TW202410186A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明的目的係降低超臨界乾燥後的基板的微粒等級。 本發明的基板處理裝置，係利用超臨界狀態的處理流體對在正面附著有液體的基板，來進行超臨界乾燥處理，且其具備：處理容器，具有對基板進行超臨界乾燥處理的內部空間；殼體，在其內部設置了：「配置處理容器的處理區域」以及「用於搬出搬入基板的搬出搬入區域」；傳遞部，設置在搬出搬入區域，並在其與「從殼體的外部向搬出搬入區域進入的基板搬運臂」之間進行基板的傳遞；基板傳送機構，在傳遞部與處理容器之間傳送基板；以及氣體供給部，為了能夠對搬出搬入區域供給乾燥氣體而被設置。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於基板處理裝置及基板處理方法。

在半導體晶圓等的基板的正面形成積體電路的疊層構造的半導體裝置的製造中，會進行藥液洗淨或濕蝕刻等的液體處理。為了更確實地防止近年正在往更加微小化邁進之圖案的崩塌，在近年，於作為液體處理的最終步驟的乾燥步驟中正在運用利用了超臨界狀態的處理流體的乾燥方法(參照例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2019－091772號公報

﹝發明所欲解決之問題﹞

本發明提供一種能夠降低超臨界乾燥後的基板的微粒等級之技術。 ﹝解決問題之技術手段﹞

根據本發明的一實施態樣，提供一種利用超臨界狀態的處理流體對在正面附著有液體的基板，進行超臨界乾燥處理的基板處理裝置，其具備：處理容器，具有對該基板進行超臨界乾燥處理的內部空間；殼體，在其內部設置了「配置該處理容器的處理區域」與「用於搬出搬入基板的搬出搬入區域」；傳遞部，設置在該搬出搬入區域，並在其與「從該殼體的外部進入到該搬出搬入區域的基板搬運臂」之間進行基板的傳遞；基板傳送機構，在該傳遞部與該處理容器之間傳送基板；以及氣體供給部，為了能夠對該搬出搬入區域供給乾燥氣體而被設置。 ﹝發明效果﹞

若藉由本發明的上述實施態樣，則能夠降低超臨界乾燥後的基板的微粒等級。

以下，針對依基板處理裝置的一實施態樣的基板處理系統1的構成，參照圖1來進行簡單地說明。為了說明的簡略化，而設置XYZ正交座標系(參照圖1的左下)，來作為適宜參照者。

如圖1所示，基板處理系統1具備搬入搬出站2以及處理站3。

搬入搬出站2具備載入埠11以及搬送區12。在載入埠11載置了複數個載具C。各載具C將複數片基板W(例如半導體晶圓)以水平姿態並在鉛直方向空出間隔來收容。

在搬送區12內設置搬送裝置13以及傳遞單元14。傳遞單元14具有：未處理基板載置部，暫時地載置1片乃至複數片的未處理的基板W(在處理站3施行處理之前的基板W)；以及已處理基板載置部，暫時地載置1片乃至複數片的已處理的基板W(在處理站3施行處理後的基板W)。搬送裝置13能夠在已載置於載入埠11的任意的載具C以及傳遞單元14之間搬送基板W。

處理站3具備：搬送區4、以及設置在搬送區4的Y方向的兩側的一對處理區5。在各處理區5設置有液體處理單元17、超臨界乾燥單元18、處理流體供給櫃19。在本實施態樣中，液體處理單元17以及超臨界乾燥單元18為單片式的處理單元。

液體處理單元17為在半導體裝置製造的技術領域中眾所皆知的旋轉式的液體處理單元，且其具備旋轉夾盤以及複數個噴嘴(都未圖示)。旋轉夾盤係將基板W以水平姿態固持並使其繞鉛直軸線旋轉。噴嘴係對被固持在旋轉夾盤並旋轉的基板W，供給在基板W的液體處理中必要的各式各樣的處理流體。關於超臨界乾燥單元18會在之後詳述。由處理流體供給櫃19向液體處理單元17以及超臨界乾燥單元18供給在處理時必要的處理流體。

搬送區4具備搬送領域15；以及搬送裝置16，配置在搬送領域15內。搬送裝置16能夠在傳遞單元14、任意的液體處理單元17以及任意的超臨界乾燥單元18之間搬送基板W。

各處理區5亦可具有多層(例如三層)構造。此情況，在各層逐一設置液體處理單元17、超臨界乾燥單元18以及處理流體供給櫃19。此情況，1個搬送裝置16亦可能夠進出全部的層的液體處理單元17以及超臨界乾燥單元18。

基板處理系統1具備控制裝置6。控制裝置6為例如電腦，並具備演算處理部61以及儲存部62。演算處理部61包含：具有CPU(Central Processing Unit，中央處理器)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、輸入輸出埠等的微電腦或各種的迴路。此微電腦的CPU係藉由讀取並執行ROM所儲存的程式，而實現搬送裝置13、16、液體處理單元17、超臨界乾燥單元18以及處理流體供給櫃19等的控制。此外，此程式亦可被儲存在可藉由電腦讀取的儲存媒體，並從此儲存媒體安裝至控制裝置6的儲存部62。作為可藉由電腦讀取的儲存媒體係例如硬碟(Hard Disk，HD)、軟性磁碟(Flexible Disk，FD)、光碟(Compact Disc，CD)、磁光碟(Magnetooptical Disk，MO)、記憶卡等。儲存部62係由例如RAM、快閃式記憶體(Flash Memory)等的半導體記憶元件或硬碟、光碟等的儲存裝置所實現。

接著，針對在上述的基板處理系統1的基板W的搬送流程進行簡單地說明。

未圖示的外部搬送機器人將收容了未處理的基板W的載具C載置在載入埠11。搬送裝置13係從載具C取出1片基板W，並搬入至傳遞單元14。搬送裝置16從傳遞單元14取出基板W，並搬入至液體處理單元17。

在液體處理單元17內，施行由複數個步驟所組成的液體處理。在非限定的一實施態樣中，液體處理包含：至少1次的化學液處理步驟、至少1次的清洗步驟、IPA(Isopropanol，異丙醇)置換步驟。在化學液處理步驟中，從噴嘴對藉由旋轉夾盤而旋轉的基板W供給洗淨用的化學液或濕蝕刻用的化學液。在清洗步驟中，係從噴嘴對藉由旋轉夾盤而旋轉的基板W供給清洗液(例如DIW(純水))，來沖洗殘留在基板W的正面的化學液以及反應產物。在IPA置換步驟中，從噴嘴對藉由旋轉夾盤而旋轉的基板W供給IPA，來將基板W的正面(包含圖案的凹部的表面)的清洗液置換為IPA。在此之後，在從噴嘴供給IPA的狀態下，將基板的旋轉速度降到極低速，來調整IPA的膜厚之後，停止IPA的供給，並停止基板W的旋轉。藉此，基板W的正面成為被以所希望的膜厚的IPA液膜(IPA液層)所覆蓋的狀態。只要最終基板W的正面(包含圖案的凹部的表面)成為被以所希望的膜厚的IPA液膜所覆蓋的狀態，則在此之前的處理步驟的內容係任意。

接著，藉由搬送裝置16將在正面形成了IPA液層的基板W從液體處理單元17取出，並搬入至超臨界乾燥單元18。在超臨界乾燥單元18中係使用超臨界乾燥技術，並以說明中的次序進行基板W的乾燥。超臨界乾燥技術，由於會使圖案崩塌產生的表面張力不作用於圖案，故能夠有利於用在將「形成了細微且高深寬比的圖案的基板」乾燥。在此之後，搬送裝置16將已乾燥的基板W從超臨界乾燥單元18取出，並搬入至傳遞單元14。搬送裝置13將此基板W從傳遞單元14取出，並將其收容至「載置在載入埠11的原本的載具C」。依據以上的次序結束對1片基板的一連串的處理。

接著，針對超臨界乾燥單元18的構成以及動作進行詳細地說明。

如圖2所示，超臨界乾燥單元18具有殼體(筐體)100。在殼體100的內部設置了：「處理區域101(圖2的右側的區域)，配置作為超臨界處理腔室而形成的處理容器111」；以及「搬出搬入區域102(圖2的左側的區域)，設置為用於基板W的搬出搬入的作業領域」。殼體100為大致長方體的箱型，並實質地完全地包圍處理區域101以及搬出搬入區域102。關於殼體100亦請參照圖1。

超臨界乾燥單元18更具有：在處理容器111內固持基板W的基板固持托盤112(以下，只稱為「托盤112」)。托盤112具有：蓋部113，塞住設置在處理容器111的側壁的開口111C；以及一體連結於蓋部(蓋體)113的往水平方向延伸的基板固持部114。基板固持部114具有：板部115；以及設置於板部115的頂面的複數個支持銷116。基板W係在其正面(形成了元件乃至圖案的面)朝上的狀態下，以水平姿態載置在支持銷116上。一旦基板W被載置於支持銷116上，則在板部115的頂面與基板W的底面(背面)之間形成隙間。

如圖3所示，板部115係在俯視觀察下整體大致為長方形。板部115的面積比基板W大，且若在將基板W載置在基板固持部114的既定位置時，從正下方觀察板部115，則基板W被板部115完全地覆蓋。

如圖2所示，在板部115形成上下貫通該板部115的複數個(例如3個)的貫通孔118。複數個貫通孔118發揮將「供給至板部115的下方的空間的處理流體」向「板部115的上方的空間」流入的作用。貫通孔118亦發揮在基板固持部114與前述的搬送裝置16(參照圖1)的臂部之間進行基板W的傳遞時，使後述的升降銷171通過的作用。

托盤112係藉由在圖2中由空心的方盒來概略地表示的托盤移動機構112M，而能夠在關閉位置(圖2的右側的位置)與開啟位置(圖2的左側的位置)之間在水平方向(X方向)上移動。托盤移動機構112M雖然沒有詳細的圖式，但例如能夠由「在殼體100的底板100F上沿著X方向延伸的導軌」以及「與蓋部113結合並沿著導軌移動的移動體」所構成。

若托盤112在關閉位置，則基板固持部114係位在處理區域101內，詳細來說係位在處理容器111的內部空間(處理空間)內，且蓋部113將處理容器111的側壁的開口111C關閉。若托盤112在開啟位置，則基板固持部114位在處理容器111之外的搬出入區域102內，且其能夠在基板固持部114與搬送裝置16的搬送臂部之間，藉由後述的升降銷171進行基板W的傳遞。又，托盤112位在開啟位置時，蓋部113將處理容器111的側壁的開口111C開啟。因此，托盤移動機構112M亦可說係蓋體開關機構。

如圖2的左側所示，在搬出搬入區域102設置了基板升降桿170。基板升降桿170具有：複數根(例如3根)的升降銷171；基座172，在其頂面固定升降銷171；以及使基座172升降的未圖示的升降機構。升降銷171係被設置在「當使升降銷171上升至上升位置(在圖2中以實線表示)時，會通過在開啟位置的托盤112的貫通孔118」的位置。

在面向搬送領域15的殼體100的壁體，設置有用於對殼體100搬出搬入基板W的搬出搬入口180。搬出搬入口180在圖2係以一點鏈線來表示，並形成於位在圖2的前側的殼體100之壁。搬出搬入口180能夠藉由門182(只顯示在圖4)來進行開關。門182亦可如圖4所示係如懸臂的轉板般的形態，或亦可係如能夠在上下方向或水平方向(X方向)移動的滑門般的形態。

如後述般使用的吹淨氣體(乾燥氣體)為氮氣時，若氮氣濃度變高，則有對在基板處理系統1的附近的操作者產生不良影響之虞。又，若搬送領域15的環境氣體流入至搬出搬入區域102，則吹淨效果變低。因此，門182係以「在搬出搬入區域102與搬送領域15(參照圖1)之間，沒有或幾乎沒有經由搬出搬入口180的環境氣體的流動」的方式來封閉搬出搬入口180為佳。

當基板升降桿170的升降銷171在上升位置之時，「通過搬出搬入口180並進入至搬出搬入區域102的搬送裝置16(參照圖1)的基板搬運臂(在圖2中未圖示)」，能夠將基板W放置在升降銷171之上，又，其能夠將在升降銷171之上的基板W除去。換言之，升降銷171係在其與基板搬運臂之間進行基板的傳遞的傳遞部。又，前述的托盤112以及托盤移動機構112M可以說係在傳遞部(升降銷171)與處理容器111之間傳送基板W的基板傳送機構。此外，升降銷171在下降位置(在圖2中以一點鏈線表示)之時，升降銷171不妨礙托盤112的水平移動。

在此，再次回到處理容器111以及托盤112的說明。當托盤112在關閉位置(圖2的右側的位置)之時，由板部115將處理容器111的內部空間分割成「在處理中有基板W的板部115的上方之上方空間111A」以及「板部115的下方之下方空間111B」。但是，上方空間111A與下方空間111B並非完全地分離，而是透過「形成在板部115的貫通孔118及長孔119」以及「板部115的周緣部與處理容器111的內壁面之間的隙間」，來連通上方空間111A與下方空間111B。

在處理容器111設置有第一吐出部(氣體供給部)121以及第二吐出部122。第一吐出部121以及第二吐出部122將來自超臨界流體(位在超臨界狀態的處理流體)的供給源130所供給的處理流體(在本例為二氧化碳(以下，為了方便亦記載為「CO ₂」))吐出至處理容器111的內部空間。

第一吐出部121設置在位於關閉位置的托盤112的板部115的下方。第一吐出部121朝向板部115的底面(向上方)，並對下方空間111B內吐出CO ₂(處理流體)。第一吐出部121能夠由形成在處理容器111的底壁的貫通孔來構成。第一吐出部121亦可係安裝於處理容器111的底壁的噴嘴體。

第二吐出部122被設置為位在「被載置於位在關閉位置的『托盤112的基板固持部114上』的基板W的前方(向X正方向前進後的位置)」。第二吐出部122係朝向大致水平方向或些許傾斜向下的方向，來對上方空間111A內供給CO ₂。在圖式所顯示的實施態樣中，第二吐出部122被設置在與蓋部113相反側的處理容器111的側壁。

如圖3所示，第二吐出部122係由棒狀的噴嘴體所構成。詳細而言，第二吐出部122係藉由對「沿著基板W的寬方向(Y方向)延伸的管部122a」鑿出複數個吐出口122b而形成。複數個吐出口122b例如在Y方向以等間隔排列。各吐出口122b朝向開口111C的方向(大致在負X方向)，來對上方空間111A內供給CO ₂。

在處理容器111更設置了從處理容器111的內部空間將處理流體排出的流體排出部124。流體排出部124被構成為作為具有與第二吐出部122大致相同的構成的集管。詳細而言，流體排出部124係藉由對「向水平方向延伸的管部124a」鑿出複數個排出口124b而形成。複數個排出口124b例如在Y方向以等間隔排列。各排出口124b係朝向上方，且朝向板部115的長孔119。

在圖式中顯示的實施態樣中，流體排出部124係在開口111C的附近，被設置在於處理容器111的底壁鑿出的凹處之中。CO ₂係如圖6H中的箭頭所示，在流通過上方空間111A內的基板W的上方的區域之後，通過形成在板部115的長孔119(或設置在板部115的周緣部的連通道)而流入至下方空間111B之後，從流體排出部124排出。

在處理容器111設置有用於在關閉位置固定托盤112的鎖固機構。鎖固機構具有：閂狀的鎖固構件125，藉由未圖示的升降機構(例如氣壓缸或滾珠螺桿等)沿著形成在處理容器111的導引孔或導引溝槽來進行升降。在圖2中，位在上升位置(鎖固位置)的鎖固構件125以實線來表示，而位在下降位置(非鎖固位置)的鎖固構件125以一點鏈線來表示。

如圖2中以箭頭V概略地所示，在處理容器111形成用於將「位在關閉位置的托盤112的蓋部113」真空吸附於「處理容器111的對向面」的抽吸管路。抽吸管路與真空泵等的抽吸用機器連接。在使托盤112移動至關閉位置之後，藉由對蓋部113抽吸，而能夠一邊壓扁設置於蓋部113與處理容器111之間的密封構件200(只概略地顯示在圖2)，一邊使蓋部113密接於處理容器111的對向面。藉此，能夠使鎖固構件125順暢地移動至在圖2中顯示的上升位置(鎖固位置)。由於使鎖固構件125位在上升位置，故即使處理容器111的內部壓力提高，托盤112也不會往開方向(X負方向)移動。

在殼體100設置將搬出搬入區域102內的環境氣體排出的排氣口184。排氣口184係經由排氣通路(排氣管)185，與設置了此基板處理系統1的半導體裝置製造工廠的排氣管槽(被抽吸減壓)連接。在排氣口184或排氣通路185插設有閥體186(例如蝶形閥)。藉由調節閥體186的開度，而能夠調節從排氣口184排出的氣體的流量。

接著，關於超臨界乾燥單元18，針對對於處理容器111進行處理流體(CO ₂)的供給以及排出的供給／排出系統，並參照圖5來進行說明。在圖5中顯示的配管系統圖中，以用圓圈圍起來的T來表示的構件係溫度感測器，且以用圓圈圍起來的P來表示的構件係壓力感測器。附加符號OLF的構件係孔口(固定孔徑)，其使流過此下游側的配管內的CO ₂的壓力降低至所希望的値。以用四角形圍起來的SV來表示的構件係安全閥(Relief valve)，用於防止由於意料之外的過大壓力而破壞了配管、感測器類等的超臨界乾燥裝置的構成要素。附加符號F的構件係過濾器，用於除去CO ₂中所包含的微粒等的污染物質。附加符號CV的構件係止回閥(Check valve)。以用圓圈圍起來的FM來表示的構件係流量計(Flow meter)。以用四角形圍起來的H來表示的構件係用於溫調CO ₂的加熱器。附加參照符號V的構件係開閉閥。當有區別上述的各種構件的某個個體與其他的個體的必要之時，在字母的末尾附加數字(例如「開閉閥V2」)。在圖5中畫出了10個開閉閥，為了互相地區別這些開閉閥V而分配了參照符號V1～V10。

超臨界乾燥裝置具有作為超臨界流體(超臨界CO ₂)的供給源的超臨界流體供給裝置130。超臨界流體供給裝置130具有例如具備了二氧化碳氣瓶、加壓泵、加熱器等的熟知的構成。超臨界流體供給裝置130具有將超臨界CO ₂以超過後述的超臨界狀態保證壓力(具體而言約16MPa)的壓力送出的能力。

在超臨界流體供給裝置130連接有主供給管線132。在本說明書中，稱為「管線」的構件能夠由管路(配管構件)所構成。

主供給管線132係在分歧點133分支出第一供給管線134與第二供給管線136。第一供給管線134與處理容器111的第一吐出部121連接。第二供給管線136與處理容器111的第二吐出部122連接。此外，在圖5的配管系統圖中，第一供給管線134係在分歧點133與第二吐出部122之間整體呈大致U字形延伸。

在處理容器111的流體排出部124連接有排出管線138。在排出管線138設置壓力調整閥140。藉由調節壓力調整閥140的開度，而能夠調節壓力調整閥140的一次側壓力，因此，能夠調節處理容器111內的壓力。又，藉由調節壓力調整閥140的開度，而能夠亦調節來自處理容器111的處理流體的排出速度。

在圖1顯示的控制裝置6或其下位控制器，係根據處理容器111內的壓力的測定値與設定值的偏差，回饋控制壓力調整閥140的開度(具體而言係閥體的位置)，以維持處理容器111內的壓力在設定值。作為處理容器111內的壓力的測定値，係例如如圖5所示，能夠採用「設置在排出管線138的開閉閥V6與處理容器111之間的附加了參照符號P的壓力感測器的偵測值」。壓力調整閥140能夠根據來自控制裝置6的指令値(非回饋控制)而設定為固定開度。

在設置於第一供給管線134上的分歧點142中，從第一供給管線134分支出旁通管線144。旁通管線144係在設置於排出管線138的合流點146與排出管線138連接。合流點146位在壓力調整閥140的上游側。

在壓力調整閥140的上游側設置排出管線138的分歧點148，從排出管線138分支出分支排出管線150。分支排出管線150的下游端例如係向超臨界乾燥裝置的外部的大氣空間敞開，或係與工廠排氣管槽連接。排出管線138的下游端係直接地、或經由回收CO ₂中含有的有用成分(例如IPA)的回收裝置(未圖示)，與工廠排氣管槽連接。

於設置在第一供給管線134的「過濾器F的靠近過濾器F的上游側」的合流點160，連接有吹淨氣體供給管線161。吹淨氣體供給管線161的上游端與吹淨氣體供給源162連接。在吹淨氣體供給管線161上從上游側依序插設開閉閥V9、吹淨氣體加熱用的加熱器H、止回閥CV、開閉閥V10。在本實施態樣中，吹淨氣體為比無塵室內空氣的水分含有量(濕度)還低的空氣亦即乾燥氣體，具體而言係氮氣(N ₂氣體)。吹淨氣體方面，可以使用作為工廠生產資源所提供者。

為了管線(配管)的保溫，以在「比吹淨氣體供給管線161的加熱器H還下游側的部分，以及從第一供給管線134的合流點160到第一吐出部121的部分」設置絕熱材料或配管加熱器為佳。作為配管加熱器，例示了帶狀加熱器(Ribbon heater)、加熱套(Heating jacket)、加熱包(Heating mantle)。亦可將配管設為二重管構造，而向內管流入吹淨氣體，並向外管流入加熱流體。

在例示的一實施態樣中，係在從吹淨氣體供給管線161當中的加熱器H到開閉閥V10的區域設置絕熱材料，並「在從吹淨氣體供給管線161的開閉閥V10到合流點160之間」以及「在從第一供給管線134的合流點160到往處理容器111的連接點之間」設置配管加熱器。

接著，針對1片基板W的處理以及與其相關的1組循環的超臨界乾燥單元18的動作來加以說明。在以下說明的動作係在藉由顯示於圖1的控制裝置6或其下位控制器的控制之下，而自動地進行。

在搬入基板W之前，使鎖固構件125下降至下降位置，並將托盤112設為開放待機狀態(步驟1)。在此時已經在處理容器111內部由第一吐出部121向處理容器111內吐出了吹淨氣體(在此設為使用熱N ₂氣體(加熱過的氮氣))。此狀態顯示於圖6A中。吹淨氣體的吐出係藉由將開閉閥V2、V4、V5、V6關閉，並將開閉閥V9、V10開啟來進行。其他的開閉閥的狀態係任意。此外，在此時，亦可開啟開閉閥V6、V7，並將壓力調整閥140設為適當的小開度，而一邊藉由流體排出部124將空氣從處理容器111內排出，一邊對處理容器111內供給吹淨氣體。

接著，如圖6B所示，使托盤112移動至開啟位置(步驟2)。藉此，「供給至處理容器111內的吹淨氣體」通過開口111C而向搬出搬入區域102內流出。隨著時間的流逝，搬出搬入區域102內的吹淨氣體濃度提高，藉此，搬出搬入區域102內的濕度(環境氣體中的水分含有量)亦逐漸減少。此時，處理容器111內的環境氣體亦藉由吹淨氣體而被吹淨。此外，在此時，以開啟閥體186而經由排氣通路185來將搬出搬入區域102內的環境氣體排氣為佳。藉此，能夠促進將搬出搬入區域102的環境氣體置換為氮氣環境氣體，且能夠確實地防止氮氣往搬送領域15漏出。

接著，如圖6C所示，升降銷171上升至上升位置並插入至板部115的貫通孔118，而成為傳遞待機狀態(步驟3)。此時「持續供給至處理容器111內的吹淨氣體」通過開口111C並向搬出搬入區域102內流出。

若處理容器111的內部以及搬出搬入區域102內的環境氣體完全地被置換為吹淨氣體後，則開啟搬出搬入口180的門182，且「固持有在正面形成了IPA液層的基板W的搬送裝置16(參照圖1)的臂部」通過搬出搬入口180而進入至搬出搬入區域102內，來將基板W放置在升降銷171之上(步驟4)。此時的狀態顯示於圖6D。

所謂的「搬出搬入區域102內的環境氣體充分地被置換為吹淨氣體」，例如係意指搬出搬入區域102的濕度變為預定的値(例如為濕度25％)以下，或係吹淨氣體(氮氣)濃度變為預定的値(例如為氮氣濃度85％)以上。為了檢出此數值，亦可設置檢出搬出搬入區域102內的環境氣體的濕度或氮氣濃度的感測器。代替上述，亦可將「從步驟2的開始起經過了既定時間」，視為搬出搬入區域102內的環境氣體的濕度或氮氣濃度變為所希望的値。

為了縮短1組循環的時間，係以快速地用吹淨氣體置換搬出搬入區域102內的環境氣體為佳。為了此目的，在步驟1中，不藉由蓋部113密閉處理容器111的開口111C，而使吹淨氣體從處理容器111經由處理容器111與蓋部113之間而滲漏至搬出搬入區域102內亦可。或者，在步驟2托盤112開始移動至開啟位置且蓋部113開始開啟開口後，使來自第一吐出部121的吹淨氣體的吐出流量增加亦可。

在步驟1，如上所述般地使吹淨氣體從處理容器111滲漏至搬出搬入區域102內的情況，亦可不經由排出管線138將處理容器111排氣。藉由此動作，能夠不將吹淨氣體廢棄而有效地利用於搬出搬入區域102的環境氣體調整。但是，將處理容器111與蓋部113之間密封，而從處理容器111經由排出管線138排出吹淨氣體亦無妨。

若將基板W放置於升降銷171之上後，則將升降銷171下降至下降位置。在下降的途中，將基板W從升降銷171傳遞至托盤112(詳細而言係基板固持部114的支持銷116)(步驟5)。此時的狀態顯示於圖6E。

接著，托盤112移動至關閉位置，藉此，在處理容器111的內部空間收容固持了基板W的基板固持部114，並藉由蓋部113封閉處理容器111的開口111C(步驟6)。此時的狀態顯示於圖6F。若藉由蓋部113封閉開口111C後，則停止來自第一吐出部121的吹淨氣體的吐出。

一旦在步驟5將基板W放置於托盤112，則基板W變成位在從開口111C往搬出搬入區域102流出的吹淨氣體的主流之中的位置。然而，不能因吹淨氣體的流動，而在基板W的正面的IPA液層產生不良影響(會成為問題的等級之IPA的蒸發、晃動、從基板脫落)。為了防止如此般的不良影響，在將基板W載置於托盤112後，亦可使來自第一吐出部121的吹淨氣體的吐出流量下降。或者，在步驟6中，載置基板W的托盤112朝向處理容器111而開始移動之後，在基板W與開口111C之間的距離變為預定的距離以下後，使來自第一吐出部121的吹淨氣體的吐出流量下降亦可。又，若搬出搬入區域102的濕度已變得充分地低，則亦可在將基板W載置於托盤112後，停止來自第一吐出部121的吹淨氣體的吐出。

亦能夠進行從第二吐出部122向處理容器111內的吹淨氣體的吐出。此情況，係利用在圖5中以一點鏈線表示的線。但是，一旦從第二吐出部122進行吹淨氣體的吐出，尤其是固持有基板W的托盤112越接近關閉位置，則吹淨氣體直接地向基板W上的IPA液層衝擊，而產生上述的不良影響之虞會變得越高。為了回避此不良影響，會需要例如吹淨氣體的吐出流量的緻密的控制。為此，以吹淨氣體係從第一吐出部121吐出的方式為佳。若從第一吐出部121吐出吹淨氣體，則無論固持有基板的托盤112的位置為何，都幾乎不存在吹淨氣體以高流速直接地對基板W上的IPA液層衝擊之虞。

在將基板W收容至處理容器111內後，接著，藉由設置在處理容器111的壁體內的抽吸管路，來抽吸蓋部113(參照圖6G的箭頭V)，而將蓋部113吸附至處理容器111(步驟7)。藉此，大大地壓扁「將蓋部113與處理容器111的對向面間密封」的密封構件200(只在圖2以黑圓點概略地表示)。

在此狀態，使鎖固構件125上升至在圖2顯示的上升位置(鎖固位置)(步驟8)。由於此時蓋部113密接於處理容器111，故能夠使鎖固構件125順暢地上升。此時的狀態係顯示於圖6G。接著，解除蓋部113的吸附(步驟9)。解除蓋部113的抽吸之後，亦藉由鎖固構件125將蓋部113抵緊在處理容器111，並藉由在圖2顯示的密封構件200，來充分地密封蓋部113與處理容器111的對向面間。換言之，在處理容器111內形成了密閉的處理空間。

接著，在處理容器111內，根據眾所皆知的次序進行基板W的超臨界乾燥處理(步驟10)。以下針對超臨界乾燥處理的各步驟(升壓步驟、流通步驟、排出步驟)的一例先進行簡單地說明。此外，將吹淨氣體供給管線161的開閉閥V9、V10設定為在超臨界乾燥處理的開始前關閉，且到超臨界乾燥處理結束仍保持關閉。此外，超臨界乾燥處理只要具備升壓步驟、流通步驟以及排出步驟即可，且各步驟中的詳細的次序並非限定在以下說明的內容。

在升壓步驟中，係將開閉閥V1、V2、V5、V7設為開啟狀態，並將開閉閥V3、V4、V6、V8設為關閉狀態。調整閥140的開度固定在適當的固定開度。從超臨界流體供給裝置130向主供給管線132以超臨界狀態送出的CO ₂經由第一供給管線134以及第一吐出部121流入至處理容器111內。隨著CO ₂充填至處理容器111內，處理容器111內的壓力也隨著上升。

由於藉由在緊接於升壓步驟的開始之後先開啟開閉閥V5，而使流入至第一供給管線134的CO ₂的一部分流入至旁通管線144，故防止了在過大的流量以及流速下氣體狀態的CO ₂以高流速流入至常壓的處理容器111內。此外，在打開開閉閥V5的期間亦可將開閉閥V7、V8關閉，而使CO ₂先滯留在處理容器111的下游側的管線內。當處理容器111的內部壓力升高到一定程度時，關閉開閉閥V5，並繼續升壓步驟。

藉由在升壓階段使CO ₂從第一吐出部121流入至處理容器111，來防止氣體狀態的CO ₂以高流速向基板W的正面的IPA液層衝擊，而對IPA帶來不良影響。

若處理容器111內的壓力超過CO ₂的臨界壓力(約8MPa)，則成為臨界狀態的CO ₂溶於基板W上的IPA。將升壓階段持續到「處理容器111內的壓力變為：無論基板W上的混合流體(CO ₂＋IPA)中的IPA濃度以及該混合流體的溫度為何，都保證該混合流體維持在超臨界狀態的壓力(超臨界狀態保證壓力)」。超臨界狀態保證壓力大致在16MPa左右。

若檢測出處理容器111內的壓力到達至超臨界狀態保證壓力，則將開閉閥V1、V2、V5、V8設為關閉狀態，將開閉閥V3、V4、V6、V7設為開啟狀態，將調整閥140的動作模式切換為回饋控制模式，過渡至流通步驟。此時，控制裝置6(或其下位控制器)，實行調節調整閥140的開度(操作量)的回饋控制，以令處理容器111內的壓力維持在設定值(設定值＝16MPa)。具體而言，回饋控制調整閥140的開度(操作量)，以令「由設置在處理容器111的靠近處理容器111的下游側的排出管線138的壓力感測器P所檢測出的處理容器111內的壓力(測定値)」與設定值一致。

在流通步驟，係將「由第二吐出部122向處理容器111內所供給的超臨界CO ₂」流過基板的上方區域，其後從流體排出部124排出。此時，在處理容器111內形成與基板W的正面略平行地流動的超臨界CO ₂的層流。「曝露在超臨界CO ₂的層流的基板W的正面上的混合流體(IPA＋CO ₂)中的IPA」漸漸被置換為超臨界CO ₂。最終，曾在基板W的正面上的幾乎全部的IPA都被置換為超臨界CO ₂。流通步驟的實施中的狀態係顯示於圖6H。

從流體排出部124所排出的由IPA以及超臨界CO ₂所組成的混合流體係在流過排出管線138之後而被回收。混合流體中所含有的IPA能夠分離並再利用。

若完成了將基板W上的IPA置換為超臨界CO ₂後，則將開閉閥V1、V2、V3、V4、V5設為關閉狀態，將開閉閥V6、V7、V8設為開啟狀態，以大開度固定調整閥140的開度，過渡至排出步驟，將處理容器111的設定壓力降低至常壓。伴隨著處理容器111內的壓力的下降，基板W的圖案內的超臨界CO ₂變為氣體並從圖案內脫離，而氣體狀態的CO ₂漸漸從處理容器111排出。在最後，將開閉閥V5開啟，來排出在開閉閥V1和開閉閥V5之間殘留的CO ₂。藉由以上步驟結束1片基板W的超臨界乾燥處理。

在基板W的超臨界乾燥處理結束後，藉由設置在處理容器111的壁體內的抽吸管路抽吸蓋部113，而將蓋部113真空吸附於處理容器111(步驟11)。在此狀態，使鎖固構件125下降至下降位置(非鎖固位置)(步驟12)。此時的狀態顯示於圖6I。在鎖固構件125移動至下降位置後，解除蓋部113的抽吸(步驟13)。

在步驟13解除蓋部113的抽吸後，再次從第一吐出部121吐出吹淨氣體(參照圖6J)。吹淨氣體不會對已處理(已乾燥)的基板W的狀態產生大的影響。然而，持續供給吹淨氣體的步驟，在讓處理容器111以及搬出搬入區域102持續地維持在低濕度環境氣體的方面係有益的，例如，亦牽涉到縮短對於下一片基板W的1組循環的所需時間。因此，若在步驟13重新開始吹淨氣體的吐出，則以到本循環的最終步驟為止都從第一吐出部121持續吐出吹淨氣體為佳。

接著，托盤112移動至開啟位置(步驟14)。此時的狀態係與圖6E相同。在托盤112開始往開啟位置移動之時，開始從第一吐出部121吐出吹淨氣體亦可。此外，若在托盤112靠近處理容器111的內部空間的情況(例如當托盤112一部分在處理容器111之中時)，以大流量從第一吐出部121吐出吹淨氣體，則有產生在托盤112上的基板W的位置偏移之虞。因此，托盤112從處理容器111的內部空間遠離到既定的距離之前係以小的流量從第一吐出部121吐出吹淨氣體，並在遠離該既定的距離之後，使吹淨氣體的吐出流量增加亦可。

接著，使升降銷171上升至上升位置(步驟15)。藉此，升降銷171通過板部115的貫通孔118並上升，而將基板W向上推往板部115的上方，基板W成為傳遞待機狀態。此時的狀態係與圖6D相同。

接著，開啟搬出搬入口180的門182，而「固持有基板W的搬送裝置16(參照圖1)的臂部」通過搬出搬入口180進入至搬出搬入區域102內，而將基板W從升降銷171除去(步驟16)。此時的狀態係與圖6C相同。其後，搬送裝置16的臂部從搬出搬入區域102退出，並關閉門182。

接著，使升降銷171下降至下降位置(步驟17)。此時的狀態係與圖6B相同。接著，使托盤112移動至關閉位置，設為與步驟1相同的狀態。此時的狀態係與圖6A相同。

接著，針對將殼體100的搬出搬入區域102內的環境氣體排氣的排氣通路185的作用來加以說明。從步驟7到步驟13之間，由於密閉了處理容器111，故不對搬出搬入區域102內供給新的吹淨氣體。又，從步驟7到步驟13之間，由於密閉了處理容器111，且關閉了門182，故污染物質亦不侵入至搬出搬入區域102內。因此，在步驟7到步驟13之間，沒有進行藉由排氣通路185的搬出搬入區域102的排氣之必要。

從步驟2到步驟6之間以及從步驟14到步驟17之間，對處理容器111所供給的吹淨氣體流出至搬出搬入區域102內。此時，藉由經由排氣通路185將搬出搬入區域102內的環境氣體排出，能夠促進將搬出搬入區域102內的環境氣體置換為吹淨氣體。較佳為，以與流入至搬出搬入區域102內的吹淨氣體的流量大致相等的流量，經由排氣通路185，將搬出搬入區域102內排氣。為了調節從排氣口排出的排氣流量，而調節設置在排氣通路185的閥體186的開度。藉由以使搬出搬入區域102內的壓力與搬送領域15內的壓力變為大致相等的方式(例如藉由回饋控制)，來調節經過排氣通路185的排氣流量，能夠最小限度地抑制在搬出搬入區域102與搬送領域15之間的環境氣體移動。環境氣體移動係在門182開啟之時，或即使門182關閉但在搬出搬入口180的邊緣與門182之間有隙間的情況下會發生。在以「若在環境氣體中的濃度變高則對人體產生不良影響的氣體(例如氮氣)」作為吹淨氣體來使用的情況下，若吹淨氣體由搬出搬入區域102向搬送領域15大量地流出，則有威脅裝置操作者乃至作業員的安全的可能性。然而，藉由將搬出搬入區域102內的壓力與搬送領域15內的壓力設為大致相等，能夠防止如此般的風險。

若根據上述實施態樣，則由於在搬入「在正面形成了IPA液層的基板W」之前，對搬出搬入區域102供給吹淨氣體，故使搬出搬入區域102的環境氣體中的含水量(濕度)下降。因此，能夠抑制「由於水分溶於IPA中(由於IPA的吸濕)，而讓微粒殘留在乾燥後的基板的正面」。

又，若根據上述實施態樣，則向搬出搬入區域102供給吹淨氣體係經由第一吐出部121以及處理容器111的內部空間來進行。因此，不僅能夠使搬出搬入區域102內的環境氣體的含水量下降，亦能夠使處理容器111的內部空間的含水量下降。因此，即使在將基板W搬入至處理容器111的內部空間之後，亦能夠抑制水分溶於基板W上的IPA中。又，變得沒有為了向搬出搬入區域102供給吹淨氣體，而設置專用的吹淨氣體供給裝置的必要。

在上述實施態樣中，雖然向搬出搬入區域102內供給吹淨氣體係全部經由第一吐出部121以及處理容器111的內部空間來進行，但不限定於此。亦可將「對搬出搬入區域102內直接地吐出吹淨氣體的吹淨氣體吐出裝置(氣體供給部)190(在圖2以一點鏈線來表示)」設置在例如面對搬出搬入區域102的殼體100的壁體。吹淨氣體吐出裝置190為風扇過濾器單元亦可。此情況下，吹淨氣體吐出裝置190除了導入設置此基板處理系統1的無塵室內的空氣，並藉由過濾器(例如超低穿透空氣過濾網(ULPA Filter, Ultra Low Penetration Air Filter))來將其過濾並向搬出搬入區域102內吐出的功能之外，具有吐出吹淨氣體的功能亦可。

吹淨氣體吐出裝置190，以設置在像是不向「在搬出搬入區域102內由位在上升位置的升降銷171所支撐的基板W的正面(頂面)」直接地吹送氣體的位置為佳。藉由這麼做，能夠降低在處理前的覆蓋基板W的頂面的IPA液層，由於吹淨氣體而受到不良影響的風險。吹淨氣體吐出裝置190係如圖2所示，設置為朝向比由升降銷171所支撐的基板W的正面還低的區域，而將吹淨氣體向橫方向(向X方向)吐出亦佳。

由於設置吹淨氣體吐出裝置190，故不論處理容器111的開關狀態，都能夠向搬出搬入區域102內供給吹淨氣體。例如在步驟1，在處理容器111被封閉之時，若能夠向搬出搬入區域102內供給吹淨氣體，則能夠在短時間讓搬出搬入區域102內達到既定的吹淨氣體濃度(或既定的濕度)。又，在開啟著處理容器111之時，係藉由從吹淨氣體供給裝置向搬出搬入區域102內供給吹淨氣體的同時，從第一吐出部121經由處理容器111向搬出搬入區域102內供給吹淨氣體，而能夠在短時間讓搬出搬入區域102內達到既定的吹淨氣體濃度(或既定的濕度)。

在上述實施態樣，係使用了濕度低的乾燥氣體作為吹淨氣體。此外，所謂「乾燥氣體」，係意指水分含有量(濕度)比設置了基板處理系統1的無塵室內環境氣體(空氣)還低的氣體。更具體而言，雖然在上述實施態樣係使用高溫的氮氣作為吹淨氣體(乾燥氣體)，但亦能夠使用常溫的氮氣。但是，從使溶於IPA液層的水分減少的觀點而言，係以使用高溫的氮氣的方式為佳。又，吹淨氣體(乾燥氣體)並不被限定為氮氣，亦可為水分含有量低的其它的氣體，例如為乾燥空氣。此外，所謂乾燥空氣，係意指利用除濕裝置(這在半導體裝置製造的技術領域中係眾所皆知的)，而從無塵室內空氣或與此同等的空氣去除水分的空氣。

應視本次揭示的實施態樣在所有的點皆為例示，而並非用以限定者。上述的實施態樣亦可在不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨下，以各式各樣形態進行省略、置換、變更。

基板並非限定為半導體晶圓，亦可為玻璃基板、陶瓷基板等在半導體裝置的製造所使用的其它的種類之基板。

1:基板處理系統 2:搬入搬出站 3:處理站 4,12:搬送區 5:處理區 6:控制裝置 11:載入埠 13,16:搬送裝置 14:傳遞單元 15:搬送領域 17:液體處理單元 18:超臨界乾燥單元 19:處理流體供給櫃 61:演算處理部 62:儲存部 100:殼體 100F:底板 101:處理區域 102:搬出搬入區域 111:處理容器 111A:上方空間 111B:下方空間 111C:開口 112:托盤(基板傳送機構) 112M:托盤移動機構 113:蓋部 114:基板固持部 115:板部 116:支持銷 118:貫通孔 119:長孔 121:第一吐出部(氣體供給部) 122:第二吐出部 122a,124a:管部 122b:吐出口 124:流體排出部 124b:排出口 125:鎖固構件 130:超臨界流體供給裝置(超臨界流體的供給源) 132:主供給管線 133,142,148:分歧點 134:第一供給管線 136:第二供給管線 138:排出管線 140:壓力調整閥(調整閥) 144:旁通管線 146,160:合流點 150:分支排出管線 161:吹淨氣體供給管線 162:吹淨氣體供給源 170:基板升降桿 171:傳遞部(升降銷) 172:基座 180:搬出搬入口 182:門 184:排氣口 185:排氣通路 186:閥體 190:吹淨氣體吐出裝置(氣體供給部) 200:密封構件 C:載具 CV:止回閥 F:過濾器 FV:流量計 H:加熱器 OLF:孔口 P:壓力感測器 SV:安全閥 T:溫度感測器 V:抽吸管路 V1~V10:開閉閥 W:基板

[圖1]係依基板處理裝置的一實施態樣的基板處理系統的概略橫剖面圖。 [圖2]係表示圖1的基板處理系統所包含的超臨界乾燥單元的構成的縱剖面圖。 [圖3]係圖2的超臨界乾燥單元所包含的處理容器的橫剖面圖。 [圖4]係表示設置在圖2的超臨界乾燥單元的殼體的搬出搬入口以及門的概略圖。 [圖5]係表示對圖2的超臨界乾燥單元進行處理流體的供給、排出的配管系統的構成的圖式。 [圖6A]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6B]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6C]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6D]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6E]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6F]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6G]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6H]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6I]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。 [圖6J]係說明超臨界乾燥單元的動作的運作圖。

18:超臨界乾燥單元

100:殼體

100F:底板

101:處理區域

102:搬出搬入區域

111:處理容器

111A:上方空間

111B:下方空間

111C:開口

112:托盤(基板傳送機構)

112M:托盤移動機構

113:蓋部

114:基板固持部

115:板部

116:支持銷

118:貫通孔

119:長孔

121:第一吐出部(氣體供給部)

122:第二吐出部

122a:管部

122b:吐出口

124:流體排出部

125:鎖固構件

170:基板升降桿

171:傳遞部(升降銷)

172:基座

180:搬出搬入口

184:排氣口

185:排氣通路

186:閥體

190:吹淨氣體吐出裝置(氣體供給部)

200:密封構件

V:抽吸管路

W:基板

Claims (13)

1. 一種基板處理裝置，利用超臨界狀態的處理流體對在正面附著有液體的基板，進行超臨界乾燥處理，其具備： 處理容器，具有對該基板進行超臨界乾燥處理的內部空間； 殼體，在其內部設置了：配置了該處理容器的處理區域，以及用於搬出搬入基板的搬出搬入區域； 傳遞部，設置在該搬出搬入區域，並在其與從該殼體的外部進入到該搬出搬入區域的基板搬運臂之間進行基板的傳遞； 基板傳送機構，在該傳遞部與該處理容器之間傳送基板；以及 氣體供給部，為了能夠對該搬出搬入區域供給乾燥氣體而被設置。
2. 如請求項1所述之基板處理裝置，其中， 該氣體供給部，包含氣體吐出部，對該處理容器的該內部空間吐出乾燥氣體，且在該內部空間與該搬出搬入區域連通之時，藉由從該氣體吐出部向該內部空間內吐出的該乾燥氣體，一面將該內部空間吹淨，一面向該搬出搬入區域流出，而對該搬出搬入區域供給該乾燥氣體。
3. 如請求項2所述之基板處理裝置，更具備： 加熱器，在將該乾燥氣體從該氣體吐出部吐出到該處理容器的該內部空間之前，加熱該乾燥氣體。
4. 如請求項2或3所述之基板處理裝置，其中， 該氣體吐出部係與該乾燥氣體的供給源以及該處理流體的供給源連接，且具備能夠使該氣體吐出部選擇性地與該乾燥氣體的供給源或該處理流體的供給源連通的切換機構。
5. 如請求項1至4中任一項所述之基板處理裝置，其中， 該氣體供給部更包含具有開口在該搬出搬入區域的噴出口的氣體吐出裝置。
6. 如請求項1至5中任一項所述之基板處理裝置，其中， 該傳遞部包含：能夠升降的升降銷，藉由其前端部，而從下方支撐基板；且該基板傳送機構包含：托盤，以水平姿態支撐該基板，並能夠在該搬出搬入區域與該處理容器的該內部空間之間向水平方向移動。
7. 如請求項2或在依附於請求項2的情況下的請求項3至6中任一項所述之基板處理裝置，更具備： 控制部，控制該基板處理裝置的動作； 該控制部，從在該處理容器的該內部空間施行超臨界乾燥處理前的基板被傳遞至該傳遞部之時，到被藉由該基板傳送機構傳送到該處理容器的該內部空間之時的期間當中的至少一部分的期間內，停止從該氣體吐出部的該乾燥氣體的吐出，或使該乾燥氣體的吐出流量減少至比該基板被傳遞至該傳遞部時之前的吐出流量少。
8. 如請求項2或在依附於請求項2的情況下的請求項3至6中任一項所述之基板處理裝置，更具備： 控制部，控制該基板處理裝置的動作； 該控制部，在於該處理容器的該內部空間受施行了超臨界乾燥處理的基板，藉由該基板傳送機構從該內部空間向該傳遞部傳送之時，在該基板從該內部空間離開預定的距離為止的期間，停止從該氣體吐出部的該乾燥氣體的吐出，或以第1吐出流量吐出該乾燥氣體，並在該基板從該內部空間離開了該預定的距離之後，使該乾燥氣體的吐出流量增大至比該第1吐出流量還大的第2吐出流量。
9. 如請求項1至8中任一項所述之基板處理裝置，更具備： 排氣部，將該殼體的該搬出搬入區域排氣。
10. 如請求項9所述之基板處理裝置，更具備： 控制部，控制該基板處理裝置的動作； 該控制部控制該氣體供給部以及該排氣部，俾令藉由該氣體供給部向該搬出搬入區域供給的該乾燥氣體的供給流量，與從該排氣部排出的排氣流量大致平衡。
11. 如請求項1至10中任一項所述之基板處理裝置，其中， 該乾燥氣體為氮氣。
12. 一種基板處理方法，使用基板處理裝置，藉由超臨界乾燥處理使在正面附著了液體的基板乾燥； 該基板處理裝置具備： 處理容器，具有對該基板進行超臨界乾燥處理的內部空間； 殼體，在其內部設置了：配置了該處理容器的處理區域，以及用於搬出搬入基板的搬出搬入區域； 傳遞部，設置在該搬出搬入區域，並在其與從該殼體的外部進入到該搬出搬入區域的基板搬運臂之間進行基板的傳遞； 基板傳送機構，在該傳遞部與該處理容器之間傳送基板；以及 氣體供給部，為了能夠對該搬出搬入區域供給乾燥氣體而被設置； 該基板處理方法具備以下的步驟： 藉由該氣體供給部對該搬出搬入區域供給該乾燥氣體的步驟； 在該搬出搬入區域內的環境氣體的水分含有量變得小於預設的値之後，藉由該基板搬運臂，將在正面附著有液體的該基板搬入至該搬出搬入區域，並傳遞至該傳遞部的步驟； 從該傳遞部向該基板傳送機構傳遞基板的步驟； 藉由該基板傳送機構將受到固持的基板收容至該處理容器的該內部空間的步驟；以及 在該處理容器的該內部空間進行超臨界乾燥處理的步驟。
13. 如請求項12所述之基板處理方法，其中， 該氣體供給部，包含對該處理容器的該內部空間吐出乾燥氣體的氣體吐出部，且在該內部空間與該搬出搬入區域連通之時，藉由從該氣體吐出部向該內部空間內吐出的該乾燥氣體，一面將該內部空間吹淨，一面向該搬出搬入區域流出，而對該搬出搬入區域供給該乾燥氣體。

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