上述般，本實施型態之電極對向面13s係在其中心區域，被定位於相對性地較接近於處理面Ws的位置。因此，僅電極對向面13s之一部分(即是中心區域)，先局部性地被浸漬於鍍敷液Lp。
如此一來，在第2電極13之電極對向面13s部分性地接觸鍍敷液Lp之狀態，藉由通電部16對基板W之處理面Ws通電，進行第1電解鍍敷處理。即是，第1電極12接觸於基板W，而且在被配置在與處理面Ws對面的位置的第2電極13之電極對向面13s之一部分範圍(第1對向範圍)接觸鍍敷液Lp之狀態，經由第1電極12及第2電極13而對處理面Ws通電。
其結果，在處理面Ws之中，在與電極對向面13s之第1對向範圍對面之範圍，電解鍍敷反應所致的鍍敷金屬之堆積局部性地進行。
電極對向面13s之第1對向範圍之位置及大小不被限定。但是，第1對向範圍係被決定成彌補起因於處理面Ws之中的電壓下降而導致鍍敷金屬之堆積相對性地變慢的範圍。因此，包含電極對向面13s之中心的範圍(即是，基板W之與處理面Ws之中心區域相向的範圍)被設定為第1對向範圍。
另外，實際上，即使在第1電解鍍敷處理中，亦對處理面Ws之全體通電，即使在電極對向面13s之中的與不被浸漬於鍍敷液Lp之部分相向的處理面Ws之部分，亦會堆積鍍敷金屬。但是，比起與不被浸漬於鍍敷液Lp之電極對向面13s之部分相向的處理面Ws之部分，與浸漬於鍍敷液Lp之電極對向面13s之部分相向的處理面Ws之部分，鍍敷金屬之堆積更活潑地進行。
即使控制部93控制鍍敷液供給部15及通電部16，以在第1電解鍍敷處理被實行的期間之至少一部分的時間，停止對處理面Ws供給鍍敷液Lp之方式，輸出控制訊號亦可。即是，於電極對向面13s之中的作為接觸於鍍敷液Lp之最大範圍的最大電極接觸範圍接觸鍍敷液Lp之前，即使暫時停止對處理面Ws之上方之封閉空間供給鍍敷液Lp亦可。
或是，即使控制部93控制鍍敷液供給部15及通電部16，以在第1電解鍍敷處理被實行的期間，不停止而繼續對處理面Ws供給鍍敷液Lp之方式，輸出控制訊號亦可。在此情況，在進行第1電解鍍敷處理之期間，接觸於鍍敷液Lp之電極對向面13s之第1對向範圍歷時性地變動，緩緩地擴散。
而且，邊對基板W之處理面Ws通電，邊從鍍敷液供給噴嘴33對處理面Ws進一步供給鍍敷液Lp。依此，藉由鍍敷液Lp被浸漬的第2電極13之電極對向面13s之範圍緩緩地擴大。如此地，隨著進行從鍍敷液供給噴嘴33供給鍍敷液Lp，被浸漬於鍍敷液Lp之電極對向面13s之範圍緩緩地擴大，其結果，活潑地堆積鍍敷金屬的處理面Ws之範圍緩緩地擴大。
而且，當在電極對向面13s之中的最大電極接觸範圍接觸鍍敷液Lp時，停止從鍍敷液供給噴嘴33吐出鍍敷液Lp，結束對處理面Ws之上方之封閉空間供給鍍敷液Lp(圖6F)。
在此所稱的最大電極接觸範圍通常係指電極對向面13s之全體，藉由對處理面Ws之上方之封閉空間無間隙地填充鍍敷液Lp，電極對向面13s之全體接觸於鍍敷液Lp。
但是，即使最大電極接觸範圍不一定為電極對向面13s之全體亦可。即使在處理面Ws之上方之封閉空間部分性地包含空間之狀態，結束從鍍敷液供給噴嘴33對封閉空間供給鍍敷液Lp亦可。在此情況，電極對向面13s之外緣部不接觸於鍍敷液Lp。
本例之控制部93係控制鍍敷液供給部15(鍍敷液供給閥32)，以開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp後花費5秒以上的時間，使鍍敷液接觸於最大電極接觸範圍之全體之方式，輸出控制訊號。例如，即使鍍敷液Lp係於開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp花費10秒以上、1分鐘以上或10分鐘以上(通常為10秒～5分鐘程度)之時間，接觸於最大電極接觸範圍之全體亦可。
在本例中，於開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp後，停止對處理面Ws供給鍍敷液Lp之後，直至經過特定時間後為止，藉由通電部16繼續地對處理面Ws通電，持續促進朝處理面Ws上堆積鍍敷金屬。如此一來，在電極對向面13s之最大電極接觸範圍接觸鍍敷液Lp，並且對處理面Ws通電之狀態持續一段時間。
而且，當充分地進行處理面Ws上之鍍敷金屬之堆積時，停止在處理面Ws之通電，結束處理面Ws之鍍敷處理。
本例之控制部93係以如下述般地進行上述一連串的鍍敷處理之方式，輸出控制訊號。
即是，以「Tm」表示在電極對向面13s之最大電極接觸範圍接觸鍍敷液Lp之狀態，對處理面Ws通電的時間。再者，以「Tn」表示在電極對向面13s中之較最大電極接觸範圍更窄的範圍接觸鍍敷液Lp之狀態，對處理面Ws通電的時間。在此情況，以時間Tn較時間Tm更長之方式(即是，滿足「Tn＞Tm」之方式)，控制部93控制通電部16(例如，電源37)而進行鍍敷處理。
當鍍敷處理結束時，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在退避位置(圖6G)。
之後，藉由處理液供給部17對基板W之處理面Ws供給沖洗液Lr(例如，DIW(Deionized water))，從處理面Ws沖洗鍍敷液Lp(圖6H；沖洗處理)。
之後，藉由基板保持部11使基板W旋轉而進行處理面Ws之乾燥(旋轉乾燥)(圖6I：乾燥處理)。另外，第2電極13(尤其，電極對向面13s)、密封部14及第1電極12係在退避位置被適當洗淨。
如上述說明般，若藉由本實施型態時，在鍍敷處理之初期階段，可以在第2電極13之電極對向面13s之僅一部分範圍(中心區域)之接觸於鍍敷液Lp之狀態，集中性地促進在基板W之處理面Ws之中心區域中之鍍敷金屬之成膜。而且，在處理面Ws被通電之狀態，藉由對處理面Ws之上方之封閉空間緩緩地供給鍍敷液Lp，使浸漬於鍍敷液Lp之第2電極13之範圍朝向外周部緩緩地擴散，有助於電解鍍敷之第2電極13之範圍朝向外周部緩緩地被擴散。而且，在鍍敷處理之最後階段，促進在處理面Ws之全體中之鍍敷金屬的成膜。
依此，可以藉由在鍍敷處理之初期階段中之「在處理面Ws之中心區域的鍍敷金屬之堆積的局部促進」，緩和起因於在鍍敷處理中之電壓下降的「在處理面Ws之中心區域的鍍敷金屬之堆積速度的延遲」之影響。如此一來，藉由使鍍敷金屬堆積的範圍從處理面Ws之中心側朝向外周側緩緩地擴散，最終可以使鍍敷金屬以適當的膜厚堆積在處理面Ws之全體。即是，在鍍敷處理結束的階段，可以減少在處理面Ws之中心區域和外周區域之間的鍍敷金屬之膜厚差，可以提升在堆積於基板W上之鍍敷金屬之膜厚之均勻性。
再者，藉由因應鍍敷處理中之電壓下降特性，調整從鍍敷液供給噴嘴33朝處理面Ws之上方的封閉空間的鍍敷液Lp之供給速度，能更有效果地改善處理面Ws上之鍍敷金屬之膜厚的均勻性。
以往，藉由縮小在處理面Ws之區域間的鍍敷反應時間之差，可以謀求鍍敷金屬膜厚之均勻性的提升，從開始供給鍍敷液Lp起，在短時間，鍍敷液Lp被擴散在處理面Ws之全體。即是，以往係藉由盡可能地縮短從對處理面Ws開始供給鍍敷液Lp起至處理面Ws之全體藉由鍍敷液Lp被覆蓋為止的時間，謀求處理面Ws上之鍍敷金屬膜厚的均勻化。
另一方面，在本實施型態中，處理面Ws上之接觸於鍍敷液Lp之第2電極13(電極對向面13s)之範圍階段性地或繼續性地隨著時間被擴散。依此，根據因應電壓下降特性的原本性的電解鍍敷反應之強度，在處理面Ws之區域間，實質性的鍍敷反應時間積極性地被改變，處理面Ws上之鍍敷金屬之膜厚被均勻化。
再者，由於在處理面Ws之表面層(種子層)之電阻大，即使在以往的方法中，難以使鍍敷金屬充分地堆積於處理面Ws之中央部的情況，若藉由本實施型態時，亦可以使鍍敷金屬充分地堆積於處理面Ws之中央部。
[第2實施型態] 在本實施型態中，對與上述第1實施型態相同或對應之要素賦予相同之符號，省略其詳細說明。
圖7A為表示第2實施型態所涉及之處理單元10之一例的圖。在圖7A中，僅表示構成處理單元10之一部分要素，省略其他要素之圖示。圖7B為表示在圖7A所示的處理單元10中之基板W上之鍍敷液Lp之擴散方式的基板W之平面狀態之一例的圖。
在圖7A所示的處理單元10中，第2電極13具有平板形狀，電極對向面13s與水平方向平行延伸。但是，第2電極13(例如，電極對向面13s)之具體性的形狀不被限定。
圖8及圖9為表示第2實施型態所涉及之處理單元10之其他例的圖。
例如，圖8所示般，即使電極對向面13s之中心區域比起電極對向面13s之外緣部，具有朝下凸形狀亦可。在此情況，在電極對向面13s之中，面對於藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws之中心區域的範圍，相對於處理面Ws突出。若藉由圖8所示的例時，因基板W之處理面Ws之中心區域之正上方的封閉空間小，故從鍍敷液供給噴嘴33被供給的鍍敷液Lp容易在處理面Ws上擴散。再者，若藉由圖8所示的例時，因可以使基板W之處理面Ws之中心區域和第2電極13之間的距離接近，故可以有效果地促進在處理面Ws之中心區域的鍍敷金屬之堆積。
或是，圖9所示般，即使電極對向面13s之中心區域比起電極對向面13s之外緣部，具有朝下凹形狀亦可。在此情況，在電極對向面13s之中，面對於藉由基板保持部11被保持的基板W之處理面Ws之中心區域的範圍，相對於處理面Ws呈凹陷。若藉由圖9所示的例時，因基板W之處理面Ws之中心區域之正上方的封閉空間大，故可以使從鍍敷液供給噴嘴33被供給的鍍敷液Lp緩慢地在處理面Ws上擴散，容易控制在處理面Ws上之鍍敷液Lp之擴散狀態。
鍍敷液供給噴嘴33係與上述圖4所示的例相同，被設置在第2電極13之中心區域，對處理面Ws之中心區域上供給鍍敷液Lp。依此，鍍敷液Lp係邊接觸於處理面Ws及電極對向面13s，邊從處理面Ws之中心區域朝向外側緩緩地擴散。即是，被供給至處理面Ws之鍍敷液Lp在處理面Ws之全面擴散之前，相對於電極對向面13s之中心區域及處理面Ws之中心區域之雙方部分性地接觸。而且，鍍敷液Lp邊維持接觸於處理面Ws及電極對向面13s之狀態，邊緩緩地擴散在處理面Ws及電極對向面13s之接觸範圍。
另外，第2電極13(電極對向面13s)和基板W(處理面Ws)之間的間隔，藉由鍍敷液Lp之表面張力，被設定成在處理面Ws和電極對向面13s之間維持鍍敷液Lp之積液的距離(例如1～3mm程度)。
在本例中，在第1電極12、第2電極13、封閉部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在處理位置之狀態，從鍍敷液供給噴嘴33對處理面Ws之上方的封閉空間供給鍍敷液Lp，進行第1電解鍍敷處理。即是，在作為電極對向面13s之一部分範圍的第1對向範圍接觸鍍敷液Lp之狀態，對處理面Ws通電而進行第1電解鍍敷處理。
另外，在上述第1實施型態中，如圖4所示般，以在處理面Ws之中接觸於鍍敷液Lp之最大範圍(最大基板接觸範圍)之全體接觸鍍敷液Lp之狀態，實行第1電解鍍敷處理之方式，控制部93輸出控制訊號。
另一方面，在本實施型態中，如圖7A～圖9所示般，以在處理面Ws之最大基板接觸範圍之僅一部分接觸鍍敷液Lp之狀態，實行第1電解鍍敷處理之方式，控制部輸出控制訊號。
另外，即使在本實施型態中，也與上述第1實施型態相同，於對處理面Ws供給鍍敷液Lp之前，開始對處理面Ws通電，依此可以抑制處理面Ws之表面層(種子層)朝鍍敷液Lp溶解。
之後，進一步地從鍍敷液供給噴嘴33對處理面Ws上供給鍍敷液Lp，在對處理面Ws之全體供給鍍敷液Lp之狀態，進行對處理面Ws通電的鍍敷處理。在本實施型態中，在對處理面Ws之上方的封閉空間之全體填充鍍敷液Lp，鍍敷液Lp接觸於第2電極13之電極對向面13s之全體(最大電極接觸範圍)之狀態，進行鍍敷處理。
另外，即使第2電極13之電極對向面13s具有基板W之處理面Ws上之鍍敷液Lp(即是，電極對向面13s上之鍍敷液Lp)從處理面Ws之中心朝放射方向均勻性地擴散的構成亦可。
圖10A為表示第2電極13之一例的俯視圖。圖10B為表示圖10A所示之凹凸圖案40之一例的放大圖。
即使電極對向面13s具有例如以第2電極13之中心軸線(旋轉軸線)為中心被設置成同心圓狀的凹凸圖案40亦可。在圖10A及圖10B所示的例中，藉由被形成為第2電極13的沖孔之集合，形成凹凸圖案40。凹凸圖案40之具體性構成不被限定，例如即使各沖孔具有0.5～1mm程度之直徑亦可。再者，即使藉由複數微小突起(例如，具有0.5mm以下程度之突起高度的複數微小突起)之集合，形成凹凸圖案40亦可。
藉由第2電極13(尤其，電極對向面13s)包含表面性狀不同的複數材料，以取代物理性的凹凸圖案40，能助長在處理面Ws上的鍍敷液Lp朝放射方向的均勻擴散。例如，即使第2電極13包含相對於鍍敷液Lp的接觸角彼此不同，並且被配置成同心圓狀之複數材料亦可，即使該複數材料以第2電極13之中心軸線為中心被配置為同心圓狀亦可。
圖7A所示的處理單元10之其他構成與上述第1實施型態所涉及之圖4所示的處理單元10相同。
接著，針對本實施型態所涉及之鍍敷處理方法之例予以說明。
在以下中，說明藉由圖7A所示的處理單元10被實施的鍍敷處理方法之第1～第3的例。具有其他構成的處理單元10(參照圖8～圖10B)也藉由相同的處理方法，能夠實施以下的鍍敷處理方法。
圖11A～圖11I為表示第2實施型態所涉及之鍍敷處理方法之第1例的圖。
在圖11A～圖11I中，僅表示構成處理單元10之一部分要素，省略其他要素之圖示。即使在本例中，構成處理單元10(基板液處理裝置1)之各裝置係在控制部93之控制下適當地動作，依此進行各處理步驟。
首先，基板W藉由基板保持部11被接取且被保持(圖11A)。
之後，因應所需，從處理液供給部17對基板W之處理面Ws供給處理液而進行處理面Ws之前處理(圖11B)，從處理面Ws除去處理液而使處理面Ws乾燥(圖11C)。本例之前處理中，利用處理液之化學反應，進行處理面Ws之前處理。
之後，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在處理位置(圖11D)。而且，從鍍敷液供給噴嘴33朝向基板W之處理面Ws之上方的封閉空間吐出鍍敷液Lp，對處理面Ws供給鍍敷液Lp(圖11E)。其結果，處理面Ws之僅一部分及電極對向面13s之僅一部分局部性地接觸於鍍敷液Lp。
如此一來，在第2電極13之電極對向面13s部分性地接觸於鍍敷液Lp之狀態，藉由通電部16對基板W之處理面Ws通電，進行第1電解鍍敷處理。
而且，從鍍敷液供給噴嘴33進一步地對基板W之處理面Ws供給鍍敷液Lp，藉由鍍敷液Lp被覆蓋的電極對向面13s之範圍緩緩地被擴大。
如上述般，即使在處理面Ws上，鍍敷液Lp被擴散之期間，基板保持部11使基板W旋轉亦可，即使第2電極移動部28係經由第2電極支持部26而使第2電極13旋轉亦可。如此一來，藉由使基板W及/或第2電極13旋轉，邊使鍍敷液Lp接觸於處理面Ws及電極對向面13s，邊促進朝放射方向均等地擴張之情形。在此情況，雖然基板W之旋轉數及第2電極13之旋轉數不被限定，但是為基板W之旋轉乾燥處理之旋轉數(例如，1000rpm)更低的旋轉數(例如，數rpm～數十rpm)。
而且，當在電極對向面13s之最大電極接觸範圍接觸鍍敷液Lp時，停止從鍍敷液供給噴嘴33吐出鍍敷液Lp，結束對處理面Ws之上方之封閉空間供給鍍敷液Lp(圖11F)。
在本例中，於開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp後，停止對處理面Ws供給鍍敷液Lp之後，直至經過特定時間後為止，藉由通電部16繼續地對處理面Ws通電，持續在處理面Ws上堆積鍍敷金屬。
而且，當在處理面Ws上之鍍敷金屬之堆積充分進行時，停止在處理面Ws中之通電，結束處理面Ws之鍍敷處理，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在退避位置(圖11G)。
之後，藉由處理液供給部17對基板W之處理面Ws供給沖洗液Lr而從處理面Ws沖洗鍍敷液Lp(圖11H)，藉由基板保持部11使基板W旋轉而進行處理面Ws之乾燥(圖11I)。另一方面，第2電極13(尤其，電極對向面13s)、密封部14及第1電極12係在退避位置被適當洗淨。
圖12A～圖12I為表示第2實施型態所涉及之鍍敷處理方法之第2例的圖。在圖12A～圖12I中，僅表示構成處理單元10之一部分要素，省略其他要素之圖示。
在本例中，於基板保持部11保持基板W之後(圖12A)，第2電極13及鍍敷液供給噴嘴33被配置在處理位置之狀態進行前處理(圖12B)。
即是，在前處理液Lt1接觸於基板W之處理面Ws及第2電極13之電極對向面13s之狀態，進行前處理。依此，能夠一次進行處理面Ws及電極對向面13s之雙方的前處理。在本例之前處理中，利用處理液之化學反應，進行處理面Ws及電極對向面13s之前處理。
在圖12B所示的例中，於進行前處理之期間，密封部14及第1電極12被配置在退避位置。
再者，在圖12B所示的例中，被使用於前處理之前處理液Lt1並非處理液供給部17(參照圖2)，而係經由鍍敷液供給噴嘴33而被供給至處理面Ws上。如此一來，本例之鍍敷液供給噴嘴33不僅作為鍍敷液供給部15而動作，也作為處理液供給部17而動作。
前處理液Lt1之供給系統(省略圖示)能夠以任意的態樣對鍍敷液供給噴嘴33連接。就以一例而言，即使在被連接於鍍敷液供給噴嘴33之共通流路設置流路切換閥，藉由該流路切換閥，在鍍敷液Lp和前處理液Lt1之間切換被供給至鍍敷液供給噴嘴33之液體亦可。
之後，藉由基板保持部11使基板W旋轉，從處理面Ws除去前處理液Lt1而使處理面Ws乾燥(圖12C)。在該乾燥處理中，在圖12C所示的例中，第2電極13及鍍敷液供給噴嘴33維持被配置在處理位置的狀態，密封部14及第1電極12維持被配置在退避位置的狀態。
之後，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在處理位置(圖12D)。而且，從鍍敷液供給噴嘴33朝向基板W之處理面Ws之上方的封閉空間吐出鍍敷液Lp，對處理面Ws供給鍍敷液Lp(圖12E)。
而且，在電極對向面13s之僅一部分及處理面Ws之僅一部分局部性地接觸於鍍敷液Lp之狀態，藉由通電部16對處理面Ws通電，進行第1電解鍍敷處理。
而且，從鍍敷液供給噴嘴33進一步地對基板W之處理面Ws供給鍍敷液Lp，藉由鍍敷液Lp被覆蓋的電極對向面13s之範圍緩緩地被擴大。而且，當鍍敷液Lp接觸於電極對向面13s之最大電極接觸範圍時，停止從鍍敷液供給噴嘴33吐出鍍敷液Lp，結束對處理面Ws之上方之封閉空間供給鍍敷液Lp(圖12F)。
在本例中，於開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp後，停止對處理面Ws供給鍍敷液Lp之後，直至經過特定時間後為止，藉由通電部16繼續地對處理面Ws通電，持續在處理面Ws上堆積鍍敷金屬。
而且，當在處理面Ws上之鍍敷金屬之堆積充分被進行時，停止在處理面Ws中之通電，結束處理面Ws之鍍敷處理，第1電極12及密封部14被配置在退避位置(圖12G)。在圖12G所示的例中，第2電極13及鍍敷液供給噴嘴33維持被配置在處理位置之狀態。
之後，藉由鍍敷液供給噴嘴33對基板W之處理面Ws供給後處理液Lt2(沖洗液)，從處理面Ws沖洗鍍敷液Lp(圖12H)。在圖12H所示的例中，第2電極13及鍍敷液供給噴嘴33維持被配置在處理位置之狀態。因此，附著於電極對向面13s之鍍敷液Lp也與附著於處理面Ws之鍍敷液Lp同時藉由後處理液Lt2被沖洗。
再者，在圖12H所示的例中，被使用於後處理之後處理液Lt2並非處理液供給部17(參照圖2)，而係經由鍍敷液供給噴嘴33而被供給至處理面Ws上。被使用於後處理之後處理液Lt2之供給系統(省略圖示)能夠以任意的態樣對鍍敷液供給噴嘴33連接。就以一例而言，即使在被連接於鍍敷液供給噴嘴33之共通流路設置流路切換閥，藉由該流路切換閥，在鍍敷液Lp和後處理液Lt2之間切換被供給至鍍敷液供給噴嘴33之液體亦可。即使後處理液Lt2與前處理液Lt1相同亦可，即使使用共通的供給系統，而對鍍敷液供給噴嘴33供給前處理液Lt1及後處理液Lt2亦可。
之後，在第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在退避位置之狀態，藉由基板保持部11使基板W旋轉而進行處理面Ws之乾燥(圖12I)。另一方面，第2電極13(尤其，電極對向面13s)、密封部14及第1電極12係在退避位置被適當洗淨。
圖13A～圖13I為表示第2實施型態所涉及之鍍敷處理方法之第3例的圖。在圖13A～圖13I中，表示構成處理單元10之僅一部分要素，省略其他要素之圖示。
在本例中，基板保持部11保持基板W之後，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在處理位置(圖13A)。而且，第1電極12、第2電極13、密封部14及鍍敷液供給噴嘴33被配置在處理位置之狀態，進行使用前處理液Lt1的前處理(圖13B及圖13C)。
即是，前處理液Lt1從鍍敷液供給噴嘴33被供給至基板W之處理面Ws(圖13B)，前處理液Lt1被填充於處理面Ws之上方的封閉空間之全體，在處理面Ws之全體及電極對向面13s之全體被供給前處理液Lt1(圖13C)。
本例之前處理係利用在處理面Ws及電極對向面13s之各者的一部分或全部接觸前處理液Lt1之狀態，經由第1電極12及第2電極13而藉由通電部16對處理面Ws通電而被進行。依此，前處理液Lt1引起電化學還原反應，處理面Ws上及電極對向面13s上之氧化物被還原且被去除。另外，即使於該電化學還原反應所致的處理面Ws之前處理之前，處理面Ws先藉由任意的處理液而接受化學性的前處理亦可。
之後，從鍍敷液供給噴嘴33對處理面Ws供給沖洗液Lr(例如，DIW)，從處理面Ws上及電極對向面13s上沖洗前處理液Lt1(圖13D)。
在圖13A～圖13I所示的例中，以貫通密封部14之方式設置排液部45，處理面Ws之上方之封閉空間和外部經由排液部45而被連通。因此，隨著在封閉空間被供給沖洗液Lr，封閉空間內之前處理Lt1經由排液部45而被推出外部。
之後，從鍍敷液供給噴嘴33朝向基板W之處理面Ws之上方的封閉空間吐出鍍敷液Lp，對處理面Ws供給鍍敷液Lp(圖13E)。隨著在封閉空間被供給鍍敷液Lp，封閉空間內之沖洗液Lr經由排液部45而被推出外部。
而且，在電極對向面13s之一部分(即是，在鍍敷液供給噴嘴33之附近的中心區域)接觸於鍍敷液Lp之狀態，藉由通電部16對基板W之處理面Ws通電，進行第1電解鍍敷處理。
另外，因本例之鍍敷液供給噴嘴33朝向封閉空間內之沖洗液Lr吐出鍍敷液Lp，故處理面Ws上之鍍敷液Lp之一部分被混入至沖洗液Lr。因此，雖然封閉空間內之鍍敷液Lp之一部分混入至沖洗液Lr，但是該鍍敷液Lp幾乎停滯在與電極對向面13s之第1對向範圍相向的位置之狀態，進行本例之第1電解鍍敷處理。
而且，從鍍敷液供給噴嘴33進一步地對基板W之處理面Ws供給鍍敷液Lp，藉由鍍敷液Lp被覆蓋的電極對向面13s之範圍緩緩地被擴大。
而且，處理面Ws之上方之封閉空間的全體藉由鍍敷液Lp被填充，在電極對向面13s之最大電極接觸範圍接觸鍍敷液Lp。當在電極對向面13s之最大電極接觸範圍接觸鍍敷液Lp時，停止從鍍敷液供給噴嘴33吐出鍍敷液Lp，結束對處理面Ws之上方之封閉空間供給鍍敷液Lp(圖13F)。
在本例中，於開始對處理面Ws供給鍍敷液Lp後，停止對處理面Ws供給鍍敷液Lp之後，直至經過特定時間後為止，藉由通電部16繼續地對處理面Ws通電，持續在處理面Ws上堆積鍍敷金屬。
而且，當在處理面Ws上之鍍敷金屬之堆積充分進行時，停止在處理面Ws中之通電，結束處理面Ws之鍍敷處理，第1電極12、密封部14及排液部45被配置在退避位置(圖13G)。在圖13G所示的例中，第2電極13及鍍敷液供給噴嘴33維持被配置在處理位置之狀態。
之後，藉由鍍敷液供給噴嘴33對基板W之處理面Ws供給後處理液Lt2(沖洗液)，從處理面Ws及電極對向面13s沖洗鍍敷液Lp(圖13H)。
之後，在第2電極13及鍍敷液供給噴嘴33被配置在退避位置之狀態，藉由基板保持部11使基板W旋轉而進行處理面Ws之乾燥(圖13I)。另一方面，第2電極13(尤其，電極對向面13s)、密封部14及第1電極12係在退避位置被適當洗淨。
如上述說明般，即使在本實施型態時，亦可以在鍍敷處理之初期階段，僅第2電極13之電極對向面13s之中心區域接觸於鍍敷液Lp之狀態，集中性地促進在基板W之處理面Ws之中心區域中之鍍敷金屬之成膜。
尤其，在鍍敷處理之初期階段，在處理面Ws之外周部未附著鍍敷液Lp之狀態，處理面Ws被通電而進行鍍敷處理。因此，可以確實地防止在鍍敷處理之初期階段，於處理面Ws之外周部堆積鍍敷金屬。
(第1變形例) 圖14A為表示第1變形例所涉及之第2電極13之電極對向面13s的俯視圖。圖14B為表示第1變形例所涉及之處理單元10的圖。
雖然圖14A及圖14B所示的第2電極13具有平板形狀，但是即使對非平板形狀之第2電極13(在非水平方向延伸的電極對向面13s)，亦能同樣適用於本變形例。
即使電極對向面13s被區分為複數區分面13sm亦可。即使通電部16被構成在控制部93(參照圖1)之控制下，在複數區分面13sm間改變流至複數區分面13sm之各者的電氣亦可。
在圖14A所示的例中，第2電極13之中心軸線(旋轉軸線)為中心，電極對向面13s被區分成同心圓狀，並且各同心圓狀區域被區分成複數，依此決定複數區分面13sm。
在各區分面13sm連接對應的通電端子35。通電部16係在控制部93之控制下，使施加於各者的通電端子35之電壓彼此獨立改變。
在圖14B所示的例中，各通電端子35係經由通電調整部50而被連接於電源37，各通電調整部50係在控制部93之控制下調整通電至對應的通電端子35的電壓。
例如，即使各通電調整部50包含可調電阻，該可調電阻之電阻值係藉由控制部93適當地被改變亦可。在此情況，即使藉由通電部16在各者的通電調整部50被施加相同的電壓，施加於各通電端子35之實行電壓係藉由對應的通電調整部50而個別地被改變。
於進行鍍敷處理之時，以相對性高的電壓作用於中心部側之區分面13sm，相對性低的電壓作用於外周部側之區分面13sm之方式，施加於各通電端子35之實行電壓係藉由對應的通電調整部50而被調整。依此，以減少第2電極13之電壓下降之影響的方式進行鍍敷處理，可以使鍍敷金屬之膜厚在整個處理面Ws之全體均勻化。
另外，被分配於各區分面13sm之通電端子35及通電調整部50之各者即使為1個亦可，即使為複數亦可。
即使通電部16個別地改變直接性地施加於各通電端子35之電壓(實行電壓)，以取代設置通電調整部50亦可。在此情況，可以進行減少基板W之電壓下降之影響的鍍敷處理，可以使被堆積於處理面Ws上之鍍敷金屬之膜厚均勻化。
[其他之變形例] 在上述例中，雖然在鍍敷處理之期間，第2電極13被定位在基板W之上方，但是即使第2電極13被定位在基板W之下方亦可。即使在此情況，在進行鍍敷處理之期間，基板W之處理面Ws和第2電極13之電極對向面13s隔著鍍敷液Lp而彼此相向。
應注意在本說明書揭示的實施型態及變形例所有點只不過係例示，不以限定性地進行解釋。上述實施型態及變形例在不脫離附件的申請專利範圍及其主旨的情況下，可以以各種型態進行省略、替換或變更。例如，即使上述實施型態及變形例部分性或全體性地組合亦可，再者，即使上述以外的實施型態與上述實施型態或變形例部分性或全體性地組合亦可。
再者，將上述技術性思想予以具體化的技術性範疇不被限定。例如，即使上述基板液處理裝置應用於其他裝置亦可。再者，即使藉由用以使電腦實行上述基板液處理方法所含的1個或複數程序(步驟)的電腦程式，將上述技術性思想予以具體化亦可。再者，即使藉由記錄有如此的電腦程式的電腦可讀取的非暫時性（non-transitory）的記錄媒體，將上述技術性思想予以具體化亦可。
10:處理單元 11:基板保持部 12:第1電極 13:第2電極 13s:電極對向面 14:密封部 15:鍍敷液供給部 16:通電部 93:控制部 Lp:鍍敷液 W:基板 Ws:處理面
[圖1]為表示基板處理系統之一例之概略的圖。 [圖2]為表示處理單元之一例的圖。 [圖3]為表示第2電極之一部分的放大俯視圖，表示複數通電端子之配置例。 [圖4]為表示第1實施型態所涉及之處理單元之一例的圖。 [圖5]為表示第1實施型態所涉及之處理單元之其他例的圖。 [圖6A]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6B]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6C]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6D]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6E]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6F]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6G]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6H]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖6I]為表示第1實施型態之鍍敷處理方法之一例的圖。 [圖7A]為表示與第2實施型態所涉及之處理單元之一例的圖。 [圖7B]為表示在圖7A所示的處理單元中之基板上之鍍敷液之擴散方式的基板之平面狀態之一例的圖。 [圖8]為表示第2實施型態所涉及之處理單元之其他例的圖。 [圖9]為表示第2實施型態所涉及之處理單元之其他例的圖。 [圖10A]為表示第2電極之一例的俯視圖。 [圖10B]為表示圖10A所示之凹凸圖案之一例的放大圖。 [圖11A]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11B]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11C]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11D]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11E]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11F]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11G]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11H]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖11I]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第1例的圖。 [圖12A]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12B]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12C]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12D]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12E]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12F]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12G]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12H]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖12I]為表示第2實施型態之鍍敷處理方法之第2例的圖。 [圖13A]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13B]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13C]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13D]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13E]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13F]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13G]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13H]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖13I]為表示第3實施型態之鍍敷處理方法之第3例的圖。 [圖14A]為表示第1變形例所涉及之第2電極之電極對向面的俯視圖。 [圖14B]為表示第1變形例所涉及之處理單元的圖。
10:處理單元
11:基板保持部
12:第1電極
13:第2電極
13s:電極對向面
14:密封部
15:鍍敷液供給部
16:通電部
33:鍍敷液供給噴嘴
35:通電端子
W:基板
Ws:處理面

Claims (12)

  1. 一種基板液處理裝置，具備： 基板保持部，其係將基板保持成能夠旋轉； 第1電極，其係接觸於藉由上述基板保持部被保持的上述基板； 第2電極，其具有被配置在面對於藉由上述基板保持部被保持的上述基板之處理面的位置的電極對向面： 密封部，其係包圍上述處理面； 鍍敷液供給部，其係對藉由上述基板保持部被保持的上述基板之上述處理面供給鍍敷液； 通電部，其係經由上述第1電極及上述第2電極，而對藉由上述基板保持部被保持的上述基板之上述處理面通電；及 控制部， 上述控制部係 控制上述鍍敷液供給部及上述通電部，以在作為上述電極對向面之一部分範圍的第1對向範圍接觸上述鍍敷液之狀態，對上述處理面通電而實行第1電解鍍敷處理之方式，輸出控制訊號， 控制上述鍍敷液供給部及上述通電部，以於上述第1電解鍍敷處理之後，在上述電極對向面之中的較上述第1對向範圍更寬廣的第2對向範圍接觸上述鍍敷液之狀態，對上述處理面通電而實行第2電解鍍敷之方式，輸出控制訊號。
  2. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述控制部係以比起在上述電極對向面之中的作為接觸於上述鍍敷液之最大範圍的最大電極接觸範圍接觸上述鍍敷液之狀態對上述處理面通電之時間，在上述電極對向面之中的較上述最大電極接觸範圍更窄的範圍接觸上述鍍敷液之狀態對上述處理面通電之時間較長之方式，輸出控制訊號。
  3. 如請求項2之基板液處理裝置，其中 上述控制部係控制上述鍍敷液供給部，以開始對上述處理面供給上述鍍敷液後花費5秒以上的時間，使上述鍍敷液接觸於上述最大電極接觸範圍之全體之方式，輸出控制訊號。
  4. 如請求項1至3中之任一項之基板液處理裝置，其中 上述控制部係控制上述鍍敷液供給部及上述通電部，以在實行上述第1電解鍍敷處理之間的至少一部分之時間，停止對上述處理面供給上述鍍敷液之方式，輸出控制訊號。
  5. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述電極對向面之中的面對藉由上述基板保持部被保持的上述基板之上述處理面之中心區域的範圍，相對於上述處理面突出或凹陷。
  6. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述鍍敷液供給部係朝向藉由上述基板保持部被保持的上述基板之上述處理面之中心區域而吐出上述鍍敷液。
  7. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述鍍敷液供給部係朝向藉由上述基板保持部被保持的上述基板之上述處理面之外周區域而吐出上述鍍敷液。
  8. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述控制部係控制上述鍍敷液供給部及上述通電部，以開始對上述處理面通電之後，開始對上述處理面供給上述鍍敷液之方式，輸出控制訊號。
  9. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述電極對向面被區分成複數區分面， 上述通電部係在上述控制部之控制下，能在上述複數區分面間改變流至上述複數區分面之各者的電氣。
  10. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述控制部係以在上述處理面之中的作為接觸於上述鍍敷液之最大範圍的最大基板接觸範圍之全體接觸上述鍍敷液之狀態，實行上述第1電解鍍敷處理之方式，輸出控制訊號。
  11. 如請求項1之基板液處理裝置，其中 上述控制部係以在上述處理面之中的作為接觸於上述鍍敷液之最大範圍的最大基板接觸範圍之僅一部分接觸上述鍍敷液之狀態，實行上述第1電解鍍敷處理之方式，輸出控制訊號。
  12. 一種基板液處理方法，實行： 在藉由基板保持部被保持的基板接觸第1電極，並且被配置在與上述基板之處理面面對的位置之作為第2電極之電極對向面之一部分範圍的第1對向範圍接觸鍍敷液之狀態，經由上述第1電極及上述第2電極而對上述處理面通電而實行第1電解電鍍處理的工程；和 在上述電極對向面之中的較上述第1對向範圍更寬廣的第2對向範圍接觸上述鍍敷液之狀態，對上述處理面通電而實行第2電解鍍敷處理的工程。
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