TWI525679B - Liquid treatment methods, liquid treatment devices and memory media - Google Patents

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Nobutaka Mizutani
Tsutae Omori
Takehiko Orii
Akira Fujita
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Tokyo Electron Ltd
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Description

液處理方法，液處理裝置及記憶媒體
本發明是有關液處理方法，液處理裝置及記憶媒體。
以往有在基板本體部(本體部)的表面側形成有微細的複數個凸狀部作為微細圖案的被處理基板(被處理體)實施純水等的洗滌液，對該被處理基板施以洗滌液後實施乾燥處理的液處理方法為人所知。然而，在使用如此的液處理方法時，將被供給至被處理基板的洗滌液乾燥時，洗滌液的表面張力會作用於基板本體部所突設的凸狀部間，鄰接的凸狀部彼此間會拉扯而倒塌。
為了防止如此的凸狀部的倒塌，有利用藥液來洗淨被處理基板，利用純水來除去此藥液，然後，在被處理基板表面形成撥水性保護膜的技術為人所知(專利文獻1參照)。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特許第4403202號公報
然而，將基板本體部的表面(底面)及凸狀部表面全 面性地撥水化時，依凸狀部的圖案形狀等，進行乾燥處理時，洗滌液不一定會在被處理基板的面內均一地乾燥，有時洗滌液乾燥的部分與洗滌液潤濕的部分會成為混在的狀態。此情況，在洗滌液乾燥的部分與洗滌液潤濕的部分之間，作用於基板本體部上的凸狀部的洗滌液的表面張力的平衡會崩潰，此結果，凸狀部恐有倒塌之虞。
本發明是考慮如此的點而研發者，提供一種在乾燥洗滌液時，可防止洗滌液乾燥的部分與洗滌液濡濕的部分混在，防止凸狀部倒塌的液處理方法、液處理裝置及記憶媒體。
本發明的液處理方法，係處理被處理體的液處理方法，該被處理體係具有本體部及突設於該本體部的複數個凸狀部，且在前述本體部上前述凸狀部間形成有底面，其特徵係具備：表面處理工程，其係使前述被處理體的前述底面成為親水化，且前述凸狀部表面成為撥水化的狀態；洗滌液供給工程，其係對於被表面處理的前述被處理體供給洗滌液；乾燥工程，其係從前述被處理體除去前述洗滌液。
本發明的液處理裝置，係處理被處理體的液處理裝置，該被處理體係具有本體部及突設於該本體部的複數個凸狀部，且在前述本體部上前述凸狀部間形成有底面，其特 徵係具備：基板保持機構，其係保持前述被處理體；表面處理機構，其係對被保持於前述基板保持機構的前述被處理體進行表面處理；洗滌液供給機構，其係對前述被處理體供給洗滌液；及控制部，其係控制前述表面處理機構及前述洗滌液供給機構，前述控制部係控制前述表面處理機構，而使前述被處理體的前述底面成為親水化，且使前述凸狀部表面成為撥水化的狀態，控制前述洗滌液供給機構，對被表面處理的前述被處理體供給前述洗滌液。
本發明的記錄媒體，係儲存用以使液處理方法實行於液處理裝置的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述液處理方法係處理被處理體的液處理方法，該被處理體係具有本體部及突設於該本體部的複數個凸狀部，且在前述本體部上前述凸狀部間形成有底面，前述液處理方法係具有：表面處理工程，其係使前述被處理體的前述底面成為親水化，且前述凸狀部表面成為撥水化的狀態；洗滌液供給工程，其係對於被表面處理的前述被處理體供給洗滌液；乾燥工程，其係從前述被處理體除去前述洗滌液。
若根據本發明，則在對於被處理體供給洗滌液的洗滌液供給工程之前，設置表面處理被處理體的表面處理工程，而使被處理體的底面成為親水化，且凸狀部表面成為撥水化的狀態。藉此，在從被處理體除去洗滌液時，可防止在被處理體的面內洗滌液乾燥的部分與洗滌液濡濕的部分混在，防止凸狀部倒塌。
以下，參照圖1~圖7來說明有關本發明之一實施形態。
被處理體的構成
首先，藉由圖1(a)(b)來說明有關本實施形態的液處理方法中所被使用的被處理基板(被處理體)的構成。圖1(a)是表示被處理基板的一部分的概略平面圖，圖1(b)是表示被處理基板的一部分的概略剖面圖(圖1(a)的I-I線剖面圖)。
如圖1(a)(b)所示，本實施形態的液處理方法所使用的被處理基板(被處理體)W是具有：平板狀的基板本體部(本體部)Wi、及突設於基板本體部Wi上的複數個凸狀部Wm。其中各凸狀部Wm是以所定的圖案來形成於基板本體部Wi’具體而言分別具有圓筒形狀。如圖1(a)所示，各凸狀部Wm是由平面來看縱橫取所定的間隔來 配置。
並且，在基板本體部Wi上，凸狀部Wm間，形成有底面Wf。構成基板本體部Wi的底面Wf的材料，例如可舉SiN、Si、SiO2、等的Si系材料，構成凸狀部Wm的材料，例如可舉TiN(氮化鈦)、W(鎢)、Hf(鉿)、Poly-Si等的金屬系材料。以下，最初，舉基板本體部Wi的底面Wf為撥水性的材料(例如SiN)所構成，凸狀部Wm的材料(例如TiN)的表面為親水性的情況作為例子進行說明，但並非限於此。並且，如此的被處理基板W是可舉半導體晶圓等的被處理基板作為例子，但並非限於此。
液處理裝置的構成
其次，藉由圖2及圖3來說明有關本實施形態的液處理裝置的構成。圖2及圖3是表示本實施形態的液處理裝置的圖。
如圖2所示，液處理裝置10是具備可旋轉保持被處理基板W的基板保持機構50。此基板保持機構50是具有：成為中空構造的支撐板51、及設於支撐板51上，保持被處理基板W的基板本體部Wi而支撐的支撐部57。
並且，在支撐板51的下面連結有延伸於上下方向且成中空構造的旋轉軸52。在支撐板51的中空內配置有升降銷板55，該升降銷板55具有可抵接於被處理基板W的基板本體部Wi的背面(下面)的升降銷55a。在此升降銷 板55的下面連結升降軸56，該升降軸56是在旋轉軸52的中空內延伸於上下方向。
並且，在升降軸56的下端部設有使升降軸56移動於上下方向的升降驅動部45。而且，在支撐板51的周緣外方設有杯59，該杯59是用以遮蔽藉由支撐部57所支撐的被處理基板W的周緣及其斜上方。另外，在圖2中是僅圖示1個升降銷55a，但實際上在升降銷板55設有3個的升降銷55a。
又，如圖2所示，液處理裝置是更具備旋轉驅動機構40，該旋轉驅動機構40是具有：配置於旋轉軸52的周緣外方的滑輪43、及經由驅動皮帶42來對此滑輪43給予驅動力的馬達41。
然後，此旋轉驅動機構40是馬達41會使旋轉軸52旋轉，藉此以旋轉軸52為中心使支撐部57旋轉，此結果，構成使藉由基板保持機構50的支撐部57來保持而支撐的被處理基板W旋轉。另外，在旋轉軸52的周緣外方配置有軸承44。
又，如圖3所示，液處理裝置10是具備對保持於基板保持機構50的被處理基板W分別供給藥液、洗滌液、及置換促進液的藥液供給機構20、洗滌液供給機構25、及置換促進液供給機構30。又，液處理裝置10更具備表面處理機構70，該表面處理機構70是對被處理基板W進行表面處理，藉此被處理基板W的底面(Si系材料、例如SiN)會對洗滌液親水化，且凸狀部表面(金屬系材料 、例如TiN)會成為對洗滌液撥水化的狀態。
其中，藥液供給機構20是對於藉由基板保持機構50的支撐部57所支撐的被處理基板W供給藥液者。此藥液供給機構20是具有供給藥液的藥液供給部21、及引導從藥液供給部21供給的藥液的藥液供給管22、以及將來自藥液供給管22的藥液吐出至被處理基板W的液供給噴嘴23。另外，藥液供給管22的一部分是通過液供給臂11內，液供給噴嘴23是設於該液供給臂11的端部。另外，在本實施形態所使用的藥液，例如可舉稀氫氟酸(DHF)、硫酸過氧化氫(SPM)、氨過氧化氫(SCl)等，但並非限於此。
並且，洗滌液供給機構25是對被處理基板W供給洗滌液者，具有洗滌液供給部26、及引導從該洗滌液供給部26供給的洗滌液的洗滌液供給管27。並且，在洗滌液供給管27的端部連接上述液供給噴嘴23。此洗滌液供給管27的一部分是連通液供給臂11內。另外，在本實施形態所使用的洗滌液，例如可使用純水(DIW)，但並非限於此。
又，置換促進液供給機構30是對被處理基板W供給置換促進液者，具有置換促進液供給部31、及引導從該置換促進液供給部31供給的置換促進液的置換促進液供給管32、及被連接至該置換促進液供給管32的端部的置換促進液供給噴嘴33。此置換促進液供給管32的一部分是通過液供給臂11內。另外，在本實施形態所使用的置換 促進液是例如可使用IPA(異丙醇)、PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯)、HFE(氫氟醚)等的兩親媒性液，但並非限於此。
又，如圖3所示，表面處理機構70是具有親水處理液供給機構71、及撥水處理液供給機構75。
其中，親水處理液供給機構71是供給用以使被處理基板W的撥水性的底面Wf親水化的親水處理液者，具有供給親水處理液的親水處理液供給部72、及引導從親水處理液供給部72供給的親水處理液的親水處理液供給管73、及被連結至親水處理液供給管73且設於液供給臂11的端部的親水處理液供給噴嘴74。另外，親水處理液供給管73的一部分是通過液供給臂11內。在本實施形態所使用的親水處理液，例如可使用含臭氧水的藥液、或含SPM的藥液等，但並非限於此。
另一方面，撥水處理液供給機構75是供以用以使被處理基板W的親水性的凸狀部Wm的表面撥水化的撥水處理液者，具有供給撥水處理液的撥水處理液供給部76、及引導從撥水處理液供給部76供給的撥水處理液的撥水處理液供給管77、及被連接至撥水處理液供給管77且設於液供給臂11的端部的撥水處理液供給噴嘴78。撥水處理液供給管77的一部分是通過液供給臂11內。另外，在本實施形態所使用的撥水處理液，例如可使用二甲基胺基三甲基矽烷(TMSDMA)、二甲基(二甲基胺基)矽烷(DMSDMA)、1,1,3,3-四甲基二矽烷(TMDS)、六甲基二 矽烷(HMDS)等的矽烷化劑、或氟聚合物藥液、或含界面活性劑等的藥液，但並非限於此。
又，如圖3所示，液處理裝置10是具有使液供給臂11以搖動軸12為中心搖動於水平方向(與旋轉軸52正交的方向)的液供給臂移動部13。又，如圖2所示，液處理裝置10亦具備控制該液處理裝置10本身、特別是藥液供給機構20、洗滌液供給機構25、置換促進液供給機構30、旋轉驅動機構40、升降驅動部45、基板保持機構50、及表面處理機構70的控制部62。
在本實施形態中，用以使後述的液處理方法實行於液處理裝置10的電腦程式會被儲存於記憶媒體61(參照圖2)。而且，液處理裝置亦具備受理該記憶媒體61的電腦60。然後，控制部62會接受來自電腦60的訊號，控制液處理裝置本身(更具體而言，藥液供給機構20、洗滌液供給機構25、置換促進液供給機構30、旋轉驅動機構40、升降驅動部45、基板保持機構50、及表面處理機構70等)。另外，在本案中所謂記憶媒體61是例如意指CD、DVD、MD、硬碟、RAM等儲存在電腦上動作的電腦程式之記憶媒體。
使用液處理裝置的液處理方法
其次，說明有關由如此的構成所形成的本實施形態的作用，具體而言使用上述液處理裝置的液處理方法。另外，以下的各動作是藉由控制部62來控制。
首先，升降銷板55會藉由升降驅動部45來定位於上方位置(搬送自動裝置(未圖示)交接被處理基板W的位置)(上方定位工程)。此時，液供給臂11是位於離開支撐板51的上方的位置。
其次，藉由升降銷板55的3個升降銷55a來從搬送自動裝置接收被處理基板W，藉由該升降銷55a來支撐被處理基板W的背面(下面)(接收工程)。
其次，藉由升降驅動部45來使升降銷板55定位於下方位置(被處理基板W藉由藥液等來處理的位置)(下方定位工程)(參照圖2)。
在如此升降銷板55定位於下方位置的期間，被處理基板W的基板本體部Wi會藉由支撐板51的支撐部57來保持且支撐(支撐工程)(參照圖2)。此時，被處理基板W是以凸狀部Wm會位於上方，基板本體部Wi會位於下方的方式定位(參照圖1(b))。
此時，液供給臂11會藉由液供給臂移動部13來以搖動軸12為中心移動於水平方向，使液供給臂11移動至被處理基板W的上方。
其次，藉由馬達41來旋轉驅動旋轉軸52，藉此在支撐板51的支撐部57所被保持支撐的被處理基板W會旋轉(旋轉工程)(參照圖3的箭號A)。然後，在如此被處理基板W旋轉的期間，進行以下的工程。
另外，最初被處理基板W是形成：在基板本體部Wi上、複數的凸狀部Wm間，形成有例如由SiO2所構成的氧 化膜Wo的狀態(參照圖5(a))。
首先，藉由藥液供給機構20來對被處理基板W供給藥液(藥液供給工程S1)(參照圖3及圖4)。藉此，形成於被處理基板W的基板本體部Wi上的氧化膜Wo會被選擇性地蝕刻除去(參照圖5(b))。
其次，從洗滌液供給機構25供給洗滌液至被藥液供給機構20供給藥液之後的被處理基板W的表面(洗滌液供給工程S2)(參照圖3及圖4)。藉由如此將洗滌液供給至被處理基板W，可停止被處理基板W的藥液的反應，且可除去藥液。
其次，從表面處理機構70的親水處理液供給機構71供給親水處理液至被處理基板W的表面(親水處理液供給工程S3)(參照圖3及圖4)。藉此，被處理基板W的撥水性的底面Wf(例如SiN)會被選擇性地親水化(參照圖5(c)的粗線部分)。另外，當如此被處理基板W的底面Wf被親水化時，洗滌液與底面Wf的接觸角是形成80°以上為理想，更理想是形成90°以上。
其次，從置換促進液供給機構30供給用以將親水處理液置換成撥水處理液的置換促進液至被親水處理液供給機構71供給親水處理液之後的被處理基板W的表面(置換促進液供給工程S4)(參照圖3及圖4)。另外，在此置換促進液供給工程S4之前，亦可從洗滌液供給機構25供給洗滌液至被處理基板W的表面(洗滌液供給工程)。
其次，從表面處理機構70的撥水處理液供給機構75供給撥水處理液至被處理基板W的表面(撥水處理液供給工程S5)(參照圖3及圖4)。藉此，被處理基板W之成為親水性的凸狀部Wm的表面(例如TiN)會被選擇性地撥水化(參照圖5(d)的粗線部分)。此時，被處理基板W的底面Wf是維持親水化的狀態。另外，當如此被處理基板W的凸狀部Wm的表面被撥水化時，洗滌液與凸狀部Wm的接觸角是形成30°以下為理想，更理想是形成20°以下，最好是形成10°以下。
如此，藉由來自親水處理液供給機構71的親水處理液及來自撥水處理液供給機構75的撥水處理液，被處理基板W的底面Wf會成為被選擇性親水化的狀態，且凸狀部Wm的表面會成為被選擇性地撥水化的狀態。在本實施形態中，藉由該等親水處理液供給工程S3及撥水處理液供給工程S5來構成表面處理工程。
接著，從置換促進液供給機構30供給用以將撥水處理液置換成洗滌液的置換促進液至被撥水處理液供給機構75供給撥水處理液之後的被處理基板W的表面(置換促進液供給工程S6)(參照圖3及圖4)。
其次，從洗滌液供給部26供給洗滌液至被處理基板W的表面(洗滌液供給工程S7)(參照圖3及圖4)。
另外，從上述藥液供給工程S1到洗滌液供給工程S7之間，使被處理基板W的凸狀部Wm不會從液面露出。
然後，來自洗滌液供給部26的洗滌液的供給會被停 止，其次，提高馬達41的旋轉速度，旋轉基板保持機構50，藉此乾燥被處理基板W(乾燥工程S8)。藉此，洗滌液會從被處理基板W的表面除去(參照圖5(e))。
此結果，雖被處理基板W從洗滌液的液面露出，但因為凸狀部Wm的表面對於洗滌液而言被撥水化，所以可縮小作用於凸狀部Wm間的表面張力，可防止凸狀部Wm倒塌。並且，同時，被處理基板W的底面Wf對於洗滌液而言被親水化，所以可防止在被處理基板W的面內洗滌液乾燥的部分與洗滌液潤濕的部分混在，防止凸狀部Wm倒塌。
另外，如上述般被處理基板W旋轉而乾燥的期間，液供給臂11會藉由液供給臂移動部13來以搖動軸12為中心移動於水平方向，使液供給臂11移動至離開被處理基板W的上方的位置。
其次，停止馬達41的旋轉，而停止被處理基板W的旋轉(參照圖3)。其次，藉由升降驅動部45來使升降銷板55定位於上方位置，藉由升降銷55a來舉起被處理基板W(上方定位工程)。然後，藉由搬送自動裝置來接收被處理基板W而搬出(搬出工程)。
如以上般，若根據本實施形態，則在供給洗滌液的工程(洗滌液供給工程S7)之前，對被處理基板W供給親水處理液及撥水處理液(親水處理液供給工程S3及撥水處理液供給工程S5)，藉此使被處理基板W的底面Wf成為親水化的狀態，且凸狀部Wm的表面成為撥水化的狀態 。因此，可防止表面張力作用於凸狀部Wm之間。並且，在使洗滌液從被處理基板W乾燥而除去時，可防止在被處理基板W的面內洗滌液乾燥的部分與洗滌液潤濕的部分混在，防止因為作用於凸狀部Wm的洗滌液的表面張力的平衡崩潰而凸狀部Wm倒塌。
具體而言，在凸狀部Wm間存在洗滌液R時，所欲使凸狀部Wm倒塌的力F是依據以下的式子導出(參照圖6(a))。
在此，γ是意指洗滌液R與凸狀部Wm之間的界面張力，θ(θ1)是意指洗滌液R對凸狀部Wm的表面的傾斜角度，H是意指凸狀部Wm之間的洗滌液R的液面高度，D是意指凸狀部Wm的縱深的長度(未圖示)，S是意指凸狀部Wm間的間隔(參照圖6(a))。
凸狀部Wm的表面未被撥水化時，洗滌液R會被凸狀部Wm牽引，如圖6(b)所示般傾斜角度θ1會變小(cosθ1變大)。此結果，欲使凸狀部Wm倒塌的力F會變大，凸狀部Wm會倒塌(參照圖6(c))。
相對於此，本實施形態因為凸狀部Wm的表面藉由撥水處理液而被撥水化，所以被處理基板W在被乾燥的過程，可將洗滌液R對凸狀部Wm的表面的傾斜角度θ1保持於80°以上，或90°以上(參照圖6(a))，可縮小力F。藉此，可防止凸狀部Wm倒塌。
並且，在本實施形態因為被處理基板W的底面Wf被親水化，所以此親水性的底面Wf的界面張力會變強，可維持洗滌液擴展於被處理基板W的底面Wf上的狀態。藉此，從被處理基板W使洗滌液乾燥而除去時(乾燥工程S8)，洗滌液的液膜會擴展於被親水化的底面Wf上。然後，原封不動維持此狀態，以液膜能夠慢慢地變薄的方式可使被處理基板W乾燥。
圖7是表示如此使洗滌液乾燥而除去時(乾燥工程S8)，被處理基板W的表面的概略剖面圖。圖7中，右方為對應於被處理基板W的中央部，左方為對應於被處理基板W的周緣部(有關後述的圖14也同樣)。
如圖7所示，因為被處理基板W的底面Wf被親水化，所以洗滌液R的液膜擴展於被處理基板W的底面Wf全體，在被處理基板W的面內不會有洗滌液R乾燥的部分與洗滌液R潤濕的部分混在的情形。因此，可防止因為作用於凸狀部Wm的洗滌液R的表面張力的平衡崩潰而凸狀部Wm倒塌。並且，藉由被處理基板W旋轉時的離心力，雖洗滌液R的液膜在被處理基板W的中央部薄，在周緣部厚，但因為在各凸狀部Wm間其厚度的差極小，所以不會產生凸狀部Wm倒塌的現象。
而且，如上述般，藉由撥水處理液，凸狀部Wm的表面會成為撥水化的狀態(撥水處理液供給工程S5)，所以即使因為洗滌液R的甩去方式的不同而產生欲使凸狀部Wm倒塌的力量，其力量也些微，不會有凸狀部Wm倒塌的 情形。
另一方面，如圖14所示的比較例那樣，使被處理基板W的底面Wf與凸狀部Wm的表面雙方撥水化時，在被處理基板W上產生洗滌液R的液滴。藉此，在被處理基板W的面內混在洗滌液R存在的部分及洗滌液R不存在的部分，作用於凸狀部Wm的洗滌液R的表面張力的平衡會崩潰，因此恐有凸狀部Wm倒塌之虞。又，由於洗滌液R的液滴是從被處理基板W的中央部往周緣部移動(參照圖14的箭號)，因此即使在被處理基板W的同一場所，也會藉由洗滌液R而重複潤濕或乾燥，所以每次表面張力會作用於凸狀部Wm，凸狀部Wm恐有倒塌之虞。
變形例
以下，參照圖8~圖13來說明有關本實施形態的各變形例。在圖8~圖13中，對於和圖1~圖7所示的實施形態相同的部分附上同樣的符號，而省略詳細的說明。
上述是利用在表面處理工程中，親水處理液供給工程S3之後，進行撥水處理液供給工程S5的形態來進行說明，但並非限於此，亦可在撥水處理液供給工程S5之後，進行親水處理液供給工程S3。亦即，如圖8所示，亦可在藥液供給工程S1與乾燥工程S8之間，依序進行洗滌液供給工程S2、置換促進液供給工程S9、撥水處理液供給工程S5、置換促進液供給工程S4、親水處理液供給工程S3、及洗滌液供給工程S7。
此情況，亦可使親水性的凸狀部Wm的表面藉由撥水處理液來撥水化，且使撥水性的底面Wf藉由親水處理液來親水化，因此可防止在乾燥工程S8中凸狀部Wm倒塌。
或者，亦可不是分別進行親水處理液供給工程S3、及撥水處理液供給工程S5，而是在表面處理工程中，同時進行底面Wf的親水化、及凸狀部Wm的表面的撥水化。亦即，如圖9所示，亦可在藥液供給工程S1與乾燥工程S8之間，依序進行洗滌液供給工程S2、親水撥水處理液供給工程S10、及洗滌液供給工程S7。此情況，在表面處理工程中，對被處理基板W供給同時實行使撥水性的底面Wf親水化及使親水性的凸狀部Wm的表面撥水化的親水撥水處理液(親水撥水處理液供給工程S10)。另外，如此的親水撥水處理液，例如可使用含界面活性劑的藥液。
如此對被處理基板W供給親水撥水處理液時，如圖10所示般，表面處理機構70是具有親水撥水處理液供給機構81，該親水撥水處理液供給機構81是供給同時實行使撥水性的底面Wf親水化及使親水性的凸狀部Wm的表面撥水化的親水撥水處理液。此情況，親水撥水處理液供給機構81是具有：供給親水撥水處理液的親水撥水處理液供給部82、及引導從親水撥水處理液供給部82供給的親水撥水處理液的親水撥水處理液供給管83、及被連結至親水撥水處理液供給管83且被設於液供給臂11的端部的 親水撥水處理液供給噴嘴84。親水撥水處理液供給管83的一部分是通過液供給臂11內。
此情況，亦可藉由親水撥水處理液來選擇性地使撥水性的底面Wf親水化，且選擇性地使親水性的凸狀部Wm的表面撥水化，因此可防止在乾燥工程S8中凸狀部Wm倒塌。而且，可在1次的工程有效率地實行使撥水性的底面Wf親水化、及使親水性的凸狀部Wm的表面撥水化。
上述是舉最初基板本體部Wi的底面Wf為撥水性的材料(例如SiN)所構成，凸狀部Wm的材料(例如TiN)的表面為形成親水性的情況為例進行說明，但並非限於此。
例如，凸狀部Wm的材料的表面為親水性，另一方面，基板本體部Wi的底面Wf起初為由親水性的材料所構成時，亦可省略親水處理液供給工程S3。亦即，如圖11所示，亦可在藥液供給工程S1與乾燥工程S8之間，依序進行洗滌液供給工程S2、置換促進液供給工程S4、撥水處理液供給工程S5、置換促進液供給工程S6、及洗滌液供給工程S7。此情況，在圖3中，表面處理機構70之中亦可省略親水處理液供給機構71。
或者，基板本體部Wi的底面Wf為由撥水性的材料所構成，另一方面，凸狀部Wm的材料的表面起初為撥水性時，亦可省略撥水處理液供給工程S5。亦即，如圖12所示，亦可在藥液供給工程S1與乾燥工程S8之間，依序進行洗滌液供給工程S2、親水處理液供給工程S3、及洗滌 液供給工程S7。此情況，在圖3中，表面處理機構70之中亦可省略撥水處理液供給機構75。
上述是利用被處理基板W的各凸狀部Wm分別由圓筒形狀所構成的形態來進行說明(參照圖1(a)(b))，但並非限於此。例如圖13(a)(b)所示，被處理基板W的各凸狀部Wm亦可為具有細長的板形狀。在如此的被處理基板W中，亦可在乾燥工程S8防止凸狀部Wm倒塌。另外，圖13(a)是表示被處理基板的一部分的概略平面圖，圖13(b)是表示被處理基板的一部分的概略剖面圖(圖13(a)的XIII-XIII線剖面圖)。
W‧‧‧被處理基板(被處理體)
Wi‧‧‧基板本體部(本體部)
Wm‧‧‧凸狀部
Wf‧‧‧底面
10‧‧‧液處理裝置
11‧‧‧液供給臂
20‧‧‧藥液供給機構
25‧‧‧洗滌液供給機構
30‧‧‧置換促進液供給機構
40‧‧‧旋轉驅動機構
50‧‧‧基板保持機構
51‧‧‧支撐板
52‧‧‧旋轉軸
56‧‧‧升降軸
57‧‧‧支撐部
60‧‧‧電腦
61‧‧‧記憶媒體
62‧‧‧控制部
70‧‧‧表面處理機構
71‧‧‧親水處理液供給機構
75‧‧‧撥水處理液供給機構
81‧‧‧親水撥水處理液供給機構
圖1是表示本發明之一實施形態的液處理方法所使用的被處理基板(被處理體)的圖。
圖2是表示本發明之一實施形態的液處理裝置的構成的側方剖面圖。
圖3是表示本發明之一實施形態的液處理裝置的構成的上方平面圖。
圖4是表示本發明之一實施形態的液處理方法的流程圖。
圖5是表示本發明之一實施形態的液處理方法的各工程的被處理基板的狀態的概略剖面圖。
圖6是用以說明被處理基板的凸狀部倒塌的原理的側方剖面圖。
圖7是表示從被處理基板使洗滌液乾燥而除去時的被處理基板的概略剖面圖。
圖8是表示本發明之一實施形態的變形例的液處理方法的流程圖。
圖9是表示本發明之一實施形態的變形例的液處理方法的流程圖。
圖10是表示本發明之一實施形態的變形例的液處理裝置的構成的上方平面圖。
圖11是表示本發明之一實施形態的變形例的液處理方法的流程圖。
圖12是表示本發明之一實施形態的變形例的液處理方法的流程圖。
圖13是表示本發明之一實施形態所使用的被處理基板的別的形態的側方剖面圖。
圖14是表示比較例從被處理基板使洗滌液乾燥而除去時的被處理基板的概略剖面圖。

Claims (9)

  1. 一種液處理方法，係處理被處理體的液處理方法，該被處理體係具有本體部及突設於該本體部的複數個凸狀部，且在前述本體部上前述凸狀部間形成有底面，其特徵係具備：藥液供給工程，其係對於前述被處理體供給藥液；洗滌液供給工程，其係對於前述被處理體供給洗滌液，藉此從前述被處理體去除前述藥液；表面處理工程，其係在從前述被處理體去除前述藥液之後，以含臭氧水的藥液來處理前述被處理體的表面，使由Si系撥水性材料所構成的前述被處理體的前述底面成為選擇地親水性，且以撥水處理液來處理前述被處理體的前述表面，使由金屬系親水性材料所構成的各前述凸狀部表面成為選擇地撥水性的狀態；洗滌液供給工程，其係對於被表面處理的前述被處理體供給洗滌液；及乾燥工程，其係從前述被處理體除去前述洗滌液，藉此乾燥前述被處理體。
  2. 如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，前述表面處理工程係包含撥水處理液供給工程，其係對前述被處理體供給撥水處理液，使前述凸狀部的前述親水性的表面成為撥水性。
  3. 如申請專利範圍第1項中的任一項所記載之液處理方法，其中，前述被處理體的各前述凸狀部係分別具有圓 筒形狀。
  4. 如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，前述表面處理工程係包含親水處理液供給工程，其係對前述被處理體供給親水處理液，使前述撥水性的底面成為親水性，以及然後，撥水處理液供給工程，其係對前述被處理體供給撥水處理液，使前述凸狀部的前述親水性的表面成為撥水性。
  5. 如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，前述表面處理工程係包含撥水處理液供給工程，其係對前述被處理體供給撥水處理液，使前述凸狀部的前述親水性的表面成為撥水性，以及然後，親水處理液供給工程，其係對前述被處理體供給親水處理液，使前述撥水性的底面成為親水性。
  6. 如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，前述撥水處理液係包含二甲基胺基三甲基矽烷(TMSDMA)、二甲基(二甲基胺基)矽烷(DMSDMA)、1,1,3,3-四甲基二矽烷(TMDS)、及六甲基二矽烷(HMDS)等的矽烷化劑、或含氟聚合物的藥液、或含界面活性劑的藥液。
  7. 如申請專利範圍第1項之液處理方法，其中，前述Si系撥水性材料係SiN、Si、SiO2中所選之一者，以及前述金屬系親水性材料係TiN(氮化鈦)、W(鎢)、Hf(鉿)、及Poly-Si中所選之一者。
  8. 一種液處理裝置，係處理被處理體的液處理裝置，該被處理體係具有本體部及突設於該本體部的複數個凸狀 部，且在前述本體部上前述凸狀部間形成有底面，其特徵係具備：基板保持機構，其係保持前述被處理體；表面處理機構，其係對被保持於前述基板保持機構的前述被處理體進行表面處理；洗滌液供給機構，其係對前述被處理體供給洗滌液；及控制部，其係控制前述表面處理機構及前述洗滌液供給機構，前述控制部係控制前述表面處理機構，而使在從前述被處理體去除前述藥液之後，以含臭氧水的藥液來處理前述被處理體的表面，使由Si系撥水性材料所構成的前述被處理體的前述底面成為選擇地親水性，且以撥水處理液來處理前述被處理體的前述表面，使由金屬系親水性材料所構成的各前述凸狀部表面成為選擇地撥水性的狀態，控制前述洗滌液供給機構，對被表面處理的前述被處理體供給前述洗滌液。
  9. 一種非暫態電腦可讀記憶媒體，係儲存用以使液處理方法實行於液處理裝置的電腦程式，其特徵為：前述液處理方法係處理被處理體的液處理方法，該被處理體係具有本體部及突設於該本體部的複數個凸狀部，且在前述本體部上前述凸狀部間形成有底面，前述液處理方法係具有：藥液供給工程，其係對於前述被處理體供給藥液； 洗滌液供給工程，其係對於前述被處理體供給洗滌液，藉此從前述被處理體去除前述藥液；表面處理工程，其係在從前述被處理體去除前述藥液之後，以含臭氧水的藥液來處理前述被處理體的表面，使由Si系撥水性材料所構成的前述被處理體的前述底面成為選擇地親水性，且以撥水處理液來處理前述被處理體的前述表面，使由金屬系親水性材料所構成的各前述凸狀部表面成為選擇地撥水性的狀態；洗滌液供給工程，其係對於被表面處理的前述被處理體供給洗滌液；乾燥工程，其係從前述被處理體除去前述洗滌液，藉此乾燥前述被處理體。
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