CN106463377B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106463377B
CN106463377B CN201580021891.1A CN201580021891A CN106463377B CN 106463377 B CN106463377 B CN 106463377B CN 201580021891 A CN201580021891 A CN 201580021891A CN 106463377 B CN106463377 B CN 106463377B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
treatment fluid
supply
treatment
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580021891.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106463377A (zh
Inventor
篠原和義
吉田祐希
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN106463377A publication Critical patent/CN106463377A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106463377B publication Critical patent/CN106463377B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B15/00—Machines or apparatus for drying objects with progressive movement; Machines or apparatus with progressive movement for drying batches of material in compact form
    • F26B15/02—Machines or apparatus for drying objects with progressive movement; Machines or apparatus with progressive movement for drying batches of material in compact form with movement in the whole or part of a circle
    • F26B15/04—Machines or apparatus for drying objects with progressive movement; Machines or apparatus with progressive movement for drying batches of material in compact form with movement in the whole or part of a circle in a horizontal plane
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

基板处理装置包括：一边保持基板(3)一边使基板(3)旋转的基板旋转部(11)、向基板供给处理液的处理液供给部(13)以及向基板供给与从处理液供给部供给来的处理液置换的置换液的置换液供给部(14)。在置换液供给部(14)向基板供给置换液时，处理液供给部(13)向比从置换液供给部供给的置换液的基板上的供给位置靠基板的外周侧的位置供给处理液而形成处理液的液膜。不增大置换液的消耗量，就能够维持基板的整个表面被液膜覆盖的状态。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及利用置换液置换基板上的处理液的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往以来，在制造半导体零部件、平板显示器等之际，使用基板处理装置来对半导体晶圆、液晶基板等基板实施了清洗、蚀刻等各种液处理。
例如在进行基板的清洗的基板处理装置中，朝向旋转的基板供给清洗用的化学溶液，利用化学溶液对基板的表面进行清洗处理。之后，向基板的中央部供给冲洗液，利用冲洗液对基板的表面进行冲洗处理。在该冲洗处理中，将用于对基板的表面进行冲洗处理的处理液(例如纯水)向基板供给，而在基板的表面形成处理液的液膜。之后，停止处理液的供给，将挥发性比处理液的挥发性高的干燥用液(例如IPA(异丙醇))向基板的中央部供给，进行将在基板的表面形成的处理液的液膜置换成干燥用液的置换处理。在该置换处理中，处理液逐渐从基板的中央部朝向外周侧依次被置换成干燥用液，在基板的表面形成干燥用液的液膜。之后，朝向干燥用液吹送非活性气体(例如氮气)、并且利用由基板的旋转所产生的离心力将干燥用液从基板的表面向外侧方甩开，从而使基板的表面干燥。
这样，在以往的基板处理装置中，在进行基板的干燥之际，预先向基板的表面供给处理液而形成处理液的液膜，在停止处理液的供给后开始干燥用液的供给，从而将在基板的表面形成的处理液的液膜置换成干燥用液(例如参照日本特开2010－45389号公报。)。
由基板的旋转产生的离心力作用于在基板的表面形成的处理液的液膜。该离心力在基板的外周部比在基板的中央部大。因此，在停止处理液的供给后，在开始干燥用液的供给到在基板的整个表面形成干燥用液的液膜之前，有时形成于基板的外周部的处理液的液膜被向基板的外侧方甩开，在该外周部液膜成为间断的状态。这样的液膜的间断尤其是易于在基板的表面被疏水化的情况下产生。
也就是说，如图13的示意图所示，在基板的中央部(单点虚线所示的与基板同心的圆形区域内)，干燥用液的液膜不间断地形成，但在基板的外周部，干燥用液的液膜间断，作为其结果，就在基板的外周部形成干燥用液的液滴。若在气氛中的物质(例如氨)溶入到液滴的状态下干燥，则在基板的表面有可能产生水痕和微粒。
也想到：在供给置换液之际，通过降低基板的旋转速度来减小离心力，从而保持处理液的液膜。不过，那样的话，就产生如下问题：处理时间就变长，基板处理装置的生产率降低。
发明内容
发明要解决的问题
本发明提供一种能够抑制源自液膜的间断的水痕和微粒等缺陷的产生、良好地进行基板的处理的技术。
用于解决问题的方案
本发明的一技术方案的基板处理装置包括：基板旋转部，其一边保持基板一边使所述基板旋转；处理液供给部，其用于向所述基板供给处理液；置换液供给部，其用于将与从所述处理液供给部供给来的所述处理液置换的置换液向所述基板供给，在所述置换液供给部向所述基板供给所述置换液时，所述处理液供给部向比从所述置换液供给部供给的所述置换液的所述基板上的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液而形成所述处理液的液膜。
上述技术方案的基板处理装置也可以具有以下所列举的特征中的一个或多个。
所述处理液供给部和所述置换液供给部以所述基板的整个表面被所述处理液、所述置换液或所述处理液与所述置换液的混合液的液膜覆盖的方式供给所述处理液和所述置换液，所述处理液供给部向由所述置换液供给部供给的所述置换液的外侧以能够维持由所述处理液供给部供给来的所述处理液的液膜的方式供给所述处理液。
所述置换液供给部向所述基板的中央部供给所述置换液，所述处理液供给部一边朝向所述基板的外周方向移动一边供给所述处理液。
所述处理液供给部一移动到所述基板的周缘部就停止所述处理液的供给。
所述处理液供给部具有：处理液主供给喷嘴，其用于朝向所述基板的中央部供给所述处理液；处理液辅助供给喷嘴，其用于向比所述置换液的所述基板上的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液。
所述处理液供给部在所述处理液主供给喷嘴和所述处理液辅助供给喷嘴同时供给所述处理液时使来自所述处理液辅助供给喷嘴的所述处理液的供给流量小于来自所述处理液主供给喷嘴的所述处理液的供给流量。
所述处理液供给部在从所述置换液供给部开始向所述基板供给所述置换液之前开始向比所述置换液的所述基板上的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液。
所述处理液供给部在向所述基板上供给所述置换液且没有向所述基板的外周侧的位置供给所述处理液的情况下，向与由所述置换液覆盖整体的所述基板同心的圆形区域内供给所述处理液。
本发明的另一技术方案的基板处理方法包括如下工序：向旋转的基板供给处理液的处理液主供给工序；置换液供给工序，在该置换液供给工序中，向所述基板供给用于将在所述处理液主供给工序中供给到所述基板的所述处理液置换的置换液，而在所述基板上形成置换液的液膜；处理液辅助供给工序，在该处理液辅助供给工序中，在向所述基板供给所述置换液时，向比所述基板上的所述置换液的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液，而在所述基板上形成所述处理液的液膜。
上述技术方案的基板处理方法也可以具有以下所列举的特征中的一个或多个。
在所述处理液主供给工序中，在所述基板的整个表面形成所述处理液的液膜，在所述处理液辅助供给工序中，在所述基板的表面上的比由所述置换液覆盖的区域靠外周侧的区域形成所述处理液的液膜。
在所述置换液供给工序中，朝向所述基板的中央部供给所述置换液，
在所述处理液辅助供给工序中，一边使所述处理液的供给位置朝向所述基板的外周侧移动一边供给所述处理液。
在所述处理液辅助供给工序中，以比在所述处理液主供给工序中供给的所述处理液的供给流量少的供给流量供给所述处理液。
在所述处理液辅助供给工序中，于在所述置换液供给工序中开始向所述基板供给所述置换液之前，开始所述处理液的供给。
本发明的又一技术方案的记录有基板处理程序的计算机可读取的记录介质，该基板处理程序的内容如下：使用具有一边保持基板一边使基板旋转的基板旋转部、向所述基板供给处理液的处理液供给部以及向所述基板供给与从所述处理液供给部供给来的所述处理液置换的置换液的置换液供给部的基板处理装置，利用所述基板旋转部使所述基板旋转，利用所述处理液供给部向所述基板供给所述处理液，之后，利用所述置换液供给部向所述基板供给所述置换液而形成置换液的液膜、并且利用所述处理液供给部向比所述基板上的所述置换液的供给位置靠外周侧的位置供给所述处理液而形成处理液的液膜。
发明的效果
根据上述本发明的技术方案，不使基板处理装置的生产率降低，就能够抑制水痕和微粒的产生，能够良好地进行基板的处理。
附图说明
图1是表示基板处理装置的俯视图。
图2是表示基板液处理装置的侧面剖视图。
图3是该基板处理装置的俯视图。
图4是表示基板处理程序的流程图。
图5是基板处理装置的动作说明图(基板接受工序、基板交接工序)。
图6是基板处理装置的动作说明图(化学溶液供给工序)。
图7是基板处理装置的动作说明图(处理液供给工序)。
图8是基板处理装置的动作说明图(处理液辅助供给工序)。
图9是基板处理装置的动作说明图(处理液辅助供给工序)。
图10是基板处理装置的动作说明图(置换液供给工序)。
图11是基板处理装置的动作说明图(非活性气体供给工序)。
图12是基板处理装置的动作说明图(非活性气体供给工序)。
图13是表示在基板形成的液膜的状态的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一实施方式的基板处理装置和基板处理方法的具体的构成进行说明。
如图1所示，基板处理装置1在前端部具有输入输出部2。在输入输出部2处，可进行收容有多张(例如25张)基板3(在此，是半导体晶圆)的承载件4的输入输出。多个承载件4左右排列地载置于输入输出部2。
基板处理装置1在输入输出部2的后方具有输送部5。在输送部5的前侧配置有基板输送装置6，同时在后侧配置有基板交接台7。在该输送部5，使用基板输送装置6在载置到输入输出部2的任一承载件4与基板交接台7之间输送基板3。
基板处理装置1在输送部5的后方具有处理部8。在处理部8的中央配置有沿着前后方向延伸的基板输送装置9。在基板输送装置9的左右两侧，用于对基板3进行液处理的基板液处理装置10沿着前后方向排列地配置。在该处理部8中，使用基板输送装置9在基板交接台7与基板液处理装置10之间输送基板3，使用基板液处理装置10进行基板3的液处理。
如图2和图3所示，基板液处理装置10具有基板旋转部11、化学溶液供给部12、处理液供给部(处理液主供给部)13、置换液供给部14、非活性气体供给部15、处理液辅助供给部16以及回收部17，这些各部分由控制部18控制。基板旋转部11一边保持基板3一边使基板3旋转。化学溶液供给部12向基板3供给清洗用的化学溶液。处理液供给部13向基板3供给冲洗用的处理液(例如纯水)。置换液供给部14向基板3供给置换液(在此，是挥发性比处理液的挥发性高的干燥用液，例如IPA)。非活性气体供给部15向基板3供给非活性气体。处理液辅助供给部16用于向基板3的外周部辅助性地供给处理液，以在基板3的整个表面维持液膜。也就是说，处理液供给部(处理液主供给部)13和处理液辅助供给部16这两者作为向基板3供给处理液的“处理液供给部”而发挥功能。回收部17对化学溶液、处理液、置换液等进行回收。
基板旋转部11在基板处理室19的内部大致中央具有沿着上下延伸的旋转自由的旋转轴20。在旋转轴20的上端水平地安装有圆板状的转台21。在转台21的外周端缘，沿着圆周方向以等间隔安装有3个基板保持体22。
基板旋转部11的旋转轴20与基板旋转机构23以及基板升降机构24连接。这些基板旋转机构23和基板升降机构24的动作由控制部18控制。
基板旋转部11利用转台21的基板保持体22水平地保持基板3。转台21和保持于该转台21的基板3通过使基板旋转机构23动作而旋转，通过使基板升降机构24动作而升降。
化学溶液供给部12具有在基板处理室19内沿着左右方向水平地延伸的导轨25。在导轨25上，沿着前后方向水平地延伸的臂26安装成左右移动自由。在臂26的顶端下部左侧铅垂向下地安装有化学溶液-处理液供给喷嘴27。化学溶液-处理液供给喷嘴27经由流量调整器29与用于供给清洗用的化学溶液的化学溶液供给源28连接。该流量调整器29由控制部18控制。
另外，化学溶液供给部12的臂26与第1喷嘴移动机构30连接。该第1喷嘴移动机构30由控制部18控制。
化学溶液-处理液供给喷嘴27也包含于处理液供给部13。化学溶液-处理液供给喷嘴27经由流量调整器32与用于供给作为处理液的冲洗液的处理液供给源31连接。该流量调整器32由控制部18控制。
属于化学溶液供给部12和处理液供给部13这两者的化学溶液-处理液供给喷嘴27能够利用第1喷嘴移动机构30在基板3的中央部的上方的位置(供给开始位置)与俯视时位于基板3的左方外侧的位置(退避位置)之间移动，能够朝向基板3的表面(上表面)喷出清洗用的化学溶液和冲洗用的处理液。此外，在此，从一个化学溶液-处理液供给喷嘴27选择性地喷出化学溶液和处理液中的任一种，也可以从独立的喷嘴分别喷出化学溶液和处理液。
置换液供给部14在臂26的顶端下部右侧具有铅垂向下地安装的置换液供给喷嘴33。置换液供给喷嘴33经由流量调整器35与用于供给置换液的置换液供给源34连接。该流量调整器35由控制部18控制。
置换液供给部14的置换液供给喷嘴33能够利用第1喷嘴移动机构30在基板3的中央部的上方的位置(供给开始位置)和俯视时位于基板3的左方外侧的位置(退避位置)之间移动，能够朝向基板3的表面(上表面)喷出置换液。
非活性气体供给部15具有在基板处理室19内沿着左右方向水平地延伸的导轨36。在导轨36上，沿着前后方向水平地延伸的臂37安装成沿着左右方向移动自由。在臂37的顶端下部中央，铅垂向下地安装有第1非活性气体供给喷嘴38。另外，在臂37的顶端下部左侧，朝向下方右侧倾斜地安装有第2非活性气体供给喷嘴39。第1非活性气体供给喷嘴38和第2非活性气体供给喷嘴39分别经由流量调整器41、42与用于供给非活性气体(例如氮气)的非活性气体供给源40连接。该流量调整器41、42由控制部18控制。
另外，非活性气体供给部15的臂37与第2喷嘴移动机构43连接。该第2喷嘴移动机构43由控制部18控制。
该非活性气体供给部15的第1非活性气体供给喷嘴38和第2非活性气体供给喷嘴39能够利用第2喷嘴移动机构43在基板3的中央部的上方的位置(开始位置)和俯视时位于基板3的右方外侧的位置(退避位置)之间移动，能够朝向基板3的表面(上表面)喷出非活性气体。此时，从第1非活性气体供给喷嘴38使非活性气体向基板3的表面铅垂向下地喷出。另一方面，从第2非活性气体供给喷嘴39使非活性气体朝向基板3的外周侧向斜下方地向基板3的表面喷出。
处理液辅助供给部16在臂37的顶端下部右侧具有铅垂向下地安装的处理液辅助供给喷嘴44。处理液辅助供给喷嘴44经由流量调整器46与用于供给处理液的处理液供给源45连接。该流量调整器46由控制部18控制。此外，在此，分别使用了两个处理液供给源45、31，但也可以从单一的处理液供给源向化学溶液-处理液供给喷嘴27和处理液辅助供给喷嘴44这两者供给处理液。
该处理液辅助供给部16的处理液辅助供给喷嘴44能够利用第2喷嘴移动机构43在基板3的中央部的上方的位置(供给开始位置)和俯视时位于基板3的右方外侧的位置(退避位置)之间移动，能够朝向基板3的表面(上表面)喷出处理液。
回收部17具有配置于转台21的周围的圆环状的回收杯47。在回收杯47的上端部形成有尺寸比转台21的尺寸大的开口。另外，回收杯47的下端部与排放通路48连接。对于该回收部17，将供给到基板3的表面的处理液、置换液等用回收杯47回收，从排放通路48向外部排出。
基板处理装置1按照设置于控制部18(计算机)的记录介质49所记录的各种程序由控制部18控制，进行基板3的处理。记录介质49储存有各种的设定数据、程序。记录介质49能够由ROM、RAM等存储器、硬盘、CD－ROM、DVD－ROM、软盘等盘状记录介质等公知的介质构成。
基板处理装置1按照记录于记录介质49的基板处理程序(参照图4。)如以下说明那样进行基板3的处理。
首先，如图5所示，由基板输送装置9输送来的基板3由基板液处理装置10接受(基板接受工序)。
在该基板接受工序中，控制部18利用基板升降机构24使转台21上升到预定位置。并且，基板保持体22接受利用基板输送装置9输入到基板处理室19的内部的1张基板3并水平地保持。之后，利用基板升降机构24使转台21下降到预定位置。此外，在基板接受工序中，预先使化学溶液-处理液供给喷嘴27、置换液供给喷嘴33、第1非活性气体供给喷嘴38、第2非活性气体供给喷嘴39以及处理液辅助供给喷嘴44向比转台21的外周靠外方的退避位置退避。
接着，如图6所示，基板处理装置1向基板3的表面供给化学溶液而进行基板3的清洗处理(化学溶液供给工序)。
在该化学溶液供给工序中，控制部18利用第1喷嘴移动机构30使臂26移动而将化学溶液-处理液供给喷嘴27配置于基板3的中心部上方的供给开始位置。另外，通过利用基板旋转机构23以预定的旋转速度使转台21旋转而使基板3旋转。之后，使由流量调整器29流量控制成预定流量的化学溶液从化学溶液-处理液供给喷嘴27朝向基板3的表面喷出。此外，供给到基板3的化学溶液由回收杯47回收，从排放通路48向外部排出。之后，利用流量调整器29使化学溶液的喷出停止。
接着，如图7所示，基板处理装置1向基板3的表面供给处理液而进行基板3的冲洗处理(处理液供给工序)。
在该处理液供给工序中，控制部18在使化学溶液-处理液供给喷嘴27维持在基板3的中心部上方的位置的状态下使由流量调整器32流量控制成预定流量的处理液从化学溶液-处理液供给喷嘴27朝向旋转的基板3的表面喷出。由此，在基板3的表面形成处理液的液膜。以该处理液的液膜在基板3的整个表面上继续形成的方式调整处理液的喷出流量。此外，供给到基板3的处理液由回收杯47回收，从排放通路48向外部排出。
接着，如图8～图10所示，基板处理装置1在进行向基板3的表面的外周部供给处理液的处理液辅助供给工序的同时，进行向基板3的表面的中央部供给置换液而将位于基板3上的处理液置换成置换液的置换液供给工序。
在处理液辅助供给工序开始时，如图8所示，继续进行从化学溶液-处理液供给喷嘴27向基板3的中央部的处理液的供给，同时从处理液辅助供给喷嘴44朝向基板3的外周部供给与从化学溶液-处理液供给喷嘴27喷出的处理液同种的处理液。即、控制部18使由流量调整器32流量控制成预定流量的处理液从化学溶液-处理液供给喷嘴27朝向基板3的中央部喷出。另外，利用第2喷嘴移动机构43使臂37移动而将处理液辅助供给喷嘴44配置于比基板3的中心部靠外侧的外周部上方的供给开始位置。之后，使由流量调整器46流量控制成预定流量的处理液从处理液辅助供给喷嘴44朝向基板3的表面喷出。由此，在基板3的表面形成的处理液的液膜得以保持。此时，使从处理液辅助供给喷嘴44供给的处理液的流量比从化学溶液-处理液供给喷嘴27供给的处理液的流量少，防止了处理液在基板3的表面飞散。此外，供给到基板3的处理液由回收杯47回收，从排放通路48向外部排出。
在开始处理液辅助供给工序后，如图9所示，结束处理液供给工序，开始置换液供给工序。即、控制部18利用第1喷嘴移动机构30使臂26移动而将置换液供给喷嘴33配置于基板3的中心部上方的供给开始位置。之后，利用流量调整器32使来自化学溶液-处理液供给喷嘴27的处理液的喷出停止，同时使由流量调整器35流量控制成预定流量的置换液从置换液供给喷嘴33朝向基板3的表面铅垂向下地喷出。
在开始置换液供给工序并供给处理液预定的时间后，如图10所示，结束处理液辅助供给工序。即、控制部18利用流量调整器46使处理液的喷出停止。置换液继续预先从置换液供给喷嘴33向基板3喷出。由此，在基板3的整个表面形成置换液的液膜。此外，供给到基板3的的置换液由回收杯47回收，从排放通路48向外部排出。
这样，在供给置换液之际，向基板3的处理液的供给不是全部停止，通过将处理液向比置换液的供给位置靠基板3的外周侧的位置供给，不会在离心力的作用下使液膜在基板3的表面上间断，能够维持在基板3的整个表面形成没有间断的连续的液膜(置换液的液膜、或者处理液与置换液的混合液的液膜)的状态。也就是说，在比从处理液供给辅助喷嘴44供给的处理液的供给位置(处理液供给位置)靠外周侧的区域形成处理液与置换液的混合液的液膜，在比处理液供给位置靠内周侧的区域形成置换液的液膜(或者、是包括以前供给来的处理液在内的置换液的液膜、且是具有比上述混合液中的置换液浓度高的置换液浓度的液膜)。并且，在比处理液供给位置靠外周侧的位置，形成厚度比位于比处理液供给位置靠内周侧的位置的液膜的厚度厚的液膜。因此，在使由处理液供给辅助喷嘴44进行的处理液的供给停止时，在处理液与置换液的混合液被从基板外周部甩开而液膜在基板外周部间断之前，从置换液供给喷嘴33供给来的置换液到达基板外周部，在基板3的整个表面形成没有间断的连续的置换液的液膜。尤其是，位于比处理液供给位置靠外周侧的位置的液膜由表面张力比处理液的表面张力低的处理液与置换液的混合液形成，因此，在使由处理液供给辅助喷嘴44进行的处理液的供给停止时，该液膜难以间断。由此，能够抑制因在基板3的表面残留液滴状的置换液而引起的水痕和微粒的产生。在如以往那样供给置换液之际完全不供给处理液的情况下，如从图13示意性所示的置换液的液膜的轮廓线P可知那样，在基板3的中央部(比单点虚线靠半径方向内侧的区域)，置换液的液膜可靠地形成，但在其外侧，置换液的液膜就间断。因此，在处理液辅助供给工序中，期望的是，从处理液辅助供给喷嘴44向这样的区域内(即、比图13的单点虚线靠半径方向内侧的区域)供给处理液：在不从处理液辅助供给喷嘴44供给处理液而从置换液供给喷嘴33向基板3的中心部供给置换液时，该区域被置换液的液膜可靠地覆盖。由此，在基板的外周部也能够维持液膜。此外，置换液供给工序也可以与处理液辅助供给工序同时开始。另外，也可以是，在进行置换液供给工序时，一边利用第2喷嘴移动机构43使处理液辅助供给喷嘴44沿着基板3朝向右外侧方(半径方向外侧)水平地移动一边从处理液辅助供给喷嘴44进行处理液的喷出。由此，能够使基板3上的置换液的液膜随着处理液的供给位置的移动而向外周方向逐渐扩散，因此，能够更加可靠地进行液膜的保持。
接着，基板处理装置1向基板3吹送非活性气体而从基板3的表面去除置换液来进行基板3的干燥处理(非活性气体供给工序)。该非活性气体供给工序具有：中央部干燥处理工序，在该中央部干燥处理工序中，向基板3的中央部吹送非活性气体而仅使基板3的中央部局部地干燥；外周部干燥处理工序，在该外周部干燥处理工序中，一边使非活性气体的吹送位置从基板3的中央部向外周侧移动，一边使干燥区域从基板3的中央部向外周侧逐渐扩大，最终使整个基板3干燥。
在中央部干燥处理工序中，如图11所示，控制部18一边利用第1喷嘴移动机构30使置换液供给喷嘴33沿着基板3朝向左外侧方(半径方向外侧)水平地移动，一边使由流量调整器35流量控制成预定流量的置换液从置换液供给喷嘴33朝向基板3的表面铅垂向下地喷出。另外，利用第2喷嘴移动机构43使臂37移动而使第1非活性气体供给喷嘴38向基板3的中心部上方的供给开始位置移动。之后，使由流量调整器41流量控制成预定流量的非活性气体从第1非活性气体供给喷嘴38朝向基板3的表面铅垂向下地喷出。此时，不驱动第2喷嘴移动机构43，预先使第1非活性气体供给喷嘴38在基板3的中央上方停止。在该中央部干燥处理工序中，从在基板3的中央上方停止的第1非活性气体供给喷嘴38朝向基板3的中央部铅垂向下地喷出非活性气体。因此，对于在基板3的表面形成的置换液的液膜，仅基板3的中央部被向外周侧去除，成为仅基板3的中央部干燥的状态。
之后，在外周部干燥处理工序中，如图12所示，控制部18利用流量调整器41使来自第1非活性气体供给喷嘴38的非活性气体的喷出停止后，利用第2喷嘴移动机构43使臂37移动而使第2非活性气体供给喷嘴39向基板3的中心部上方的供给开始位置移动。之后，使由流量调整器42流量控制成预定流量的非活性气体从第2非活性气体供给喷嘴39向基板3的表面从基板3的上方朝向外侧方沿着倾斜方向喷出。此时，利用第2喷嘴移动机构43使第2非活性气体供给喷嘴39沿着基板3从基板3的中心朝向右侧的周缘部水平地移动。另外，一边利用第1喷嘴移动机构30使置换液供给喷嘴33沿着基板3朝向左外侧方水平地移动，一边使由流量调整器35流量控制成预定流量的置换液从置换液供给喷嘴33朝向基板3的表面铅垂向下地喷出。之后，利用流量调整器35、42使置换液和非活性气体的喷出停止。在从置换液和非活性气体的喷出停止经过预定时间后，利用基板旋转机构23使基板3(转台21)的旋转停止。在外周部干燥处理工序的最后，利用第1喷嘴移动机构30使臂26移动而使置换液供给喷嘴33向比基板3的外周靠左方外侧的退避位置移动。另外，利用第2喷嘴移动机构43使臂37移动而使第1非活性气体供给喷嘴38、第2非活性气体供给喷嘴39向比基板3的外周靠右方外侧的退避位置移动。
最后，如图5所示，基板处理装置1将基板3从基板液处理装置10向基板输送装置9交接(基板交接工序)。
在该基板交接工序中，控制部18利用基板升降机构24使转台21上升到预定位置。然后，将由转台21保持着的基板3向基板输送装置9交接。之后，利用基板升降机构24使转台21下降到预定位置。
此外，在上述基板处理装置1中，将处理液供给部(处理液主供给部)13和处理液辅助供给部16分别设于臂26、37，但并不限于此，也能够将这些处理液供给部(处理液主供给部)13和处理液辅助供给部16设于一个臂。另外，将化学溶液供给部12和处理液供给部13设于一个臂26，但也能够将这些化学溶液供给部12和处理液供给部13分别设于不同的臂。另外，非活性气体供给部15具有第1非活性气体供给喷嘴38和第2非活性气体供给喷嘴39，但也可以仅有任一个。另外，基板3上的来自处理液辅助供给喷嘴44的处理液的供给位置位于比来自置换液供给喷嘴33的置换液的供给位置靠基板3的外周侧的位置即可。然而，由于从处理液辅助供给喷嘴44向基板3的处理液的供给位置(处理液辅助供给喷嘴44的位置)与从置换液供给喷嘴33向基板3的置换液的供给位置(置换液供给喷嘴33的位置)之间的间隔、来自处理液辅助供给喷嘴44的处理液的供给流量以及来自置换液供给喷嘴33的置换液的供给流量、基板3的旋转速度等条件，有可能在基板3的表面上由于处理液与置换液之间的碰撞而产生处理液或置换液的飞散。因此，预先通过实验等确认处理液或置换液不产生飞散的条件的范围，期望的是在该范围内适当设定上述的各种条件。而且，在上述实施方式中，于在基板3的冲洗处理后将作为处理液的冲洗液置换成置换液的情况下，与置换液一起供给了作为处理液的冲洗液，但并不限于此，于在基板3的疏水化处理后将作为处理液的疏水化液置换成置换液的情况下也能够进行同样的处理。
如以上说明那样，在上述实施方式中，在向旋转的基板3供给处理液而在基板3的整个表面形成处理液的液膜并进行了基板3的处理后，在向基板3供给置换液而将基板3上的处理液以置换液置换之际，通过向比基板3上的置换液的供给位置靠基板3的外周侧的位置供给处理液，维持了整个基板3被液膜覆盖的状态。不使基板3的转速降低就能够维持整个基板3被液膜覆盖的状态，因此，不使基板处理装置1的生产率降低，就能够抑制水痕和微粒的产生，能够良好地进行基板3的处理。也存在如下情况：若增加置换液的供给流量，即使不进行处理液的供给，也能够在供给置换液后立即利用置换液的液膜覆盖基板3的整个表面，但在该情况下，置换液的消耗量就颇为增加。与此相对，根据上述实施方式，不增加置换液的消耗量就能够在基板3的整个表面形成液膜。
附图标记的说明
1、基板处理装置；11、基板旋转部；12、化学溶液供给部；13、处理液供给部；14、置换液供给部；15、非活性气体供给部；16、处理液辅助供给部；18、控制部。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
基板旋转部，其一边保持基板一边使所述基板旋转；
处理液供给部，其向所述基板供给处理液；以及
置换液供给部，其向所述基板供给与从所述处理液供给部供给来的所述处理液置换的置换液，
在所述置换液供给部向所述基板供给所述置换液时，所述处理液供给部向比从所述置换液供给部供给的所述置换液的所述基板上的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液而形成所述处理液的液膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部和所述置换液供给部以所述基板的整个表面被所述处理液、所述置换液或所述处理液与所述置换液的混合液的液膜覆盖的方式供给所述处理液和所述置换液，
所述处理液供给部向由所述置换液供给部供给的所述置换液的外侧以能够维持由所述处理液供给部供给来的所述处理液的液膜的方式供给所述处理液。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述置换液供给部向所述基板的中央部供给所述置换液，
所述处理液供给部一边朝向所述基板的外周方向移动一边供给所述处理液。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部一移动到所述基板的周缘部就停止所述处理液的供给。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部具有朝向所述基板的中央部供给所述处理液的处理液主供给喷嘴和向比所述置换液的所述基板上的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液的处理液辅助供给喷嘴。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部在所述处理液主供给喷嘴和所述处理液辅助供给喷嘴同时供给所述处理液时使来自所述处理液辅助供给喷嘴的所述处理液的供给流量小于来自所述处理液主供给喷嘴的所述处理液的供给流量。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部在从所述置换液供给部开始向所述基板供给所述置换液之前开始向比所述置换液的所述基板上的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部在向所述基板上供给所述置换液且没有向所述基板的外周侧的位置供给所述处理液的情况下，向所述基板的与由所述置换液覆盖整体的区域同心的圆形区域内供给所述处理液。
9.一种基板处理方法，其特征在于，
该基板处理方法包括：
处理液主供给工序，在该处理液主供给工序中，向旋转的基板供给处理液；
置换液供给工序，在该置换液供给工序中，将用于置换在所述处理液主供给工序中供给到所述基板的所述处理液的置换液向所述基板供给而在所述基板上形成置换液的液膜；
处理液辅助供给工序，在该处理液辅助供给工序中，在向所述基板供给所述置换液时，向比所述基板上的所述置换液的供给位置靠所述基板的外周侧的位置供给所述处理液而在所述基板上形成所述处理液的液膜。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述处理液主供给工序中，在所述基板的整个表面形成所述处理液的液膜，
在所述处理液辅助供给工序中，在所述基板的表面上的比由所述置换液覆盖的区域靠外周侧的区域形成所述处理液的液膜。
11.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述置换液供给工序中，朝向所述基板的中央部供给所述置换液，
在所述处理液辅助供给工序中，一边使所述处理液的供给位置朝向所述基板的外周侧移动一边供给所述处理液。
12.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述处理液辅助供给工序中，以比在所述处理液主供给工序中供给的所述处理液的供给流量少的供给流量供给所述处理液。
13.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述处理液辅助供给工序中，于在所述置换液供给工序中开始向所述基板供给所述置换液之前，开始所述处理液的供给。
14.一种记录有基板处理程序的计算机可读取的记录介质，其特征在于，
基板处理程序的内容如下：使用具有一边保持基板一边使基板旋转的基板旋转部、向所述基板供给处理液的处理液供给部以及向所述基板供给与从所述处理液供给部供给来的所述处理液置换的置换液的置换液供给部的基板处理装置，利用所述基板旋转部使所述基板旋转，利用所述处理液供给部向所述基板供给所述处理液，之后，利用所述置换液供给部向所述基板供给所述置换液而形成置换液的液膜、并且利用所述处理液供给部向比所述基板上的所述置换液的供给位置靠外周侧的位置供给所述处理液而形成处理液的液膜。
CN201580021891.1A 2014-05-01 2015-05-01 基板处理装置和基板处理方法 Active CN106463377B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-094640 2014-05-01
JP2014094640A JP6118758B2 (ja) 2014-05-01 2014-05-01 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
PCT/JP2015/063091 WO2015167012A1 (ja) 2014-05-01 2015-05-01 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106463377A CN106463377A (zh) 2017-02-22
CN106463377B true CN106463377B (zh) 2019-06-25

Family

ID=54358733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580021891.1A Active CN106463377B (zh) 2014-05-01 2015-05-01 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10475638B2 (zh)
JP (1) JP6118758B2 (zh)
KR (1) KR102349845B1 (zh)
CN (1) CN106463377B (zh)
TW (1) TWI612558B (zh)
WO (1) WO2015167012A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6118758B2 (ja) * 2014-05-01 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6672023B2 (ja) * 2016-03-08 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6765878B2 (ja) * 2016-07-06 2020-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置
JP6842952B2 (ja) * 2017-02-28 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6982432B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6982433B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6982434B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102134261B1 (ko) * 2018-10-25 2020-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110148573B (zh) * 2019-04-17 2020-12-04 湖州达立智能设备制造有限公司 一种半导体设备工艺腔的晶圆升降装置
JP7292120B2 (ja) * 2019-06-17 2023-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7356896B2 (ja) * 2019-12-24 2023-10-05 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN115176334B (zh) * 2020-03-05 2023-03-14 东京毅力科创株式会社 基片处理方法和基片处理装置
JP2022189496A (ja) * 2021-06-11 2022-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5882433A (en) * 1995-05-23 1999-03-16 Tokyo Electron Limited Spin cleaning method
JP2013140881A (ja) * 2012-01-05 2013-07-18 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
CN103367202A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402932B2 (ja) * 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007220956A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP5090089B2 (ja) * 2006-10-19 2012-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2011009601A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Ebara Corp 基板乾燥方法及び基板乾燥装置
JP5789400B2 (ja) * 2011-04-12 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
JP6224515B2 (ja) * 2013-06-07 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6118758B2 (ja) * 2014-05-01 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5882433A (en) * 1995-05-23 1999-03-16 Tokyo Electron Limited Spin cleaning method
JP2013140881A (ja) * 2012-01-05 2013-07-18 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
CN103367202A (zh) * 2012-03-28 2013-10-23 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102349845B1 (ko) 2022-01-11
TWI612558B (zh) 2018-01-21
US20170047219A1 (en) 2017-02-16
JP6118758B2 (ja) 2017-04-19
CN106463377A (zh) 2017-02-22
US10475638B2 (en) 2019-11-12
WO2015167012A1 (ja) 2015-11-05
JP2015213105A (ja) 2015-11-26
TW201604933A (zh) 2016-02-01
KR20160143705A (ko) 2016-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106463377B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN101359584B (zh) 基板处理方法
JP5832397B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US7927429B2 (en) Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and computer readable recording medium
CN105344511B (zh) 一种可自清洁的二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法
CN104051304B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
JP6389089B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5470306B2 (ja) ２流体ノズル、基板液処理装置、基板液処理方法、及び基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN204668283U (zh) 晶片处理装置
JP4005326B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN106796876A (zh) 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质
CN102842522B (zh) 双流体喷嘴、基板液处理装置和基板液处理方法
CN100483617C (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
US20140213158A1 (en) Polishing apparatus
JP2003275696A (ja) 基板処理装置および基板洗浄方法
JPH03136232A (ja) 基板の表面処理装置
JP2010050226A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
CN109390252A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP2001267278A (ja) 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
TW201513204A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法和記錄基板處理程式之電腦可讀取之記錄媒體
JP2013099828A (ja) 研磨装置および方法
JP5512424B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2005353739A (ja) 基板洗浄装置
KR20200004471A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN104854681A (zh) 基板液体处理装置和基板液体处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant