JP2023119497A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】超臨界乾燥後の基板のパーティクルレベルを低減する。【解決手段】本開示の基板処理装置は、表面に液体が付着した基板に対して超臨界状態の処理流体を用いて超臨界乾燥処理を行う基板処理装置であって、基板に対して超臨界乾燥処理が行われる内部空間を有する処理容器と、処理容器が配置された処理領域と、基板の搬出入のための搬出入領域とがその内部に設定されたハウジングと、搬出入領域に設けられ、ハウジングの外部から搬出入領域に入ってきた基板搬送アームとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、受け渡し部と処理容器との間で基板を移送する基板移送機構と、搬出入領域にドライガスを供給し得るように設けられたガス供給部と、を備える。【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体ウエハなどの基板の表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造においては、薬液洗浄あるいはウエットエッチング等の液処理が行われる。近年ますます微細化が進みつつあるパターンの倒壊をより確実に防止するため、近年では、液処理の最終工程である乾燥工程において超臨界状態の処理流体を用いた乾燥方法が用いられつつある（例えば特許文献１を参照）。
特開２０１９－０９１７７２号公報
本開示は、超臨界乾燥後の基板のパーティクルレベルを低減することができる技術を提供するものである。
本開示の一実施形態によれば、表面に液体が付着した基板に対して超臨界状態の処理流体を用いて超臨界乾燥処理を行う基板処理装置であって、前記基板に対して超臨界乾燥処理が行われる内部空間を有する処理容器と、前記処理容器が配置された処理領域と、基板の搬出入のための搬出入領域とがその内部に設定されたハウジングと、前記搬出入領域に設けられ、前記ハウジングの外部から前記搬出入領域に入ってきた基板搬送アームとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、前記受け渡し部と前記処理容器との間で基板を移送する基板移送機構と、前記搬出入領域に、ドライガスを供給し得るように設けられたガス供給部と、を備えた基板処理装置が提供される。
本開示の上記実施形態によれば、超臨界乾燥後の基板のパーティクルレベルを低減することができる。
基板処理装置の一実施形態に係る基板処理システムの概略横断面図である。 図１の基板処理システムに含まれる超臨界乾燥ユニットの構成を示す縦断面図である。 図２の超臨界乾燥ユニットに含まれる処理容器の横断面図である。 図２の超臨界乾燥ユニットのハウジングに設けられた搬出入口および扉を示す概略図である。 図２の超臨界乾燥ユニットに対して処理流体の供給、排出を行う配管系統の構成を示す図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。 超臨界乾燥ユニットの動作を説明する作用図である。
以下に基板処理装置の一実施形態に係る基板処理システム１の構成について図１を参照して簡単に説明する。説明の簡略化のため、ＸＹＺ直交座標系（図１の左下を参照）を設定し、適宜参照するものとする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備えている。
搬入出ステーション２は、ロードポート１１と、搬送ブロック１２とを備えている。ロードポート１１には、複数のキャリアＣが載置される。各キャリアＣは、複数枚の基板Ｗ（例えば半導体ウェハ）を水平姿勢で鉛直方向に間隔を空けて収容する。
搬送ブロック１２内には、搬送装置１３および受渡ユニット１４が設けられている。受渡ユニット１４は、１枚ないし複数枚の未処理の基板Ｗ（処理ステーション３で処理が施される前の基板Ｗ）を一時的に載置する未処理基板載置部と、１枚ないし複数枚の処理済みの基板Ｗ（処理ステーション３で処理が施された基板Ｗ）を一時的に載置する処理済み基板載置部と、を有している。搬送装置１３は、ロードポート１１に載置された任意のキャリアＣと、受渡ユニット１４との間で基板Ｗを搬送することができる。
処理ステーション３は、搬送ブロック４と、搬送ブロック４のＹ方向両脇に設けられた一対の処理ブロック５とを備えている。各処理ブロック５には、液処理ユニット１７と、超臨界乾燥ユニット１８と、処理流体供給キャビネット１９とが設けられている。本実施形態では、液処理ユニット１７および超臨界乾燥ユニット１８は、枚葉式の処理ユニットである。
液処理ユニット１７は、半導体装置製造の技術分野において周知の回転式の液処理ユニットであり、スピンチャックおよび複数のノズル（いずれも図示せず）を備えている。スピンチャックは、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させる。ノズルは、スピンチャックに保持されて回転する基板Ｗに対して、基板Ｗの液処理に必要な様々な処理流体を供給する。超臨界乾燥ユニット１８については後述する。処理流体供給キャビネット１９から、液処理ユニット１７および超臨界乾燥ユニット１８に処理に必要な処理流体が供給される。
搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送エリア１５内に配置された搬送装置１６とを備えている。搬送装置１６は、受渡ユニット１４と、任意の液処理ユニット１７と、任意の超臨界乾燥ユニット１８との間で基板Ｗを搬送することができる。
各処理ブロック５は多層（例えば三層）構造を有していてもよい。この場合、各層に、液処理ユニット１７、超臨界乾燥ユニット１８および処理流体供給キャビネット１９が１つずつ設けられる。この場合、１つの搬送装置１６が全ての層の液処理ユニット１７および超臨界乾燥ユニット１８にアクセス可能となっていてもよい。
基板処理システム１は、制御装置６を備えている。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、演算処理部６１と記憶部６２とを備えている。 演算処理部６１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３，１６、液処理ユニット１７、超臨界乾燥ユニット１８および処理流体供給キャビネット１９等の制御を実現する。 なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
次に、上述した基板処理システム１における基板Ｗの搬送フローについて簡単に説明する。
図示しない外部搬送ロボットが、未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣをロードポート１１に載置する。搬送装置１３が１枚の基板ＷをキャリアＣから取り出し、受渡ユニット１４に搬入する。搬送装置１６が受渡ユニット１４から基板Ｗを取り出し、液処理ユニット１７に搬入する。
液処理ユニット１７内において、複数の工程からなる液処理が施される。非限定的な一実施形態において、液処理は、少なくとも１回の薬液処理工程、少なくとも１回のリンス工程、ＩＰＡ置換工程を含む。薬液処理工程では、スピンチャックにより回転させられている基板Ｗに対してノズルから洗浄用の薬液あるいはウエットエッチング用の薬液が供給される。リンス工程では、スピンチャックにより回転させられている基板Ｗに対してノズルからリンス液（例えばＤＩＷ（純水））が供給され、基板Ｗの表面に残留する薬液および反応生成物が洗い流される。ＩＰＡ置換工程では、スピンチャックにより回転させられている基板Ｗに対してノズルからＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が供給され、基板Ｗの表面（パターンの凹部の表面を含む）にあるリンス液がＩＰＡに置換される。その後、ノズルからＩＰＡが供給したまま基板の回転速度を極低速まで下げてＩＰＡの膜厚を調整した後に、ＩＰＡの供給を停止するとともに基板Ｗの回転を停止する。これにより基板Ｗの表面が所望の膜厚のＩＰＡ液膜（ＩＰＡパドル）で覆われた状態となる。最終的に基板Ｗの表面（パターンの凹部の表面を含む）が所望の膜厚のＩＰＡ液膜で覆われた状態となるのであれば、それ以前の処理工程の内容は任意である。
次に、表面にＩＰＡパドルが形成された基板Ｗが、搬送装置１６により液処理ユニット１７から取り出され、超臨界乾燥ユニット１８に搬入される。超臨界乾燥ユニット１８では、超臨界乾燥技術を用いて、説明する手順で基板Ｗの乾燥が行われる。超臨界乾燥技術は、パターン倒壊を生じさせ得る表面張力がパターンに作用しないことから、微細かつ高アスペクト比のパターンが形成された基板の乾燥に有利に用いることができる。その後、搬送装置１６は、乾燥した基板Ｗを超臨界乾燥ユニット１８から取り出し、受渡ユニット１４に搬入する。搬送装置１３はこの基板Ｗを受渡ユニット１４から取り出し、ロードポート１１に載置された元のキャリアＣに収容する。以上により１枚の基板に対する一連の処理が終了する。
次に、超臨界乾燥ユニット１８の構成および動作について詳細に説明する。
図２に示すように、超臨界乾燥ユニット１８は、ハウジング（筐体）１００を有している。ハウジング１００の内部には、超臨界処理チャンバとして形成された処理容器１１１が配置される処理領域１０１（図２の右側の領域）と、基板Ｗの搬出入のための作業エリアとなる搬出入領域１０２（図２の左側の領域）とが設定されている。ハウジング１００は概ね直方体形状の箱型であり、処理領域１０１および搬出入領域１０２を実質的に完全に包囲している。ハウジング１００については図１も参照されたい。
超臨界乾燥ユニット１８はさらに、処理容器１１１内で基板Ｗを保持する基板保持トレイ１１２（以下、単に「トレイ１１２」と呼ぶ）を有している。トレイ１１２は、処理容器１１１の側壁に設けられた開口１１１Ｃを塞ぐ蓋部１１３と、蓋部（蓋体）１１３に一体的に連結された水平方向に延びる基板保持部１１４とを有する。基板保持部１１４はプレート１１５と、プレート１１５の上面に設けられた複数の支持ピン１１６とを有している。基板Ｗは、その表面（デバイスないしパターンが形成された面）を上向きにした状態で、支持ピン１１６上に水平姿勢で載置される。基板Ｗが支持ピン１１６上に載置されると、プレート１１５の上面と基板Ｗの下面（裏面）との間に隙間が形成される。
図３に示すように、プレート１１５は、平面視で、全体として概ね長方形である。プレート１１５の面積は基板Ｗより大きく、基板保持部１１４の所定位置に基板Ｗが載置されたときにプレート１１５を真下から見ると、基板Ｗはプレート１１５に完全に覆われる。
図２に示すように、プレート１１５には、当該プレート１１５を上下に貫通する複数（例えば３つ）の貫通穴１１８が形成されている。複数の貫通穴１１８は、プレート１１５の下方の空間に供給された処理流体をプレート１１５の上方の空間に流入される役割を果たす。貫通穴１１８は、基板保持部１１４と前述した搬送装置１６（図１参照）のアームとの間で基板Ｗの受け渡しを行うときに、後述するリフトピン１７１を通過させる役割も果たす。
トレイ１１２は、図２において白抜きの四角い箱によって概略的に示されたトレイ移動機構１１２Ｍにより、閉位置（図２の右側の位置）と、開位置（図２の左側の位置）との間で水平方向（Ｘ方向）に移動することができる。トレイ移動機構１１２Ｍは、詳細な図示はしないが、例えば、ハウジング１００の床板１００Ｆの上をＸ方向に延びるガイドレールと、蓋部１１３に結合されるとともにガイドレールに沿って走行する移動体とから構成することができる。
トレイ１１２の閉位置では、基板保持部１１４が処理領域１０１内、詳細には処理容器１１１の内部空間（処理空間）内に位置し、かつ蓋部１１３が処理容器１１１の側壁の開口１１１Ｃを閉鎖する。トレイ１１２の開位置では、基板保持部１１４が処理容器１１１の外の搬出入領域１０２内に位置し、基板保持部１１４と搬送装置１６の搬送アームとの間で、後述のリフトピン１７１を介して基板Ｗの受け渡しを行うことが可能である。また、トレイ１１２が開位置にあるとき、蓋部１１３は処理容器１１１の側壁の開口１１１Ｃを開放する。従って、トレイ移動機構１１２Ｍは蓋体開閉機構であるとも言える。
図２の左側に示すように、搬出入領域１０２には、基板リフター１７０が設けられている。基板リフター１７０は、複数例えば３本のリフトピン１７１と、リフトピン１７１が上面に固定されたベース１７２と、ベース１７２を昇降させる図示しない昇降機構とを有している。リフトピン１７１は、リフトピン１７１を上昇位置（図２において実線で示す）に上昇させたときに開位置にあるトレイ１１２の貫通穴１１８を通過するような位置に設けられている。
搬送エリア１５に面したハウジング１００の壁体には、ハウジング１００に対して基板Ｗを搬出入するための搬出入口１８０が設けられている。搬出入口１８０は、図２では一点鎖線で示されており、図２における手前側のハウジング１００の壁に形成されている。搬出入口１８０は、扉１８２（図４のみに示す）により開閉することができるようになっている。扉１８２は、図４に示すように、片持ちのフラップのような形態であってもよいし、あるいは、上下方向または水平方向（Ｘ方向）に移動可能なスライドドアのような形態であってもよい。
後述するように使用されるパージガス（ドライガス）が窒素ガスである場合、窒素ガス濃度が高くなると、基板処理システム１の近傍にいるオペレータに悪影響が生じる恐れがある。また、搬送エリア１５の雰囲気が搬出入領域１０２に流入すると、パージ効果が低くなる。このため、扉１８２は、搬出入領域１０２と搬送エリア１５（図１参照）との間で搬出入口１８０を介した雰囲気の流動が無いかあるいは殆ど無いように搬出入口１８０を閉塞することが好ましい。
基板リフター１７０のリフトピン１７１が上昇位置にあるとき、搬出入口１８０を通って搬出入領域１０２に侵入してきた搬送装置１６（図１を参照）の基板搬送アーム（図２には図示せず）は、リフトピン１７１の上に基板Ｗを置くことができ、また、リフトピン１７１の上にある基板Ｗを取り去ることができる。つまり、リフトピン１７１は、基板搬送アームとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し部である。また、前述した、トレイ１１２およびトレイ移動機構１１２Ｍは、受け渡し部（リフトピン１７１）と処理容器１１１との間で基板Ｗを移送する基板移送機構であると言える。なお、リフトピン１７１が下降位置（図２において一点鎖線で示す）にあるときには、リフトピン１７１はトレイ１１２の水平移動を妨げない。
ここで再び処理容器１１１およびトレイ１１２の説明に戻る。トレイ１１２が閉位置（図２の右側の位置）にあるとき、プレート１１５により、処理容器１１１の内部空間が、処理中に基板Ｗが存在するプレート１１５の上方の上方空間１１１Ａと、プレート１１５の下方の下方空間１１１Ｂとに分割される。但し、上方空間１１１Ａと下方空間１１１Ｂとが完全に分離されているわけではなく、プレート１１５に形成された貫通穴１１８および長穴１１９、並びにプレート１１５の周縁部と処理容器１１１の内壁面との間の隙間を介して上方空間１１１Ａと下方空間１１１Ｂとが連通している。
処理容器１１１には、第１吐出部１２１および第２吐出部１２２が設けられている。第１吐出部１２１および第２吐出部１２２は、超臨界流体（超臨界状態にある処理流体）の供給源１３０から供給された処理流体（本例では二酸化炭素（以下、簡便のため「ＣＯ２」とも記す））を処理容器１１１の内部空間に吐出する。
第１吐出部１２１は、閉位置にあるトレイ１１２のプレート１１５の下方に設けられている。第１吐出部１２１は、プレート１１５の下面に向けて（上向きに）、下方空間１１１Ｂ内にＣＯ２（処理流体）を吐出する。第１吐出部１２１は、処理容器１１１の底壁に形成された貫通孔により構成することができる。第１吐出部１２１は処理容器１１１の底壁に取り付けられたノズル体であってもよい。
第２吐出部１２２は、閉位置にあるトレイ１１２の基板保持部１１４上に載置された基板Ｗの前方（Ｘ正方向に進んだ位置）に位置するように設けられている。第２吐出部１２２は、概ね水平方向あるいはやや斜め下向きに、上方空間１１１Ａ内にＣＯ２を供給する。図示された実施形態では、第２吐出部１２２は、蓋部１１３と反対側の処理容器１１１の側壁に設けられている。
図３に示すように、第２吐出部１２２は、棒状のノズル体により構成されている。詳細には、第２吐出部１２２は、基板Ｗの幅方向（Ｙ方向）に延びる管１２２ａに、複数の吐出口１２２ｂを穿つことにより形成されている。複数の吐出口１２２ｂは、例えばＹ方向に等間隔で並んでいる。各吐出口１２２ｂは、開口１１１Ｃの方に向けて（概ねＸ負方向に）、上方空間１１２Ａ内にＣＯ２を供給する。
処理容器１１１には、さらに、処理容器１１１の内部空間から処理流体を排出する流体排出部１２４が設けられている。流体排出部１２４は、第２吐出部１２２と概ね同じ構成を有するヘッダーとして構成されている。詳細には、流体排出部１２４は、水平方向に延びる管１２４ａに、複数の排出口１２４ｂを穿つことにより形成されている。複数の排出口１２４ｂは、例えばＹ方向に等間隔で並んでいる。各排出口１２４ｂは、上方を向いており、かつ、プレート１１５の長穴１１９の方を向いている。
図示された実施形態では、流体排出部１２４は、開口１１１Ｃの近傍において、処理容器１１１の底壁に穿たれた凹所の中に設けられている。ＣＯ２は、図６Ｈに矢印で示すように、上方空間１１１Ａ内の基板Ｗの上方の領域を通過して流れた後に、プレート１１５に形成された長穴１１９（あるいはプレート１１５の周縁部に設けられた連通路）を通って下方空間１１１Ｂに流入した後、流体排出部１２４から排出される。
処理容器１１１には、トレイ１１２を閉位置に固定するためのロック機構が設けられている。ロック機構は、処理容器１１１に形成されたガイド穴又はガイド溝に沿って、図示しない昇降機構（例えばエアシリンダまたはボールねじ等）により昇降する閂状のロック部材１２５を有している。図２には、上昇位置（ロック位置）にあるロック部材１２５が実線で示されており、下降位置（アンロック位置）にあるロック部材１２５が一点鎖線で示されている。
図２において矢印Ｖにより概略的に示されるように、処理容器１１１には、閉位置にあるトレイ１１２の蓋部１１３を処理容器１１１の対向面に真空吸着するための吸引ラインが形成されている。吸引ラインは、真空ポンプ等の吸引用機器に接続されている。トレイ１１２を閉位置に移動させた後に、蓋部１１３を吸引することにより、蓋部１１３と処理容器１１１との間に設けられたシール部材２００（図２のみに概略的に示した）を潰しながら、蓋部１１３を処理容器１１１の対向面に密接させることができる。これにより、ロック部材１２５を図２に示す上昇位置（ロック位置）にスムーズに移動させることができる。ロック部材１２５を上昇位置に位置させることにより、処理容器１１１の内圧が高まってもトレイ１１２が開方向（Ｘ負方向）に移動することはない。
ハウジング１００には、搬出入領域１０２内の雰囲気を排出する排気口１８４が設けられている。排気口１８４には、排気路（排気管）１８５を介して、この基板処理システム１が設置されている半導体装置製造工場の排気ダクト（吸引減圧されている）に接続されている。排気口１８４または排気路１８５には、弁１８６例えばバタフライ弁が介設されている。弁１８６の開度を調節することにより、排気口１８４から排出されるガスの流量を調節することができる。
次に、超臨界乾燥ユニット１８において、処理容器１１１に対して処理流体（ＣＯ２）の供給および排出を行う供給／排出系について、図５を参照して説明する。図５に示した配管系統図において、丸で囲んだＴで示す部材は温度センサ、丸で囲んだＰで示す部材は圧力センサである。符号ＯＬＦが付けられた部材はオリフィス（固定絞り）であり、その下流側の配管内を流れるＣＯ２の圧力を所望の値まで低下させる。四角で囲んだＳＶで示す部材は安全弁（リリーフ弁）であり、不測の過大圧力により配管、センサ類等の超臨界乾燥装置の構成要素が破損することを防止する。符号Ｆが付けられた部材はフィルタであり、ＣＯ２中に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去する。符号ＣＶが付けられた部材はチェック弁（逆止弁）である。丸で囲んだＦＶで示す部材はフローメーター（流量計）である。四角で囲んだＨで示す部材はＣＯ２を温調するためのヒータである。参照符号Ｖが付けられた部材は開閉弁である。上記の各種部材のある個体を他の個体から区別する必要がある場合には、アルファベットの末尾に数字を付けることとする（例えば「開閉弁Ｖ２」）。図５には１０個の開閉弁Ｖが描かれているが、これらを互いに区別するために参照符号Ｖ１～Ｖ１０が割り当てられている。
超臨界乾燥装置は、超臨界流体（超臨界ＣＯ２）の供給源としての超臨界流体供給装置１３０を有する。超臨界流体供給装置１３０は、例えば炭酸ガスボンベ、加圧ポンプ、ヒータ等を備えた周知の構成を有している。超臨界流体供給装置１３０は、後述する超臨界状態保証圧力（具体的には約１６ＭＰａ）を超える圧力で超臨界ＣＯ２を送り出す能力を有している。
超臨界流体供給装置１３０には主供給ライン１３２が接続されている。本明細書において、「ライン」と呼ばれる部材は、パイプ（配管部材）により構成することができる。
主供給ライン１３２は分岐点１３３において、第１供給ライン１３４と第２供給ライン１３６とに分岐している。第１供給ライン１３４は、処理容器１１１の第１吐出部１２１に接続されている。第２供給ライン１３６は、処理容器１１１の第２吐出部１２２に接続されている。なお、図５の配管系統図において、第１供給ライン１３４は、分岐点１３３と第２吐出部１２２との間を全体として概ねＵ字形に延びている。
処理容器１１１の流体排出部１２４に、排出ライン１３８が接続されている。排出ライン１３８には、圧力調整弁１４０が設けられている。圧力調整弁１４０の開度を調節することにより、圧力調整弁１４０の一次側圧力を調節することができ、従って、処理容器１１１内の圧力を調節することができる。また、圧力調整弁１４０の開度を調節することにより、処理容器１１１からの処理流体の排出速度も調節することができる。
図１に示した制御装置６あるいはその下位コントローラが、処理容器１１１内の圧力の測定値（ＰＶ）と設定値（ＳＶ）とのの偏差に基づいて、処理容器１１１内の圧力が設定値に維持されるように、圧力調整弁１４０の開度（具体的には弁体の位置）をフィードバック制御する。処理容器１１１内の圧力の測定値としては、例えば、図５に示されたように、排出ライン１３８の開閉弁Ｖ３と処理容器１１１との間に設けられた参照符号ＰＳが付けられた圧力センサの検出値を用いることができる。圧力調整弁１４０は、制御装置６からの指令値に基づいて（フィードバック制御ではなく）固定開度に設定することができる。
第１供給ライン１３４上に設定された分岐点１４２において、第１供給ライン１３４からバイパスライン１４４が分岐している。バイパスライン１４４は、排出ライン１３８に設定された合流点１４６において、排出ライン１３８に接続されている。合流点１４６は、圧力調整弁１４０の上流側にある。
圧力調整弁１４０の上流側において排出ライン１３８に設定された分岐点１４８において、排出ライン１３８から分岐排出ライン１５０が分岐している。分岐排出ライン１５０の下流端は、例えば、超臨界乾燥装置の外部の大気空間に開放されているか、あるいは工場排気ダクトに接続されている。排出ライン１３８の下流端は、直接的に、またはＣＯ２に含まれる有用成分（例えばＩＰＡ）を回収する回収装置（図示せず）を介して、工場排気ダクトに接続されている。
第１供給ライン１３４のフィルタＦの直ぐ上流側に設定された合流点１６０に、パージガス供給ライン１６１が接続されている。パージガス供給ライン１６１の上流端は、パージガス供給源１６２に接続されている。パージガス供給ライン１６１には、上流側から順に、開閉弁Ｖ９、パージガス加熱用のヒータＨ、逆止弁ＣＶ、開閉弁Ｖ１０が介設されている。本実施形態においては、パージガスはクリーンルーム内空気よりも水分含有量（湿度）の低いガスすなわちドライガスであり、具体的には窒素ガス（Ｎ２ガス）である。パージガスは工場用力として提供されたものを用いることができる。
パージガス供給ライン１６１のヒータＨより下流側の部分、および、第１供給ライン１３４の合流点１６０から第１吐出部１２１に至るまでの部分に、ライン（配管）の保温のため、断熱材、あるいは配管ヒータを設けることが好ましい。配管ヒータとしては、テープヒータ（リボンヒータ）、ジャケットヒータ、マントルヒータが例示される。配管を二重管構造として、内管にパージガス、外管に加熱流体を流してもよい。
例示的な一実施形態においては、パージガス供給ライン１６１のうちのヒータＨから開閉弁Ｖ１０までの領域に断熱材が設けられ、パージガス供給ライン１６１の開閉弁Ｖ１０から合流点１６０までの間および第１供給ライン１３４の合流点１６０から処理容器１１１への接続点までの間に配管ヒータが設けられる。
次に、１枚の基板Ｗの処理およびそれに関連する１サイクルの超臨界乾燥ユニット１８の動作について説明する。以下に説明する動作は、図１に示した制御装置６あるいはその下位コントローラによる制御の下で、自動的に行われる。
基板Ｗの搬入に先立ち、ロック部材１２５が下降位置に下降させられ、トレイ１１２の開放待機状態となる（ステップ１）。このとき既に、処理容器１１１内部には第１吐出部１２１から、処理容器１１１内にパージガス（ここではホットＮ２ガス（加熱された窒素ガス）を用いることとする）が吐出されている。この状態が図６Ａに示されている。パージガスの吐出は、開閉弁Ｖ２，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６を閉じて、開閉弁Ｖ９，Ｖ１０を開くことにより行われる。他の開閉弁の状態は任意である。なおこのとき、開閉弁Ｖ６，Ｖ７を開くとともに圧力調節弁１４０を適当な小開度として、流体排出部１２４を介して処理容器１１１内から空気を抜きながら、処理容器１１１内にパージガスを供給してもよい。
次に、図６Ｂに示すように、トレイ１１２が開位置に移動させられる（ステップ２）。これにより処理容器１１１内に供給されているパージガスが開口１１１Ｃを通って搬出入領域１０２内に流出するようになる。時間の経過とともに搬出入領域１０２内のパージガス濃度が高まり、これにより搬出入領域１０２内の湿度（雰囲気中の水分含有量）も減少してゆく。このとき、処理容器１１１内の雰囲気もパージガスによりパージされる。なおこのとき、弁１８６を開いて排気路１８５を介して搬出入領域１０２内の雰囲気を排気することが好ましい。これにより、搬出入領域１０２の窒素ガス雰囲気への置換を促進することができ、かつ、窒素ガスが搬送エリア１５に漏出することを確実に防止することができる。
次に、図６Ｃに示すように、リフトピン１７１が上昇位置に上昇してプレート１１５の貫通穴１１８に挿入され、受け渡し待機状態となる（ステップ３）。このときも引き続き処理容器１１１内に供給されているパージガスが開口１１１Ｃを通って搬出入領域１０２内に流出している。
処理容器１１１の内部および搬出入領域１０２内の雰囲気が十分にパージガスに置換されたら、搬出入口１８０の扉１８２が開かれ、表面にＩＰＡパドルが形成された基板Ｗを保持した搬送装置１６（図１を参照）のアームが搬出入口１８０を通って搬出入領域１０２内に侵入し、リフトピン１７１の上に基板Ｗを置く（ステップ４）。このときの状態が図６Ｄに示されている。
「搬出入領域１０２内の雰囲気が十分にパージガスに置換された」とは、例えば、搬出入領域１０２の湿度が予め定められた値（例えば湿度２５％）以下となったか、あるいはパージガス（窒素ガス）濃度が予め定められた値（例えば窒素濃度８５％）以上となったことを意味する。これを検出するために、搬出入領域１０２内の雰囲気の湿度または窒素濃度を検出するセンサを設けてもよい。これに代えて、ステップ２の開始から所定時間が経過したことをもって、搬出入領域１０２内の雰囲気の湿度または窒素濃度が所望の値となったものと見なしてもよい。
１サイクルの時間を短縮するためには、速やかに搬出入領域１０２内の雰囲気をパージガスで置換することが好ましい。この目的のため、ステップ１において、処理容器１１１の開口１１１Ｃを蓋部１１３により密閉せずに、処理容器１１１と蓋部１１３との間を介して処理容器１１１から搬出入領域１０２内にパージガスをリークさせてもよい。あるいは、ステップ２でトレイ１１２が開位置に移動を開始し蓋部１１３が開口を開放し始めたら、第１吐出部１２１からのパージガスの吐出流量を増加させてもよい。
ステップ１において、上述したように処理容器１１１から搬出入領域１０２内にパージガスをリークさせた場合、排出ライン１３８を介して処理容器１１１を排気しなくてもよい。こうすることにより、パージガスを廃棄することなく搬出入領域１０２の雰囲気調整に有効に利用することができる。但し、処理容器１１１と蓋部１１３との間を密封して、処理容器１１１からパージガスを排出ライン１３８を介して排出しても構わない。
リフトピン１７１の上に基板Ｗが置かれたら、リフトピン１７１が下降位置に下降する。下降の途中で、リフトピン１７１からトレイ１１２（詳細には基板保持部１１４の支持ピン１１６）に基板Ｗが渡される（ステップ５）。このときの状態が図６Ｅに示されている。
次いで、トレイ１１２が閉位置に移動し、これにより、処理容器１１１の内部空間に基板Ｗを保持した基板保持部１１４が収容され、処理容器１１１の開口１１１Ｃが蓋部１１３により閉塞される（ステップ６）。このときの状態が図６Ｆに示されている。開口１１１Ｃが蓋部１１３により閉塞されたら、第１吐出部１２１からのパージガスの吐出は停止される。
ステップ５においてトレイ１１２に基板Ｗが置かれると、基板Ｗは開口１１１Ｃから搬出入領域１０２へと流出するパージガスの主流の中に位置することになる。パージガスの流れにより、基板Ｗの表面のＩＰＡパドルに悪影響（問題となるレベルのＩＰＡの蒸発、ゆらぎ、基板からの脱落）が生じてはならない。このような悪影響を防止するため、トレイ１１２に基板Ｗが置かれたら、第１吐出部１２１からのパージガスの吐出流量を低下させてもよい。あるいは、ステップ６において基板Ｗを載せたトレイ１１２が処理容器１１１に向けて移動を開始した後、基板Ｗと開口１１１Ｃとの間の距離が予め定められた距離以下となったら、第１吐出部１２１からのパージガスの吐出流量を低下させてもよい。また、搬出入領域１０２の湿度が十分に低くなっているのであれば、トレイ１１２に基板Ｗが置かれたら、第１吐出部１２１からのパージガスの吐出を停止してもよい。
第２吐出部１２２から処理容器１１１内へのパージガスの吐出を行うこともできる。この場合には、図５において一点鎖線で示すラインが用いられる。但し、第２吐出部１２２からパージガスの吐出を行うと、特に基板Ｗを保持したトレイ１１２が閉位置に近づくほど、基板Ｗ上のＩＰＡパドルに直接的にパージガスが衝突し、上述した悪影響が生じる恐れが高くなる。この悪影響を回避するためには、例えばパージガスの吐出流量の緻密な制御が必要となる。このため、パージガスは第１吐出部１２１から吐出する方が好ましい。パージガスを第１吐出部１２１から吐出すれば、基板を保持しているトレイ１１２の位置に関わらず、基板Ｗ上のＩＰＡパドルに直接的にパージガスが高流速で衝突する恐れは殆ど無い。
処理容器１１１内に基板Ｗが収容されたら、次に、処理容器１１１の壁体内に設けられた吸引ラインを介して蓋部１１３が吸引され（図６Ｇの矢印Ｖを参照）、蓋部１１３が処理容器１１１に吸着される（ステップ７）。これにより蓋部１１３と処理容器１１１との対向面間をシールするシール部材２００（図２のみに黒丸で概略的に示されている）が大きく潰れる。
この状態で、ロック部材１２５を図２に示す上昇位置（ロック位置）に上昇させる（ステップ８）。このとき蓋部１１３が処理容器１１１に密接しているため、ロック部材１２５をスムーズに上昇させることができる。このときの状態が、図６Ｇに示されている。次に、蓋部１１３の吸着が解除される（ステップ９）。蓋部１１３の吸引が解除された後も、蓋部１１３はロック部材１２５により処理容器１１１に押し付けられており、図２に示されたシール部材２００により蓋部１１３と処理容器１１１との対向面間は十分にシールされている。つまり、処理容器１１１内に密閉された処理空間が形成されている。
次に、処理容器１１１内において、公知の手順に従って基板Ｗの超臨界乾燥処理が行われる（ステップ１０）。以下に超臨界乾燥処理の各工程（昇圧工程、流通工程、排出工程）の一例について簡単に説明しておく。なお、パージガス供給ライン１６１の開閉弁Ｖ９，Ｖ１０は、超臨界乾燥処理の開始前に閉じられ、超臨界乾燥処理が終了するまで閉じたままとされる。なお、超臨界乾燥処理は、昇圧工程、流通工程および排出工程を備えていればよく、各工程における詳細な手順は以下に説明するものに限定されるものではない。
昇圧工程では、開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ５，Ｖ７を開状態とし、開閉弁Ｖ３，Ｖ４，Ｖ６，Ｖ８を閉状態とする。調節弁１４０の開度は適当な固定開度、に固定する。超臨界流体供給装置１３０から主供給ライン１３２に超臨界状態で送り出されたＣＯ２は、第１供給ライン１３４および第１吐出部１２１を介して処理容器１１１内に流入する。処理容器１１１内にＣＯ２が充填されてゆくに従い、処理容器１１１内の圧力が上昇してゆく。
昇圧工程の開始直後に開閉弁Ｖ５を開いておくことにより、第１供給ライン１３４に流入したＣＯ２の一部をバイパスライン１４４に逃がすことにより、過大な流量および流速でガス状態のＣＯ２が高流速で常圧の処理容器１１１内に流入することを防止する。なお、開閉弁Ｖ５を開いている間は、開閉弁Ｖ７，Ｖ８を閉じて、処理容器１１１の下流側のライン内にＣＯ２を滞留させておいてもよい。処理容器１１１の内圧がある程度高くなったら、開閉弁Ｖ５を閉じて、昇圧工程を継続する。
昇圧段階において第１吐出部１２１からＣＯ２を処理容器１１１内に流入させることにより、ガス状態のＣＯ２が高流速で基板Ｗの表面のＩＰＡパドルに衝突して、ＩＰＡに悪影響を及ぼすことが防止される。
処理容器１１内の圧力がＣＯ２の臨界圧力（約８ＭＰａ）を越えると、臨界状態となったＣＯ２が基板Ｗ上のＩＰＡに溶け込むようになる。昇圧段階は、処理容器１１１内の圧力が、基板Ｗ上の混合流体（ＣＯ２＋ＩＰＡ）中のＩＰＡ濃度および当該混合流体の温度に関わらず、当該混合流体が超臨界状態に維持されることが保証される圧力（超臨界状態保証圧力）となるまで継続される。超臨界状態保証圧力は概ね１６ＭＰａ程度である。
処理容器１１１内の圧力が超臨界状態保証圧力に到達したことが検出されたら、開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ５，Ｖ８を閉状態とし、開閉弁Ｖ３，Ｖ４，Ｖ６，Ｖ７を開状態とし、調節弁１４０の動作モードをフィードバック制御モードに切り替え、流通工程に移行する。このとき、制御装置６（またはその下位コントローラ）は、処理容器１１１内の圧力が設定値（設定値ＳＶ＝１６ＭＰａ）に維持されるように、調節弁１４０の開度（操作量ＭＶ）を調節するフィードバック制御を実行する。具体的には、処理容器１１１の直ぐ下流側の排出ライン１３８に設けられた圧力センサＰにより検出された処理容器１１１内の圧力（測定値ＰＶ）が、設定値ＳＶと一致するように、調節弁１４０の開度（操作量ＭＶ）がフィードバック制御される。
流通工程では、第２吐出部１２２から処理容器１１１内に供給された超臨界ＣＯ２が基板の上方領域を流れ、その後流体排出部１２４から排出される。このとき、処理容器１１１内には、基板Ｗの表面と略平行に流動する超臨界ＣＯ２の層流が形成される。超臨界ＣＯ２の層流に晒された基板Ｗの表面上の混合流体（ＩＰＡ＋ＣＯ２）中のＩＰＡは超臨界ＣＯ２に置換されてゆく。最終的には、基板Ｗの表面上にあったＩＰＡのほぼ全てが超臨界ＣＯ２に置換される。流通工程の実施中の状態が、図６Ｈに示されている。
流体排出部１２４から排出されたＩＰＡおよび超臨界ＣＯ２からなる混合流体は、排出ライン１３８を流れた後に回収される。混合流体中に含まれるＩＰＡは分離して再利用することができる。
基板Ｗ上のＩＰＡの超臨界ＣＯ２への置換が完了したら、開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５を閉状態とし、開閉弁Ｖ６，Ｖ７，Ｖ８を開状態とし、調節弁１４０の開度を大開度で固定して、排出工程に移行し、処理容器１１１の設定圧力を常圧まで下げる。処理容器１１１内の圧力の低下に伴い、基板Ｗのパターン内にあった超臨界ＣＯ２が気体となりパターン内から離脱し、気体状態のＣＯ２は処理容器１１１から排出されてゆく。最後に、開閉弁Ｖ５を開き、開閉弁Ｖ１と開閉弁Ｖ５との間に残留していたＣＯ２を抜く。以上により１枚の基板Ｗの超臨界乾燥処理が終了する。
基板Ｗの超臨界乾燥処理が終了したら、処理容器１１１の壁体内に設けられた吸引ラインを介して蓋部１１３が吸引され、蓋部１１３を処理容器１１１に真空吸着する（ステップ１１）。この状態で、ロック部材１２５を下降位置（アンロック位置）に下降させる（ステップ１２）。このときの状態が図６Ｉに示されている。ロック部材１２５が下降位置に移動したら、蓋部１１３の吸引が解除される（ステップ１３）。
ステップ１３において蓋部１１３の吸引が解除されたら、再び、パージガスを第１吐出部１２１から吐出する（図６Ｊを参照）。パージガスは処理済みの（乾燥した）基板Ｗの状態に大きな影響を及ぼすものではない。しかしながら、パージガスを供給し続けることは、処理容器１１１および搬出入領域１０２を継続的に低湿度雰囲気に維持する上で有益であり、例えば、次の基板Ｗに対する１サイクルの所要時間を短縮することにもつながる。従って、ステップ１３でパージガスの吐出を再開したのなら、本サイクルの最終ステップまで、パージガスを第１吐出部１２１から吐出し続けることが好ましい。
次に、トレイ１１２が開位置に移動する（ステップ１４）。このときの状態は図６Ｅと同じである。第１吐出部１２１からのパージガスの吐出は、トレイ１１２が開位置に移動し始めたときに開始してもよい。なお、トレイ１１２が処理容器１１１の内部空間に近い場合（例えばトレイ１１２が部分的に処理容器１１１の中にあるとき）に大流量で第１吐出部１２１からパージガスを吐出すると、トレイ１１２上における基板Ｗの位置ずれが生じるおそれがある。このため、トレイ１１２が処理容器１１１の内部空間から所定の距離だけ離れるまでは小さな流量で第１吐出部１２１からパージガスを吐出し、前記所定の距離だけ離れた後にパージガスの吐出流量を増加させてもよい。
次に、リフトピン１７１を上昇位置に上昇させる（ステップ１５）。これにより、リフトピン１７１は、プレート１１５の貫通穴１１８を通って上昇して基板Ｗをプレート１１５の上方に持ち上げ、基板Ｗは受け渡し待機状態となる。このときの状態は図６Ｄと同じである。
次に、搬出入口１８０の扉１８２が開かれ、基板Ｗを保持した搬送装置１６（図１を参照）のアームが搬出入口１８０を通って搬出入領域１０２内に侵入し、リフトピン１７１から基板Ｗを取り去る（ステップ１６）。このときの状態は図６Ｃと同じである。その後、搬送装置１６のアームは搬出入領域１０２から退出し、扉１８２が閉じられる。
次にリフトピン１７１を下降位置に降下させる（ステップ１７）。このときの状態は図６Ｂと同じである。次に、トレイ１１２を閉位置に移動させて、ステップ１と同じ状態にする。このときの状態は図６Ａと同じである。
次に、ハウジング１００の搬出入領域１０２内の雰囲気を排気する排気路１８５の作用について説明する。ステップ７からステップ１３までの間、処理容器１１１は密閉されているため、搬出入領域１０２内には新たなパージガスが供給されることはない。また、ステップ７からステップ１３までの間、処理容器１１１は密閉され、かつ、扉１８２が閉じられているため、搬出入領域１０２内に汚染物質が侵入することもない。従って、ステップ７からステップ１３の間に、排気路１８５を介した搬出入領域１０２の排気を行う必要は無い。
ステップ２からステップ６までの間、並びにステップ１４からステップ１７までの間、処理容器１１１に供給されたパージガスが搬出入領域１０２内に流出している。このとき、排気路１８５を介して搬出入領域１０２内の雰囲気を排出することにより、搬出入領域１０２内の雰囲気のパージガスへの置換を促進することができる。搬出入領域１０２内に流入するパージガスの流量と概ね等しい流量で、排気路１８５を介して搬出入領域１０２内を排気することが好ましい。排気口からの排気流量を調節するため、排気路１８５に設けられた弁１８６の開度が調節される。搬出入領域１０２内の圧力と搬送エリア１５内の圧力が概ね等しくなるように（例えばフィードバック制御により）排気路１８５を介した排気流量を調節することにより、搬出入領域１０２と搬送エリア１５との間での雰囲気移動を最小限に抑制することができる。雰囲気移動は、扉１８２が開いているとき、あるいは扉１８２が閉じていても搬出入口１８０の縁と扉１８２との間に隙間がある場合に生じ得る。雰囲気中の濃度が高くなると人体に悪影響を及ぼすガス例えば窒素ガスがパージガスとして用いられている場合、パージガスが搬出入領域１０２から搬送エリア１５に多量に流出すると、装置オペレータないし作業者の安全を脅かす可能性がある。しかしながら、搬出入領域１０２内の圧力と搬送エリア１５内の圧力を概ね等しくすることにより、このようなリスクを防止することができる。
上記実施形態によれば、表面にＩＰＡパドルが形成された基板Ｗが搬入される前に搬出入領域１０２にパージガスを供給することにより搬出入領域１０２の雰囲気中の水分量（湿度）を低下させている。このため、ＩＰＡ中に水分が溶け込むことにより（ＩＰＡの吸湿により）、乾燥後の基板の表面にパーティクルが残留することを抑制することができる。
また、上記実施形態によれば、搬出入領域１０２へのパージガスの供給は第１吐出部１２１および処理容器１１１の内部空間を介して行っている。このため、搬出入領域１０２内雰囲気の水分量だけでなく、処理容器１１１の内部空間の水分量も低下させることができる。このため、基板Ｗを処理容器１１１の内部空間に搬入した後にも基板Ｗ上のＩＰＡ中に水分が溶け込むことを抑制することができる。また、搬出入領域１０２へのパージガスの供給のために専用のパージガス供給装置を設ける必要がなくなる。
上記実施形態においては、搬出入領域１０２内へのパージガスの供給は、全て第１吐出部１２１および処理容器１１１の内部空間を介して行ったが、これには限定されない。搬出入領域１０２内に直接的にパージガスを吐出するパージガス吐出装置１９０（図２に一点鎖線で示す）を例えば搬出入領域１０２に面したハウジング１００の壁体に設けてもよい。パージガス吐出装置１９０はファンフィルタユニットであってもよい。この場合、パージガス吐出装置１９０は、この基板処理システム１が設置されるクリーンルーム内の空気を取り込み、フィルタ（例えばＵＬＰＡフィルタ）により濾過して搬出入領域１０２内に吐出する機能に加えて、パージガスを吐出する機能を有していてもよい。
パージガス吐出装置１９０は、搬出入領域１０２内において上昇位置にあるリフトピン１７１により支持された基板Ｗの表面（上面）に直接的にガスを吹き付けないような位置に設けることが好ましい。そうすることにより、処理前の基板Ｗの上面を覆うＩＰＡパドルがパージガスにより悪影響を受けるリスクを低減することができる。パージガス吐出装置１９０は、図２に示されているように、リフトピン１７１により支持された基板Ｗの表面より低い領域に向けてパージガスを横向きに（Ｘ方向に）吐出するように設けることも好ましい。
パージガス吐出装置１９０を設けることにより、処理容器１１１の開閉状態に関わらず、搬出入領域１０２内にパージガスを供給することができる。例えばステップ１において、処理容器１１１が閉塞されている時に、搬出入領域１０２内にパージガスを供給することができれば、搬出入領域１０２内を短時間で所定のパージガス濃度（あるいは所定の湿度）にすることができる。また、処理容器１１１が開放されているときには、パージガス供給装置から搬出入領域１０２内にパージガスを供給すると同時に第１吐出部１２１から処理容器１１１を介して搬出入領域１０２内にパージガスを供給することにより、搬出入領域１０２内を短時間で所定のパージガス濃度（あるいは所定の湿度）にすることができる。
上記実施形態では、パージガスとして湿度の低いドライガスを用いた。なお、「ドライガス」とは、基板処理システム１が設置されるクリーンルーム内雰囲気（空気）よりも水分含有量（湿度）の低いガスを意味する。より具体的には、上記実施形態ではパージガス（ドライガス）として高温の窒素ガスを用いたが、常温の窒素ガスを用いることも可能である。但し、ＩＰＡパドルに溶け込む水分を減少させる観点からは、高温の窒素ガスを用いた方が好ましい。また、パージガス（ドライガス）は、窒素ガスに限定されるものではなく、水分含有量の低い他のガス、例えばドライエアであってもよい。なお、ドライエアとは、クリーンルーム内空気あるいはこれと同等の空気から、除湿装置（これは半導体装置製造の技術分野において周知である）を用いて水分を除去したものを意味する。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の半導体装置の製造において用いられる他の種類の基板であってもよい。
Ｗ 基板
１１１ 処理容器
１０１ 処理領域
１０２ 搬出入領域
１７１ 受け渡し部（リフトピン）
１１２ 基板移送機構（トレイ）
１２１，１９０ ガス供給部

Claims (13)

  1. 表面に液体が付着した基板に対して超臨界状態の処理流体を用いて超臨界乾燥処理を行う基板処理装置であって、
    前記基板に対して超臨界乾燥処理が行われる内部空間を有する処理容器と、
    前記処理容器が配置された処理領域と、基板の搬出入のための搬出入領域とがその内部に設定されたハウジングと、
    前記搬出入領域に設けられ、前記ハウジングの外部から前記搬出入領域に入ってきた基板搬送アームとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
    前記受け渡し部と前記処理容器との間で基板を移送する基板移送機構と、
    前記搬出入領域に、ドライガスを供給し得るように設けられたガス供給部と、
    を備えた基板処理装置。
  2. 前記ガス供給部は、前記処理容器の前記内部空間にドライガスを吐出するガス吐出部を含み、前記内部空間が前記搬出入領域に連通しているときに、前記ガス吐出部から前記内部空間内に吐出された前記ドライガスが前記内部空間をパージしつつ前記搬出入領域に流出することにより、前記搬出入領域に前記ドライガスが供給される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理容器の前記内部空間に前記ガス吐出部から吐出される前に前記ドライガスを加熱するヒータをさらに備えた、請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記ガス吐出部は、前記ドライガスの供給源および前記処理流体の供給源に接続され、前記ガス吐出部を、前記ドライガスの供給源または前記処理流体の供給源に選択的に連通させることができる切替機構を備えた、請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 前記ガス供給部は、前記搬出入領域に開口する吹き出し口を有するガス吐出装置を含む、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記受け渡し部は、その先端部により基板を下方から支持する昇降可能なリフトピンを含み、前記基板移送機構は、前記基板を水平姿勢で支持して前記搬出入領域と前記処理容器の前記内部空間との間で水平方向に移動可能なトレイを含む、請求項１から５のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記基板処理装置の動作を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、前記処理容器の前記内部空間で超臨界乾燥処理が施される前の基板が、前記受け渡し部に渡された時から、前記基板移送機構により前記処理容器の前記内部空間まで移送された時までの期間のうちの少なくとも一部の期間内に、前記ガス吐出部からの前記ドライガスの吐出を停止するか、あるいは、前記ドライガスの吐出流量を前記基板が前記受け渡し部に渡された時より前の吐出流量よりも減少させる、請求項２、または請求項２に従属する場合における請求項３から６のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記基板処理装置の動作を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、前記処理容器の前記内部空間で超臨界乾燥処理が施された基板が、前記内部空間から前記基板移送機構により前記受け渡し部に移送されるときに、前記基板が前記内部空間から予め定められた距離だけ離れるまでの間、前記ガス吐出部からの前記ドライガスの吐出を停止するか、あるいは前記ドライガスを第１吐出流量で吐出し、前記基板が前記内部空間から前記予め定められた距離だけ離れた後に、前記ドライガスの吐出流量を前記第１吐出流量より大きな第２吐出流量に増大させる、請求項２、または請求項２に従属する場合における請求項３から６のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 前記ハウジングの前記搬出入領域を排気する排気部をさらに備えた、請求項１から８のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  10. 前記基板処理装置の動作を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、前記ガス供給部による前記搬出入領域への前記ドライガスの供給流量と、前記排気部からの排気流量とが概ね釣り合うように、前記ガス供給部および前記排気部を制御する、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記ドライガスは、窒素ガスである、請求項１から１０のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 基板に対して超臨界乾燥処理が行われる内部空間を有する処理容器と、
    前記処理容器が配置された処理領域と、基板の搬出入のための搬出入領域とがその内部に設定されたハウジングと、
    前記搬出入領域に設けられ、前記ハウジングの外部から前記搬出入領域に入ってきた基板搬送アームとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
    前記受け渡し部と前記処理容器との間で基板を移送する基板移送機構と、
    前記搬出入領域に、ドライガスを供給し得るように設けられたガス供給部と、
    を備えた基板処理装置を用いて、表面に液体が付着した前記基板を超臨界乾燥処理により乾燥させる基板処理装置であって、
    前記ガス供給部により前記搬出入領域に前記ドライガスを供給することと、
    前記搬出入領域内の雰囲気の水分含有量があらかじめ定められた値より小さくなった後に、表面に液体が付着した前記基板を前記基板搬送アームにより前記搬出入領域に搬入しするとともに前記受け渡し部に渡すことと、
    前記受け渡し部から前記基板移送機構に基板を渡すことと、
    前記基板移送機構により保持された基板を前記処理容器の前記内部空間に収容することと、
    前記処理容器の前記内部空間で超臨界乾燥処理を行うことと、
    を備えた基板処理方法。
  13. 前記ガス供給部は、前記処理容器の前記内部空間にドライガスを吐出するガス吐出部を含み、前記内部空間が前記搬出入領域に連通しているときに、前記ガス吐出部から前記内部空間内に吐出された前記ドライガスが前記内部空間をパージしつつ前記搬出入領域に流出することにより、前記搬出入領域に前記ドライガスが供給される、請求項１２に記載の基板処理方法。
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