TW201912254A - 基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
於基板處理裝置(1)的第一保持部(2)設置有貫通孔(21)。貫通孔(21)係具有基板(9)可通過之上部開口(22)。貫通孔(21)的內周面(24)的一部分的徑係比基板(9)還小。第一保持部(2)係使貫通孔(21)的內周面(24)從下方接觸至基板(9)的外緣部並將基板(9)保持成水平狀態。處理液供給部(4)係將處理液供給至基板(9)的上表面(91)上。從處理液供給部(4)所供給的處理液係在比貫通孔(21)的上端還下方被儲留於被第一保持部(2)保持的基板(9)的上表面(91)與貫通孔(21)的內周面(24)圍繞之儲留空間(20)。藉此，能提升形成於基板(9)的上表面(91)上之處理液的液膜的膜厚的徑方向中的均一性。
Description
本發明係有關於一種用以處理基板之技術。
以往，在半導體基板(以下簡單為「基板」)的製造步驟中，對基板施予各種處理。例如，在日本特開2012-92390號公報(專利文獻1)以及日本特開2013-10996號公報(專利文獻2)中揭示有一種鍍覆處理裝置，係用以將鍍覆液供給至基板上而施予鍍覆處理。
在專利文獻1的鍍覆處理裝置中，首先，含有鈀之置換鍍覆處理液係被供給至旋轉中的基板並對基板施予鈀鍍覆。接著，進行基板的清洗(rinse)處理後，化學還原鍍覆處理液係被供給至旋轉中的基板並對基板施予鍍覆處理。在該基板處理裝置中，被供給至基板上的鍍覆處理液係藉由基板的旋轉從基板外緣部朝周圍飛散，被罩部(cup)接住並被排出至裝置外。
在專利文獻2的鍍覆處理裝置中，在進行了用以在對基板持續供給鍍覆液的狀態下停止基板的旋轉並對基板進 行初始成膜之培養(incubation)步驟後，進行用以使基板旋轉並使鍍覆膜成長之鍍覆膜成長步驟。
此外，在專利文獻1的鍍覆處理裝置中，會有產生無法於基板上施予鍍覆的不良狀況之虞。認為該不良狀況係起因於鍍覆處理液於旋轉中的基板上移動從而導致於基板上產生的金屬的初始核(initial nucleus)剝離所致。
在專利文獻2的鍍覆處理裝置中，雖然停止基板的旋轉以進行初始成膜，然而在停止中的基板上由表面張力所形成的鍍覆液的液膜中，基板外緣部的膜厚係變得比基板中央部的膜厚還薄。因此，會有對於基板的鍍覆處理在徑方向中變得不均一之虞。此外，在用以收容鍍覆處理裝置之殼體(housing)內形成有朝下的氣流(亦即降流(down flow))之情形中，亦會有因為該氣流導致基板上的液膜吝亂並從外緣部流下從而減少液膜的膜厚之虞。
本發明係應用於用以處理基板之基板處理裝置，目的在於提升形成於基板上的液膜的膜厚的徑方向中的均一性。
本發明較佳實施形態之一的基板處理裝置係具備有：第一保持部，係設置有具有基板可通過之上部開口且內周面 的一部分的徑比前述基板還小之貫通孔，使前述貫通孔的前述內周面從下方接觸至前述基板的外緣部並將前述基板保持成水平狀態；第二保持部，係位於前述貫通孔的下方；保持部移動機構，經由前述貫通孔使前述第二保持部移動至上方，藉此使前述第二保持部接觸至前述基板的下表面，並進行從前述第一保持部朝前述第二保持部之前述基板的授受；以及處理液供給部，係將處理液供給至前述基板的上表面上。從前述處理液供給部所供給的處理液係在比前述貫通孔的上端還下方被儲留於被前述第一保持部保持的前述基板的前述上表面與前述貫通孔的前述內周面圍繞之儲留空間。依據本基板處理裝置，能提升形成於基板上的液膜的膜厚的徑方向中的均一性。
較佳為，前述基板處理裝置係進一步具備有：氣體噴射部，係從下方朝被前述第一保持部保持的前述基板的前述外緣部噴射氣體。
較佳為，前述第一保持部係具備有：吸引部，係吸引接觸至前述貫通孔的前述內周面之前述基板的前述外緣部。
較佳為，前述基板處理裝置係進一步具備有：殼體，係於內部收容前述第一保持部以及前述第二保持部。前述第一保持部係被固定於前述殼體。
較佳為，前述基板處理裝置係進一步具備有：旋轉機構，係在比前述貫通孔的前述上端還上方旋轉前述第二保持部；以及上接液部，係接住從與前述第二保持部一起旋轉的前述基板朝周圍飛散的處理液。
較佳為，前述基板處理裝置係進一步具備有：加熱部，係加熱被前述第一保持部保持的前述基板。
較佳為，儲留於前述儲留空間的處理液係利用於前述基板的無電解覆處理之鍍覆液。
本發明的上述目的以及其他的目的、特徵、態樣以及優點係參照隨附的圖式且藉由以下進行的本發明的詳細說明而明瞭。
1、1a至1d‧‧‧基板處理裝置
2、2a至2d‧‧‧第一保持部
4‧‧‧處理液供給部
5、5a、5b、5d‧‧‧上接液部
6、6c、6d‧‧‧下接液部
8‧‧‧鍍覆液單元
9‧‧‧基板
11‧‧‧殼體
20‧‧‧儲留空間
21‧‧‧貫通孔
22‧‧‧(第一保持部的)上部開口
23‧‧‧(第一保持部的)下部開口
24‧‧‧(第一保持部的貫通孔的)內周面
25‧‧‧段差部
26‧‧‧(段差部的)上表面
27‧‧‧載置面
28‧‧‧傾斜下表面
31‧‧‧第二保持部
32‧‧‧保持部移動機構
33‧‧‧旋轉機構
41‧‧‧噴嘴
45、45a‧‧‧阱部
51、51b‧‧‧第一上接液部
52‧‧‧第二上接液部
53‧‧‧外排液部
61‧‧‧下接液區塊
62‧‧‧下排液部
63‧‧‧(下接液區塊的)外周面
64、64d‧‧‧第一下接液部
65、65d‧‧‧第二下接液部
66、66d‧‧‧下接液部移動機構
67‧‧‧第一下排液部
71、71c‧‧‧洗淨部
72‧‧‧加熱部
73‧‧‧氣體噴射部
74‧‧‧吸引部
81‧‧‧鍍覆液槽
82‧‧‧供給流路
83‧‧‧回收流路
84‧‧‧循環流路
91‧‧‧(基板的)上表面
92‧‧‧(基板的)下表面
311‧‧‧夾具部
312‧‧‧支撐部
451、451a‧‧‧阱槽
452‧‧‧區隔壁
453‧‧‧下凹部
454‧‧‧第一流路
455‧‧‧第二流路
511、511b‧‧‧(第一上接液部的)內周面
641‧‧‧第一袋部
642‧‧‧(第一下接液部的)內緣部
643‧‧‧(第一下接液部的)上部開口
651‧‧‧第二袋部
652‧‧‧(第二下接液部的)外緣部
J1‧‧‧中心軸
圖1係第一實施形態的基板處理裝置的縱剖視圖。
圖2係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖3係用以顯示基板的處理的流程之圖。
圖4係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖5係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖6係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖7係用以顯示鍍覆液單元的構造之圖。
圖8係阱(trap)部的縱剖視圖。
圖9係其他的阱部的縱剖視圖。
圖10係其他的基板處理裝置的縱剖視圖。
圖11係其他的基板處理裝置的縱剖視圖。
圖12係第二實施形態的基板處理裝置的縱剖視圖。
圖13A係用以顯示基板的處理的流程之圖。
圖13B係用以顯示基板的處理的流程之圖。
圖14係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖15係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖16係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖17係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖18係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖19係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖20係基板處理裝置的縱剖視圖。
圖21係其他的基板處理裝置的縱剖視圖。
圖22係其他的基板處理裝置的縱剖視圖。
圖23係其他的基板處理裝置的縱剖視圖。
圖1以及圖2係用以顯示本發明第一實施形態的基板處理裝置1的構成之縱剖視圖。基板處理裝置1係用以逐片地處理半導體基板9(以下簡稱為「基板9」)之葉片式的裝置。在基板處理裝置1中，例如對基板9供給鍍覆液，並對基板9進行無電解鍍覆處理。
基板處理裝置1係具備有殼體11、第一保持部2、第二保持部31、保持部移動機構32、旋轉機構33、處理液供給部4、上接液部5、下接液部6、洗淨部71、加熱部72(參照後述的圖4)以及氣體噴射部73。第一保持部2、第二保持部31、處理液供給部4、上接液部5以及下接液部6等係收容於殼體11的內部。第一保持部2、保持部移動機構32、旋轉機構33、上接液部5以及下接液部6係被固定於殼體11。第二保持部31係以可於上下方向移動之方式安裝於殼體11。殼體11內的空間係例如為密閉空間，且在該密閉空間中形成有從殼體11的頂蓋部朝向下方的氣流(亦即降流)。
第一保持部2係將朝向上下方向的中心軸J1作為中心之略圓筒狀的部位。於第一保持部2設置有於上下方向貫通的貫通孔21。與貫通孔21的上下方向垂直的剖面為在上下方向的各位置中將中心軸J1作為中心之略圓形。貫通孔21係具有上部開口22以及下部開口23。上部開口22係位於貫通孔21的上端。下部開口23係位於貫通孔21的下端。上部開口22以及下部開口23為與中心軸J1垂直的略圓形。
上部開口22的直徑(以下簡稱為「徑」)係比基板9的徑還大。因此，基板9係可通過貫通孔21的上部開口22。 貫通孔21的內周面24的上下方向中的一部分的徑係比基板9的徑還小。在圖1所示的例子中，貫通孔21的內周面24的徑(亦即貫通孔21的徑)係隨著從上部開口22離開而逐漸地減少，且在上部開口22與下部開口23之間的上下方向的預定位置中變得比基板9的徑還小。在比該預定位置還上側中，貫通孔21的徑係比基板9的徑還大；在比該預定位置還下側中，貫通孔21的徑係比基板9的徑還小。此外，在下部開口23的附近中，貫通孔21的徑係在上下方向中為略一定，且比基板9的徑還小。如圖1所示，第一保持部2係使貫通孔21的內周面24從下方接觸至基板9的外緣部並將基板9保持成略水平狀態。基板9的外緣部係遍及略全周地接觸至第一保持部2的內周面24。
第二保持部31係位於第一保持部2的貫通孔21的下方且位於基板9的下方。第二保持部31係具備有夾具(chuck)部311以及支撐部312。夾具部311係將中心軸J1作為中心之略圓板狀的部位。夾具部311的徑係比第一保持部2的貫通孔21的最小徑(在圖1所示的例子中為下部開口23的徑)以及基板9的徑還小。於夾具部311設置有可吸附保持基板9的下表面之真空夾具機構(省略圖示)。支撐部312係連接至夾具部311的下表面中央部，且為用以從下方支撐夾具部311之略圓柱狀的部位。
保持部移動機構32係用以將第二保持部31於上下方 向移動之機構。保持部移動機構32係例如配置於第二保持部31的下方。第二保持部31係藉由保持部移動機構32從圖1所示的退避位置移動至上方，藉此接觸至被第一保持部2保持成水平狀態的基板9的下表面92，並從下側吸附保持基板9。接著，如圖2所示，藉由保持部移動機構32，第二保持部31係經由貫通孔21進一步朝上方移動，藉此基板9係從第一保持部2被授受至第二保持部31並與第二保持部31一起朝比第一保持部2還上方移動。
旋轉機構33係用以將中心軸J1作為中心來旋轉第二保持部31之機構。旋轉機構33係例如配置於第二保持部31的下方。如圖2所示，旋轉機構33係在基板9已從第一保持部2離開至上方的狀態下旋轉第二保持部31以及基板9。具體而言，旋轉機構33係在比第一保持部2的貫通孔21的上端還上方旋轉第二保持部31。
處理液供給部4係將處理液供給至基板9的上表面91上。在圖1以及圖2所示的例子中，處理液供給部4係具備有：噴嘴41，係配置於基板9的中央部的上方。噴嘴41係連接至省略圖示的處理液供給源，從噴嘴41朝基板9的上表面91噴出處理液。在基板處理裝置1中，從噴嘴41朝基板9依序供給複數種處理液。噴嘴41係包含有：複數個噴嘴要素，係分別對應於複數種處理液。或者，亦可於噴嘴41的下端部設置有分別對應於複數種處理液之 複數個噴出口。
上接液部5係配置於比第二保持部31以及基板9還將中心軸J1作為中心之徑方向(以下簡稱為「徑方向」)的外側，並遍及全周地圍繞第二保持部31以及基板9的周圍。上接液部5係在比第一保持部2還上側於徑方向與被第二保持部31保持的基板9對向。上接液部5係接住從與第二保持部31一起旋轉的基板9朝周圍飛散的處理液。
上接液部5係具備有第一上接液部51、第二上接液部52以及外排液部53。第一上接液部51係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的部位。第一上接液部51係接續至第一保持部2並從第一保持部2的上端部朝上方突出。第一上接液部51的內周面511係例如為遍及將中心軸J1作為中心之周方向(以下簡稱為「周方向」)的略全周地朝徑方向外側凸狀地彎曲之曲面。第一上接液部51的內周面511的下端係接續至第一保持部2的內周面24的上端。
第二上接液部52係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的構件。第二上接液部52係配置於比第一上接液部51還徑方向外側，並遍及全周地圍繞基板9以及第一上接液部51的周圍。第二上接液部52的上端部係延伸至比第一上接液部51的上端部還上方。第二上接液部52係具備有：略圓筒狀的側壁部，係將中心軸J1作為中心；以及頂蓋 部，係從該側壁部的上端部朝徑方向內側延伸。該頂蓋部亦可為愈隨著朝向徑方向內側則愈朝向上方之傾斜部。被第二上接液部52接住的處理液係經由外排液部53朝殼體11的外部排出。
如圖1所示，下接液部6係配置於比第一保持部2還徑方向內側且比第二保持部31還徑方向外側，並遍及全周地圍繞第二保持部31的周圍。下接液部6係配置於第一保持部2的貫通孔21的下方且配置於被第一保持部2保持的基板9的下方。下接液部6係具備有下接液區塊61以及下排液部62。下接液區塊61係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的部位。下接液區塊61係位於比被第一保持部2保持的基板9還下側，且於上下方向與基板9的下表面92對向。下接液區塊61的上端係從基板9的下表面92離開至下方。
下接液區塊61的外周面63係愈從下接液區塊61的上端朝向下方則愈朝向徑方向外側之傾斜面。下接液區塊61的外周面63係不與第一保持部2的內周面24接觸，而是於徑方向與該內周面24對向。第一保持部2的內周面24的下端係位於下接液區塊61的外周面63的上端與下端之間。從第一保持部2與下接液區塊61之間的間隙朝下方流動的處理液係經由下排液部62朝殼體11的外部排出。
氣體噴射部73係從下方朝被第一保持部2保持的基板9的外緣部噴射氣體。在圖1所示的例子中，氣體噴射部73係設置於下接液區塊61，並從下接液區塊61的外周面63遍及基板9的外緣部的略全周地噴射氣體。氣體噴射部73不一定需要設置於下接液區塊61，例如亦可設置於比第一保持部2的內周面24中之與基板9的外緣部接觸之部位還下方，並從下方朝基板9的外緣部噴射氣體。從氣體噴射部73噴射的氣體係例如為氮(N2)氣等惰性氣體。來自氣體噴射部73的氣體並未限定於惰性氣體，亦可變更成各種氣體。
後述的圖4所示的加熱部72係加熱被第一保持部2保持的基板9。加熱部72係例如為配置於第一保持部2以及第二保持部31的上方之電熱加熱器。加熱部72係在未利用於基板9的加熱之狀態下例如從第一保持部2以及第二保持部31的上方退避至側方。因此，在圖1以及圖2等中，省略加熱部72的圖示。加熱部72的構造以及配置亦可進行各種變更。例如，加熱部72亦可為用以對基板9照射光線並加熱基板9之光照射部。
圖1以及圖2所示的洗淨部71係對下接液部6供給洗淨液並洗淨下接液部6。在圖1所示的例子中，洗淨部71係設置於第一保持部2中之於徑方向與下接液區塊61的外周面63對向之部位。洗淨部71係朝下接液區塊61的外周 面63噴出洗淨液。從洗淨部71噴出的洗淨液係被供給至遍及下接液區塊61的外周面63的略全周。洗淨部71不一定需要設置於第一保持部2，亦可配置於其他的場所。
接著，參照圖3說明基板處理裝置1所為之基板9的處理的流程的一例。圖4至圖6係用以顯示基板9的處理中的基板處理裝置1之縱剖視圖。如圖2所示，藉由基板處理裝置1處理基板9時，首先藉由第二保持部31將基板9保持成水平狀態(步驟S11)。被第二保持部31保持的基板9係位於比第一保持部2以及第一上接液部51還上側，且於徑方向與第二上接液部52對向。
接著，開始旋轉機構33所為之第二保持部31以及基板9的旋轉(步驟S12)。接著，從處理液供給部4對旋轉中的基板9的上表面91供給觸媒溶液(步驟S13)。觸媒溶液係包含有利用於後述的無電解鍍覆的觸媒(例如鈀(Pd)等重金屬的離子)之溶液。在步驟S13中，例如從噴嘴41朝基板9的中央部噴出液柱狀的觸媒溶液。
被供給至基板9的中央部的觸媒溶液係藉由離心力從基板9的中央部朝外緣部移動，並塗布至遍及基板9的上表面91的全面。已到達基板9的外緣部的觸媒溶液係藉由離心力朝周圍飛散，並被上接液部5的第二上接液部52接住。被第二上接液部52接住的觸媒溶液係經由外排液部 53朝殼體11的外部排出。被排出的觸媒溶液係可例如回收並再利用，亦可廢棄。對基板9供給觸媒溶液(亦即觸媒賦予處理)進行了預定時間後，觸媒(例如鈀)係吸附至基板9的上表面91。
當停止供給觸媒溶液並結束觸媒賦予處理時，從處理液供給部4對旋轉中的基板9的上表面91供給第一清洗液(步驟S14)。第一清洗液係例如為純水。在步驟S14中，例如從噴嘴41噴出霧(mist)狀(亦即廣範圍地擴展並以較低速朝下方移動之多數個微小液滴狀)的第一清洗液並被供給至基板9的上表面91上。被供給至基板9的上表面91上的第一清洗液係藉由離心力朝徑方向外側擴展，藉此從基板9上去除觸媒溶液。從基板9朝周圍飛散的第一清洗液係被上接液部5的第二上接液部52接住，並經由外排液部53朝殼體11的外部排出。較佳為，被第二上接液部52接住的第一清洗液係經由與步驟S13中的觸媒溶液的排出路徑不同的路徑被廢棄。藉此，能提升觸媒溶液的回收效率。
當對基板9供給第一清洗液(亦即第一清洗處理)進行了預定時間時，停止供給第一清洗液。此外，亦停止旋轉機構33所為之基板9以及第二保持部31的旋轉(步驟S15)。
接著，第二保持部31係藉由保持部移動機構32而朝下方移動，基板9的外緣部係接觸至第一保持部2的內周 面24。如圖1所示，第二保持部31係進一步朝下方移動，並從基板9的下表面92朝下方離開。藉此，基板9係從第二保持部31被授受至第一保持部2，並在比貫通孔21的上端還下方被第一保持部2保持成水平狀態(步驟S16)。
當藉由第一保持部2保持基板9時，開始從氣體噴射部73朝被第一保持部2保持的基板9的外緣部噴射氣體。接著，從處理液供給部4對基板9的上表面91供給鍍覆液(步驟S17)。鍍覆液係包含有用以被鍍覆至基板9的上表面91之重金屬(例如鎳(Ni)、銅(Cu)、鈷(Co)、鈷鎢硼(CoWB)、金(Au)或者銀(Ag))的離子以及還原劑等。在步驟S17中，例如從噴嘴41朝基板9的中央部噴出液柱狀的鍍覆液。被供給至基板9的中央部的鍍覆液係朝徑方向外側擴展，基板9的上表面91係遍及全面地被鍍覆液被覆。在被鍍覆液被覆的基板9的上表面91中，析出鍍覆液所含有的上述金屬的初始核。
如圖4所示，從處理液供給部4所供給的鍍覆液係被儲留於被第一保持部2保持的基板9的上表面91以及貫通孔21的內周面24圍繞的空間20(以下稱為「儲留空間20」)。換言之，儲留空間20係貫通孔21中之比基板9的上表面91還上側的空間。如上所述，在基板處理裝置1中，由於從下方朝被第一保持部2保持的基板9的外緣部噴射氣體，因此即使是在基板9的外緣部與貫通孔21的內 周面24之間的周方向的一部分中存在間隙之情形中，亦能防止或抑制鍍覆液從該間隙朝下方漏出。
當鍍覆液在儲留空間20中儲留至預定的深度時，暫時停止從噴嘴41供給鍍覆液。儲留至儲留空間20的鍍覆液係接觸至貫通孔21的內周面24。儲留至儲留空間20的鍍覆液的深度(亦即鍍覆液的液面與基板9的上表面91之間的上下方向的距離)係遍及基板9的全面略均一。儲留空間20內的鍍覆液的深度係比在外緣部未接觸至其他構件的狀態下的基板9中之可藉由表面張力保持於基板9的上表面91上的鍍覆液的液膜(以下稱為「表面張力所為之液膜」)的厚度還大。詳細而言，儲留空間20內的鍍覆液的深度係比基板9的外緣部中之表面張力所為之液膜的厚度還大，且比基板9的中央部中之表面張力所為之液膜的厚度還大。
藉由儲留於儲留空間20的鍍覆液被覆基板9的上表面91預定時間，鍍覆液所含有之金屬係析出至基板9的上表面91上(詳細而言為形成於上表面91上的觸媒層上)，並於基板9上形成有該金屬的層。在基板處理裝置1中，在藉由儲留於儲留空間20的鍍覆液被覆基板9的上表面91的期間，藉由加熱部72加熱基板9。藉此，促進上述金屬朝基板9的上表面91上析出。
接著，第二保持部31係藉由保持部移動機構32朝上方移動並吸附保持基板9的下表面92。此外，氣體噴射部73停止噴射氣體。接著，如圖5所示，第二保持部31係進一步朝上方移動，基板9係從第一保持部2離開至上方。藉此，基板9係從第一保持部2被授受至第二保持部31，並被第二保持部31保持成水平狀態(步驟S18)。儲留於儲留空間20的鍍覆液係從基板9的外緣部與第一保持部2的內周面24之間的間隙朝下方流動，並被下接液部6的下接液區塊61接住。被下接液部6接住的鍍覆液係於下接液區塊61的外周面63移動而朝下方流動，經由下排液部62朝殼體11的外部排出。
接著，如圖6所示，當基板9配置於與第一上接液部51的上下方向相同的位置時，藉由旋轉機構33開始旋轉基板9以及第二保持部31(步驟S19)。步驟S19中的基板9的旋轉速度係例如為300rpm至1000rpm。接著，開始從噴嘴41朝基板9的上表面91的中央部噴出液柱狀的鍍覆液。被供給至基板9的中央部的鍍覆液係藉由離心力而在基板9的上表面91上朝徑方向外側擴展並被供給至基板9的上表面91的全面。藉此，對基板9的上表面91進行無電解鍍覆處理(以下簡稱為「鍍覆處理」)(步驟S20)。
在基板處理裝置1中，亦可在步驟S18與步驟819的期間繼續從處理液供給部4朝基板9上供給鍍覆液。此外， 與步驟S17中的鍍覆處理中同樣地，亦可在步驟S20中進行基板9的鍍覆處理的期間藉由加熱部72(參照圖4)加熱基板9以促進鍍覆處理。
到達旋轉中的基板9的外緣部的鍍覆液係藉由離心力朝周圍飛散，並被於徑方向與基板9對向的第一上接液部51接住。被第一上接液部51接住的鍍覆液係於第一上接液部51的內周面511以及第一保持部2的內周面24移動且朝下方流動，並被下接液部6的下接液區塊61接住。被下接液部6接住的鍍覆液係經由下排液部62朝殼體11的外部排出。被排出的鍍覆液係可例如回收並再利用，亦可廢棄。對基板9供給鍍覆液(亦即鍍覆處理)進行了預定時間，藉此於基板9的上表面91鍍覆有金屬。
在圖1所例示的基板處理裝置1中，朝殼體11的外部排出的鍍覆液係被回收並再利用於基板9的處理。圖7係用以顯示連接至基板處理裝置1之鍍覆液單元8的構造之圖。鍍覆液單元8係回收從基板處理裝置1的殼體11排出的鍍覆液，並對基板處理裝置1的噴嘴41供給鍍覆液。鍍覆液單元8係上述處理液供給源的一部分。鍍覆液單元8亦可為基板處理裝置1的一部分。
鍍覆液單元8係具備有鍍覆液槽81、供給流路82、回收流路83以及循環流路84。鍍覆液槽81係用以儲留鍍覆 液之儲留槽。供給流路82係連接鍍覆液槽81與基板處理裝置1的噴嘴41。鍍覆液槽81內的鍍覆液係經由供給流路82被供給至噴嘴41，並從噴嘴41朝基板9的上表面91噴出。當鍍覆液槽81內的鍍覆液減少至比預定量還少時，從省略圖示的鍍覆液供給源朝鍍覆液槽81補充鍍覆液。
從供給流路82的途中分支的循環流路84係連接至鍍覆液槽81。停止從噴嘴41噴出鍍覆液的期間，從鍍覆液槽81朝供給流路82送出的鍍覆液係經由循環流路84返回至鍍覆液槽81。使用循環流路84使鍍覆液循環，藉此能提升儲留於鍍覆液槽81的鍍覆液的成分和溫度的均一性。
回收流路83係連接鍍覆液槽81與基板處理裝置1的下排液部62。詳細而言，回收流路83係經由基板處理裝置1的阱部45連接至下排液部62。從下排液部62朝殼體11的外部排出的鍍覆液係經由阱部45以及回收流路83被導引至鍍覆液槽81並被回收至鍍覆液槽81。被回收的鍍覆液係經由供給流路82再次供給至噴嘴41。
圖8係用以顯示阱部45的構造之縱剖視圖。阱部45係具備有阱槽451以及區隔壁452。阱槽451係於上下方向延伸之略筒狀的密閉容器，並被鍍覆液充滿。區隔壁452係設置於阱槽451的內部。區隔壁452係從阱槽451的上端朝下方延伸。區隔壁452的下端係從阱槽451的下端朝 上方離開。
區隔壁452係將阱槽451的內部空間中之從上端至下部為止分割成兩個空間。在以下的說明中，將在圖8中於區隔壁452的左側中朝上下方向延伸的空間稱為「第一流路454」。此外，將在圖8中於區隔壁452的右側中朝上下方向延伸的空間稱為「第二流路455」。於第一流路454的上端連接有下排液部62。第一流路454的下部係於區隔壁452的下方與第二流路455的下部接續。第一流路454的下部係愈朝向下方則愈接近第二流路455之傾斜流路。於第二流路455的上端連接有鍍覆液單元8的回收流路83。
於阱槽451的下端部設置有朝上下方向延伸之略筒狀的下凹部453。下凹部453係位於比第一流路454以及第二流路455還下側。下凹部453係從阱槽451中之第一流路454的下部與第二流路455的下部接續之部位朝下方突出。在圖8所示的例子中，下凹部453係位於第二流路455的鉛直下方。下凹部453係連接至第一流路454的下部以及第二流路455的下部。下凹部453與第一流路454的下部的傾斜流路之間的交界部係成為從該傾斜流路朝鉛直下方彎曲之段差部。
在基板處理裝置1中，經由下排液部62朝殼體11(參照圖7)的外部排出的鍍覆液係從阱槽451的第一流路454 的上端流入。該鍍覆液係於第一流路454內朝下方流動，並在區隔壁452的下方且為下凹部453的上方反轉，於第二流路455內朝上方流動。而且，到達第二流路455的上端的鍍覆液係藉由回收流路83被導引至鍍覆液槽81(參照圖7)並被儲留於鍍覆液槽81。在圖8中，以細的箭頭顯示阱槽451內的鍍覆液的流動(在圖9中亦同樣)。
在基板處理裝置1中，會有在基板9的鍍覆處理中觸媒(例如鈀)的一部分從基板9上剝離並流入至下接液部6的可能性。當該觸媒流入至回收流路83時，則會有在回收流路83以及/或者鍍覆液槽81內產生無電解鍍覆反應從而析出鍍覆液中的金屬並產生流路的阻塞等之可能性。
如上所述，在基板處理裝置1中，於下排液部62與回收流路83之間設置阱部45，藉此能防止或抑制從基板9上剝離的鈀等觸媒以及因為無電解鍍覆反應所產生的金屬進入至回收流路83。具體而言，與鍍覆液一起流入至阱槽451的上述觸媒或上述金屬(以下總稱為「進入重金屬」)係因為比重比鍍覆液還大，因此在第一流路454的下部從鍍覆液的流動脫離並朝設置在鍍覆液的流路的下方之下凹部453內沉降。藉由上述段差部等防止下凹部453內的進入重金屬返回至第一流路454以及第二流路455。因此，能防止或抑制進入重金屬於第二流路455內上升並進入至回收流路83。
滯留於下凹部453的進入重金屬係藉由在基板處理裝置1的維護時等朝阱槽451供給酸洗淨液(例如王水或硝酸)而從阱槽451內被去除。此外，於阱槽451設置有用以排除在酸洗淨時所產生的氫之排氣部。
圖9係用以顯示其他較佳的阱部45a的構造之縱剖視圖。阱部45a係具備有形狀與圖8所示的阱槽451不同的阱槽451a。在阱槽451a中，第二流路455的下部係愈朝向下方則愈接近第一流路454之傾斜流路。第一流路454係於上下方向延伸，並於第一流路454的鉛直下方設置有下凹部453。在設置有阱部45a以取代阱部45之情形中，亦與前述同樣地，從下排液部62流入至第一流路454的鍍覆液中的進入重金屬係朝下凹部453內沉降。因此，能防止或抑制進入重金屬於第二流路455內上升並進入至回收流路83。
在圖6所示的基板處理裝置1中，當停止對基板9供給鍍覆液並結束鍍覆處理時，從處理液供給部4對旋轉中的基板9的上表面91供給第二清洗液(步驟S21)。第二清洗液係例如為純水。在步驟S21中，例如從噴嘴41朝基板9的中央部噴出液柱狀的第二清洗液。在此情形中，在步驟S14中的第一清洗液的供給時藉由第一清洗液賦予至基板9的物理力係比在步驟S21中的第二清洗液的供給時藉 由第二清洗液賦予至基板9的物理力還小。所謂藉由第一清洗液賦予至基板9的物理力係指第一清洗液與基板9接觸時從第一清洗液賦予至基板9的物理性的力(亦即機械性的力)，例如為藉由第一清洗液的碰撞賦予至基板9的衝擊力。藉由第二清洗液賦予至基板9的物理力亦同樣。
被供給至基板9的上表面91上的第二清洗液係藉由離心力朝徑方向外側擴展，藉此鍍覆液係從基板9上被去除。從基板9朝周圍飛散的第二清洗液係被第一上接液部51接住，並經由第一上接液部51的內周面511以及第一保持部2的內周面24被下接液部6的下接液區塊61接住。被下接液部6接住的第二清洗液係經由下排液部62朝殼體11的外部排出。較佳為，被下接液部6接住的第二清洗液係經由與步驟S20中的鍍覆液的排出路徑不同的路徑被廢棄。藉此，能提升鍍覆液的回收效率。當對基板9供給第二清洗液(亦即第二清洗處理)進行了預定時間時，停止供給第二清洗液。
之後，增大旋轉機構33所為之基板9的旋轉速度。藉此，基板9上的第二清洗液係朝徑方向外側移動並從基板9朝徑方向外側飛散。基板9的旋轉係持續預定時間，藉此進行用以將第二清洗液等液體從基板9上去除之乾燥處理(步驟S22)。當結束基板9的乾燥處理時，旋轉機構33停止旋轉基板9以及第二保持部31並結束對於基板9的處 理(步驟S23)。在基板處理裝置1中，對複數個基板9依序進行上述步驟S11至步驟S23，藉此依序處理複數個基板9。
在基板處理裝置1中，例如當結束預定片數的基板9的處理時，進行裝置的洗淨處理。在該洗淨處理中，例如從洗淨部71朝下接液區塊61的外周面63噴出洗淨液並進行下接液部6的洗淨。藉此，去除附著於下接液部6的鍍覆液以及第二清洗液等處理液。此外，即使在基板9的鍍覆處理中觸媒的一部分從基板9上剝離並流入至下接液部6的情形中，亦能藉由上述洗淨處理從下接液部6去除該觸媒。
如以上所說明般，基板處理裝置1係具備有第一保持部2、第二保持部31、保持部移動機構32以及處理液供給部4。於第一保持部2設置有貫通孔21。貫通孔21係具有基板9可通過的上部開口22。貫通孔21的內周面24的一部分的徑係比基板9還小。第一保持部2係使貫通孔21的內周面24從下方接觸至基板9的外緣部並將基板9保持成水平狀態。第二保持部31係位於貫通孔21的下方。保持部移動機構32係使第二保持部31經由貫通孔21朝上方移動，藉此使第二保持部31接觸至基板9的下表面92，並進行從第一保持部2朝第二保持部31之基板9的授受。處理液供給部4係將處理液供給至基板9的上表面91上。
從處理液供給部4被供給的處理液係在比貫通孔21的上端還下方被儲留於被第一保持部2保持的基板9的上表面91以及貫通孔21的內周面24圍繞的儲留空間20。藉此，在將處理液供給至基板9上並進行液體處理時，能抑制處理液在基板9的上表面91上移動。結果，能穩定地進行處理液所為之基板9的上表面91的處理。
此外，將處理液儲留於儲留空間20，藉此在形成於基板9的上表面91上之處理液的液膜中將基板9的中央部上的膜厚與基板9的外緣部上的膜厚設成大致相等。換言之，在基板處理裝置1中，與藉由表面張力保持於外緣部未接觸至其他構件的狀態的基板上的液膜(亦即表面張力所為之液膜)相比，能提升形成於基板9的上表面91上之處理液的液膜的膜厚的徑方向中的均一性。結果，能提升處理液對於基板9之處理的品質的徑方向中的均一性。換言之，在基板處理裝置1中，能遍及基板9的上表面91的略全面施予處理液所為之略均質的處理。再者，在基板處理裝置1中，由於能防止基板9上的處理液因為殼體11內的朝下的氣流(亦即降流)而朝周圍流下，因此能防止在基板9上處理液的液膜的膜厚減少。
在基板處理裝置1中儲留於儲留空間20的處理液係例如為利用於基板9的無電解鍍覆處理之鍍覆液。如上所述，在基板處理裝置1中，能提升形成於基板9的上表面 91上之鍍覆液的液膜的膜厚的徑方向中的均一性。結果，能遍及基板9的上表面91的略全面地施予略均質的鍍覆處理。
如上所述，基板處理裝置1係進一步具備有：氣體噴射部73，係從下方朝被第一保持部2保持的基板9的外緣部噴射氣體。藉此，即使在起因於基板9的翹曲等而在被第一保持部2保持的基板9的外緣部與貫通孔21的內周面24之間存在間隙之情形中，亦能藉由來自氣體噴射部73的氣體將該間隙密封。結果，能防止或抑制儲留於儲留空間20的處理液(在上述例子中為鍍覆液)從該間隙朝下方漏出。
如上所述，基板處理裝置1係進一步具備有：殼體11，係於內部收容第一保持部2以及第二保持部31。此外，第一保持部2係固定於殼體11。因此，能精度佳地進行搬運機構(未圖式)與第一保持部2之間的相對位置的定位，該搬運機構係用以將基板9搬入至殼體11的內部。因此，能在基板9被第一保持部2保持時抑制基板9相對於第一保持部2之相對位置的偏移。藉此，能抑制被第一保持部2保持的基板9的水平度的偏移以及基板9與第一保持部2之間的接觸位置的偏移。結果，能防止或抑制儲留於儲留空間20的處理液從基板9與第一保持部2之間朝下方漏出。
基板處理裝置1係進一步具備有旋轉機構33以及上接液部5。旋轉機構33係在比貫通孔21的上端還上方旋轉第二保持部31。上接液部5係接住從與第二保持部31一起旋轉的基板9朝周圍飛散的處理液。如此，對旋轉中的基板9供給新的處理液並進行處理，藉此能提升基板9的處理效率。在上述例子中，對旋轉中的基板9供給作為處理液的鍍覆液，藉此能提升對於基板9的鍍覆處理的效率。
基板處理裝置1係進一步具備：加熱部72，係加熱被第一保持部2保持的基板9。藉此，能提升儲留於儲留空間20的處理液所為之基板9的處理的效率。在上述例子中，能在基板9的鍍覆處理中促進金屬朝基板9的上表面91上析出。
圖10係用以顯示其他較佳的基板處理裝置1a之縱剖視圖。在基板處理裝置1a中，設置有構造與第一保持部2不同之第一保持部2a以取代圖1所示的第一保持部2。此外，省略圖1所示的氣體噴射部73。在第一保持部2a中，於貫通孔21的內周面24設置有段差部25。段差部25的上表面26係與上下方向略垂直的略圓環狀的面。段差部25的上表面26的外徑係比基板9的徑還大。段差部25的上表面26的內徑係比基板9的徑還小。藉由第一保持部2a保持基板9時，基板9的下表面92的外緣部係接觸至 段差部25的上表面26。於第一保持部2a設置有吸引部74，該吸引部74係與接觸至段差部25的上表面26之基板9的外緣部對向。吸引部74係設置於遍及周方向的略全周，用以吸引基板9的上述外緣部。吸引部74係例如為將中心軸J1作為中心之略圓環狀。
如此，在基板處理裝置1a中，第一保持部2a係具備有：吸引部74，係吸引接觸至貫通孔21的內周面24之基板9的外緣部。藉此，能防止或抑制儲留於儲留空間20的處理液(在上述例子中為鍍覆液)從基板9的外緣部與貫通孔21的內周面24之間朝下方漏出。較佳為，吸引部74係遍及略全周地吸附基板9的上述外緣部。藉此，能進一步防止或抑制儲留於儲留空間20的處理液從基板9的外緣部與貫通孔21的內周面24之間朝下方漏出。此外，即使在未藉由吸引部74實質性地吸附基板9的外緣部之情形中，由於能藉由吸引部74所為之吸引縮小基板9的外緣部與貫通孔21的內周面24之間的間隙，因此能防止或抑制處理液的上述漏出。
圖11係用以顯示其他較佳的基板處理裝置1b之縱剖視圖。在基板處理裝置1b中，上接液部5b係具備有第一上接液部51b以取代圖1所示的第一上接液部51，第一上接液部51b係配置於第一保持部2的徑方向外側且配置於第二上接液部52的徑方向內側。第一上接液部51b係將中 心軸J1作為中心之略圓筒狀的構件。第一上接液部51b係從第一保持部2朝徑方向外側離開，並從第二上接液部52朝徑方向內側離開。
第一上接液部51b的上端部係位於比第一保持部2的上端部還上方。第一上接液部51b係具備有：略圓筒狀的側壁部，係將中心軸J1作為中心；以及頂蓋部，係從該側壁部的上端部朝徑方向內側延伸。該頂蓋部亦可為愈朝向徑方向內側則愈朝向上方之傾斜部。第一上接液部51b的內周面511b係例如為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀。第二上接液部52的上端部係位於比第一上接液部51b的上端部還上方。在圖11所示的例子中，第一上接液部51b以及第二上接液部52係固定於殼體11而無法於上下方向移動。
在基板處理裝置1b中，例如在上述步驟S20(參照圖3)中基板9係在於徑方向與第一上接液部51b對向之位置旋轉。被供給至旋轉中的基板9之鍍覆液係被第一上接液部51b接住，經由內排液部54朝殼體11的外部排出。經由內排液部54排出的鍍覆液係例如與經由下排液部62所排出的鍍覆液合流並回收或廢棄。在基板處理裝置1b中，在步驟S21中被供給至旋轉中的基板9的第二清洗液亦被第一上接液部51b接住。
在基板處理裝置1b中，由於基板9與第一上接液部51b之間的徑方向的距離係比圖2所示的基板9與第一上接液部51之間的徑方向的距離還大，因此能降低從基板9飛散的處理液(亦即鍍覆液或第二清洗液)從第一上接液部51b濺回並附著於基板9的可能性。因此，能在步驟S20、S21中使基板9的旋轉速度增大並提升基板9的處理效率。
如圖11中以二點鍊線所示，在基板處理裝置1b中設置有上接液部移動機構55，該上接液部移動機構55係分別使第一上接液部51b以及第二上接液部52獨立地於上下方向移動。在步驟S13、S14中，藉由第二上接液部52接住從旋轉中的基板9飛散的觸媒溶液以及第一清洗液時，第一上接液部51b係下降，第一上接液部51b的頂蓋部係接觸至第一保持部2的上端部。藉此，防止或抑制觸媒溶液以及第一清洗液進入至第一上接液部51b內。此外，在步驟S20、S21中，藉由第一上接液部51b接住從旋轉中的基板9飛散的鍍覆液以及第二清洗液時，第二上接液部52係下降，第二上接液部52的頂蓋部係接觸至第一上接液部51b的頂蓋部的上表面。藉此，防止或抑制鍍覆液以及第二清洗液進入至第二上接液部52內。
接著，說明本發明第二實施形態的基板處理裝置1c。在圖12所示的基板處理裝置1c中設置有構造與下接液部6不同的下接液部6c以取代圖1所示的下接液部6。此外， 從上接液部5省略第二上接液部52。再者，與圖10所示的基板處理裝置1a同樣地，在基板處理裝置1c中省略氣體噴射部73，並於第一保持部2c設置有吸引部74。吸引部74係吸引(較佳為吸附)基板9的下表面92的外緣部。於第一保持部2c的貫通孔21的內周面24設置有用以噴出處理液之噴出口42。於第一保持部2c的下表面設置有洗淨部71c，該洗淨部71c係對下接液部6c供給洗淨液並洗淨下接液部6c。吸引部74、洗淨部71c以及噴出口42係設置於遍及周方向的略全周。吸引部74、洗淨部71c以及噴出口42係例如為將中心軸J1作為中心之略圓環狀。基板處理裝置1c的其他構造係與圖1所示的基板處理裝置1略同樣。在以下的說明中，對與基板處理裝置1的各構成對應之基板處理裝置1c的構成附上相同的元件符號。
基板處理裝置1c的下接液部6c係具備有第一下接液部64、第二下接液部65以及下接液部移動機構66。第一下接液部64以及第二下接液部65係配置於比第一保持部2c的貫通孔21還下側。第一下接液部64以及第二下接液部65係分別為將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的構件。第二下接液部65係配置於比第一下接液部64還徑方向內側。第一下接液部64的內周面與第二下接液部65的外周面係接近。下接液部移動機構66係將第一下接液部64於上下方向移動。
第一下接液部64的內緣部642係位於比第一保持部2c的下端部的內周緣還徑方向內側，並在徑方向中與第一保持部2c的下端部的內周緣鄰接。第一下接液部64的內緣部642以外的部位係位於第一保持部2c的段差部25的鉛直下方。在圖12所示的狀態中，第一下接液部64的內緣部642的上表面係位於與第一保持部2c的內周面24的下緣的上下方向略相同的位置。第一下接液部64的內緣部642的上端外周緣係與第一保持部2c的內周面24的下緣液密地密封。第一下接液部64係具有第一袋部641，該第一袋部641係從上表面朝下方凹陷之凹部。第一袋部641係位於段差部25的鉛直下方。在圖12所示的狀態中，第一袋部641中之屬於上端的上部開口643係被第一保持部2c閉塞。
在圖12所示的狀態中，第二下接液部65的上表面係位於與第一下接液部64的內緣部642的上表面的上下方向略相同的位置。第一下接液部64的內緣部642的上端內周緣係與第二下接液部65液密地密封。第二下接液部65係具有第二袋部651，該第二袋部651係從上表面朝下方凹陷之凹部。
接著，參照圖13A以及圖13B，說明基板處理裝置1c所為之基板9的處理的流程的一例。圖14至圖20係用以顯示基板9的處理中的基板處理裝置1c之縱剖視圖。藉由 基板處理裝置1c處理基板9時，首先如圖14所示，藉由第二保持部31將基板9保持成水平狀態(步驟S31)。被第二保持部31保持的基板9係位於比第一保持部2c還上側，且於徑方向與上接液部5的第一上接液部51對向。
接著，開始藉由旋轉機構33旋轉基板9以及第二保持部31(步驟S32)。接著，從處理液供給部4對旋轉中的基板9的上表面91供給觸媒溶液(步驟S33)。在步驟S33中，例如從噴嘴41朝基板9的中央部噴出液柱狀的觸媒溶液。被供給至基板9的中央部的觸媒溶液係藉由離心力從基板9的中央部朝外緣部移動，並塗布遍及至基板9的上表面91的全面。到達至基板9的外緣部的觸媒溶液係藉由離心力朝周圍飛散並被第一上接液部51接住。
被第一上接液部51接住的觸媒溶液係於第一上接液部51的內周面511以及第一保持部2c的內周面24移動並朝下方流動，通過上部開口643被閉塞狀態下的第一下接液部64的上側(具體而言為第一下接液部64的內緣部642的上側)並朝第二下接液部65的第二袋部651流入。被第二下接液部65的第二袋部651接住的處理液係經由第二下排液部68朝殼體11的外部排出。被排出的觸媒溶液係可例如回收並再利用，亦可廢棄。對基板9供給觸媒溶劑(亦即觸媒賦予處理)進行了預定時間時，觸媒(例如鈀)係吸附於基板9的上表面91。
當停止供給觸媒溶液並結束觸媒賦予處理時，旋轉機構33停止旋轉基板9以及第二保持部31(步驟S34)。接著，第二保持部31係藉由保持部移動機構32朝下方移動，基板9的外緣部係接觸至第一保持部2c的內周面24。如圖12所示，第二保持部31係朝下方移動，並從基板9的下表面92離開至下方。藉此，基板9係從第二保持部31被授受至第一保持部2c，並在比貫通孔21的上端還下方被第一保持部2c保持成水平狀態(步驟S35)。當基板9被第一保持部2c保持時，藉由吸引部74吸引並吸附基板9的下表面92的外緣部。
接著，從設置於圖16所示的第一保持部2c之處理液供給部4的噴出口42噴出第一清洗液。噴出口42係位於比被第一保持部2c保持的基板9的上表面91還上側。從噴出口42噴出的第一清洗液係沿著第一保持部2c的貫通孔21的內周面24朝下方流動，並從徑方向外側被供給至基板9的上表面91上。第一清洗液係例如為純水。
被供給至基板9的外緣部的第一清洗液係朝徑方向內側擴展，且基板9的上表面91遍及全面地被第一清洗液被覆。換言之，第一清洗液係被儲留於被第一保持部2c保持的基板9的上表面91與貫通孔21的內周面24圍繞之儲留空間20。如上所述，在基板處理裝置1c中，由於藉由吸引部 74吸引被第一保持部2c保持的基板9的下表面92的外緣部，因此即使在基板9產生翹曲等變形之情形中，亦可防止或抑制第一清洗液從基板9與第一保持部2c之間朝下方漏出。
當基板9的上表面91被第一清洗液被覆時，開始從處理液供給部4的噴嘴41對基板9的上表面91上的第一清洗液的液膜(亦即儲留於儲留空間20的第一清洗液)供給第一清洗液(步驟S36)。在步驟S36中，例如從噴嘴41朝基板9的中央部噴出液柱狀的第一清洗液。來自噴嘴41的第一清洗液的噴出流量係例如比來自噴出口42的第一清洗液的噴出流量還大。由於基板9的上表面91係在步驟S36中被第一清洗液被覆，因此來自噴嘴41的第一清洗液不會直接地碰撞至基板9的上表面91，而是經由基板9上的第一清洗液的液膜間接地被供給。在進行從噴嘴41供給第一清洗液時，從噴出口42供給第一清洗液係可持續亦可停止。
如圖15所示，當第一清洗液在儲留空間20中儲留至預定的深度時，停止從處理液供給部4供給第一清洗液。儲留至儲留空間20的第一清洗液係接觸至貫通孔21的內周面24。儲留至儲留空間20的第一清洗液的深度(亦即第一清洗液的液面與基板9的上表面91之間的上下方向的距離)係遍及基板9的全面略均一。儲留空間20內的第一清 洗液的深度係比在外緣部未接觸至其他構件的狀態下的基板9中之可藉由表面張力保持於基板9的上表面91上的第一清洗液的液膜(以下稱為「表面張力所為之液膜」)的厚度還大。詳細而言，儲留空間20內的第一清洗液的深度係比基板9的外緣部中之表面張力所為之液膜的厚度還大，且比基板9的中央部中之表面張力所為之液膜的厚度還大。
藉由儲留於儲留空間20的第一清洗液被覆基板9的上表面91預定時間，結束第一清洗處理。接著，第二保持部31係藉由保持部移動機構32朝上方移動並吸附保持基板9的下表面92。此外，解除吸引部74所為之基板9的吸引。接著，如圖16所示，第二保持部31係進一步朝上方移動，基板9係從第一保持部2c離開至上方。藉此，基板9係從第一保持部2c被授受至第二保持部31，並被第二保持部31保持成水平狀態(步驟S37)。
儲留於儲留空間20的第一清洗液係從基板9的外緣部與第一保持部2c的內周面24之間的間隙朝下接液部6c往下方流動。該第一清洗液係於上部開口643被第一保持部2c閉塞的狀態下的第一下接液部64上朝徑方向內側流動，並流入至第二下接液部65的第二袋部651。被第二下接液部65的第二袋部651接住的處理液係經由第二下排液部68朝殼體11的外部排出。藉此，基板9上的觸媒溶液 係與第一清洗液一起被去除。較佳為，被第二下接液部65接住的第一清洗液係經由與步驟S33中的觸媒溶液的排出路徑不同的路徑被廢棄。藉此，能提升觸媒溶液的回收效率。
當第一清洗液從基板9上朝下方流動時，第二保持部31係藉由保持部移動機構32朝下方移動，且如圖17所示基板9係從第二保持部31被授受至第一保持部2c並被保持成水平狀態(步驟S38)。接著，藉由吸引部74吸引並吸附基板9的下表面92的外緣部。此外，第一下接液部64係藉由下接液部移動機構66朝下方移動，於第一保持部2c的下端部與第二下接液部65之間(亦即於第一下接液部64的內緣部642的上方)形成有間隙。在圖17所示的狀態中，第一下接液部64的上部開口643係從第一保持部2c朝下方離開而被開放。
此外，在基板處理裝置1c中，亦可為在步驟S37與步驟S38之間使基板9上升至圖14所示的位置並使基板9旋轉達至預定時間，藉此去除殘存於基板9上的第一清洗液。在此情形中，從基板9飛散至周圍的第一清洗液係被第一上接液部51接住，於第一上接液部51的內周面511以及第一保持部2c的內周面24移動並朝下方流動，被第二下接液部65接住並朝殼體11的外部排出。
如圖17所示，在步驟S39中，當基板9被第一保持部2c保持時，從處理液供給部4對基板9的上表面91供給鍍覆液(步驟S39)。在步驟S39中，例如從噴嘴41朝基板9的中央部噴出液柱狀的鍍覆液。被供給至基板9的中央部的鍍覆液係朝徑方向外側擴展，基板9的上表面91係遍及全面地被鍍覆液被覆。此外，鍍覆液亦可從處理液供給部4的噴出口42被供給至基板9上。
如圖18所示，從處理液供給部4所供給的鍍覆液係儲留於儲留空間20。當鍍覆液在儲留空間20中儲留至預定的深度時，停止從處理液供給部4供給鍍覆液。儲留於儲留空間20的鍍覆液係接觸至貫通孔21的內周面24。儲留於儲留空間20的鍍覆液的深度係遍及基板9的全周略均一。與前述同樣地，儲留空間20內的鍍覆液的深度係比在外緣部未接觸至其他構件的狀態下的基板9中之可藉由表面張力保持於基板9的上表面91上的鍍覆液的液膜(亦即表面張力所為之液膜)的厚度還大。
藉由儲留於儲留空間20的鍍覆液被覆基板9的上表面91預定時間，鍍覆液所含有之金屬係析出至基板9的上表面91上(詳細而言為形成於上表面91上的觸媒層上)，並於基板9上形成有該金屬的層。在基板處理裝置1c中，在藉由儲留於儲留空間20的鍍覆液被覆基板9的上表面91的期間，藉由加熱部72加熱基板9。藉此，促進上述金屬 朝基板9的上表面91上析出。
接著，第二保持部31係藉由保持部移動機構32朝上方移動並吸附保持基板9的下表面92。此外，解除吸引部74所為之基板9的吸引。接著，如圖19所示，第二保持部31係進一步朝上方移動，基板9係從第一保持部2c離開至上方。藉此，基板9係從第一保持部2c被授受至第二保持部31，並被第二保持部31保持成水平狀態(步驟S40)。
儲留於儲留空間20的鍍覆液係從基板9的外緣部與第一保持部2c的內周面24之間的間隙朝下接液部6c往下方流動。該鍍覆液係經由第一保持部2c的下端部與第二下接液部65之間的間隙朝下方流動，並流入至第一下接液部64的第一袋部641。被第一下接液部64接住的鍍覆液係經由第一下排液部67朝殼體11的外部排出。
接著，如圖20所示，當基板9配置於與第一上接液部51的上下方向相同的位置時，藉由旋轉機構33開始旋轉基板9以及第二保持部31(步驟S41)。步驟S41中的基板9的旋轉速度係例如為300rpm至1000rpm。從噴嘴41朝基板9的中央部噴出的鍍覆液係藉由離心力在基板9的上表面91上朝徑方向外側擴展並被供給至基板9的上表面91的全面。藉此，對基板9的上表面91進行鍍覆處理(步驟42)。
在基板處理裝置1c中，亦可在步驟S40與步驟S41的期間繼續從噴嘴41朝基板9上供給鍍覆液。此外，與步驟S39中的鍍覆處理中同樣地，亦可在步驟S42中進行基板9的鍍覆處理的期間藉由加熱部72(參照圖18)加熱基板9以促進鍍覆處理。
到達基板9的外緣部的鍍覆液係藉由離心力朝周圍飛散，並被於徑方向與基板9對向的第一上接液部51接住。被第一上接液部51接住的鍍覆液係於第一上接液部51的內周面511以及第一保持部2c的內周面24移動且朝下方流動，並流入至第一下接液部64的第一袋部641。被第一下接液部64接住的鍍覆液係經由第一下排液部67朝殼體11的外部排出。被排出的鍍覆液係可例如回收並再利用，亦可廢棄。對基板9供給鍍覆液(亦即鍍覆處理)進行了預定時間，藉此於基板9的上表面91鍍覆有金屬。
當停止供給鍍覆液並結束鍍覆處理時，從噴嘴41對旋轉中的基板9的上表面91供給第二清洗液(步驟S43)。第二清洗液係例如為純水。在步驟S43中，例如從噴嘴41朝基板9的中央部噴出液柱狀的第二清洗液。在此情形中，在步驟S36中的第一清洗液的供給時藉由第一清洗液賦予至基板9的物理力(例如藉由第一清洗液的碰撞賦予至基板9的物理性的力)係比在步驟S43中的第二清洗液的 供給時藉由第二清洗液賦予至基板9的物理力還小。
被供給至基板9的上表面91上的第二清洗液係藉由離心力朝徑方向外側擴展，藉此鍍覆液係從基板9上被去除。從基板9朝周圍飛散的第二清洗液係被第一上接液部51接住，並經由第一上接液部51的內周面511以及第一保持部2c的內周面24流入至第一下接液部64的第一袋部641。被第一下接液部64接住的第二清洗液係經由第一下排液部67朝殼體11的外部排出。較佳為，被第一下接液部64接住的第二清洗液係經由與步驟S42中的鍍覆液的排出路徑不同的路徑被廢棄。藉此，能提升鍍覆液的回收效率。當對基板9供給第二清洗液(亦即第二清洗處理)進行了預定時間時，停止供給第二清洗液。
之後，增大旋轉機構33所為之基板9的旋轉速度。藉此，基板9上的第二清洗液係朝徑方向外側移動並從基板9的外緣部朝徑方向外側飛散。基板9的旋轉係持續預定時間，藉此進行用以將第二清洗液等液體從基板9上去除之乾燥處理(步驟S44)。當結束基板9的乾燥處理時，旋轉機構33停止旋轉基板9以及第二保持部31並結束對於基板9的處理(步驟S45)。在基板處理裝置1c中，對複數個基板9依序進行上述步驟S31至步驟S45，藉此依序處理複數個基板9。
在基板處理裝置1c中，例如當結束預定片數的基板9的處理時，進行裝置的洗淨處理。在該洗淨處理中，例如從設置於第一保持部2c的下表面的洗淨部71c朝第一下接液部64噴出洗淨液並進行第一下接液部64的洗淨。藉此，去除附著於第一下接液部64的鍍覆液以及第二清洗液等處理液。此外，即使在基板9的鍍覆處理中觸媒的一部分從基板9上剝離並流入至第一下接液部64的情形中，亦能藉由上述洗淨處理從第一下接液部64去除該觸媒。
如以上所說明般，與上述基板處理裝置1同樣地，基板處理裝置1c係具備有第一保持部2c、第二保持部31、保持部移動機構32以及處理液供給部4。於第一保持部2c設置有貫通孔21。貫通孔21係具有基板9可通過的上部開口22。貫通孔21的內周面24的一部分的徑係比基板9還小。第一保持部2c係使貫通孔21的內周面24從下方接觸至基板9的外緣部並將基板9保持成水平狀態。第二保持部31係位於貫通孔21的下方。保持部移動機構32係使第二保持部31經由貫通孔21朝上方移動，藉此使第二保持部31接觸至基板9的下表面92，並進行從第一保持部2c朝第二保持部31之基板9的授受。處理液供給部4係將處理液供給至基板9的上表面91上。
從處理液供給部4被供給的處理液係在比貫通孔21的上端還下方被儲留於被第一保持部2c保持的基板9的上表 面91以及貫通孔21的內周面24圍繞的儲留空間20。藉此，在將處理液供給至基板9上並進行液體處理時，能抑制處理液在基板9的上表面91上移動。結果，能穩定地進行處理液所為之基板9的上表面91的處理。
此外，將處理液儲留於儲留空間20，藉此在形成於基板9的上表面91上之處理液的液膜中將基板9的中央部上的膜厚與基板9的外緣部上的膜厚設成大致相等。換言之，在基板處理裝置1c中，與藉由表面張力保持於外緣部未接觸至其他構件的狀態的基板上的液膜(亦即表面張力所為之液膜)相比，能提升形成於基板9的上表面91上之處理液的液膜的膜厚的徑方向中的均一性。結果，能提升處理液對於基板9之處理的品質的徑方向中的均一性。換言之，在基板處理裝置1c中，能遍及基板9的上表面91的略全面施予處理液所為之略均質的處理。再者，在基板處理裝置1c中，由於能防止基板9上的處理液因為殼體11內的朝下的氣流(亦即降流)而朝周圍流下，因此能防止在基板9上處理液的液膜的膜厚減少。
在基板處理裝置1c中儲留於儲留空間20的處理液係例如為利用於基板9的無電解鍍覆處理之鍍覆液。如上所述，在基板處理裝置1c中，能提升形成於基板9的上表面91上之鍍覆液的液膜的膜厚的徑方向中的均一性。結果，能遍及基板9的上表面91的略全面地施予略均質的鍍覆處 理。
在基板處理裝置1c中，亦可為觸媒溶液以及第一清洗液被下接液部6c的第一下接液部64接住，鍍覆液以及第二清洗液被下接液部6c的第二下接液部65接住。
圖21係用以顯示其他較佳的基板處理裝置1d之縱剖視圖。在基板處理裝置1d中設置有構造與第一保持部2c以及下接液部6c不同之第一保持部2d以及下接液部6d以取代圖12所示的第一保持部2c以及下接液部6c。此外，上接液部5d係具備有圖11所示的第一上接液部51b以及第二上接液部52。基板處理裝置1d的其他構造係與圖12所示的基板處理裝置1c略同樣。在以下的說明中，於與基板處理裝置1c的各構成對應之基板處理裝置1d的構成附上相同的元件符號。基板處理裝置1d中的基板9的處理的流程係與上述基板處理裝置1c中的基板9的處理的流程(步驟S31至步驟S45)略同樣。
在第一保持部2d中，貫通孔21的內周面24係包含有與中心軸J1略垂直的圓環狀的載置面27。於載置面27設置有吸引部74。在第一保持部2d中，載置於載置面27上之基板9的下表面92的外緣部係被吸引部74吸引，較佳為是被吸附。在第一保持部2d中，貫通孔21的內周面24係愈從載置面27的內周緣朝向下方則愈朝向徑方向內 側。此外，第一保持部2d係具備有：傾斜下表面28，係愈從貫通孔21的內周面24的下端緣朝向徑方向外側則愈朝向下方。傾斜下表面28係位於載置面27的鉛直下方。
與圖12所示的下接液部6c略同樣地，下接液部6d係具備有第一下接液部64d、第二下接液部65d以及下接液部移動機構66d。第一下接液部64d以及第二下接液部65d係配置於比第一保持部2d的貫通孔21還下側。第一下接液部64d係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的部位。第一下接液部64d係例如為與第一保持部2d一體相連的構件。第二下接液部65d係將中心軸J1作為中心之略圓筒狀的構件。第二下接液部65d係配置於比第一下接液部64d還徑方向內側。在圖21所示的例子中，第一下接液部64d的內緣部與第二下接液部65d的外緣部係於徑方向重疊，第一下接液部64d的內周面係位於比第二下接液部65d的外周面還徑方向內側。下接液部移動機構66d係將第二下接液部65d於上下方向移動。
第一下接液部64d係位於第一保持部2d的載置面27的鉛直下方。第一下接液部64d係具有第一袋部641，該第一袋部641係從上表面朝下方凹陷之凹部。第二下接液部65d係具有第二袋部651，該第二袋部651係從上表面朝下方凹陷之凹部。第二下接液部65d的外緣部652係位於比第一保持部2d的下端部的內周緣還徑方向外側，且於上 下方向與第一保持部2d的下端部的內周緣重疊。在圖21所示的狀態中，第二下接液部65d的外緣部652係從下側接觸至第一保持部2d的傾斜下表面28。藉此，第一下接液部64d的第一袋部641中之屬於上端的上部開口係被第二下接液部65d閉塞。第二下接液部65d的外緣部652與第一保持部2d的傾斜下表面28係被液密地密封。
在圖21所示的狀態中，當處理液被供給至基板9的上表面91上時，處理液係被儲留於儲留空間20。之後，如圖22所示，當第二保持部31從第一保持部2d接取基板9並使基板9上升時，儲留於儲留空間20的處理液係從基板9的外緣部與第一保持部2d的內周面24之間的間隙朝下接液部6d往下方流動。該處理液係朝第二下接液部65d的第二袋部651流入。被第二袋部651接住的處理液係經由第二下排液部68朝殼體11的外部排出。如上所述，由於第一下接液部64d的上部開口被閉塞，因此處理液不會流入至第一下接液部64d的第一袋部641。
另一方面，如圖23所示，在第二下接液部65d已藉由下接液部移動機構66d下降的狀態下，第二下接液部65d的外緣部652係從第一保持部2d的傾斜下表面28離開至下方。而且，於第二下接液部65d的外緣部652與第一保持部2d的傾斜下表面28之間形成有第一下接液部64d的第一袋部641的上部開口643。在此狀態下，當儲留於儲 留空間20的處理液從基板9的外緣部與第一保持部2d的內周面24之間的間隙朝下接液部6d往下方流動時，該處理液係經由上部開口643流入至第一下接液部64d的第一袋部641。被第一袋部641接住的處理液係經由第一下排液部67朝殼體11的外部排出。由於第二下接液部65d的外緣部652的上表面係愈朝向徑方向外側則愈朝向下方之傾斜面，因此處理液係沿著該傾斜面流入至第一袋部641，而不會流入至第二袋部651。
在圖21所示的基板處理裝置1d中，例如被供給至基板9上的觸媒溶液係被上接液部5d的第二上接液部52接住，第一清洗液係被第一上接液部51b接住。此外，被供給至基板9上的鍍覆液係被下接液部6d的第一下接液部64d接住，第二清洗液係被第二下接液部65d接住。如此，使用以接住對於基板9的處理不同之每個處理液的構造不同，藉此能提升處理液(例如觸媒溶液以及鍍覆液)的回收效率。此外，在基板處理裝置1d中用以接住各個處理液之構造亦可適當地變更。
在上述基板處理裝置1、1a至1d以及基板處理裝置1、1a至1d中的基板處理中，可進行各種變更。
例如，在基板處理裝置1、1a至1d中所使用的觸媒溶液中所含有的觸媒並未限定於鈀，觸媒溶液中亦可包含有 鈀以外的各種觸媒。此外，鍍覆液所含有的金屬並未限定於上述重金屬，鍍覆液中亦可包含有各種金屬。第一清洗液以及第二清洗液並未限定於純水，亦可為其他種類的清洗液。
在基板處理裝置1、1a至1d中亦可設置有用以將噴嘴41在基板9的上方略水平地移動之噴嘴移動機構，並在從噴嘴41對基板9供給處理液的期間在基板9的中央部上方與外緣部上方之間重覆噴嘴41的往復移動。
在圖10所示的基板處理裝置1a中，不僅是藉由吸引部74吸引被第一保持部2a保持的基板9的下表面92的外緣部，亦可藉由氣體噴射部73(參照圖1)從下方朝該外緣部噴射氣體。藉此，能更進一步防止或抑制儲留於儲留空間20的處理液從基板9與第一保持部2a之間朝下方漏出。同樣地，亦可在基板處理裝置1、1b至1d中設置有氣體噴射部73以及吸引部74雙方。
在基板處理裝置1中，第一保持部2不一定需要固定至殼體11，例如亦可相對於殼體11可於上下方向或水平方向移動。在基板處理裝置1a至1d中亦同樣。
在基板處理裝置1中，亦可省略用以旋轉第二保持部31之旋轉機構33以及用以接住從旋轉中的基板9飛散的 處理液之上接液部5。在基板處理裝置1a至1d中亦同樣。此外，亦可在基板處理裝置1、1a至1d中省略用以加熱基板9之加熱部72。
在阱部45中，亦可於阱槽451的第二流路455與回收流路83之間設置有用以捕集進入重金屬之過濾器。此外，在阱部45中，亦可在下排液部62與回收流路83之間串聯式地配置有複數個阱槽451。藉此，能更進一步防止或抑制進入重金屬進入至回收流路83。
或者，在阱部45中，亦可於下排液部62與回收流路83之間設置有用以捕集觸媒之過濾器以取代阱槽451。在此情形中，為了防止過濾器阻塞，需要較頻繁地進行過濾器的交換或洗淨。另一方面，與設置該過濾器的情形相比，在設置有阱槽451的上述基板處理裝置1中能降低用以捕集進入重金屬之構造的維護頻率。
例如在上述步驟S36中，雖然從噴嘴41朝從設置於基板處理裝置1c的第一保持部2c的內周面24之噴出口42沿著內周面24所供給的第一清洗液中之儲留於儲留空間20的第一清洗液供給第一清洗液，但第一清洗液的供給方法亦可進行各種變更。例如，亦可省略從噴嘴41供給第一清洗液，而是僅從噴出口42供給第一清洗液。或者，亦可不於第一保持部2c設置噴出口42，而是從噴嘴41朝第一 保持部2c的內周面24噴出第一清洗液，藉此沿著內周面24供給第一清洗液。或者，與步驟S14同樣地，亦可從噴嘴41朝基板9供給霧狀的第一清洗液。再者，第一清洗液不一定需要儲留於儲留空間20。
在步驟S11至步驟S23的基板9的處理中，亦可在步驟S11與步驟S13之間對基板9供給處理液並進行前處理(亦即在觸媒賦予處理前所進行的處理)。在步驟S31至步驟S45的基板9的處理中亦同樣地，亦可在步驟S31與步驟S33之間中對基板9進行前處理。此外，亦可在步驟S33中於儲留空間20儲留觸媒溶液，並對基板9進行觸媒賦予處理。
在上述例子中，雖然在一個基板處理裝置1c中對基板9連續地進行步驟S31至步驟S45的處理，但該處理亦可例如利用兩個基板處理裝置1(參照圖1)來進行。具體而言，在第一個基板處理裝置1中，對基板9供給觸媒溶液並進行觸媒賦予處理後，於儲留空間20儲留第一清洗液並進行第一清洗處理。當結束第一清洗處理時，基板9被搬入至第二個基板處理裝置1，於儲留空間20儲留鍍覆液並進行鍍覆處理後，對基板9供給第二清洗液並進行第二清洗處理。如此，利用兩個基板處理裝置1進行基板9的處理，藉此無須在基板9的下方分別設置儲留於儲留空間20的第一清洗液的排出目的地以及鍍覆液的排出目的地，故 能簡化裝置構造。
在基板處理裝置1中，亦可對基板9供給上述處理液(觸媒溶液、第一清洗液、鍍覆液以及第二清洗液)以外的各種處理液，並對基板9進行各種處理。例如，亦可在基板9被第一保持部2保持的狀態下於儲留空間20儲留洗淨液並進行基板9的洗淨處理。在進行該洗淨處理之情形中，亦可使儲留於儲留空間20的洗淨液振動等並進行氣泡(bubbling)洗淨。或者，亦可在基板9被第一保持部2保持的狀態下將氮氣供給至儲留空間20後，將已施予過除氧處理的處理液儲留於儲留空間20，藉此在低氧狀態下進行基板9的處理。針對基板處理裝置1a至1d亦同樣。
在基板處理裝置1、1a至1d中，除了半導體基板以外，亦能利用於在液晶顯示裝置、電漿顯示器、FED(field emission display；場發射顯示器)等顯示裝置中所使用的玻璃基板的處理。或者，基板處理裝置1、1a至1d亦可利用於光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷用基板以及太陽電池用基板等的處理。
上述實施形態以及各個變化例中的構成只要沒有相互矛盾則亦可適當地組合。
雖然已詳細地描述並說明本發明，但上述說明僅是例 示性說明而非是限定性的說明。因此，只要未逸離本發明的範圍，則能存在許多的變化以及態樣。
Claims (17)
- 一種基板處理裝置，係用以處理基板，並具備有：第一保持部，係設置有具有基板可通過之上部開口且內周面的一部分的徑比前述基板還小之貫通孔，使前述貫通孔的前述內周面從下方接觸至前述基板的外緣部並將前述基板保持成水平狀態；第二保持部，係位於前述貫通孔的下方；保持部移動機構，經由前述貫通孔使前述第二保持部移動至上方，藉此使前述第二保持部接觸至前述基板的下表面，並進行從前述第一保持部朝前述第二保持部之前述基板的授受；以及處理液供給部，係將處理液供給至前述基板的上表面上；從前述處理液供給部所供給的處理液係在比前述貫通孔的上端還下方被儲留於被前述第一保持部保持的前述基板的前述上表面與前述貫通孔的前述內周面圍繞之儲留空間。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：氣體噴射部，係從下方朝被前述第一保持部保持的前述基板的前述外緣部噴射氣體。
- 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述第一保持部係具備有：吸引部，係吸引接觸至前述貫通孔的前述內周面之前述基板的前述外緣部。
- 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：殼體，係於內部收容前述第一保持部以及前述第二保持部；前述第一保持部係被固定於前述殼體。
- 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：旋轉機構，係在比前述貫通孔的前述上端還上方旋轉前述第二保持部；以及上接液部，係接住從與前述第二保持部一起旋轉的前述基板朝周圍飛散的處理液。
- 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：加熱部，係加熱被前述第一保持部保持的前述基板。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述第一保持部係具備有：吸引部，係吸引接觸至前述貫通孔的前述內周面之前述基板的前述外緣部。
- 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：殼體，係於內部收容前述第一保持部以及前述第二保持部；前述第一保持部係被固定於前述殼體。
- 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：旋轉機構，係在比前述貫通孔的前述上端還上方旋轉前述第二保持部；以及 上接液部，係接住從與前述第二保持部一起旋轉的前述基板朝周圍飛散的處理液。
- 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：加熱部，係加熱被前述第一保持部保持的前述基板。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：殼體，係於內部收容前述第一保持部以及前述第二保持部；前述第一保持部係被固定於前述殼體。
- 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：旋轉機構，係在比前述貫通孔的前述上端還上方旋轉前述第二保持部；以及上接液部，係接住從與前述第二保持部一起旋轉的前述基板朝周圍飛散的處理液。
- 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：加熱部，係加熱被前述第一保持部保持的前述基板。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：旋轉機構，係在比前述貫通孔的前述上端還上方旋轉前述第二保持部；以及上接液部，係接住從與前述第二保持部一起旋轉的前述基板朝周圍飛散的處理液。
- 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：加熱部，係加熱被前述第一保持部保持的前述基板。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：加熱部，係加熱被前述第一保持部保持的前述基板。
- 如請求項1至16中任一項所記載之基板處理裝置，其中儲留於前述儲留空間的處理液係利用於前述基板的無電解覆處理之鍍覆液。
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