KR102426238B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 도포되는 처리액의 유실을 방지함으로써 기판에 형성된 미세 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있도록 하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치는, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 공급하는 제2처리부와, 상기 소수성 물질이 공급된 기판에 처리액 공급하는 제1처리부를 포함하여 구성된다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판처리방법은, 증착막이 도포된 기판의 테두리부를 소수성 물질을 사용하여 식각하는 제1단계와, 상기 식각 처리된 기판에 처리액을 도포하는 제2단계를 포함하여 구성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리방법은, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 도포하여 소수성 층을 형성하는 제1단계와, 상기 소수성 층으로 둘러싸인 기판의 상면에 처리액을 도포하는 제2단계를 포함하여 구성된다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Apparatus and Method for processing substrate}
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 상에 도포되는 처리액의 유실 및 이로 인해 초래되는 패턴 붕괴 현상을 방지하기 위한 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.
그러나, 이러한 습식세정에 사용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 사용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 초임계유체를 사용한 기판처리방법과 관련된 선행기술의 일례로서, 등록특허 제10-1536712호에는 제1공정챔버에서 케미컬 공정과 린스 공정 및 유기용제 공정이 순차로 이루어지는 세정 공정을 수행하고, 세정 공정을 마친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하여 초임계유체를 사용한 건조 공정을 수행하는 기판처리방법이 개시되어 있다.
상기 유기용제 공정은 린스 공정을 거치며 기판 상에 잔류하는 린스제를 유기용제로 치환함으로써, 후속되는 건조 공정에서 초임계유체와 유기용제 간에 용해 반응이 원활하게 이루어지도록 하여 기판의 건조 성능을 향상시킬 수 있도록 한다.
그러나, 종래의 기판처리방법에 의하면, 유기용제 공정을 거쳐 기판 상에 유기용제가 도포된 상태에서 기판이 이송로봇에 의해 제1공정챔버에서 제2공정챔버로 이송되는 도중에 유기용제가 기판의 외측으로 흘러내려 유실됨에 따라서 기판 상에 유기용제의 분포 상태가 불균일하게 되어 기판에 형성된 패턴이 붕괴됨으로써 공정불량이 초래되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판 상에 도포되는 처리액의 유실을 방지함으로써 기판에 형성된 미세 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있도록 하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판처리장치는, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 공급하는 제2처리부와, 상기 소수성 물질이 공급된 기판에 처리액 공급하는 제1처리부를 포함하여 구성된다.
상기 소수성 물질은, 불산, 계면활성제, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
상기 처리액은 유기용제이며, 이소프로필알콜(IPA)일 수 있다.
본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법은, 증착막이 도포된 기판의 테두리부를 소수성 물질을 사용하여 식각하는 제1단계와, 상기 식각 처리된 기판 상에 처리액을 도포하는 제2단계를 포함하여 구성된다.
상기 제1단계는, 불산 또는 계면활성제를 상기 소수성 물질로 사용하여 수행될 수 있다.
상기 제1단계는, 상기 기판의 표면이 노출되는 깊이까지 상기 증착막을 식각하는 것으로 구성될 수 있다.
상기 제1단계는, 상면이 노출된 상기 기판과 상기 소수성 물질 간의 반응에 의해 상기 기판의 테두리부 표면에 소수화부를 형성할 수 있다.
상기 제1단계는 상기 기판 테두리부의 EBR(Edge Bead Remover) 영역을 식각하는 것으로 구성될 수 있다.
상기 제1단계는 상기 식각 처리된 기판을 세정하는 린스 공정을 추가로 수행할 수 있다.
상기 제2단계는 유기용제를 상기 처리액으로 사용할 수 있다.
상기 제2단계는 이소프로필알콜(IPA)을 상기 처리액으로 사용할 수 있다.
상기 제1단계에 선행하여 기판을 세정하는 케미컬 공정과 린스 공정을 수행할 수 있다.
상기 제1단계와 제2단계를 제1공정챔버에서 수행하고, 상기 제2단계를 거친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하는 제3단계, 및 상기 제2공정챔버로 반입된 기판을 초임계유체를 사용하여 건조하는 제4단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법은, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 도포하여 소수성 층을 형성하는 제1단계와, 상기 소수성 층으로 둘러싸인 기판의 상면에 처리액을 도포하는 제2단계를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 제1단계는, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나를 상기 소수성 물질로 사용할 수 있다.
상기 제1단계는 상기 기판 테두리부의 EBR(Edge Bead Remover) 영역에 상기 소수성 층을 형성할 수 있다.
상기 제2단계는 유기용제를 상기 처리액으로 사용할 수 있다.
상기 제2단계는 이소프로필알콜(IPA)을 상기 처리액으로 사용할 수 있다.
상기 제1단계에 선행하여 기판을 세정하는 케미컬 공정과 린스 공정을 수행할 수 있다.
상기 제1단계와 제2단계를 제1공정챔버에서 수행하고, 상기 제2단계를 거친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하는 제3단계, 및 상기 제2공정챔버로 반입된 기판을 초임계유체를 사용하여 건조하는 제4단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 의하면, 기판의 테두리부를 소수성 물질을 사용하여 식각하거나, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 도포하여 소수성 층을 형성한 후에 기판 상에 유기용제 등의 처리액을 도포함으로써, 처리액이 도포된 상태에서 기판을 이송하더라도 처리액이 기판의 외측으로 유실되는 것을 방지할 수 있어, 처리액이 유실되는 경우에 초래될 수 있는 미세 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있으며, 이로써 기판을 사용하여 제조되는 반도체 장치의 성능과 품질, 생산성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명이 적용되는 기판처리장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 도 1에 도시된 제1공정챔버의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법의 순서도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법을 공정순서에 따라 나타낸 상태도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법의 순서도,
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법을 공정순서에 따라 나타낸 상태도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하면, 본 발명이 적용되는 기판처리장치(1)는, 기판(S)을 세정한 후 초임계유체를 사용하여 건조 처리하는 장치일 수 있다. 상기 기판(S)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(S)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 기판 등일 수 있다.
상기 기판처리장치(1)는, 로드포트(100), 인덱스부(200), 버퍼챔버(300), 제1공정챔버(400), 이송부(500), 및 제2공정챔버(600)로 구성될 수 있다.
상기 로드포트(100)는, 기판(S)이 로딩 또는 언로딩되는 부분으로, 로드포트(100)에는 기판(S)이 수납되는 복수의 카세트(110)가 구비될 수 있다. 상기 카세트(110)는 전면 개방 일체형 포드(FOUP; front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 기판(S)은 외부의 이송로봇(미도시됨)에 의해 카세트(110)로 반입되거나, 카세트(110)로부터 외부로 반출될 수 있다.
상기 인덱스부(200)는, 상기 로드포트(100)에 구비된 카세트(110)와 버퍼챔버(300) 간에 기판(S)을 이송하기 위한 구성으로, 인덱스 로봇(210)과 인덱스 레일(220)을 포함할 수 있다. 상기 인덱스 로봇(210)은 인덱스 레일(220)을 따라 이동하며 기판(S)을 이송할 수 있다.
상기 버퍼챔버(300)는, 인덱스부(200)로부터 제1공정챔버(400)로 이송되는 기판(S)과, 제2공정챔버(600)로부터 인덱스부(200)로 이송되는 기판(S)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다.
상기 제1공정챔버(400)는 기판(S)의 세정 공정이 수행되는 부분으로, 상기 제1공정챔버(400)에서는 케미컬 공정, 린스 공정, 소수화 공정, 및 유기용제 공정이 순차로 수행될 수 있다.
상기 제2공정챔버(600)에서는 상기 세정 공정을 마친 기판(S)을 초임계유체를 사용하여 건조시키는 건조 공정이 수행될 수 있다.
상기 제1공정챔버(400)와 제2공정챔버(500) 사이에는 기판(S)을 이송하는 이송부(500)가 구비된다. 상기 이송부(500)는, 버퍼챔버(300)에 놓인 기판(S)을 제1공정챔버(400)로 이송하거나, 상기 제1공정챔버(400)에서 세정 공정을 마친 기판(S)을 제2공정챔버(600)로 이송하거나, 상기 제2공정챔버(600)에서 건조 공정을 마친 기판(S)을 버퍼챔버(300)로 이송하기 위한 구성으로, 이송로봇(510)과 이송레일(520)을 포함할 수 있다. 상기 이송로봇(510)은 이송레일(520)을 따라 이동하며 기판(S)을 이송할 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 제1공정챔버(400)에서는, 기판(S)의 케미컬 공정, 린스 공정, 소수화(疏水化) 공정, 및 처리액 도포 공정이 순차로 수행될 수 있다.
상기 케미컬 공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 상기 린스 공정은 기판(S)에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 상기 소수화 공정은 후속되는 처리액 도포 공정에 앞서 기판(S)의 테두리부를 소수화시켜 처리액의 유실을 방지하기 위한 공정이고, 상기 처리액 도포 공정은 린스제를 유기용제 등의 처리액으로 치환함으로써, 후속되는 제2공정챔버(600)에서 초임계유체를 사용한 기판의 건조시 초임계유체와 처리액 간에 용해 반응이 원활하게 이루어지도록 하여 기판의 건조 성능을 높이기 위한 공정이다.
상기 제1공정챔버(400)는, 제1처리부(410), 제2처리부(420), 기판지지부(430), 및 처리유체 회수부(440)를 포함할 수 있다.
상기 제1처리부(410)는 세정제와 린스제 및 처리액 등의 제1처리유체를 기판(S)에 공급하기 위한 구성으로, 제1처리유체 공급원(411)과 제1처리유체 공급라인(412) 및 제1노즐(413)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제1처리부(410)는 사용되는 세정제과 린스제 및 처리액 종류의 수에 대응하는 복수로 구비될 수 있다.
상기 제1노즐(413)은 회전하는 기판(S)의 중앙부를 향하여 제1처리유체를 공급하도록 배치될 수 있다.
상기 세정제로는 과산화수소 용액이나, 과산화수소 용액에 암모니아, 염산 또는 황산을 혼합한 용액 또는 불산 용액 등이 사용될 수 있다.
상기 린스제로는 순수(DI)가 사용될 수 있다.
상기 처리액으로는 이소프로필알콜(IPA) 등의 유기용제가 사용될 수 있다. 상기 처리액은 이소프로필알콜(IPA) 이외에도 에틸글리콜, 1-프로파놀, 테트라하이드로프랑, 4-하이드록시, 4-메틸, 2-펜타논, 1-부타놀, 2-부타놀, 메탄올, 에탄올 등이 사용될 수 있다.
상기 제2처리부(420)는 소수성 물질로 이루어진 제2처리유체를 기판(S)의 테두리부에 공급하기 위한 구성으로, 제2처리유체 공급원(421)과 제2처리유체 공급라인(422) 및 제2노즐(423)을 포함할 수 있다. 상기 제2노즐(423)은 회전하는 기판(S)의 테두리부를 향하여 제2처리유체를 공급하도록 배치될 수 있다.
상기 소수성 물질로는, 불산, 계면활성제, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 등이 사용될 수 있다. 상기 소수성 물질을 사용한 기판 테두리의 소수화 방법은 후술하기로 한다.
상기 기판지지부(430)는 기판(S)을 지지하고 회전시키기 위한 구성으로, 스핀척(431)과, 상기 스핀척(431) 상에 결합되어 기판을 지지 및 고정시키는 지지핀(432)과 고정핀(433), 상기 스핀척(431)의 하부에 결합된 회전축(434)과, 상기 회전축(434)의 회전을 위한 동력을 제공하는 회전구동부(435)를 포함할 수 있다.
상기 처리유체 회수부(440)는 회전하는 기판(S) 상에 공급되어 비산하는 제1처리유체와 제2처리유체를 회수 처리하기 위한 구성으로, 기판(S)의 둘레방향으로 배치되며 링 형상으로 이루어진 복수의 회수컵(441)과, 상기 복수의 회수컵(441) 사이에 상하로 구획되어 형성된 복수의 회수구(442)와, 상기 회수컵(441)을 지지하는 지지부재(443), 및 상기 지지부재(443)를 승강시키는 동력을 제공하는 승강 구동부(444)를 포함할 수 있다.
상기 승강 구동부(444)의 구동에 의해 지지부재(443)와 이에 결합된 회수컵(441)은 처리유체의 종류에 대응하여 해당 회수구(442)가 기판(S)의 측부 둘레에 위치하도록 설정된 높이까지 승강되어 원심력에 의해 기판(S)의 외측방향으로 비산하는 해당 처리유체를 회수하게 된다.
이하, 상기와 같이 구성된 기판처리장치(1)에서의 기판처리방법을 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법은, 제1공정챔버(400)로 기판을 반입하는 단계(S11), 상기 제1공정챔버(400)에서 케미컬 공정과 린스 공정을 순차로 수행하는 단계(S12,S13), 기판(S)의 테두리부를 식각하고 린스 공정을 수행하는 단계(S14), 린스제를 유기용제로 치환하는 유기용제 공정을 수행하는 단계(S15), 유기용제 공정을 마친 기판(S)을 이송부(500)에 의해 이송하여 제2공정챔버(600)로 반입하는 단계(S16), 및 제2공정챔버(600)에서 초임계 건조 공정을 수행하는 단계(S17)로 이루어진다.
도 4를 참조하여, 상기 S14와 S15 단계를 설명한다.
도 4(a)는 기판(S) 상에 미세 패턴(미도시됨)을 포함하는 증착막(10)이 형성된 모습을 나타낸 것으로, 상기 증착막(10)의 미세 패턴들 사이에는 린스 공정에 사용된 순수(DI) 등의 린스제가 잔류하는 상태이다.
도 4(b)는 회전하는 기판(S)의 테두리부에 소수성 물질(20)인 식각유체를 사용하여 증착막(10)의 테두리부를 식각하는 단계를 나타낸 것이다. 상기 테두리부는 패턴이 형성되어 있지 않으며 기판의 처리가 완료된 후에 제거될 부분인 EBR(Edge Bead Remover) 영역일 수 있다. 이 단계에서, 상기 소수성 물질(20)로는 불산 또는 계면활성제가 사용될 수 있다. 이와 같은 증착막(10)의 테두리부의 식각은 기판(S)의 표면이 외부로 노출되는 깊이까지 수행될 수 있다.
도 4(c)는 상기 소수성 물질(20)에 의한 식각에 의해 기판(S)의 테두리부 상에 소수화부(30)가 형성된 모습을 나타낸 것이다. 이 단계에서 상기 소수화부(30)는 상면이 노출된 기판(S)과 상기 소수성 물질(20) 간의 반응에 의해 형성될 수 있다. [반응예 : SiO2(기판)+2HF(소수성 물질)→H2O+SiOF2(소수화부)]
상기 식각 공정을 마친 후에는 식각 부산물을 제거하여 기판(S)을 세정하기 위한 린스 공정이 추가로 수행될 수 있다.
도 4(d)는 테두리부 표면에 소수화부(30)가 형성된 기판(S) 상에 이소프로필알콜(IPA) 등의 처리액(40)을 공급하는 단계를 나타낸 것이다. 이 단계에서 공급된 처리액(40)은 회전하는 기판(S) 상에 균일하게 분산되고, 도 4(e)에 도시된 바와 같이 기판(S)의 테두리부로 분산되어 공급된 처리액(40)은 소수화부(30) 상에서 맺혀 있는 상태로 유지되므로, 상기 처리액(40)이 소수화부(30)의 외측으로 유동하여 유실되는 것을 방지할 수 있다.
따라서 제1공정챔버(400)에서 유기용제 공정을 마친 기판(S)이 이송부(500)에 의해 제2공정챔버(600)로 이송되더라도 이송도중에 처리액(40)의 유실을 방지할 수 있으며, 이로써 상기 처리액(40)이 유실되는 경우에 초래될 수 있는 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있게 된다.
상기 제2공정챔버(500)로 반입된 기판(S)은 초임계유체를 사용하는 건조 공정을 거쳐 건조된다.
이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법을 설명한다. 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법은, 제1공정챔버(400)로 기판을 반입하는 단계(S21), 상기 제1공정챔버(400)에서 케미컬 공정과 린스 공정을 순차로 수행하는 단계(S22,S23), 기판(S)의 테두리부에 소수성 물질(50)을 도포하는 단계(S24), 린스제를 유기용제로 치환하는 유기용제 공정을 수행하는 단계(S25), 유기용제 공정을 마친 기판(S)을 이송부(500)에 의해 제2공정챔버(600)로 반입하는 단계(S26), 및 제2공정챔버(600)에서 초임계 건조 공정을 수행하는 단계(S27)로 이루어진다.
도 6을 참조하여, 상기 S24와 S25 단계를 설명한다.
도 6(a)는 기판(S) 상에 미세 패턴(미도시됨)을 포함하는 증착막(10)이 형성된 모습을 나타낸 것으로, 상기 증착막(10)의 미세 패턴 사이에는 린스 공정에 사용된 순수(DI) 등의 린스제가 잔류하는 상태이다.
도 6(b)는 회전하는 기판(S) 상의 증착막(10)의 테두리부에 소수성 물질(50)을 공급하는 단계를 나타낸 것이다. 상기 테두리부는 패턴이 형성되어 있지 않으며 기판의 처리가 완료된 후에 제거될 부분인 EBR(Edge Bead Remover) 영역일 수 있다. 이 단계에서, 상기 소수성 물질(50)로는 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
도 6(c)는 상기 증착막(10)의 테두리부 상에 소수성 층(50')이 형성된 모습을 나타낸 것이다.
도 6(d)는 테두리부 표면에 소수성 층(50')이 형성된 기판(S) 상에 이소프로필알콜(IPA) 등의 처리액(40)을 공급하는 단계를 나타낸 것이다. 이 단계에서 공급된 처리액(40)은 회전하는 기판(S) 상에 균일하게 분산되고, 도 6(e)에 도시된 바와 같이 기판(S)의 테두리부로 분산 공급된 처리액(40)은 소수성 층(50')에 의해 외측으로의 유동이 차단되므로 처리액(40)이 유실되는 것을 방지할 수 있다.
따라서 제1공정챔버(400)에서 유기용제 공정을 마친 기판(S)이 이송부(500)에 의해 제2공정챔버(600)로 이송되더라도 이송도중에 상기 처리액(40)의 유실을 방지할 수 있으며, 이로써 상기 처리액(40)이 유실되는 경우에 초래될 수 있는 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있다.
상기 제2공정챔버(500)로 반입된 기판(S)은 초임계유체를 사용하는 건조 공정을 거쳐 건조된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
1 : 기판처리장치 10 : 증착막
20 : 소수성 물질 30 : 소수화부
40 : 처리액 50 : 소수성 물질
50' : 소수성 층 100 : 로드포트
110 : 카세트 200 : 인덱스부
210 : 인덱스 로봇 220 : 인덱스 레일
300 : 버퍼챔버 400 : 제1공정챔버
410 : 제1처리부 411 : 제1처리유체 공급원
412 : 제1처리유체 공급라인 413 : 제1노즐
420 : 제2처리부 421 : 제2처리유체 공급원
422 : 제2처리유체 공급라인 423 : 제2노즐
430 : 기판지지부 431 : 스핀척
432 : 지지핀 433 : 고정핀
434 : 회전축 435 : 회전구동부
440 : 처리유체 회수부 441 : 회수컵
442 : 회수구 443 : 지지부재
444 : 승강구동부 500 : 이송부
510 : 이송로봇 520 : 이송레일
600 : 제2공정챔버 S : 기판

Claims (21)

  1. 증착막이 도포된 기판의 테두리부에 소수성 물질을 공급하여 상기 기판의 표면이 노출되는 깊이까지 상기 증착막을 식각하는 제2처리부;
    상기 소수성 물질이 공급된 기판에 처리액 공급하는 제1처리부;
    를 포함하고,
    상기 제2처리부는 상면이 노출된 상기 기판과 상기 소수성 물질 간의 반응에 의해 상기 기판의 테두리부 표면에 소수화부를 형성하는, 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소수성 물질은, 불산, 계면활성제, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 처리액은 유기용제인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 처리액은 이소프로필알콜(IPA)인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 증착막이 도포된 기판의 테두리부를 소수성 물질을 사용하여 상기 기판의 표면이 노출되는 깊이까지 상기 증착막을 식각하는 제1단계;
    상기 식각 처리된 기판 상에 처리액을 도포하는 제2단계;
    를 포함하고,
    상기 제1단계는, 상면이 노출된 상기 기판과 상기 소수성 물질 간의 반응에 의해 상기 기판의 테두리부 표면에 소수화부를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1단계는, 불산 또는 계면활성제를 상기 소수성 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1단계는 상기 기판 테두리부의 EBR(Edge Bead Remover) 영역을 식각하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제1단계는 상기 식각 처리된 기판을 세정하는 린스 공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 제2단계는 유기용제를 상기 처리액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 제5항에 있어서,
    상기 제2단계는 이소프로필알콜(IPA)을 상기 처리액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 제5항에 있어서,
    상기 제1단계에 선행하여 기판을 세정하는 케미컬 공정과 린스 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 제5항에 있어서,
    상기 제1단계와 제2단계를 제1공정챔버에서 수행하고,
    상기 제2단계를 거친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하는 제3단계; 및
    상기 제2공정챔버로 반입된 기판을 초임계유체를 사용하여 건조하는 제4단계를 더 포함하는 기판처리방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
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