KR20120117678A - 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판의 표면에 형성된 오목부의 내부를 약액에 의해 처리하는 데 있어서, 오목부 내부에 신속하게 약액을 침입시키는 것을 목적으로 한다.
액 처리 방법은, 약액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 기판에 공급하여 오목부의 내부를 적시는 프리웨트 공정과, 그 후, 약액을 포함하는 세정액을 기판에 공급하여, 오목부 내부의 액체를 약액으로 치환하여, 이 약액에 의해 상기 오목부의 내부를 세정하는 약액 세정 공정을 포함하고 있다.

Description

액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체{LIQUID PROCESSING METHOD, LIQUID PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에 형성된 오목부의 내부를 약액에 의해 처리하는 데 있어서, 오목부의 내부에 신속하게 약액을 침입시키는 기술에 관한 것이다.
최근, 디바이스의 고속화를 도모하도록 배선 길이를 저감하기 위해서 반도체 칩을 두께 방향으로 복수 개 적층하는 기술(3D-LSI 등이라 칭함)이 제안되어 있다. 두께 방향으로 적층된 반도체 칩 끼리를 전기적으로 접속하기 위해서, 반도체 칩을 이루는 실리콘 웨이퍼를 두께 방향으로 관통시키는 관통 전극이 형성되고, 이것은 TSV(Through-Si Via)라 불리고 있다(예컨대 특허문헌 1을 참조).
TSV의 형성은, 드라이 에칭, 예컨대 반응성 이온 에칭(RIE)에 의해 실리콘 웨이퍼에 바닥이 있는 구멍(예컨대, 직경이 약 10 ㎛, 깊이가 약 100 ㎛ 사이즈의 구멍)을 형성하는 에칭 공정과, 이 구멍에 도전체를 매립하는 매립 공정이 포함된다. 에칭 공정과 매립 공정 사이에는, 적어도 구멍 내면에 절연막, 배리어막, 시드막 등의 박막을 형성하는 성막(成膜) 공정이 필요에 따라 실시된다. 드라이 에칭에 의해 구멍 형성을 행하면, 구멍 내면에는, 폴리머 등의 잔류물이 부착된다. 이 잔류물은 그 후의 매립 공정 및 그 이전 공정인 성막 공정에 악영향을 부여하기 때문에, 완전히 제거해 둘 필요가 있다.
상기 잔류물을 제거하기 위해서, 약액에 의한 세정 처리가 행해진다. TSV용 구멍은 애스펙트비(구멍 깊이/구멍 직경)가 매우 커서, 구멍 속까지 약액을 침입시키는 것이 곤란하다. 장시간을 들이면 구멍 속까지 약액을 침입시킬 수 있지만, 이것은 반도체 디바이스의 생산성의 저하로 이어지기 때문에 바람직하지 못하다. 또한, 잔류물을 제거하기 위한 약액은, 경우에 따라서는 웨이퍼에 이미 형성되어 있는 다른 유용한 막(예컨대 웨이퍼 표면 전체를 덮는 절연막)도, 에칭 레이트가 낮긴 하지만, 에칭되어 버리는 경우가 있다. 이 점으로부터도 장시간의 약액 처리는 피하는 것이 바람직하다. 이러한 문제는, TSV의 형성시에 한정되지 않고, 미세한 오목부(홀, 트렌치 등), 특히 미세하고, 높은 애스펙트비(깊이/직경 또는 폭)의 오목부를 갖는 기판의 처리에 있어서도, 마찬가지로 존재한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2010-103195호 공보
본 발명은, 기판의 표면에 형성된 오목부의 내부를 약액에 의해 세정하는 데 있어서, 오목부의 내부에 신속하게 약액을 침입시키는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명은, 기판의 표면에 형성된 오목부의 내부를 약액을 포함하는 세정액에 의해 세정하는 액 처리 방법으로서, 상기 약액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 상기 기판에 공급하여 상기 오목부의 내부를 상기 유기 용제로 적시는 프리웨트 공정과, 상기 프리웨트 공정 후에, 상기 약액을 상기 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부를 적시고 있는 액체를 상기 약액으로 치환하여, 상기 약액에 의해 상기 오목부의 내부를 세정하는 약액 세정 공정을 포함한 액 처리 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 약액을 포함하는 세정액을 토출하는 약액 노즐과, 상기 약액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐과, 상기 유기 용제 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 기구와, 상기 약액 노즐에 약액을 공급하는 약액 공급 기구와, 상기 유기 용제 공급 기구 및 상기 약액 공급 기구의 동작을 제어하여, 상기 유기 용제를 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 공급하는 프리웨트 공정과, 그 후, 상기 약액을 상기 기판에 공급하는 약액 세정 공정을 실시하게 하는 제어부를 구비한 액 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 액 처리 장치의 제어부를 이루는 컴퓨터에 의해 판독 가능한 프로그램을 기록하는 기억 매체로서, 상기 액 처리 장치는, 약액을 포함하는 세정액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐과, 약액을 토출하는 약액 노즐과, 상기 유기 용제 노즐에 상기 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 기구와, 상기 약액 노즐에 상기 약액을 공급하는 약액 공급 기구를 구비하고 있고, 상기 컴퓨터가 상기 프로그램을 실행하면, 상기 제어부가 상기 액 처리 장치를 제어하여, 상기 유기 용제를 기판에 공급하여 상기 기판의 오목부의 내부를 적시는 프리웨트 공정과, 그 후, 상기 약액을 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부의 액체를 상기 약액으로 치환하여, 상기 약액에 의해 상기 오목부의 내부를 세정하는 약액 세정 공정을 실행시키는 기억 매체를 제공한다.
오목부의 내부에 있는 유기 용제를 직접적으로 약액으로 치환할 수 있다. 또한, 오목부의 내부의 유기 용제를 일단 다른 액체로 치환한 후에, 이 다른 액체를 유기 용제로 치환할 수도 있다.
본 발명에 따르면, 오목부의 내부에 침입하는 것이 보다 용이한, 표면 장력이 낮은 유기 용제를 우선은 오목부에 침입시키고, 액체가 오목부의 내부에 있는 상태에서 약액을 공급하여 상기 액체와 치환함으로써, 처음부터 약액을 공급한 경우에 비하여, 단시간에 오목부의 내부를 약액으로 채울 수 있다.
도 1은 세정 방법을 실시하기 위한 세정 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 세정 장치의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 3은 제1 실험 결과를 설명하는 사진을 나타낸 도면이다.
도 4는 제2 실험 결과를 설명하는 사진을 나타낸 도면이다.
이하에 도면을 참조하여 적합한 실시형태에 대해서 설명한다.
우선, 액 처리 장치의 일 실시형태인 기판 세정 장치의 구성에 대해서 설명한다. 기판 세정 장치는, 기판, 본 예에서는 반도체 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 유지하여 회전하는 스핀척(10)을 갖고 있다. 스핀척(10)은, 기판의 주연부(周緣部)를 유지하는 복수의 유지 부재(12)에 의해 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부(14)와, 이 기판 유지부(14)를 회전 구동하는 회전 구동부(16)를 갖고 있다. 기판 유지부(14)의 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 비산된 처리액을 받아내는 컵(18)이 설치되어 있다. 또한, 도시하지 않은 기판 반송 아암과 기판 유지부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 할 수 있도록, 기판 유지부(14) 및 컵(18)은 상대적으로 상하 방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다.
기판 세정 장치는, 웨이퍼(W)에 약액을 포함하는 세정액을 공급하기 위한 약액 노즐(20)과, 웨이퍼(W)에 유기 용제로서의 IPA(이소프로필알코올)을 공급하는 IPA 노즐(유기 용제 노즐)(22)과, 웨이퍼(W)에 순수(DIW)를 공급하는 DIW 노즐(24)을 더 갖고 있다. 약액 노즐(20)에는, 약액 공급원(CHM)으로부터, 유량 조정 밸브(20a)와 개폐 밸브(20b)가 개재된 약액 관로(20c)를 통해 약액이 공급된다. IPA 노즐(22)에는, IPA 공급원(IPA)으로부터, 유량 조정 밸브(22a)와 개폐 밸브(22b)가 개재된 IPA 관로(22c)를 통해 IPA가 공급된다. DIW 노즐(24)에는, DIW 공급원(DIW)으로부터, 유량 조정 밸브(24a)와 개폐 밸브(24b)가 개재된 DIW 관로(24c)를 통해 DIW가 공급된다. 또한, 유량 조정 밸브(20a), 개폐 밸브(20b) 및 약액 관로(20c)는 약액 공급 기구를 구성하고, 유량 조정 밸브(22a), 개폐 밸브(22b) 및 IPA 관로(22c)는 IPA 공급 기구(프리웨트액 공급 기구)를 구성하며, 유량 조정 밸브(24a), 개폐 밸브(24b) 및 DIW 관로(24c)는 DIW 공급 기구를 구성한다.
약액 노즐(20), IPA 노즐(22) 및 DIW 노즐(24)은, 노즐 이동 기구(50)에 의해 구동된다. 노즐 이동 기구(50)는, 가이드 레일(51)과, 가이드 레일(51)을 따라 이동 가능한 구동 기구 내장형의 이동체(52)와, 그 기단이 이동체(52)에 부착되고, 그 선단에 약액 노즐(20), IPA 노즐(22) 및 DIW 노즐(24)을 유지하는 노즐 아암(53)을 갖고 있다. 노즐 이동 기구(50)는, 약액 노즐(20), IPA 노즐(22) 및 DIW 노즐(24)을, 기판 유지부(14)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심 바로 위의 위치와 웨이퍼(W)의 주연부 바로 위의 위치 사이에서 이동시킬 수 있고, 또한, 약액 노즐(20), IPA 노즐(22) 및 DIW 노즐(24)을 평면에서 보아 컵(18) 외측의 대기 위치까지 이동시킬 수도 있다.
기판 세정 장치는, 그 전체의 동작을 통괄 제어하는 제어부(100)를 갖고 있다. 제어부(100)는, 웨트 에칭 장치의 모든 기능 부품(예컨대 회전 구동부(16), 밸브(20a, 20b, 22a, 22b, 24a, 24b), 노즐 이동 기구(50) 등)의 동작을 제어한다. 제어부(100)는, 하드웨어로서, 예컨대 범용 컴퓨터와, 소프트웨어로서 이 컴퓨터를 동작시키기 위한 프로그램(장치 제어 프로그램 및 처리 레시피 등)에 의해 실현할 수 있다. 소프트웨어는, 컴퓨터에 고정적으로 설치된 하드디스크 드라이브 등의 기억 매체에 저장되거나, 혹은 CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 착탈 가능하게 컴퓨터에 세트되는 기억 매체에 저장된다. 이러한 기억 매체가 참조 부호 101로 표시되어 있다. 프로세서(102)는 필요에 따라 도시하지 않은 사용자 인터페이스 등의 지시 등에 기초하여 정해진 처리 레시피를 기억 매체(101)로부터 호출하여 실행시키고, 이것에 의해 제어부(100)의 제어 하에서 기판 세정 장치의 각 기능 부품이 동작하여 정해진 처리가 행해진다.
또한, 도시된 스핀척(10)의 기판 유지부(14)는, 가동의 유지 부재(12)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부를 파지하는, 소위 메커니컬 척 타입의 것이었지만, 이것에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 진공 흡착하는, 소위 진공 척 타입의 것이어도 좋다. 또한, 도시된 노즐 이동 기구(50)는, 노즐을 병진 운동시키는, 소위 리니어 모션 타입의 것이었지만, 연직 축선 주위로 회동하는 아암의 선단에 노즐이 유지되어 있는, 소위 스윙 아암 타입의 것이어도 좋다. 또한, 도시예에서는, 3개의 노즐(20, 22, 24)이 공통의 아암에 의해 유지되어 있지만, 각각 별개의 아암에 유지되어 독립적으로 이동할 수 있도록 되어 있어도 좋다.
다음에, 상기 기판 세정 장치를 이용하여 행해지는 기판 세정 처리의 일련의 공정에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일련의 공정은, 기억 매체(101)에 기억된 프로세스 레시피에 있어서 정의되는 각종 프로세스 파라미터가 실현되도록, 제어부(100)가 기판 세정 장치의 각 기능 부품을 제어함으로써 실행된다.
우선, 기판 세정 처리의 제1 실시형태에 대해서 설명한다. 본 예에 있어서 처리 대상이 되는 웨이퍼(W)는, 후술하는 실험 결과를 설명하기 위한 도 3, 도 4의 사진에 나타낸 바와 같은, 그 표면측에 TSV를 위한 구멍(예컨대 직경이 약 9 ㎛, 깊이가 약 100 ㎛인 구멍)이 드라이 에칭에 의해 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼이다. 또한, 레지스트막은 이미 드라이 프로세스인 애싱에 의해 제거되어 있다. 이 웨이퍼(W)의 구멍의 내표면에는, 실리콘(Si)을 에칭 가스로 하여 SF6 가스＋HBr 가스를 이용하여 드라이 에칭할 때에 발생된 폴리머가 부착되어 있다. 이 폴리머를 제거하기 위해서, 약액으로서 무기계 세정액, 본 예에서는 DHF(희불산)이 사용된다.
우선, 전술한 상태의 웨이퍼(W)가, 도시하지 않은 반송 아암에 의해 기판 세정 장치에 반입되어, 스핀척(10)의 기판 유지부(14)에 유지된다.
[프리웨트 공정(제1 프리웨트 공정)]
IPA 노즐(22)을 웨이퍼(W) 중심의 바로 위에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 정해진 회전수, 예컨대 200 rpm?2000 rpm으로 회전시켜, IPA 노즐(22)로부터 프리웨트액으로서 상온의 IPA를 정해진 유량, 예컨대 10 ㎖/min?500 ㎖/min의 유량으로 정해진 시간, 예컨대 30 sec?180 sec간 토출한다. 웨이퍼(W) 중심에 공급된 IPA는 원심력에 의해 확산되어, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 균일하게 적신다. 여기서, IPA의 웨이퍼(W)에 대한 표면 장력은 약 21.7 dyne/㎝(21.7×10-3 N/m)로 작기 때문에, 가늘고 깊은 구멍의 바닥까지 용이하게 침입하여 이 구멍의 내부를 채우고, 이 구멍의 전체 내표면을 적신다.
[DIW 치환 공정(제2 프리웨트 공정)]
다음에, DIW 노즐(24)을 웨이퍼(W) 중심의 바로 위에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 정해진 회전수, 예컨대 100 rpm?2000 rpm으로 회전시켜, DIW 노즐(24)로부터 DIW를 정해진 유량, 예컨대 300 ㎖/min?1500 ㎖/min의 유량으로 정해진 시간, 예컨대 30 sec?180 sec간 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 표면(상면)에 있는 IPA는 DIW에 의해 제거된다. 또한, DIW(물)는 IPA와 잘 혼합되기 때문에, 구멍 내의 IPA도 DIW로 치환되어 간다. 또한, 프리웨트 공정(제1 프리웨트 공정)과 DIW 치환 공정(제2 프리웨트 공정)을 교대로 복수 회 행하여도 좋다.
[약액 세정 공정]
다음에, 약액 노즐(20)을 웨이퍼(W) 중심의 바로 위에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 정해진 회전수, 예컨대 200 rpm?2000 rpm으로 회전시켜, 약액 노즐(20)로부터 무기계 세정액(본 예에서는 DHF)을 정해진 유량, 예컨대 10 ㎖/min?500 ㎖/min의 유량으로 정해진 시간, 예컨대 30 sec?900 sec간 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W) 표면(상면)에 있는 DIW는 무기계 세정액에 의해 제거된다. 또한, 수용액인 무기계 세정액은, 물과 잘 혼합되기 때문에, 구멍 내의 DIW도 무기계 세정액으로 치환되어 간다. 그리고, 치환된 무기계 세정액에 의해, 구멍의 내표면에 부착된 폴리머가 제거된다.
[린스 공정]
다음에, DIW 노즐(24)을 웨이퍼(W) 중심의 바로 위에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 정해진 회전수, 예컨대 200 rpm?1500 rpm으로 회전시켜, DIW 노즐(24)로부터 DIW를 정해진 유량, 예컨대 500 L(리터)/min?1500 L(리터)/min의 유량으로 정해진 시간, 예컨대 30 sec?180 sec간 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면 및 구멍 내에 있는 무기계 세정액이, DIW에 의해 씻겨진다.
[건조용 IPA 치환 공정]
다음에, IPA 노즐(22)을 웨이퍼(W) 중심의 바로 위에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 정해진 회전수, 예컨대 200 rpm?2000 rpm으로 회전시켜, IPA 노즐(22)로부터 IPA를 정해진 유량, 예컨대 10 L/min?100 L/min의 유량으로 정해진 시간, 예컨대 30 sec?120 sec간 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면 및 구멍 내에 있는 DIW가, IPA로 치환된다.
[스핀 건조 공정]
다음에, IPA 노즐(22)로부터의 IPA의 토출을 정지시키고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 정해진 회전수, 예컨대 200 rpm?2000 rpm으로 하여, 정해진 시간, 예컨대 10 sec?60 sec간 스핀 건조를 행한다. IPA는 휘발성이 높기 때문에, 웨이퍼(W) 표면뿐만 아니라 구멍 내부도 용이하게 건조된다. 이 때, 건조를 촉진시키기 위해서, N2 가스, 드라이 에어를 웨어퍼(W)에 분사하여도 좋다. 이 경우에는, N2 가스 또는 드라이 에어를 분사하기 위한 노즐(도시하지 않음)이 설치된다.
이상의 일련의 공정이 종료된 후, 도시하지 않은 반송 아암에 의해 웨이퍼(W)가 기판 세정 장치로부터 반출된다.
다음에, 기판 세정 처리의 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 본 예에 있어서 처리 대상이 되는 웨이퍼(W)도, 제1 실시형태와 동일한 TSV를 위한 구멍이 드라이 에칭에 의해 형성된 실리콘 웨이퍼이지만, 구멍의 내표면에는, 제1 실시형태와 달리, 유기계 세정액에 의한 세정이 적합한 폴리머(예컨대 CF계 폴리머 등)가 부착되어 있다. 유기계 세정액으로서는, 디메틸술폭시드와, 디메틸술폭시드와 혼화(混和) 가능한 유기 용제를 포함하는 것을 이용할 수 있다. 디메틸술폭시드와 혼화 가능한 유기 용제로는, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸이미다졸리디논을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 이용할 수 있다.
우선, 전술한 상태의 웨이퍼(W)가, 도시하지 않은 반송 아암에 의해 기판 세정 장치에 반입되어 스핀척(10)의 기판 유지부(14)에 유지된다.
[프리웨트 공정]
다음에, 제1 실시형태의 프리웨트 공정(제1 프리웨트 공정)과 동일한 절차로, 웨이퍼(W)에 IPA를 공급하여 구멍 내부를 IPA로 채우고, 이 구멍의 전체 내표면을 적신다.
[약액 세정 공정]
다음에, DIW 치환 공정(제2 프리웨트 공정)을 행하지 않고, 약액 세정 공정을 실행한다. 약액 세정 공정은 제1 실시형태의 약액 세정 공정과 동일한 절차로 행할 수 있다. 전술한 유기계 세정액이 웨이퍼(W)에 공급되고, 이것에 의해 웨이퍼(W) 표면(상면)에 있는 IPA는 약액에 의해 제거된다. 또한, 유기계 세정액은 IPA와 잘 혼합되기 때문에, 구멍 내의 IPA도 유기계 세정액으로 치환되고, 치환된 유기계 세정액에 의해 구멍의 내표면에 부착된 폴리머가 제거된다.
[제1 린스 공정(유기 용제 린스 공정)]
다음에, IPA 노즐(22)을 웨이퍼(W) 중심의 바로 위에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 정해진 회전수, 예컨대 200 rpm?1500 rpm으로 회전시켜, IPA 노즐(22)로부터 IPA를 정해진 유량, 예컨대 50 ㎖/min?500 ㎖/min의 유량으로 정해진 시간, 예컨대 30 sec?180 sec간 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면 및 구멍 내에 있는 약액이, IPA로 치환된다. 또한, 이 제1 린스 공정에서 이용하는 린스액은 IPA에 한정되지 않고, 약액 세정 공정에서 이용한 유기계 세정액 및 제2 린스 공정에서 이용하는 DIW와 혼화성을 갖고 있는 다른 유기 용제를 이용할 수도 있다.
[제2 린스 공정(DIW 린스 공정)]
다음에, DIW 노즐(24)을 웨이퍼(W) 중심의 바로 위에 위치시키고, 웨이퍼(W)를 정해진 회전수, 예컨대 200 rpm?1500 rpm으로 회전시켜, DIW 노즐(24)로부터 DIW를 정해진 유량, 예컨대 500 L(리터)/min?1500 L(리터)/min의 유량으로 정해진 시간, 예컨대 30 sec?180 sec간 토출한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면 및 구멍 내에 있는 IPA가, DIW에 의해 씻겨진다.
[건조용 IPA 치환 공정]
다음에, 제1 실시형태의 건조용 IPA 치환 공정과 동일한 절차로, 웨이퍼(W)에 IPA를 공급하고, 웨이퍼(W)의 표면 및 구멍 내에 있는 DIW를 IPA로 치환한다.
[스핀 건조 공정]
다음에, 제1 실시형태의 스핀 건조 공정과 동일한 절차로, 웨이퍼(W)의 건조를 행한다. 이상에 의해 제2 실시형태에 따른 일련의 공정이 종료된다.
또한, 본 발명의 실시형태는, 상기한 것에 한정되지 않고, 하기에 설명하는 사항을 고려하여 개변할 수 있다.
상기한 제1 및 제2 실시형태에서는, 프리웨트 공정에서 사용하는 유기 용제(프리웨트액)는 IPA이지만, 웨이퍼(W)에 대한 표면 장력이 약액보다 작으면 되고, 이것에 한정되지 않는다. 프리웨트 공정에서는, 다른 유기 용제, 예컨대, 크실렌, IPA+HFE(이소프로필알코올과 하이드로플루오로에테르의 혼합액)을 이용할 수도 있다. 또한, 제1 실시형태와 같이 유기 용제를 포함하는 프리웨트액을 일단 DIW로 치환한 후에 약액을 공급할 때, 일반적으로, 유기 용제로는 DIW와 혼화성이 있는 것을 이용하는 것이 바람직하다. IPA는, 물과의 혼화성이 높기 때문에, 오목부 내에 있는 IPA는 크실렌과 비교하여 보다 신속하게 물(DIW)로 치환되기 때문에, 처리 시간의 단축의 관점에서는, IPA를 프리웨트액으로서 이용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기한 실시형태에 있어서 스핀 건조 공정 전에 실행되는 건조용 IPA 치환 공정에서는 IPA를 이용하기 때문에, 장치 구성의 단순화(노즐 및 처리액 공급계의 삭감)라는 관점에서도, 프리웨트액으로서 IPA를 이용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 크실렌은 물과의 혼화성은 없지만, 물(DIW)의 확산에 의해 오목부 내에 있는 크실렌을 물(DIW)로 치환할 수 있으므로, 프리웨트액으로서 이용하는 것은 가능하다. 또한, 프리웨트 공정에서 사용하는 유기 용제(프리웨트액)가 IPA 이외의 유기 용제이며, 또한, 건조용 IPA 치환 공정에서는 IPA를 이용하는 경우에는, IPA 이외의 유기 용제를 토출하는 노즐 및 이 노즐에 유기 용제를 공급하는 공급 기구가 별도로 설치되게 된다.
약액이 유기계 세정액인 경우에는(제2 실시형태를 참조), 약액을 웨이퍼(W)에 공급하기 직전에 웨이퍼(W)의 구멍을 채우고 있는 액은 유기 용제인 것이 바람직하다. 약액을 웨이퍼(W)에 공급하기 직전에 웨이퍼(W)의 구멍을 채우고 있는 액이 DIW라면, 약액과 DIW의 혼화성이 낮아 치환 효율이 저하될 우려가 있기 때문이다.
약액이 무기계 세정액인 경우에는(제1 실시형태를 참조), 무기계 세정액의 공급 전에 구멍을 채우고 있는 액체는 DIW인 것이 바람직하다. 예컨대, 약액이, DHF와 같이 약액인 HF를 DIW에 의해 희석한 타입의 것인 경우, DHF(무기계 세정액)에 IPA(유기 용제를 포함하는 프리웨트액)가 섞이면, DHF에 의한 에칭 레이트가 변화되어 버려, 안정된 처리를 행할 수 없게 될 우려가 있기 때문이다. 또한, 약액과 프리웨트액이 섞였다고 해도 안정된 처리를 행할 수 있는 경우에는, 약액이 무기계 세정액인 경우에 있어서도, 상기 제1 실시형태와 같이 공정 순서를 「프리웨트 공정(제1 프리웨트 공정)」→「DIW 치환 공정(제2 프리웨트 공정)」→「약액 세정 공정」으로 하지 않고, 프리웨트 공정(제1 프리웨트 공정) 후에 DIW 치환 공정을 행하지 않고 약액 세정 공정으로 이행하는 것도 가능하다.
약액이 웨이퍼(W)에 공급되기 직전에 웨이퍼(W)에 공급되는 액(즉, 제1 실시형태에 있어서는 DIW, 제2 실시형태에 있어서는 유기 용제를 포함하는 프리웨트액)을 가열한 상태에서 공급하는 것도 바람직하다. 구멍을 가열된 액(DIW 또는 유기 용제를 포함하는 프리웨트액)이 채워져 있는 상태에서 상온의 약액을 공급하면, 열대류에 의해 치환이 진행하기 쉽게 된다. 구체적으로, 제2 실시형태에 있어서는, IPA를 그 비점(82.4℃) 이하의 적당한 온도, 예컨대 30℃?60℃로 가열하여 공급하는 것이 바람직하다. 이 경우, 예컨대, IPA 관로(22c)에 IPA를 가열하는 히터(도시하지 않음)를 개재할 수 있다. 또한, 약액을 공급하기 전 또는 약액을 공급할 때에 웨이퍼(W)를 가열함으로써도 열대류를 발생시킬 수 있다. 이러한 웨이퍼(W)의 가열은, 기판 유지부(14)에 저항 가열 히터(도시하지 않음)를 설치함으로써, 혹은 웨이퍼(W)의 위쪽에 램프 히터, 예컨대 LED 램프 히터(도시하지 않음)를 설치함으로써 실현할 수 있다.
제1 및 제2 실시형태에 있어서는, 건조용 IPA 치환 공정을 마련함으로써, 구멍 내부가 IPA로 채워져 있는 상태에서 건조를 시작할 수 있어, 건조를 신속하고, 확실하게 행할 수 있다. 또한, 구멍의 애스펙트비가 그다지 크지 않은 경우에는, 스핀 건조 공정 전의 건조용 IPA 치환 공정을 생략하여도 좋다.
제2 실시형태에 있어서, 제1 린스 공정과 제2 린스 공정을 반복하여 복수회 실행하는 것도 바람직하다.
제2 실시형태에 있어서는, IPA 등의 유기 용제에 의한 제1 린스 공정 및 DIW에 의한 제2 린스 공정을 행한다. 즉, 제1 린스 공정에 의해 구멍 내의 유기계 세정액을 완전히 제거할 수 없더라도, 제2 린스 공정에 의해 구멍 내의 유기계 세정액의 잔류물을 완전히 제거하면 좋다. 따라서, 제1 린스 공정에서의 유기 용제의 소비량을 저감하면서, 구멍 내의 유기계 세정액의 잔류물을 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 제2 린스 공정을 행하지 않고 제1 린스 공정만을 행하여도 좋다. 이 경우, 제1 린스 공정에서 이용하는 유기 용제가 IPA로서 건조용 IPA 치환 공정에서 이용되는 유기 용제와 동일하면, 그대로 건조로 이행할 수 있기 때문에, 처리 시간 단축의 관점에서 유리하다.
또한, 상기한 실시형태에서는, 세정 대상인 오목부는, 반도체 웨이퍼로 이루어진 기판의 실리콘층(Si층)에 형성된 TSV용 구멍이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 반도체 웨이퍼에 형성되는 다른 종류의 오목부, 구체적으로는 구멍(비아홀, 스루홀) 및 홈(트렌치)이어도 좋다. 상기한 실시형태에 따른 세정 방법은, 특히 높은 애스펙트비의 오목부를 효율적으로 세정할 수 있다.
또한, 세정 대상인 오목부는, 실리콘층으로 형성된 오목부에 한정되지 않고, SiN층, SiO2층, poly-Si층으로 형성된 오목부여도 좋다. 또한, 오목부가 형성되는 층의 재료에 따라, 오목부를 형성하기 위한 드라이 에칭 공정에서 이용하는 에칭 가스가 상이하다. 그리고, 피에칭층의 재질, 에칭 가스의 종류, 에칭 마스크의 재질에 따라, 오목부 내에 잔존하는 에칭 잔류물(폴리머)의 조성은 상이하다. 폴리머로서, 염소계 폴리머, 산화물계 폴리머, CF계 폴리머, 카본계 폴리머 등의 다양한 폴리머를 생각할 수 있다. 약액 세정 공정에서 사용되는 약액은 제거 대상인 에칭 잔류물에 따라 최적의 것이 선택된다. 즉, 약액 세정 공정에서 사용되는 약액은, 제1실시형태에서 이용한 무기계 세정액인 DHF나, 제2 실시형태에서 이용한 유기계 세정액에 한정되는 것은 아니다. 무기계 세정액으로서, 예컨대, (1) SC-1액, (2) SC-2액, 또는 (3) HF액, NH4F액 및 NH4HF2액을 포함하는 군으로부터 선택된 1개의 액 혹은 2 이상의 액의 혼합액을 DIW로 희석한 HF계 약액을 이용할 수 있다.
또한, 세정 대상인 기판은, 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, 다른 기판, 예컨대 LCD용 유리 기판이어도 좋다.
또한, 기판의 처리에 있어서, 반드시 기판을 회전시킬 필요는 없고, 예컨대 가늘고 긴, 소위 슬릿 노즐을 이용하여 각 처리액을 스캔 도포하여도 좋다.
[실시예]
<제1 시험>
이하에 프리웨트의 효과를 조사한 시험 결과에 대해서 설명한다.
직경 10 ㎛(구멍의 입구에서 측정), 깊이 100 ㎛의 바닥이 있는 구멍을 드라이 에칭에 의해 형성한 실리콘 웨이퍼를 준비하고, 이것에 대하여 약액 세정을 행하였다. 실시예로서, IPA에 의한 프리웨트 공정(제1 프리웨트 공정), DIW에 의한 DIW 치환 공정(제2 프리웨트 공정)을 행한 후, DHF에 의한 약액 세정 공정을 실시하였다. 제1 프리웨트 공정은, 웨이퍼 회전수를 300 rpm, IPA 온도를 상온, IPA 유량을 35 ㎖/min으로 하여 60 sec 행하였다. 제2 프리웨트 공정은, 웨이퍼 회전수를 300 rpm, DIW 온도를 상온, DIW 유량을 1000 ㎖/min으로 하여 60 sec 행하였다. 약액 세정 공정은, 웨이퍼 회전수를 300 rpm, DHF 유량을 1500 ㎖/min으로 하여 60 sec 행하였다. 약액 세정 공정 후, 상기한 린스 공정, IPA 치환 공정 및 스핀 건조공정을 행하였다. 또한, 상기 일련의 공정에서 제1 프리웨트 공정 및 제2 프리웨트 공정을 생략한 것을 비교예로 하고, 약액 세정 공정 시간이 60 sec인 것을 비교예 1, 약액 세정 공정 시간이 180 sec인 것을 비교예 2로 하였다.
처리를 종료한 후, 구멍의 표면을 확인할 수 있도록 웨이퍼를 절단하여, 구멍의 내면을 주사형 전자현미경에 의해 관찰하였다. 그 결과를 도 3에 나타낸다. 도 3에 있어서, (a)는 비교예 1, (b)는 비교예 2, (c)는 실시예이다. 폴리머가 잔존하고 있는 부분은, 절연물로서 전자선에 의해 차지 업하기 때문에, 하얗게 찍히고 있다. 비교예 1에서는, 구멍 내에 충분히 약액이 침입되지 않아, 구멍의 바닥 부분이 세정되지 않은 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 2에서는, 구멍의 바닥까지 약액은 도달하고 있지만, 구멍 표면의 일부에 흰 부분이 있어, 세정이 불충분하다는 것을 알 수 있다. 이것에 대하여 실시예에서는, 구멍의 전체 영역이 충분히 세정되어 있는 것을 알 수 있다. 이 시험에 의해, 약액 세정 공정 전에 프리웨트 공정을 실행함으로써, 단시간에, 약액을 깊은 구멍 내부에 충분히 침입시킬 수 있는 것을 알 수 있었다.
<제2 시험>
실시예로서, 전술한 제1 시험에 있어서의 실시예와 동일한 조건으로, IPA에 의한 제1 프리웨트 공정, DIW에 의한 제2 프리웨트 공정, DHF에 의한 약액 세정 공정, 린스 공정, IPA 치환 공정 및 스핀 건조 공정을 순차적으로 행하였다. 또한, 상기 일련의 공정에서 IPA 치환 공정을 생략한 것을 비교예로 하였다. 실시예 및 비교예의 웨이퍼에 대하여, CVD법에 의해 절연막을 성막하였다.
성막 후, 구멍의 표면을 확인할 수 있도록 웨이퍼를 절단하여, 구멍의 내면을 주사형 전자현미경에 의해 관찰하였다. 그 결과를 도 4에 나타낸다. 도 4에 있어서, 좌측란은 비교예, 우측란은 실시예이다. 구멍의 입구 부분(상단 사진 참조) 및 중앙 부분(중단 사진 참조)에 있어서는 비교예와 실시예의 성막 상태에 유의차는 확인되지 않았다. 한편, 구멍 바닥(하단 사진 참조)에 있어서는, 비교예에서는 성막이 되어 있지 않은 데 반하여, 실시예에서는 양호한 막이 성막되어 있었다. 비교예에 있어서는 구멍 바닥의 건조가 충분하지 않기 때문에, 성막에 문제가 발생한 것으로 생각된다. 이것으로부터, IPA 치환 공정은 깊은 구멍 세정 후의 건조의 이전 처리로서 유익한 것을 알 수 있었다.
14 : 기판 유지부 20 : 약액 노즐
22 : 유기 용제 노즐 24 : DIW 노즐
20a, 20b, 20c : 약액 공급 기구
22a, 22b, 22c : 유기 용제 공급 기구 24a, 24b, 24c : DIW 공급 기구
100 : 제어부 101 : 기억 매체

Claims (20)

  1. 기판의 표면에 형성된 오목부의 내부를 약액을 포함하는 세정액에 의해 세정하는 액 처리 방법으로서,
    상기 약액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 상기 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부를 상기 유기 용제로 적시는 프리웨트 공정과,
    상기 프리웨트 공정 후에, 상기 약액을 상기 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부를 적시고 있는 액체를 상기 약액으로 치환하여, 상기 약액에 의해 상기 오목부의 내부를 세정하는 약액 세정 공정
    을 포함하는 액 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기 용제는, IPA(이소프로필알코올), 크실렌, 또는 IPA와 HFE(하이드로플루오로에테르)의 혼합물인 것인 액 처리 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 약액은 무기계 세정액인 것인 액 처리 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 프리웨트 공정 후이며 상기 약액 세정 공정 전에, DIW(순수)를 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부를 적시고 있는 상기 유기 용제를 DIW로 치환하는 DIW 치환 공정을 더 포함하고, 상기 약액 세정 공정에서, 상기 오목부의 내부를 적시고 있는 DIW가 상기 약액으로 치환되는 것인 액 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 DIW 치환 공정에서 가열된 DIW가 공급되는 것인 액 처리 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 무기계 세정액은,
    -DHF(희불산)액,
    -SC-1액,
    -SC-2액, 또는
    -HF액, NH4F액 및 NH4HF2액을 포함하는 군으로부터 선택된 1개의 액 혹은 2 이상의 액의 혼합액을 DIW로 희석한 HF계 약액
    중 어느 하나인 것인 액 처리 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 약액은 유기계 세정액인 것인 액 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 약액 세정 공정에 있어서, 상기 오목부의 내부를 적시고 있는 상기 유기 용제가 직접적으로 상기 유기계 세정액으로 치환되는 것인 액 처리 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 유기계 세정액은, 디메틸술폭시드와, 디메틸술폭시드와 혼화(混和) 가능한 유기 용제를 함유하는 혼화물을 포함하는 것인 액 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 디메틸술폭시드와 혼화 가능한 유기 용제로서, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸이미다졸리디논을 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상이 이용되는 액 처리 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 프리웨트 공정에서 가열된 유기 용제가 공급되는 것인 액 처리 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 약액 세정 공정 후에, 유기 용제를 포함하는 제1 린스액을 상기 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부의 상기 약액을 상기 제1 린스액으로 치환하는 제1 린스 공정과,
    상기 제1 린스 공정 후, DIW를 포함하는 제2 린스액을 상기 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부의 상기 제1 린스액을 상기 제2 린스액으로 치환하는 제2 린스 공정과,
    상기 제2 린스 공정 후, 상기 기판을 건조시키는 건조 공정
    을 더 포함하는 액 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 건조 공정에서 IPA가 상기 기판에 공급되는 것인 액 처리 방법.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 약액 세정 공정 후에, 린스액을 상기 기판에 공급하여, 상기 오목부의 내부의 상기 약액을 상기 린스액으로 치환하는 린스 공정과,
    상기 린스 공정 후, 상기 기판을 건조시키는 건조 공정
    을 더 포함하고,
    상기 건조 공정에서 IPA가 상기 기판에 공급되는 것인 액 처리 방법.
  15. 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    약액을 포함하는 세정액을 토출하는 약액 노즐과,
    상기 약액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐과,
    상기 유기 용제 노즐에 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 기구와,
    상기 약액 노즐에 약액을 공급하는 약액 공급 기구와,
    상기 유기 용제 공급 기구 및 상기 약액 공급 기구의 동작을 제어하여, 상기 유기 용제를 상기 기판 유지부에 의해 유지된 상기 기판에 공급하는 프리웨트 공정과, 그 후, 상기 약액을 상기 기판에 공급하는 약액 세정 공정을 실시하게 하는 제어부
    를 구비한 액 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서, DIW(순수)를 토출하는 DIW 노즐과,
    상기 DIW 노즐에 DIW를 공급하는 DIW 공급 기구
    를 더 구비하고,
    상기 제어부는, DIW 공급 기구의 동작을 제어하여, 상기 프리웨트 공정과 상기 약액 세정 공정 사이에, 상기 기판에 DIW를 공급하여 상기 기판 상에 있는 상기 유기 용제를 DIW로 치환하는 DIW 치환 공정을 더 실시하게 하도록 구성되어 있는 것인 액 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제어부는, 약액 세정 공정에서 상기 약액을 상기 기판에 공급함으로써, 상기 기판 상에 있는 상기 유기 용제가 직접적으로 상기 약액으로 치환되도록, 상기 약액 세정 공정을 실시하게 하도록 구성되어 있는 것인 액 처리 장치.
  18. 액 처리 장치의 제어부를 이루는 컴퓨터에 의해 판독 가능한 프로그램을 기록하는 기억 매체로서, 상기 액 처리 장치는, 약액을 포함하는 세정액보다 표면 장력이 작은 유기 용제를 토출하는 유기 용제 노즐과, 약액을 토출하는 약액 노즐과, 상기 유기 용제 노즐에 상기 유기 용제를 공급하는 유기 용제 공급 기구와, 상기 약액 노즐에 상기 약액을 공급하는 약액 공급 기구를 구비하고 있고, 상기 컴퓨터가 상기 프로그램을 실행하면 상기 제어부가 상기 액 처리 장치를 제어하여, 상기 유기 용제를 기판에 공급하여 상기 기판의 오목부의 내부를 적시는 프리웨트 공정과, 그 후, 상기 약액을 기판에 공급하여 상기 오목부의 내부의 액체를 상기 약액으로 치환하여, 상기 약액에 의해 상기 오목부의 내부를 세정하는 약액 세정 공정을 실행시키는 것인 컴퓨터에 의해 판독 가능한 프로그램을 기록하는 기억 매체.
  19. 제18항에 있어서, 상기 액 처리 장치는, DIW(순수)를 토출하는 DIW 노즐과, 상기 DIW 노즐에 DIW를 공급하는 DIW 공급 기구를 더 구비하고 있고, 상기 기억 매체는, 상기 컴퓨터가 상기 프로그램을 실행하면, 상기 제어부가 상기 액 처리 장치를 제어하여, 상기 프리웨트 공정과 상기 약액 세정 공정 사이에, 상기 기판에 DIW를 공급하여 상기 기판 상에 있는 상기 유기 용제를 DIW로 치환하는 DIW 치환 공정을 더 실시하게 하는 것인 컴퓨터에 의해 판독 가능한 프로그램을 기록하는 기억 매체.
  20. 제19항에 있어서, 상기 컴퓨터가 상기 프로그램을 실행하면, 상기 제어부가 상기 액 처리 장치를 제어하여, 약액 세정 공정에서 상기 약액을 상기 기판에 공급함으로써, 상기 기판 상에 있는 상기 유기 용제가 직접적으로 상기 약액으로 치환되도록, 상기 약액 세정 공정을 실시하게 하는 것인 컴퓨터에 의해 판독 가능한 프로그램을 기록하는 기억 매체.
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TW (1) TWI524453B (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104624548A (zh) * 2013-11-13 2015-05-20 弘塑科技股份有限公司 晶片堆迭结构的洗净方法及洗净设备
KR20160008719A (ko) * 2014-07-14 2016-01-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101877183B1 (ko) * 2014-08-14 2018-07-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법
US10079142B2 (en) 2015-05-29 2018-09-18 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
KR102029127B1 (ko) * 2019-02-08 2019-10-07 영창케미칼 주식회사 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법
KR20220094749A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법
US11925963B2 (en) 2022-05-27 2024-03-12 Semes Co., Ltd. Method for treating a substrate

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5783971B2 (ja) * 2012-08-10 2015-09-24 株式会社東芝 塗布装置および塗布方法
US9870933B2 (en) * 2013-02-08 2018-01-16 Lam Research Ag Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
KR20150000548A (ko) * 2013-06-24 2015-01-05 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP6308910B2 (ja) * 2013-11-13 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
CN104979236B (zh) * 2014-04-11 2017-09-26 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种化学液供给装置及其供给方法
JP6449097B2 (ja) * 2014-07-24 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN105047529A (zh) * 2015-05-28 2015-11-11 上海集成电路研发中心有限公司 改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法
JP6552931B2 (ja) * 2015-09-18 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2017157800A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
JP6623943B2 (ja) 2016-06-14 2019-12-25 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、熱処理装置及び記憶媒体。
EP3282474B1 (en) * 2016-08-11 2021-08-04 IMEC vzw Method for performing a wet treatment of a substrate
JP6690717B2 (ja) * 2016-08-22 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布方法、塗布装置及び記憶媒体
JP6979826B2 (ja) * 2017-08-04 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7250566B2 (ja) * 2019-02-26 2023-04-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TW202105495A (zh) 2019-05-23 2021-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法
JP7419896B2 (ja) * 2020-03-16 2024-01-23 栗田工業株式会社 ウエハの洗浄方法
JP2022023730A (ja) 2020-07-27 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2022023733A (ja) 2020-07-27 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理装置および処理液
JP2022023732A (ja) 2020-07-27 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法、基板処理装置、および、処理液、
CN112185857A (zh) * 2020-09-29 2021-01-05 王健 一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺
JP2022110505A (ja) * 2021-01-18 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187290A (ja) * 1997-09-10 1999-03-30 Hitachi Ltd 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH11176791A (ja) * 1997-12-08 1999-07-02 Sony Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH11340184A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2009302433A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2010103195A (ja) 2008-10-21 2010-05-06 Nikon Corp 積層型半導体装置、積層型半導体装置の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001015480A (ja) 1999-06-29 2001-01-19 Tokyo Electron Ltd 基板の処理方法
JP2003124316A (ja) * 2001-07-12 2003-04-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法及び処理液
US6890864B2 (en) * 2001-07-12 2005-05-10 Nec Electronics Corporation Semiconductor device fabricating method and treating liquid
JP4678665B2 (ja) * 2001-11-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008047831A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ドライエッチング残渣用洗浄液および洗浄法
JP5139844B2 (ja) * 2008-03-04 2013-02-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US7838425B2 (en) 2008-06-16 2010-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of treating surface of semiconductor substrate
US8950414B2 (en) * 2009-07-31 2015-02-10 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP5220707B2 (ja) * 2009-07-31 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187290A (ja) * 1997-09-10 1999-03-30 Hitachi Ltd 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH11176791A (ja) * 1997-12-08 1999-07-02 Sony Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH11340184A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP2009302433A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2010103195A (ja) 2008-10-21 2010-05-06 Nikon Corp 積層型半導体装置、積層型半導体装置の製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104624548A (zh) * 2013-11-13 2015-05-20 弘塑科技股份有限公司 晶片堆迭结构的洗净方法及洗净设备
KR20160008719A (ko) * 2014-07-14 2016-01-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101877183B1 (ko) * 2014-08-14 2018-07-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법
US10079142B2 (en) 2015-05-29 2018-09-18 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
KR102029127B1 (ko) * 2019-02-08 2019-10-07 영창케미칼 주식회사 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법
WO2020162667A1 (ko) * 2019-02-08 2020-08-13 영창케미칼 주식회사 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법
US11488834B2 (en) 2019-02-08 2022-11-01 Young Chang Chemical Co., Ltd Method for forming silicon or silicon compound pattern in semiconductor manufacturing process
KR20220094749A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법
US11925963B2 (en) 2022-05-27 2024-03-12 Semes Co., Ltd. Method for treating a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US9111967B2 (en) 2015-08-18
KR101678248B1 (ko) 2016-11-21
US20120260949A1 (en) 2012-10-18
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TWI524453B (zh) 2016-03-01
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