JP2015019046A - 流体ノズルおよび基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法 - Google Patents

流体ノズルおよび基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015019046A
JP2015019046A JP2014001461A JP2014001461A JP2015019046A JP 2015019046 A JP2015019046 A JP 2015019046A JP 2014001461 A JP2014001461 A JP 2014001461A JP 2014001461 A JP2014001461 A JP 2014001461A JP 2015019046 A JP2015019046 A JP 2015019046A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluid
liquid
substrate
nozzle
introduction pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014001461A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5678217B2 (ja
Inventor
志明 ▲トン▼
志明 ▲トン▼
Chih-Ming Teng
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ELS SYSTEM TECHNOLOGY CO Ltd
Original Assignee
ELS SYSTEM TECHNOLOGY CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ELS SYSTEM TECHNOLOGY CO Ltd filed Critical ELS SYSTEM TECHNOLOGY CO Ltd
Publication of JP2015019046A publication Critical patent/JP2015019046A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5678217B2 publication Critical patent/JP5678217B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0416Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
    • B05B7/0483Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with gas and liquid jets intersecting in the mixing chamber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/08Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point
    • B05B7/0884Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point the outlet orifices for jets constituted by a liquid or a mixture containing a liquid being aligned
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Nozzles (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

【課題】洗浄効果が従来より遥かに高い流体ノズル、これを具えた基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】内部前面213と、該内部前面と間隔をおいて向かい合う内部後面214と、内部前面213と内部後面214それぞれの一端同士を繋いでいる内部底面216と、他端同士を繋いでいる内部頂面215とによりその内部に流体チャンバ3が画成されているノズル本体2と、流体チャンバ3とノズル本体2の外部とをそれぞれ連通するように、内部頂面215を貫通している気体導入管4と、内部前面213を貫通して流体チャンバ3に入り内部後面214近くまで延伸している液体導入管5と、それぞれ内部底面216を貫通している複数の流体噴出路6とを具えていることを特徴とする流体ノズル、および該流体ノズルを具えた基板洗浄装置、並びに該基板洗浄装置を用いた基板の洗浄方法の提供。
【選択図】図4

Description

本発明は、洗浄装置に関し、より詳しくは流体ノズル及び流体ノズルを具えた基板洗浄装置並びに該装置を用いる基板の洗浄方法に関する。
半導体チップの製造工程は多岐に渡るが、その各工程に潜在的な汚染源があり、製造されたチップの表面に例えば化学物質を含む液体や化合物が付着していることもある。このような付着物の残留は、製品の欠陥の発生や半導体の特性が失われる原因となる。そのため、例えば洗浄液を用いて付着物を洗浄する必要がある。
従来の洗浄方法としては、半導体チップの基板を洗浄液に浸けたり、基板に洗浄液を噴きつけたりして基板上の残留付着物を除去する方法が採られている。しかし従来の方法では、洗浄効果が充分ではなく、歩留まり向上の妨げとなっている。また、洗浄液には化学物質を含有する薬液を用いており、使用後の薬液の処理も手間のかかるものである。
また、洗浄液を噴きつけるためのノズルとしては、1つのノズルで洗浄液や乾燥用の気体などを噴出できるものが開示されている(特許文献1参照)。しかし洗浄効果の向上には大いに改良の余地がある。
台湾登録実用新案M412455公報
本発明は、上記従来技術の問題点を解決するべくなされたものであり、その目的は、洗浄効果が従来より遥かに高くなるよう構成された流体ノズル、およびそれを具えた基板洗浄装置、並びに該洗浄装置と使用後の処理が簡単な洗浄液を用いる基板の洗浄方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。即ち、内部に流体チャンバが設けられているノズル本体であって、前記流体チャンバが、該ノズル本体の内部に設けられている内部前面と、該内部前面と所定の第1の方向に間隔をおいて向かい合っている内部後面と、該内部前面および該内部後面それぞれの一端同士を繋いでいる内部底面と、該内部前面および該内部後面それぞれの他端同士を繋いでおり該内部底面と向かい合っている内部頂面とにより画成されているノズル本体と;前記流体チャンバと前記ノズル本体の外部とを連通するように前記内部頂面を貫通している気体導入管と;前記流体チャンバと前記ノズル本体の外部とを連通するように前記第1の方向に沿って前記内部前面を貫通して前記流体チャンバに入り込む上、少なくとも前記内部後面近くまで延伸している液体導入管と;前記ノズル本体の外部と前記流体チャンバとを連通するように前記第1の方向に互いに間隔を置いてそれぞれ前記内部底面を貫通している複数の流体噴出路と;を具えていることを特徴とする流体ノズルを提供する。
また、本発明は、上記液体ノズルを、前記第1の方向と直交する方向に沿って複数並べて構成したことを特徴とする基板洗浄装置をも提供する。
なお、上記基板洗浄装置は、前記流体ノズルを2つ具え、該2つの流体ノズルの内の一方の前記複数の流体噴出路と他方の前記複数の流体噴出路とが、前記内部底面から前記外部底面に近づくにつれて互いに離れるように延伸していることが好ましい。
更に、本発明は、上記基板洗浄装置を用いた基板の洗浄方法であって、二酸化炭素を純水に溶解させてなった洗浄液を、洗浄液を前記流体ノズルの前記液体導入管から前記流体チャンバに注入すると共に、気体を前記流体ノズルの前記気体導入管から前記流体チャンバに注入し、前記洗浄液を前記複数の流体噴出路から前記流体ノズルの外部に噴出させ、前記基板に噴射することを特徴とする基板洗浄方法をも提供する。
なお、上記基板洗浄方法においては、該純水として脱イオン水を用いることが好ましい。
本発明に係る流体ノズルによれば、液体導入管がノズル本体の外部から内部前面を貫通して流体チャンバ内で少なくとも内部後面近くまで延伸するように形成されている上に、液体導入管の延伸方向、つまり第1の方向に沿って長く開口するように形成された液体流出口を有しているので、気体導入管に気体を、液体導入管に洗浄液をそれぞれ注入すると、流体チャンバ内に洗浄液と気体がそれぞれ均等に注入され、また、流体チャンバ内で洗浄液が気体に均等に圧迫されて各流体噴出路から均等な圧力で噴出する。
また、本発明に係る基板洗浄装置によれば、複数の流体ノズルが、第1の方向と直交する方向に沿って並べられているので、基板への洗浄効果がより高められる。
更に、本発明に係る基板の洗浄方法によれば、上述した基板洗浄装置を用いることに加えて、洗浄液として二酸化炭素を溶解させた純水が用いられているので、高い洗浄効果が得られるだけでなく、廃液を化学的に処理する必要がなく、環境への不可が大幅に低減される。
本発明に係る基板洗浄方法の一実施形態を示すフローチャート。 本発明に係る基板洗浄装置の一実施形態を示す斜視図。 本発明に係る基板洗浄装置の一実施形態を示す上視図。 図3のIV‐IV線に沿った断面図。 図4と直交する方向に沿った断面図。 本発明に係る流体ノズルの一実施形態において液体導入管が有する液体流出口の設置角度を示す部分拡大図。 本発明に係る基板洗浄装置の一使用態様を概略的に示す図4に準ずる断面図。 本発明に係る基板洗浄装置の一使用態様を概略的に示す図5に準ずる断面図。 本発明に係る基板洗浄装置の他の使用態様を概略的に示す図4に準ずる断面図。 図9の使用態様における被洗浄基板を示す部分拡大図。
以下、本発明の好ましい実施形態を図示を参照しながら詳しく説明する。なお、以下の説明で用いる「上下」、「前後」、「左右」など方向を示す用語は、図示と合わせて説明の便宜のために用いるものであり、本発明の範囲を限定する意図で用いるものではないことを理解されたい。
(基板洗浄方法)
図1は、本発明に係る基板洗浄方法の一実施形態を示すフローチャートである。なお、本基板洗浄方法は、下述する本発明に係る流体ノズルで構成される基板洗浄装置によって実施されるものである。
本基板洗浄方法は、以下の工程(S1〜S4)を含む。
S1:洗浄液に二酸化炭素を溶解する。
ここで、上記洗浄液としては、純水、特に脱イオン水(Deionized Water、DIW)を用いることが好ましいが、この限りではない。また、ここでの洗浄液とは、一次洗浄液を洗い流すための二次洗浄液、つまりリンス液を含む。
S2:上記洗浄液を、流体ノズルの液体導入管から流体チャンバに注入すると共に、気体を該流体ノズルの気体導入管から流体チャンバに注入して、該気体により上記洗浄液を圧迫する。
ここで、上記気体としては、加圧した除湿清浄空気、いわゆるクリーンドライエアー(Clean Dry Air、CDA)を用いることが好ましい。加圧した気体を注入することにより、上記洗浄液を上記流体チャンバ内にて加圧することができる。
S3:加圧された上記洗浄液を上記液体ノズルが有する複数の流体噴出路から上記液体ノズルの外部に噴出させ、基板に噴射する。
ここで、基板とは、被洗浄対象である半導体チップの基板を例とする。
S4:上記基板に噴射された洗浄液から二酸化炭素ガスの気泡が発生することで、上記処理液が基板表面に強く衝突し、基板表面の付着物を洗い流す。
(流体ノズルおよび基板洗浄装置の構成)
以下では、上述した基板洗浄方法で用いた流体ノズルおよび基板洗浄装置の一実施形態を詳説する。該実施形態は、図2において斜視図で、図3において上視図で、図4において図3のIV‐IV線に沿った断面図で、図5において図4と直交する方向(第1の方向D1)に沿った断面図でそれぞれ示されている。
図示において、符号1は流体ノズルを示しており、本実施形態における基板洗浄装置は左右に並べられた2つの流体ノズル1により構成されている。該2つの流体ノズル1は、構造がほぼ同じであるので、以下では図示において右側に配置されている流体ノズル1の構造を説明し、左側に配置されている流体ノズル1についてはその差異のみを説明する。
流体ノズル1は、その内部に流体チャンバ3が設けられているノズル本体2、および、ノズル本体2にそれぞれ設けられている気体導入管4、液体導入管5、複数の流体噴出路6とを具えている。
ノズル本体2は、外形が縦長の略直方体状を呈しており、面積が比較的広い側の2面である第1の外側面210および第2の外側面211(図示における側面)と、それぞれ面積が第1と第2の外側面210、211に次いで広い側の2面である接続面212、212(図示における前後面、図2参照)と、面積が狭い側の2面である外部上面218および外部底面217(図示における上下面)とを有している。
流体チャンバ3はノズル本体2の内部で両方の接続面212、212の一方から他方に向かう方向である第1の方向D1に延伸するように外部上面218寄りに設けられている(図2および図5参照)。ノズル本体2の内部には、それぞれ流体チャンバ3を画成する面として、接続面212の内の一方(図示手前側)と背中合わせになっている内部前面213と、内部前面213と上記第1の方向D1に間隔をおいて向かい合っていると共に接続面212の内の他方(図示奥側)と背中合わせになっている内部後面214と、内部前面213および内部後面214それぞれの一端(図示下端)同士を繋いでいると共に外部底面217と背中合わせになっている内部底面216と、内部前面213および内部後面214それぞれの他端(図示上端)同士を繋いでいると共に外部上面218と背中合わせになっている内部頂面215とが設けられている。
気体導入管4は、流体チャンバ3とノズル本体2の外部とを連通するように、ノズル本体2の外部上面218および内部頂面215それぞれのほぼ中央を、外部上面218および内部頂面215それぞれに直交する所定の軸線Lに沿って貫通している。
液体導入管5は、図4、図5、図6に示されているように、流体チャンバ3とノズル本体2の外部とを連通するように、接続面212の内の上記一方および内部前面213を上記第1の方向D1に沿って貫通しており、流体チャンバ3内に入り込んで気体導入管4の直下を通るように延伸している上に、内部後面214に連結されている。また、液体導入管5は、内部前面213に近い側に接続面212の内の上記一方から突出するように且つノズル本体2の外部に向かって開口するように形成された液体流入口51と、流体チャンバ3内で内部底面216の方に向かって上記第1の方向D1に長く開口するように形成された液体流出口52とを有する。
液体流出口52は、本実施形態においては2つ設けられており、2つの液体流出口52は、図6に示されているように、それぞれ上述の気体導入管4の軸線Lの両側に上記第1の方向D1に長く延伸する上、各該流出口52の開口方向の延伸線がそれぞれ軸線Lに対して斜角αを形成するように斜めになっている。
なお、液体導入管5は、上記のように内部後面214に連結されるまで延伸することが好ましいが、少なくとも気体導入管4の下方を通って内部後面214近くまで延伸していればよい。また、液体流出口52を本実施形態では2つ設けたが、これに限らず1つだけ設けても構わない。また、上述の斜角αを、本実施形態では30度としたが、これに限らず、適宜調整することができる。
複数の流体噴出路6は、それぞれノズル本体2の外部と流体チャンバ3とを連通するように上記第1の方向D1に互いに間隔を置いてそれぞれ内部底面216と外部底面217とを貫通している(図5および図8参照)。また、本実施形態においては、各流体噴出路6は、上記軸線Lに対して斜めになった方向に、具体的には外部底面217に近づくにつれて第1の外側面210側に寄るように延伸している(図4および図7参照)。更に、各流体噴出路6は細長く延伸する管状に形成されることが好ましく、このように形成すれば各流体噴出路6を流体が流れる速度を上げることができる。
以下には、本発明に係る基板洗浄装置の一実施形態を説明する。図4に示されているように、本実施形態に係る基板洗浄装置は、上述した流体ノズル1を、それぞれの気体導入管4および液体導入管5が同じ方向に向くように上記第1の方向D1と直交する方向に沿って複数(本実施形態では2つ)並べて構成されている。
ここで、図4における右側の流体ノズル1は上記に説明した構成を有しており、左側の流体ノズル1もほぼ同じ構成を有しているが、左側の流体ノズル1は、右側の流体ノズル1に対して、その第1の外側面210と第2の外側面211が入れ替わっている点で異なっている。これにより、左右両方の流体ノズル1を互いの第2の外側面211を合わせるように並べると、該2つの流体ノズル1の内の一方の流体噴出路6と、該2つの流体ノズル1の内の他方の流体噴出路6とが、内部底面216から外部底面217に近づくにつれて互いに離れるように延伸するように構成される。
なお、本実施形態では図示のように左右の流体ノズル1を2つ合わせて基板洗浄装置を構成したが、数量はこれに限らず、また、複数の流体ノズル1を互いに間隔を置いて並べるように構成することも可能である。
(上述の基板洗浄装置を用いた基板の洗浄過程)
以下に、上述の本発明に係る基板洗浄装置を用いて基板を洗浄する過程を、図1、図7、図8を参照に説明する。なお、図7および図8は、上記基板洗浄装置の一使用態様を概略的に示しており、それぞれ図4および図5に準じた断面図である。
まず、二酸化炭素71が液体72に溶解してなったリンス液7が、各流体ノズル1の液体流入口51から液体導入管5を経て流体チャンバ3内に注入される。この際、リンス液7は液体導入管5を第1の方向D1に沿って流れると共に2つの液体流出口52から流体チャンバ3の下方に落ちる。2つの液体流出口52が上述のように第1の方向D1に沿って長く且つ軸線Lの両側に延伸しているので、リンス液7は流体チャンバ3へ均等に注入される。これと同時に、気体8が気体導入管4から流体チャンバ3内に注入され、流体チャンバ3内に溜まっているリンス液7を圧迫する。この際、液体導入管5が気体導入管4の下方に設けられているので、図7に示されているように、注入された気体8は液体導入管5に当たり気流が分流されてから更に下方に流れる。これにより、気体8の圧力が気体導入管4の直下に集中するのを防ぐことができ、気体8は流体チャンバ3内でリンス液7を均等に圧迫する。リンス液7は自重と気体8による圧力で流体チャンバ3から流体噴出路6に流れ、流体噴出路6を通って外部底面217側から外部に噴出し、外部底面217の下方に軸線Lと垂直に置かれた基板9に噴射される。この際、前述した気体導入管4および液体導入管5の配置関係と、更には液体導入管5の流体流出口52の設置により、流体噴出路6が液体流入口51に近い側か遠い側かを問わず、各流体噴出路6よりリンス液7が均等に噴出する。
また、リンス液7が各流体噴出路6から噴出されると、液体72の圧力が下がることで二酸化炭素71がその体積を急速に膨張するように大気中に発散される。これにより液体72が押されて基板9への衝突速度がより高められ、基板9の表面に残留している洗浄対象物質を効率的に洗い流すことができる。基板9への洗浄効果の向上は、それを用いて製造される製品の歩留まりの向上に繋がる。
上記洗浄過程では、リンス液7の液体72として脱イオン水(Deionized Water、DIW)を用いることが好ましい。また気体8としては、クリーンドライエアー(Clean Dry Air、CDA)を用いることが好ましい。これら流体によれば、洗浄後にリンス液の廃液処理の問題が無く、従来用いられている化学物質を含む薬剤による洗浄に比べて環境負荷を大幅に低減することができる。
なお、リンス液7を構成するにあたり液体72に二酸化炭素71を溶解する方法として、液体72を通す液体流入管(図示せず)に二酸化炭素71を直接封入する方法を用いることができる。このようにすれば、液体72が流れる際に、二酸化炭素71が均等に液体72中に溶解する。また、流体ノズル1は、リンス液7を間欠的に噴出するように、つまり1枚の基板9の洗浄が終了してから次の基板9が配置されるまでの間はリンス液7が液体導入管5に流入しないように構成すれば、管内で留まっている間に二酸化炭素71の液体72への溶解が更に進み、より多くの二酸化炭素71をリンス液7が含むことができる。これにより洗浄効果がより高められる。
また、各流体噴出路6の数量とその配置は、洗浄対象である基板9の直径に合わせて調整することができる。このようにすれば、基板9を本発明に係る基板洗浄装置の下方に一度通すだけで、洗浄を完了することができる。
図9は、本発明に係る基板洗浄装置の他の使用態様を概略的に示す図4に準ずる断面図であり、図10は図9の使用態様における被洗浄基板9を示す部分拡大図である。図示されているように、本発明に係る基板洗浄装置は、例えば保持アーム(図示せず)を用いて基板洗浄装置を懸架することで基板9に対して斜めに配置することもできる。例えば、図9のように図示右側の流体ノズル1をその各流体噴出路6の基板9に対する角度が垂直になるように配置すると、右側の流体ノズル1と左側の流体ノズル1とで、それぞれの各流体噴出路6の基板9に対する角度が異なるようになるので、より洗浄効果が高まる。また、図10に示されているように、基板9がその表面に微細な凹凸を有していても、本態様によれば、リンス液7が基板9に対して斜めに噴射されるので、凹凸の中にまでリンス液7が噴射される。なお、本態様では一方の流体ノズル1をその各流体噴出路6の基板9に対する角度が垂直になるように配置する例を示したが、これに限らず、角度を適宜調整することができる。
以上総括すると、本発明に係る流体ノズル1によれば、液体導入管5がノズル本体2の外部から内部前面213を貫通して流体チャンバ3内で気体導入管4の下方を通り少なくとも内部後面214近くまで延伸するように形成されている上に、液体導入管5の延伸方向、つまり第1の方向D1に沿って長く開口するように形成された液体流出口52を有しているので、流体チャンバ3内に洗浄液と気体がそれぞれ均等に注入され、また、流体チャンバ3内で洗浄液が気体に均等に圧迫されて各流体噴出路6から均等な圧力で噴出する。
また、本発明に係る基板洗浄装置によれば、複数の流体ノズル1が、それぞれの各流体噴出路6が互いに斜めになるように構成されているので、各流体噴出路6から基板9に洗浄液を斜めに噴射することができる。これにより洗浄効果がより高められる。
更に、本発明に係る基板の洗浄方法によれば、上述した基板洗浄装置を用いることに加えて、洗浄液として二酸化炭素を溶解させた純水、特に脱イオン水が用いられているので、高い洗浄効果が得られるだけでなく、廃液を化学的に処理する必要がなく、環境への不可が大幅に低減されている。
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
本発明に係る流体ノズルおよび基板洗浄装置ならびに基板の洗浄方法は、例えば半導体チップの製造における基板の洗浄に有用である。
D1 第1の方向
L 軸線
1 流体ノズル
2 ノズル本体
210 第1の外側面
211 第2の外側面
212 接続面
213 内部前面
214 内部後面
215 内部頂面
216 内部底面
217 外部底面
218 外部上面
3 流体チャンバ
4 気体導入管
5 液体導入管
51 液体流入口
52 液体流出口
6 流体噴出路
7 リンス液
71 二酸化炭素
72 液体
8 気体
9 基板

Claims (8)

  1. 内部に流体チャンバが設けられているノズル本体であって、前記流体チャンバが、該ノズル本体の内部に設けられている内部前面と、該内部前面と所定の第1の方向に間隔をおいて向かい合っている内部後面と、該内部前面および該内部後面それぞれの一端同士を繋いでいる内部底面と、該内部前面および該内部後面それぞれの他端同士を繋いでおり該内部底面と向かい合っている内部頂面とにより画成されているノズル本体と、
    前記流体チャンバと前記ノズル本体の外部とを連通するように前記内部頂面を貫通している気体導入管と、
    前記流体チャンバと前記ノズル本体の外部とを連通するように前記第1の方向に沿って前記内部前面を貫通して前記流体チャンバに入り込む上、少なくとも前記内部後面近くまで延伸している液体導入管と、
    前記ノズル本体の外部と前記流体チャンバとを連通するように前記第1の方向に互いに間隔を置いてそれぞれ前記内部底面を貫通している複数の流体噴出路と、
    を具えていることを特徴とする流体ノズル。
  2. 前記液体導入管は、前記内部前面に近い側に前記ノズル本体の外部に向かって開口するように形成された液体流入口と、前記内部底面の方に向かって前記第1の方向に長く開口するように形成された液体流出口とを有することを特徴とする請求項1に記載の流体ノズル。
  3. 前記ノズル本体は、その外部に、前記内部頂面と背中合わせになっている外部上面と、前記内部底面と背中合わせになっている外部底面と、を有しており、
    前記気体導入管は、前記外部上面および前記内部頂面それぞれのほぼ中央を貫通するように所定の軸線に沿って設けられており、
    前記液体導入管は、前記液体流出口を2つ有しており、該2つの液体流出口は、それぞれ前記軸線の両側に延伸する上、各該液体流出口の開口方向の延伸線が前記軸線に対して斜めになっていることを特徴とする請求項2に記載の流体ノズル。
  4. 前記複数の流体噴出路は、それぞれが前記軸線に対して斜めになった方向に延伸して前記内部底面と前記外部底面とを貫通するように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の流体ノズル。
  5. 前記第1の方向と直交する方向に沿って複数並べられた請求項1〜4のいずれか一項に記載の流体ノズルを具えていることを特徴とする基板洗浄装置。
  6. 前記流体ノズルを2つ具え、該2つの流体ノズルの内の一方の前記複数の流体噴出路と他方の前記複数の流体噴出路とが、前記内部底面から前記外部底面に近づくにつれて互いに離れるように延伸していることを特徴とする請求項5に記載の基板洗浄装置。
  7. 請求項5または6に記載の基板洗浄装置を用いた基板の洗浄方法であって、
    二酸化炭素を純水に溶解させてなった洗浄液を、前記流体ノズルの前記液体導入管から前記流体チャンバに注入すると共に、気体を前記流体ノズルの前記気体導入管から前記流体チャンバに注入し、前記洗浄液を前記複数の流体噴出路から前記流体ノズルの外部に噴出させ、前記基板に噴射することを特徴とする基板洗浄方法。
  8. 前記純水として、脱イオン水を用いることを特徴とする請求項7に記載の基板洗浄方法。
JP2014001461A 2013-07-10 2014-01-08 流体ノズルおよび基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法 Active JP5678217B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102124701 2013-07-10
TW102124701A TWI462148B (zh) 2013-07-10 2013-07-10 Fluid nozzle and fluid nozzle device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015019046A true JP2015019046A (ja) 2015-01-29
JP5678217B2 JP5678217B2 (ja) 2015-02-25

Family

ID=52274202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014001461A Active JP5678217B2 (ja) 2013-07-10 2014-01-08 流体ノズルおよび基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9737901B2 (ja)
JP (1) JP5678217B2 (ja)
KR (1) KR101568924B1 (ja)
DE (1) DE102014206355A1 (ja)
TW (1) TWI462148B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI584882B (zh) * 2016-03-11 2017-06-01 Els System Technology Co Ltd Multi-nozzle device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001334181A (ja) * 2000-05-30 2001-12-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 洗浄ノズル及び基板洗浄装置
JP2006255603A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Hitachi Chem Co Ltd 電解水での洗浄方法及び洗浄装置
JP2011507237A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド 半導体ウエハの洗浄方法及び装置
JP2011129579A (ja) * 2009-12-15 2011-06-30 Sharp Corp 洗浄装置
JP2011151283A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3315611B2 (ja) * 1996-12-02 2002-08-19 三菱電機株式会社 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置
US6578369B2 (en) * 2001-03-28 2003-06-17 Fsi International, Inc. Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
TW200608453A (en) * 2004-08-20 2006-03-01 Aqua Science Corp Object treating device and method
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP4986566B2 (ja) * 2005-10-14 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008153322A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 二流体ノズル、基板処理装置および基板処理方法
KR101506654B1 (ko) * 2007-12-20 2015-03-27 레이브 엔.피., 인크. 노즐용 유체 분사 조립체
TWI469832B (zh) * 2008-12-17 2015-01-21 Aqua Science Corp 對象物清洗方法及對象物清洗系統
JP5650896B2 (ja) * 2009-09-03 2015-01-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5762925B2 (ja) * 2010-12-28 2015-08-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US20140026926A1 (en) * 2012-07-30 2014-01-30 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer-shaped articles

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001334181A (ja) * 2000-05-30 2001-12-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 洗浄ノズル及び基板洗浄装置
JP2006255603A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Hitachi Chem Co Ltd 電解水での洗浄方法及び洗浄装置
JP2011507237A (ja) * 2007-12-10 2011-03-03 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド 半導体ウエハの洗浄方法及び装置
JP2011129579A (ja) * 2009-12-15 2011-06-30 Sharp Corp 洗浄装置
JP2011151283A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014206355A1 (de) 2015-01-29
TWI462148B (zh) 2014-11-21
KR101568924B1 (ko) 2015-11-12
KR20150007196A (ko) 2015-01-20
US9737901B2 (en) 2017-08-22
US20150013727A1 (en) 2015-01-15
JP5678217B2 (ja) 2015-02-25
TW201503225A (zh) 2015-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5158530B2 (ja) スイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置
JP5667295B2 (ja) 流体供給装置及びそれを用いた薄板洗浄システム、並びにその方法
JP5694118B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
KR101448131B1 (ko) 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버
KR101136278B1 (ko) 마이크로 버블 생성 장치 및 실리콘 웨이퍼 세정 장치
JP5089628B2 (ja) 洗浄装置、洗浄方法および被洗浄体
TW202040668A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20190055003A (ko) 기판 처리 장치의 세정 장치 및 세정 방법
JP5678217B2 (ja) 流体ノズルおよび基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法
US20180111860A1 (en) Substrate processing apparatus, process fluid treating apparatus, and ozone decomposition method
TWI413203B (zh) Substrate processing device
KR101426267B1 (ko) 다상유체 분사체
KR20160066382A (ko) 초음파 세정 시스템
KR20200084152A (ko) 반도체 부품용 세정장치
CN112038257B (zh) 清洗设备
JP2012510181A (ja) 近接ヘッドにより供給される泡の閉じ込め
KR100616248B1 (ko) 기판세정용 이류체 분사모듈 및 이를 이용한 기판세정장치
KR102042635B1 (ko) 매엽식 건조 장치 및 이를 포함하는 매엽식 세정 시스템
TWM481772U (zh) 流體噴頭
KR20080005942U (ko) 기판 세정용 이류체 공급모듈 및 이를 이용한 세정장치
KR101915053B1 (ko) 액체커튼형성 일체형 스팀노즐
JP6005118B2 (ja) マイクロバブル生成装置及びシリコンウェハ洗浄装置
KR20240099624A (ko) 기판 이면 세정 유닛 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR101987709B1 (ko) 사류체 노즐
JP2568799Y2 (ja) ウエハー処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5678217

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250