KR20190055003A - 기판 처리 장치의 세정 장치 및 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

[과제] 협소한 처리실의 내부를 청정하게 클리닝하는 것.
[해결수단] 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치는 노즐과 주사 기구를 구비한다. 노즐은 기판을 처리하는 처리실의 내벽면을 향하여 가스를 토출한다. 주사 기구는 노즐을 처리실 내에서 내벽면을 따라서 주사하게 한다.

Description

기판 처리 장치의 세정 장치 및 세정 방법{CLEANING APPARATUS AND CLEANING METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시하는 실시형태는 기판 처리 장치의 세정 장치 및 세정 방법에 관한 것이다.
종래, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 부른다.) 등의 표면에 건조 방지용 액막을 형성하고, 이러한 액막이 형성된 웨이퍼를 초임계 상태의 고압 처리 유체에 접촉시켜 건조 처리를 행하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 예컨대 특허문헌 1에는, 처리실의 스페이스를 협소하게 형성함으로써 고압 처리 유체에 의한 기판의 처리를 스마트하게 실시할 수 있는 기판 처리 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허공개 2013-12538호 공보
그러나 상술한 기판 처리 장치에서는 처리실의 스페이스가 협소하게 형성되어 있기 때문에, 작업자의 수작업에 의한 클리닝이 곤란하다.
실시형태의 일 양태는 상기한 점에 감안하여 이루어진 것으로, 협소한 처리실의 내부를 청정하게 클리닝할 수 있는 기판 처리 장치의 세정 장치 및 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치는 노즐과 주사 기구를 구비한다. 상기 노즐은 기판을 처리하는 처리실의 내벽면을 향하여 가스를 토출한다. 상기 주사 기구는 상기 노즐을 상기 처리실 내에서 상기 내벽면을 따라서 주사하게 한다.
실시형태의 일 양태에 의하면, 협소한 처리실의 내부를 청정하게 클리닝할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 도시하는 모식도이다.
도 2는 실시형태에 따른 세정 처리 유닛의 구성을 도시하는 단면도이다.
도 3은 실시형태에 따른 건조 처리 유닛의 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
도 4는 실시형태에 따른 세정 장치의 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
도 5는 도 4의 A-A선에 있어서의 단면도이다.
도 6은 도 4의 B-B선에 있어서의 단면도이다.
도 7은 도 6의 C-C선에 있어서의 단면도이다.
도 8은 실시형태에 따른 픽업 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 실시형태에 따른 흡인 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 실시형태에 따른 배기 처리 및 토출 가스 주사 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 실시형태의 변형예에 따른 배기 처리 및 토출 가스 주사 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 실시형태의 변형예에 따른 세정 장치의 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
도 13은 실시형태의 변형예에 따른 노즐의 접속부를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14는 세정 장치가 실행하는 세정 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 세정 장치 및 세정 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 기재하는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수 관계, 각 요소의 비율 등은 현실과 다른 경우가 있음에 유의할 필요가 있다. 또한, 도면의 상호간에 있어도 서로의 치수 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
<기판 처리 시스템의 개요>
우선은 도 1을 참조하면서 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 관해서 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 도시한 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서, 상호 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 도시한 것과 같이, 기판 처리 시스템(1)은 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입출 스테이션(2)은 캐리어 배치부(11)와 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 여러 장의 반도체 웨이퍼(W)(이하, 웨이퍼(W)라고 부른다.)를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되며, 내부에 기판 반송 장치(13)와 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동, 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은 반송부(15)와 복수의 세정 처리 유닛(16)과 복수의 건조 처리 유닛(17)을 구비한다. 복수의 세정 처리 유닛(16)과 복수의 건조 처리 유닛(17)은 반송부(15)의 양측에 나란하게 설치된다. 또한, 도 1에 도시하는 세정 처리 유닛(16) 및 건조 처리 유닛(17)의 배치나 개수는 일례이며, 도시한 것에 한정되지 않는다.
반송부(15)는 내부에 기판 반송 장치(18)를 구비한다. 기판 반송 장치(18)는 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(18)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동, 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하며, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 세정 처리 유닛(16)과 건조 처리 유닛(17)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
세정 처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(18)에 의해서 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 미리 정해진 세정 처리를 행한다. 세정 처리 유닛(16)의 구성예에 관해서는 후술한다.
건조 처리 유닛(17)은, 세정 처리 유닛(16)에 의해서 세정 처리된 웨이퍼(W) 에 대하여 미리 정해진 건조 처리를 행한다. 건조 처리 유닛(17)의 구성예에 관해서는 후술한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(19)와 기억부(20)를 구비한다.
제어부(19)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 이러한 마이크로컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 독출하여 실행함으로써, 반송부(12)나 반송부(15), 세정 처리 유닛(16), 건조 처리 유닛(17) 등의 제어를 실현한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해서 판독할 수 있는 기록 매체에 기록되어 있었던 것이며, 그 기록 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(20)에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 판독할 수 있는 기록 매체로서는, 예컨대 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷광 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
기억부(20)는, 예컨대 RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는 하드디스크, 광 디스크 등의 기억 장치에 의해서 실현된다.
상기한 것과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 빼내고, 빼낸 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(18)에 의해서 전달부(14)로부터 빼내어져, 세정 처리 유닛(16)에 반입된다.
세정 처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 세정 처리 유닛(16)에 의해서 세정 처리가 실시된 후, 기판 반송 장치(18)에 의해서 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(18)에 의해서 건조 처리 유닛(17)에 반입되어, 건조 처리 유닛(17)에 의해서 건조 처리가 실시된다.
건조 처리 유닛(17)에 의해서 건조 처리된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(18)에 의해서 건조 처리 유닛(17)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리 완료된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해서 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 되돌려진다.
<세정 처리 유닛의 개요>
이어서 도 2를 참조하면서 세정 처리 유닛(16)의 개략 구성에 관해서 설명한다. 도 2는 실시형태에 따른 세정 처리 유닛(16)의 구성을 도시하는 단면도이다. 세정 처리 유닛(16)은, 예컨대 스핀 세정에 의해 웨이퍼(W)를 1장씩 세정하는 매엽식의 세정 처리 유닛으로서 구성된다.
도 2에 도시한 것과 같이, 세정 처리 유닛(16)은, 처리실을 형성하는 아우터 챔버(23) 내에 배치된 웨이퍼 유지 기구(25)로 웨이퍼(W)를 거의 수평으로 유지하고, 이 웨이퍼 유지 기구(25)를 연직축 둘레로 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 세정 처리 유닛(16)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 위쪽으로 노즐 아암(26)을 진입시키고, 이러한 노즐 아암(26)의 선단부에 마련된 약액 노즐(26a)로부터 약액이나 린스액을 미리 정해진 순서로 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 표면의 세정 처리를 행한다.
또한, 세정 처리 유닛(16)에는, 웨이퍼 유지 기구(25)의 내부에도 약액 공급로(25a)가 형성되어 있다. 그리고, 이러한 약액 공급로(25a)로부터 공급된 약액이나 린스액에 의해서 웨이퍼(W)의 이면 세정이 이루어진다.
상술한 웨이퍼(W)의 세정 처리는, 예컨대, 맨 처음에 알칼리성의 약액인 SC1액(암모니아와 과산화수소수의 혼합액)에 의한 파티클이나 유기성 오염 물질의 제거가 이루어지고, 이어서 린스액인 탈이온수(DeIonized Water: 이하, DIW라고 부른다.)에 의한 린스 세정이 이루어진다. 이어서, 산성 약액인 희불산 수용액(Diluted HydroFluoric acid: 이하, DHF라고 부른다.)에 의한 자연산화막의 제거가 이루어지고, 이어서 DIW에 의한 린스 세정이 이루어진다.
상술한 각종 약액은, 아우터 챔버(23)나 아우터 챔버(23) 내에 배치되는 인너 컵(24)에 받아내어지고, 아우터 챔버(23)의 바닥부에 마련된 배액구(23a)나 인너 컵(24)의 바닥부에 마련된 배액구(24a)로부터 배출된다. 또한, 아우터 챔버(23) 내의 분위기는 아우터 챔버(23)의 바닥부에 마련된 배기구(23b)로부터 배기된다.
상술한 웨이퍼(W)의 린스 처리 후에는, 웨이퍼 유지 기구(25)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 액체 상태의 IPA(이하, 「IPA 액체」라고 부른다.)를 공급하여, 웨이퍼(W)의 양면에 잔존하고 있는 DIW와 치환한다. 그 후, 웨이퍼 유지 기구(25)의 회전을 완만히 정지한다.
이렇게 해서 세정 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는, 그 표면에 IPA 액체가 융기된 상태(웨이퍼(W) 표면에 IPA 액체의 액막이 형성된 상태) 그대로, 웨이퍼 유지 기구(25)에 마련된 도시되지 않는 전달 기구에 의해 기판 반송 장치(18)에 건네지고, 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된다.
여기서, 웨이퍼(W)의 표면에 융기된 IPA 액체는, 세정 처리 유닛(16)에서 건조 처리 유닛(17)으로의 웨이퍼(W)의 반송 중이나, 건조 처리 유닛(17)으로의 반입 동작 중에, 웨이퍼(W) 표면의 액체가 증발(기화)함으로써 패턴 붕괴가 발생하는 것을 막는 건조 방지용의 액체로서 기능한다.
세정 처리 유닛(16)에서의 세정 처리를 끝내고, 표면에 IPA 액체가 융기된 웨이퍼(W)는 건조 처리 유닛(17)에 반송된다. 그리고, 건조 처리 유닛(17) 내에서 웨이퍼(W) 표면의 IPA 액체에 초임계 상태인 CO2(이하, 「초임계 유체」라고도 부른다.)를 접촉시킴으로써, 이러한 IPA 액체를 초임계 유체에 용해시켜 제거하여, 웨이퍼(W)를 건조하는 처리가 이루어진다.
<건조 처리 유닛의 개요>
이어서, 건조 처리 유닛(17)의 구성에 관해서 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 건조 처리 유닛(17)의 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
건조 처리 유닛(17)은 처리 용기(31)와 유지판(32)과 덮개(33)와 도시하지 않는 이동 기구를 갖는다. 케이스형의 처리 용기(31)는, 예컨대 직경 300 mm의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는 처리실(31a)이 내부에 형성된 용기이며, 이러한 처리실(31a)에 웨이퍼(W)를 반송하는 반입구(31b)가 처리실(31a)에 인접하여 형성된다. 또한, 처리실(31a)은, 초임계 유체의 고압에 견딜 필요가 있으므로, 협소(예컨대 높이가 8 mm 정도)하게 형성된다.
유지판(32)은 처리 대상인 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 유지한다. 덮개(33)는, 이러한 유지판(32)을 지지함과 더불어, 웨이퍼(W)를 처리실(31a)에 반입했을 때에 반입구(31b)를 막는다.
도시하지 않는 이동 기구는 덮개(33)에 마련되고, 웨이퍼(W)가 유지된 유지판(32)과 덮개(33)를, 반입구(31b)에서 처리실(31a) 내로 반입할 수 있음과 더불어, 처리실(31a) 내에서 반입구(31b) 밖으로 반출할 수 있다. 즉, 이러한 이동 기구는, 도 3에 있어서의 Y축 방향으로 유지판(32)과 덮개(33)를 왕복 이동시킬 수 있다.
또한, 처리 용기(31)의 벽부에는 공급 포트(35, 36)와 배출 포트(37)가 마련된다. 공급 포트(35, 36)와 배출 포트(37)는, 각각 건조 처리 유닛(17)의 상류 측과 하류 측에 마련되는 초임계 유체를 유통시키기 위한 공급 유로와 배출 유로에 접속되어 있다.
공급 포트(35)는, 케이스형의 처리 용기(31)에 있어서, 반입구(31b)와는 반대쪽의 측면에 접속되어 있다. 또한, 공급 포트(36) 및 배출 포트(37)는 처리 용기(31)의 바닥면에 접속되어 있다. 또한, 도 3에는 2개의 공급 포트(35, 36)와 하나의 배출 포트(37)가 도시되어 있지만, 공급 포트(35, 36)나 배출 포트(37)의 수는 특별히 한정되지 않는다.
또한, 처리실(31a)에는 유체 공급 헤더(38, 39)와 유체 배출 헤더(40)가 마련된다. 그리고, 유체 공급 헤더(38, 39)에는 복수의 공급구(38a, 39a)가 이러한 유체 공급 헤더(38, 39)의 길이 방향으로 나란하게 형성되고, 유체 배출 헤더(40)에는 복수의 배출구(40a)가 이러한 유체 배출 헤더(40)의 길이 방향으로 나란하게 형성된다.
유체 공급 헤더(38)는, 공급 포트(35)에 접속되고, 처리실(31a)에 있어서, 반입구(31b)와는 반대쪽의 측면에 인접하여 마련된다. 또한, 유체 공급 헤더(38)에 나란하게 형성되는 복수의 공급구(38a)는 반입구(31b) 측을 향하고 있다.
유체 공급 헤더(39)는, 공급 포트(36)에 접속되고, 처리실(31a)에 있어서의 바닥면의 중앙부에 마련된다. 또한, 유체 공급 헤더(39)에 나란하게 형성되는 복수의 공급구(39a)는 위쪽을 향하고 있다.
유체 배출 헤더(40)는, 배출 포트(37)에 접속되고, 처리실(31a)에 있어서의 바닥면의 반입구(31b) 측에 마련된다. 또한, 유체 배출 헤더(40)에 나란하게 형성되는 복수의 배출구(40a)는 위쪽을 향하고 있다.
유체 공급 헤더(38, 39)는 초임계 유체를 처리실(31a)에 공급한다. 또한, 유체 배출 헤더(40)는, 처리실(31a) 내의 초임계 유체를 처리 용기(31)의 외부로 유도하여 배출한다. 또한, 유체 배출 헤더(40)를 통해 처리 용기(31)의 외부로 배출되는 초임계 유체에는, 웨이퍼(W) 표면으로부터 초임계 유체에 녹아 들어간 IPA 액체가 포함된다.
상술한 것과 같이 배치되는 유체 공급 헤더(38, 39)의 공급구(38a, 39a)로부터 처리실(31a)에 초임계 유체가 공급되고, 또한 유체 배출 헤더(40)의 배출구(40a)를 통해 초임계 유체가 처리실(31a)로부터 배출됨으로써, 처리실(31a)에는 웨이퍼(W)의 주위에서 미리 정해진 방향으로 유동하는 초임계 유체의 층류가 형성된다.
이러한 초임계 유체의 층류는, 예컨대 유체 공급 헤더(38)로부터, 웨이퍼(W)의 위쪽을 웨이퍼(W)의 표면을 따라서, 반입구(31b)의 상부를 향하여 흐른다. 또한, 초임계 유체의 층류는, 반입구(31b)의 위쪽에서 아래쪽으로 방향을 바꾸고, 반입구(31b) 근방을 지나, 유체 배출 헤더(40)를 향하여 흐른다.
이러한 층류의 예에서는, 건조 처리 유닛(17)의 내부에 있어서, 유지판(32)에 있어서의 웨이퍼(W)와 덮개(33)의 사이에 형성되는 개공(32a)을 초임계 유체의 층류가 통과한다.
또한, 처리실(31a)에의 초임계 유체의 공급 시와, 처리실(31a)로부터의 초임계 유체의 배출 시에 웨이퍼(W)에 가해질 수 있는 부하를 경감한다는 관점에서는, 유체 공급 헤더 및 유체 배출 헤더는 각각 여러 개 마련되는 것이 바람직하다.
더욱이, 처리 용기(31)에는 반입구(31b) 측을 위아래로 관통하는 관통 구멍(41)이 형성된다. 그리고, 이러한 관통 구멍(41)에 도시하지 않는 압박 기구가 삽입 관통되고, 이러한 압박 기구가 처리실(31a)에 공급된 초임계 유체에 의해 초래되는 내압에 대항하여 처리실(31a)을 향해서 덮개(33)를 압박하여, 처리실(31a)을 밀폐한다.
이러한 건조 처리 유닛(17) 내에 있어서, 웨이퍼(W) 상에 형성되어 있는 패턴 사이의 IPA 액체는, 고압 상태(예컨대 16 MPa)인 초임계 유체와 접촉함으로써, 서서히 초임계 유체에 용해되고, 패턴 사이는 서서히 초임계 유체와 치환된다. 그리고, 최종적으로는 초임계 유체에 의해서만 패턴 사이가 채워진다.
그리고, 패턴 사이에서 IPA 액체가 제거된 후에, 처리실(31a)의 압력을 고압 상태에서 대기압까지 감압함으로써, CO2는 초임계 상태에서 기체 상태로 변화하고, 패턴 사이는 기체로만 채워지게 된다. 이와 같이 하여 패턴 사이의 IPA 액체는 제거되고, 웨이퍼(W)의 건조 처리가 완료된다.
여기서, 초임계 유체는 액체(예컨대 IPA 액체)와 비교하여 점도가 작고, 또한 액체를 용해할 능력도 높은 데 더하여, 초임계 유체와 평형 상태에 있는 액체나 기체와의 사이에서 계면이 존재하지 않는다. 이에 따라, 초임계 유체를 이용한 건조 처리에서는, 표면장력의 영향을 받지 않고서 액체를 건조시킬 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 건조 처리 시에 패턴이 쓰러지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 건조 방지용 액체로서 IPA 액체를 이용하고, 처리유체로서 초임계 상태의 CO2를 이용하고 있지만, IPA 이외의 액체를 건조 방지용 액체로서 이용하여도 좋고, 초임계 상태의 CO2 이외의 유체를 처리 유체로서 이용하여도 좋다. 또한, 처리실(31a)에 공급된 초임계 유체가 미리 정해진 온도를 유지할 수 있도록, 처리 용기(31)의 표면에는 단열재나 테이프 히터 등이 마련되어 있어도 좋다.
<세정 장치의 개요>
이어서, 실시형태에 따른 세정 장치(50)의 개요에 관해서 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는 실시형태에 따른 세정 장치(50)의 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
도 4에 도시한 것과 같이, 세정 장치(50)는 노즐(60)과 주사 기구(70)를 구비한다. 노즐(60)은, 처리실(31a)의 내벽면(31c)(도 10 참조)을 향하여 가스(G)(도 5 참조)를 토출할 수 있다. 노즐(60)은, 도 4에 도시한 것과 같이, 노즐 형성부(61)와 조인트(62)와 한 쌍의 배관(63)을 갖는다.
노즐 형성부(61)는 가스(G)를 미리 정해진 방향으로 토출할 수 있게 구성된다. 노즐 형성부(61)는 막대형이며, 처리 용기(31)의 반입구(31b)의 옆폭보다 약간 짧은 길이를 갖는다.
조인트(62)는 막대형이며, 노즐 형성부(61)와 대략 같은 길이를 갖는다. 조인트(62)는, 노즐 형성부(61)와 한 쌍의 배관(63)의 사이에 마련되고, 노즐 형성부(61)에 형성되는 홈부(61a)(도 5 참조)를 덮음과 더불어, 노즐 형성부(61)와 한 쌍의 배관(63)을 접속한다.
한 쌍의 배관(63)은, 일단이 조인트(62)에 접속됨과 더불어, 타단이 덮개(33) 등을 통해 도시하지 않는 가스 공급 기구에 접속된다. 그리고, 이러한 가스 공급 기구로부터 조인트(62)를 통해 노즐 형성부(61)에 가스(G)를 공급한다. 또한, 노즐 형성부(61)와 조인트(62)와 한 쌍의 배관(63)은 모두 동일한 재료(예컨대 스테인리스)로 형성되고, 용접 등에 의해 일체화되어 있다.
주사 기구(70)는, 처리실(31a)에서 내벽면(31c)을 따라서 노즐(60)을 주사하게 할 수 있다. 실시형태에서는, 주사 기구(70)가, 덮개(33)에 마련되는 도시하지 않는 이동 기구에 의해 구성된다. 즉, 실시형태에서는, 덮개(33)에 원래 부착되어 있는 유지판(32)을 떼어내고, 대신에 노즐(60)을 덮개(33)에 부착함으로써 세정 장치(50)가 구성된다.
이어서, 노즐(60)의 상세한 구성에 관해서 도 5∼도 7을 참조하면서 설명한다. 도 5는 도 4의 A-A선에 있어서의 단면도이며, 노즐 형성부(61)의 중앙 영역에 있어서의 절단도이다.
도 5에 도시한 것과 같이, 노즐 형성부(61)에는 홈부(61a)와 토출구(61b, 61c)가 형성된다. 홈부(61a)는, 노즐 형성부(61)에 있어서의 조인트(62)와 접촉하는 면에, 노즐 형성부(61)의 길이 방향을 따라서 형성된다. 그리고, 이러한 홈부(61a)를 조인트(62)로 덮음으로써, 홈부(61a)의 양단부로부터 복수의 토출구(61b, 61c)에 가스(G)를 통류시키는 유로가 형성된다.
토출구(61b, 61c)는 외벽면과 홈부(61a)의 내벽면의 사이를 관통하도록 형성된다. 토출구(61b)는 주사 기구(70)로부터 떨어지는 방향 또한 아래 방향을 향해서 형성된다. 토출구(61c)는 주사 기구(70)로부터 떨어지는 방향 또한 위 방향을 향해서 형성된다.
또한, 도시하지는 않지만, 토출구(61b) 및 토출구(61c)는 각각 노즐 형성부(61)의 길이 방향을 따라서 복수 나란하게 형성된다.
도 6은 도 4의 B-B선에 있어서의 단면도이고, 도 7은 도 6의 C-C선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 6 및 도 7은 노즐 형성부(61)의 단부 영역에 있어서의 단면도이다. 도 6에 도시한 것과 같이, 노즐 형성부(61)의 단부 영역에도, 중앙 영역과 마찬가지로, 홈부(61a)와 토출구(61b, 61c)가 형성된다.
또한, 도 7에 도시한 것과 같이, 노즐 형성부(61)에는, 주사 기구(70)로부터 떨어지는 방향 또한 가로 방향을 향하여 형성되는 토출구(61d)가 형성된다. 또한, 이러한 토출구(61d)는 노즐 형성부(61)의 타단 측에도 마찬가지로 형성된다.
그리고, 도 6 및 도 7에 도시한 것과 같이, 조인트(62)에는, Y축 방향을 따라서 관통하는 관통 구멍(62a)이 형성되고, 이러한 관통 구멍(62a)이 홈부(61a)와 이어져 있다. 더욱이, 조인트(62)의 관통 구멍(62a)에는 배관(63)이 이어져 있다.
이에 따라, 배관(63)을 통류하는 가스(G)는, 조인트(62)의 관통 구멍(62a)과 노즐 형성부(61)의 홈부(61a)를 경유하여, 토출구(61b, 61c, 61d)로부터 외부로 토출된다.
여기까지 설명한 것과 같이, 노즐(60)이 노즐 형성부(61)와 조인트(62)와 한 쌍의 배관(63)으로 분할하여 형성됨으로써, 복잡한 내부 형상을 갖는 노즐(60)을 높은 정밀도로 형성할 수 있다.
<세정 처리의 상세>
이어서, 처리 용기(31)의 처리실(31a)을 세정 장치(50)로 세정하는 처리의 상세한 점에 관해서 도 8∼도 10을 참조하면서 설명한다. 도 8은 실시형태에 따른 픽업 처리를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 8∼도 10은 처리 용기(31)를 측방(X축 방향)에서 본 경우의 단면도이며, 유체 공급 헤더(39) 및 유체 배출 헤더(40)의 도시를 생략하고 있다.
도 8에 도시한 것과 같이, 처리실(31a) 내의 세정 처리에서는, 맨 처음에, 처리실(31a) 내에서 파손되어 산란되는 웨이퍼(W)의 파편(F) 중, 비교적 큰(예컨대 10 mm 이상) 파편(F)을 픽업 지그(100)로 픽업하여 제거한다(단계 S1).
이러한 픽업 처리는, 예컨대, 처리실(31a)의 내벽면(31c) 중, 하측의 주면(主面)(31c1)에 떨어지는 파편(F)을 눈으로 보아 확인하고, 확인된 파편(F)을 픽업 지그(100)로 픽업한다.
픽업 지그(100)로서는 예컨대 진공 핀셋을 이용할 수 있다. 한편, 픽업 지그(100)는, 진공 핀셋에 한정되지 않고, 협소 스페이스의 처리실(31a)로부터 파편(F)을 픽업할 수 있는 지그라면 어떠한 지그를 이용하여도 좋다.
또한, 픽업 처리 전에는, 처리 용기(31)에 있어서 반입구(31b)의 반대쪽에 마련되는 공급 포트(35)나 유체 공급 헤더(38)를 떼어내어, 도 8에 도시한 것과 같이, 반입구(31b)의 반대쪽에 개구부(42)를 형성하면 된다.
이에 따라, 처리실(31a)의 한쪽(예컨대 개구부(42))에서 빛을 조사하고, 다른 쪽(예컨대 반입구(31b))에서 눈으로 보아 확인하면서 픽업 지그(100)로 파편(F)을 픽업할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 픽업 처리를 더욱 용이하게 실시할 수 있다.
도 9는 실시형태에 따른 흡인 처리를 설명하기 위한 도면이다. 상술한 픽업 처리에 이어서, 도 9에 도시한 것과 같이, 처리실(31a) 내에서 파손되어 산란하는 웨이퍼(W)의 파편(F) 중, 비교적 작은(예컨대 10 mm보다 작은) 파편(F)을 흡인 지그(101)로 흡인하여 제거한다(단계 S2).
이러한 흡인 공정은, 예컨대 처리실(31a)의 주면(31c1) 전체를 흡인 지그(101)로 주사하여, 주면(31c1)에 산란되는 작은 파편(F)을 흡인한다.
흡인 지그(101)로서는 예컨대 청소기 노즐을 이용할 수 있다. 한편, 흡인 지그(101)는 청소기 노즐에 한정되지 않고, 협소 스페이스의 처리실(31a)에서 작은 파편(F)을 흡인할 수 있는 지그라면 어떠한 지그를 이용하여도 좋다.
도 10은 실시형태에 따른 배기 처리 및 토출 가스 주사 처리를 설명하기 위한 도면이다. 도 10의 (a)에 도시한 것과 같이, 처리 용기(31)의 개구부(42)에, 처리실(31a) 내부를 배기하는 배기 기구(80)가 부착된다. 그리고, 이러한 배기 기구(80)에 의해, 처리실(31a) 내부를 미리 정해진 양(예컨대 650 L/min)으로 배기한다(단계 S3).
또한, 주사 기구(70)가 마련된 덮개(33)에 노즐(60)을 부착하여 세정 장치(50)를 형성한다. 그리고, 노즐(60)을 반입구(31b)를 따라서 배치하고, 노즐(60)로부터 처리실(31a)의 내벽면(31c)을 향하여 가스(G)를 미리 정해진 양(예컨대 200 L/min)으로 토출한다(단계 S4).
구체적으로는, 노즐 형성부(61)의 토출구(61b)로부터 토출되는 가스(G)가, 처리실(31a)의 내벽면(31c) 중 하측의 주면(31c1)에 토출되고, 노즐 형성부(61)의 토출구(61c)로부터 토출되는 가스(G)가, 처리실(31a)의 내벽면(31c) 중 상측의 주면(31c2)에 토출된다. 또한, 노즐(60)로부터 토출되는 가스(G)로서는 예컨대 공기나 질소 가스 등을 이용할 수 있다.
그리고, 도 10의 (b)에 도시한 것과 같이, 주사 기구(70)를 동작시켜, 처리실(31a) 내에서 노즐(60)을 내벽면(31c)을 따라서 주사하게 한다(단계 S5). 구체적으로는, 노즐(60)을 처리 용기(31)의 반입구(31b)에서 개구부(42)를 향하여 미리 정해진 속도(예컨대 3 mm/s)로 주사하게 한다.
여기서, 실시형태에서는, 상술한 것과 같이, 노즐 형성부(61)가 반입구(31b)의 옆폭보다 약간 짧은 길이를 가짐과 더불어, 노즐 형성부(61)의 길이 방향을 따라서 토출구(61b, 61c)가 복수 나란하게 형성되어 있다. 따라서, 노즐(60)을 처리 용기(31)의 반입구(31b)에서 개구부(42)를 향하여 주사하게 함으로써, 주면(31c1, 31c2)에 부착되는 미세한 파편(F)을 주면(31c1, 31c2) 전체로부터 제거할 수 있다.
즉, 실시형태에서는, 노즐(60)로부터 토출되는 가스(G)를 처리실(31a) 내에서 주사하게 하는 토출 가스 주사 공정을 행함으로써, 주면(31c1, 31c2)에 부착되는 미세한 파편(F)을 주면(31c1, 31c2)으로부터 효과적으로 제거할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 협소한 처리실(31a)의 내부를 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 노즐 형성부(61)에 가스(G)를 측방을 향하여 토출시키는 토출구(61d)가 형성되므로, 주면(31c1, 31c2)뿐만 아니라, 처리실(31a)의 측면(31c3, 31c4)(도 11 참조)에 부착되는 미세한 파편(F)도 제거할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 토출 가스 주사 공정을 행하면서, 배기 기구(80)로 처리실(31a) 내부를 배기하는 배기 공정을 행하면 된다. 이에 따라, 주면(31c1, 31c2)으로부터 가스(G)로 불어 날린 미세한 파편(F)을, 처리실(31a)의 외부로 효과적으로 배출할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 협소한 처리실(31a)의 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 노즐(60)을 처리실(31a) 내의 내벽면(31c) 중, 가장 면적이 큰 주면(31c1, 31c2)을 따라서 주사하게 하면 된다. 이에 따라, 가장 면적이 큰 주면(31c1, 31c2)에 부착된 미세한 파편(F)을 제거할 수 있으므로, 협소한 처리실(31a)의 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 도 10에 도시한 것과 같이, 토출 가스 주사 공정에 있어서, 노즐(60)을 배기 기구(80)를 향하여 주사하게 하면 된다. 이에 따라, 처리실(31a) 내에서 노즐(60)로부터 배기 기구(80)를 향하여 흐르는 기류를 형성할 수 있으므로, 미세한 파편(F)을 처리실(31a)의 외부로 더욱 효과적으로 배출시킬 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 협소한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 도 10에 도시한 것과 같이, 노즐(60)로부터 토출되는 가스(G)의 방향을, 내벽면(31c)을 향하는 방향 또한 노즐(60)이 주사되는 방향(즉, 배기 기구(80)를 향하는 방향)으로 하면 된다. 이에 따라, 처리실(31a) 내에서 배기 기구(80)를 향하여 흐르는 기류를 더욱 강하게 형성할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 협소한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 토출 가스 주사 공정을 여러 번(예컨대 15회 정도) 반복하여 행하면 좋다. 이에 따라, 주면(31c1, 31c2)에 부착되는 미세한 파편(F)을 주면(31c1, 31c2) 전체로부터 확실히 제거할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 협소한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 토출 가스 주사 공정을 반복하여 행하는 경우, 노즐(60)을 처리실(31a)의 개구부(42) 측에서 반입구(31b) 측으로 되돌릴 때는, 노즐(60)로부터 가스(G)를 토출하면서 되돌리더라도 좋고, 토출을 멈추면서 되돌리더라도 좋다. 또한, 노즐(60)을 반입구(31b) 측으로 되돌리는 작업은, 토출 가스 주사 공정보다 빠른 속도(예컨대 50 mm/s)로 행하면 좋다.
또한, 토출 가스 주사 공정 전에, 공급 포트(36) 및 배출 포트(37)에 도시하지 않는 가스 토출 기구를 부착하고, 이러한 가스 토출 기구를 동작시킴으로써, 공급 포트(36) 및 배출 포트(37)로부터 가스(G)를 처리실(31a) 내에 미리 정해진 양(예컨대 80 L/min) 토출하면 된다(단계 S4a).
이러한 처리에 의해, 처리실(31a) 내에서 파손되어 공급 포트(36)나 배출 포트(37)에 낙하된 파편(F)을 처리실(31a) 내로 되돌릴 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 공급 포트(36)나 배출 포트(37)를 포함한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 주사 기구(70)로서, 건조 처리 유닛(17)의 덮개(33)에 마련되는 이동 기구를 이용하고, 이러한 이동 기구에 의해 노즐(60)을 반입구(31b)로부터 웨이퍼(W)가 반입되는 방향으로 주사한 예에 관해서 나타내고 있다. 그러나, 반드시 덮개(33)에 마련되는 이동 기구를 주사 기구(70)로서 이용할 필요는 없다.
그러나, 실시형태와 같이 덮개(33)에 마련되는 이동 기구를 주사 기구(70)로서 이용하고, 이러한 이동 기구에 의해, 노즐(60)을 반입구(31b)로부터 웨이퍼(W)가 반입되는 방향으로 주사함으로써, 별도로 전용의 주사 기구(70)를 준비하지 않더라도 세정 장치(50)를 구성할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 세정 장치(50)를 저비용으로 구성할 수 있다.
<변형예>
이어서, 상술한 실시형태에 있어서의 변형예에 관해서 도 11∼도 13을 참조하면서 설명한다. 도 11은 실시형태의 변형예에 따른 배기 처리 및 토출 가스 주사 처리를 설명하기 위한 도면이며, 처리 용기(31)를 위쪽에서 본 경우의 단면도이다.
상술한 실시형태에서는, 노즐(60)을 반입구(31b)로부터 웨이퍼(W)가 반입되는 방향으로 주사한 경우에 관해서 나타냈지만, 노즐(60)의 주사 방향은 이러한 방향에 한정되지 않으며, 예컨대 웨이퍼(W)가 반입되는 방향과는 수직인 방향으로 노즐(60)을 주사하여도 좋다.
예컨대, 도 11의 (a)에 도시한 것과 같이, 처리실(31a) 내부를 배기하는 배기 기구(80)의 배기부(81)를, 처리실(31a)의 내벽면(31c) 중 일측(도면에서는 X축 부방향 측)의 측면(31c3)을 따라서 배치한다. 그리고, 이러한 배기부(81)로부터 처리실(31a) 내부를 배기한다(단계 S11).
그리고, 변형예에 따른 세정 장치(50)의 노즐(60)을, 처리실(31a)의 내벽면(31c) 중 타측(도면에서는 X축 정방향 측)의 측면(31c4)을 따라서 배치한다.
여기서, 변형예에 따른 세정 장치(50)의 구성에 관해서 도 12 및 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 12는 실시형태의 변형예에 따른 세정 장치(50)의 구성을 도시하는 외관 사시도이고, 도 13은 실시형태의 변형예에 따른 노즐(60)의 접속부(64)를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12에 도시한 것과 같이, 세정 장치(50)는 노즐(60)과 주사 기구(70)를 구비한다. 노즐(60)은 노즐 형성부(61)와 조인트(62)와 배관(63)을 가지고, 접속부(64)로 노즐 형성부(61)와 조인트(62)와 배관(63)이 접속된다. 또한, 주사 기구(70)는 노즐(60)의 길이 방향과 수직인 방향으로 노즐(60)을 주사하게 할 수 있다.
노즐 형성부(61)는 가스(G)를 미리 정해진 방향으로 토출할 수 있게 구성된다. 노즐 형성부(61)는 막대형이며, 처리실(31a)의 깊이와 대략 같은 길이를 갖는다. 도 13에 도시한 것과 같이, 노즐 형성부(61)에는, 실시형태와 마찬가지로, 노즐 형성부(61)의 길이 방향을 따라서 홈부(61a)가 형성됨과 더불어, 노즐 형성부(61)의 길이 방향을 따라서 복수의 토출구(61b, 61c)(토출구(61c)는 도시하지 않음)가 나란하게 형성된다.
또한, 변형예의 노즐(60)에서는, 토출구(61b)가, 주사 기구(70)로부터 떨어지는 방향과 수직 방향 또한 아래 방향을 향해서 형성되고, 토출구(61c)가, 주사 기구(70)로부터 떨어지는 방향과 수직 방향 또한 위 방향을 향해서 형성된다. 그리고, 이들 토출구(61b, 61c)로부터 가스(G)가 토출된다.
조인트(62)는, 도 12에 도시한 것과 같이 대략 L자형이며, 노즐 형성부(61)보다 약간 긴 길이를 갖는다. 조인트(62)는, 노즐 형성부(61)에 인접하여 마련되고, 노즐 형성부(61)의 홈부(61a)를 덮음과 더불어 노즐 형성부(61)와 배관(63)을 접속한다. 배관(63)은, 조인트(62)의 일단에 접속되며, 도시하지 않는 가스 공급 기구로부터 조인트(62)를 통해 노즐 형성부(61)에 가스(G)를 공급한다.
그리고, 도 13에 도시한 것과 같이, 조인트(62)에는, Y축 방향을 따라서 일부가 관통하는 관통 구멍(62a)이 형성되고, 이러한 관통 구멍(62a)이 노즐 형성부(61)에 형성되는 홈부(61a)와 이어져 있다. 또한, 조인트(62)의 관통 구멍(62a)에는 배관(63)이 이어져 있다.
이에 따라, 배관(63)을 통류하는 가스(G)는, 조인트(62)의 관통 구멍(62a)과 노즐 형성부(61)의 홈부(61a)를 경유하여, 토출구(61b, 61c)로부터 외부로 토출된다.
그리고, 변형예의 노즐(60)에서는, 토출구(61b)로부터, 주사 기구(70)로부터 떨어지는 방향과 수직 방향 또한 아래 방향을 향해서 가스(G)가 토출되고, 토출구(61c)로부터, 주사 기구(70)로부터 멀어지는 방향과 수직 방향 또한 위 방향을 향해서 가스(G)가 토출된다.
도 11의 설명으로 되돌아간다. 도 11의 (a)에 도시한 것과 같이, 측면(31c4)을 따라서 배치한 노즐(60)로부터, 가스(G)가 배기 기구(80)의 배기부(81)를 향하는 방향 또한 주면(31c1, 31c2)(도 10의 (a) 참조)을 향하는 방향으로 토출된다(단계 S12).
그리고, 도 11의 (b)에 도시한 것과 같이, 주사 기구(70)를 동작시켜, 처리실(31a) 내에서 노즐(60)을 내벽면(31c)을 따라서 주사하게 한다(단계 S13). 구체적으로는, 노즐(60)을 처리 용기(31)에 있어서의 한쪽의 측면(31c4)에서 다른 쪽의 측면(31c3)을 향하여, 주면(31c1, 31c2)을 따라서 주사하게 한다.
이에 따라, 실시형태와 마찬가지로, 변형예에서는, 주면(31c1, 31c2)에 부착되는 미세한 파편(F)을 주면(31c1, 31c2) 전체로부터 제거할 수 있다. 따라서, 변형예에 의하면, 주면(31c1, 31c2)에 부착되는 미세한 파편(F)을 주면(31c1, 31c2)으로부터 효과적으로 제거할 수 있으므로, 협소한 처리실(31a)의 내부를 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 변형예에서도 실시형태와 마찬가지로, 토출 가스 주사 처리 전에, 공급 포트(36) 및 배출 포트(37)로부터 가스(G)를 처리실(31a) 내에 토출하면 된다. 이에 따라, 처리실(31a) 내에서 파손되어 공급 포트(36)나 배출 포트(37)에 낙하된 파편(F)을 처리실(31a) 내로 되돌릴 수 있으므로, 공급 포트(36)나 배출 포트(37)를 포함한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
<세정 처리의 상세>
이어서 도 14를 참조하면서 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 처리의 상세한 점에 관해서 설명한다. 도 14는 세정 장치(50)가 실행하는 세정 처리의 수순을 도시하는 흐름도이다.
우선, 처리 용기(31)에 있어서 반입구(31b)의 반대쪽에 마련되는 공급 포트(35)나 유체 공급 헤더(38)를 떼어내어, 반입구(31b)의 반대쪽에 개구부(42)를 형성한다. 그리고, 처리실(31a) 내에서 파손되어 산란하는 웨이퍼(W)의 파편(F) 중 비교적 큰 파편(F)을 픽업 지그(100)로 픽업하여 제거하는 픽업 처리를 행한다(단계 S101).
이러한 픽업 처리는, 예컨대 처리실(31a)의 개구부(42)로부터 빛을 조사하면서, 반입구(31b)에서 하측의 주면(31c1)으로 떨어지는 파편(F)을 눈으로 보아 확인한다. 그리고, 확인된 파편(F)을 픽업 지그(100)로 픽업한다.
이어서, 처리실(31a) 내에서 파손되어 산란하는 웨이퍼(W)의 파편(F) 중 비교적 작은 파편(F)을 흡인 지그(101)로 흡인하여 제거하는 흡인 처리를 행한다(단계 S102). 이러한 흡인 처리는, 예컨대, 처리실(31a)의 주면(31c1) 전체를 흡인 지그(101)로 주사하여, 주면(31c1)에 산란되는 작은 파편(F)을 흡인한다.
이어서, 처리 용기(31)의 개구부(42)에 배기 기구(80)를 부착하고, 이러한 배기 기구(80)를 동작시킴으로써, 처리실(31a) 내부를 미리 정해진 양으로 배기하는 배기 처리를 행한다(단계 S103).
이어서, 노즐(60)을 반입구(31b)를 따라서 배치하여, 노즐(60)로부터 처리실(31a)의 내벽면(31c)을 향하여 가스(G)를 토출한다. 그리고, 주사 기구(70)를 동작시켜, 가스(G)가 토출된 노즐(60)을 내벽면(31c)을 따라서 개구부(42)를 향하여 주사하게 하는 토출 가스 주사 처리를 행한다(단계 S104).
그리고, 이러한 토출 가스 주사 처리를 미리 정해진 횟수 반복하여 행함으로써, 건조 처리 유닛(17)에 대한 일련의 세정 처리가 완료된다.
이상 본 발명의 실시형태에 관해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 취지를 일탈하지 않는 한 다양한 변경이 가능하다. 예컨대, 실시형태에서는 처리실(31a) 내에서 깨어진 웨이퍼(W)의 제거를 목적으로 하여 세정 처리를 하고 있지만, 그 밖의 목적으로 처리실(31a) 내의 세정 처리를 행하여도 좋다.
예컨대, CO2의 초임계 유체를 이용한 건조 처리에 있어서, 원료 CO2 중에 유체의 상태로 유지되는 수분이나 기름 성분이, 어떠한 이유로 인해 건조 처리 유닛(17) 내에서 미스트화되어, 처리실(31a) 내에 파티클로서 부유·부착되는 경우가 있다. 그래서, 실시형태에 따른 세정 처리를 행함으로써, 처리실(31a) 내에 부유·부착되는 파티클을 제거하여, 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 이러한 파티클을 제거하는 세정 처리는, 예컨대 각각의 건조 처리 유닛(17)에 있어서, 파티클 카운터에 의해 건조 처리를 행한 웨이퍼(W)에서의 파티클의 수를 수시로 계측하고, 계측된 파티클의 수가 미리 정해진 수 이상이 되었을 때에 실시하면 된다.
또한, 이러한 세정 처리는, 예컨대 각각의 건조 처리 유닛(17)에 있어서, 웨이퍼(W)에 건조 처리를 행한 누계 시간이 미리 정해진 시간 이상이 되었을 때에 행하여도 좋고, 건조 처리를 행한 웨이퍼(W)의 누계 매수가 미리 정해진 매수 이상이 되었을 때에 행하여도 좋다.
또한, 실시형태에서는, 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 행하는 건조 처리 유닛(17)에 대한 세정 처리에 관해서 나타냈지만, 실시형태에 따른 세정 처리는 이러한 건조 처리 유닛(17)에 한정되지 않고, 협소한 처리실을 갖는 기판 처리 장치라면 어떠한 기판 처리 장치라도 좋다.
더욱이, 실시형태에서는, 건조 처리 유닛(17)이 가로 배치이고, 반입구(31b)가 처리 용기(31)의 측면에 형성되는 예에 관해서 나타냈지만, 건조 처리 유닛(17)을 세로 배치로 하고, 반입구(31b)를 처리 용기(31)의 상면 또는 하면에 형성하여도 좋다.
이 경우에도, 노즐(60)은 처리 용기(31)의 내벽면(31c)을 향하여 가스(G)를 토출하면서 노즐(60)을 내벽면(31c)을 따라서 주사함으로써, 처리실(31a) 내부를 청정하게 클리닝할 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치(50)는 노즐(60)과 주사 기구(70)를 구비한다. 노즐(60)은, 기판(웨이퍼(W))을 처리하는 처리실(31a)의 내벽면(31c)을 향하여 가스(G)를 토출한다. 주사 기구(70)는, 노즐(60)을 처리실(31a) 내에서 내벽면(31c)을 따라서 주사하게 한다. 이에 따라, 협소한 처리실(31a) 내부를 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치(50)는, 노즐(60)로부터 내벽면(31c)에 토출된 가스(G)를 처리실(31a)의 외부로 배기하는 배기 기구(80)를 추가로 구비한다. 이에 따라, 주면(31c1, 31c2)으로부터 가스(G)로 불어 날린 미세한 파편(F)을 처리실(31a)의 외부로 효과적으로 배출할 수 있으므로, 협소한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치(50)에 있어서, 주사 기구(70)는 배기 기구(80)를 향하여 노즐(60)을 주사하게 한다. 이에 따라, 처리실(31a) 내에서 노즐(60)로부터 배기 기구(80)를 향하여 흐르는 기류를 형성할 수 있으므로, 협소한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치(50)에 있어서, 주사 기구(70)는, 처리실(31a)에 기판(웨이퍼(W))을 반입하는 반입구(31b)로부터, 기판(웨이퍼(W))이 처리실(31a) 내에 반입되는 방향을 따라서 노즐(60)을 주사하게 한다. 이에 따라, 별도로 전용의 주사 기구(70)를 준비하지 않더라도 세정 장치(50)를 구성할 수 있으므로, 세정 장치(50)를 저비용으로 구성할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치(50)에 있어서, 노즐(60)에 형성되는 가스(G)의 토출구(61b, 61c)는, 내벽면(31c)을 향하는 방향 또한 노즐(60)이 주사되는 방향을 향하여 가스(G)가 토출되도록 형성된다. 이에 따라, 처리실(31a) 내에서 배기 기구(80)를 향하여 흐르는 기류를 더욱 강하게 형성할 수 있으므로, 협소한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치(50)에 있어서, 주사 기구(70)는 내벽면(31c)의 주면(31c1, 31c2)을 따라서 노즐(60)을 주사하게 한다. 이에 따라, 가장 면적이 큰 주면(31c1, 31c2)에 부착된 미세한 파편(F)을 제거할 수 있으므로, 협소한 처리실(31a) 내부를 더욱 청정하게 클리닝할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 장치(50)에 있어서, 처리실(31a)에서는, 액막이 형성된 기판(웨이퍼(W))을 초임계 상태의 처리 유체와 접촉시켜, 기판(웨이퍼(W))을 건조시키는 처리가 실시된다. 이에 따라, 건조 처리 시에 웨이퍼(W)의 패턴이 쓰러지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 방법은, 기판(웨이퍼(W))을 처리하는 처리실(31a)의 내벽면(31c)을 향하여 가스(G)를 토출하는 노즐(60)을, 처리실(31a) 내에서 내벽면(31c)을 따라서 주사하게 하는 토출 가스 주사 공정(단계 S104)을 포함한다. 이에 따라, 협소한 처리실(31a) 내부를 청정하게 클리닝할 수 있다.
더 한층의 효과나 변형예는 당업자에 의해서 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내며 또한 기술한 특정의 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부한 청구범위 및 그 균등물에 의해서 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고서 다양한 변경이 가능하다.
W: 웨이퍼 1: 기판 처리 시스템
17: 건조 처리 유닛 31: 처리 용기
31a: 처리실 31b: 반입구
31c: 내벽면 31c1, 31c2: 주면
33: 덮개 42: 개구부
50: 세정 장치 60: 노즐
61: 노즐 형성부 61b, 61c, 61d: 토출구
62: 조인트 63: 배관
70: 주사 기구 80: 배기 기구
100: 픽업 지그 101: 흡인 지그
G: 가스 F: 파편

Claims (8)

  1. 기판을 처리하는 처리실의 내벽면을 향하여 가스를 토출하는 노즐과,
    상기 노즐을 상기 처리실 내에서 상기 내벽면을 따라서 주사하게 하는 주사 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노즐로부터 상기 내벽면에 토출된 상기 가스를 상기 처리실의 외부로 배기하는 배기 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 주사 기구는 상기 배기 기구를 향하여 상기 노즐을 주사하게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주사 기구는, 상기 처리실에 상기 기판을 반입하는 반입구로부터, 상기 기판이 상기 처리실 내에 반입되는 방향을 따라서 상기 노즐을 주사하게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노즐에 형성되는 상기 가스의 토출구는, 상기 내벽면을 향하는 방향 또한 상기 노즐이 주사되는 방향을 향하여 상기 가스가 토출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주사 기구는, 상기 내벽면의 주면(主面)을 따라서 상기 노즐을 주사하게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 장치.
  7. 기판을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실의 내벽면을 향하여 가스를 토출하는 노즐과, 상기 노즐을 상기 처리실 내에서 상기 내벽면을 따라서 주사하게 하는 주사 기구를 포함하는 세정 장치
    를 포함하고,
    상기 처리실에서는, 액막이 형성된 상기 기판을 초임계 상태의 처리 유체와 접촉시켜, 상기 기판을 건조시키는 처리가 실시되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 기판을 처리하는 처리실의 내벽면을 향하여 가스를 토출하는 노즐을, 상기 처리실 내에서 상기 내벽면을 따라서 주사하게 하는 토출 가스 주사 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
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